JP2017069570A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理方法は、インデクサ部と処理部とインターフェイス部を備えた基板処理装置において基板に処理を行う方法である。この基板処理方法は、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理(S2a−S11a、S2b−S11b)を並行して行う工程と、処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理(S17a−S20a、S17b−S20b)を並行して行う工程と、を備えている。
【選択図】図11
Description
すなわち、従来の装置では、ブロック内で一枚の基板を処理するために主搬送機構は5〜10の搬送工程を要し、各搬送工程はそれぞれ数秒程度かかる。仮に搬送工程数を6工程とし、それぞれ5秒かかるとすると、ブロック内のスループットは基板1枚当り30秒(1時間で120枚)まで可能である。しかし、すでに単一の主搬送機構の搬送工程数を低減したり各搬送工程の所要時間を短縮する余地があまりないので、ブロック内のスループットをさらに高めることは困難になってきている。このため、装置全体のスループットを改善することが困難になっているという不都合がある。これに対して、主搬送機構を増やすことが考えられる。しかしながら、ブロック内の主搬送機構の台数を増やすと、それに応じて薬液処理ユニットや加熱部の増加も伴ってフットプリントが増大するという不都合がある。
すなわち、基板に処理を行う基板処理装置であって、処理ブロックを備え、前記処理ブロックは、積層される複数のセルを有し、前記セルはそれぞれ、基板に処理を行う処理ユニットと、搬送スペースに設けられ、前記処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構と、前記搬送スペースに清浄な気体を供給する吹出ユニットと、前記搬送スペースから気体を排出する排出ユニットと、を備え、前記処理ユニットは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含み、前記液処理ユニットは、前記搬送スペースの一側方に配置され、前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に配置され、前記主搬送機構は、第3ガイドレールと、第4ガイドレールと、ベース部と、回転台と、2つの保持アームと、を備え、前記第3ガイドレールは、前記第4ガイドレールを上下方向に案内し、前記第4ガイドレールは、前記ベース部を横方向に案内し、前記回転台は、縦軸心周りに回転可能にベース部に設けられ、2つの前記保持アームはそれぞれ、水平方向に移動可能に前記回転台に設けられ、かつ、基板を保持し、前記第3ガイドレールは前記液処理ユニットの側に配置され、前記搬送スペースには略鉛直下向きの気流が形成される基板処理装置である。
処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う工程と、
処理部内に設けられた複数の階層のそれぞれで基板に現像処理を並行して行う工程と、
を備えている基板処理方法。
各階層は、
基板を処理する処理ユニットと、
当該階層に設けられている処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、
を備え、
前記複数の階層のうちの少なくとも2つ以上の階層で基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う工程と、
を備えている基板処理方法。
各階層は、
基板を処理する処理ユニットと、
当該階層に設けられている処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、
を備え、
前記複数の階層のうちの少なくとも2つ以上の階層で基板に現像処理を並行して行う工程と、
を備えている基板処理方法。
前記処理部は、上下方向に並ぶ2つの階層を含み、
前記2つの階層のそれぞれは、
基板を処理する処理ユニットと、
当該階層に設けられている処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構と、
を備え、
前記2つの階層で基板にレジスト膜を形成する処理を並行して行う工程と、
前記2つの階層に基板を交互に搬送する工程と、
前記2つの階層から基板を受け取って、外部装置である露光機に搬送する工程と、
を備え、
前記2つの階層の一方から基板が払い出されなくなった場合に前記2つの階層の他方から基板が払い出されたときには、前記2つの階層の他方から払い出された基板をバッファ部に搬送し、
基板の払い出しが停止していた階層から再び基板が払い出され始めると、この階層から払い出された基板と前記バッファ部に載置された基板とを交互に露光機に搬送する基板処理方法。
図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2と図3は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図4ないし図7は、図1におけるa−a矢視、b−b矢視、c−c矢視およびd−d矢視の各垂直断面図である。
