JP2010087115A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】フットプリントを増加させることなくスループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、塗布処理部１２１および搬送部１２２を有する。塗布処理部１２１には、塗布処理室２１〜２４が階層的に設けられる。搬送部１２２には、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には塗布処理ユニット１２９が設けられる。上段搬送室１２５には、搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、各塗布処理室２１〜２４には給気ユニット４１が設けられる。また、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６には、それぞれ給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４１，４３からは温湿度調整された空気が供給される。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備えている。各処理ブロックには、複数の熱処理部、複数の薬液処理部および搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理部および薬液処理部に搬送される。そして、熱処理部および薬液処理部において基板に所定の処理が行われる。
特開２００３−３２４１３９号公報

ところで、基板処理装置のスループットを向上させるためには、各処理ブロックのスループットを向上させる必要がある。各処理ブロックのスループットを向上させる方法としては、例えば、搬送機構による基板の搬送時間を短縮する方法および複数の搬送機構により複数の基板を同時に搬送する方法が考えられる。

しかしながら、搬送機構の基板の搬送速度は既に十分に速く設定されており、基板の搬送速度をさらに向上させることは困難である。また、上記のような従来の基板処理装置の構成において複数の搬送機構を設ける場合、基板処理装置のフットプリントが増加する。さらに、各搬送機構に対応するように複数の処理部を増設しなければならないので、基板処理装置のフットプリントの低減が困難になる。

本発明の目的は、フットプリントを増加させることなくスループットを向上させることができる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、液処理部と液処理部に隣接して設けられる搬送部とを備え、液処理部は、階層的に設けられた複数の処理室と、複数の処理室にそれぞれ設けられ基板に液処理を行う複数の液処理装置と、複数の処理室にそれぞれ対応して設けられ複数の処理室にそれぞれ気体を供給する複数の処理室用気体供給部とを有し、搬送部は、階層的に設けられた複数の搬送室と、複数の搬送室にそれぞれ設けられ基板を搬送する複数の搬送機構と、複数の搬送室にそれぞれ対応して設けられ複数の搬送室にそれぞれ気体を供給する複数の搬送室用気体供給部とを有するものである。

この基板処理装置においては、複数の処理室の複数の液処理装置において基板に液処理が行われる。また、液処理後の基板は複数の搬送室の複数の搬送機構により搬送される。この場合、複数の液処理装置および複数の搬送機構により、基板を並行して処理および搬送することができる。それにより、基板処理装置のスループットが向上する。

また、この基板処理装置においては、複数の処理室が階層的に設けられ、複数の搬送室が階層的に設けられる。それにより、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく複数の液処理室および複数の搬送室を設けることができる。

以上の結果、基板処理装置のフットプリントの増加させることなくスループットを向上させることが可能となる。

また、この基板処理装置においては、処理室ごとに処理室用気体供給部が設けられる。それにより、各処理室内の雰囲気を適切な状態に保つことができる。その結果、各処理室において基板を適切に処理することができる。

また、この基板処理装置においては、搬送室ごとに搬送室用気体供給部が設けられる。それにより、各搬送室の雰囲気を適切な状態に保つことができる。その結果、各搬送室において適切な環境下で基板を搬送することができる。

以上の結果、基板の高精度な処理が可能になる。

（２）複数の処理室は、第１の数の処理室を有する第１の処理室群および第２の数の処理室を有する第２の処理室群を含み、複数の搬送室は、第１の搬送室および第２の搬送室を含み、第１の搬送室は第１の処理室群に隣接して設けられ、第２の搬送室は第２の処理室群に隣接して設けられてもよい。

この基板処理装置においては、第１の処理室群において処理される基板を第１の搬送室内の搬送機構により搬送し、第２の処理室群において処理される基板を第２の搬送室内の搬送機構により搬送することができる。この場合、複数の基板を第１および第２の処理室群に円滑に分配することができるので、基板処理装置のスループットを十分に向上させることができる。

また、この基板処理装置においては、動作不良またはメンテナンス作業等により第１および第２の搬送機構のうち一方の搬送機構が停止されている場合でも、他方の搬送機構およびその搬送機構に対応する処理室群の液処理装置を用いて基板の搬送および処理を続行することができる。

同様に、動作不良またはメンテナンス作業等により第１および第２の処理室群のうち一方の処理室群の使用が停止されている場合でも、他方の処理室群の液処理装置およびその処理室群に対応する搬送機構を用いて基板の処理および搬送を続行することができる。

（３）第１の数と第２の数は同数であってもよい。

この基板処理装置においては、第１の処理室群および第２の処理室群において同数の基板を処理することができる。この場合、第１の搬送機構および第２の搬送機構の動作および構造を共通化することができる。それにより、基板処理装置の製造コストを低減することができる。

（４）複数の処理室用気体供給部は、同じ温度または同じ湿度に調整された気体をそれぞれ対応する処理室に供給してもよい。この場合、複数の処理室内を均一な温度または均一な湿度に保つことができる。それにより、複数の基板を均一に処理することができる。

（５）複数の処理室用気体供給部には、共通の供給源から気体が供給されてもよい。この場合、複数の処理室に同じ温湿度の気体を供給することができる。それにより、複数の基板をより均一に処理することができる。

（６）複数の処理室用気体供給部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する処理室に供給してもよい。この場合、複数の処理室を均一な状態に保つことができる。それにより、複数の基板をより均一に処理することができる。

（７）複数の搬送室用気体供給部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する搬送室に供給してもよい。この場合、複数の搬送室を均一な状態に保つことができる。それにより、複数の基板を均一な環境下で搬送することができる。その結果、複数の基板を均一な状態に保つことができる。

（８）液処理部は、複数の処理室にそれぞれ対応して設けられ複数の処理室からそれぞれ気体を排出する複数の処理室用気体排出部をさらに有し、搬送部は、複数の搬送室にそれぞれ対応して設けられ複数の搬送室からそれぞれ気体を排出する複数の搬送室用気体排出部をさらに有してもよい。

この場合、複数の処理室および複数の搬送室を適切に換気することができる。それにより、基板のより高精度な処理が可能になる。

（９）複数の処理室用気体排出部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する処理室から排出してもよい。この場合、複数の処理室をより均一な状態に保つことができる。それにより、複数の基板をより均一に処理することができる。

（１０）複数の搬送室用気体排出部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する搬送室から排出してもよい。この場合、複数の搬送室をより均一な状態に保つことができる。それにより、複数の基板をより均一な環境下で搬送することができる。その結果、複数の基板をより均一な状態に保つことができる。

