JP7241650B2 - 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。 - Google Patents

基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。 Download PDF

Info

Publication number
JP7241650B2
JP7241650B2 JP2019166580A JP2019166580A JP7241650B2 JP 7241650 B2 JP7241650 B2 JP 7241650B2 JP 2019166580 A JP2019166580 A JP 2019166580A JP 2019166580 A JP2019166580 A JP 2019166580A JP 7241650 B2 JP7241650 B2 JP 7241650B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate processing
space
air
filter
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019166580A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021044455A (ja
Inventor
直樹 田島
武志 飛松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2019166580A priority Critical patent/JP7241650B2/ja
Priority to CN202010916170.XA priority patent/CN112485982A/zh
Priority to KR1020200113921A priority patent/KR20210031615A/ko
Publication of JP2021044455A publication Critical patent/JP2021044455A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7241650B2 publication Critical patent/JP7241650B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/0039Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours with flow guiding by feed or discharge devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D46/00Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/42Auxiliary equipment or operation thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Description

本開示は、基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法に関するものである。
特許文献1には、塗布現像処理装置外に設けられた空調器からの清浄な空気を、ダクトを経由して、液供給系ユニット部の上方に設けられたフィルタユニットに供給して、各液供給系ユニット部に供給することが記載されている。
特開2007-88485号公報
本開示にかかる技術は、複数の並列配置された基板処理装置に対してフィルタを介して供給する清浄空気の温度を均一にする。
本開示の一態様は、並列に配置された複数の基板処理装置の上方に設置されるフィルタを有するフィルタ装置であって、前記フィルタの上方に形成されたダクト空間における前記基板処理装置の並列方向の一端部側に、空気流入口が形成され、前記空気流入口から流入した空気は、前記ダクト空間を上下方向に仕切る気流誘導部材によって、前記気流誘導部材の前面側から前記ダクト空間の他端部側に案内され、前記他端部側に案内された空気の少なくとも一部は、前記気流誘導部材の背面側へと戻るように構成され、前記ダクト空間内の空気は、前記フィルタを介して前記基板処理装置へと流れるように構成された、基板処理装置用フィルタ装置である。
本開示によれば、複数の並列配置された基板処理装置に対してフィルタを介して供給する清浄空気の温度を均一にすることができる。
本実施形態にかかるフィルタ装置が搭載された塗布現像処理装置の正面を模式的に示す説明図である。 本実施形態にかかるフィルタ装置の前面側の断面図である。 本実施形態にかかるフィルタ装置の分解斜視図である。 本実施形態にかかるフィルタ装置の上面を模式的に示した説明図である。 本実施形態にかかるフィルタ装置における流通部を示す斜視図である。 本実施形態にかかるフィルタ装置の作用を示す上面を模式的に示した説明図である。 3連タイプの液処理装置に適用するフィルタ装置の上面を模式的に示した説明図である。 3連タイプの液処理装置に適用するフィルタ装置における流通部を示す斜視図である。 3連タイプの液処理装置に適用するフィルタ装置の作用を示す上面を模式的に示した説明図である。
