JP2004274068A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の温調処理に要する時間がスループットの低下に与える影響を極力減らすことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。また、基板に対して液処理を行うための処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１の主ウエハ搬送部Ａ１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ２の周囲に１０段の各熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５、５段の各塗布処理ユニット部Ｇ１及びＧ２を配置し、該熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５においては温調・搬送装置ＣによりウエハＷを温調しながらウエハＷの搬送を行うことにより、基板の温調処理に要する時間がスループットの低下に与える影響を極力減らすことができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば半導体ウエハ上にレジスト液を塗布し、現像する塗布現像処理装置等の基板処理装置に関する。

例えば半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）等の基板はパターンの露光が行われた後、加熱処理後に温調処理され、次いで現像処理される。このような一連の処理には、従来から塗布現像処理装置が使用されている。

この塗布現像処理装置には、ウエハの塗布現像処理に必要な一連の処理、例えば、レジスト液の塗布を行うレジスト塗布処理、露光処理後のウエハを加熱する加熱処理、この加熱処理後のウエハを温調する温調処理、さらにこの温調処理が終わったウエハに現像処理を施す現像処理等を個別に行う各種処理装置が備えられている。そして、各処理装置に対するウエハの搬入出及び各処理装置間のウエハの搬送は主搬送装置により行われている。

ところで、このような主搬送装置による各部に対する搬送だけでは、主搬送装置にかかる負担が大きくなり、装置全体のスループットの低下を招くおそれがある。

そこで、例えば下記の特許文献１には、連続プロセス処理を行うための処理部のうち所定の処理部により処理部群が構成され、これらの処理部群にはそれぞれ基板受渡し位置が設けられ、この基板受渡し位置と処理部群を構成する処理部との間で副搬送ロボットが基板を搬送する一方、処理部群を構成する処理部以外の処理部と、処理部群の基板受渡し位置との間で主搬送ロボットが基板を搬送する技術が開示されている。これにより搬送装置の負担を軽減し、スループットの向上を図ることができる。

例えば、露光処理と現像処理との間では加熱処理の後に温調処理が行われるが、温調処理に要する時間が長くなり、スループットを低下させる傾向にあるが、上記のように開示された技術によれば負担の軽減した副搬送ロボットが加熱処理を行う処理部と温調処理を行う処理部との間で基板を搬送するために加熱処理の終了から現像処理の開始までの時間を短縮し、温調処理に要する時間がスループットの低下に与える影響を減らすことができる。

特開平８−１６２５１４号公報

しかしながら、上記の公報に開示された技術では、温調処理に要する実際の時間は従来と何ら変わりがないため、温調処理に要する時間がスループットの低下に与える影響を減らすことには限界がある。

また、上記の公報に開示された技術では、副搬送ロボットを介して加熱処理を行う処理部や温調処理を行う処理部に基板が搬入される構成となっているため、加熱処理前や温調処理前の基板の熱履歴にばらつきを生じ、精密な温度での処理が行えない、という問題がある。特に、最近では加熱プレートや温調プレートを薄くして温度変更に迅速に対応する傾向にあり、そのような場合に熱履歴にばらつきがある基板が投入されると加熱プレートや温調プレートの温度が乱れ、精密な温度での基板処理が困難になっている。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、基板の温調処理に要する時間を実質的に低減することができる基板処理装置を提供することを目的としている。

本発明の第２の目的は、基板の熱的処理や温調処理をより精密に行うことができる基板処理装置を提供することにある。

また、一方、従来から塗布現像処理装置全体をコンパクト化するため、複数の加熱処理ユニットと温調処理ユニットとを多段に、搬送装置と共に全体として集約配置することで、塗布現像処理装置の省スペース化を達成している。

ウエハＷが大口径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型化する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニットの配置を一層高集約化させる必要がある。

しかしながら加熱処理ユニットが大型化すると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、これまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配置されていると、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置等における温度制御を精密に行うことができなくなる虞がある。そして、これらの処理ユニットで温度制御が乱れるとレジスト膜の膜厚が変化する、という問題を生じる。

上記事情に鑑みてなされた本発明の第３の目的は、基板に対して液処理を行うための処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる基板処理装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の基板処理装置は、基板を搬送するための主搬送部と、前記主搬送部の周囲に配置され、少なくとも基板に対して熱的処理を施す処理ユニットと、前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する液供給ユニットと、前記液供給ユニットが前記処理ユニット及び前記主搬送部よりも陽圧で、且つ、前記主搬送部と前記処理ユニットとがほぼ等しい気圧となるように制御する手段とを具備する。

本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットが、それぞれ別個の筐体内に配置され、前記各筐体は、それぞれ基板の受け渡しを行うための開口部を有し、前記各筐体間で隣接する開口部間を繋ぐ通路は、囲繞部材により囲繞されている。

本発明の基板処理装置は、前記囲繞部材と少なくとも一方の前記筐体との間には微小な隙間が設けられている。

本発明の基板処理装置は、前記気圧制御手段は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットに対してそれぞれ、気体を供給する気体供給部と、気体を排気する気体排気部と、気圧を計測する気圧計測部とを備え、前記計測された気圧に基づき前記気体供給部により供給される気体の量及び前記気体排気部により排気される気体の量のうち少なくとも一方を制御する。

本発明の基板処理装置は、前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、各処理ユニット毎に、前記気体供給部、前記気体排気部及び前記気圧計測部を備える。

本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体のうち少なくとも１つには、内部保守に用いる開閉可能なドアーが設けられ、前記気圧制御手段は、前記ドアーが開かれたとき、筐体内の気圧を高めるように制御する。

本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体を全体的に囲繞すると共に、内部保守に用いる開閉可能なパネルが設けられた外側筐体を更に有し、前記気圧制御手段は、前記パネルが開かれたとき、外側筐体内の気圧を高めるように制御する。

本発明の基板処理装置は、前記ドアー又は前記パネルが開かれたときだけ作動する気体供給部が更に前記筐体内又は前記外部筐体内に設けられている。

本発明の基板処理装置は、基板を搬送するための主搬送部と、前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する液供給ユニットと、前記主搬送部の周囲に配置された処理ユニットと、前記主搬送部、前記液供給ユニット及び前記処理ユニットの温調又は湿度管理をそれぞれ別個に行うユニット温調手段とを具備し、前記処理ユニットは、前記主搬送部と隣接するように配置され、基板を所定の温度に調整する温調部と、前記主搬送部に対して前記温調部が介在するように配置され、基板に対して熱的処理を施す処理部とを具備する。

本発明の基板処理装置は、前記処理部は温調機構により覆われている。

本発明の基板処理装置は、前記温調部と前記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板が配置されている。

本発明の基板処理装置は、前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、前記ユニット温調手段は、前記各処理ユニット毎に別個に温調又は湿度管理する。

本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニットは、上下方向に多段に配置され、前記ユニット温調手段は、前記各液供給ユニット毎に別個に温調又は湿度管理する。

本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給機構を更に有し、前記ユニット温調手段は、前記液供給機構も温調又は湿度管理する。

本発明の基板処理装置は、前記液供給機構は、前記液供給ユニットの下方に配置されている。

本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニットは、前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給機構に代用可能である。

本発明の基板処理装置は、基板に対して熱的処理を施す処理部及び基板を所定の温度に調整する温調部とを有する処理ユニットが上下方向に多段に配置された処理ユニット群と、前記処理ユニット群の一方側に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂直搬送型の第１の主搬送装置と、前記第１の主搬送装置の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する第１の液供給ユニットと、前記処理ユニット群の他方側に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂直搬送型であると共に所定の平面方向に移動可能な第２の主搬送装置と、前記第２の主搬送装置の平面移動方向に沿って配置され、基板上に所定の液を供給する複数の第２の液供給ユニットとを具備する。

本発明の基板処理装置は、前記第１及び第２の液供給ユニットが、上下方向に多段に配置されている。

本発明の基板処理装置は、基板を受け渡すための第１及び第２の開口部を両側に有する第１の処理ユニットと、前記第１の処理ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記各開口部を介して前記第１の処理ユニットとの間で基板の搬入出を行う第１の及び第２の搬送装置と、前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段とを具備する。

本発明の基板処理装置は、前記第１の処理ユニットが、基板に熱的処理を施すための熱的処理部と、基板を所定の温度に調整する温調部と、を具備する。

本発明の基板処理装置は、前記第１及び及び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に外部から遮蔽されている。

本発明の基板処理装置は、基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置と隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すためのそれぞれ第１及び第２の開口部を有する第１及び第２の処理ユニットと、前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段とを具備する。

本発明の基板処理装置は、前記第１の処理ユニットが、基板を温調又は加熱するためのユニットであり、前記第２の処理ユニットが、基板に所定の液を供給するためのユニットである。

本発明の基板処理装置は、前記第１及び及び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に外部から遮蔽されている。

本発明の基板処理装置は、基板の受け渡しを行うための搬送装置と、前記搬送装置と隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すためのそれぞれ第１及び第２の開口部を有する第１及び第２の処理ユニットと、前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段とを具備する。

本発明の基板処理装置は、基板を搬送する主搬送装置と、前記主搬送装置の前面側に隣接するように配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板に対して所定の液を供給する第１の処理ユニットと、前記主搬送装置の一側面側に隣接するように配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を所定の温度に調整する温調部及び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理ユニットとを備え、前記第２の処理ユニットの前記温調部は前記主搬送装置と隣接するように配置され、前記加熱部は前記温調部と隣接し、且つ、前記主搬送装置の背面側に突き出るように配置されている。

本発明では、前記液供給ユニットが前記処理ユニット及び前記主搬送部よりも陽圧で、且つ、前記主搬送部と前記処理ユニットとがほぼ等しい気圧となるように制御しているので、液供給ユニットに対してパーティクル等が流入することがなくなり、液供給ユニットでのパーティクル等に起因する不良を低減することができる。

特に、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットが、それぞれ別個の筐体内に配置され、前記各筐体は、それぞれ基板の受け渡しを行うための開口部を有し、前記各筐体間で隣接する開口部間を繋ぐ通路は、囲繞部材により囲繞されるように構成することで、上記圧力管理を効率よく且つ精密に行うことができる。

また、特に、前記囲繞部材と少なくとも一方の前記筐体との間には微小な隙間が設けられていることにより、ユニットの設置等を効率良く行うことができる。

また、前記気圧制御手段は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットに対してそれぞれ、気体を供給する気体供給部と、気体を排気する気体排気部と、気圧を計測する気圧計測部とを備え、前記計測された気圧に基づき前記気体供給部により供給される気体の量及び前記気体排気部により排気される気体の量のうち少なくとも一方を制御するように構成することで、各ユニット毎に精密に気圧の管理を行うことができる。

本発明では、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体のうち少なくとも１つには、内部保守に用いる開閉可能なドアーが設けられ、前記気圧制御手段は、前記ドアーが開かれたとき、筐体内の気圧を高めるように制御するように構成することで、或いは、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体を全体的に囲繞すると共に、内部保守に用いる開閉可能なパネルが設けられた外側筐体を更に有し、前記気圧制御手段は、前記パネルが開かれたとき、外側筐体内の気圧を高めるように制御するように構成することで、保守の際にパーティクル等が装置内に流入することを防止することができる。

本発明では、前記主搬送部と隣接するように基板を所定の温度に調整する温調部を配置し、前記主搬送部に対して前記温調部が介在するように処理部を配置し、更に前記主搬送部、前記液供給ユニット及び前記処理ユニットの温調又は湿度管理をそれぞれ別個に行うように構成したことで、各ユニット毎に効率良く且つ精密に温調又は湿度管理を行うことができる。特に、前記処理部が温調機構により覆われるように構成することで、処理部が他の部位に熱的影響を与えることを低減することができる。また特に、前記温調部と前記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板を配置するように構成することで、処理部が温調部、更には搬送部や液供給ユニットに熱的影響を与えることが少なくなる。

本発明では、前記ユニット温調手段が前記液供給機構も温調又は湿度管理するように構成することで、液供給ユニットでの液の温度管理等を正確に行うことができる。

本発明では、前記液供給ユニットは、前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給機構に代用可能となるように構成することで、スペースを有効活用でき、しかも前記液供給ユニットの温調等を利用できるので、液の温度管理等を効率良く行うことができる。

本発明では、前記処理ユニット群の他方側に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂直搬送型であると共に所定の平面方向に移動可能な第２の主搬送装置を有することで、無駄なスペースをなくし、フットプリントを最適化することができる。

本発明では、前記第１の処理ユニットの前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように各開口部に設けられた各シャッター部材の開閉を制御するように構成したので、第１の処理ユニットがいわばロードロック室的に機能し、第１の処理ユニットの両側に配置された搬送装置間でのパーティクル等の流入出を極力回避することができる。

本発明では、前記第１の処理ユニットの前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の処理ユニットの前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御するように構成したので、第１の処理ユニットと第２の処理ユニットとの間でのパーティクル等の流入出を極力回避することができる。

本発明では、基板に対して所定の液を供給する第１の処理ユニットが主搬送装置の前面側に隣接するように配置され、基板を所定の温度に調整する温調部及び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理ユニットにおける前記温調部は主搬送装置と隣接するように配置され、更に加熱部は温調部と隣接し、且つ、前主搬送装置の背面側に突き出るように配置されているので、主搬送装置及び温調部が加熱部と第１の処理ユニットとの間に介在する断熱領域として機能し、加熱部から第１の処理ユニットに対する熱的影響を極力回避することができる。

上記第３の目的を達成するため、本発明の基板処理装置は、基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送装置とを備え、前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記第１の処理ユニット群側に位置するようにしつつ、前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置した。

本発明では、常温付近で基板に対して液処理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調部とを有する第２の処理ユニット群とが、温調部が第１の処理ユニット側に位置するように配置されているので、第１の処理ユニット群が第２の処理ユニット群から受ける熱的影響を極力抑えることができる。これにより、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができる。