以下、ID部1から順について説明する。カセット載置台9は4個のカセットCを1列に並べて載置可能に構成される。ID用搬送機構TIDはカセット載置台9の側方をカセットCの並び方向に水平移動する可動台21と、可動台21に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸23と、この昇降軸23に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Wを保持する保持アーム25とを備えて、各カセットC、載置部PASS1及び載置部PASS3との間で基板Wを搬送可能に構成されている。
基板Wを搬送するための搬送スペースA1は、この第1セル11の中央を通り、セル11、12の並び方向に平行な帯状に形成されている。第1セル11の処理ユニットは、基板Wに処理液を塗布する塗布処理ユニット31と、基板Wに熱処理を行う熱処理ユニット41である。塗布処理ユニット31は搬送スペースA1の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット41が配置されている。
第3セル13について説明する。なお、第1セル11と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第3セル13内の主搬送機構T3および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第1セル11のそれと略同じである。このため、塗布処理ユニット31は、第1セル11と第3セル13の各階層にわたって上下方向に積層されていると言うことができる。同様に、熱処理ユニット41も各階層にわたって積層されていると言うことができる。また、主搬送機構T3から見た第3セル13の各種処理ユニットの配置も主搬送機構T1から見た第1セル11の各種処理ユニットの配置と略同じである。
第1セル11及び第3セル13に関連する構成についてまとめて説明する。載置部PASS1はID部1と第1セル11との間に配置されている。載置部PASS3はID部1と第3セル13との間に配置されている。平面視では載置部PASS1、PASS3はそれぞれ搬送スペースA1、A3のID部1側に配置されている。断面視では載置部PASS1は主搬送機構T1の下部付近の高さに配置され、載置部PASS3は主搬送機構T3の上部付近の高さに配置されている。このため、載置部PASS1と載置部PASS3との位置が近接しており、ID用搬送機構TIDは少ない昇降量で載置部PASS1と載置部PASS3とに移動することができる。
第2セル12について説明する。第1セル11と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第2セル12の搬送スペースA2は搬送スペースA1の延長上となるように形成されている。
第1、第2セル11、12と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。第4セル14内の主搬送機構T4および処理ユニットの平面視でのレイアウトは第2セル12のそれと略同じである。また、主搬送機構T4から見た第4セル14の各種処理ユニットの配置も主搬送機構T2から見た第2セル12の各種処理ユニットの配置と略同じである。このため、第2セル12と第4セル14の各現像処理ユニットDEVは上下に積層されている。同様に、第2セル12と第4セル14の各熱処理ユニット42等は上下に積層されている。
第2セル12及び第4セル14に関連する構成も第1、第3セル11、13に関連する構成と略同様であり簡略に説明する。第2、第4セル12、14の搬送スペースA2、A4にも、第1吹出ユニット61や排出ユニット62等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、第2、第4セル12、14の現像処理ユニットDEVには、第2吹出ユニット67や第2気体排出管66等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
第1搬送機構TIFAと第2搬送機構TIFBとは、セル11、12(13、14)の並び方向と直交する方向に並んで設けられている。第1搬送機構TIFAは第2、4セル12、14の熱処理ユニット42等が位置する側に配置されている。第2搬送機構TIFBは第2、4セル12、14の現像処理ユニットDEVが位置する側に配置されている。これら第1、第2搬送機構TIFA、TIFBの間には基板Wを載置して冷却する載置部PASS−CPと、基板Wを載置する載置部PASS7と、基板Wを一時的に収容するバッファBFが多段に積層されている。
ID用搬送機構TIDは一のカセットCに対向する位置に移動し、カセットCに収容される一枚の未処理の基板Wを保持アーム25に保持してカセットCから搬出する。ID用搬送機構TIDは保持アーム25を旋回し昇降軸23を昇降して載置部PASS1に対向する位置に移動し、保持している基板Wを載置部PASS1Aに載置する(図8におけるステップS1aに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。)。このとき、載置部PASS1Bには通常、基板Wが載置されており、この基板Wを受け取ってカセットCに収納する(ステップS23)。載置部PASS1Bに基板Wがない場合はそのままカセットCにアクセスする。そして、カセットCに収容される基板Wを載置部PASS3Aへ搬送する(ステップS1b)。ここでも、載置部PASS3Bに基板Wが載置されていれば、この基板WをカセットCに収納する(ステップS23)。
主搬送機構T3の動作は主搬送機構T1の動作と略同じであるので、主搬送機構T1についてのみ説明する。主搬送機構T1は載置部PASS1に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T1は直前に載置部PASS2Bから受け取った基板Wを一方の保持アーム57(例えば57b)に保持している。主搬送機構T1は保持している基板Wを載置部PASS1Bに載置するとともに(ステップS22)、他方の保持アーム57(例えば57a)で載置部PASS1Aに載置されている基板Wを保持する。