本発明によれば、複数の液処理装置および複数の搬送機構により、基板を並行して処理および搬送することができる。それにより、基板処理装置のスループットが向上する。また、基板処理装置のフットプリントを増加させることなく複数の液処理室および複数の搬送室を設けることができる。

また、処理室ごとに処理室用気体供給部が設けられるので、各処理室内の雰囲気を適切な状態に保つことができる。それにより、各処理室において基板を適切に処理することができる。また、搬送室ごとに搬送室用気体供給部が設けられるので、各搬送室の雰囲気を適切な状態に保つことができる。その結果、各搬送室において適切な環境下で基板を搬送することができる。以上の結果、基板の高精度な処理が可能になる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インターフェイスブロック１４に隣接するように露光装置１５が設けられる。露光装置１５においては、基板に露光処理が行われる。

図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドまたは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。

図１に示すように、塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。

現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。

インターフェイスブロック１４には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンド１４３を有する。搬送機構１４１は、ハンド１４３により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンド１４４を有する。搬送機構１４２は、ハンド１４４により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

搬送機構１４１と搬送機構１４２との間には、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備えた基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１３（図５）および後述する複数のバッファＢＦ（図５）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。現像ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１および現像処理部１３１を＋Ｙ方向側から見た図である。また、図３は、図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。

図２および図３に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。また、図２に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。

塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態においては、塗布処理室２１および塗布処理室２３の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。また、塗布処理室２２および塗布処理室２４の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

図２に示すように、各塗布処理室２１〜２４において塗布処理ユニット１２９の上方には、各塗布処理室２１〜２４内に清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、図２に示すように、各現像処理室３１〜３４において現像処理ユニット１３９の上方には、給気ユニット４１が設けられる。

また、塗布処理室２１〜２４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理ユニット１３９の下部にも、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１においてインターフェイスブロック１４に隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。図２には、流体ボックス部５０内に設けられる流通管５１〜５５および流体ボックス部６０内に設けられる流通管６１〜６５が示されている。

図２に示すように、流通管５１の一端側は、塗布処理室２１〜２４の各給気ユニット４１に接続される。流通管５１の他端は、流通管７１の一端側に接続される。流通管７１の他端は、図示しない温調装置に接続されている。その温調装置において温湿度調整された空気は、流通管７１および流通管５１を介して塗布処理室２１〜２４の各給気ユニット４１に供給される。それにより、給気ユニット４１から塗布処理室２１〜２４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。なお、流通管７１には後述する流通管７２および流通管７３が接続される。

また、流通管５２〜５５は、塗布処理室２１〜２４の排気ユニット４２にそれぞれ接続される。塗布処理室２１〜２４内の空気は、各排気ユニット４２および各排気ユニット４２に接続される流通管５２〜５５を介して外部に排出される。それにより、塗布処理室２１〜２４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

同様に、流通管６１の一端側は、塗布処理室３１〜３４の各給気ユニット４１に接続される。流通管６１の他端は、流通管７４の一端側に接続される。流通管７４の他端は、上記の温調装置に接続されている。その温調装置において温湿度調整された空気は、流通管７４および流通管６１を介して塗布処理室３１〜３４の各給気ユニット４１に供給される。それにより、給気ユニット４１から塗布処理室３１〜３４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。なお、流通管７４には後述する流通管７５および流通管７６が接続される。

また、流通管６２〜６５は、塗布処理室３１〜３４の排気ユニット４２にそれぞれ接続される。塗布処理室３１〜３４内の空気は、各排気ユニット４２および各排気ユニット４２に接続される流通管６２〜６５を介して外部に排出される。それにより、塗布処理室３１〜３４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

また、流通管５１と各給気ユニット４１との接続部には、流量調整ダンパ４６が設けられる。各流量調整ダンパ４６は、流通管５１から各給気ユニット４１に流入する空気の流量を調整する。本実施の形態においては、各給気ユニット４１に流入する空気量が互いに等しくなるように流量調整ダンパ４６が調整される。また、流通管５２〜５４には、それぞれ流量調整ダンパ４７が介挿される。各流量調整ダンパ４７は、流通管５２〜５４内の空気の流量をそれぞれ調整する。本実施の形態においては、流通管５２〜５４内の空気の流量が互いに等しくなるように流量調整ダンパ４７が調整される。

このように、本実施の形態においては、流量調整ダンパ４６により塗布ブロック１２の各給気ユニット４１に供給される空気量が調整されるとともに、流量調整ダンパ４７により塗布ブロック１２の各排気ユニット４２から排出される空気量が調整される。それにより、塗布処理室２１〜２４内の換気条件を互いに等しくすることができる。その結果、塗布処理室２１〜２４における基板Ｗの均一な処理が可能になる。

同様に、流通管６１と各給気ユニット４１との接続部には、流量調整ダンパ４８が設けられる。各流量調整ダンパ４８は、流通管６１から各給気ユニット４１に流入する空気の流量が互いに等しくなるように予め調整される。また、流通管６２〜６４には、それぞれ流量調整ダンパ４９が介挿される。各流量調整ダンパ４９は、流通管６２〜６４内の空気の流量が互いに等しくなるように予め調整される。

このように、本実施の形態においては、流量調整ダンパ４８により現像ブロック１３の各給気ユニット４１に供給される空気量が調整されるとともに、流量調整ダンパ４９により現像ブロック１３の各排気ユニット４２から排出される空気量が調整される。それにより、現像処理室３１〜３４内の換気条件を互いに等しくすることができる。その結果、現像処理室３１〜３４における基板Ｗの均一な処理が可能になる。

（３）熱処理部の構成
図４は、図１の熱処理部１２３，１３３を−Ｙ方向側から見た図である。

図３および図４に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。図４に示すように、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよび複数の密着強化処理ユニットＡＨＬが設けられる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための処理が行われる。なお、密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布される。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＨＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

また、上段熱処理部３０３においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられ、下段熱処理部３０４においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ９および基板載置部ＰＡＳＳ１１には、現像ブロック１３からインターフェイスブロック１４へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１０および基板載置部ＰＡＳＳ１２には、インターフェイスブロック１４から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。

図３に示すように、各熱処理ユニットＰＨＰは、加熱処理部１０１および冷却処理部１０２を有する。また、各冷却ユニットＣＰは、冷却処理部１０２を有する。加熱処理部１０１は、例えば、加熱プレートを有し、その加熱プレート上に載置された基板Ｗを加熱する。冷却処理部１０２は、例えば、冷却プレートを有し、その冷却プレート上に載置された基板Ｗを冷却する。

また、図３および図４に示すように、熱処理部１２３には流通管８１が接続される。また、図４に示すように、熱処理部１３３には流通管８２が接続される。熱処理部１２３,１３３内の空気は、流通管８１,８２を介して外部に排出される。