更に、前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする。

このような構成によれば、通路が第１の処理ユニット群が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域との間における断熱手段として機能する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極めて良好な断熱手段として機能する。従って、上記構成の通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群への熱的影響を防止し、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

更に、前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする。

このような構成によれば、断熱壁が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群への熱的影響を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

本発明の基板処理装置は、基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、前記第１の処理ユニット群と隣接して配置され、前記各第１の処理ユニットに対して前記所定の液を供給する処理液供給部と、前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送装置とを備え、前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記処理液供給部側に位置するようにしつつ、前記処理液供給部と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする。

本発明では、常温付近で基板に対して液処理を行うための第１の処理ユニット群と、加熱部と温調部とを有する第２の処理ユニット群との間に、処理液供給部が配置され、更に、温調部が処理液供給部側に位置するように配置されている。すなわち、第１の処理ユニット群と加熱部との間には、温調処理ユニット及び処理液供給部が介在することとなり、第１の処理ユニット群及び処理液供給部が第２の処理ユニット群から受ける熱的影響を極力抑えることができる。これにより、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができ、更にこの第１の処理ユニット群に供給される処理液の温度管理も容易に行うことができる。

更に、前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする。

このような構成によれば、通路が処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域との間における断熱手段として機能する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極めて良好な断熱手段として機能する。従って、上記構成の通路が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群及び処理液供給部への熱的影響を防止し、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、また、処理液の温度管理を容易に行うことができる。

更に、前記処理液供給部が配置された領域と第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする。

このような構成によれば、断熱壁が第２の処理ユニット群から第１の処理ユニット群及び処理液供給部への熱的影響を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、また、処理液の温度管理を容易に行うことができる。

以上説明したように本発明によれば、基板の温調処理に要する時間を実質的に低減することができ、また基板の温調処理に要する時間がスループットに与える悪影響を極力減らすことができる。

また、本発明によれば、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の処理ユニット群における温度制御を精密に行うことができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。

図１〜図３は本発明の一実施例による基板処理装置の全体構成を示す図であって、図1は平面図、図２は正面図および図３は背面図である。

この基板処理装置１は、被処理基板として半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば２５枚単位で外部からシステムに搬入し又はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエハＷを搬入・搬出したりするための受け入れ部としてのカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１２と、この処理ステーション１２と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間で半導体ウエハＷを受け渡しするためのインタフェース部１４とを一体に接続した構成を有している。

カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数個たとえば５個のウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可能に構成されており、図３に示すように後述する多段構成とされた第３の処理ユニット部Ｇ３に属する熱処理系ユニットにもアクセスできるようになっている。

図１に示すように処理ステーション１２は、装置背面側（図中上方）において、カセットステーション１０側から第３の処理ユニット部Ｇ３、第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５がそれぞれ配置され、これら第３の処理ユニット部Ｇ３と第４の処理ユニット部Ｇ４との間には、第１の主搬送部としての第１の主ウエハ搬送部Ａ１が設けられている。この第１の主ウエハ搬送部Ａ１は、後述するように、この第１の主ウエハ搬送体１６が第１の処理ユニット部Ｇ１、第３の処理ユニット部Ｇ３及び第４の処理ユニット部Ｇ４等に選択的にアクセスできるように設置されている。また、第４の処理ユニット部Ｇ４と第５の処理ユニット部Ｇ５との間には第２の主搬送部としての第２の主ウエハ搬送部Ａ２が設けられ、第２の主ウエハ搬送部Ａ２は、この第２の主ウエハ搬送体１７が第２の処理ユニット部Ｇ２、第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置されている。

また、第1の主ウエハ搬送部Ａ１の背面側には熱処理ユニットが設置されており、例えばウエハＷを疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）１１３が図３に示すように下方から順に２段ずつ重ねられている。アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウエハＷを温調する機構を更に有する構成としてもよい。第２の主ウエハ搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０及びウエハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する検査部としての検査装置１１９が設けられている。これら周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０や検査装置１１９は多段に配置しても構わない。また、第２の主ウエハ搬送部Ａ２の背面側は、第1の主ウエハ搬送部Ａ１の背面側と同様に熱処理ユニットが配置構成される場合もある。

図３に示すように、第３の処理ユニット部Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加熱処理を施す第１の熱処理ユニットである高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）、ウエハＷに精度の良い温度管理化で加熱処理を施す高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、ウエハ搬送体２２から主ウエハ搬送体１６へのウエハＷの受け渡し部となるトランジションユニット（ＴＲＳ）、温調ユニット（ＴＣＰ）が上から順に例えば１０段に重ねられている。なお、第３の処理ユニット部Ｇ３において、本実施形態では下から３段目はスペアの空間として設けられている。第４の処理ユニット部Ｇ４でも、例えば第４の熱処理ユニットとしてポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施す第２の熱処理ユニットであるプリベーキングユニット（ＰＡＢ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が上から順に例えば１０段に重ねられている。更に第５の処理ユニット部Ｇ５でも、例えば露光後のウエハＷに加熱処理を施す第３の熱処理ユニットとしてポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が例えば上から順に１０段に重ねられている。

図1において処理ステーション１２の装置正面側（図中下方）には、第１の処理ユニット部Ｇ１と第２の処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されている。この第１の処理ユニット部Ｇ１とカセットステーション１０との間、及び第２の処理ユニット部Ｇ２とインターフェース部１４との間には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２に供給する処理液の温調に使用される液温調ポンプ２４，２５がそれぞれ設けられており、更に、この処理システム外に設けられた図示しない空調器からの清浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給するためのダクト３１、３２が設けられている。

図２に示すように、第１の処理ユニット部Ｇ１では、カップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての５台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）が３段、及び露光時の光の反射を防止するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）が２段、下方から順に５段に重ねられている。また第２の処理ユニット部Ｇ２でも同様に、５台のスピンナ型処理ユニット、例えば現像ユニット（ＤＥＶ）が下方から順に５段に重ねられている。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。

以上の第１〜第５の処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５や、アドヒージョンユニット１１０、加熱ユニット（ＨＰ）１１３、露光処理装置（ＷＥＥ）１２０、検査装置１１９は各メンテナンスのために取り外しが可能となっており、更に処理ステーション１２の背面側のパネル４０（図１）も取り外し又は開閉可能に取り付けられている。

また、第1及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２の最下段には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２に上述した所定の処理液を供給する液供給機構としてのケミカル室（ＣＨＭ）２６，２７がそれぞれ設けられている。

なお、カセットステーション１０の下方部にはこの基板処理装置１のシステム全体を制御する集中制御部８が設けられている。

インタフェース部１４の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、中央部にはウエハ搬送体２７が設けられている。このウエハ搬送体２７は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスするようになっている。また、ウエハ搬送体２７は、θ方向に回転可能に構成され、第５の処理ユニット部Ｇ５にもアクセスできるようになっている。更に、図３に示すようにインタフェース部１４の背面部には、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が複数設けられ、例えば上下２段とされている。ウエハ搬送体２７はこの温調ユニット（ＣＰＬ）にもアクセス可能になっている。

次に図４〜図１０を参照して主搬送部としての第1の主ウエハ搬送部Ａ１の構成について説明する。なお、第２の主ウエハ搬送部Ａ２は第１の主ウエハ搬送部Ａ１と同一であるのでその説明を省略する。

図４において主ウエハ搬送部Ａ１は、筐体４１及びこの筐体４１の背面側において開閉可能に取り付けられたドア３８により囲繞されており、図５において説明をわかりやすくするため、筐体４１及びドア３８の図示を省略している。このドア３８にはアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１０にアクセスできるように、また第２の主ウエハ搬送部Ａ２の場合は周辺露光装置１２０及び検査装置１１９にアクセスできるように窓３８ａが形成されている。筐体４１にも外部とアクセスできるように、正面と側面に窓４１ｂ及び４１ａがそれぞれ設けられている。正面の窓４１ｂは、５段に配設された第１の処理ユニット部Ｇ１との間でウエハＷの受け渡しを行うために５つ（図５）設けられており、一方、側面の窓４１ａは図６に示すように、１０段に配設された第３及び第４の処理ユニット部Ｇ４との間でウエハＷの受け渡しを行うために１０個設けられている。必要に応じてこれの窓を増やすことも減らすことも可能である。また、筐体４１の両側面には、第３及び第４の処理ユニット部Ｇ３、Ｇ４との間を繋ぐ囲繞部材４４が、該処理ユニット部Ｇ３及びＧ４に対して微小な隙間ｕをおいてそれぞれ取り付けられている。この隙間uはパーティクルの発生及び侵入を抑制できる距離であって、例えば０．５ｍｍとしている。この囲繞部材４４の処理ユニット部G３、G４側はそれぞれ衝撃吸収性のパッキン３０を有し、また図6に示すようにこのパッキン３０にもそれぞれ対応した窓３０ａがそれぞれ形成されている。また、囲繞部材内に各々の窓３０ａを仕切るように仕切板３４が各々設けられている。

また、図４において第１及び第２の処理ユニット部G１及びG２側の筐体４１´に設けられた５つの開口部９７に対応する部分にも、囲繞部材４４と同様な構成の囲繞部材４４´が、主ウエハ搬送部A１（A２）と微小な隙間u（例えば０．５ｍｍ）をおいて取り付けられている。

第1の主ウエハ搬送部Ａ1の底部には、この内部の気圧及び温湿度をコントロールするファン３６が例えば４つ設けられている。これらのファン３６は集中制御部８（図２）により運転が制御されるようになっている。

図４及び図５を示すように、筐体４４内の第１及び第２の処理ユニット部G１及びG２側には鉛直のポール３３が設置されており、このポール３３の一方の内部には、その上端部及び下端部に図７に示すように一対のプーリ５１，５２が取り付けられ、これらのプーリ５１，５２間に垂直駆動手段である無端ベルト４９が掛け渡されている。この垂直駆動ベルト４９にベルトクランプ４７を介して第１の主ウエハ搬送体１６の支持部４５が接続されている。また、図４及び図５に示すように支持部４５にはフランジ部４５ａが設けられており、このフランジ部４５ａは両ポール３３にそれぞれ形成されたスリーブ３３ａに摺動可能に係合している。下部プーリ５２は、ポール３３の底部に固定配置された駆動モータＭの回転軸Ｍａに接続され、駆動プーリを構成している。このような垂直ベルト駆動機構及び垂直摺動機構により、主ウエハ搬送体１６は駆動モータＭの駆動力で垂直方向に昇降移動できるようになっている。

以上の昇降機構は他方のポール３３にも同様に設置されているが、この他方ポール３３においては駆動モータＭはなくてもよい。

主ウエハ搬送体１６は、その支持部４５にはモータ５０が内蔵されており、このモータ５０にはθ方向（図５）に回転可能な回転ロッド４６が連結され、この回転ロッド４６の上端には３本のアーム７ａ、７ｂ及び７ｃの基端となるアーム基端部５５が固定されている。

図８は、主ウエハ搬送体１６を図４の状態において正面側から見た図である。アーム基端部５５の先端部両側には垂直部材９５が取り付けられ、これら垂直部材９５には、上段アーム７ａと中段アーム７ｂとの間に両アームからの放射熱を遮る遮蔽板９が取り付けられ、更にこれら垂直部材９５間をかけわたす取付部材９６が取り付けられている。この取付部材９６の中央及びアーム基端部５５の先端には一対の光学的センサ９４が設けられ、これにより各アーム上のウエハＷの有無、及びウエハＷのはみ出しが確認される。

図９は主ウエハ搬送体１６の基端部５５の構成を示す断面図、図１０は図９における［１０］−［１０］線断面図である。各アーム７ａ〜７ｃのアーム基端部には、アーム支持板５４がそれぞれ固定されている。これらアーム支持板５４は、断面Ｌ字状に形成され、各アーム支持板５４には、基端部５５のベース５５ａ上に敷設されたレール６１に沿ってアーム長手方向に移動可能なアームキャリッジ５６がそれぞれ固着取付されている。

各アームキャリッジ５６の下部には、各レール６１に摺動可能に係合したガイド６２がそれぞれ設けられている。また、各アームキャリッジ５６の内側面は、アーム原位置（ベース５５の基端部５５ｂ）付近にそれぞれ配設されたプーリ６３とアーム往動端位置（ベース５５の先端部５５ｃ）付近にそれぞれ設けられたプーリ６４との間にそれぞれ掛け渡された各駆動ベルト６５に、それぞれベルトクランプ６６を介して固着されている。各プーリ６３はそれぞれ軸受６７を介してプーリ６８にそれぞれ同軸結合され、これら各プーリ６８はそれぞれ駆動ベルト６９を介してそれぞれプーリ７０に連結され、これら各プーリ７０はそれぞれ駆動モータ６０の回転軸に固着されている。

各モータ６０の回転軸が回転すると、各プーリ７０、各駆動ベルト６９、各プーリ６８を介して各プーリ６３が回転し、各プーリ６３の回転駆動によって各駆動ベルト６５が駆動し、各駆動ベルト６５と一緒に各アームキャリッジ５６が各レール６１上をそれに沿って移動するようになっており、その移動方向は各モータ６０の回転方向によって決まる。なお、これら各モータは、当然にそれぞれ独立して駆動するようになっており、各アーム７ａ〜７ｂはそれぞれ独立して移動可能になっている。

以上のような主ウエハ搬送体１６の構成により各アーム７ａ〜７ｂはθ方向に回転可能となり、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能となって上述したように各処理ユニット部Ｇ１、Ｇ３及びＧ４にアクセス可能となる。

次に図１１〜図１３を参照して、第４の処理ユニット部Ｇ４、第５の処理ユニット部Ｇ５に属する１０段のうちのプリベーキングユニット（ＰＡＢ）、ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）について説明する。これらの各ベーキングユニットは処理温度が相違するだけである。

