JP2003324139A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スループットを向上することができる基板処
理装置を提供する。 【解決手段】 この基板処理装置は、薬液処理部と熱処
理部と単一の主搬送機構とを含んでそれぞれが構成され
ている反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理
ブロック３と現像処理ブロック４とを並設してある。ブ
ロック２，３，４ごとに、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが
ブロック内の基板搬送を行うとともに、各ブロック間の
基板の受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳを介して行うの
で、基板処理装置のスループットが向上する。
理装置を提供する。 【解決手段】 この基板処理装置は、薬液処理部と熱処
理部と単一の主搬送機構とを含んでそれぞれが構成され
ている反射防止膜用処理ブロック２とレジスト膜用処理
ブロック３と現像処理ブロック４とを並設してある。ブ
ロック２，３，４ごとに、主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃが
ブロック内の基板搬送を行うとともに、各ブロック間の
基板の受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳを介して行うの
で、基板処理装置のスループットが向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称
する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光
ディスク用の基板などの基板（以下、単に「基板」と称
する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような基板処理装置は、例え
ば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジ
スト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、
さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ
工程に用いられている。
ば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジ
スト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、
さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ
工程に用いられている。
【０００３】これを図１１の平面図に示し、以下に説明
する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２
５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完
了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置され
るカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移
動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗ
の受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデク
サ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部
１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路
１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で
基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６と
から構成されている。
する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２
５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完
了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置され
るカセット載置台１０１と、各カセットＣの前を水平移
動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗ
の受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデク
サ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部
１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路
１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で
基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６と
から構成されている。
【０００４】外部処理装置１０７は、基板処理装置とは
別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス
１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装
置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置
である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光
処理を行う露光装置となる。
別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス
１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装
置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置
である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光
処理を行う露光装置となる。
【０００５】また、基板主搬送経路１０５上を搬送する
主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送
経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設さ
れている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経
路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経
路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置
台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送
経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設さ
れている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経
路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経
路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置
台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】上述した基板処理装置において、以下の手
順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカ
セットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出し
て、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台
１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台
１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部
１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処
理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基
板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了
すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４か
ら基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別
の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入す
る。
順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカ
セットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出し
て、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台
１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台
１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部
１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処
理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基
板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了
すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４か
ら基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別
の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入す
る。
【０００７】このように露光前の一連の処理が終了する
と、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された
基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８
ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基
板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂ
に載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０
７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定
の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、
搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬
出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機
構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、
露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行わ
れ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通
じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット
載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了
する。
と、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された
基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８
ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基
板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂ
に載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０
７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定
の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、
搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬
出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機
構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、
露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行わ
れ、全ての処理を完了した基板は搬送機構１０８ａを通
じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット
載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了
する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の基板処理装置は、基板主搬送経
路１０５に沿って走行する１台の主搬送機構１０８ｂが
全ての処理部１０４に対して基板Ｗを受け渡しするの
で、主搬送機構１０８ｂの動作速度の関係から、短時間
の間に多くの処理部１０４に対してアクセスすることが
できない。そのため従来の基板処理装置は、最近のスル
ープット向上の要請に応えることができないという問題
点がある。
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の基板処理装置は、基板主搬送経
路１０５に沿って走行する１台の主搬送機構１０８ｂが
全ての処理部１０４に対して基板Ｗを受け渡しするの
で、主搬送機構１０８ｂの動作速度の関係から、短時間
の間に多くの処理部１０４に対してアクセスすることが
できない。そのため従来の基板処理装置は、最近のスル
ープット向上の要請に応えることができないという問題
点がある。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、スループットを向上することができる
基板処理装置を提供することを主たる目的としている。
たものであって、スループットを向上することができる
基板処理装置を提供することを主たる目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１記載の発明は、基板に対して一連の薬液処
理と熱処理とを行う基板処理装置において、薬液処理を
行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行
う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対
して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで
単一の処理ブロックを構成し、異なる薬液処理ごとに構
成された複数個の処理ブロックを並設してあることを特
徴としている。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１記載の発明は、基板に対して一連の薬液処
理と熱処理とを行う基板処理装置において、薬液処理を
行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行
う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対
して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで
単一の処理ブロックを構成し、異なる薬液処理ごとに構
成された複数個の処理ブロックを並設してあることを特
徴としている。
【００１１】請求項１記載の発明によれば、基板に対す
る一連の薬液処理と熱処理とが並設れた複数個の処理ブ
ロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の主
搬送機構が薬液処理部および熱処理部に対して基板の受
け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬
送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部
に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するの
で、基板処理装置のスループットを向上させることがで
きる。
る一連の薬液処理と熱処理とが並設れた複数個の処理ブ
ロックで順に行われる。各処理ブロックでは、各々の主
搬送機構が薬液処理部および熱処理部に対して基板の受
け渡しを並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬
送機構が同時並行的に作動することによって、各処理部
に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上するの
で、基板処理装置のスループットを向上させることがで
きる。
【００１２】上記の基板処理装置において、前記主搬送
機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する
工程を１搬送工程とした場合に、前記各処理ブロックの
主搬送機構は、略同数の搬送工程を負担するのが好まし
い（請求項２記載の発明）。
機構を使って基板を特定の位置から別の位置に搬送する
工程を１搬送工程とした場合に、前記各処理ブロックの
主搬送機構は、略同数の搬送工程を負担するのが好まし
い（請求項２記載の発明）。
【００１３】複数個の搬送機構を使って一連の基板処理
を順に進める場合、特定の搬送機構の搬送負担が多くな
って、所定枚数以上の基板を単位時間あたりに処理でき
なくなると、他の搬送機構に余裕があっても、基板処理
装置全体としては、それ以上の処理効率の向上を望めな
い。本発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が略
同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬送機構だけ
が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果とし
て、基板処理装置のスループットを向上させることがで
きる。
を順に進める場合、特定の搬送機構の搬送負担が多くな
って、所定枚数以上の基板を単位時間あたりに処理でき
なくなると、他の搬送機構に余裕があっても、基板処理
装置全体としては、それ以上の処理効率の向上を望めな
い。本発明によれば、各処理ブロックの主搬送機構が略
同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬送機構だけ
が早く搬送処理の限界に陥ることが回避でき、結果とし
て、基板処理装置のスループットを向上させることがで
きる。
【００１４】本発明の基板処理装置において、前記各処
理ブロックの主搬送機構は、好ましくは、基板の受け渡
しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互
いに基板の受け渡しを行う（請求項３記載の発明）。こ
のようにすれば、ある処理ブロックの主搬送機構は、そ
の処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に
置くだけで、次の処理に進むことができる。つまり、隣
接する処理ブロックの主搬送機構の動作状態にかかわら
ず、処理を進めることができるので、基板処理装置のス
ループットを一層向上させることができる。
理ブロックの主搬送機構は、好ましくは、基板の受け渡
しを行うために基板を載置する基板載置部を介して、互
いに基板の受け渡しを行う（請求項３記載の発明）。こ
のようにすれば、ある処理ブロックの主搬送機構は、そ
の処理ブロックでの処理が終わった基板を基板載置部に
置くだけで、次の処理に進むことができる。つまり、隣
接する処理ブロックの主搬送機構の動作状態にかかわら
ず、処理を進めることができるので、基板処理装置のス
ループットを一層向上させることができる。
【００１５】前記基板載置部は、好ましくは、ある処理
ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部
と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載
置部との少なくとも２つの基板載置部から構成される
（請求項４記載の発明）。このように構成すれば、２つ
の基板載置部を使って、ある処理ブロックからの基板の
払出し（搬出）と、ある処理ブロックへの基板の戻し
（搬入）を略同時に行うことができるので、基板処理装
置のスループットを一層向上させることができる。
ブロックから基板を払出すための払出し用基板載置部
と、ある処理ブロックへ基板を戻すための戻し用基板載
置部との少なくとも２つの基板載置部から構成される
（請求項４記載の発明）。このように構成すれば、２つ
の基板載置部を使って、ある処理ブロックからの基板の
払出し（搬出）と、ある処理ブロックへの基板の戻し
（搬入）を略同時に行うことができるので、基板処理装
置のスループットを一層向上させることができる。
【００１６】さらに、前記払出し用基板載置部と戻し用
基板載置部は、上下に近接して設けられているのが好ま
しい（請求項５記載の発明）。このようにすれば、単一
の主搬送機構を使って基板を搬入・搬出するときの主搬
送機構の移動距離が短くなるので、基板処理装置のスル
ープットを一層向上させることができる。
基板載置部は、上下に近接して設けられているのが好ま
しい（請求項５記載の発明）。このようにすれば、単一
の主搬送機構を使って基板を搬入・搬出するときの主搬
送機構の移動距離が短くなるので、基板処理装置のスル
ープットを一層向上させることができる。
【００１７】本発明において、前記基板載置部を設ける
位置は特に限定されないが、処理ブロック間に雰囲気遮
断のために隔壁が設けられている場合には、基板載置部
は前記隔壁を部分的に貫通して設けられる（請求項６記
載の発明）。これにより、隣接する処理ブロック間の雰
囲気の相互影響を最小限にして、処理ブロック間の基板
の受け渡しを円滑に行うことができる。
位置は特に限定されないが、処理ブロック間に雰囲気遮
断のために隔壁が設けられている場合には、基板載置部
は前記隔壁を部分的に貫通して設けられる（請求項６記
載の発明）。これにより、隣接する処理ブロック間の雰
囲気の相互影響を最小限にして、処理ブロック間の基板
の受け渡しを円滑に行うことができる。
【００１８】前記基板載置部に、基板の有無を検出する
センサを設けるのが好ましい（請求項７）。センサの検
出信号に基づき、主搬送機構が基板載置部に対して基板
を受け渡しできるか否かを判断することができるので、
同じ基板載置部に重ねて基板を載置するなどのトラブル
を防止することができるとともに、主搬送機構によるい
わゆる「空取り」などの無駄な動作を省くこともでき
る。
センサを設けるのが好ましい（請求項７）。センサの検
出信号に基づき、主搬送機構が基板載置部に対して基板
を受け渡しできるか否かを判断することができるので、
同じ基板載置部に重ねて基板を載置するなどのトラブル
を防止することができるとともに、主搬送機構によるい
わゆる「空取り」などの無駄な動作を省くこともでき
る。
【００１９】処理ブロック内における薬液処理部、熱処
理部、および主搬送機構のレイアウトは任意であるが、
好ましくは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と熱処理部
とが対向して配置される（請求項８記載の発明）。この
ように配置すれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるの
で、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑える
ことができる。
理部、および主搬送機構のレイアウトは任意であるが、
好ましくは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と熱処理部
とが対向して配置される（請求項８記載の発明）。この
ように配置すれば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるの
で、薬液処理部が熱処理部から受ける熱的影響を抑える
ことができる。
【００２０】本発明において、好ましくは、前記薬液処
理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されてお
り、かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下
に積層配置されている（請求項９記載の発明）。このよ
うに薬液処理部と熱処理部を多段に構成すれば、基板処
理装置の占有スペースを小さくすることができる。
理部が複数個あって、これらが上下に積層配置されてお
り、かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下
に積層配置されている（請求項９記載の発明）。このよ
うに薬液処理部と熱処理部を多段に構成すれば、基板処
理装置の占有スペースを小さくすることができる。
【００２１】さらに、好ましくは、前記熱処理部は、上
下に積層配置されたものが複数列にわたり並設される
（請求項１０記載の発明）。このように構成すれば、熱
処理部のメンテナンスが容易であり、また熱処理部に必
要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き
延ばす必要がなくなる。
下に積層配置されたものが複数列にわたり並設される
（請求項１０記載の発明）。このように構成すれば、熱
処理部のメンテナンスが容易であり、また熱処理部に必
要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き
延ばす必要がなくなる。
【００２２】本発明において、熱処理部の構成は特に限
定されないが、好ましくは、熱処理部は、基板を載置し
て加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートか
ら離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく
基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で
基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備え
た基板仮置部付きの熱処理部で構成される（請求項１１
記載の発明）。このような基板仮置部付きの熱処理部に
よれば、主搬送機構の動作に無関係に、熱処理された基
板を加熱プレートから基板仮置部に移して待機させてお
くことができるので、主搬送機構が他の動作を行ってい
たために、あるいは故障のために、基板が過度に加熱さ
れるという事態を防止することができる。なお、熱処理
部のすべてが、基板仮置部付きの熱処理部である必要は
なく、過度の加熱を防止する必要性の高い熱処理部に用
いればよい。
定されないが、好ましくは、熱処理部は、基板を載置し
て加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートか
ら離れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく
基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で
基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備え
た基板仮置部付きの熱処理部で構成される（請求項１１
記載の発明）。このような基板仮置部付きの熱処理部に
よれば、主搬送機構の動作に無関係に、熱処理された基
板を加熱プレートから基板仮置部に移して待機させてお
くことができるので、主搬送機構が他の動作を行ってい
たために、あるいは故障のために、基板が過度に加熱さ
れるという事態を防止することができる。なお、熱処理
部のすべてが、基板仮置部付きの熱処理部である必要は
なく、過度の加熱を防止する必要性の高い熱処理部に用
いればよい。
【００２３】前記基板仮置部付き熱処理部のローカル搬
送機構は、好ましくは、前記加熱プレートから基板仮置
部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備
える（請求項１２記載の発明）。このように構成すれ
ば、加熱プレートから取り上げられた基板が即座に冷却
される。換言すれば、搬送途中に余熱で熱せられること
がないので、基板の加熱時間を厳密にコントロールする
ことができ、基板処理の品質を向上することができる。
送機構は、好ましくは、前記加熱プレートから基板仮置
部へ基板を搬送する過程で基板を冷却する冷却手段を備
える（請求項１２記載の発明）。このように構成すれ
ば、加熱プレートから取り上げられた基板が即座に冷却
される。換言すれば、搬送途中に余熱で熱せられること
がないので、基板の加熱時間を厳密にコントロールする
ことができ、基板処理の品質を向上することができる。
【００２４】さらに、前記主搬送機構は、前記基板仮置
部に対して基板の受け渡しを行うのが好ましい（請求項
１３記載の発明）。主搬送機構が熱処理部の加熱プレー
トにアクセスすると、主搬送機構の温度が上昇し、主搬
送機構によって搬送される基板に熱的悪影響を与えるこ
とがある。これに対し、主搬送機構が基板仮置部に対し
て基板の受け渡しを行うように構成すれば、主搬送機構
の温度上昇を防止することができ、基板処理の品質を一
層向上することができる。
部に対して基板の受け渡しを行うのが好ましい（請求項
１３記載の発明）。主搬送機構が熱処理部の加熱プレー
トにアクセスすると、主搬送機構の温度が上昇し、主搬
送機構によって搬送される基板に熱的悪影響を与えるこ
とがある。これに対し、主搬送機構が基板仮置部に対し
て基板の受け渡しを行うように構成すれば、主搬送機構
の温度上昇を防止することができ、基板処理の品質を一
層向上することができる。
【００２５】さらに好ましくは、前記基板仮置部付きの
熱処理部の少なくとも加熱プレートは筐体で覆われてお
り、この筐体内の加熱プレートに対して前記ローカル搬
送機構が基板を受け渡すために前記筐体に設けられた開
口部は、前記主搬送機構が配置された側とは反対側に位
置している（請求項１４記載の発明）。このようにすれ
ば、開口部から漏れ出た熱雰囲気が主搬送機構に及ぼす
影響が少なくなるので、主搬送機構の温度上昇を一層軽
減することができる。
熱処理部の少なくとも加熱プレートは筐体で覆われてお
り、この筐体内の加熱プレートに対して前記ローカル搬
送機構が基板を受け渡すために前記筐体に設けられた開
口部は、前記主搬送機構が配置された側とは反対側に位
置している（請求項１４記載の発明）。このようにすれ
ば、開口部から漏れ出た熱雰囲気が主搬送機構に及ぼす
影響が少なくなるので、主搬送機構の温度上昇を一層軽
減することができる。
【００２６】また、本発明は、基板に対して一連の薬液
処理と熱処理とを行う基板処理装置において、基板を多
段に収容する複数個のカセットを載置するカセット載置
台と、各カセットから未処理の基板を順に取り出すとと
もに、各カセットへ処理済の基板を順に収納するインデ
クサ用搬送機構とを備えたインデクサブロックと、基板
表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理
部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処理す
る反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布処理
部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け渡し
をする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサブロ
ックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロック
と、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト
膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレ
ジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジス
ト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部および
レジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第
２の主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロッ
クに隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、
フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基
板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部お
よび現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３
の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロック
に隣接して設けられる現像処理ブロックと、前記現像処
理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理装置とは別
体の外部装置である露光装置に対して基板の受け渡しを
するインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェ
イスブロックとを備えたことを特徴とする（請求項１５
記載の発明）。
処理と熱処理とを行う基板処理装置において、基板を多
段に収容する複数個のカセットを載置するカセット載置
台と、各カセットから未処理の基板を順に取り出すとと
もに、各カセットへ処理済の基板を順に収納するインデ
クサ用搬送機構とを備えたインデクサブロックと、基板
表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布処理
部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処理す
る反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布処理
部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け渡し
をする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサブロ
ックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロック
と、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト
膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレ
ジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジス
ト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部および
レジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第
２の主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロッ
クに隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、
フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基
板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部お
よび現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３
の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロック
に隣接して設けられる現像処理ブロックと、前記現像処
理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理装置とは別
体の外部装置である露光装置に対して基板の受け渡しを
するインターフェイス用搬送機構を備えたインターフェ
イスブロックとを備えたことを特徴とする（請求項１５
記載の発明）。
【００２７】本発明によれば、インデクサブロックから
取り出された未処理の基板が反射防止膜用処理ブロック
に渡され、この処理ブロックで基板上に反射防止膜が塗
布形成される。反射防止膜が塗布形成された基板は、レ
ジスト膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックで
フォトレジスト膜が塗布形成される。フォトレジスト膜
が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りし
てインターフェイスブロックに渡される。インターフェ
イスブロックは、その基板を外部装置である露光装置に
渡す。露光処理された基板は、インターフェイスブロッ
クを介して、現像処理ブロックに渡され、この処理ブロ
ックで現像処理される。現像処理された基板は、レジス
ト膜用処理ブロックと反射防止膜用処理ブロックを素通
りして、インデクサブロックに返される。インデクサブ
ロックは、処理済みの基板をカセットに収納する。各処
理ブロックでは、各々の主搬送機構が各々の薬液処理部
（反射防止膜用塗布処理部、レジスト膜用塗布処理部、
現像処理部）および熱処理部に対して基板の受け渡しを
並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が
同時並行的に作動することによって、各処理部に対する
基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処
理装置のスループットを向上させることができる。
取り出された未処理の基板が反射防止膜用処理ブロック
に渡され、この処理ブロックで基板上に反射防止膜が塗
布形成される。反射防止膜が塗布形成された基板は、レ
ジスト膜用処理ブロックに渡され、この処理ブロックで
フォトレジスト膜が塗布形成される。フォトレジスト膜
が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通りし
てインターフェイスブロックに渡される。インターフェ
イスブロックは、その基板を外部装置である露光装置に
渡す。露光処理された基板は、インターフェイスブロッ
クを介して、現像処理ブロックに渡され、この処理ブロ
ックで現像処理される。現像処理された基板は、レジス
ト膜用処理ブロックと反射防止膜用処理ブロックを素通
りして、インデクサブロックに返される。インデクサブ
ロックは、処理済みの基板をカセットに収納する。各処
理ブロックでは、各々の主搬送機構が各々の薬液処理部
（反射防止膜用塗布処理部、レジスト膜用塗布処理部、
現像処理部）および熱処理部に対して基板の受け渡しを
並行して行う。つまり、各処理ブロックの主搬送機構が
同時並行的に作動することによって、各処理部に対する
基板の受け渡しの速度が等価的に向上するので、基板処
理装置のスループットを向上させることができる。
【００２８】上記の基板処理装置において、少なくとも
前記インデクサブロックと前記反射防止膜用処理ブロッ
クとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除いて隔壁で
区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック内の気圧が
インデクサブロック内の気圧よりも高くなるように設定
するのが好ましい（請求項１６記載の発明）。このよう
に構成すれば、インデクサブロック内の雰囲気が反射防
止膜用処理ブロックに流入しないので、外部の雰囲気の
影響を受けずに処理を行うことができ、処理の品質を向
上させることができる。
前記インデクサブロックと前記反射防止膜用処理ブロッ
クとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除いて隔壁で
区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック内の気圧が
インデクサブロック内の気圧よりも高くなるように設定
するのが好ましい（請求項１６記載の発明）。このよう
に構成すれば、インデクサブロック内の雰囲気が反射防
止膜用処理ブロックに流入しないので、外部の雰囲気の
影響を受けずに処理を行うことができ、処理の品質を向
上させることができる。
【００２９】さらに、上記の基板処理装置において、好
ましくは、前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を
載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレ
ートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置し
ておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部と
の間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構と
を備えた基板仮置部付きの熱処理部を含み、前記インタ
ーフェイスブロックはさらに、フォトレジストが塗布さ
れた基板の周縁部を露光するエッジ露光部と、前記基板
仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露光部に対して
基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを備える（請求
項１７記載の発明）。この構成によれば、フォトレジス
ト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通
りして、インターフェイスブロックの第４の主搬送機構
に受け渡されて、エッジ露光部に搬入される。エッジ露
光された基板は、インターフェイスブロックのインター
フェイス用搬送機構によって外部装置である露光装置に
渡される。露光された基板はインターフェイス搬送機構
用搬送機構から第４の主搬送機構に受け渡されて、基板
仮置部付きの熱処理部に搬入される。熱処理された基板
は現像処理ブロックに渡されて現像処理される。露光さ
れた基板を基板仮置部付きの熱処理部へ搬入するための
搬送を、現像処理ブロックの第３の主搬送機構に依ら
ず、独立した第４の主搬送機構で行っているので、仮に
現像処理ブロックに異常が生じて第３の主搬送機構が停
止しても、露光後の加熱を確実に行うことができる。フ
ォトレジストとして化学増幅型フォトレジストを用いた
場合、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、こ
の点で本発明は好適である。
ましくは、前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を
載置して加熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレ
ートから離れた上方位置または下方位置に基板を載置し
ておく基板仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部と
の間で基板を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構と
を備えた基板仮置部付きの熱処理部を含み、前記インタ
ーフェイスブロックはさらに、フォトレジストが塗布さ
れた基板の周縁部を露光するエッジ露光部と、前記基板
仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露光部に対して
基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを備える（請求
項１７記載の発明）。この構成によれば、フォトレジス
ト膜が塗布形成された基板は、現像処理ブロックを素通
りして、インターフェイスブロックの第４の主搬送機構
に受け渡されて、エッジ露光部に搬入される。エッジ露
光された基板は、インターフェイスブロックのインター
フェイス用搬送機構によって外部装置である露光装置に
渡される。露光された基板はインターフェイス搬送機構
用搬送機構から第４の主搬送機構に受け渡されて、基板
仮置部付きの熱処理部に搬入される。熱処理された基板
は現像処理ブロックに渡されて現像処理される。露光さ
れた基板を基板仮置部付きの熱処理部へ搬入するための
搬送を、現像処理ブロックの第３の主搬送機構に依ら
ず、独立した第４の主搬送機構で行っているので、仮に
現像処理ブロックに異常が生じて第３の主搬送機構が停
止しても、露光後の加熱を確実に行うことができる。フ
ォトレジストとして化学増幅型フォトレジストを用いた
場合、露光後の加熱を速やかに行う必要があるので、こ
の点で本発明は好適である。
【００３０】この場合、前記熱処理部用のローカル搬送
機構が、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送
する過程で基板を冷却する冷却手段を備えると（請求項
１８記載の発明）、露光後の加熱時間を一層厳密にコン
トロールできるので好ましい。
機構が、前記加熱プレートから基板仮置部へ基板を搬送
する過程で基板を冷却する冷却手段を備えると（請求項
１８記載の発明）、露光後の加熱時間を一層厳密にコン
トロールできるので好ましい。
【００３１】本発明の基板処理装置において、好ましく
は、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と
前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構と
は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載
置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、
前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロック
の第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像
処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機
構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機
構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス
用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために
基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け
渡しを行う（請求項１９記載の発明）。このようにすれ
ば、各処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロック
での処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次
の処理に進むことができるので、基板処理装置のスルー
プットを一層向上させることができる。
は、前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と
前記反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構と
は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載
置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、同様に、
前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理ブロック
の第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と前記現像
処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の主搬送機
構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の主搬送機
構と前記インターフェイスブロックのインターフェイス
用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行うために
基板を載置する基板載置部を介して、互いに基板の受け
渡しを行う（請求項１９記載の発明）。このようにすれ
ば、各処理ブロックの主搬送機構は、その処理ブロック
での処理が終わった基板を基板載置部に置くだけで、次
の処理に進むことができるので、基板処理装置のスルー
プットを一層向上させることができる。
【００３２】さらに、本発明の基板処理装置において、
好ましくは、前記インターフェイスブロックは、露光機
が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板
を収納する送り用バッファと、露光処理後の基板を現像
処理できないときに、現像処理前の基板を収納する戻り
バッファと備え、前記インターフェイス用搬送機構は、
露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前
の基板を前記送り用バッファに収納し、前記第４の主搬
送機構は、露光処理後の基板を現像処理できないとき
に、現像処理前の基板を、前記現像処理ブロックの基板
仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、前記戻りバッ
ファに収納する（請求項２０記載の発明）。この構成に
よれば、現像処理ブロックなどに異常が生じて基板の現
像処理ができない場合に、露光後の加熱処理を行った後
に戻りバッファへ収納するので、露光された基板が熱処
理を受けずに長時間放置されることがない。これは露光
後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレ
ジストを用いた場合に好適である。
好ましくは、前記インターフェイスブロックは、露光機
が基板の受け入れをできないときに、露光処理前の基板
を収納する送り用バッファと、露光処理後の基板を現像
処理できないときに、現像処理前の基板を収納する戻り
バッファと備え、前記インターフェイス用搬送機構は、
露光機が基板の受け入れをできないときに、露光処理前
の基板を前記送り用バッファに収納し、前記第４の主搬
送機構は、露光処理後の基板を現像処理できないとき
に、現像処理前の基板を、前記現像処理ブロックの基板
仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、前記戻りバッ
ファに収納する（請求項２０記載の発明）。この構成に
よれば、現像処理ブロックなどに異常が生じて基板の現
像処理ができない場合に、露光後の加熱処理を行った後
に戻りバッファへ収納するので、露光された基板が熱処
理を受けずに長時間放置されることがない。これは露光
後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォトレ
ジストを用いた場合に好適である。
【００３３】さらに、本発明は、基板に所要の処理を行
う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする
単一の主搬送機構と含んで単一の被制御ユニットを構成
し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理
装置であって、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、
基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部
を介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、前記各
被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少な
くとも制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備
え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対す
る基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の
受け渡しを含む一連の制御を、各々独立して行うことを
特徴とする（請求項２１記載の発明）。
う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡しをする
単一の主搬送機構と含んで単一の被制御ユニットを構成
し、前記被制御ユニットを並設して構成される基板処理
装置であって、前記各被制御ユニットの主搬送機構は、
基板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部
を介して、互いに基板の受け渡しを行い、かつ、前記各
被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作を少な
くとも制御する制御手段を各被制御ユニットごとに備
え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対す
る基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の
受け渡しを含む一連の制御を、各々独立して行うことを
特徴とする（請求項２１記載の発明）。
【００３４】本発明は、制御面からも基板処理装置のス
ループットを向上することを意図している。本発明の制
御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御
ユニット間の基板の受け渡しを、基板載置部を介して行
うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制
御手段は、所定の基板載置部に置かれた基板の受け取り
から始まって、所定の基板載置部に基板を置くことによ
って完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣
接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必
要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の
負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上
させることができる。また、被制御ユニットの増減を比
較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基
板処理は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している
関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業
（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスルー
プットの向上を妨げる一因ともなっている。
ループットを向上することを意図している。本発明の制
御方式はいわゆる分散制御である。そのために、被制御
ユニット間の基板の受け渡しを、基板載置部を介して行
うようにしている。これにより、各被制御ユニットの制
御手段は、所定の基板載置部に置かれた基板の受け取り
から始まって、所定の基板載置部に基板を置くことによ
って完結する一連の制御を行うだけでよい。つまり、隣
接する被制御ユニットの主搬送機構の動きを考慮する必
要がない。したがって、各被制御ユニットの制御手段の
負担が少なくなり、基板処理装置のスループットを向上
させることができる。また、被制御ユニットの増減を比
較的簡単に行うこともできる。これに対して、従来の基
板処理は、基板搬送機構や各処理部を集中制御している
関係で、基板搬送機構や各処理部の動作順序の決定作業
（スケジューリング）が複雑であり、そのことがスルー
プットの向上を妨げる一因ともなっている。
【００３５】本発明に係る基板処理装置の具体例として
は、基板を多段に収容する複数個のカセットを載置する
カセット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に
取り出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収
納するインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロ
ックがインデクサ用の被制御ユニットを構成し、同様
に、基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用
塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を
熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用
塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の
受け渡しをする第１の主搬送機構とを備えた反射防止膜
用処理ブロックが反射防止膜用の被制御ユニットを構成
し、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト
膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレ
ジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジス
ト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部および
レジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第
２の主搬送機構とを備えたレジスト膜用処理ブロックが
レジスト膜用の被制御ユニットを構成し、フォトレジス
ト膜が塗布形成され、さらに露光された基板に現像処理
をする現像処理部と、現像処理に関連して基板を熱処理
する現像用熱処理部と、前記現像処理部および現像用熱
処理部に対して基板の受け渡しをする第３の主搬送機構
とを備えた現像処理ブロックが現像用の被制御ユニット
を構成し、露光された基板を現像前に加熱処理する露光
後加熱用の熱処理部と、前記露光後加熱用の熱処理部に
対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを含んで
露光後加熱用の被制御ユニットを構成し、本基板処理装
置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の受
け渡しをするインターフェイス用搬送機構を含んでイン
ターフェイス用の被制御ユニットを構成する（請求項２
２記載の発明）。
は、基板を多段に収容する複数個のカセットを載置する
カセット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に
取り出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収
納するインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロ
ックがインデクサ用の被制御ユニットを構成し、同様
に、基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用
塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を
熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用
塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の
受け渡しをする第１の主搬送機構とを備えた反射防止膜
用処理ブロックが反射防止膜用の被制御ユニットを構成
し、反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト
膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレ
ジスト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジス
ト膜用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部および
レジスト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第
２の主搬送機構とを備えたレジスト膜用処理ブロックが
レジスト膜用の被制御ユニットを構成し、フォトレジス
ト膜が塗布形成され、さらに露光された基板に現像処理
をする現像処理部と、現像処理に関連して基板を熱処理
する現像用熱処理部と、前記現像処理部および現像用熱
処理部に対して基板の受け渡しをする第３の主搬送機構
とを備えた現像処理ブロックが現像用の被制御ユニット
を構成し、露光された基板を現像前に加熱処理する露光
後加熱用の熱処理部と、前記露光後加熱用の熱処理部に
対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを含んで
露光後加熱用の被制御ユニットを構成し、本基板処理装
置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の受
け渡しをするインターフェイス用搬送機構を含んでイン
ターフェイス用の被制御ユニットを構成する（請求項２
２記載の発明）。
【００３６】上記の発明によれば、基板処理装置のスル
ープットが向上するだけでなく、次の効果を奏する。す
なわち、露光後加熱用の熱処理部と第４の主搬送機構を
含んで一つの被制御ユニットを構成しているので、露光
された基板を速やかに熱処理部に搬入して熱処理を行う
ことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要
がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適で
ある。
ープットが向上するだけでなく、次の効果を奏する。す
なわち、露光後加熱用の熱処理部と第４の主搬送機構を
含んで一つの被制御ユニットを構成しているので、露光
された基板を速やかに熱処理部に搬入して熱処理を行う
ことができる。これは露光後の加熱を速やかに行う必要
がある化学増幅型フォトレジストを用いた場合に好適で
ある。
【００３７】上記したように、本発明は被制御ユニット
の増減を比較的簡単に行うことができる。例えば、基板
を検査する基板検査部と、前記基板検査部に対して基板
を受け渡しする基板検査用の主搬送機構とを含んで構成
される基板検査用の被制御ユニットをさらに備えた基板
処理装置としてもよい（請求項２３記載の発明）。この
構成によれば、基板検査用の被制御ユニットが完結した
制御のもとで、固有の基板検査用の主搬送機構を使って
基板の検査を進めるので、基板処理装置のスループット
をほとんど低下させることなく、基板の検査を行うこと
ができる。
の増減を比較的簡単に行うことができる。例えば、基板
を検査する基板検査部と、前記基板検査部に対して基板
を受け渡しする基板検査用の主搬送機構とを含んで構成
される基板検査用の被制御ユニットをさらに備えた基板
処理装置としてもよい（請求項２３記載の発明）。この
構成によれば、基板検査用の被制御ユニットが完結した
制御のもとで、固有の基板検査用の主搬送機構を使って
基板の検査を進めるので、基板処理装置のスループット
をほとんど低下させることなく、基板の検査を行うこと
ができる。
【００３８】また、本発明は、薬液処理を行う薬液処理
部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部
と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の
受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制
御ユニットを構成し、 異なる薬液処理ごとに構成され
た複数個の被制御ユニットを並設してある基板処理装置
であって、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置か
ら別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、略同数の搬送工
程を負担していることを特徴とする（請求項２４）。
部と、前記薬液処理に関連した熱処理を行う熱処理部
と、前記薬液処理部および前記熱処理部に対して基板の
受け渡しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制
御ユニットを構成し、 異なる薬液処理ごとに構成され
た複数個の被制御ユニットを並設してある基板処理装置
であって、前記主搬送機構を使って基板を特定の位置か
ら別の位置に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、
前記各被制御ユニットの主搬送機構は、略同数の搬送工
程を負担していることを特徴とする（請求項２４）。
【００３９】本発明によれば、各被制御ユニットの主搬
送機構が略同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬
送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避で
き、結果として、基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。
送機構が略同数の搬送工程を負担するので、特定の主搬
送機構だけが早く搬送処理の限界に陥ることが回避で
き、結果として、基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。
【００４０】なお、本発明において、各被制御ユニット
（または、請求項２記載の発明の各処理ブロック）の主
搬送機構は、完全に同数の搬送工程を負担する必要はな
い。基板処理装置のスループットを向上し得る程度に、
主要な被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担が均等化
されていればよい。現実的には、各主搬送機構が負担す
る搬送工程数のバラツキは、２搬送工程以内が好まし
い。また、特定の被制御ユニットにおける処理時間を厳
密に管理する必要がある場合や、その被制御ユニットに
オプションとして別の処理部が追加されることが予想さ
れる場合には、その被制御ユニットの主搬送機構の搬送
負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他の被制
御ユニットに比べて故意に低く設定してもよい。
（または、請求項２記載の発明の各処理ブロック）の主
搬送機構は、完全に同数の搬送工程を負担する必要はな
い。基板処理装置のスループットを向上し得る程度に、
主要な被制御ユニットの主搬送機構の搬送負担が均等化
されていればよい。現実的には、各主搬送機構が負担す
る搬送工程数のバラツキは、２搬送工程以内が好まし
い。また、特定の被制御ユニットにおける処理時間を厳
密に管理する必要がある場合や、その被制御ユニットに
オプションとして別の処理部が追加されることが予想さ
れる場合には、その被制御ユニットの主搬送機構の搬送
負担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他の被制