半導体デバイスの製造プロセスでは、半導体装置の製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程において、基板である半導体ウェハ(以下、ウェハと記載することがある)にレジストパターンが形成される。レジストパターンが形成されたウェハは、例えば次にエッチング処理に付される。
このレジストパターンを形成するために、ウェハは例えばレジストの塗布、現像を行う塗布現像装置に搬送されてレジストの液処理が行われた後に、露光処理装置に搬送されて所望のパターンが露光され、その後現像処理に付されてレジストパターンが形成される。
塗布現像処理装置に搭載されている各種基板処理装置に対しては、温湿度が調整された清浄空気が供給される。例えばレジストを塗布するレジスト塗布装置に対しては、その上方からフィルタを介して、所定の温度、湿度の清浄空気がダウンフローで供給されている。温度、湿度が変化するとレジストの膜厚に影響を与えるからである。
この点に関し、特許文献1に開示された技術は、塗布現像処理装置の外に設けられた空調器からの清浄な空気を、縦方向に施工されたダクトを経由して、レジスト塗布装置や現像処理装置などの液供給系ユニット部の上方に設けられたフィルタユニットに供給して、各液供給系ユニットに供給することが記載されている。
温湿度が調整されて空調機から供給される空気は、前記したように縦ダクトを介して、塗布現像処理装置に搭載されている各種基板処理装置へと供給されるが、各種基板処理装置は上下方向に多段に搭載されているため、ダウンフローで各種基板処理装置に清浄空気を供給する場合には、一旦前記縦ダクトから各種基板処理モジュールの一端部の取り入れ口から水平方向に流入させ、その後フィルタを介して下方に位置する基板処理装置に対してダウンフローで供給している。
ところで、最近では、ケーシングで囲まれた1つの液処理モジュール内に、複数の液処理装置が搭載されることがある。例えば液処理モジュールについていえば、1のケーシング内に複数、例えば2台、3台の液処理装置が並列して配置されることがある。液処理装置は、ウェハを保持して回転させるスピンチャックを囲むように、上面が開口したカップを有している。これら各カップに対して上方からダウンフローによって温湿度が調整された清浄空気が、カップ上方に位置するフィルタを介して供給される。
このような1のケーシング内に複数の液処理装置を有する液処理モジュールの場合、一端部側から導入した空気は、他端部側へ流れていく際に、液処理モジュール周囲の熱、例えば各種電気装置から発生する熱によって、温度が上昇することがある。温度が上昇すると、相対湿度も所定の湿度から低下してしまう。
そうすると、液処理装置が並列して配置されている場合、一端部側に位置している液処理装置と他端部側に位置している液処理装置とでは、供給される清浄空気の温湿度が異なってしまい、その結果、各液処理装置で塗布される膜厚も異なってしまい、いわゆる液処理装置間の間差が生じてしまう。
本開示にかかる技術は、そのように液処理装置をはじめとする各種基板処理装置が並列して配置され、かつ基板処理装置の並列方向の一端部側から清浄空気を導入し、フィルタを介して当該フィルタの下方に位置している各基板処理装置に供給するにあたり、一端部側に位置している基板処理装置と他端部側に位置している基板処理装置に対して、温度が均一な空気を供給する。
以下、本実施形態にかかる基板処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図1は、本実施形態にかかるフィルタ装置が採用された液処理装置を搭載した塗布現像処理装置1の正面を模式的に示した説明図である。この塗布現像処理装置1は、複数枚のウェハを収容したキャリアCが搬入出されるキャリアブロック2と、ウェハに所定の処理を施す複数の各種基板処理ユニットを備えた処理ブロック3と、露光処理装置4との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスブロック5と、を一体に接続した構成を有している。
処理ブロック3には、図1に示したレジストをはじめとする各種の塗布膜をウェハに形成したり、現像液などの処理液を供給する液処理モジュール11の他に、ウェハに対して熱処理を行なう熱処理モジュール(図示せず)が多段に搭載されている。また処理ブロック3には、これら液処理モジュール11に供給する各種の処理液を交換可能なタンクに貯蔵しているいわゆるケミカルボックス12が設けられている。
次に液処理モジュール11について説明する。1の液処理モジュール11にはたとえばウェハに対してレジスト液を供給したり、現像液を供給して所定の処理を行なう同一構成の液処理装置21、22が並列して配されている。そして液処理モジュール11内における液処理装置21、22の上方には、フィルタ装置30が配置されている。