図１１に示すように、このような熱処理ユニットは筐体７５内に、システム正面側に熱処理装置Ｈ、背面側に温調・搬送装置Ｃを有している。熱処理装置Ｈには、円筒形の支持体８８内に適当な断熱材を介して、電熱線８６ｂにより加熱されるホットプレート８６が設けられている。支持体８８の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための３本のピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置されており、この３本のピン８５はホットプレート８６に形成された貫通穴８６ａに埋没して配置されている。

一方、温調・搬送装置Ｃは、Ｘ方向に沿って配設された例えば２本の案内レール７７に沿ってそれぞれ移動可能なスライダ７９ａ、７９ｂが設けられ、これらスライダ７９ａ、７９ｂにそれぞれ取り付けられた連結部材７８、７８を介して、温調・搬送プレート７１が固定されている。温調・搬送プレート７１の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための昇降ピン８４が駆動装置により昇降可能に設置されている。温調・搬送プレート７１には、その下方に埋没している各昇降ピン８４が上昇可能なように切欠き７１ａが形成されている。この温調機構としては例えば冷却水等を使用してウエハＷの温度を所定の温度、例えば４０℃前後に調整して温度制御が行われる。一方のスライダ７９ａには図示しない駆動装置、例えばエアやモータによる駆動装置が設けられており、他方のスライダ７９ｂには動作位置認識のための図示しないセンサが設けられている。

筐体７５の正面側（図中左方）には、後述する気圧コントロールのためのエアの流路７５ｃが形成されており、この流路７５ｃはファン８７ａを介して温調・搬送装置Ｃ側に連通している。またこの流路７５ｃは図示しないが鉛直方向（Ｚ方向）に最上段から最下段まで通じている。また、熱処理装置Ｈ側における筐体７５の両側面においてもファン８７ｂがそれぞれ設置されて、排気口７５ｄが形成され、同じく最上段から最下段まで通じている。

更にこの筐体７５の温調・搬送装置Ｃ側の一方の側面部分には、例えば第４の処理ユニット部Ｇ４に関しては、第1の主ウエハ搬送部Ａ１との間でウエハＷの受け渡しを行うために、開口部７５ａが設けられており、他方の側面部分には、第２の主ウエハ搬送部Ａ２の窓４１ａに対向するように開口部７５ｂが設けられている。これら開口部７５ａ、７５ｂにはそれぞれ開閉自在のシャッタ７６ａ、７６ｂが設けられている。シャッタ７６ａ、７６ｂは集中制御部８のもと図示を省略した駆動部により開閉動作が行われるようになっている。

図１３は第４の処理ユニット部Ｇ４（第５の処理ユニット部Ｇ５）全体の側断面図であり、熱処理装置Ｈ側の両側面部分には図示するように、第４の処理ユニット部Ｇ４（第５の処理ユニット部Ｇ５）外部への熱拡散を抑制し、装置内雰囲気の温度の上昇を抑えるために、冷却水を流通させる温調パイプ９０が最上段から最下段まで設けられ、図示しないが処理ユニット部Ｇ４（Ｇ５）の下方部に設けられたポンプに接続されている。

次に図１４を参照して、すべての熱処理系のユニット（第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５）に属する温調部としての高精度温調ユニット（ＣＰＬ）について説明する。これについては、上記したプリベーキングユニット（ＰＡＢ）等における温調・搬送装置Ｃが高精度温調装置Ｃ２に置き代わり、熱処理装置Ｈがない構成となっているので、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）等における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

この高精度温調装置Ｃ２は、円筒形の支持体１３１内に高精度温調プレート１３３が設けられている。この高精度温調プレート１３３では図示しないが、例えばペルチェ素子を使用し、フィードバック制御によりウエハＷの温度を所定の温度、例えば２３℃に調整して精密な温度制御が行えるようになっている。支持体１３３の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための３本の昇降ピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置されており、この昇降ピン８５は高精度温調プレート１３３に形成された貫通穴１３３ａに埋没して配置されている。

次に図１５を参照して、第３の処理ユニット部Ｇ３に属する高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）の構成について説明する。なおプリベーキングユニット（ＰＡＢ）等における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

筐体７５内のシステム正面側には温調部としての温調装置Ｃ１が配置され、この温調装置Ｃ１は円筒形の支持体１６１内に温調プレート１６３が設けられている。この温調プレート１６３の温度制御は上記プリベーキングユニット（ＰＡＢ）等と同様に例えば冷却水等を使用して行われている。一方、背面側にはプリベーキングユニット（ＰＡＢ）等における熱処理装置Ｈよりも更に高温度で加熱処理する熱高温度熱処理装置ＨＨが配置されている。この高温度熱処理装置ＨＨの構成は熱処理装置Ｈと同様に、円筒形の支持部材８８に適当な断熱材を介して、高温度ホットプレート１１２が設けられている。支持部材８８の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための３本のピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置されており、この３本のピン８５はそれぞれのホットプレート１１２に形成された貫通穴１１２ａに埋没して配置されている。

これら温調装置Ｃ１と高温度熱処理装置ＨＨとの距離を、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）等における温調・搬送装置Ｃと熱処理装置Ｈとの距離に比べて、大きく設定しているのは、高温度熱処理装置ＨＨの高温度による熱処理の影響が、温調装置Ｃ１の温調処理に悪影響を及ぼさないようにするためである。

これら温調装置Ｃ、高温度熱処理装置ＨＨの側方には、案内レール１１８がＸ方向に延設されており、この案内レール１１８に沿って図示しない駆動装置により移動可能なようにウエハＷを搬送する副搬送部としてのサブアーム１１５が設けられている。このサブアーム１１５は、１対のハンド１１５ａ、１１５ａを有している。

第４及び第５の処理ユニット部Ｇ４及びＧ５の下方２段に属する温調ユニット（ＴＣＰ）の詳細構成については図示しないが、上述の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）と同様の構成をしており、この温調ユニット（ＴＣＰ）の温調機構としては冷却水やペルチェ素子等を使用して温度制御が行われる。例えば、この場合のペルチェ素子の数は高精度温調プレート１３３のペルチェ素子の数より少ない。

図１６に第３の処理ユニット部Ｇ３に属するトランジションユニット（ＴＲＳ）を示す。これは他の熱処理ユニットと異なり、熱処理系の装置等（例えば温調装置Ｃ１）がなく、昇降ピン８５とそれを昇降駆動させる駆動装置があるのみである。このトランジションユニット（ＴＲＳ）においてその他の構成要素は高精度温調ユニット（ＣＰＬ）等と同様である。また、上述した第３の処理ユニット部Ｇ３に属するスペアの空間も図示はしないが、トランジションユニット（ＴＲＳ）と同様に、他の処理ユニットとのウエハＷの受け渡しのために、昇降ピンとそれを昇降駆動させる駆動装置があるのみである。

次に図１７及び図１８に示すレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の構成を説明する。

このユニットでは、筐体４１´の上方に後述するエアコントロールのためのファン・フィルタユニットＦが取り付けられており、下方においては筐体４１´のＹ方向の幅より小さいユニット底板１５１の中央付近に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピンチャック１４２が配置されている。このスピンチャック１４２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で、駆動モータ１４３の回転駆動力で回転するように構成されている。カップＣＰの中には、ウエハＷを受け渡しする際のピン１４８が駆動装置１４７により昇降可能に設けられ、また廃液用のドレイン口１４５が設けられている。このドレイン口に廃液管１４１が接続され、この廃液管１４１はユニット底板１５１と筐体４１´との間の空間Ｎを利用して下方の図示しない廃液口へ通じている。廃液管１４１ａは複数設けられるレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）にそれぞれ接続される。そのため各廃液管１４１ａはこの処理ユニット部に図示のごとく１列に配列されている。

一方、反対側（図１７において右方）の、筐体４１´とユニット底板との間の空間Ｌにより、後述する気圧コントロールのためのエアの流路が形成されており、このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下段にある他のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のファン・フィルタユニットＦが見えている。

ウエハＷのウエハ表面にレジストを供給するためのノズル１３５は、供給管１３４を介してケミカル室（ＣＨＭ）２６（図２）内の液供給機構（図示せず）に接続されている。ノズル１３５は、カップＣＰの外側に配設されたノズル待機部１４６でノズルスキャンアーム１３６の先端部に着脱可能に取り付けられ、スピンチャック１４２の上方に設定された所定のレジスト吐出位置まで移送されるようになっている。ノズルスキャンアーム１３６は、ユニット底板１５１の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール１４４上で水平移動可能な垂直支持部材１４９の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材１４９と一体にＹ方向で移動するようになっている。

ノズルスキャンアーム１３６は、ノズル待機部１４６でノズル１３５をレジストの種類により選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向にも移動するようになっている。

更にカップＣＰとノズル待機部１４６との間には、ドレインカップ１３８が設けられており、この位置においてウエハＷに対するレジストの供給に先立ちノズル１３５の洗浄が行われるようになっている。

ガイドレール１４４上には、上記したノズルスキャンアーム１３６を支持する垂直支持部材１４９だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１３９を支持しＹ方向に移動可能な垂直支持部材も設けられている。リンスノズルスキャンアーム１３９の先端部にはサイドリンス用のリンスノズル１４０が取り付けられている。Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズルスキャンアーム１３９及びリンスノズル１４０は、カップＣＰの側方に設定されたノズル待機位置（実線の位置）とスピンチャック１４２に載置されているウエハＷの周縁部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）との間で並進または直線移動するようになっている。

次に図１９及び図２０に示す現像ユニット（ＤＥＶ）の構成を説明する。この現像ユニット（ＤＥＶ）において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における構成と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

ウエハＷのウエハ表面に現像液を供給するためのノズル１５３は、ウエハＷの直径より少し長く、図示しないが現像液を吐出する孔が複数形成されている。カップＣＰの側方にはノズル待機部１５４が設けられ、ここにはウエハＷの表面に現像液を洗い流すためのリンス液を供給するためのリンスノズル１５５を備えている。このリンスノズル１５５は、ノズル１５３と同様な構成をしている。また、このノズル待機部１５４では、ノズル１３５の先端で乾燥劣化した現像液を廃棄するために、定期的または必要に応じてダミーディスペンスが行われるようになっている。

なお、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のノズルスキャンアーム１３６はＸ方向にも移動可能であったが、この現像ユニット（ＤＥＶ）のノズルスキャンアームはガイドレール１４４に沿ってＹ方向の移動のみとなっている。

また、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）についてはレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）における塗布液を反射防止膜材料に代えただけなので、ここではその構成の説明を省略する。

次に、以上説明した基板処理装置１の一連の動作を図２１に示すフロー図を参照しながら説明する。

先ず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出す（Ｓ１）。ウエハ搬送体２２は、カセットＣＲより半導体ウエハＷを取り出すと、θ方向に１８０°回動し、第３の処理ユニット部Ｇ３における温調ユニット（ＴＣＰ）の開口部７５ａのシャッタ７６ａ（図１１、図１２）が開き、ウエハ搬送体２２のハンドが開口部７５ａより筐体７５内にウエハＷが挿入され、温調プレート上に載置される。そして所定の温調処理（第1温調）が行われる（Ｓ２）。

温調ユニット（ＴＣＰ）での温調処理が終了すると、反対側の開口部７５ｂが開き、そこから第１の主ウエハ搬送体１６の上段アーム７ａが挿入されてウエハＷが該アーム７ａに受け渡される。そして主ウエハ搬送体１６は図４において反時計回りに９０°回動し、第１の処理ユニット部Ｇ１に属するボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）のシャッタ４３が開いて、上段アーム７ａが筐体内に挿入され、ウエハＷは所定の位置に載置されて反射防止膜の形成が行われる（Ｓ３）。このように温調系の処理ユニットから塗布系の処理ユニット（Ｇ１及びＧ２）へのウエハＷの搬送は上段アーム７ａのみで行い、後述する加熱処理後の搬送は中段アーム７ｂ又は下段アーム７ｃで行うことにより、ウエハＷへの熱影響を最小限に抑えることができる。

ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）における所定の塗布処理が終了すると、シャッタ４３が開いて中段アーム７ｂ（又は下段アーム７ｃ）が挿入されてウエハＷが受け渡され、中段アームは元の位置（筐体４１内）に収まる。そしてウエハＷは加熱ユニット（ＨＰ）１１３に搬送され、第１の前段階の加熱処理が施される（Ｓ４）。この加熱温度は例えば１２０℃である。

次に図１５に示す高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）において、シャッタ７６ｂが開き、図１５に示すシャッタ７６が開き、ウエハＷが載置された第１の主ウエハ搬送体Ａ１の中段アーム７ｂ（又は下段アーム７ｃ）がＹ方向に温調装置Ｃ１の直上位置まで移動し、温調装置Ｃ１における昇降ピン１２７が上昇し、サブアーム１１５の高さよりも高い位置で該ピン１２７上にウエハＷが載置された後、中段アーム７ｂは元の位置に収まるとともに、シャッタ７６が閉じる。このときサブアーム１１５は、主ウエハ搬送体１６の動作の妨げとならないようにユニット中央付近に待機している。そして待機していたサブアーム１１５が温調装置Ｃ１上に移動する。そして昇降ピン１２７がウエハＷを載せた状態で下降してウエハＷはサブアーム１１５に受け渡される。

ウエハWを受け取ったサブアーム１１５は、Ｘ方向に背面側に移動して、同様に昇降ピンの駆動により次工程である高温度熱処理装置HHのホットプレート１１２上に載置されて所定の第１の後段階の加熱処理を行う（Ｓ５）。この加熱処理は例えば２３０゜Ｃで所定時間だけ加熱される。

そして高温度熱処理装置HHにより所定の熱処理が終了すると、ウエハWはサブアーム１１５により温調装置Ｃ１まで移動されて、昇降ピン１２７を介し温調プレート１６３上に載置されて所定の温度に調整される（Ｓ６）。