御ユニットに比べて故意に低く設定してもよい。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１は実施例に係る基板処理装置の平
面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図であ
る。
施例を説明する。図１は実施例に係る基板処理装置の平
面図、図２はその正面図、図３は熱処理部の正面図であ
る。
【００４２】ここでは、半導体ウエハ（以下、単に「基
板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布
形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬
液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もち
ろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板
は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板
など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジ
スト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の
薬液処理を含む。
板」という）に、反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布
形成するとともに、露光された基板に現像処理などの薬
液処理を行う基板処理装置を例に採って説明する。もち
ろん、本発明に係る基板処理装置が取り扱い得る基板
は、半導体ウエハに限らず、液晶表示器用のガラス基板
など種々の基板を含む。また、薬液処理は、フォトレジ
スト膜などの塗布形成処理や現像処理に限らず、種々の
薬液処理を含む。
【００４３】図１を参照する。本実施例に係る基板処理
装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に
対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体
的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理
ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インター
フェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並
設して構成されている。インターフェイスブロック５に
は、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置で
ある露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以
下、各ブロックの構成を説明する。
装置は大きく分けて、インデクサブロック１と、基板に
対して所要の薬液処理を行う３つの処理ブロック（具体
的には反射防止膜用処理ブロック２、レジスト膜用処理
ブロック３、および現像処理ブロック４）と、インター
フェイスブロック５とからなり、これらのブロックを並
設して構成されている。インターフェイスブロック５に
は、本実施例に係る基板処理装置とは別体の外部装置で
ある露光装置（ステッパー）ＳＴＰが並設される。以
下、各ブロックの構成を説明する。
【００４４】まず、インデクサブロック１について説明
する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納
するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへ
の基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個
のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各
カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すととも
に、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するイン
デクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送
機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平
移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに
基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載され
ている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方
向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に
進退移動可能に構成されている。
する。インンデクサブロック１は、基板Ｗを多段に収納
するカセットＣからの基板の取り出しや、カセットＣへ
の基板Ｗの収納を行う機構である。具体的には、複数個
のカッセトＣを並べて載置するカセット載置台６と、各
カセットＣから未処理の基板Ｗを順に取り出すととも
に、各カセットＣへ処理済の基板Ｗを順に収納するイン
デクサ用搬送機構７とを備えている。インデクサ用搬送
機構７は、カセット載置台６に沿って（Ｙ方向に)水平
移動可能な可動台７ａを備えている。この可動台７ａに
基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム７ｂが搭載され
ている。保持アーム７ｂは、可動台７ａ上を昇降（Ｚ方
向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に
進退移動可能に構成されている。
【００４５】上述したインデクサブロック１に隣接して
反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示
すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロ
ック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられ
ている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防
止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うた
めに基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、Ｐ
ＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板
載置ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜
処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板
載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からイン
デクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設け
られている。基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔
壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板
載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数
本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他
の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗ
の有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられ
ており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬
送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第
1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡ
ＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどう
かを判断するようになっている。同様のセンサは他の基
板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられてい
る。
反射防止膜処理ブロック２が設けられている。図４に示
すように、インデクサブロック１と反射防止膜処理ブロ
ック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられ
ている。この隔壁１３にインデクサブロック１と反射防
止膜処理ブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うた
めに基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１、Ｐ
ＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上側の基板
載置ＰＡＳＳ１はインデクサブロック１から反射防止膜
処理ブロック２へ基板Ｗを払い出すために、下側の基板
載置部ＰＡＳＳ２は反射防止膜処理ブロック２からイン
デクサブロック１へ基板Ｗを戻すために、それぞれ設け
られている。基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、隔
壁１３を部分的に貫通して設けられている。なお、基板
載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は、固定設置された複数
本の支持ピンから構成されており、この点は後述する他
の基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０も同様である。
また、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２には、基板Ｗ
の有無を検出する図示しない光学式のセンサが設けられ
ており、各センサの検出信号に基づいてインデクサ用搬
送機構７や、後述する反射防止膜用処理ブロック２の第
1の主搬送機構１０Ａが、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡ
ＳＳ２に対して基板を受け渡しできる状態であるかどう
かを判断するようになっている。同様のセンサは他の基
板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも設けられてい
る。
【００４６】反射防止膜処理ブロック２について説明す
る。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定
在波やハレーションを減少させるために、フォトレジス
ト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構であ
る。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成
する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形
成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部
９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱
処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送
機構１０Ａとを備える。
る。反射防止膜処理ブロック２は、露光時に発生する定
在波やハレーションを減少させるために、フォトレジス
ト膜の下部に反射防止膜を塗布形成するための機構であ
る。具体的には、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成
する反射防止膜用塗布処理部８と、反射防止膜の塗布形
成に関連して基板Ｗを熱処理する反射防止膜用熱処理部
９と、反射防止膜用塗布処理部８および反射防止膜用熱
処理部９に対して基板Ｗの受け渡しをする第１の主搬送
機構１０Ａとを備える。
【００４７】反射防止膜処理ブロック２は、第１の主搬
送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射
防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体
的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装
置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処
理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点
は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブ
ロック４においても同様である。このような配置にすれ
ば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部
が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。
また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない
熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影
響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用
処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられ
ている。
送機構１０Ａを挟んで反射防止膜用塗布処理部８と反射
防止膜用熱処理部９とが対向して配置されている。具体
的には、塗布処理部８が装置正面側に、熱処理部９が装
置背面側に、それぞれ位置している。このように薬液処
理部と熱処理部とを主搬送機構を挟んで対向配置する点
は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理ブ
ロック４においても同様である。このような配置にすれ
ば、薬液処理部と熱処理部とが隔たるので、薬液処理部
が熱処理部から受ける熱的影響を抑えることができる。
また、本実施例では、熱処理部９の正面側に図示しない
熱隔壁を設けて、反射防止膜用塗布処理部８への熱的影
響を回避している。同様な熱隔壁は、他のレジスト膜用
処理ブロック３および現像処理ブロック４にも設けられ
ている。
【００４８】反射防止膜用塗布処理部８は、図２に示す
ように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処
理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号
「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。
各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回
転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１
上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給
するノズル１２などを備えている。
ように、同様の構成を備えた３つの反射防止膜用塗布処
理部８ａ〜８ｃ（以下、特に区別しない場合は符号
「８」で示す）を上下に積層配置して構成されている。
各塗布処理部８は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回
転するスピンチャック１１や、このスピンチャック１１
上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給
するノズル１２などを備えている。
【００４９】反射防止膜用熱処理部９は、図３に示すよ
うに、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱
プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する
複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密
着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアド
ヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これら
の熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮ
Ｔ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に
「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空き
スペースが割り当てられている。
うに、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する複数個の加熱
プレートＨＰ、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する
複数個の冷却プレートＣＰ、レジスト膜と基板Ｗとの密
着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する複数個のアド
ヒージョン処理部ＡＨＬなどの熱処理部を含む。これら
の熱処理部９の下部には、ヒータコントローラ（ＣＯＮ
Ｔ）が配設され、また熱処理部９の上部（図３中に
「×」印で示した個所）には配管配線部や、予備の空き
スペースが割り当てられている。
【００５０】反射防止膜用熱処理部９は、各熱処理部
（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成され
ているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数
例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液
処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層
配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している
点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理
ブロック４においても同様である。
（ＨＰ，ＣＰ，ＡＨＬ）を上下に積層配置して構成され
ているとともに、積層配置された一群の熱処理部が複数
例（本実施例では２列）にわたり並設されている。薬液
処理部を上下に積層配置している点、および上下に積層
配置した一群の熱処理部を複数列にわたり並設している
点は、他のレジスト膜用処理ブロック３および現像処理
ブロック４においても同様である。
【００５１】上述したように各処理ブロック２〜４で薬
液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、
基板処理装置の占有スペースを小さくすることができ
る。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列のわ
たり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容
易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電
設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなる
という利点がある。
液処理部や熱処理部を上下に積層配置することにより、
基板処理装置の占有スペースを小さくすることができ
る。また、積層配置した一群の記熱処理部を複数列のわ
たり並設することにより、熱処理部のメンテナンスが容
易になるとともに、熱処理部に必要なダクト配管や給電
設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなる
という利点がある。
【００５２】第１の主搬送機構１０Ａについて説明す
る。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、
現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック
５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機
構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以
下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別
しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
る。なお、後述する他のレジスト膜用処理ブロック３、
現像処理ブロック４、およびインターフェイスブロック
５にそれぞれ備えられた第２、第３、第４の各主搬送機
構１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄも同様に構成されている。以
下、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄを特に区別
しない場合は、主搬送機構１０として説明する。
【００５３】図６を参照する。同図（ａ）は主搬送機構
１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構
１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム
１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アー
ム１０ａ、１０ｂは、先端部が「Ｃ］の字状になってお
り、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出
た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持す
るようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装
置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上
に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１
０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けら
れている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されてお
り、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することによ
り、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移
動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台
１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降
台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１
０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した
２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されてい
る。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ
内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が
独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可
能に構成されている。
１０の平面図、（ｂ）はその正面図である。主搬送機構
１０は、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個の保持アーム
１０ａ、１０ｂを上下に近接して備えている。保持アー
ム１０ａ、１０ｂは、先端部が「Ｃ］の字状になってお
り、この「Ｃ」の字状のアームの内側から内方に突き出
た複数本のピン１０ｃで基板Ｗの周縁を下方から支持す
るようになっている。主搬送機構１０の基台１０ｄは装
置基台に対して固定設置されている。この基台１０ｄ上
に螺軸１０ｅが回転可能に立設支持されている。基台１
０ｄに螺軸１０ｅを回転駆動するモータ１０ｆが設けら
れている。螺軸１０ｅに昇降台１０ｇが螺合されてお
り、モータ１０ｆが螺軸１０ｅを回転駆動することによ
り、昇降台１０ｇがガイド軸１０ｊに案内されて昇降移
動するようになっている。昇降台１０ｇ上にアーム基台
１０ｈが縦軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降
台１０ｇにはアーム基台１０ｈを旋回駆動するモータ１
０ｉが設けられている。アーム基台１０ｈ上に上述した
２つの保持アーム１０ａ、１０ｂが上下に配設されてい
る。各保持アーム１０ａ、１０ｂは、アーム基台１０ｈ
内に装備された駆動機構（図示せず）によって、各々が
独立してアーム基台１０ｈの旋回半径方向に進退移動可
能に構成されている。
【００５４】上述した反射防止膜処理ブロック２に隣接
してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４
に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜
処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が
設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロッ
ク２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け
渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳ
Ｓ４が上下に近接して設けられている。上述した基板載
置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基
板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載
置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているととも
に、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁
１３を部分的に貫通している。また、基板載置部ＰＡＳ
Ｓ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却す
るために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３
を貫通して上下に設けられている。
してレジスト膜処理ブロック３が設けられている。図４
に示すように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜
処理ブロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が
設けられている。この隔壁１３に反射防止膜処理ブロッ
ク２とレジスト膜処理ブロック３との間で基板Ｗの受け
渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳ
Ｓ４が上下に近接して設けられている。上述した基板載
置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２の場合と同様に、上側の基
板載置部ＰＡＳＳ３が基板Ｗの払出し用、下側の基板載
置部ＰＡＳＳ４が基板Ｗの戻し用になっているととも
に、これらの基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４は隔壁
１３を部分的に貫通している。また、基板載置部ＰＡＳ
Ｓ３、ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却す
るために水冷式の２つの冷却プレートＷＣＰが隔壁１３
を貫通して上下に設けられている。
【００５５】レジスト膜用処理ブロック３について説明
する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗
布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成す
る機構である。なお、本実施例では、フォトレジストと
して化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処
理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗに
フォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理
部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板
を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜
用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対
して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂと
を備える。
する。レジスト膜用処理ブロック３は、反射防止膜が塗
布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜を塗布形成す
る機構である。なお、本実施例では、フォトレジストと
して化学増幅型レジストを用いている。レジスト膜用処
理ブロック３は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗに
フォトレジスト膜を塗布形成するレジスト膜用塗布処理
部１５と、フォトレジスト膜の塗布形成に関連して基板
を熱処理するレジスト膜用熱処理部１６と、レジスト膜
用塗布処理部１５およびレジスト膜用熱処理部１６に対
して基板Ｗの受け渡しをする第２の主搬送機構１０Ｂと
を備える。
【００５６】レジスト膜用塗布処理部１５は、図２に示
すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布
処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符
号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されてい
る。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持
して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャッ
ク１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液
を供給するノズル１８などを備えている。
すように、同様の構成を備えた３つのレジスト膜用塗布
処理部１５ａ〜１５ｃ（以下、特に区別しない場合は符
号「１５」で示す）を上下に積層配置して構成されてい
る。各塗布処理部１５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持
して回転するスピンチャック１７や、このスピンチャッ
ク１７上に保持された基板Ｗ上にレジスト膜用の塗布液
を供給するノズル１８などを備えている。
【００５７】レジスト膜用熱処理部１６は、図３に示す
ように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部
付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い
精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理
部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列
配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場
合と同様である。
ように、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する基板仮置部
付きの複数個の加熱部ＰＨＰ、基板Ｗを常温にまで高い
精度で冷却する複数個の冷却プレートＣＰなどの熱処理
部を含む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列
配置されている点は、反射防止膜用処理ブロック２の場
合と同様である。
【００５８】基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰについて説
明する。図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの
破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰ
は、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰ
と、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下
方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置してお
く基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１
９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送