なお、本実施の形態においては、上段搬送室１２５（図３）の給気ユニット４３（図３）から吐出される空気の一部が上段熱処理部３０１内に流入し、下段搬送室１２６（図３）の給気ユニット４３（図３）から吐出される空気の一部が下段熱処理部３０２内に流入する。それにより、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な空気に維持される。

同様に、上段搬送室１３５（図５）の給気ユニット４３（図５）から吐出される空気の一部が上段熱処理部３０３内に流入し、下段搬送室１３６（図５）の給気ユニット４３（図５）から吐出される空気の一部が下段熱処理部３０４内に流入する。それにより、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な空気に維持される。

（４）搬送部の構成
（ａ）概略構成
図５は、図１の搬送部１２２，１３２の構成を説明するための図である。なお、図５は、搬送部１２２，１３２を−Ｙ方向側から見た図である。

図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。また、搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。

上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

図３に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部３０３（図４）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部３０４（図４）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。

図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。また、上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

図３および図５に示すように、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。また、図５に示すように、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。

また、図３および図５に示すように、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方には上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方には下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

同様に、図５に示すように、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方には上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方には下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。

図３に示すように、上段搬送室１２５の給気ユニット４３には流通管７２が接続され、下段搬送室１２６の給気ユニット４３には流通管７３が接続される。図２で説明したように、流通管７２,７３は流通管５１とともに流通管７１に接続されている。したがって、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６には、塗布処理室２１〜２４に供給される空気と同じ温湿度に調整された空気が供給される。

同様に、上段搬送室１３５（図５）の給気ユニット４３（図５）には流通管７５（図２）が接続され、下段搬送室１３６（図５）の給気ユニット４３（図５）には流通管７６（図２）が接続される。したがって、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６には、現像処理室３１〜３４（図２）に供給される空気と同じ温湿度に調整された空気が供給される。

また、図３に示すように、上段搬送室１２５の排気ユニット４４には流通管７７が接続され、下段搬送室１２６の排気ユニット４４には流通管７８が接続される。このような構成により、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６内の空気は、各排気ユニット４４および各排気ユニット４４に接続される流通管７７,７８を介して外部に排出される。また、図示していないが、上段搬送室１３５（図５）および下段搬送室１３６（図５）の各排気ユニット４４にも、流通管が接続されている。そして、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６内の空気は、各排気ユニット４４および各排気ユニット４４に接続される流通管を介して外部に排出される。

以上の結果、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

また、図３に示すように、上段搬送室１２５において給気ユニット４３と流通管７２との接続部には、給気ユニット４３に流入する空気の流量を調整する流量調整ダンパ８３が設けられる。同様に、下段搬送室１２６において給気ユニット４３と流通管７３との接続部に流量調整ダンパ８３が設けられる。各流量調整ダンパ８３は、流通管７２から給気ユニット４３に流入する空気の流量と流通管７３から給気ユニット４３に流入する空気の流量とが互いに等しくなるように予め調整される。

また、流通管７７，７８には電動式のファン８４がそれぞれ設けられる。流通管７７，７８による空気の排出量は、ファン８４により調整される。本実施の形態においては、流通管７７内の空気の流量と流通管７８内の空気の流量とが等しくなるようにファン８４が駆動される。なお、本実施の形態においては、ファン８４は、制御部１１４（図１）により制御される。

このように、本実施の形態においては、流量調整ダンパ８３により搬送部１２２の各給気ユニット４３に供給される空気量が調整されるとともに、ファン８４により、搬送部１２２の各排気ユニット４４から排出される空気量が調整される。それにより、上段搬送室１２５の換気条件および下段搬送室１２６の換気条件を互いに等しくすることができる。その結果、上段搬送室１２５内の基板Ｗの状態と下段搬送室１２６内の基板Ｗの状態とに差が生じることを防止することができる。

なお、図示しないが、搬送部１３２の各給気ユニット４３にも同様に流量調整ダンパ８３が設けられる。また、搬送部１３２の各排気ユニット４４にも同様に流通管７７，７８およびファン８４が接続される。それにより、上段搬送室１３５の換気条件および下段搬送室１３６の換気条件を互いに等しくすることができる。その結果、上段搬送室１３５内の基板Ｗの状態と下段搬送室１３６内の基板Ｗの状態とに差が生じることを防止することができる。

（ｂ）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。

図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。

図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。

移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。

上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図４）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。

（５）インターフェイスブロックの構成
図７は、インターフェイスブロック１４の内部構成を示す図である。なお、図７は、インターフェイスブロック１４を＋Ｘ方向側から見た図である。

図７に示すように、インターフェイスブロック１４の略中央部に２つのバッファＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰが階層的に設けられる。また、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの−Ｙ方向側に搬送機構１４１が設けられ、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの＋Ｙ方向側に搬送機構１４２が設けられる。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに露光処理前の基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１３に露光処理後の基板Ｗが載置される。

また、図５および図７に示すように、インターフェイスブロック１４内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。給気ユニット４５には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、給気ユニット４５からインターフェイスブロック１４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。その結果、インターフェイスブロック１４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。

（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。

（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。

本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。

なお、基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。

（６−２）塗布ブロック１２の動作
以下、図１、図２、図４および図５を主に用いて塗布ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２１においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰ（図４）に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、加熱処理部１０１（図３）および冷却処理部１０２（図３）により基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。

次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。

搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、塗布ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、塗布ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−３）現像ブロック１３の動作
以下、図１、図２、図４および図５を主に用いて現像ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。

搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像ブロック１３における処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図４）のエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ１０（図４）から露光処理後の基板Ｗを取り出す。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１０から取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図４）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）または現像処理室３２（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。現像処理室３１，３２においては、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の加熱ユニットＨＰから加熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。

次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図４）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗを基板Ｗ基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に搬送する。

搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、現像ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。

搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２（図４）、塗布処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。

このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、現像ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（６−４）インターフェイスブロック１４の動作
以下、図７を主に用いてインターフェイスブロック１４の動作について説明する。

まず、搬送機構１４１の動作について説明する。搬送機構１３７（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗは、搬送機構１４１により取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図５）の上段熱処理部３０３の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光処理後の基板Ｗに熱処理が行われる。

次に、搬送機構１４１は、上段熱処理部３０３の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、上述したように、現像ブロック１３（図５）の搬送機構１３７（図５）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する。その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図５）の下段熱処理部３０４の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。

次に、搬送機構１４１は、下段熱処理部３０４の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、現像ブロック１３（図５）の搬送機構１３８（図５）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。