各フィルタ装置30には、塗布現像処理装置1の外に設けられている空調機6から、所定の温湿度、例えば23℃、45%RHに調整された空気が、塗布現像処理装置1内において上下方向に施工されているダクト7、8から各液処理モジュール11のフィルタ装置30へと供給される。
液処理装置21、22は、処理液供給時や塗布膜形成時に処理液が周囲に飛散しないように、ウェハを収容し、上面が開口したカップ21a、22aを有している。
フィルタ装置30は、図2、図3に示した構成を有している。すなわちこのフィルタ装置30は、上から順に天板31、ダクト部材32、不織布33、フィルタ34、整流板35を積層して構成されている。そして天板31、ダクト部材32、不織布33によって囲まれた空間は、ダクト空間Zを形成する。
ダクト部材32は、上面、下面が開口し、四面が前面壁32a、他端部側の側壁32b、背面壁32c、一端部側の側壁32dによって囲まれた長方形の枠体構造を有している。側壁32dには、空気流入口32eが形成され、この空気流入口32eには、既述したダクト7、あるいはダクト8に接続され、温湿度が調整されたダクト7、8からの空気を取り入れるようになっている。
ダクト部材32は、ダクト空間Zを上下方向に仕切る気流誘導部材40を有している。この気流誘導部材40は、図3、図4に示したように、空気流入口32eの背面側端部から前面側に向かって斜めに続く導入部41と、導入部41から連続し、かつ平面視で角度を変えて前面壁32a、背面壁32cと平行に延出する案内部42とを有している。
案内部42の終端部と他端部側の側壁32bとの間には、ダクト空間Zを上下方向に仕切り、かつダクト空間Zを前後方向に仕切って、側壁32bと平行に配置される仕切板43が設けられている。仕切板43によってダクト空間Zは、一端部側の第1の空間Z1と他端部側の第2の空間Z2とに区画される。また第1の空間Z1における気流誘導部材40の前面側は前面空間Z1aを構成し、第1の空間Z1における気流誘導部材40の背面側は背面空間Z1bを構成する。但し、前面空間Z1aと背面空間Z1bとは、案内部42の終端部と仕切板43との間の空間によって連通している。
仕切板43には開口部43aが形成されている。この開口部43aの開口位置は、平面視で案内部42の終端部を側壁32cに直線状に延ばして仕切板43と交わる位置よりも背面側(背面壁32c側)に設定されている。
また図4に示したように、気流誘導部材40は、平面視で下方に位置する液処理装置21のカップ21aにかかる位置に設定されており、またカップ21aの中心Pは、気流誘導部材40の案内部42の背面側、すなわち背面空間Z1bに位置している。一方、仕切板43の位置は、平面視で下方に位置する液処理装置22のカップ22aにかかる位置に設定されており、カップ22aの中心Pもダクト空間Zの背面寄りに位置している。仕切板43の位置は、そのように平面視でカップ22aにかかる位置でなくともよく、気流誘導部材40の終端部と第2の空間Z2におけるカップ22aの中心Pとの間に位置する必要がある。たとえば仕切板43の位置が第2の空間Z2におけるカップ22aの中心Pよりも側壁32b寄りにあると、開示にかかる技術の温度間差改善効果が見込めないためである。またカップ21aの中心Pは、平面視で背面空間Z1bに位置し、またカップ22aの中心Pも第2の空間Z2の背面寄りに位置させる方が、平面視で斜めに配置された導入部41から案内部42へとガイドする気流の関係から、左右に並列配置しているカップ21a、22aの温度バランスをとりやすいからである。
さらにまた気流誘導部材40の案内部42には、図5に示したように、前面空間Z1aと背面空間Z1bとを連通させる流通部42aが、案内部42の下端部に例えば複数形成されている。
ダクト空間Zの下側を構成する不織布33は、本実施の形態では図3に示したように4枚の不織布33a、33b、33c、33dを重ねて用いている。最上層の不織布33aは、空気流入口32e付近の一端部側と背面側をカバーするL字形である。他の不織布33b、33c、33dはいずれも長方形である。なお不織布33においては、適宜ラス網が挟み込まれており、不織布に剛性を持たせて形状の維持や平坦性が確保されている。
最下層の不織布33dの下側にはフィルタ34が配置されている。本実施の形態ではULPAフィルタが用いられている。
フィルタ34の下側には、整流板35が配置されている。本実施の形態では、下側に多数の孔が形成されたパンチングメタル35aが配置され、このパンチングメタル35aの四辺には、スペーサ―35bが設けられている。したがってスペーサ―35bによって、フィルタ34の下面とパンチングメタル35aの上面との間には、空間Sが創出されている。