機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレ
ート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けら
れている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基
板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板
仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン
２３が設けられている。
明する。図７を参照する。同図（ａ）は加熱部ＰＨＰの
破断側面図、（ｂ）は破断平面図である。加熱部ＰＨＰ
は、基板Ｗを載置して加熱処理をする加熱プレートＨＰ
と、この加熱プレートＨＰから離れた上方位置または下
方位置（本実施例では上方位置）に基板Ｗを載置してお
く基板仮置部１９と、加熱プレートＨＰと基板仮置部１
９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送
機構２０とを備えている。加熱プレートＨＰには、プレ
ート表面に出没する複数本の可動支持ピン２１が設けら
れている。加熱プレートＨＰの上方には加熱処理時に基
板Ｗを覆う昇降自在の上蓋２２が設けられている。基板
仮置部１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン
２３が設けられている。
【００５９】ローカル搬送機構２０は、基板Ｗを水平姿
勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレー
ト２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動される
とともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動される
ようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プ
レートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、
可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように
複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ロー
カル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部
１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備
えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の
内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂ
に冷却水を流通させることによって構成されている。
勢で保持する保持プレート２４を備え、この保持プレー
ト２４がネジ送り駆動機構２５によって昇降移動される
とともに、ベルト駆動機構２６によって進退移動される
ようになっている。保持プレート２４は、これが加熱プ
レートＨＰや基板仮置部１９の上方に進出したときに、
可動支持ピン２１や固定支持ピン２３と干渉しなように
複数本のスリット２４ａが形成されている。また、ロー
カル搬送機構２０は、加熱プレートＨＰから基板仮置部
１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板を冷却する手段を備
えている。この冷却手段は、例えば保持プレート２４の
内部に冷却水流路２４ｂを設け、この冷却水流路２４ｂ
に冷却水を流通させることによって構成されている。
【００６０】上述したローカル搬送機構２０は、加熱プ
レートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んでは第２の主搬
送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置さ
れている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部
１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を
覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの
進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカ
ル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それ
ぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち
加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、
その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開
口部１９ｃが設けられている。
レートＨＰおよび基板仮置部１９を挟んでは第２の主搬
送機構１０Ｂとは反対側、すなわち装置背面側に設置さ
れている。そして、加熱プレートＨＰおよび基板仮置部
１９を覆う筐体２７の上部、すなわち基板仮置部１９を
覆う部位には、その正面側に第２の主搬送機構１０Ｂの
進入を許容する開口部１９ａが、その背面側にはローカ
ル搬送機構２０の進入を許容する開口部１９ｂが、それ
ぞれ設けられている。また、筐体２７の下部、すなわち
加熱プレートＨＰを覆う部位は、その正面側が閉塞し、
その背面側にローカル搬送機構２０の進入を許容する開
口部１９ｃが設けられている。
【００６１】上述した加熱部ＰＨＰに対する基板Ｗの出
し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構
１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主
搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９
の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてロ
ーカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側
に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン
２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレ
ート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに
対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨ
Ｐの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２
２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４
は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２
１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４
が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗ
を加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下
降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理され
る。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、
可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続い
て保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支
持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレー
ト２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート
２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１
９に搬送する。この搬送過程で保持プレート２４に支持
された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能に
よって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常
温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９に移載する。この
基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
し入れは以下のようにして行われる。まず、主搬送機構
１０（レジスト膜用処理ブロック３の場合は、第２の主
搬送機構１０Ｂ）が基板Ｗを保持して、基板仮置部１９
の固定支持ピン２３の上に基板Ｗを載置する。続いてロ
ーカル搬送機構２０の保持プレート２４が基板Ｗの下側
に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン
２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレ
ート２４は筐体２７から退出して、加熱プレートＨＰに
対向する位置にまで下降する。このとき加熱プレートＨ
Ｐの可動支持ピン２１は下降しているとともに、上蓋２
２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート２４
は加熱プレートＨＰの上方に進出する。可動支持ピン２
１が上昇して基板Ｗを受け取った後に保持プレート２４
が退出する。続いて可動支持ピン２１が下降して基板Ｗ
を加熱プレートＨＰ上に載せるとともに、上蓋２２が下
降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理され
る。加熱処理が終わると上蓋２２が上昇するとともに、
可動支持ピン２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続い
て保持プレート２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支
持ピン２３が下降することにより、基板Ｗが保持プレー
ト２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート
２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部１
９に搬送する。この搬送過程で保持プレート２４に支持
された基板Ｗが、保持プレート２４が有する冷却機能に
よって冷却される。保持プレート２４は、冷却した（常
温に戻した）基板Ｗを基板仮置部１９に移載する。この
基板Ｗを主搬送機構１０が取り出して搬送する。
【００６２】以上のように、主搬送機構１０は、基板仮
置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱
プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主
搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができ
る。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするた
めの開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側と
は反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出
た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがな
く、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃか
ら漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
置部１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱
プレートＨＰに対して基板の受け渡しをしないので、主
搬送機構１０が温度上昇するのを回避することができ
る。また、加熱プレートＨＰに基板Ｗを出し入れするた
めの開口部１９ｃが、主搬送機構１０が配置された側と
は反対側に位置しているので、開口部１９ｃから漏れ出
た熱雰囲気で主搬送機構１０が温度上昇することがな
く、またレジスト膜用塗布処理部１５が開口部１９ｃか
ら漏れ出た熱雰囲気で悪影響を受けることもない。
【００６３】上述したレジスト膜処理ブロック３に隣接
して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示す
ように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブ
ロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けら
れており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基
板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ
５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２
つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられてい
る。
して現像処理ブロック４が設けられている。図４に示す
ように、反射防止膜処理ブロック２とレジスト膜処理ブ
ロック３との間にも、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けら
れており、この隔壁１３に両処理ブロック３、４間で基
板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ
５，６と、基板Ｗを大まかに冷却するために水冷式の２
つの冷却プレートＷＣＰが上下に積層して設けられてい
る。
【００６４】現像処理ブロック４について説明する。現
像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処
理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに
現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３
０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡し
をする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
像処理ブロック４は、露光された基板Ｗに対して現像処
理をする機構である。具体的には、露光された基板Ｗに
現像処理をする現像処理部３０と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部３１と、現像処理部３
０および現像用熱処理部３１に対して基板Ｗの受け渡し
をする第３の主搬送機構１０Ｃとを備える。
【００６５】現像処理部３０は、図２に示すように、同
様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以
下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下
に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、
基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャッ
ク３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板
Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
様の構成を備えた５つの現像処理部３０ａ〜３０ｅ（以
下、特に区別しない場合は符号「３０」で示す）を上下
に積層配置して構成されている。各現像処理部３０は、
基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャッ
ク３２や、このスピンチャック３２上に保持された基板
Ｗ上に現像液を供給するノズル３３などを備えている。
【００６６】現像用熱処理部３１は、図３に示すよう
に、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの
加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含
む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置さ
れている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様で
ある。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブ
ロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像
処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブ
ロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設
けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの
払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し
用になっている。
に、各々複数個の加熱プレートＨＰ、基板仮置部付きの
加熱部ＰＨＰ、冷却プレートＣＰなどの熱処理部を含
む。各熱処理部が上下に積層されるとともに並列配置さ
れている点は、他の処理ブロック２、３の場合と同様で
ある。現像用熱処理部３１の右側（インターフェイスブ
ロック５に隣接している側）の熱処理部の列には、現像
処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブ
ロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの
基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８が上下に近接して設
けられている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７が基板Ｗの
払出し用、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８が基板Ｗの戻し
用になっている。
【００６７】インターフェイスブロック５について説明
する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置
とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板
Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置における
インターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの
間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用
搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板
Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現
像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処
理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを
受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
する。インターフェイスブロック５は、本基板処理装置
とは別体の外部装置である露光装置ＳＴＰに対して基板
Ｗの受け渡しをする機構である。本実施例装置における
インターフェイスブロック５には、露光装置ＳＴＰとの
間で基板Ｗの受け渡しをするためのインターフェイス用
搬送機構３５の他に、フォトレジストが塗布された基板
Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光部ＥＥＷと、現
像処理ブロック４内に配設された基板仮置部付きの熱処
理部ＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷに対して基板Ｗを
受け渡しする第４の主搬送機構１０Ｄを備えている。
【００６８】エッジ露光部ＥＥＷは、図２に示すよう
に、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチ
ャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された
基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えてい
る。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブ
ロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエ
ッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに
隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図
６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えてい
る。
に、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチ
ャック３６や、このスピンチャック３６上に保持された
基板Ｗの周縁を露光する光照射器３７などを備えてい
る。２つのエッジ露光部ＥＥＷは、インターフェイスブ
ロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエ
ッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理部とに
隣接して配置されている第４の主搬送機構１０Ｄは、図
６で説明した主搬送機構１０と同様の構成を備えてい
る。
【００６９】図２および図５を参照する。図５はインタ
ーフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露
光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあ
り、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、Ｐ
ＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッフ
ァＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基
板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理
ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った
後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものであ
る。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収
納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳ
Ｓ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとイン
ターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡し
を行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板
戻し用になっている。
ーフェイスブロック５の側面図である。２つのエッジ露
光部ＥＥＷの下側に、基板戻し用のバッファＲＢＦがあ
り、さらにその下側に２つの基板載置部ＰＡＳＳ９、Ｐ
ＡＳＳ１０が積層配置されている。基板戻し用のバッフ
ァＲＢＦは、故障などのために現像処理ブロック４が基
板Ｗの現像処理をすることができない場合に、現像処理
ブロック４の加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処理を行った
後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものであ
る。このバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収
納できる収納棚から構成されている。基板載置部ＰＡＳ
Ｓ９、ＰＡＳＳ１０は、第４の主搬送機構１０Ｄとイン
ターフェイス用搬送機構３５との間で基板Ｗの受け渡し
を行うためのもので、上側が基板払出し用、下側が基板
戻し用になっている。
【００７０】インターフェイス用搬送機構３５は、図１
および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動
台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持す
る保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂ
は、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構
成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送
経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基
板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びて
おり、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの
受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの
受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収
納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光
装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光
処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚
の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されてい
る。
および図５に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動
台３５ａを備え、この可動台３５ａ上に基板Ｗを保持す
る保持アーム３５ｂを搭載している。保持アーム３５ｂ
は、昇降・旋回および旋回半径方向に進退移動可能に構
成されている。インターフェイス用搬送機構３５の搬送
経路の一端（図５中に示す位置Ｐ１）は、積層された基
板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０の下方にまで延びて
おり、この位置Ｐ１で露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの
受け渡しを行う。また、搬送経路の他端位置Ｐ２では、
基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの
受け渡しと、送り用バッファＳＢＦに対する基板Ｗの収
納と取り出しとを行う。送り用バッファＳＢＦは、露光
装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光
処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚
の基板Ｗを多段に収納できる収納棚から構成されてい
る。
【００７１】以上のように構成された基板処理装置は、
インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、お
よびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウン
フローの状態で供給されており、各ブロック内でパーテ
ィクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を
回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に
対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティク
ルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止
膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の
気圧よりも高くなるように設定されている。これによ
り、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処
理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を
受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことが
できる。
インデクサブロック１、各処理ブロック２、３、４、お
よびインターフェイスブロック５内に清浄空気がダウン
フローの状態で供給されており、各ブロック内でパーテ
ィクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を
回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に
対して若干陽圧に保たれて、外部環境からのパーティク
ルや汚染物質の侵入などを防いでいる。特に、反射防止
膜用処理ブロック２内の気圧はインデクサブロク１内の
気圧よりも高くなるように設定されている。これによ
り、インデクサブロック１内の雰囲気が反射防止膜用処
理ブロック２に流入しないので、外部の雰囲気の影響を
受けずに各処理ブロック２、３、４で処理を行うことが
できる。
【００７２】次に本実施例に係る基板処理装置の制御
系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。上
述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロッ
ク２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック
４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に
係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体
的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム
（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結
して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参
照）。
系、特に基板搬送に係る制御手法について説明する。上
述したインデクサブロック１、反射防止膜用処理ブロッ
ク２、レジスト膜用処理ブロック３、現像処理ブロック
４、およびインターフェイスブロック５は、本実施例に
係る基板処理装置を機構的に分割した要素である。具体
的には、各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム
（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結
して基板処理装置が構成されている（図８（ａ）参
照）。
【００７３】一方、本発明の特徴の一つとして、基板搬
送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブ
ロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の
処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡
しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニ
ットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理
装置を構成している。そして、各被制御ユニットの主搬
送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する
基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、か
つ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作
を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニットごと
に備え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に
対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基
板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々
独立して行うようになっている。
送に係る被制御ユニットの単位を機械的要素である各ブ
ロックとは別に構成している。すなわち、基板に所要の