搬送機構１４１は、上記の動作を繰り返す。それにより、インターフェイスブロック１４と上段熱処理部３０３との間での基板Ｗの受け渡しおよびインターフェイスブロック１４と下段熱処理部３０４との間での基板Ｗの受け渡しが交互に行われる。

ここで、本実施の形態においては、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図２）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図４）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図４）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３，３４（図２）および下段熱処理部３０４（図４）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。

したがって、上記のように上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３（図５）から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。

なお、バッファＢＦは、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへ基板Ｗを交互に搬送することができない場合に用いられる。具体的には、例えば、塗布処理室２１，２２（図２）の塗布処理ユニット１２９（図２）に不具合が発生することにより基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が停止されている場合にバッファＢＦが用いられる。この場合、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗが搬送されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が再開された場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送およびバッファＢＦから基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送を交互に行う。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が停止されている場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が再開されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。

次に、搬送機構１４２の動作について説明する。

搬送機構１４１により基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置された基板Ｗは、所定の温度に冷却された後、搬送機構１４２により取り出される。搬送機構１４２は、その基板Ｗを露光装置１５（図１）に搬入する。

次に、搬送機構１４２は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、上述したように、搬送機構１４１により熱処理ユニットＰＨＰへ搬送される。

搬送機構１４２は上記の処理を繰り返す。ここで、上述したように搬送機構１４１によって基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図５）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。

（７）給気ユニット４１の構成
次に、給気ユニット４１の構成について詳細に説明する。

図８は、各塗布処理室２１〜２４（図２）に設けられる給気ユニット４１を示す概略図である。なお、図８において（ａ）は、給気ユニット４１の側面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

図８に示すように、給気ユニット４１は、箱状の空気流通部９１、その空気流通部９１の下面に設けられる流量調整板９２，９３およびその流量調整板９２，９３の下面に設けられるフィルタ装置９４，９５を含む。フィルタ装置９４，９５としては、例えば、ＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタを用いることができる。

空気流通部９１の一端側に流通管５１が接続される。それにより、空気流通部９１の内部空間と流通管５１の内部空間とが連通される。流量調整ダンパ４６は、流通管５１と空気流通部９１との接続部に設けられる。

図８（ｂ）に示すように、空気流通部９１の下面の一端側（流通管５１側）に正方形の開口９１２が形成され、空気流通部９１の下面の他端側に正方形の開口９１３が形成される。開口９１２は、塗布処理ユニット１２９の一方のカップ２７の上方に形成され、開口９１３は他方のカップ２７の上方に形成される。なお、本実施の形態においては、開口９１２のＸＹ平面における面積と開口９１３のＸＹ平面における面積は等しい。

流量調整板９２は、開口９１２を塞ぐように空気流通部９１の下面側に取り付けられ、流量調整板９３は、開口９１３を塞ぐように空気流通部９１の下面側に取り付けられる。流量調整板９２，９３には、複数の貫通孔９６がそれぞれ形成される。流通管５１から空気流通部９１内に流入した空気は、複数の貫通孔９６（図８（ｂ））およびフィルタ装置９４，９５（図８（ａ））を通過して各塗布処理室２１〜２４内に流入する。

ここで、流量調整板９２，９３の上面には、それぞれ複数（本実施の形態においては３本）の断面四角形状の気流調整部材９７が設けられる。本実施の形態においては、気流調整部材９７は棒状の形状を有し、Ｙ方向に延びるように設けられる。この複数の気流調整部材９７は、流通管５１から空気流通部９１内に流入した空気が空気流通部９１内を−Ｘ方向に向かって直進することを防止する。

この場合、空気流通部９１内において流量調整板９２上と流量調整板９３上とで空気の流速に差が生じることを防止することができる。それにより、流量調整板９２の複数の貫通孔９６を通過する空気の量と流量調整板９３の複数の貫通孔９６を通過する空気の量とに差が生じることを防止することができる。したがって、フィルタ装置９４の下方のカップ２７およびフィルタ装置９５の下方のカップ２７に同等の量の空気を供給することができる。その結果、２つのカップ２７において基板Ｗを均一に処理することが可能になる。

なお、流量調整板９２に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積が、流量調整板９３に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積よりも大きいことが好ましい。すなわち、空気流通部９１内の上流側（流通管５１側）に配置される流量調整板９２の開口面積が下流側に配置される流量調整板９３の開口面積よりも大きいことが好ましい。

この場合、流量調整板９２の複数の貫通孔９６を通過する空気の量と流量調整板９３の複数の貫通孔９６を通過する空気の量とに差が生じることを十分に防止することができる。それにより、塗布処理ユニット１２９の２つのカップ２７に均一に空気を供給することができる。その結果、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

本実施の形態においては、例えば、流量調整板９２に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積は開口９１２の面積の６０〜８０％の大きさに設定され、流量調整板９３に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積は開口９１３の面積の５〜１０％の大きさに設定される。

なお、流量調整板９２に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積および流量調整板９３に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積は、貫通孔９６の数によって調整してもよく、貫通孔９６の直径によって調整してもよい。

また、気流調整部材９７のＺ方向における高さは、空気流通部９１の内部空間のＺ方向における高さの２０％〜３０％に設定されることが好ましい。

なお、上記においては、各塗布処理室２１〜２４に設けられる給気ユニット４１について説明したが、各現像処理室３１〜３４に設けられる給気ユニット４１も同様の構成を有する。したがって、本実施の形態においては、現像処理ユニット１３９（図２）においても、２つのカップ３７において基板Ｗを均一に処理することができる。

なお、気流調整部材９７によって空気流通部９１内の空気の流速を十分に安定させることができる場合には、流量調整板９２，９３が設けられなくてもよい。

（８）給気ユニット４３の構成
次に、給気ユニット４３の構成について説明する。

図９は、上段搬送室１２５（図５）に設けられる給気ユニット４３を示す概略図である。なお、図９において、（ａ）は、給気ユニット４３の側面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

図９に示すように、給気ユニット４３は、箱状の空気流通部２０１およびその空気流通部２０１の下面に設けられるフィルタ装置２０２，２０３を含む。フィルタ装置２０２，２０３としては、例えば、ＵＬＰＡフィルタを用いることができる。なお、空気流通部２０１は、移動部材３１４の移動経路上に設けられる。

図９（ｂ）に示すように、空気流通部２０１内には、スリット板２０４が設けられる。空気流通部２０１内は、スリット板２０４により流通空間２０５および流入空間２０６に分割される。空気流通部２０１の一端側には、流通空間２０５と連通するように流通管７２が接続される。スリット板２０４には、複数（本実施の形態においては８つ）のスリット２０７が等間隔で形成されている。また、スリット板２０４には、複数の移動板７０１がＸ方向に移動可能に設けられている。本実施の形態においては、各移動板７０１を移動させることにより、各スリット２０７の大きさを調整することができる。