そしてウエハＷは第１の主ウエハ搬送体１６により、高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）から第１の主ウエハ搬送部Ａ１へ搬送され、ここから第４の処理ユニット部Ｇ４に属する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）へ同様の動作で搬送される。そしてここで例えば２３℃で所定の温調処理が行われる（第２温調）（Ｓ７）。

そして温調処理が終了すると、図１７に示すシャッタ４３が開き、第１の処理ユニット部Ｇ１に属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬送され、レジスト液の塗布処理が行われることになる（Ｓ８）。

このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）では、ウエハＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されてくると、まず、ピン１４８が上昇してウエハＷを受け取った後下降して、ウエハＷはスピンチャック１４２上に載置されて真空吸着される。そしてノズル待機部に待機していたノズル１３５がノズルスキャンアーム１３６及びガイドレール１４４の機構により図１７で示すウエハＷの中心位置の上方まで移動する。そしてウエハＷ中心に所定のレジスト液の塗布が行われた後に、駆動モータ１４３により例えば１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転させて、その遠心力でレジスト液をウエハＷ全面に拡散させることによりレジスト液の塗布が完了する。

続いて第４の処理ユニット部Ｇ４におけるプリベーキングユニット（ＰＡＢ）のシャッタ７６ｂが開き、図２２（a）に示すように、ウエハＷを載せた中段アーム７ｂがＹ方向に温調・搬送プレート７１の直上位置まで移動し、続いて同図（ｂ）に示すように昇降ピン８４が上昇し、ピン上にウエハＷが載置された後、中段アーム７ｂは元の位置に収まるとともに、シャッタ７６ｂが閉じ、同図（ｃ）に示すように昇降ピン８４が下降してウエハＷは温調・搬送プレート７１上に載置される（Ｓ９）。

そして図２３（ａ）に示すように、ウエハＷを載せた温調・搬送プレート７１が背面側に、ホットプレート８６の直上位置まで移動し、続いて同図（ｂ）に示すようにピン８５が上昇してピン上にウエハＷが載置された後、温調・搬送プレート７１は元の位置に収まるとともに、同図（ｃ）に示すようにピン８５が下降してウエハＷはホットプレート８６上に載置され、所定の第２の加熱処理（ＰＡＢ）が行われる（Ｓ１０）。これによって、半導体ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。

この熱処理装置Ｈにより所定の加熱処理が終了すると、図２３に示した動作と逆の動作を行う。すなわちホットプレート８６から温調・搬送装置Ｃにより温調・搬送プレート７１にウエハＷを載置させて正面側へ戻る。このとき温調・搬送装置Ｃは加熱後のウエハＷの温度を例えば約４０℃に調整しながら（ウエハＷを温調させながら）正面側へ移動する（Ｓ１１）。これにより加熱処理から温調処理までの処理時間を短縮させることができ、スループットの向上が図ることができる。

そして図２２で説明した動作と逆の動作で、ウエハＷは今度は第２の主ウエハ搬送体１７により温調・搬送装置Ｃ上から取り出され、続いて図４に示すドア３８の窓３８ａを通過して膜厚検査部１１９・周辺露光ユニット部１２０へ搬送される。ここで所定の膜厚検査、基板周辺露光処理が行われた後（Ｓ１２）、再び第２の主ウエハ搬送体１７により第５の処理ユニット部Ｇ５の温調・搬送装置Ｃの昇降ピン８４を介して、ウエハ搬送体２７によりインターフェース部１４（Ｓ１３）から図示しない露光装置へ搬送される（Ｓ１５）。この場合ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカセットＢＲに一時的に格納されることもある。そしてその後インターフェース部１４の高精度温調ユニット（ＣＰＬ）１３０により所定の温調処理が行われる（Ｓ１４）。また、上記膜厚検査では、直接肉眼で見る検査ではなく検査機器によりミクロ的な検査を行うユニットであり、膜厚検査の他にも例えばパーティクル等の異物検査や表面検査等をも行う。これに関しては例えば全てのウエハＷを検査するのではなく適宜行うようにしてもよい。

そして露光処理が終了すると、ウエハＷは再びインターフェース部１４を介して、ウエハ搬送体２７により第５の処理ユニット部Ｇ５に属するポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）へ搬送されるわけであるが、この場合もＳ９〜Ｓ１１で説明した動作と同様の動作により、ウエハ搬送体２７から温調・搬送装置Ｃへ搬送され（Ｓ１６）、温調・搬送装置Ｃから熱処理装置Ｈへ温調しながら搬送され、熱処理装置Ｈにより加熱処理が行われ（第３加熱）（Ｓ１７）、温調・搬送装置Ｃにより所定の温度に調整しながら搬送され（Ｓ１８）、第２の主ウエハ搬送部Ａ２における第２の主ウエハ搬送体１７によりウエハＷが取り出される。

次に第５の処理ユニット部Ｇ５に属する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）により例えば２３℃で所定の温調処理が行われ（第４温調）（Ｓ１９）、その後、主ウエハ搬送体１７により第２の処理ユニット部Ｇ２に属する現像ユニット（ＤＥＶ）へ搬送され、現像液の塗布処理が行われることになる（Ｓ２０）。

この現像ユニット（ＤＥＶ）では、ウエハＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されてくると、まず、ピン１４８が上昇してウエハＷを受け取った後下降して、ウエハＷはスピンチャック１４２上に載置されて真空吸着される。そしてノズル待機部に待機していたノズル１３５がノズルスキャンアーム１３６及びガイドレール１４４の機構により、ウエハＷの周辺位置の上方まで移動する。続いて駆動モータ１４３によりウエハＷが例えば１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍで回転し、そしてノズル１３５はウエハＷ周辺からＹ方向に移動しながら、回転の遠心力により所定の現像液の塗布が行われる。

次に第４の処理ユニット部Ｇ４に属するポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）へ搬送されるわけであるが、この場合もＳ９〜Ｓ１１、Ｓ１６〜Ｓ１８で説明した動作と同様の動作により、主ウエハ搬送体１７から温調・搬送装置Ｃへ搬送され（Ｓ２１）、温調・搬送装置Ｃから熱処理装置Ｈへ搬送され、熱処理装置Ｈにより加熱処理が行われ（第４加熱）（Ｓ２２）、温調・搬送装置ＣによりウエハＷを例えば４０℃に所定の温度に調整しながら搬送され（Ｓ２３）、今度は第１の主ウエハ搬送部Ａ１における第１の主ウエハ搬送体１６によりウエハＷが取り出される。この加熱処理は例えば１００゜Ｃで所定時間だけ加熱される。これにより現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。

そしてウエハＷは、主ウエハ搬送体１６により第３の処理ユニット部Ｇ３におけるスペアの空間及びウエハ搬送２２を介してカセットステーション１０のカセットＣＲに戻される（Ｓ２４）。ここで、カセットステーション１０のカセットＣＲに戻される前に、カセットステーション１０の背面側に設けられた図示しないマクロ検査器により、肉眼でウエハ基板Ｗ上の処理むら等をマクロ的に検査する場合もある。また、上記マクロ検査の他にも例えば、現像後のパターンの欠陥、線幅、重ね合わせ／オーバーレイ精度等の検査をも行うようにしてもよい。このようなマクロ検査器はカセットステーション１０の背面側に突き出るように外付けしてもよいし、カセットステーション１０内に配置するように構成しても構わない。

以上説明したように、第１加熱（Ｓ５）、第２加熱（Ｓ１０）、第３加熱（Ｓ１７）、第４加熱（Ｓ２２）の直後は全て、温調・搬送装置Ｃにより搬送しながら温調・温調しているので、それぞれのその後の工程である第２温調（Ｓ７）、第３温調（Ｓ１４）及び第４温調（Ｓ１９）による温調処理時間が短縮でき、スループットが向上する。

更に、各熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５は１０段、各塗布処理ユニット部Ｇ１及びＧ２は５段で構成されており、しかもこれら各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５は第１の主ウエハ搬送部Ａ１、２１の主ウエハ搬送部Ａ２を取り囲むようにして配置されているので、大量の基板を迅速に処理することができ、また各主ウエハ搬送体１６及び１７は効率良く各処理ユニットにアクセスでき、スループットの向上に寄与する。

また、主ウエハ搬送体１６及び１７から温調・搬送装置Ｃを介して熱処理装置Ｈにより加熱処理を行うことにより、すなわち加熱処理を行う前には、必ず温調・搬送装置ＣによりウエハＷの温度が所定の温度に保たれるため、加熱処理時間を一定にしても処理状態に差が出ることはなく、かつ基板処理全体におけるウエハＷの熱履歴を一定とすることができる。

また、図1に示すように、各熱処理系の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における加熱装置Ｈ、ＨＨ等と各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２との間に、温調系の装置Ｃ１、Ｃ２、Ｃがそれぞれ配置されているため、各加熱装置Ｈ、ＨＨ等が塗布系の処理ユニットＧ１及びＧ２に与える熱影響を最小限に抑えることができる。

一方、主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２と、各処理ユニットＧ１〜Ｇ５との間を各囲繞部材４４、４４´により囲繞している構造となっているので、各処理ユニット及び各搬送部へのパーティクルの侵入を防止できる。

また、これら囲繞部材４４、４４´は、それぞれ図４に示すように、第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２の囲繞部材４４と、各処理ユニットとの間で隙間ｕを設けることにより、主搬送ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２の搬送による振動が各処理ユニットに伝わることはなく、各熱処理及び各塗布処理を確実に行うことができる。

次に図２４〜図２６を参照して、この基板処理装置１の気圧及び温度・湿度コントロールについて説明する。

図２４において、カセットステーション１０，処理ステーション１２およびインタフェース部１４の上方にはエア供給室１０ａ，１２ａ，１４ａが設けられており、エア供給室１０ａ，１２ａ，１４ａの下面に防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１０１，１０２，１０３が取り付けられている。各エア供給室のＵＬＰＡフィルタ１０１，１０２，１０３より清浄な空気が、ダウンフローで各部１０，１２，１４に供給され、これらエア供給室から各処理ユニットへ図２４及び図２５に示すようにダウンフローされるようになっている。このダウンフローの空気は上述したダクト３１及び３２から矢印方向（上向き）に供給されるわけであるが、第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２においてはその背面側に設けられた各ファン１０６を介して排気ダクト１００（図２４参照）から下方の排気口１２５へ排気され、また、第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５においては流路７５ｂ及び各ファン８７ａ、８７ｂ（図１１）を介して、排気口７５ｄから下方の排気口１２５へ排気されるようになっている。また、図２６に示すように第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２においては各ファン３６を介して下方の排気口１２５から排気され、更にドア３８の窓３８ａより周辺露光装置１２０及び検査ユニット部１１９へ通気され、排気口１２５へ排気されるようになっている。以上の各ファン１０６、８７ａ、８７ｂ、３６は全て制御部８により、各ユニット個別にその回転数が制御される。

また、塗布系ユニット部（Ｇ１、Ｇ２）のそれぞれ各ユニット全てにおいてこれらの上方にそれぞれファン・フィルタユニットＦが取り付けられ、それぞれ気圧、温度及び湿度を計測するセンサＳが設けられている。このファン・フィルタユニットＦは、例えばＵＬＰＡフィルタと小型のファンとを有している。一方、第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５、各ユニットに同様のセンサＳが設けられ、第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２においても同様にセンサＳが設けられている。以上の各センサＳは制御部８に検出結果が取り込まれるようになっている。

以上の構成により、気圧コントロールについては第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２内の気圧を、第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２、第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５内の気圧よりも例えば０．３（Ｐａ）〜０．４（Ｐａ）だけ高く制御する。このように、塗布系のユニットＧ１及びＧ２内の気圧を、熱処理系及び搬送系の気圧よりも高く制御する、すなわち陽圧コントロールをすることにより、最もパーティクルの制限が必要とされる塗布系のユニットにおける塗布処理を確実かつ高精度に行うことができる。

また、以上の構成により第１〜第５の処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５、第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２における各ユニット内の気圧・温度・湿度は各々個別にＰＩＤ制御されるので、各ユニットの処理に適合した最適な環境で各処理を行うことができる。

また、図４において第１又は第２の主ウエハ搬送部Ａ１又はＡ２のメンテナンスの際に、ドア３８を開いたときに制御部８の指令に基づき、全ユニットＧ１〜Ｇ５及び全主搬送部Ａ１及びＡ２内に供給される清浄空気の量を増加させて気圧を更に高めるようにする。これによりメンテナンス時に発生するパーティクルを抑制することができる。更にこの気圧コントロールに加えて、図１において背面側のパネル４０を取り外し又は開閉したときに、システム全体（基板処理装置１）内の気圧を高めるようにしてもよい。なお、そのような場合、メンテナンス時のみ作動するファンを別途設けて、システム全体（基板処理装置１）内の気圧を高めるようにしてもよい。

また、図1に示すように、各熱処理系の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における加熱装置Ｈ、ＨＨ等と各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２との間に、温調系の装置Ｃ１、Ｃ２、Ｃがそれぞれ配置されているため、各加熱装置Ｈ、ＨＨ等が塗布系の処理ユニットＧ１及びＧ２に与える熱影響を最小限に抑えることができる。従って、各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２における温度制御を精密に行うことができる。

また、基板処理装置１では、図２７に示すように、熱処理系の各ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における各ユニットでは、一方の窓７５ａがシャッタ７６ａにより開かれているときには、他方の窓７５ｂがシャッタ７６ｂにより閉じられるように開閉制御が行われている。これにより、各ユニットがいわばロードロック室的に機能し、各ユニットを跨ぐ両側の環境を効果的に遮断し、それぞれにおいて処理環境を良好に維持することができるようになる。

更に、基板処理装置１では、図２８に示すように、液供給系の各ユニット部Ｇ１、Ｇ２における各ユニットの開口部９７がシャッタ４３により開かれているときには、このユニット部の両側にある熱処理系の各ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における各ユニットの窓７５ａ、７５ｂがシャッタ７６ａ、７６ｂにより閉じられるように開閉制御が行われている。これにより、液供給系のユニットから熱処理系のユニットに処理に悪影響を及ぼす雰囲気が流入しないようになる。