処理を行う処理部と、前記処理部に対して基板の受け渡
しをする単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニ
ットを構成し、前記被制御ユニットを並設して基板処理
装置を構成している。そして、各被制御ユニットの主搬
送機構は、基板の受け渡しを行うために基板を載置する
基板載置部を介して、互いに基板の受け渡しを行い、か
つ、各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡し動作
を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニットごと
に備え、各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に
対する基板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基
板の受け渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々
独立して行うようになっている。
【００７４】以下、本実施例装置における被制御ユニッ
トの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成
する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
トの単位を「セル」という。実施例装置の制御系を構成
する各セルの配置を図８（ｂ）に示す。
【００７５】インデクサセルＣ１は、カセット載置台６
とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、
結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロ
ック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セル
Ｃ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処
理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ
２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止
膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト
膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレ
ジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを
含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要
素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっ
ている。
とインデクサ用搬送機構７とを含む。このセルＣ１は、
結果として機械的に分割した要素であるインデクサブロ
ック１と同じ構成になっている。反射防止膜用処理セル
Ｃ２は、反射防止膜用塗布処理部８と反射防止膜用熱処
理部９と第１の主搬送機構１０Ａとを含む。このセルＣ
２も、結果として機械的に分割した要素である反射防止
膜用処理ブロック２と同じ構成になっている。レジスト
膜用処理セルＣ３は、レジスト膜用塗布処理部１５とレ
ジスト膜用熱処理部１６と第２の主搬送機構１０Ｂとを
含む。このセルＣ３も、結果として機械的に分割した要
素であるレジスト膜用処理ブロック３と同じ構成になっ
ている。
【００７６】一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部３
０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加
熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主
搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光加熱に
使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分
割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成に
なっている。
０と、露光後加熱に使われる熱処理部（実施例では、加
熱部ＰＨＰ）を除いた現像用熱処理部３１と、第３の主
搬送機構１０Ｃとを含む。このセルＣ３は、露光加熱に
使われる加熱部ＰＨＰを含んでいない点で、機械的に分
割した要素である現像処理ブロック４とは異なる構成に
なっている。
【００７７】露光後加熱用処理セルＣ５は、露光された
基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部
（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部
ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構
１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要
素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロッ
ク５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセル
である。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部Ｐ
ＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで一つのセル
を構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部
ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露
光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォト
レジストを用いた場合に好適である。
基板Ｗを現像前に加熱処理する露光後加熱用の熱処理部
（実施例では、現像処理ブロック４に設けられた加熱部
ＰＨＰ）と、エッジ露光部ＥＥＷと、第４の主搬送機構
１０Ｄとを含む。このセルＣ５は、機械的に分割した要
素である現像処理ブロック４とインターフェイスブロッ
ク５とにまたがるもので、本実施例装置の特徴的なセル
である。このように露光後加熱用の熱処理部（加熱部Ｐ
ＨＰ）と第４の主搬送機構１０Ｄとを含んで一つのセル
を構成しているので、露光された基板を速やかに加熱部
ＰＨＰに搬入して熱処理を行うことができる。これは露
光後の加熱を速やかに行う必要がある化学増幅型フォト
レジストを用いた場合に好適である。
【００７８】インターフェイスセルＣ６は、外部装置で
ある露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするイ
ンターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６
は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含
まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェ
イスブロック５とは異なる構成になっている。
ある露光装置ＳＴＰに対して基板Ｗの受け渡しをするイ
ンターフェイス用搬送機構３５を含む。このセルＣ６
は、第４の主搬送機構１０Ｄやエッジ露光部ＥＥＷを含
まない点で、機械的に分割した要素であるインターフェ
イスブロック５とは異なる構成になっている。
【００７９】本実施例装置は、上述した６つのセルＣ１
〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間
の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ
１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単
一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含
み、その主搬送機構が、特定の基板載置部から受け取っ
た基板を別の基板載置部に置くまでに、基板の受け渡し
を行う処理部を含んで構成される。
〜Ｃ６を並設して構成されており、各セルＣ１〜Ｃ６間
の基板の受け渡しは、基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ
１０を介して行われる。換言すれば、本発明における単
一の被制御ユニット（セル）は、単一の主搬送機構を含
み、その主搬送機構が、特定の基板載置部から受け取っ
た基板を別の基板載置部に置くまでに、基板の受け渡し
を行う処理部を含んで構成される。
【００８０】セルＣ１〜Ｃ６は、各々のセルの主搬送機
構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用
搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも
制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えてい
る。各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置
部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の基板
載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御
を、各々独立して行うようになっている。具体的には、
図９（ａ）に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６のコントロ
ーラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置い
たという情報を、隣のセルのコントラーラに送り、その
基板を受け取ったセルのコントローラは、所定の基板載
置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのコン
トローラに返すという情報のやり取りを行う。
構（インデクサ用搬送機構７およびインターフェイス用
搬送機構３５を含む）の基板受け渡し動作を少なくとも
制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６を個別に備えてい
る。各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置
部に置かれた基板の受け取りから始まって、所定の基板
載置部に基板を置くことによって完結する一連の制御
を、各々独立して行うようになっている。具体的には、
図９（ａ）に示すように、各セルＣ１〜Ｃ６のコントロ
ーラＣＴ１〜ＣＴ６は、所定の基板載置部に基板を置い
たという情報を、隣のセルのコントラーラに送り、その
基板を受け取ったセルのコントローラは、所定の基板載
置部から基板を受け取ったという情報を元のセルのコン
トローラに返すという情報のやり取りを行う。
【００８１】つまり、各コントローラＣＴ１〜ＣＴ６
は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮するこ
となく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制
御を進めている。したがって、各コントローラＣＴ１〜
ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来
の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示す
ように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管
理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与え
て、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理して
いるので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
は、隣接するセル内での主搬送機構の動きを考慮するこ
となく、各セル内の基板の受け渡しだけを対象にして制
御を進めている。したがって、各コントローラＣＴ１〜
ＣＴ６の制御の負担が少なくなる。これに対して、従来
の基板処理装置の制御手法によると、図９（ｂ）に示す
ように、各ブロック１〜５が基板処理のスケジュール管
理用のコントローラＣＴ０に基板搬送に係る情報を与え
て、コントローラＣＴ０が統括的に基板搬送を管理して
いるので、コントローラＣＴ１０の負担が多くなる。
【００８２】以上のように本実施例によれば各セルのコ
ントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるの
で、それだけ基板処理装置のスループットを向上させる
ことができる。また、図９に示した従来の制御手法によ
ると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０
のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必
要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たに
セルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないの
で、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセ
ルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用
処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗
布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像
後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加して
もよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他の
セルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査
部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを
含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間
の基板の受け渡しは、基板載置部を介して行われる。
ントローラＣＴ１〜ＣＴ６の制御負担が少なくなるの
で、それだけ基板処理装置のスループットを向上させる
ことができる。また、図９に示した従来の制御手法によ
ると、新たに処理部を追加すると、コントローラＣＴ０
のスケジュール管理用のプログラムを大幅に修正する必
要が生じるが、本発明に係る制御手法によれば、新たに
セルを追加しても、隣接するセルに影響を与えないの
で、セルの追加を容易に行うことができる。追加するセ
ルの種類は特に限定されないが、例えば、レジスト膜用
処理セルＣ３と現像処理セルＣ４との間に、基板Ｗに塗
布されたレジスト膜の厚みを検査したり、あるいは現像
後のレジスト膜の線幅を検査する検査用セルを追加して
もよい。この場合、検査用セルは、本実施例装置の他の
セルと同様に、基板を検査する基板検査部と、この検査
部に対して基板を搬送する基板検査用の主搬送機構とを
含んで構成される。また、検査用セルと隣接セルとの間
の基板の受け渡しは、基板載置部を介して行われる。
【００８３】本実施例に係る基板処理装置の他の特徴
は、異なる薬液処理ごとに構成された被制御ユニットで
ある反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セル
Ｃ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って
基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工
程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第
２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同
数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述
する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０
に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０
Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
は、異なる薬液処理ごとに構成された被制御ユニットで
ある反射防止膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セル
Ｃ３、および現像処理セルＣ４が、主搬送機構を使って
基板Ｗを特定の位置から別の位置に搬送する工程を１工
程とした場合に、各セルＣ２、Ｃ３、Ｃ４の第１、第
２、第３の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃは、略同
数の搬送工程を負担している点にある。詳しくは、後述
する本実施例装置の動作説明で明らかにするが、図１０
に示したように、上記主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０
Ｃは、略６つの搬送工程を負担している。
【００８４】本実施例装置において、主搬送機構１０が
１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、
各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工
程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の
割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排
出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あ
たり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、
一つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬
送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセ
ルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが
決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１
０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３
の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、
セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場
合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、
Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとして
も、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか
基板Ｗを処理することができない。
１搬送工程に要する時間は約４秒である。したがって、
各セルＣ２〜Ｃ３において、主搬送機構１０は６搬送工
程を負担するので、各セルＣ２〜Ｃ３は２４秒に１回の
割合（２４秒の処理周期）で基板Ｗを隣接するセルに排
出することになる。つまり、本実施例装置は、１時間あ
たり１５０枚の基板Ｗを処理することができる。仮に、
一つの主搬送機構が負担する搬送工程の数が、他の主搬
送機構に比べて多くなると、その主搬送機構が属するセ
ルの処理周期によって、基板処理装置のスループットが
決定される。例えば、セルＣ２、Ｃ４の各主搬送機構１
０Ａ、１０Ｃが各々５つの搬送工程を負担し、セルＣ３
の主搬送機構１０Ｂが８つの搬送工程を負担する場合、
セルＣ２〜Ｃ４間では、セルＣ３の処理周期（この場
合、３２秒）でしか基板Ｗが流れないので、セルＣ２、
Ｃ４の主搬送機構１０Ａ、１０Ｃに余裕があったとして
も、その基板処理装置は１時間あたり１１２．５枚しか
基板Ｗを処理することができない。
【００８５】これに対して本実施例装置では、反射防止
膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および
現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０
Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか一つの
主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避で
き、結果として、基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。
膜用処理セルＣ２、レジスト膜用処理セルＣ３、および
現像処理セルＣ４の各主搬送機構１０Ａ、１０Ｂ、１０
Ｃが略同数の搬送工程を負担するので、いずれか一つの
主搬送機構が早く搬送処理の限界に陥ることが回避で
き、結果として、基板処理装置のスループットを向上さ
せることができる。
【００８６】一方、現像処理セルＣ４に隣接する露光後
加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する
第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設
定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが
露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理
する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負
担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに
比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特
に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、
１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この
空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に
新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも
可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送
機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬
送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕
のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の
処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるの
で、基板処理装置のスループットが低下することはな
い。
加熱用処理セルＣ５に関しては、そのセルＣ５に属する
第４の主搬送機構１０Ｄの負担する搬送工程が５つに設
定されている。露光後加熱用処理セルＣ５は、基板Ｗが
露光されてから加熱処理を行うまでの時間を厳密に管理
する必要があるので、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送負
担に余裕をもたせる意味で、その搬送負担を他のセルに
比べて低く設定してある。第４の主搬送機構１０Ｄに特
に余裕をもたせる必要がなければ、本処理セルＣ５は、
１搬送工程分だけの空きをもっていることになる。この
空き搬送工程を利用して、露光後加熱用処理セルＣ５に
新たな処理部、例えば基板Ｗの検査部を追加することも
可能である。基板検査部を追加してもセルＣ５の主搬送
機構１０Ｄは、他のセルの主搬送機構と同様に６つの搬
送工程を負担することになる。つまり、搬送工程に余裕
のあるセルＣ５に基板検査部を追加しても、セルＣ５の
処理周期は他のセルと同じ２４秒になるだけであるの
で、基板処理装置のスループットが低下することはな
い。
【００８７】次に、本実施例に係る基板処理装置の動作
を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジス
ト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後
加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによ
る各搬送工程については図１０を参照されたい。
を説明する。特に、反射防止膜用処理セルＣ２、レジス
ト膜用処理セルＣ３、現像処理セルＣ４、および露光後
加熱用処理セルＣ５の各主搬送機構１０Ａ〜１０Ｄによ
る各搬送工程については図１０を参照されたい。
【００８８】まず、インデクサセルＣ１（インデクサブ
ロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセッ
トＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持
アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、その
カセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出
す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデ
クサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ
２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持ア
ーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部
ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部
ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、
インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保
持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理
済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから
未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送
するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２
から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り
返し行う。
ロック１）のインデクサ用搬送機構７が、所定のカセッ
トＣに対向する位置にまで水平移動する。続いて、保持
アーム７ｂが昇降および進退移動することにより、その
カセットＣに収納されている未処理の基板Ｗを取り出
す。保持アーム７ｂに基板Ｗを保持した状態で、インデ
クサ用搬送機構７が、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ
２に対向する位置にまで水平移動する。そして、保持ア
ーム７ｂ上の基板Ｗを基板払出し用の上側の基板載置部
ＰＡＳＳ１に載置する。基板戻し用の下側の基板載置部
ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合、
インデクサ用搬送機構７は、その処理済みの基板Ｗを保
持アーム７ｂ上に受け取って、所定のカッセトＣに処理
済みの基板Ｗを収納する。以下、同様にカセットＣから
未処理基板Ｗを取り出して基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送
するとともに、処理済み基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２
から受け取ってカセットＣに収納するという動作を繰り
返し行う。
【００８９】反射防止膜用処理セルＣ２（反射防止膜用
処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳ
Ｓ１に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すよう
に、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム
１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に
対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。
そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済
みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置
き、その後、上側の払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ１に
置かれている未処理基板Ｗを他方の保持アーム１０ａ上
に受け取るという、処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗ
の受け渡し動作を行う。具体的には、保持アーム１０ｂ
を前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの
基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１
０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１
０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、保持アーム１
０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理
基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け
取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。
処理ブロック２）の動作を説明する。基板載置部ＰＡＳ
Ｓ１に未処理基板Ｗが置かれると、図１０に示すよう
に、セルＣ２の第１の主搬送機構１０Ａは、保持アーム
１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に
対向する位置にまで一体に昇降および旋回移動させる。
そして、一方の保持アーム１０ｂに保持している処理済
みの基板Ｗを下側の戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ２に置
き、その後、上側の払出し用の基板載置部ＰＡＳＳ１に
置かれている未処理基板Ｗを他方の保持アーム１０ａ上
に受け取るという、処理済み基板Ｗおよび未処理基板Ｗ
の受け渡し動作を行う。具体的には、保持アーム１０ｂ
を前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ２上に処理済みの
基板Ｗを置く。処理済みの基板Ｗを渡した保持アーム１
０ｂは元の位置にまで後退する。続いて、保持アーム１
０ａ、１０ｂを一体に少し上昇させた後、保持アーム１
０ａを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ１上の未処理
基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。基板Ｗを受け
取った保持アーム１０ａは元の位置にまで後退する。
【００９０】以上の基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２
に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡し
は、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１
＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板
Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持ア
ーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する
位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少
し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したよう
に、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接し
て配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳ
Ｓ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することが
できる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工
程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例え
ば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）である