空気流通部２０１内において流入空間２０６には、仕切り板２０８が設けられる。仕切り板２０８は、流入空間２０６のＸ方向における中央部に設けられる。流入空間２０６は、仕切り板２０８により第１の流入空間６０１および第２の流入空間６０２に分割される。本実施の形態においては、第１の流入空間６０１の容積および第２の流入空間６０２の容積は等しい。

空気流通部２０１において第１の流入空間６０１の下方には開口２０９が形成され、空気流通部２０１において第２の流入空間６０２の下方には開口２１０が形成される。なお、本実施の形態においては、開口２０９のＸＹ平面における面積と開口２１０のＸＹ平面における面積とは等しい。

フィルタ装置２０２は、開口２０９を塞ぐように空気流通部２０１の下面側に取り付けられ、フィルタ装置２０３は、開口２１０を塞ぐように空気流通部２０１の下面側に取り付けられる。流通管７２から流通空間２０５に流入した空気は、スリット板２０４の複数のスリット２０７を通過して第１の流入空間６０１および第２の流入空間６０２に流入した後、フィルタ装置２０２，２０３から上段搬送室１２５に供給される。

ここで、本実施の形態においては、仕切り板２０８により第１の流入空間６０１から第２の流入空間６０２に空気が流入することを防止することができる。それにより、第１の流入空間６０１における空気の流速に比べて第２の流入空間６０２における空気の流速が速くなることを防止することができる。

この場合、フィルタ装置２０２を介して上段搬送室１２５（図５）に供給される空気量とフィルタ装置２０３を介して上段搬送室１２５に供給される空気量とに差が生じることを防止することができる。したがって、移動部材３１４の移動経路上に均一に空気を供給することが可能となる。それにより、上段搬送室１２５内において基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの周辺の温湿度が変化することを防止することができる。その結果、基板Ｗの高精度な処理が可能となる。

また、本実施の形態においては、流通空間２０５と第１の流入空間６０１とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積が流通空間２０５と第２の流入空間６０２とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積よりも大きくなるように、複数の移動板７０１が設定される。

この場合、第１の流入空間６０１における空気の流速に比べて第２の流入空間６０２における空気の流速が速くなることを十分に防止することができる。それにより、第１の流入空間６０１における空気の流速および第２の流入空間６０２における空気の流速を均一化することができる。その結果、基板処理装置１００における基板Ｗの処理性能をさらに向上させることができる。

なお、本実施の形態においては、流通空間２０５と第１の流入空間６０１とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積と流通空間２０５と第２の流入空間６０２とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積との比が、例えば、１０：８に設定される。

なお、上記においては、上段搬送室１２５に設けられる給気ユニット４３について説明したが、下段搬送室１２６、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６に設けられる給気ユニット４３も同様の構成を有する。

（９）排気ユニット４４の構成
次に、排気ユニット４４の構成について説明する。

図１０は、上段搬送室１２５（図５）に設けられる排気ユニット４４を示す概略図である。なお、図１０において、（ａ）は、排気ユニット４４の側面図であり、（ｂ）は、排気ユニット４４の上面図である。

図１０に示すように、排気ユニット４４は、箱状の空気流入部４００を有する。空気流入部４００と図９の空気流通部２０１とは、搬送機構１２７（図９（ａ））を挟んで対向するように設けられる。

図１０（ａ）に示すように、空気流入部４００の下面の一端側に流通管７７が接続される。より具体的には、図１０（ｂ）に示すように、流通管７７は、空気流入部４００の下面の角部に接続される。

空気流入部４００の上面には、一端側から順に第１領域４０１、第２領域４０２および第３領域４０３が設けられる。第１領域４０１〜第３領域４０３の面積は略等しい。

空気流入部４００の上面には、空気流入部４００の外部と内部空間とを連通させる複数の貫通孔４０４が形成される。本実施の形態においては、第１領域４０１〜第３領域４０３にそれぞれ同数の貫通孔４０４が形成される。なお、第１領域４０１内において複数の貫通孔４０４は互いに等間隔に配置されている。同様に、第２領域４０２および第３領域４０３内において複数の貫通孔は互いに等間隔に配置されている。

上記のような構成において、ファン８４（図３）が駆動されることにより、上段搬送室１２５（図５）内の空気が貫通孔４０４から空気流入部４００内に吸入される。空気流入部４００内に吸入された空気は、流通管７７を介して外部に排出される。

ここで、上述したように、流通管７７は空気流入部４００の一端側、すなわち第１領域４０１の下方に接続される。この場合、第１領域４０１内の貫通孔４０４における空気の吸引力が、第２領域４０２および第３領域４０３内の貫通孔４０４における空気の吸引力よりも大きくなると考えられる。

そこで、本実施の形態においては、第１領域４０１内の貫通孔４０４の直径が第２領域４０２および第３領域４０３内の貫通孔４０４の直径に比べて小さくなるように複数の貫通孔４０４が形成される。この場合、第１領域４０１において吸入される空気量、第２領域４０２において吸入される空気量および第３領域４０３において吸入される空気量に差が生じることを防止することができる。すなわち、空気流入部４００の上面の全域において空気を略均一に吸入することが可能になる。それにより、上段搬送室１２５内において基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの周辺の温湿度が変化することを防止することができる。その結果、基板Ｗの高精度な処理が可能となる。

なお、本実施の形態においては、例えば、第１領域４０１内の貫通孔４０４の直径が４．５ｍｍに設定され、第２領域４０２および第３領域４０３内の貫通孔４０４の直径が５．０ｍｍに設定される。

（１０）本実施の形態の効果
（ａ）本実施の形態においては、上段の処理部（塗布処理室２１，２２、上段搬送室１２５，１３５、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３）および下段の処理部（塗布処理室２３，２４、下段搬送室１２６，１３６、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４）において複数の基板Ｗの処理を並行して進めることができる。

それにより、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、塗布ブロック１２および現像ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８，１３７，１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。

（ｂ）また、本実施の形態においては、上段の処理部および下段の処理部が等しい構成を有する。それにより、上段の処理部および下段の処理部の一方において故障等が発生した場合でも、他方の処理部を用いて基板Ｗの処理を続行することができる。その結果、基板処理装置１００の汎用性が向上する。

（ｃ）また、本実施の形態においては、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６には、共通の供給源（流通管７１）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、上段搬送室１２５内の空気および下段搬送室１２６内の空気を均一な温湿度に保つことができる。

同様に、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６には、共通の供給源（流通管７４）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、上段搬送室１３５内の空気および下段搬送室１３６内の空気を均一な温湿度に保つことができる。