実施の形態にかかるフィルタ装置30は以上の構成を有しており、ダクト7、8からの空気は、フィルタ装置30におけるダクト部材32の一端部に形成された空気流入口32eからダクト空間Zに流れて行く。このとき図6に示したように、流入した空気Aは、水平方向の気流について言えば、気流誘導部材40の導入部41と案内部42に沿って、ダクト空間Zの前面側(前面壁32a側)の前面空間Z1aに流れて行く。そして仕切板43と衝突した後、一部は空気A1として仕切板43の開口部43aから第2の空間Z2内に流れる。また他の一部は、仕切板43に衝突した後、空気A2として、気流誘導部材40の背面側(背面壁32c側)の背面空間Z1bに流れて行く。
また一方で、気流誘導部材40の案内部42に設けられた流通部42aから、前面空間Z1aの空気は、背面空間Z1bのカップ21aの上方に流れて行く。
そして第1の空間Z1の前面空間Z1aに流れ込んだ空気A、背面空間Z1bに流れ込んだ空気A2、及び第2の空間Z2に流れ込んだ空気A1は、下側の不織布33、フィルタ34を経て清浄化されて、整流板35内の上部の空間Sを介して、パンチングメタル35aから下方の液処理装置21、22の上方に流れて行く。
ここで液処理モジュール11の周辺には電気系装置等が存在しているので、ダクト空間Zを他端部側に流れて行くにしたがって、これら装置からの放熱の影響を受けて次第に温度が上昇していく。そのためダクト7、8からの空気が、フィルタ装置30におけるダクト部材32の一端部に形成された空気流入口32eからダクト空間Z内に流入して、他端部側へと流れて行くと、空気流入口32e付近の温度より、他端部側の側壁32b付近の温度の方が高くなる。
したがってそのままフィルタ34を介して下方の液処理装置21、22へ供給される清浄空気の温度も、一端部側の液処理装置21の方が低く、他端部側に位置する液処理装置22の方が高くなる。そうすると、同一構成で並列配置された液処理装置21、22間に処理の装置間差が生ずることになる。
本実施の形態でも、第1の空間Z1の前面空間Z1aに供給されている空気Aの温度よりも第2の空間Z2に供給される空気A1の温度の方が高いが、仕切板43に衝突して第1の空間Z1の背面空間Z1bに供給される空気A2は、流れる距離が長い分周囲の熱の影響によってさらに温度が高くなっている。したがって、このダクト空間Zから不織布33、フィルタ34を介して下方の液処理装置21に流れて行くにしたがって、空気Aと空気A2は混合され、空気A1とほぼ同じ温度に調整される。
特に本実施の形態では、フィルタ34の下面側に空間Sが存在しているので、この空間S内で、第1の空間Z1の前面空間Z1a、背面空間Z1bからの空気は混合され、また第2の空間Z2からの空気とも混合されるので、整流板35のパンチングメタル35aを通過して、下方の液処理装置21、22のカップ21a、22aに供給される清浄空気の温度差(湿度差)を極めて小さくすることができる。したがって並列配置された液処理装置21、22に対して、均一な温度、均一な湿度(相対湿度)の清浄空気を供給することが可能である。空間Sの高さ方向の長さは長い方がよいが、少なくとも2mm以上の高さを確保できれば、所期の混合目的を達成することができる。
実際に発明者らが検証したところ、従来型、すなわちダクト部材32に気流誘導部材40、仕切板43等を有さない従来のフィルタ装置と、本実施の形態にかかるフィルタ装置30とを同一条件で比較した場合、従来型では、液処理装置21、22のカップ21a、22aに供給される清浄空気の湿度差は0.7%あったのに対し、実施の形態では、0.03%に抑えることができた。
また前記実施の形態では、気流誘導部材40の案内部42に設けられた流通部42aを通じて、前面空間Z1aの空気を、背面空間Z1bに流すことができるので、条件に応じて、適宜この流通部42aの数、有無を調整することで、さらに液処理装置21、22のカップ21a、22aに供給される清浄空気の温湿度を調整することが可能である。
また仕切板43の開口部43aの大きさ、開口位置を調整することでも、液処理装置21、22のカップ21a、22aに供給される清浄空気の温湿度を調整することが可能である。
さらにまた本実施の形態では、ダクト部材32の下側であってフィルタ34の上側に不織布33を配置しているので、下方に流れる空気の風速の均一性も調整可能である。実施の形態では、特に風速が大きくなる空気流入口32e付近と背面壁32c付近をカバーするL字形の不織布33aを採用したので、当該領域は圧力損失が大きくなっており、これによって他の領域との間での風速の均一性が向上している。
ところで、最近ではスループット、ウェハの時間当たりの処理枚数を向上させるため、塗布現像処理装置1に搭載する基板処理装置の数を増加させることがあり、液処理装置についても、1の液処理モジュール内にたとえば3台の液処理装置を並列配置するいわゆる3連タイプの液処理モジュールが組み込まれることがある。
本開示にかかる技術はかかる3連タイプの液処理モジュールに対しても適用可能である。図7は、3連タイプの液処理モジュールに対して適用した場合の、フィルタ装置50の平面を模式的に示した説明図である。
このように3台の液処理装置のカップ21a、22a、23aが並列配置されている場合、ダクト空間Zはその分装置の並列方向に長くなっている。そのため、空気流入口32eから流入する空気の流速も、前記した2つのカップ21a、22aの場合よりも高くなっており、通常約1.5倍の流速となっている。