更に、このシステムはケミカル室（ＣＨＭ）２６及び２７内の液供給装置５８及び５９をも温調可能としている。これにより塗布系の処理ユニットＧ１及びＧ２に供給される処理液の温度が好適な状態に維持される。なお、塗布系の処理ユニットとして使っていた室をケミカル室に代用することも可能である。

図２９は本発明の第２の実施形態による熱処理ユニットを示しており、図１１及び図１２における要素と同一のものについてはその説明を省略する。

この熱処理ユニットG３´では、筐体７５内に正面側（図中左方）から順に温調装置Ｃ１´と、低温度熱処理装置LHと、高温度熱処理装置HHとが例えば直線状に配置されている。これら熱処理装置LＨ、HHは加熱温度の違いだけであり、これらの構成は第１の実施形態の熱処理装置Hと同様に、円筒形の支持部材８８に適当な断熱材を介して、低温度熱処理装置LHには低温度ホットプレート１１１が設けられ、高温度熱処理装置HHには高温度ホットプレート１１２が設けられている。支持部材８８の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための３本のピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置されており、この３本のピン８５はそれぞれのホットプレート１１１及び１１２に形成された貫通穴１１１ａ及び１１２ａに埋没して配置されている。一方、温調装置Ｃ１´は例えば第１実施形態の温調ユニット（ＣＯＬ）における温調装置と同様であり、温調機構としてはペルチェ素子や冷却水を使用している。

これら温調装置Ｃ１´、低温度熱処理装置ＬＨ、高温度熱処理装置ＨＨの側方には、案内レール１１８がＸ方向に延設されており、この案内レール１１８に沿って図示しない駆動装置により移動可能なようにサブアーム１１５が設けられている。このサブアーム１１５は、１対のハンド１１５ａ、１１５ａを有している。

この熱処理ユニットＧ３´は、第１実施形態における各処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５の配置と同様に配置される。この場合、図１において処理ステーション１２背面側のパネル４０を背面側に移動させて、熱処理ユニットＧ３´の寸法に合わせて配置する。

この熱処理ユニットＧ３´の作用については、シャッタ７６が開き、第１又は第２の主ウエハ搬送体Ａ１又はＡ２の中段アーム７ｂ（又は下段アーム７ｃ）がＹ方向に温調装置Ｃ１´の直上位置まで移動し、温調装置Ｃ１´における昇降ピン１２７が上昇し、サブアーム１１５の高さよりも高い位置で該ピン１２７上にウエハＷが載置された後、中段アーム７ｂは元の位置に収まるとともに、シャッタ７６が閉じる。このときサブアーム１１５は、主ウエハ搬送体１６の動作の妨げとならないように低温度熱処理装置ＬＨ側に位置している。そして低温度熱処理装置ＬＨ側に位置していたサブアーム１１５が温調装置Ｃ１´上に移動する。そして昇降ピン１２７がウエハＷを載せた状態で下降してウエハＷはサブアーム１１５に受け渡される。

そして、ウエハWを受け取ったサブアーム１１５は、X方向に背面側に移動して、同様に昇降ピンの駆動により次工程である低温度熱処理装置LH、その次の工程である高温度熱処理装置HHのホットプレート１１１、１１２上に順次載置されて所定の加熱処理を行う。

そして高温度熱処理装置HHにより所定の熱処理が終了すると、ウエハWはサブアーム１１５により温調装置Ｃ１´まで移動されて、温調プレート１２２上に載置されて所定の温調処理を行なう。

本実施形態では、特に、温度の異なる熱処理、更には温調処理を連続的に行うことができ、スループットの向上を図ることができる。

なお、温調装置Ｃ１´と低温度熱処理装置LHと高温度熱処理装置HHとを適宜遮蔽板で仕切るようにすれば、各装置における温度制御をより精密に行うことができる。

図３０は本発明の第３の実施形態による基板処理装置を示しており、この基板処理装置１５０は、第１の実施形態における第２の主ウエハ搬送部A２が変形して、更に塗布系の処理ユニット部G２´が増設されたものであり、それ以外の構成については第１実施形態と同様である。この処理ユニット部G２´はレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）を有している。

第１の実施形態による主ウエハ搬送部Ａ１（Ａ２）は主ウエハ搬送体１６（１７）自体がY方向には移動することはなかったが、この第３実施形態による第３の主ウエハ搬送部Ａ３は、Y方向にも移動可能なようにY軸ポール１２８が設けられている。このY軸ポール１２８は鉛直方向のポール３３に沿って移動可能とされており、このY軸ポールに沿って移動可能に主ウエハ搬送体１７が取り付けられている。

これにより、第４及び第５の熱処理ユニット部G４及びG５で基板が処理された後、第１及び第２の塗布系の処理ユニット部G１及びG２で処理しきれなかった基板を第３の第３の主ウエハ搬送部A３による主ウエハ搬送体１７により、処理ユニットG２´へ搬送して所定の塗布処理を行なうことができる。これによりスループットは向上する。

次に、添付図３１〜図３８を参照しながら本発明の第４の実施の形態について説明する。図３１〜図３４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図３１は平面図、図３２は正面図である。図３３は図３１のＸ方向に沿って切断した場合の断面図、図３４は図３１のＹ方向に沿って温調処理ユニット２１８が配置された領域を切断した場合の断面図である。

図３１に示すように、この塗布現像処理システム２０１は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム２０１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するためのカセットステーション２０２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション２０３と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第１のステーションとほぼ同様の構成の第２の処理ステーション２０４と、この第２の処理ステーション２０４に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部２０５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション２０３では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション２０４では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。

カセットステーション２０２では、カセット載置台２１０上の位置決め突起２１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウエハＷの出入口を処理ステーション２０３側に向けてＸ方向（図３１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウエハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体２１１が搬送路２１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。

このウエハ搬送体２１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１の処理ステーション２０３における第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａの各第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａに対してアクセスできるように構成されている。

図３１、図３２に示すように、第１の処理ステーション２０３では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６がＺ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７がＺ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。

第１の処理ステーション２０３の中央部には、搬送装置２１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット２１０ａがＺ軸方向に８段に積み重ねられて構成され、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂがＺ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット２１０ａ、２１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ、２１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ、２２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図３１、図３３に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａが例えば８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット２１０ａにおいて、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａは反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ側に位置するように第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａとが配置される。尚、図３３は、図３１のＸ方向に沿って切断した場合の断面図であり、Ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群２１３ａと第２の処理ユニット群２１４ａとの位置関係を示す図である。また、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂが多段に積層されて構成され、全ての第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂにおいて、温調処理ユニット２１８ｂはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ側に配置される。

垂直搬送型の搬送装置２１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂが配置されている。そして、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａと反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂとレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置２１９ａにより行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａの両側面には開閉可能なシャッター部材２４７ａ、２４７ｂが設けられている。第１加熱・温調処理ユニット２１０ａとウエハ搬送体２１１との間での基板の受け渡し及び第１加熱・温調処理ユニット２１０ａと搬送装置２１９ａとの間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ２４７ａ、２４７ｂを介して行われる。また、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材２４７ａが設けられており、このシャッター部材２４７ａを介して搬送装置２１９ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂとの間での基板の受け渡しが行われる。

一方、第２の処理ステーション２０４では、図３１、図３２に示すように、第１の処理ステーション２０３と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として第１現像処理ユニット群２１３ｃ、第２現像処理ユニット群２１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群２１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６がＺ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群２１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６がＺ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。

第２の処理ステーション２０４の中央部には、搬送装置２１９ｂを挟んで、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃ、第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃでは第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃがＺ軸方向に７段に積み重ねられ、更にそれらの下層に後述する搬送ユニット（ＳＴＬ）が配置されて構成される。第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄでは第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄがＺ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。

各第３及び第４加熱・温調処理ユニット２１０ｃ、２１０ｄは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃ、２１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃ、２２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図３１に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃが、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃ側に位置するように第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃとが配置される。また、積層された全ての第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄと加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｄのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄが、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｄ側に位置するように第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１４ｄとが配置される。

垂直搬送型の搬送装置２１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群２１３ｃ、第２現像処理ユニット群２１３ｄ、第３及び第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｃ、２１４ｄが配置されている。そして、第３加熱・温調処理ユニット群１４ｃと第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃとの間でのウエハＷの搬送、第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄと第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｂとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置２１９ｂにより行われる。また、第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄの両側面には開閉可能なシャッター部材２４７ａ、２４７ｂが設けられている。第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄと搬送装置２１９ｂとの間での基板の受け渡し及び第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄとウエハ搬送体２３７との間での基板の受け渡しは、それぞれシャッタ２４７ａ、２４７ｂを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット２１８ｂの搬送装置側の側面には開閉可能なシャッター部材２４７ｂが設けられており、このシャッター部材２４７ｂを介して搬送装置２１９ｂと温調処理ユニット２１８ｃとの間での基板の受け渡しが行われる。

また、図３１に示すように、第１の処理ステーション２０３及び第２の処理ステーション２０４の背面側では、検査機２０６や第１の処理ユニット群２１３ａで用いられ処理液を蓄えるケミカルタワー２１５を収容する容器棚が設けられている。この容器棚は、レール２０７により図面のＹ方向に沿って移動可能となっている。容器棚は、例えば背面側に開閉可能な扉のような構造となっており、この扉に容器が収容可能となっている。これにより、容器の交換や保守点検を容易に行うことができる。検査機２０６は、露光、現像処理を経たウエハＷの塗布膜の膜厚を検査するものであり、必要に応じて設置される。また、処理液としては、例えば反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６に供給される反射防止膜レジスト材、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７に供給されるレジスト膜材、現像処理ユニット２２６に供給される現像液がある。ここで、背面側に配置されるケミカルタワー２１５に蓄えられる処理液を主な処理液源として用いても良いし、背面側に配置されるケミカルタワー２１５を予備用として配置し、他の領域に主な処理液源として別のケミカルタワーを配置して用いても構わない。

インターフェイス部２０５では、その正面側に露光前のウエハＷを一旦保持する、例えばウエハＷカセットＣと同様の構造のバッファカセット２３３が配置され、その背面側には周辺露光装置２３４が配置されている。そして、垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に回転可能とされたウエハ搬送体２３７が、これらのバッファカセット２３３と周辺露光装置２３４との間の搬送路２３６に沿って移動可能とされ、ウエハ搬送体２３７は第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄ、バッファカセット２３３及び周辺露光装置２３４、露光前温調ユニット（図示しない）に対してアクセスできるように構成されている。

更に、この塗布現像処理システム２０１では、図３１、図３３に示すように、第１の処理ステーション２０３における第１の処理ユニット群２１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ）と第２の処理ユニット群２１４（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ）との間、第２の処理ステーション２０４における第１の処理ユニット群２１３（第１及び第２現像処理ユニット群２１３ｃ、２１３ｄ）と第２の処理ユニット群２１４（第３及び第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｃ、２１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁２３９及び後述する第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置されている。即ち、断熱壁２３９及び通路２４０は、第１の処理ユニット群２１３と第２の処理ユニット群２１４との間を分断するように配置されている。

図３２に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６が３段に積み重ねられている。

レジスト塗布ユニット群２１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。

第１現像処理ユニット群２１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６が上から２段に積み重ねられている。

同様に、第２現像処理ユニット群２１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６が上から２段に積み重ねられている。

第２及び第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ、２１４ｃでは、加熱・温調処理ユニット２１０が７段に積み重ねられ、それらのユニットの下段に更に図３４に示すように搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂ、２３８ｃがそれぞれ配置されている。第１及び第２の処理ステーション２０３、２０４間のウエハＷの受け渡しは、２つの搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂ、２３８ｃを連通する連通路２４２を介して行われる。図３４に示すように、搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂ、２３８ｃにはそれぞれ開口部が設けられ、各開口部に対応して開閉可能なシャッター部材２４８ａ、２４８ｂ、２４９ａ、２４９ｂが設けられている。そして、シャッター部材２４８ａ、２４９ｂを開閉することにより搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂ、２３８ｃとそれぞれに対応する搬送装置２１９a、２１９ｂとの間でウエハＷの受け渡しが行われる。また、シャッター部材２４８ｂ、２４９ａを開閉することにより連通路２４２を介して、搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂ、２３８ｃ間でのウエハＷの受け渡し、即ち第１及び第２ステーション間でのウエハＷの受け渡しが行われる。

次に、上述した搬送装置２１９ａ、２１９ｂについて、斜視図である図３５を用いて説明する。上述の搬送装置２１９ａ及び２１９ｂは同様の構造を有しており、図３５では符号２１９として説明する。

図３５に示されるように、搬送装置２１９は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部２５１、２５２からなる筒状支持体２５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハＷ搬送手段２５４を備えている。筒状支持体２５３はモータ２５５の回転軸に接続されており、このモータ２５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウエハＷ搬送手段２５４と共に一体に回転する。従って、ウエハＷ搬送手段２５４はθ方向に回転自在となっている。

ウエハＷ搬送手段２５４の搬送基台２５６上には、ウエハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット２５７、２５８が上下に備えられている。各ピンセット２５７、２５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体２５３の両壁部２５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット２５７、２５８は搬送基台２５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。

次に、図３４、図３６、図３７を用いて、上述した第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの構造について説明する。図３６は加熱・温調処理ユニットの平面図、図３７は加熱・温調処理ユニットの断面図である。