以上の結果、上段の処理部において処理された基板Ｗの状態および下段の処理部において処理された基板Ｗの状態に差が生じることを防止することができる。それにより、複数の基板Ｗを迅速かつ均一に処理することが可能になる。

（ｄ）また、本実施の形態においては、上段搬送室１２５および塗布処理室２１，２２には、共通の供給源（流通管７１）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、塗布処理室２１，２２内の空気および上段搬送室１２５内の空気を均一な温湿度に保つことができる。この場合、上段搬送室１２５と塗布処理室２１，２２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる際に上段搬送室１２５内の空気および塗布処理室２１，２２内の空気の温湿度が変動することを防止することができる。

同様に、下段搬送室１２６および塗布処理室２３，２４には、共通の供給源（流通管７１）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、下段搬送室１２６と塗布処理室２３，２４との間で基板Ｗの受け渡しが行われる際に下段搬送室１２６内の空気および塗布処理室２３，２４内の空気の温湿度が変動することを防止することができる。

また、上段搬送室１３５および現像処理室３１，３２には、共通の供給源（流通管７４）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、現像処理室３１，３２内の空気および上段搬送室１３５内の空気を均一な温湿度に保つことができる。この場合、上段搬送室１３５と現像処理室３１，３２との間で基板Ｗの受け渡しが行われる際に上段搬送室１３５内および現像処理室３１，３２内の温湿度が変化することを防止することができる。

同様に、下段搬送室１３６および現像処理室３３，３４には、共通の供給源（流通管７５）から同じ温湿度に調整された空気が供給される。それにより、下段搬送室１３６と現像処理室３３，３４との間で基板Ｗの受け渡しが行われる際に下段搬送室１３６内の空気および現像処理室３３，３４内の空気の温湿度が変動することを防止することができる。

以上の結果、基板Ｗの高精度な処理が可能になる。

（ｅ）また、本実施の形態においては、流量調整ダンパ８３によって上段搬送室１２５および下段搬送室１２６に供給される空気量を等しくすることができる。この場合、上段搬送室１２５内の雰囲気および下段搬送室１２６内の雰囲気を均一な状態に保つことができる。それにより、上段搬送室１２５内の基板Ｗの状態および下段搬送室１２６内の基板Ｗの状態に差が生じることを防止することができる。

同様に、流量調整ダンパ８３によって上段搬送室１３５および下段搬送室１３６に供給される空気量を等しくすることができる。この場合、上段搬送室１３５内の雰囲気および下段搬送室１３６内の雰囲気を均一な状態に保つことができる。それにより、上段搬送室１３５内の基板Ｗの状態および下段搬送室１３６内の基板Ｗの状態に差が生じることを防止することができる。

以上の結果、上段の処理部および下段の処理部における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

（ｆ）また、本実施の形態においては、ファン８４により上段搬送室１２５から排出される空気量および下段搬送室１２６から排出される空気量を等しくすることができる。この場合、上段搬送室１２５内の雰囲気および下段搬送室１２６内の雰囲気をより均一な状態に保つことができる。それにより、上段搬送室１２５内の基板Ｗの状態および下段搬送室１２６内の基板Ｗの状態に差が生じることを十分に防止することができる。

同様に、ファン８４により上段搬送室１３５から排出される空気量および下段搬送室１３６から排出される空気量を等しくすることができる。この場合、上段搬送室１２５内の雰囲気および下段搬送室１２６内の雰囲気をより均一な状態に保つことができる。それにより、上段搬送室１３５内の基板Ｗの状態および下段搬送室１３６内の基板Ｗの状態に差が生じることを十分に防止することができる。

（ｇ）また、本実施の形態においては、流量調整ダンパ４６によって塗布処理室２１〜２４に供給される空気量を等しくすることができる。この場合、塗布処理室２１〜２４内の雰囲気を均一な状態に保つことができる。それにより、塗布処理室２１，２２において形成される膜の状態および塗布処理室２３，２４において形成される膜の状態に差が生じることを防止することができる。

同様に、流量調整ダンパ４８によって現像処理室３１〜３４に供給される空気量を等しくすることができる。この場合、現像処理室３１〜３４内の雰囲気を均一な状態に保つことができる。それにより、現像処理室３１，３２における現像処理および現像処理室３３，３４における現像処理に差が生じることを防止することができる。

以上の結果、上段の処理部および下段の処理部における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

（ｈ）また、本実施の形態においては、流量調整ダンパ４７によって塗布処理室２１〜２４から排出される空気量を略等しくすることができる。この場合、塗布処理室２１〜２４内の雰囲気をより均一な状態に保つことができる。それにより、塗布処理室２１〜２４において基板Ｗをより均一に処理することができる。

同様に、流量調整ダンパ４９によって現像処理室３１〜３４から排出される空気量を等しくすることができる。この場合、現像処理室３１〜３４内の雰囲気をより均一な状態に保つことができる。それにより、現像処理室３１〜３４において基板Ｗをより均一に処理することができる。

以上の結果、上段の処理部および下段の処理部における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

（ｉ）また、本実施の形態においては、各給気ユニット４１の空気流通部９１内において、流量調整板９２および流量調整板９３上にそれぞれ気流調整部材９７が設けられている。それにより、空気流通部９１内において流量調整板９２上と流量調整板９３上とで空気の流速に差が生じることを防止することができる。

この場合、塗布処理室２１〜２４において、塗布処理ユニット１２９の２つのカップ２７に均一に空気を供給することができる。それにより、塗布処理ユニット１２９の２つのカップ２７において均一な処理を行うことができる。

同様に、現像処理室３１〜３４において、現像処理ユニット１３９の２つのカップ３７に均一に空気を供給することができる。それにより、現像処理ユニット１３９の２つのカップ３７において均一な処理を行うことができる。

以上の結果、基板処理装置１００の処理性能を向上させることができる。

（ｊ）また、本実施の形態に係る給気ユニット４１においては、空気流通部９１内の上流側（流通管５１側）に配置される流量調整板９２の開口面積が下流側に配置される流量調整板９３の開口面積よりも大きい。それにより、流量調整板９２の複数の貫通孔９６を通過する空気の量と流量調整板９３の複数の貫通孔９６を通過する空気の量とに差が生じることを十分に防止することができる。

この場合、塗布処理室２１〜２４において、塗布処理ユニット１２９の２つのカップ２７に均一に空気を供給することができる。それにより、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

同様に、現像処理室３１〜３４において、現像処理ユニット１３９の２つのカップ３７に均一に空気を供給することができる。それにより、現像処理ユニット１３９における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