として取り扱うことができる。
に対する未処理基板Ｗおよび処理済み基板Ｗの受け渡し
は、図１０中に第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（１
＋α）で示されている。ここで、「α」は、未処理基板
Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１から受け取るために、保持ア
ーム１０ａ、１０ｂを基板載置部ＰＡＳＳ２に対向する
位置から基板載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置にまで少
し上昇移動させた搬送工程を示している。上述したよう
に、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２は上下に近接し
て配置されているので、基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳ
Ｓ２間の移動に要する時間は僅かであり無視することが
できる。したがって、搬送工程（１＋α）は、１搬送工
程（本実施例では、主搬送機構を使って所定時間（例え
ば、４秒）以内に行われる基板の受け渡し動作）である
として取り扱うことができる。
【００９１】基板載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２に対す
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０
Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基
板Ｗを保持していない空の保持アーム１０ｂとを一体に
昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定
の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレ
ートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入ってい
る。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動さ
せて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗ
を保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗ
を保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理
基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレート
ＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬
送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却され
る。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷
却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１
０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この
冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主
搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に
示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参
照）。
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第１の主搬送機構１０
Ａは、未処理基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、基
板Ｗを保持していない空の保持アーム１０ｂとを一体に
昇降・旋回移動させて、反射防止膜用熱処理部９の所定
の冷却プレートＣＰに対向させる。通常、この冷却プレ
ートＣＰには、先行処理されている基板Ｗが入ってい
る。そこで、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動さ
せて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗ
を保持アーム１０ｂ上に受け取る。続いて未処理基板Ｗ
を保持した保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理
基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。冷却プレート
ＣＰに載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬
送動作を行っている間に、常温にまで精度よく冷却され
る。なお、２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを使った冷
却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しは、保持アーム１
０ａ、１０ｂの昇降動作を伴わずに行われるので、この
冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡しは、第１の主
搬送機構１０Ａの１搬送工程内に行われる（図１０中に
示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（２）参
照）。
【００９２】冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが
終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基
板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回
移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向さ
せる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行
処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空
の保持アーム１０ａを前進移動させて、その反射防止膜
用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済み
の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて基板
Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板
Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック
１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の
搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成され
る。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図
１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程
（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反
射防止膜用塗布処理部８を意味する。
終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基
板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回
移動させて、所定の反射防止膜用塗布処理部８に対向さ
せる。通常、この反射防止膜用塗布処理部８には、先行
処理されている基板Ｗが入っている。そこで、先ず、空
の保持アーム１０ａを前進移動させて、その反射防止膜
用塗布処理部８にあるスピンチャック１１上の処理済み
の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け取る。続いて基板
Ｗを保持した保持アーム１０ｂを前進移動させて、基板
Ｗをそのスピンチャック１１上に置く。スピンチャック
１１上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の
搬送動作を行っている間に、反射防止膜が塗布形成され
る。スピンチャック１１に対する基板の受け渡しは、図
１０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程
（３）に相当する。なお、図１０中の「ＢＡＲＣ」は反
射防止膜用塗布処理部８を意味する。
【００９３】スピンチャック１１への基板Ｗの受け渡し
が終わると、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した
保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを一体に
昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向
させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理され
ている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム
１０ｂを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処
理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続い
て、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを加熱
プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられ
た基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行って
いる間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれ
る余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対
する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬
送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
が終わると、反射防止膜が塗布された基板Ｗを保持した
保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを一体に
昇降・旋回移動させて、所定の加熱プレートＨＰに対向
させる。通常、この加熱プレートＨＰにも先行処理され
ている基板Ｗが入っているので、先ず、空の保持アーム
１０ｂを前進移動させて、その加熱プレートＨＰ上の処
理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取る。続い
て、保持アーム１０ａを前進移動させて、基板Ｗを加熱
プレートＨＰ上に置く。加熱プレートＨＰ上に載せられ
た基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬送動作を行って
いる間に熱処理されて、基板Ｗ上の反射防止膜に含まれ
る余剰の溶剤が除去される。この加熱プレートＨＰに対
する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬
送機構１０Ａの搬送工程（４）に相当する。
【００９４】加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが
終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板
Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移
動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレート
ＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保
持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＷ
ＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け
取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基
板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣ
Ｐ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬
送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この
冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１
０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）
に相当する。
終わると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板
Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを一体に昇降・旋回移
動させて、隔壁１３に設置された水冷式の冷却プレート
ＷＣＰに対向させる。上述したと同様に、先ず、空の保
持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＷ
ＣＰ上の処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ａ上に受け
取る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、基
板Ｗを冷却プレートＷＣＰ上に置く。冷却プレートＷＣ
Ｐ上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ａが他の搬
送動作を行っている間に大まかに冷却処理される。この
冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１
０中に示した第１の主搬送機構１０Ａの搬送工程（５）
に相当する。
【００９５】冷却プレートＷＣＰへの基板Ｗの載せ換え
が終わると、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持
アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂと一体に上昇さ
せて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板
載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、
保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用
の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側
の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用
処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてき
た現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持
アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、保持
アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上
の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取
る。
が終わると、大まかに冷却された基板Ｗを保持した保持
アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂと一体に上昇さ
せて、冷却プレートＷＣＰの上方に配設されている基板
載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対向させる。そして、
保持アーム１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用
の基板載置部ＰＡＳＳ３上に基板Ｗを置く。通常、下側
の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ４に、レジスト膜用
処理セルＣ３を介して現像処理セルＣ４から送られてき
た現像処理済みの基板Ｗが置かれている。そこで、保持
アーム１０ａ、１０ｂを一体に少し下降させた後、保持
アーム１０ｂを前進移動させて基板載置部ＰＡＳＳ４上
の現像処理済みの基板Ｗを保持アーム１０ｂ上に受け取
る。
【００９６】基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対す
る基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送
機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は
上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに
昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工
程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことが
できる。
る基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第１の主搬送
機構１０Ａの搬送工程（６＋α）に相当する。「α」は
上述したと同様に、保持アーム１０ａ、１０ｂが僅かに
昇降する短時間の搬送工程である。したがって、搬送工
程（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱うことが
できる。
【００９７】反射防止膜用処理セルＣ２に備えられた第
１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。
ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を
合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送
工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時
間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒
で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に
１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト
膜用処理セルＣ３に払い出される。
１の主搬送機構１０Ａは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。
ここで、搬送工程（１＋α）から搬送工程（６＋α）を
合計すると、第１の主搬送機構１０Ａは、略６つの搬送
工程を負担することになる。１搬送工程に要する搬送時
間を４秒とすると、第１の主搬送機構１０Ａは略２４秒
で基板搬送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に
１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣のレジスト
膜用処理セルＣ３に払い出される。
【００９８】レジスト膜用処理セルＣ３（レジスト膜用
処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付
形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれる
と、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構
１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同
様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済み
の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基
板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に
受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する
基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０
Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したよう
に、「α」は時間には無視することができるので、搬送
工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができ
る。
処理ブロック３）の動作を説明する。反射防止膜が塗付
形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に置かれる
と、図１０に示すように、セルＣ３の第２の主搬送機構
１０Ｂは、上述した第１の主搬送機構１０Ａの場合と同
様に、一方の保持アーム１０ｂに保持した現像処理済み
の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４上に置く。そして、基
板載置部ＰＡＳＳ３上の基板Ｗを保持アーム１０ａ上に
受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対する
基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第２の主搬送機構１０
Ｂの搬送工程（１＋α）で示されている。上述したよう
に、「α」は時間には無視することができるので、搬送
工程（１＋α）は１搬送工程として取り扱うことができ
る。
【００９９】基板載置部ＰＡＳＳ３、ＰＡＳＳ４に対す
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０
Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷
却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そし
て、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そ
の冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取
り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理
基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレ
ートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した
第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第２の主搬送機構１０
Ｂは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部１６の所定の冷
却プレートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そし
て、先ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、そ
の冷却プレートＣＰ上の冷却処理済みの基板Ｗを受け取
り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処理
基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレ
ートＣＰに対する基板の受け渡しは、図１０中に示した
第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（２）に相当する。
【０１００】冷却プレートＣＰへの基板Ｗの載せ換えが
終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基
板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト
膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。
先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのレ
ジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上
の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持
した保持アーム１０ｂを前進移動させて、その基板Ｗを
スピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に
載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作
を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピ
ンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に
示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当
する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処
理部１５を意味する。
終わると、空の保持アーム１０ａと、冷却処理された基
板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、所定のレジスト
膜用塗布処理部１５に対向する位置にまで移動させる。
先ず、空の保持アーム１０ａを前進移動させて、そのレ
ジスト膜用塗布処理部１５にあるスピンチャック１７上
の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、基板Ｗを保持
した保持アーム１０ｂを前進移動させて、その基板Ｗを
スピンチャック１７上に置く。スピンチャック１７上に
載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｂが他の搬送動作
を行っている間に、レジスト膜が塗布形成される。スピ
ンチャック１７に対する基板の受け渡しは、図１０中に
示した第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（３）に相当
する。なお、図１０中の「ＰＲ」はレジスト膜用塗布処
理部１５を意味する。
【０１０１】スピンチャック１７への基板Ｗの受け渡し
が終わると、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持
した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、
所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先
ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱
部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済み
の基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進
移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。
基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１
０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨ
Ｐのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰ
の加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加
熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカ
ル搬送機構２０によって基板仮置部２０に戻される。そ
の基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２０
に保持されて基板仮置部２０に戻される過程で、保持プ
レート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部
ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した
第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
が終わると、レジスト膜が塗布形成された基板Ｗを保持
した保持アーム１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、
所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向させる。先
ず、空の保持アーム１０ｂを前進移動させて、その加熱
部ＰＨＰ上の基板仮置部１９に載置されている処理済み
の基板Ｗを受け取る。続いて、保持アーム１０ａを前進
移動させて、未処理基板Ｗを基板仮置部１９上に置く。
基板仮置部１９上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１
０Ｂが他の搬送動作を行っている間に、その加熱部ＰＨ
Ｐのローカル搬送機構２０によって、その加熱部ＰＨＰ
の加熱プレートＨＰ上に移されて熱処理される。この加
熱プレートＨＰ上で熱処理された基板Ｗは、同じローカ
ル搬送機構２０によって基板仮置部２０に戻される。そ
の基板Ｗは、ローカル搬送機構２０の保持プレート２０
に保持されて基板仮置部２０に戻される過程で、保持プ
レート２４の冷却機構によって冷却される。この加熱部
ＰＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した
第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（４）に相当する。
【０１０２】加熱部ＰＨＰへの基板Ｗの受け渡しが終わ
ると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを
保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部
１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保
持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣ
Ｐ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アー
ム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレー
トＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗ
の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０
Ｂの搬送工程（５）に相当する。
ると、空の保持アーム１０ａと、熱処理された基板Ｗを
保持した保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用熱処理部
１６の冷却プレートＣＰに対向させる。そして、空の保
持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレートＣ
Ｐ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アー
ム１０ｂを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレー
トＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに対する基板Ｗ
の受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送機構１０
Ｂの搬送工程（５）に相当する。
【０１０３】冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが
終わると、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０
ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ
５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０
ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部Ｐ
ＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用
の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済み
の基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。
終わると、冷却された基板Ｗを保持した保持アーム１０
ａと、空の保持アーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ
５、ＰＡＳＳ６に対向させる。続いて、保持アーム１０
ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部Ｐ
ＡＳＳ５上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻し用
の基板載置部ＰＡＳＳ６に載置されている現像処理済み
の基板Ｗを保持アーム１０ｂで受け取る。
【０１０４】基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対す
る基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送
機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程
（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
る基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第２の主搬送
機構１０Ｂの搬送工程（６＋α）に相当する。搬送工程
（６＋α）は１搬送工程であるとして取り扱われる。
【０１０５】レジスト膜用処理セルＣ３に備えられた第
２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。
ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機
構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの
搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主
搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期
（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完
了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）
の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出され
る。
２の主搬送機構１０Ｂは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）の各基板搬送を繰り返し行う。
ここで、第２の主搬送機構１０Ｂの搬送工程（１＋α）
から搬送工程（６＋α）を合計すると、第２の主搬送機
構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同様に略６つの
搬送工程を負担することになる。したがって、第２の主
搬送機構１０Ｂは、第１の主搬送機構１０Ａと同じ周期
（この実施例では、略２４秒）で基板搬送の１周期を完
了する。換言すれば、２４秒に１回（１５０枚／時間）
の割合で基板Ｗが隣の現像処理セルＣ４に払い出され
る。
【０１０６】現像処理セルＣ４の動作を説明する。レジ
スト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５
に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の
主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した
現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置
き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを保持ア
ーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡ
ＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の
主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されてい
る。
スト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５
に置かれると、図１０に示すように、セルＣ４の第３の
主搬送機構１０Ｃは、先ず保持アーム１０ｂに保持した
現像処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６上に置
き、その後、基板載置部ＰＡＳＳ５上の基板Ｗを保持ア
ーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡ
ＳＳ６に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の
主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）で示されてい
る。
【０１０７】基板載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６に対す
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０
Ｃは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に
配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向す
る位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを
前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳ
Ｓ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、
その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載
置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アー
ム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ
８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬
送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０
Ｃは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１の積層構造の中に
配設された基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対向す
る位置にまで移動させる。続いて、保持アーム１０ａを
前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置部ＰＡＳ
Ｓ７上に、レジスト膜が塗付形成された基板Ｗを置き、
その後、下側の基板戻し用の基板載置部ＰＡＳＳ８に載
置されている露光後の加熱処理済みの基板Ｗを保持アー
ム１０ｂで受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ
８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に第３の主搬
送機構１０Ｃの搬送工程（２＋α）で示されている。
【０１０８】基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対す
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０
Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済み
の基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処
理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にま
で移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを
前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済
みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進
移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に
置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工
程（３）に相当する。
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第３の主搬送機構１０
Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光後の加熱処理済み
の基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処
理部３１の所定の冷却プレートＣＰに対向する位置にま
で移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１０ａを
前進移動させて、その冷却プレートＣＰ上の冷却処理済
みの基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進
移動させて、未処理基板Ｗをその冷却プレートＣＰ上に
置く。この冷却プレートＣＰに対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工
程（３）に相当する。
【０１０９】冷却プレートＣＰへの基板Ｗの受け渡しが
終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム
１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理
部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保
持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０
にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け
取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前
進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置
く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬
送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処
理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工
程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像
処理部３０を意味する。
終わると、冷却処理された基板Ｗを保持した保持アーム
１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、所定の現像処理
部３０に対向する位置にまで移動させる。先ず、空の保
持アーム１０ｂを前進移動させて、その現像処理部３０
にあるスピンチャック３２上の処理済みの基板Ｗを受け
取るとともに、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａを前
進移動させて、その基板Ｗをスピンチャック３２上に置
く。スピンチャック３２上に載せられた基板Ｗは、主搬
送機構１０Ｃが他の搬送動作を行っている間に、現像処
理される。スピンチャック３２に対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工
程（４）に相当する。なお、図１０中の「ＳＤ」は現像
処理部３０を意味する。
【０１１０】スピンチャック３２への基板Ｗの受け渡し
が終わると、空の保持アーム１０ａと、現像処理された
基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理
部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、
空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレ
ートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取
る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処
理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレー
トＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した
第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
が終わると、空の保持アーム１０ａと、現像処理された
基板Ｗを保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理
部３１の所定の加熱プレートＨＰに対向させる。先ず、
空の保持アーム１０ａを前進移動させて、その加熱プレ
ートＨＰ上に載置されている処理済みの基板Ｗを受け取
る。続いて、保持アーム１０ｂを前進移動させて、未処
理基板Ｗを加熱プレートＨＰ上に置く。この加熱プレー
トＨＰに対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した
第３の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（５）に相当する。
【０１１１】加熱プレートＨＰへの基板Ｗの載せ換えが
終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム
１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処
理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷
却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アー
ム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上
の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１
０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷ
ＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗ
の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０
Ｃの搬送工程（６）に相当する。
終わると、加熱処理された基板Ｗを保持した保持アーム
１０ａと、空の保持アーム１０ｂとを、レジスト膜用処
理セルＣ３の側にある隔壁１３に設置された水冷式の冷
却プレートＷＣＰに対向させる。そして、空の保持アー
ム１０ｂを前進移動させて、その冷却プレートＷＣＰ上
の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持アーム１
０ａを前進移動させて、未処理基板Ｗを冷却プレートＷ
ＣＰ上に置く。この冷却プレートＷＣＰに対する基板Ｗ
の受け渡しは、図１０中に示した第３の主搬送機構１０
Ｃの搬送工程（６）に相当する。
【０１１２】現像処理セルＣ４に備えられた第３の主搬
送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送
工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３
の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程
（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第
１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの
搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主
搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１
０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬
送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１
５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理
セルＣ５に払い出される。
送機構１０Ｃは、上述した搬送工程（１＋α）から搬送
工程（６）の各基板搬送を繰り返し行う。ここで、第３
の主搬送機構１０Ｃの搬送工程（１＋α）から搬送工程
（６）を合計すると、第３の主搬送機構１０Ｃは、第
１、第２の主搬送機構１０Ａ、１０Ｂと同様に略６つの
搬送工程を負担することになる。したがって、第３の主
搬送機構１０Ｂは、第１、第２の主搬送機構１０Ａ、１
０Ｂと同じ周期（この実施例では、略２４秒）で基板搬
送の１周期を完了する。換言すれば、２４秒に１回（１
５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の露光後加熱用処理
セルＣ５に払い出される。
【０１１３】露光後加熱用処理セルＣ５の動作を説明す
る。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部Ｐ
ＡＳＳ７に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５
の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持
した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ
８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗ
を保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ
７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中
に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）
に相当する。
る。レジスト膜が塗付形成された基板Ｗが基板載置部Ｐ
ＡＳＳ７に置かれると、図１０に示すように、セルＣ５
の第４の主搬送機構１０Ｄは、保持アーム１０ｂに保持
した露光後加熱処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ
８上に置き、その後で基板載置部ＰＡＳＳ７上の基板Ｗ
を保持アーム１０ａ上に受け取る。基板載置部ＰＡＳＳ
７、ＰＡＳＳ８に対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中
に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）
に相当する。
【０１１４】基板載置部ＰＡＳＳ７、ＰＡＳＳ８に対す
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０
Ｄは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する
位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム
１０ｂを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのス
ピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け
取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処
理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチ
ャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄ
が他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光さ
れる。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工
程（２）に相当する。
る基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１０
Ｄは、基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと空の保持ア
ーム１０ｂとを、所定のエッジ露光部ＥＥＷに対向する
位置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム
１０ｂを前進移動させて、そのエッジ露光部ＥＥＷのス
ピンチャック３６上にある周辺露光済みの基板Ｗを受け
取り、続いて保持アーム１０ａを前進移動させて、未処
理基板Ｗをそのスピンチャック３６上に置く。スピンチ
ャック３６上に載せられた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄ
が他の搬送動作を行っている間に、その周縁部が露光さ
れる。このスピンチャック３６に対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工
程（２）に相当する。
【０１１５】スピンチャック３６に対する基板Ｗの受け
渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の保持
アーム１０ａと、周辺露光された基板Ｗを保持した保持
アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレ
ートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空
の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレー
トＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持
アーム１０ｂを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗ
を冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに
対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主
搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
渡しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、空の保持
アーム１０ａと、周辺露光された基板Ｗを保持した保持
アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１にある冷却プレ
ートＣＰに対向する位置にまで移動させる。そして、空
の保持アーム１０ａを前進移動させて、その冷却プレー
トＣＰ上の処理済みの基板Ｗを受け取るとともに、保持
アーム１０ｂを前進移動させて、周辺露光された基板Ｗ
を冷却プレートＣＰ上に置く。この冷却プレートＣＰに
対する基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主
搬送機構１０Ｄの搬送工程（３）に相当する。
【０１１６】冷却プレートＣＰに対する基板Ｗの受け渡
しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却処理さ
れた基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持ア
ーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０
に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム
１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置
部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻
し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光
装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受
け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する
基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機
構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
しが終わると、第４の主搬送機構１０Ｄは、冷却処理さ
れた基板Ｗを保持した保持アーム１０ａと、空の保持ア
ーム１０ｂとを、基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０
に対向する位置にまで移動させる。続いて、保持アーム
１０ａを前進移動させて上側の基板払出し用の基板載置
部ＰＡＳＳ９上に基板Ｗを置くとともに、下側の基板戻
し用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されている、露光
装置ＳＴＰで露光された基板Ｗを保持アーム１０ｂで受
け取る。基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対する
基板Ｗの受け渡しは、図１０中に示した第４の主搬送機
構１０Ｄの搬送工程（４＋α）に相当する。
【０１１７】基板載置部ＰＡＳＳ９、ＰＡＳＳ１０に対
する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１
０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光済みの基板Ｗを
保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１に
ある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位
置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１
０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的に
は、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済み
の基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移
動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的に
は、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置
かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行
っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレ
ートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカ
ル搬送機構２０によって冷却されながら基板仮置部１９
に戻される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工
程（５）に相当する。
する基板Ｗの受け渡しが終わると、第４の主搬送機構１
０Ｃは、空の保持アーム１０ａと、露光済みの基板Ｗを
保持した保持アーム１０ｂとを、現像用熱処理部３１に
ある所定の基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰに対向する位
置にまで移動させる。そして、先ず、空の保持アーム１
０ａを前進移動させて、その加熱部ＰＨＰ（具体的に
は、基板仮置部１９の上）にある露光後の加熱処理済み
の基板Ｗを受け取り、続いて保持アーム１０ｂを前進移
動させて、露光済みの基板Ｗを加熱部ＰＨＰ（具体的に
は、基板仮置部１９の上）に置く。基板仮置部１９に置
かれた基板Ｗは、主搬送機構１０Ｄが他の搬送動作を行
っている間に、ローカル搬送機構２０によって加熱プレ
ートＨＰに移されて加熱処理された後に、同じくローカ
ル搬送機構２０によって冷却されながら基板仮置部１９
に戻される。この加熱部ＰＨＰに対する基板の受け渡し
は、図１０中に示した第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工
程（５）に相当する。
【０１１８】露光後加熱用処理セルＣ５に備えられた第
４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここ
で、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から
搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄ
は、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ
少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後
加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１
０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、
２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬
送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、
露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、
２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の
インターフェイスセルＣ６に払い出される。
４の主搬送機構１０Ｄは、上述した搬送工程（１＋α）
から搬送工程（５）の各基板搬送を繰り返し行う。ここ
で、第４の主搬送機構１０Ｄの搬送工程（１＋α）から
搬送工程（５）を合計すると、第４の主搬送機構１０Ｄ
は、第１〜第３の主搬送機構１０Ａ〜１０Ｃよりも１つ
少ない略５つの搬送工程を負担することになる。露光後
加熱用処理セルＣ５だけをみれば、第４の主搬送機構１
０Ｄは、１搬送工程に要する時間を４秒とした場合に、
２０秒周期で動作可能であるが、他の第１〜第３の主搬
送機構１０Ａ〜１０Ｃが２４秒周期で動くので、結局、
露光後加熱用処理セルＣ５からは、他のセルと同様に、
２４秒に１回（１５０枚／時間）の割合で基板Ｗが隣の
インターフェイスセルＣ６に払い出される。
【０１１９】インターフェイスセルＣ６の動作を説明す
る。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に置
かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイ
ス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを
受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、
インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰか
ら露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し
用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。インターフェイ
ス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返
し行う。
る。周辺露光された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に置
かれると、インターフェイスセルＣ６のインターフェイ
ス用搬送機構３５が基板載置部ＰＡＳＳ９から基板Ｗを
受け取って、隣接する露光装置ＳＴＰに渡す。さらに、
インターフェイス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰか
ら露光済みの基板Ｗを受け取って、その基板を基板戻し
用の基板載置部ＰＡＳＳ１０に載せる。インターフェイ
ス用搬送機構３５は、このような基板搬送動作を繰り返
し行う。
【０１２０】以上のように、本実施例に係る基板処理装
置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ
６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサ
セルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフ
ェイスセルＣ６の場合ははインターフェイス用搬送機構
３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間で
は、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗ
を置いたという情報と、基板を受け取ったという情報と
をやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接す
るセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各
セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行ってい
る。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同
時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、