図３６、図３７に示すように第１加熱・温調処理ユニット２１０ａは、ウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａとウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａとを互いに隣接させて一体化した構造となっている。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａは、設定温度が２００℃前後とすることが可能な熱板２２４を有している。更に加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａとの間を開閉するためのゲートシャッター２２１と熱板２２４の周囲でウエハＷを包囲しながらゲートシャッター２２１と共に昇降されるリングシャッター２２２とを有している。熱板２２４には、ウエハＷを載置して昇降するための３個のリフトピン２２３が昇降自在に設けられている。なお、熱板２２３とリングシャッター２２２との間に遮蔽板スクリーンを設けてもよい。加熱処理室２２０ａの下方には、上記３個のリフトピン２２３を昇降するための昇降機構２２７と、リングシャッター２２２をゲートシャッター２２１と共に昇降するための昇降機構２２８とが設けられている。熱板２２３上には、高さが０．２ｍｍのプロキシミティピン２３５、更には案内ガイド２３２が設けられている。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａは、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する温調板２２５を有している。図３４、図３６に示すように、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａのカセットステーション側の側部には、カセットステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッター部材２４７ａが配置されている。更に、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａの搬送装置２１９側の側部には、搬送装置２１９との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部があり、この開口部に対応して開閉可能なシャッタ部材２４７ｂが配置されている。

図３７に示すように、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａと温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａとは、連通口２３０を介して連通されており、ウエハＷを載置して温調するための温調板２２５がガイドプレート２５９に沿って移動機構２６０により水平方向に移動自在に構成されている。これにより、温調板２２５は、連通口２３０を介して加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内に進入することができ、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内の熱板２２４により加熱された後のウエハＷをリフトピン２２３から受け取って温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬入し、ウエハＷの温調を行う。

上述では、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａについて説明したが、第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄの第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄも同様の構造を有している。また、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂ、第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃにおいても、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａとほぼ同様の構造を有しているが、図３１及び図３４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａでは両側面にシャッタ部材２４７ａ、２４７ｂが設けられているのに対し、第２及び第３加熱・温調処理ユニット２１０ｂ、２１０ｃでは搬送装置２１９側の側面のみにシャッタ部材２４７ａまたは２４７ｂが設けられている点で異なる。本実施形態では、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ、２１８ｄでは、シッター部材２４７ａ、２４７ｂの両方が開いた状態とならないように開閉駆動が行われるようになっている。即ち、シャッター部材２４７ａにより開口した状態ではシャッター部材２４７ｂにより開口部が閉じられ、逆にシャッター部材２４７ｂにより開口した状態ではシャッター部材２４７ａにより開口部が閉じられるようになっている。このようにシャッター部材２４７ａ、２４７ｂの開閉駆動を制御することで、温調処理ユニット（ＣＰＬ）がいわばロードロック室的な機能を果たすことになり、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。

上述のように本実施形態では、第１の処理ユニット群２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄと第２の処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄとの間に、それぞれ断熱壁２３９及び第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置された温調機構が設けられている。この温調機構について、図３８を用いて以下に説明する。尚、図３８は、処理液供給ユニット、ここでは反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６が複数段積層された第１の処理ユニット群２１３ａの概略断面図である。

図３８に示すように、塗布現像処理システム２０１の上部には、第１の処理ステーション２０３における第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａに対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部２４１が配置されている。清浄エアー供給部２４１は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路２４３を介して各反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６に供給する。更に、図３１に示すように、通路２４０と第２の処理ユニット群としての加熱・温調処理ユニット２１０ａとの間には段熱壁２３９が配置されている。本実施形態では、このように断熱壁や温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。そして、同様に、図３１に示すように、第１の処理ユニット群２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄとそれぞれ対応する加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄとの間にも清浄エアー供給部２４０と断熱壁２３９とがそれぞれ別個に設けられている。

次に、このように構成された塗布現像処理システム２０１における処理工程を説明する。

塗布現像処理システム２０１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によって取り出された後、第１の処理ステーション２０３の第１加熱・温調熱処理ユニット２１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置される。温調板２２５上に載置されたウエハＷは、図３７に示すように、移動機構２６０により水平移動される温調板２２５により、連通口２３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２２３により支持される。この後、リフトピン２２３が下降し熱板２２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２２及びゲートシャッター２２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２２３が上昇されるとともにリングシャッター２２２及びゲートシャッター２２１が下降され、ウエハＷは熱板２２４から離間されてリフトピン２２３により支持される。

その後、温調板２２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ａによってレジスト塗布ユニット群２１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内に搬送され、温調板２２５上に載置される。温調板２２５上に載置されたウエハＷは、移動機構２６０により水平移動される温調板２２５により、連通口２３０を通って加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂ内へ搬送される。搬送されたウエハＷは、上昇した状態のリフトピン２２３により支持される。この後、リフトピン２２３が下降し熱板２２４上にウエハＷが載置され、それとともにリングシャッター２２２及びゲートシャッター２２１が上昇されて形成された加熱処理空間内で加熱処理が行われる。加熱処理後、リフトピン２２３が上昇されるとともにリングシャッター２２２及びゲートシャッター２２１が下降され、ウエハＷは熱板２２４から離間されてリフトピン２３により支持される。

その後、温調板２２５が再度加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂ内に挿入され、加熱処理されたウエハＷを受け取る。ウエハＷは、温調板２２５によって温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂの最下段に配置される搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂに搬送され、連通路２４２を通って、第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃの搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｃへ搬送される。

第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃにおける搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置２１９ｂによって第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄの加熱・温調処理ユニット２１０ｄの温調処理ユニットへ搬送される。

更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部２０５におけるウエハ搬送体２３７によって周辺露光装置２３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置２３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体２３７によってバッファカセット２３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体２３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

ここで、バッファカセット２３３を例えば２つ設け、１つを周辺露光後のウエハＷを保持するためのカセット、もう１つを周辺露光前のウエハＷを保持するためのカセットとしても用いることができる。この際、周辺露光前のウエハＷを保持するカセットには、ウエハＷを２３℃前後の常温に温調する機構を設けることが望ましい。或いは、バッファカセット２３３は周辺露光後のウエハＷのみを保持し、周辺露光前のウエハＷは、第２の処理ユニット群２１４ｃまたは２１４ｄの加熱・温調処理ユニット２１０ｃまたは２１０ｄのうちの空いている温調処理ユニット２１８ｃまたは２１８ｄを周辺露光前のウエハＷを待機させる場所として用いることもできる。この場合、周辺露光前のウエハＷを保持するためのバッファカセットを設ける必要がない。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット２３３及びウエハ搬送体２３７を介してインターフェイス部２０５から第２の処理ステーション２０４の第４加熱・温調処理ユニット群２１４ｄにおける第４加熱・温調処理ユニット２１０ｄの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｄで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ｂによって第１現像処理ユニット群２１３ｃまたは第２現像処理ユニット群２１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ｂにより、例えば第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃにおける加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット２１８ｃへ搬送され、搬送装置２１９ｂによって第２の処理ステーション２０４における搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｃに搬送され、連通路２４２を通って第１の処理ステーション２０３における搬送ユニット（ＳＴＬ）２３８ｂに搬送される。

搬送ユニット（ＳＴＬ）に搬送されたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群２１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット２１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット２１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によってカセットＣ内に収容される。ここで、検査機２０６を設置する場合には、温調処理ユニット２１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１により検査機２０６に搬送される。検査機２０６では、レジスト膜の膜厚を測定することにより、露光現像処理により得られるパターンの幅が適正かどうかが判断される。検査されたウエハＷは、カセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）が、液処理ユニット側に配置されることにより、液処理ユニットと加熱処理ユニット（ＨＰ）との間に温調処理ユニット（ＣＰＬ）が介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を極力抑えることができる。従って、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、第１及び第２の処理ステーション２０３、２０４における液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１現像処理ユニット群２１３ｃ、第２現像処理ユニット群２１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁２３９及び液処理ユニット群２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置される。これにより、通路２４０は断熱手段の機能も伴うので、第１の処理ユニット群２１３と第２の処理ユニット群２１４との間に二重の断熱手段が配置されることとなり、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を抑制し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

次に、図３９〜図４１を参照しながら本発明の第５の実施形態について説明する。図３９〜図４１は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図３９は平面図、図４０は正面図である。図４１は、図３９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群２１３ａと第２の処理ユニット群２１４ａとケミカルタワー２１５ａのＸ方向における位置関係を示す図である。

本実施形態は、上述の第４実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置が異なる点、２つの搬送装置２１９ａ、２１９ｂの間に配置される加熱・温調処理装置の数が１つである点で、構造上異なる。以下、第５実施形態において説明するが、第４実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第４実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。

図３９に示すように、塗布現像処理システム２０１は、第４実施形態と同様のカセットステーション２０２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション２０８と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション２０９と、この第２の処理ステーション２０９に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部２０５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション２０８では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション２０９では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。

カセットステーション２０２については、第４実施形態と同様の構造を有するため説明は省略する。

図３９、図４０に示すように、第１の処理ステーション２０８では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂが設けられている。反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６がＺ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。また、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行うレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７がＺ軸方向に３段に積み重ねられて構成される。更に、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂにそれぞれ隣接してケミカルタワー２１５ａ、２１５ｂが配置されている。ケミカルタワー２１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されており、ケミカルタワー２１５ｂにはレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７に処理液として供給されるレジスト材料が収容されている。

第１の処理ステーション２０８の背面部には、搬送装置２１９ａを挟んで、第２の処理ユニット群として第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂは、それぞれケミカルタワー２１５ａ、２１５ｂに隣接して配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット２１０ａがＺ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂでは第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂがＺ軸方向に８段に積み重ねられて構成されている。各第１及び第２加熱・温調処理ユニット２１０ａ、２１０ｂは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ、２１８ｂと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ、２２０ｂとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図４１に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａが多段に積層されて構成される。尚、図４１は、図３９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図であり、Ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群２１３ａとケミカルタワー２１５ａと第２の処理ユニット群２１４ａとの位置関係を示す図である。図３９、図４１に示すとおり、第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット２１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）２１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａが、処理液供給部としてのケミカルタワー２１５ａ側に配置される。そして、このケミカルタワー２１５ａに隣接して、第１の処理ユニット群としての反射防止膜塗布ユニット群２１３ａが配置される。また、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂも同様に、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂが８段に積層されて構成され、全ての第１加熱・温調処理ユニット２１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）２１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂが、処理液供給部としてのケミカルタワー２１５ｂ側に配置される。そして、このケミカルタワー２１５ｂに隣接して、第１の処理ユニット群としてのレジスト膜塗布ユニット群２１３ｂ及び後述する第１現像処理ユニット群２１３ｃが配置される。

垂直搬送型の搬送装置２１９ａの周囲には、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂが配置されている。第１の処理ステーション２０８における搬送装置２１９ａ、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａの構造は、上述の第４実施形態における第１の処理ステーション２０３と各構成と同じ構造をしており、ここでは詳細な説明は省略する。本実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂは、上述の第４実施形態における第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂと比較して、両側面にシャッター部材２４７ａ、２４７ｂがある点と搬送ユニット（ＳＴＬ）がない点で構造が異なる。本実施形態においては、第１の処理ステーション２０８と後述する第２の処理ステーション２０９との間でのウエハＷの搬送は、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂの各第２加熱・温調処ユニット２１０ｂの温調処理ユニット２１８ｂを介して行なうことができる。そのため、各温調処理ユニット２１８ｂの両側面にシャッター部材２４７ａ、２４７ｂが設けられている。

一方、第２の処理ステーション２０９では、図３９、図４０に示すように、第１の処理ステーション２０８と同様に、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として、第１現像処理ユニット群２１３ｃ及び第２現像処理ユニット群２１３ｄが配置されている。第１現像処理ユニット群２１３ｃは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６がＺ軸方向に２段に積み重ねられて構成され、第２現像処理ユニット群２１３ｄも同様に現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６がＺ軸方向に２段に積み重ねられて構成されている。更に、第２現像処理ユニット群２１３ｄに隣接してケミカルタワー２１５ｃが配置されている。このケミカルタワー２１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６に処理液として供給される現像液が収容されている。

第２の処理ステーション２０９の背面部には、搬送装置２１９ｂを挟んで第２加熱・温調処理ユニット群２１０ｂに対向した位置に、第２の処理ユニット群として第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃが配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃは、それぞれケミカルタワー２１５ｃに隣接して配置されている。第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃは第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃがＺ軸方向に８段に積み重ねられて構成される。

第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃ、２１８ｄと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃ、２２０ｄとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。そして、図３９に示すように、積層された全ての第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃと加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｃのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃが、処理液供給部としてのケミカルタワー２１５ｃ側に配置される。そして、このケミカルタワー２１５ｃに隣接して、第１の処理ユニット群としての第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｄが配置される。

垂直搬送型の搬送装置２１９ｂの周囲には、第１現像処理ユニット群２１３ｃ、第２現像処理ユニット群２１３ｄ、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ、２１４ｃが配置されている。ここで、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂは、ウエハ上への塗布膜の成膜前後の加熱処理または温調処理、現像処理後前後の加熱処理または温調処理のいずれにも対応できる。そして、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂと第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃとの間でのウエハＷの搬送、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃ、２１３ｄとの間でのウエハＷの搬送、第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃと第１または第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃ、２１３ｄとの間でのウエハＷの搬送は、搬送装置２１９ｂにより行われる。第２または第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ、２１４ｃと搬送装置２１９ｂとの間でのウエハＷの受け渡しは、それぞれの温調処理ユニット２１８ｂ、２１８ｃに設けられた２４７ｂ、２４７ａを介して行われる。また、第３加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット２１８ｂとウエハ搬送体２３７との間でのウエハＷの受け渡しは、温調処理ユニット２１８ｃのシャッター部材２４７ｂを介して行われる。