以上の結果、基板処理装置１００の処理性能を十分に向上させることができる。

（ｋ）また、本実施の形態に係る給気ユニット４３においては、フィルタ装置２０２が設けられる第１の流入空間６０１とフィルタ装置２０３が設けられる第２の流入空間６０２とが仕切り板２０８により隔離されている。それにより、第１の流入空間６０１から第２の流入空間６０２に空気が流入することを防止することができる。その結果、第１の流入空間６０１における空気の流速に比べて第２の流入空間６０２における空気の流速が速くなることを防止することができる。

この場合、フィルタ装置２０２から吐出される空気量とフィルタ装置２０３から吐出される空気量とに差が生じることを防止することができる。したがって、移動部材３１４（図５）の移動経路上に空気を均一に供給することが可能となる。それにより、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８により基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの周辺の温湿度が変化することを防止することができる。その結果、基板Ｗの高精度な処理が可能となる。

（ｌ）また、本実施の形態に係る給気ユニット４３においては、流通空間２０５と流入空間２０６との間にスリット板２０４が設けられている。この場合、流通空間２０５から第１の流入空間６０１に流入する空気の流速と流通空間２０５から第２の流入空間６０２に流入する空気の流速とに差が生じることを容易に防止することができる。それにより、第１の流入空間６０１における空気の流速および第２の流入空間６０２における空気の流速を容易に均一化することができる。その結果、フィルタ装置２０２から吐出される空気量とフィルタ装置２０３から吐出される空気量とに差が生じることを容易に防止することができる。

また、本実施の形態に係る給気ユニット４３においては、流通空間２０５と第１の流入空間６０１とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積が流通空間２０５と第２の流入空間６０２とを連通させる複数のスリット２０７の合計の面積よりも大きい。

この場合、第１の流入空間６０１における空気の流速および第２の流入空間６０２における空気の流速を十分に均一化することができる。それにより、フィルタ装置２０２から吐出される空気量とフィルタ装置２０３から吐出される空気量とに差が生じることを十分に防止することができる。

以上の結果、移動部材３１４の移動経路上に空気をより均一に供給することができるので、基板Ｗのより高精度な処理が可能となる。

（ｍ）また、本実施の形態に係る排気ユニット４４においては、空気流入部４００と流通管７７（または流通管７８）との接続部上の第１領域４０１内に形成される貫通孔４０４の直径が、第２および第３領域４０２，４０３内の貫通孔４０４の直径に比べて小さい。

この場合、第１領域４０１において吸入される空気量、第２領域４０２において吸入される空気量および第３領域４０３において吸入される空気量に差が生じることを防止することができる。したがって、給気ユニット４３から第１領域４０１に向かって流れる空気量、給気ユニット４３から第２領域４０２に向かって流れる空気量および給気ユニット４３から第３領域４０３に向かって流れる空気量に差が生じることを防止することができる。それにより、給気ユニット４３から吐出された空気を移動部材３１４（図５）の移動経路上に均一に供給することができる。その結果、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８により基板Ｗが搬送される際に基板Ｗの周辺の温湿度が変化することを防止することができる。それにより、基板Ｗの高精度な処理が可能となる。

（１１）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態においては、２つのカップ２７を有する塗布処理ユニット１２９および２つのカップ３７を有する現像処理ユニット１３９が設けられた基板処理装置１００について説明したが、３つのカップ２７を有する塗布処理ユニット１２９または３つのカップ３７を有する現像処理ユニット１３９が基板処理装置１００に設けられてもよい。

なお、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有する場合または現像処理ユニット１３９が２つのカップ３７を有する場合には、以下に説明する給気ユニット４１が用いられる。なお、以下においては、塗布処理ユニット１２９の上方に設けられる給気ユニット４１について説明するが、現像処理ユニット１３９の上方にも同様の構成の給気ユニット４１を設けることができる。

図１１は、塗布処理ユニット１２９が２つのカップ２７を有する場合に基板処理装置１００に設けられる給気ユニット４１を示す概略図である。なお、図１１において、（ａ）は、給気ユニット４１の側面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。

図１１に示す給気ユニット４１が図８の給気ユニット４１と異なるのは以下の点である。

図１１の給気ユニット４１においては、空気流通部９１の下面に、流量調整板９２，９３，９８が設けられ、その流量調整板９２，９３，９８の下面にフィルタ装置９４，９５，９９が設けられる。流量調整板９８は、空気流通部９１の下面に形成される開口９１４を塞ぐように空気流通部９１の下面に取り付けられる。なお、流量調整板９８は、流量調整板９２，９３と同様の形状を有し、フィルタ装置９９は、フィルタ装置９４，９５と同様の構成を有する。

このような構成において、流量調整板９２，９３，９８の上面には、それぞれ複数（本実施の形態においては３本）の気流調整部材９７が設けられる。それにより、流通管５１から空気流通部９１内に流入した空気が空気流通部９１内を−Ｘ方向に向かって直進することを防止することができる。

この場合、空気流通部９１内の任意の位置において空気の流速に差が生じることを防止することができる。それにより、流量調整板９２の複数の貫通孔９６を通過する空気の量、流量調整板９３の複数の貫通孔９６を通過する空気の量および流量調整板９８の複数の貫通孔９６を通過する空気の量に差が生じることを防止することができる。したがって、フィルタ装置９４の下方のカップ２７、フィルタ装置９５の下方のカップ２７およびフィルタ装置９９の下方のカップ２７に同等の量の空気を供給することができる。その結果、３つのカップ２７において基板Ｗを均一に処理することが可能になる。

なお、この給気ユニット４１においては、流量調整板９２に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積が、流量調整板９３に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積よりも大きく、流量調整板９８に形成される複数の貫通孔９６の合計の面積よりも大きいことが好ましい。すなわち、空気流通部９１内の上流側（流通管５１側）に配置される流量調整板９２の開口面積が下流側に配置される流量調整板９３の開口面積および流量調整板９８の開口面積よりも大きいことが好ましい。

この場合、流量調整板９２を通過する空気の量、流量調整板９３を通過する空気の量および流量調整板９８を通過する空気の量に差が生じることを十分に防止することができる。それにより、塗布処理ユニット１２９の３つのカップ２７に均一に空気を供給することができる。その結果、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗのより均一な処理が可能になる。

（ｂ）また、上記の給気ユニット４１においては、各流量調整板９２，９３，９８上に３本の気流調整部材９７がそれぞれ設けられているが、気流調整部材９７の本数は上記の例に限定されない。例えば、各流量調整板９２，９３，９８上に２本以下の気流調整部材９７がそれぞれ設けられてもよく、各流量調整板９２，９３，９８上に４本以下の気流調整部材９７がそれぞれ設けられてもよい。