この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために
設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなる
か、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル
間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送
に支障をきたすということはない。
置は、各セルＣ１〜Ｃ６が各コントローラＣＴ１〜ＣＴ
６の制御の下で、主搬送機構１０（ただし、インデクサ
セルＣ１の場合はインデクサ用搬送機構７、インターフ
ェイスセルＣ６の場合ははインターフェイス用搬送機構
３５）を使って基板Ｗの搬送を行い、隣接するセル間で
は、基板搬送に関しては、基板載置部ＰＡＳＳに基板Ｗ
を置いたという情報と、基板を受け取ったという情報と
をやり取りするだけである。つまり、各セルは、隣接す
るセルにおける基板搬送の状態を監視することなく、各
セルが独立してセル内の基板搬送を独立して行ってい
る。そのために各セルからの基板の払出しは必ずしも同
時には行われず、多少の時間的ズレが生じる。しかし、
この時間的ズレは、隣接セル間で基板を受け渡すために
設けられた基板載置部に置かれる時間が多少長くなる
か、あるいは短くなるかによって吸収されるので、セル
間に基板受け渡しの時間的ズレが生じたために基板搬送
に支障をきたすということはない。
【０１２１】したがって、本実施例装置によれば、各セ
ルＣ１〜Ｃ６を制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の
負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループッ
トが向上するとともに、装置構成を簡素化することがで
きる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構と
を含む基板検査用セルを容易に設置することができるの
で、汎用性の高い基板処理装置を実現することもでき
る。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ない
セルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処
理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該
セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追
加することができる。
ルＣ１〜Ｃ６を制御するコントローラＣＴ１〜ＣＴ６の
負担が小さくなり、それだけ基板処理装置のスループッ
トが向上するとともに、装置構成を簡素化することがで
きる。また、適当なセル間に基板検査部と主搬送機構と
を含む基板検査用セルを容易に設置することができるの
で、汎用性の高い基板処理装置を実現することもでき
る。さらに、他のセルに比べて、搬送工程の数が少ない
セルを設けておくと（実施例装置では、露光後加熱用処
理セルＣ５）、他のセルに影響を与えることなく、当該
セルに新たな処理部（例えば、基板検査部）を容易に追
加することができる。
【０１２２】次に、露光装置ＳＴＰや現像処理セルＣ４
などが、例えば故障で基板を受け入れることができなく
なった場合の動作を説明する。
などが、例えば故障で基板を受け入れることができなく
なった場合の動作を説明する。
【０１２３】いま露光装置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れを
できなくなったとする。この場合、インターフェイスセ
ルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置
部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗ
を送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファ
ＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファ
ＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデク
サセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装
置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インター
フェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した
各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡
し、以下、通常の動作に戻る。
できなくなったとする。この場合、インターフェイスセ
ルＣ６のインターフェイス用搬送機構３５は、基板載置
部ＰＡＳＳ９に置かれた基板Ｗを受け取り、その基板Ｗ
を送り用バッファＳＢＦに一時的に収納する。バッファ
ＳＢＦに収納可能な枚数だけ処理が継続され、バッファ
ＳＢＦに収納不能になると予測された場合に、インデク
サセルＣ１から基板Ｗを払い出すのを停止する。露光装
置ＳＴＰが基板Ｗの受け入れが可能になると、インター
フェイス用搬送機構３５は、バッファＳＢＦに収納した
各基板を収納した順に取り出して露光装置ＳＴＰに渡
し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２４】一方、現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入
れをできなくなったとする。この場合、インターフェイ
ス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されて
くる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部Ｐ
ＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の
主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部
ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処
理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かず
に、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻
し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置Ｓ
ＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に
露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲ
ＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れ
が可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファ
ＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板
載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
れをできなくなったとする。この場合、インターフェイ
ス用搬送機構３５は、露光装置ＳＴＰから順に戻されて
くる露光済みの基板Ｗを、通常動作通りに基板載置部Ｐ
ＡＳＳ１０に渡す。露光後加熱用処理セルＣ５の第４の
主搬送機構１０Ｄは、通常動作通りに受け取って加熱部
ＰＨＰに渡す。そして、加熱部ＰＨＰで露光後の加熱処
理が行われた基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に置かず
に、第４の主搬送機構１０ＤがセルＣ５内にある基板戻
し用のバッファＲＢＦに一時的に収納する。露光装置Ｓ
ＴＰ内に搬入されている枚数の基板Ｗについて、同様に
露光後の加熱処理を行った後に基板戻し用のバッファＲ
ＢＦに収納する。現像処理セルＣ４が基板Ｗの受け入れ
が可能になると、第４の主搬送機構１０Ｄは、バッファ
ＲＢＦに収納した各基板を収納した順に取り出して基板
載置部ＰＡＳＳ８に渡し、以下、通常の動作に戻る。
【０１２５】以上のように本実施例装置では、基板戻し
用のバッファＲＢＦを露光後加熱用処理セルＣ５に設
け、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部Ｐ
ＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管する
ようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板
Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置さ
れることがない。因みに、従来の基板処理装置は、送り
用バッファと戻し用バッファとが同じ個所に設置されて
おり、露光装置から払い出された基板Ｗをインターフェ
イス用搬送機構が直接に戻し用バッファに収納していた
ので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後
の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置される状態に
なっている。
用のバッファＲＢＦを露光後加熱用処理セルＣ５に設
け、露光装置ＳＴＰから払い出される基板Ｗを加熱部Ｐ
ＨＰで加熱処理した後にバッファＲＢＦに収納保管する
ようにしたので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板
Ｗが露光後の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置さ
れることがない。因みに、従来の基板処理装置は、送り
用バッファと戻し用バッファとが同じ個所に設置されて
おり、露光装置から払い出された基板Ｗをインターフェ
イス用搬送機構が直接に戻し用バッファに収納していた
ので、露光装置ＳＴＰから払い出された基板Ｗが露光後
の加熱処理を受けずに長時間にわたり放置される状態に
なっている。
【０１２６】化学増幅型フォトレジストは、露光後の加
熱を速やかに行う必要があるので、上述した従来装置の
保管手法では、戻りバッファに基板を収納しても結局、
レジスト膜の品位が悪くなるので、レジスト膜を剥離し
て再生処理を行わなくてならないという問題がある。こ
れに対して、本実施例装置によれば、露光装置ＳＴＰか
ら払い出される基板Ｗに速やかに加熱処理を行った後に
バッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、フォト
レジスト膜の品位が保たれ結果、従来装置のような再生
処理を行う必要もない。
熱を速やかに行う必要があるので、上述した従来装置の
保管手法では、戻りバッファに基板を収納しても結局、
レジスト膜の品位が悪くなるので、レジスト膜を剥離し
て再生処理を行わなくてならないという問題がある。こ
れに対して、本実施例装置によれば、露光装置ＳＴＰか
ら払い出される基板Ｗに速やかに加熱処理を行った後に
バッファＲＢＦに収納保管するようにしたので、フォト
レジスト膜の品位が保たれ結果、従来装置のような再生
処理を行う必要もない。
【０１２７】本発明は、上述した実施例のものに限ら
ず、例えば次のように変形実施することもできる。 （１）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１
０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降
・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機
構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであっても
よい。
ず、例えば次のように変形実施することもできる。 （１）実施例では、第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１
０Ｄは水平方向には移動せずに、保持アームだけが昇降
・旋回・進退移動可能に構成したが、これらの主搬送機
構１０Ａ〜１０Ｄが水平方向に移動するものであっても
よい。
【０１２８】（２）第１〜第４の主搬送機構１０Ａ〜１
０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備
えていたが、単一の保持アームを備えるものであっても
よい。
０Ｄは、それぞれ２つの保持アーム１０ａ、１０ｂを備
えていたが、単一の保持アームを備えるものであっても
よい。
【０１２９】（３）実施例では、露光後加熱用処理セル
Ｃ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロッ
ク５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５
を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠
体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
Ｃ５を、現像処理ブロック４とインターフェイスブロッ
ク５とに跨って配設したが、露光後加熱用処理セルＣ５
を独立したブロック（個別のブロック用フレーム（枠
体）に組み付けられた要素）として構成してもよい。
【０１３０】（４）実施例では、反射防止膜用処理ブロ
ック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けた
が、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジス
ト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止
膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブ
ロック２を備えなくてもよい。
ック２とレジスト膜用処理ブロック３とを個別に設けた
が、単一の処理ブロックで反射防止膜塗付処理とレジス
ト膜塗付処理を行うようにしてもよい。また、反射防止
膜の塗布処理が不要である場合は、反射防止膜用処理ブ
ロック２を備えなくてもよい。
【０１３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１および請求項１５記載の発明によれば、各処理ブロッ
クの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、
各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上
するので、基板処理装置のスループットを向上させるこ
とができる。
１および請求項１５記載の発明によれば、各処理ブロッ
クの主搬送機構が同時並行的に作動することによって、
各処理部に対する基板の受け渡しの速度が等価的に向上
するので、基板処理装置のスループットを向上させるこ
とができる。
【０１３２】また、請求項２１記載の発明によれば、各
被制御ユニットの制御手段は、所定の基板載置部に置か
れた基板の受け取りから始まって、所定の基板載置部に
基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけ
でよいので、各制御手段の負担が少なくなり、基板処理
装置のスループットを向上させることができる。また、
被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともでき
る。
被制御ユニットの制御手段は、所定の基板載置部に置か
れた基板の受け取りから始まって、所定の基板載置部に
基板を置くことによって完結する一連の制御を行うだけ
でよいので、各制御手段の負担が少なくなり、基板処理
装置のスループットを向上させることができる。また、
被制御ユニットの増減を比較的簡単に行うこともでき
る。
【０１３３】さらに、請求項２４記載の発明によれば、
各被制御ユニットの主搬送機構が略同数の搬送工程を負
担するので、特定の主搬送機構だけが早く搬送限界に陥
ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスルー
プットを向上させることができる。
各被制御ユニットの主搬送機構が略同数の搬送工程を負
担するので、特定の主搬送機構だけが早く搬送限界に陥
ることが回避でき、結果として、基板処理装置のスルー
プットを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略構
成を示した平面図である。
成を示した平面図である。
【図２】実施例装置の概略構成を示した正面図である。
【図３】熱処理部の正面図である。
【図４】隔壁に設けられた基板載置部の周辺構成を示す
破断正面図である。
破断正面図である。
【図５】インターフェイスブロックの概略構成を示す側
面図である。
面図である。
【図６】（ａ）は主搬送機構の概略構成を示す平面図、
（ｂ）はその正面図である。
（ｂ）はその正面図である。
【図７】（ａ）は基板仮置部付きの加熱部の破断側面
図、（ｂ）は破断平面図である。
図、（ｂ）は破断平面図である。
【図８】（ａ）は実施例装置のブロック配置を示した平
面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図で
ある。
面図、（ｂ）は実施例装置のセル配置を示した平面図で
ある。
【図９】（ａ）は実施例装置の制御系を示したブロック
図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブ
ロック図である。
図、（ｂ）は比較のために示した従来装置の制御系のブ
ロック図である。
【図１０】第１〜第４の主搬送機構による基板搬送の流
れを示した図である。
れを示した図である。
【図１１】従来の基板処理装置の概略構成を示した平面
図である。
図である。
１ …インデクサブロック
２ …反射防止膜用処理ブロック
３ …レジスト膜用処理ブロック
４ …現像処理ブロック
５ …インターフェイスブロック
７ …インデクサ用搬送機構
１０Ａ〜１０Ｄ …第１〜第４の主搬送機構
３５ …インターフェイス用搬送機構
Ｃ１ …インデクサセル
Ｃ２ …反射防止膜用処理セル
Ｃ３ …レジスト膜用処理セル
Ｃ４ …現像処理セル
Ｃ５ …露光後加熱用処理セル
Ｃ６ …インターフェイスセル
Ｗ …基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ …基板載置部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６２
(72)発明者 杉本 憲司
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 伊藤 隆
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 岡本 健男
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 稲垣 幸彦
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 吉岡 勝司
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
(72)発明者 三橋 毅
京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神
北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株
式会社内
Ｆターム(参考） 2H096 AA24 AA25 AA27 CA06 CA12
DA01 FA01 GA21
3F022 AA08 BB09 CC02 EE05 FF01
HH05 KK12 KK20 MM07 NN01
NN41 NN51 QQ01
4F042 AA02 AA07 AA10 DB04 DB10
DB12 DC01 DF07 DF25 DF29
DF34 ED05
5F031 CA01 CA02 CA05 DA01 FA01
FA02 FA07 FA11 FA12 FA15
GA04 GA06 GA47 GA49 JA02
JA22 KA12 MA02 MA03 MA13
MA24 MA26 MA27 MA30 MA33
PA03 PA30
5F046 JA04 JA16 KA04 KA07 LA01
LA08
Claims (24)
- 【請求項１】 基板に対して一連の薬液処理と熱処理と
を行う基板処理装置において、 薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬液処理に関連した
熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処理部および前記熱
処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機構
とを含んで単一の処理ブロックを構成し、 異なる薬液処理ごとに構成された複数個の処理ブロック
を並設してあることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置
に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記各処理
ブロックの主搬送機構は、略同数の搬送工程を負担して
いる基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の基板処理
装置において、 前記各処理ブロックの主搬送機構は、基板の受け渡しを
行うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに
基板の受け渡しを行う基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の基板処理装置において、 前記基板載置部は、ある処理ブロックから基板を払出す
ための払出し用基板載置部と、ある処理ブロックへ基板
を戻すための戻し用基板載置部との少なくとも２つの基
板載置部から構成されている基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の基板処理装置において、 前記払出し用基板載置部と戻し用基板載置部は、上下に
近接して設けられている基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の基板処
理装置において、 前記処理ブロックの間には隔壁が設けられており、 前記基板載置部は、前記隔壁を部分的に貫通して設けら
れている基板処理装置。 - 【請求項７】 請求項３〜６のいずれかに記載の基板処
理装置において、 前記基板載置部に、基板の有無を検出するセンサが設け
られている基板処理装置。 - 【請求項８】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記処理ブロックは、主搬送機構を挟んで薬液処理部と
熱処理部とが対向して配置されている基板処理装置。 - 【請求項９】 請求項８記載の基板処理装置において、 前記薬液処理部が複数個あって、これらが上下に積層配
置されており、 かつ、前記熱処理部が複数個あって、これらが上下に積
層配置されている基板処理装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載の基板処理装置におい
て、 前記熱処理部は、上下に積層配置されたものが複数列に
わたり並設されている基板処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１記載の基板処理装置におい
て、 前記熱処理部は、基板を載置して加熱処理をする加熱プ
レートと、この加熱プレートから離れた上方位置または
下方位置に基板を載置しておく基板仮置部と、前記加熱
プレートと基板仮置部との間で基板を搬送する熱処理部
用のローカル搬送機構とを備えた基板仮置部付きの熱処
理部を含む基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の基板処理装置におい
て、 前記熱処理部用のローカル搬送機構は、前記加熱プレー
トから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却す
る冷却手段を備える基板処理装置。 - 【請求項１３】 請求項１１または１２記載の基板処理
装置において、 前記主搬送機構は、前記基板仮置部に対して基板の受け
渡しを行う基板処理装置。 - 【請求項１４】 請求項１１〜１３のいずれかに記載の
基板処理装置において、 前記基板仮置部付きの熱処理部の少なくとも加熱プレー
トは筐体で覆われており、この筐体内の加熱プレートに
対して前記ローカル搬送機構が基板を受け渡すために前
記筐体に設けられた開口部は、前記主搬送機構が配置さ
れた側とは反対側に位置している基板処理装置。 - 【請求項１５】 基板に対して一連の薬液処理と熱処理
とを行う基板処理装置において、 基板を多段に収容する複数個のカセットを載置するカセ
ット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に取り
出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収納す
るインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロック
と、 基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止膜用塗布
処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基板を熱処
理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止膜用塗布
処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基板の受け
渡しをする第１の主搬送機構とを備え、前記インデクサ
ブロックに隣接して設けられる反射防止膜用処理ブロッ
クと、 反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト膜を
塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレジス
ト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜
用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部およびレジ
スト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第２の
主搬送機構とを備え、前記反射防止膜用処理ブロックに
隣接して設けられるレジスト膜用処理ブロックと、 フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基
板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部お
よび現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３
の主搬送機構とを備え、前記レジスト膜用処理ブロック
に隣接して設けられる現像処理ブロックと、 前記現像処理ブロックに隣接して設けられ、本基板処理
装置とは別体の外部装置である露光装置に対して基板の
受け渡しをするインターフェイス用搬送機構を備えたイ
ンターフェイスブロックとを備えたことを特徴とする基
板処理装置。 - 【請求項１６】 請求項１５記載の基板処理装置におい
て、 少なくとも前記インデクサブロックと前記反射防止膜用
処理ブロックとの間は、基板受け渡し用の開口部位を除
いて隔壁で区画され、かつ、反射防止膜用処理ブロック
内の気圧がインデクサブロック内の気圧よりも高くなる
ように設定されている基板処理装置。 - 【請求項１７】 請求項１５記載の基板処理装置におい
て、 前記現像処理ブロックの熱処理部は、基板を載置して加
熱処理をする加熱プレートと、この加熱プレートから離
れた上方位置または下方位置に基板を載置しておく基板
仮置部と、前記加熱プレートと基板仮置部との間で基板
を搬送する熱処理部用のローカル搬送機構とを備えた基
板仮置部付きの熱処理部を含み、 前記インターフェイスブロックはさらに、フォトレジス
トが塗布された基板の周縁部を露光するエッジ露光部
と、前記基板仮置部付きの熱処理部および前記エッジ露
光部に対して基板を受け渡しする第４の主搬送機構とを
備える基板処理装置。 - 【請求項１８】 請求項１７記載の基板処理装置におい
て、 前記熱処理部用のローカル搬送機構は、前記加熱プレー
トから基板仮置部へ基板を搬送する過程で基板を冷却す
る冷却手段を備える基板処理装置。 - 【請求項１９】 請求項１７または１８記載の基板処理
装置において、 前記インデクサブロックのインデクサ用搬送機構と前記
反射防止膜用処理ブロックの第１の主搬送機構とは、基
板の受け渡しを行うために基板を載置する基板載置部を
介して、互いに基板の受け渡しを行い、 同様に、前記第１の主搬送機構と前記レジスト膜用処理
ブロックの第２の主搬送機構、前記第２の主搬送機構と
前記現像処理ブロックの第３の主搬送機構、前記第３の
主搬送機構と前記第４の主搬送機構、および前記第４の
主搬送機構と前記インターフェイスブロックのインター
フェイス用搬送機構のそれぞれは、基板の受け渡しを行
うために基板を載置する基板載置部を介して、互いに基
板の受け渡しを行う基板処理装置。 - 【請求項２０】 請求項１９記載の基板処理装置におい
て、 前記インターフェイスブロックは、露光機が基板の受け
入れをできないときに、露光処理前の基板を収納する送
り用バッファと、露光処理後の基板を現像処理できない
ときに、現像処理前の基板を収納する戻りバッファと備
え、 前記インターフェイス用搬送機構は、露光機が基板の受
け入れをできないときに、露光処理前の基板を前記送り
用バッファに収納し、 前記第４の主搬送機構は、露光処理後の基板を現像処理
できないときに、現像処理前の基板を、前記現像処理ブ
ロックの基板仮置部付きの熱処理部で熱処理した後に、
前記戻りバッファに収納する基板処理装置。 - 【請求項２１】 基板に所要の処理を行う処理部と、前
記処理部に対して基板の受け渡しをする単一の主搬送機
構と含んで単一の被制御ユニットを構成し、前記被制御
ユニットを並設して構成される基板処理装置であって、 前記各被制御ユニットの主搬送機構は、基板の受け渡し
を行うために基板を載置する基板載置部を介して、互い
に基板の受け渡しを行い、 かつ、前記各被制御ユニットの主搬送機構の基板受け渡
し動作を少なくとも制御する制御手段を各被制御ユニッ
トごとに備え、 各被制御ユニットの制御手段は、前記処理部に対する基
板の受け渡しおよび前記基板載置部に対する基板の受け
渡しを含む一連の基板搬送に係る制御を、各々独立して
行うことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２２】 請求項２１記載の基板処理装置におい
て、 基板を多段に収容する複数個のカセットを載置するカセ
ット載置台と、各カセットから未処理の基板を順に取り
出すとともに、各カセットへ処理済の基板を順に収納す
るインデクサ用搬送機構とを備えたインデクサブロック
がインデクサ用の被制御ユニットを構成し、 同様に、基板表面に反射防止膜を塗布形成する反射防止
膜用塗布処理部と、反射防止膜の塗布形成に関連して基
板を熱処理する反射防止膜用熱処理部と、前記反射防止
膜用塗布処理部および反射防止膜用熱処理部に対して基
板の受け渡しをする第１の主搬送機構とを備えた反射防
止膜用処理ブロックが反射防止膜用の被制御ユニットを
構成し、 反射防止膜が塗布形成された基板にフォトレジスト膜を
塗布形成するレジスト膜用塗布処理部と、フォトレジス
ト膜の塗布形成に関連して基板を熱処理するレジスト膜
用熱処理部と、前記レジスト膜用塗布処理部およびレジ
スト膜用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第２の
主搬送機構とを備えたレジスト膜用処理ブロックがレジ
スト膜用の被制御ユニットを構成し、 フォトレジスト膜が塗布形成され、さらに露光された基
板に現像処理をする現像処理部と、現像処理に関連して
基板を熱処理する現像用熱処理部と、前記現像処理部お
よび現像用熱処理部に対して基板の受け渡しをする第３
の主搬送機構とを備えた現像処理ブロックが現像用の被
制御ユニットを構成し、 露光された基板を現像前に加熱処理する露光後加熱用の
熱処理部と、前記露光後加熱用の熱処理部に対して基板
を受け渡しする第４の主搬送機構とを含んで露光後加熱
用の被制御ユニットを構成し、 本基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置に対
して基板の受け渡しをするインターフェイス用搬送機構
を含んでインターフェイス用の被制御ユニットを構成し
たことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２３】 請求項２２記載の基板処理装置におい
て、 基板を検査する基板検査部と、前記基板検査部に対して
基板を受け渡しする基板検査用の主搬送機構とを含んで
構成される基板検査用の被制御ユニットをさらに備えた
基板処理装置。 - 【請求項２４】 薬液処理を行う薬液処理部と、前記薬
液処理に関連した熱処理を行う熱処理部と、前記薬液処
理部および前記熱処理部に対して基板の受け渡しをする
単一の主搬送機構とを含んで単一の被制御ユニットを構
成し、 異なる薬液処理ごとに構成された複数個の被制御ユニッ
トを並設してある基板処理装置であって、 前記主搬送機構を使って基板を特定の位置から別の位置
に搬送する工程を１搬送工程とした場合に、前記各被制
御ユニットの主搬送機構は、略同数の搬送工程を負担し
ていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2002129817A JP4342147B2 (ja) | 2002-05-01 | 2002-05-01 | 基板処理装置 |
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|---|---|
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ID=29243953
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