インターフェイス部２０５は、上述の第４実施形態におけるインターフェイス部２０５と同様の構造のため、個々では説明を省略する。

更に、この塗布現像処理システム１では、図３９、図４１に示すように、第１の処理ステーション２０８及び第２の処理ステーションにおける第１の処理ユニット群２１３（反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｄ）と第２の処理ユニット群２１４（第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ、第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃ）との間には、ケミカルタワー２１５（２１５ａ、２１５ｂ、２１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー２１５と第２の処理ユニット群２１４との間には断熱壁２３９及び第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置されている。また、ケミカルタワー２１５ｂに隣接して設けられた通路２４０及び断熱壁２３９は、１つの第２の処理ユニット群２１４ｂに対応した２つの第１の処理ユニット群２１４ａに対する温調機構及び断熱手段として機能する。本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路２４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様に、断熱壁２３９及び第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置された温調機構を設けることにより、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。更に、通路２４０は断熱手段の機能も伴うので、第２の処理ユニット群２１４とケミカルタワー２１５との間に断熱壁２３９及び通路２４０が設けられることにより二重の断熱手段が配置されることとなる。そのため、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができ、またケミカルタワー２１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２２０による熱的影響を受けにくく、処理液の温度調整が容易となる。

図４０に示すように、上述した反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６が３段に積み重ねられている。レジスト塗布ユニット群２１３ｂでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。第１現像処理ユニット群２１３ｃでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６が上から２段に積み重ねられている。同様に、第２現像処理ユニット群２１３ｄでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６が上から２段に積み重ねられている。

第１、第２及び第３加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット２１０が８段に積み重ねられて構成されており、上述したように全ての温調処理ユニットの側面にシャッター部材２４７ａ、２４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット２１０の構造は、上述の第４実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。

上述した搬送装置２１９ａ、２１９ｂの構造は、上述の第４実施形態の搬送装置２１９ａ及び２１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。

次に、このように構成された塗布現像処理システム２０１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第４実施形態と同様のため省略する。

塗布現像処理システム２０１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によって取り出された後、第１の処理ステーション２０３の第１加熱・温調熱処理ユニット２１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９ａによって第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置される。温調板２２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ａによってレジスト塗布ユニット群２１３ｂにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９ａにより、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ｂによって第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃの加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット２１８ｃへ搬送される。

更に、温調処理ユニットに搬送されたウエハＷは、インターフェイス部２０５におけるウエハ搬送体２３７によって周辺露光装置２３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置２３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体２３７によってバッファカセット２３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体２３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット２３３及びウエハ搬送体２３７を介してインターフェイス部２０５から第２の処理ステーション２０９の第３加熱・温調処理ユニット群２１４ｃにおける第４加熱・温調処理ユニット２１０ｃの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｃで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ｂによって第１現像処理ユニット群２１３ｃまたは第２現像処理ユニット群２１３ｄにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ２）２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９ｂにより、例えば第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂにおける加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ２）１８ｂと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット２１８ｂへ搬送され、搬送装置２１９ａによって第１加熱・温調処理ステーション群２１４ａにおける第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット２１８ａに搬送される。そして、温調処理ユニット２１８ａ内のウエハＷは、カセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群２１３ａ、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｂ、第１現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｃ、第２現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｄ）と加熱・温調処理ユニット群（第１乃至第４加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ、２１４ｃ、２１４ｄ）との間に、それぞれ断熱壁３９及び液処理ユニット群２１３ａ、２１３ｂ、２１３ｃ、２１３ｄそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置されることにより、更に液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

以下、図４２〜図４４を参照しながら本発明の第６実施の形態について説明する。図４２〜図４４は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図４２は平面図、図４３は正面図である。図４４は、図４２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、第１の処理ユニット群２１３ａと第２の処理ユニット群２１４ａとのＸ方向における位置関係を示す図である。

本実施形態は、上述の第４実施形態とは、処理液を収容するケミカルタワーの配置位置の点、搬送装置及び加熱・温調処理装置の数を少ない点、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）及びレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）が積み重ねられている点で構造上異なり、第４及び第５実施形態と比較しシステム全体が小型化されている。

以下、第６実施形態において説明するが、第４実施形態と同様の構造については一部説明を省略する。また、第４実施形態と同様の構成については同様の符号を付して説明する。

図４２に示すように、塗布現像処理システム１は、第４実施形態と同様のカセットステーション２０２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション２４５と、この第１の処理ステーションに隣接して配置された第２の処理ステーション２４６と、この第２の処理ステーション２４６に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部２０５とを一体に接続した構成を有している。第１の処理ステーション２４５では主にウエハＷ上に反射防止膜及びレジスト膜の塗布処理が行われ、第２の処理ステーション２４６では露光されたレジスト膜の現像処理が行われる。塗布現像処理システム２０１のほぼ中央部には搬送装置２１９が配置され、搬送装置２１９は第１の処理ステーション２４５及び第２の処理ステーション２４６における処理中のウエハＷの搬送に用いられる。

カセットステーション２０２については、第４実施形態とほぼ同様の構造を有するため異なる部分のみ説明する。図４３に示すように、カセットステーション２０２の底部には、後述するレジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７に処理液として供給されるレジスト膜材料が収容されるケミカルタワー２１５ｂが配置されている。

図４２、図４３に示すように、第１の処理ステーション２４５では、正面側に液処理が行われる第１の処理ユニット群として、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅが設けられている。反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅは、常温付近でウエハＷに対して塗布処理を行う反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６、レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）２１７がそれぞれ２段づつＺ軸方向に積み重ねられて構成される。更に、反射防止・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅに隣接してケミカルタワー２１５ａが配置されている。ケミカルタワー２１５ａには反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６に処理液として供給される反射防止膜材料が収容されている。

第１の処理ステーション２４５の背面部には、ケミカルタワー２１５ａに隣接して第２の処理ユニット群としての第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａが配置されている。第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａでは第１加熱・温調処理ユニット２１０ａがＺ軸方向に多段に積み重ねられて構成されている。各第１加熱・温調処理ユニット２１０ａは、ウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａと加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａとがそれぞれ互いに隣接されて一体化して構成されている。

図４４に示すように、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａが１２段に積層されて構成される。尚、図４４は、図４２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図であり、Ｘ方向に沿った第１の処理ユニット群２１３ａと第２の処理ユニット群２１４ａとケミカルタワー２１５aの位置関係を示す図である。図４２、図４４に示すとおり、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａは、第１加熱・温調処理ユニット２１０ａが１２段に積層されて構成され、ケミカルタワー２１５ａに隣接して配置されている。更に、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａの全ての第１加熱・温調処理ユニット１０ａにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａと温調処理ユニット（ＣＰ）２１８ａのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａがケミカルタワー２１５ａ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー２１５ａに隣接して反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅが配置されている。

一方、第２の処理ステーション２４６では、図４２、図４３に示すように、正面側に常温付近でウエハＷに対して液処理を行う第１の処理ユニット群として現像処理ユニット群２１３ｆが配置されている。現像処理ユニット群２１３ｆは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６がＺ軸方向に４段に積み重ねられて構成されている。更に、現像処理ユニット群２１３ｆに隣接してケミカルタワー２１５ｃが配置されている。このケミカルタワー２１５ｃには、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６に処理液として供給される現像液が収容されている。

第２の処理ステーション２９９の背面部には、ケミカルタワー２１５ｃと隣接して第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂが配置されている。第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂは第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂがＺ軸方向に２１２段に積み重ねられて構成される。そして、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂの全ての第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂにおいて、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂと温調処理ユニット（ＣＰ）２１８ｂのうち温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂがケミカルタワー２１５ｃ側に位置するように配置されている。そして、ケミカルタワー２１５ｃに隣接して現像処理ユニット（ＤＥＶ）群２１３ｆが配置されている。

垂直搬送型の搬送装置２１９の周囲には、反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅ、現像処理ユニット群２１３ｆ、第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂが配置されている。各ユニット群間のウエハＷの搬送は搬送装置２１９により行われる。また、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａとウエハ搬送体２１１とのウエハＷの受け渡し、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂとウエハ搬送体２３７とのウエハＷの受け渡し、第１または第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂと搬送装置２１９とのウエハＷの受け渡しは、第１または第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂの各加熱・温調処理ユニット２１０ａ、２１０ｂの温調処理ユニット２１８ａ、２１８ｂの両側面に設けられたシャッター部材２４７ａ、２４７ｂを介して行われる。

インターフェイス部２０５は、上述の第４実施形態におけるインターフェイス部２０５と同様の構造のため、説明は省略する。

この塗布現像処理システム２０１では、図４２、図４３に示すように、第１の処理ユニット群２１３（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅ、現像処理ユニット群２１３ｆ）と第２の処理ユニット群２１４（第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂ）との間には、ケミカルタワー２１５（２１５ａ、２１５ｃ）が配置された構造となり、更にケミカルタワー２１５と第２の処理ユニット群２１４との間には断熱壁２３９及び第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置されている。本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様に、塗布現像処理システムの上部に、各第１の処理ユニット群に対して上部から温調された清浄エアーを供給す清浄エアー供給部が配置されている。清浄エアー供給部は、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路２４３を介して第１の処理ユニット群に供給する。本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様に、断熱壁２３９及び第１の処理ユニット群２１３の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置された温調機構を設けることにより、更に常温付近でウエハＷに対して処理を行うための処理液供給ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を更に精密に行うことができる。

図４３に示すように、上述した反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６が２段、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７が２段に積み重ねられている。現像処理ユニット群２１３ｆでは、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６が４２段に積み重ねられている。

第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂでは、それぞれウエハＷに対して加熱処理を行う加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０とウエハＷに対して温調処理を行う温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８とを互いに隣接させて一体化した加熱・温調処理ユニット２１０が１２段に積み重ねられて構成されている。そして、全ての加熱・温調処理ユニット２１０の温調処理ユニットの側面にシャッター部材２４７ａ、２４７ｂが設けられている。尚、本実施形態における加熱・温調処理ユニット２１０の構造は、上述の第４実施形態と同様のため、ここでは説明を省略する。

上述した搬送装置２１９の構造は、上述の第４実施形態の搬送装置２１９ａ及び２１９ｂと同様の構造のため、説明を省略する。

次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。尚、加熱・温調処理ユニットにおける動作は上述の第４実施形態と同様のため省略する。

塗布現像処理システム２０１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２０２のウエハ搬送体２１１によって取り出された後、第１の処理ステーション２０３の第１加熱・温調熱処理ユニット２１０ａにおける温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置されて温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内で温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９によって反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅにおける反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。

反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）２１６で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９によって第１加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内に搬送され、温調板２２５上に載置される。温調板２２５上に載置されたウエハＷは、加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内へ搬送され加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９によって反射防止膜・レジスト塗布ユニット群２１３ｅにおけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７内に搬送され、レジスト液が塗布される。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２１７でレジスト液が塗布されたウエハＷは、搬送装置２１９により、第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内に搬送される。更に、ウエハＷは加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ｂ内へ搬送され、加熱処理が行われる。

その後、ウエハＷは、温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、インターフェイス部２０５におけるウエハ搬送体２３７によって周辺露光装置２３４内に搬送され、周辺露光が行われる。

周辺露光装置２３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体２３７によってバッファカセット２３３に搬送されて一旦保持されるか、或いはウエハ搬送体２３７、露光前温調ユニット（図示せず）、ウエハ搬送体を介して露光装置（図示せず）に搬送される。

次に、露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体、バッファカセット２３３及びウエハ搬送体２３７を介してインターフェイス部２０５から第２の処理ステーション２４６の第２加熱・温調処理ユニット群２１４ｂにおける第２加熱・温調処理ユニット２１０ｂの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂ内へ搬送され、温調処理が行われる。

温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ｂで温調処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９によって現像処理ユニット群２１３ｆにおける現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６に搬送され、現像処理が行われる。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２２６で現像処理が行われたウエハＷは、搬送装置２１９により、第１加熱・温調処理ユニット群２１４ａにおける加熱・温調処理ユニット２１０ａの温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａを介して、この温調処理ユニット（ＣＰＬ）２１８ａと隣接する加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａ内に搬送され、加熱処理が行われる。

加熱処理ユニット（ＨＰ）２２０ａで加熱処理が行われたウエハＷは温調処理ユニット２１８ａへ搬送され、更にカセットステーション２のウエハ搬送体２１１によってカセットＣ内に収容される。

以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）と隣接して処理液供給部としてのケミカルタワーが配置され、ケミカルタワーと隣接して加熱・温調処理ユニットが配置され、加熱・温調処理ユニットの温調処理ユニット（ＣＰＬ）がケミカルタワー側に配置されることにより、加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットと液処理ユニットとの間には温調処理ユニット及びケミカルタワーが介在する構造となる。これにより、液処理ユニット側に対する加熱処理ユニットからの熱的影響を大幅に抑えることができ、該塗布現像処理システムでは、ウエハＷに対して液処理を行うための液処理ユニット（ＢＡＲＣ、ＣＴ、ＤＥＶ）における温度制御を精密に行うことができる。

更に、本実施形態に係る塗布現像処理システムによれば、液処理ユニット群（反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群２１３ｅ、現像処理ユニット群２１３ｆ）と加熱・温調処理ユニット群（第１及び第２加熱・温調処理ユニット群２１４ａ、２１４ｂ）との間に、それぞれ断熱壁２３９及び液処理ユニット群２１３ｅ、２１３ｆそれぞれの下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路２４０が配置されることにより、液処理ユニット群に対する加熱・温調処理ユニットの加熱処理ユニットの熱的影響を防止し、常温付近でウエハＷに対して液処理を行う液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。更に、通路２４０は一種の断熱手段を有することとなり、第２の処理ユニット群２１４とケミカルタワー２１５との間に断熱壁２３９及び通路２４０が設けられることにより、二重の断熱手段を有する構造となる。そのため、ケミカルタワー２１５に収容される処理液は加熱処理ユニット２２０による熱的影響を受けにくく温度調整が容易となる。