また、気流調整部材９７の形状は図８で説明した形状に限定されない。気流調整部材９７の形状は、例えば、中央部が＋Ｘ方向側または−Ｘ方向側に屈折または緩やかに湾曲した形状であってもよい。また、気流調整部材９７の断面形状は、例えば、円形であってもよく、楕円形であってもよく、半円形状あってもよく、三角形状であってもよく、他の多角形状であってもよい。

（ｃ）また、上記実施の形態に係る排気ユニット４４（図１０）においては、第２領域４０２内の貫通孔４０４と第３領域４０３内の貫通孔４０４とが等しい直径で形成されているが、第２領域４０２内の貫通孔４０４と第３領域４０３内の貫通孔４０４とが異なる直径で形成されてもよい。

例えば、流通管７７（または流通管７８）における空気の吸入量が大きい場合には、第２領域４０２内の貫通孔４０４の直径が第３領域４０３内にお貫通孔４０４の直径よりも大きくなるように複数の貫通孔４０４を形成してもよい。

（ｄ）また、上記実施の形態においては、流量調整ダンパ４６および流量調整ダンパ４８により給気ユニット４１に供給される空気量を調整しているが、給気ユニット４１に供給される空気量の調整方法は上記の例に限定されない。

例えば、流通管５１および流通管６１の内径を調整することにより給気ユニット４１に供給される空気量を調整してもよく、貫通孔９６の直径を調整することにより給気ユニット４１に供給される空気量を調整してもよい。

（ｅ）また、上記実施の形態においては、流量調整ダンパ８３により給気ユニット４３に供給される空気量を調整しているが、給気ユニット４３に供給される空気量の調整方法は上記の例に限定されない。

例えば、流通管７２および流通管７３の内径を調整することにより給気ユニット４３に供給される空気量を調整してもよく、スリット２０７の大きさを調整することにより給気ユニット４３に供給される空気量を調整してもよい。

（ｆ）また、上記実施の形態においては、流量調整ダンパ４７および流量調整ダンパ４９により塗布処理室２１〜２４および現像処理室３１〜３４から排出される空気量を調整しているが、塗布処理室２１〜２４および現像処理室３１〜３４から排出される空気量の調整方法は上記の例に限定されない。

例えば、流量調整ダンパ４７，４９の代わりに電動式のファンを設けて空気の排出量を調整してもよく、流通管５２〜５５および流通管６２〜６５の内径を調整することにより空気の排出量を調整してもよい。

（ｇ）また、上記実施の形態においては、給気ユニット４１と給気ユニット４３とが異なる構成を有しているが、給気ユニット４１と給気ユニット４３とが等しい構成を有してもよい。例えば、給気ユニット４１が図９で説明した給気ユニット４３と等しい構成を有してもよく、給気ユニット４３が図８または図１１で説明した給気ユニット４１と等しい構成を有してもよい。

なお、塗布処理ユニット１２９上の給気ユニット４１の構成が図９の給気ユニット４３と等しい構成を有する場合には、２つのカップ２７がそれぞれフィルタ装置２０２，２０３の下方に配置される。

（１２）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、塗布処理部１２１または現像処理部１３１が液処理部の例であり、塗布処理室２１〜２４または現像処理室３１〜３４が複数の処理室の例であり、塗布処理ユニット１２９または現像処理ユニット１３９が液処理装置の例であり、給気ユニット４１が処理室用気体供給部の例であり、給気ユニット４３が搬送室用気体供給部の例であり、塗布処理室２１，２２または現像処理室３１，３２が第１の処理室群の例であり、塗布処理室２３，２４または現像処理室３３，３４が第２の処理室群の例であり、上段搬送室１２５または上段搬送室１３５が第１の搬送室の例であり、下段搬送室１２６または下段搬送室１３６が第２の搬送室の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板処理システムに利用することができる。

基板処理装置の平面図である。 図１の塗布処理部および現像処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。 図１の熱処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 図１の搬送部の構成を説明するための図である。 搬送機構を示す斜視図である。 インターフェイスブロックの内部構成を示す図である。 塗布処理室に設けられる給気ユニットを示す概略図である。 上段搬送室に設けられる給気ユニットを示す概略図である。 上段搬送室に設けられる排気ユニットを示す概略図である。 給気ユニットを示す図である。

符号の説明

１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４ インターフェイスブロック
１５ 露光装置
２１〜２４ 塗布処理室
３１〜３４ 現像処理室
４１，４３，４５ 給気ユニット
４２，４４ 排気ユニット
１００ 基板処理装置
１１２,１２２,１３２ 搬送部
１２１ 塗布処理部
１２３,１３３ 熱処理部
１３１ 現像処理部

Claims (10)

1. 液処理部と前記液処理部に隣接して設けられる搬送部とを備え、
   前記液処理部は、
   階層的に設けられた複数の処理室と、
   前記複数の処理室にそれぞれ設けられ基板に液処理を行う複数の液処理装置と、
   前記複数の処理室にそれぞれ対応して設けられ前記複数の処理室にそれぞれ気体を供給する複数の処理室用気体供給部とを有し、
   前記搬送部は、
   階層的に設けられた複数の搬送室と、
   前記複数の搬送室にそれぞれ設けられ基板を搬送する複数の搬送機構と、
   前記複数の搬送室にそれぞれ対応して設けられ前記複数の搬送室にそれぞれ気体を供給する複数の搬送室用気体供給部とを有することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記複数の処理室は、第１の数の処理室を有する第１の処理室群および第２の数の処理室を有する第２の処理室群を含み、
   前記複数の搬送室は、第１の搬送室および第２の搬送室を含み、
   前記第１の搬送室は前記第１の処理室群に隣接して設けられ、前記第２の搬送室は前記第２の処理室群に隣接して設けられることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の数と前記第２の数は同数であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記複数の処理室用気体供給部は、同じ温度または同じ湿度に調整された気体をそれぞれ対応する処理室に供給することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記複数の処理室用気体供給部には、共通の供給源から気体が供給されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記複数の処理室用気体供給部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する処理室に供給することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 前記複数の搬送室用気体供給部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する搬送室に供給することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記液処理部は、前記複数の処理室にそれぞれ対応して設けられ前記複数の処理室からそれぞれ気体を排出する複数の処理室用気体排出部をさらに有し、
   前記搬送部は、前記複数の搬送室にそれぞれ対応して設けられ前記複数の搬送室からそれぞれ気体を排出する複数の搬送室用気体排出部をさらに有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記複数の処理室用気体排出部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する処理室から排出することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
10. 前記複数の搬送室用気体排出部は、互いに略等しい流量の気体をそれぞれ対応する搬送室から排出することを特徴とする請求項８または９に記載の基板処理装置。

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