主搬送機構T4の動作は主搬送機構T2の動作と略同じであるので、主搬送機構T2についてのみ説明する。主搬送機構T2は載置部PASS2に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構T2は直前にアクセスした冷却ユニットCP2から受け取った基板Wを保持している。主搬送機構T2は保持している基板Wを載置部PASS2Bに載置するとともに(ステップS21)、載置部PASS2Aに載置されている基板Wを保持する(ステップS9)。
第1搬送機構TIFAは載置部PASS5にアクセスし、載置部PASS5Aに載置される基板Wを受け取る(ステップS11a)。第1搬送機構TIFAは受け取った基板Wを保持して載置部PASS−CPに移動し、載置部PASS−CP内に搬入する(ステップS12)。
第2搬送機構TIFBは載置部PASS−CPから基板Wを取り出して、露光機EXPに搬送する。そして、露光機EXPから払い出される露光済みの基板Wを受け取ると、載置部PASS7に搬送する。
3 …処理部
5 …インターフェイス部(IF部)
11 …第1セル
12 …第2セル
13 …第3セル
14 …第4セル
31 …塗布処理ユニット
41 …熱処理ユニット
61 …第1吹出ユニット
61a …第1吹出口
62 …第2排出ユニット
62a …排出口
65 …第2気体供給管
66 …第2気体排出管
91 …メインコントローラ
93〜98 …第1ないし第6コントローラ
BARC …反射防止膜用塗布処理ユニット
RESIST …レジスト膜用塗布処理ユニット
DEV …現像処理ユニット
EEW …エッジ露光ユニット
TID…ID用搬送機構
T1、T2、T3、T4 …主搬送機構
TIF …IF用搬送機構
PASS、PASS−CP …載置部
BF …バッファ
A1、A2、A3、A4 …搬送スペース
EXP …露光機
C …カセット
W …基板
Claims (8)
- 基板に処理を行う基板処理装置であって、
処理ブロックを備え、
前記処理ブロックは、積層される複数のセルを有し、
前記セルはそれぞれ、
基板に処理を行う処理ユニットと、
搬送スペースに設けられ、前記処理ユニットに基板を搬送する単一の主搬送機構と、
前記搬送スペースに清浄な気体を供給する吹出ユニットと、
前記搬送スペースから気体を排出する排出ユニットと、
を備え、
前記処理ユニットは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含み、
前記液処理ユニットは、前記搬送スペースの一側方に配置され、
前記熱処理ユニットは、前記搬送スペースの他側方に配置され、
前記主搬送機構は、
第3ガイドレールと、
第4ガイドレールと、
ベース部と、
回転台と、
2つの保持アームと、
を備え、
前記第3ガイドレールは、前記第4ガイドレールを上下方向に案内し、
前記第4ガイドレールは、前記ベース部を横方向に案内し、
前記回転台は、縦軸心周りに回転可能にベース部に設けられ、
2つの前記保持アームはそれぞれ、水平方向に移動可能に前記回転台に設けられ、かつ、基板を保持し、
前記第3ガイドレールは前記液処理ユニットの側に配置され、
前記搬送スペースには略鉛直下向きの気流が形成される基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記第3ガイドレールは前記搬送スペースの一側方に対向して固定されている基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記第4ガイドレールは前記第3ガイドレールに摺動可能に取り付けられている基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第4ガイドレールには、前記ベース部が摺動可能に設けられている基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記ベース部は前記搬送スペースの中央まで横方向に張り出している基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、前記第4ガイドレールを上下方向に移動させ、前記ベース部を横方向に移動させる駆動部をさらに備え、
この駆動部が駆動することにより、前記液処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの各位置に前記ベース部を移動させる基板処理装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の基板処理装置において、
2つの前記保持アームは互いに上下に近接した位置に配置されている基板処理装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記主搬送機構は、前記回転台を回転させ、各保持アームを移動させる駆動部をさらに備え、
この駆動部が駆動することにより、前記液処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対向する各位置に回転台を対向させ、前記液処理ユニットおよび前記熱処理ユニットに対して各保持アームを進退させる基板処理装置。
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