尚、上記各実施形態では、基板としてウエハＷを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。

なお、本発明は以上説明した実施形態には限定されない。

上記第１の実施形態においては、熱処理系ユニット部を３つ（Ｇ３〜Ｇ５）、主ウエハ搬送部を２つ（Ａ１，Ａ２）、塗布系ユニット部を２つ（Ｇ１，Ｇ２）それぞれ設ける構成としたが、例えば熱処理系ユニット部を４つ、主ウエハ搬送部を３つ、塗布系ユニット部を３つとして、その配置を保ったまま図１において左右方向に増設してもよい。また、必要に応じて更に増設をすることも可能である。

また、図１１及び図１２に示す熱処理ユニットにおいて、温調・搬送装置Cと熱処理装置Hとの間に互いの熱干渉を抑制するための一点鎖線で示す遮蔽板９３をもうける構造とし、温調・搬送装置Cによる搬送の際にはこの遮蔽板９３をスライドさせて開閉するようにしてもよい。

更に、本発明は半導体ウエハばかりでなく、例えば液晶表示装置に使われるガラス基板等についても適用が可能である。

また、レジストの塗布現像システムばかりでなく、他のシステム、例えば基板上に層間絶縁膜を形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システム等にも本発明を適用することができる。ＳＯＤ処理システムは、基板上に層間絶縁膜材料を塗布する塗布ユニットと、絶縁膜材料が塗布された基板を加熱、温調する加熱・温調処理ユニットを有している。この加熱・温調処理ユニットは、本実施形態の加熱・温調処理ユニットと同様に加熱処理ユニットとこれに隣接して設けられた温調処理ユニットとを有しており、ＳＯＤ処理システムにおける加熱処理ユニットは設定温度が２００〜４７０℃とすることが可能な熱板を有している。このような高温処理が施されるユニット及び液処理ユニットとしての塗布ユニットを有するシステムに、本発明のように温調処理ユニットが塗布ユニット側に配置されるように、塗布ユニットと加熱・温調処理ユニットを配置することは非常に有効である。或いは、液処理ユニットに隣接して配置された塗布ユニットに供給する処理液を収容する処理液収容部を、加熱・温調処理ユニットに隣接して配置し、更に温調処理ユニットを処理液収容部側に位置するように配置することは非常に有効である。これにより、液処理ユニット群における温度制御を極めて精密に行うことができる。

本発明の第１の実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 同基板処理装置の全体構成を示す正面図である。 同基板処理装置の全体構成を示す背面図である。 本発明の第１の実施形態による主ウエハ搬送部の断面図である。 同主ウエハ搬送部の要部を示す斜視図である。 同主ウエハ搬送部の側面図である。 同主ウエハ搬送部における主ウエハ搬送体の駆動機構を示す側面図である。 同主ウエハ搬送体の正面図である。 同主ウエハ搬送体の断面図である。 図９における［１０］−［１０］線方向断面図である。 本発明の第１の実施形態によるプリベーキングユニット（ＰＡＢ）、ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）の横断面図である。 同熱処理ユニットの縦断面図である。 同熱処理ユニットにおける筐体の温調機構を示すための模式図である。 本発明の第１の実施形態による高精度温調ユニット（ＣＰＬ）の横断面図である。 本発明の第１の実施形態による高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）の横断面図である。 本発明の第１の実施形態によるトランジションユニット（ＴＲＳ）の横断面図である。 本発明の第１の実施形態によるレジスト塗布ユニットを示す平面図である。 同縦断面図である。 本発明の第１の実施形態による現像ユニットを示す平面図である。 同縦断面図である。 本発明の第１の実施形態による基板処理装置の一連の動作を示すフロー図である。 熱処理ユニットにおける基板受け渡しの作用を説明するための図である。 同熱処理ユニットの作用図である。 本発明の第１の実施形態による基板処理装置の清浄空気の流れを示す略正面図である。 同清浄空気の流れを示す略側面図である。 同清浄空気の流れを示す略側面図である。 本発明に係るシャッターの開閉動作（その１）を説明するための図である。 本発明に係るシャッターの開閉動作（その１）を説明するための図である。 本発明の第２の実施形態による熱処理ユニットの横断面図である。 本発明の第３の実施形態による基板処理装置の部分平面図である。 本発明の第４実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図３１に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図３１の温調・加熱処理ユニット群を有する領域をＹ方向に沿って切断した場合の断面図である。 図３１の温調処理ユニットを有する領域をＸ方向に沿って切断した場合の断面図である。 搬送装置の構成を示す斜視図である。 加熱・温調処理ユニットの構成を示す平面図である。 図３６に示した加熱・温調処理ユニットの構成を示す断面図である。 温調機構構成を示す断面図である。 本発明の第５実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図３９に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図３９の線Ａ−Ａ´に沿って切断した場合の断面図である。 本発明の第６実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。 図４２に示した塗布現像処理システムの正面図である。 図４２の線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した場合の断面図である。

符号の説明

Ｗ…半導体ウエハ
Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット部
ｕ…隙間
Ａ１…第１の主ウエハ搬送部
Ａ２…第２の主ウエハ搬送部
Ｆ…フィルタ
Ｓ…センサ
C…温調・搬送装置
H…熱処理装置
LH…低温度熱処理装置
HH…高温度熱処理装置
１…基板処理装置
７ａ…上段アーム
７ｂ…中段アーム
７ｃ…下段アーム
８…制御部
９…遮蔽板
１６…主ウエハ搬送体
１７…第２の主ウエハ搬送体
３６…ファン
３８…ドア
４０…パネル
４１…筐体
４４…囲繞部材
５８…液供給装置
７５…筐体
７５ｂ…流路
７５ｃ…開口
７５ａ…開口部
７６…シャッタ
８４…昇降ピン
９３…遮蔽板
１１５…サブアーム
１５０…基板処理装置
２０１…塗布現像処理システム
２１０…加熱・温調処理ユニット
２１３…第１の処理ユニット群
２１３ａ…反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）群
２１３ｂ…レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
２１３ｃ…第１現像処理ユニット群
２１３ｄ…第２現像処理ユニット群
２１３ｅ…反射防止膜・レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）群
２１３ｆ…現像処理ユニット群
２１４…第２の処理ユニット群
２１４ａ…第１加熱・温調処理ユニット群
２１４ｂ…第２加熱・温調処理ユニット群
２１４ｃ…第３加熱・温調処理ユニット群
２１４ｄ…第４加熱・温調処理ユニット群
２１５…ケミカルタワー
２１６…反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）
２１７…レジスト膜塗布ユニット（ＣＴ）
２１８…温調処理ユニット
２１９…搬送装置
２２０…加熱処理ユニット
２２６…現像処理ユニット

Claims (32)

1. 基板を搬送するための主搬送部と、
   前記主搬送部の周囲に配置され、少なくとも基板に対して熱的処理を施す処理ユニットと、
   前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する液供給ユニットと、
   前記液供給ユニットが前記処理ユニット及び前記主搬送部よりも陽圧で、且つ、前記主搬送部と前記処理ユニットとがほぼ等しい気圧となるように制御する手段と
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットが、それぞれ別個の筐体内に配置され、
   前記各筐体は、それぞれ基板の受け渡しを行うための開口部を有し、
   前記各筐体間で隣接する開口部間を繋ぐ通路は、囲繞部材により囲繞されていることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記囲繞部材と少なくとも一方の前記筐体との間には微小な隙間が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３のちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記気圧制御手段は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットに対してそれぞれ、
   気体を供給する気体供給部と、
   気体を排気する気体排気部と、
   気圧を計測する気圧計測部と
   を備え、
   前記計測された気圧に基づき前記気体供給部により供給される気体の量及び前記気体排気部により排気される気体の量のうち少なくとも一方を制御することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、
   各処理ユニット毎に、前記気体供給部、前記気体排気部及び前記気圧計測部を備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項２から請求項５のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体のうち少なくとも１つには、内部保守に用いる開閉可能なドアーが設けられ、
   前記気圧制御手段は、前記ドアーが開かれたとき、筐体内の気圧を高めるように制御することを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項２から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
   前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体を全体的に囲繞すると共に、内部保守に用いる開閉可能なパネルが設けられた外側筐体を更に有し、
   前記気圧制御手段は、前記パネルが開かれたとき、外側筐体内の気圧を高めるように制御することを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置において、
   前記ドアー又は前記パネルが開かれたときだけ作動する気体供給部が更に前記筐体内又は前記外部筐体内に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
9. 基板を搬送するための主搬送部と、
   前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する液供給ユニットと、
   前記主搬送部の周囲に配置された処理ユニットと、
   前記主搬送部、前記液供給ユニット及び前記処理ユニットの温調又は湿度管理をそれぞれ別個に行うユニット温調手段と
   を具備し、
   前記処理ユニットは、
   前記主搬送部と隣接するように配置され、基板を所定の温度に調整する温調部と、
   前記主搬送部に対して前記温調部が介在するように配置され、基板に対して熱的処理を施す処理部と
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記処理部は温調機構により覆われていることを特徴とする基板処理装置。
11. 請求項９又は請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記温調部と前記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
12. 請求項９から請求項１１のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
    前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、
    前記ユニット温調手段は、前記各処理ユニット毎に別個に温調又は湿度管理することを特徴とする基板処理装置。
13. 請求項９から請求項１２のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
    前記液供給ユニットは、上下方向に多段に配置され、
    前記ユニット温調手段は、前記各液供給ユニット毎に別個に温調又は湿度管理することを特徴とする基板処理装置。
14. 請求項９から請求項１３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
    前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給機構を更に有し、
    前記ユニット温調手段は、前記液供給機構も温調又は湿度管理することを特徴とする基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記液供給機構は、前記液供給ユニットの下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
16. 請求項９から請求項１５のうちいずれか１項に記載の基板処理装置において、
    前記液供給ユニットは、前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給機構に代用可能であることを特徴とする基板処理装置。
17. 基板に対して熱的処理を施す処理部及び基板を所定の温度に調整する温調部とを有する処理ユニットが上下方向に多段に配置された処理ユニット群と、
    前記処理ユニット群の一方側に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂直搬送型の第１の主搬送装置と、
    前記第１の主搬送装置の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する第１の液供給ユニットと、
    前記処理ユニット群の他方側に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂直搬送型であると共に所定の平面方向に移動可能な第２の主搬送装置と、
    前記第２の主搬送装置の平面移動方向に沿って配置され、基板上に所定の液を供給する複数の第２の液供給ユニットと
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
18. 請求項１７に記載の基板処理装置において、
    前記第１及び第２の液供給ユニットが、上下方向に多段に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
19. 基板を受け渡すための第１及び第２の開口部を両側に有する第１の処理ユニットと、
    前記第１の処理ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記各開口部を介して前記第１の処理ユニットとの間で基板の搬入出を行う第１の及び第２の搬送装置と、
    前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、
    前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
20. 請求項１９に記載の基板処理装置において、
    前記第１の処理ユニットが、
    基板に熱的処理を施すための熱的処理部と、
    基板を所定の温度に調整する温調部と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
21. 請求項１９又は請求項２０に記載の基板処理装置において、
    前記第１及び及び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に外部から遮蔽されていることを特徴とする基板処理装置。
22. 基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
    前記搬送装置と隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すためのそれぞれ第１及び第２の開口部を有する第１及び第２の処理ユニットと、
    前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、
    前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
23. 請求項２２に記載の基板処理装置において、
    前記第１の処理ユニットが、基板を温調又は加熱するためのユニットであり、
    前記第２の処理ユニットが、基板に所定の液を供給するためのユニットである
    ことを特徴とする基板処理装置。
24. 請求項２２又は請求項２３に記載の基板処理装置において、
    前記第１及び及び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に外部から遮蔽されていることを特徴とする基板処理装置。
25. 基板の受け渡しを行うための搬送装置と、
    前記搬送装置と隣接するように配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すためのそれぞれ第１及び第２の開口部を有する第１及び第２の処理ユニットと、
    前記各開口部を開閉する第１及び第２のシャッター部材と、
    前記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材の開閉を制御する手段と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
26. 基板を搬送する主搬送装置と、
    前記主搬送装置の前面側に隣接するように配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板に対して所定の液を供給する第１の処理ユニットと、
    前記主搬送装置の一側面側に隣接するように配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を所定の温度に調整する温調部及び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理ユニットとを備え、
    前記第２の処理ユニットの前記温調部は前記主搬送装置と隣接するように配置され、前記加熱部は前記温調部と隣接し、且つ、前記主搬送装置の背面側に突き出るように配置されている
    ことを特徴とする基板処理装置。
27. 基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、
    前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、
    前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
    前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記第１の処理ユニット群側に位置するようにしつつ、前記第１の処理ユニット群と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする基板処理装置。
28. 前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする請求項２７に記載の基板処理装置。
29. 前記第１の処理ユニット群が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項２７または請求項２８に記載の基板処理装置。
30. 基板上に所定の液を供給して液処理を行う第１の処理ユニットが多段に積み上げられた第１の処理ユニット群と、
    前記第１の処理ユニット群と隣接して配置され、前記各第１の処理ユニットに対して前記所定の液を供給する処理液供給部と、
    前記基板に対して加熱処理を行う加熱部と前記基板に対して温調処理を行う温調部とを互いに隣接させて一体化した第２の処理ユニットが多段に積み上げられた第２の処理ユニット群と、
    前記各第１の処理ユニットと前記各第２の処理ユニットとの間で基板を搬送する搬送装置とを備え、
    前記各第２の処理ユニットにおける前記加熱部及び前記温調部のうち前記温調部が前記処理液供給部側に位置するようにしつつ、前記処理液供給部と前記第２の処理ユニット群とを隣接して配置したことを特徴とする基板処理装置。
31. 前記第１の処理ユニット群に清浄エアーを供給する清浄エアー供給部を備え、該清浄エアー供給部は、前記第１の処理ユニット群の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の処理ユニット群の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記処理液供給部が配置された領域と第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように前記第１の処理ユニット群の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする請求項３０に記載の基板処理装置。
32. 前記処理液供給部が配置された領域と前記第２の処理ユニット群が配置された領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項３０または請求項３１に記載の基板処理装置。

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