かかる場合には、図7に示したように、気流誘導部材40の導入部41に続く案内部42は、最も他端部側に位置するカップ23aの上方にかかる位置まで延出させ、前記実施の形態において採用した仕切板43は配置しない。案内部42の終端部と他端部側の側壁32bとの間には開口部51が形成されている。
そして案内部42によって創出された前面空間Zaと背面空間Zbとの間を連通させる案内部42に設けられた流通部42bは、図8に示したように、案内部42の上端部に形成されている。これは空気の流速が早いため、前記実施の形態のように案内部42の下側に設けると、下方に十分流れて行かない場合があるからである。またこのフィルタ装置50では、導入部41の上端部にも流通部42bと同様な流通部(図示せず)が形成されている。
この3連タイプに適用した場合でも、各カップ21a、22a、23aの中心Pは、ダクト空間Zの背面空間Zb側に位置するように、ダクト部材32は設定されている。
なおこの3連タイプに適用するフィルタ装置50における他の構成、すなわち不織布33、フィルタ34、整流板35の構成は、前記実施の形態にかかるフィルタ装置30と同じである。
以上の構成にかかるフィルタ装置50によれば、図9に示したように、空気流入口32eから流入した空気Aは、導入部41、案内部42に沿って、ダクト空間Zの前面空間Zaに沿って流れて行き、他端部側の側壁32bに衝突して、ダクト空間Zの背面空間Zb側に背面壁32cに沿って流れて行く。
この場合、前記した並列タイプのフィルタ装置30のダクト空間Zよりも空気が流れる距離が長いので、前面空間Zaにおける一端部側(空気流入口32e付近)と他端部側(側壁32b側)との間の温度差は大きくなっている。すなわち、前面空間Zaにおいては、最も温度が低い空気はカップ21aの上方から、次に温度が高い空気はカップ22aの上方から、最も高い空気は、カップ23aの上方から各カップに対して供給されるが、背面空間Zbにおいては、流れて行く距離が長い分周囲の熱の影響を受けるので、カップ23aよりもカップ22aに供給される空気の温度が高く、カップ22aよりもカップ21aに供給される空気の温度が高くなっている。したがって、各カップに対しては、各々両者が混合した空気が供給されるので、温度の差が是正された空気が各カップ21a、22a、23aに対して供給されることになる。したがって各カップ21a、22a、23aに供給される清浄空気の温度、そして湿度は均一化される。
またこのフィルタ装置50においても、案内部42に流通部42bが設けられているので、前面空間Zaの比較的温度の低い空気を、背面空間Zbに適宜供給することができる。したがって、条件に応じてこの流通部42bの数、設置位置、有無を調整することで、各カップ21a、22a、23aに供給される空気の温度、そして湿度をさらに調整することが可能である。
なお前記した3連タイプの液処理装置に適用するフィルタ装置50では、前記したフィルタ装置30よりもダクト空間Zが並列方向に長くなっているので、背面空間Zbにおいては、他端部側よりも一端部側の空気の温度はさらに高くなっている。そのため、このフィルタ装置50においては、導入部41にも流通部42bと同様な流通部を適宜設けることで、図9に示したように、空気流入口32e付近の最も温度の低い空気を、背面空間Zbの最も一端部側の空間に供給することができる。したがって、下方に位置するカップ21aに対して、他のカップ22a、23aに供給する空気の温度と同程度の温度の空気を供給することが可能である。
もちろん4以上の液処理装置の上方に設置するフィルタ装置についても、上記した3連タイプ用のフィルタ装置50を応用して、適宜案内部42を最も他端部側に位置するカップの上方まで延出し、さらにまた適宜流通部42bを案内部42に設けたり、また必要に応じて導入部41にもそのような流通部を設けることで対応可能である。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば前記実施の形態では、液処理装置を並列配置した際に使用するフィルタ装置であったが、これに限らず他の基板処理装置、例えば基板を載置して冷却するクーリング装置に対しても本開示にかかる技術は適用可能である。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
(1)並列に配置された複数の基板処理装置の上方に設置されるフィルタを有するフィルタ装置であって、
前記フィルタの上方に形成されたダクト空間における前記基板処理装置の並列方向の一端部側に、空気流入口が形成され、
前記空気流入口から流入した空気は、前記ダクト空間を上下方向に仕切る気流誘導部材によって、前記気流誘導部材の前面側から前記ダクト空間の他端部側に案内され、
前記他端部側に案内された空気の少なくとも一部は、前記気流誘導部材の背面側へと戻るように構成され、
前記ダクト空間内の空気は、前記フィルタを介して前記基板処理装置へと流れるように構成された、基板処理装置用フィルタ装置。
(2)前記基板処理装置の数は2であり、
前記気流誘導部材は、前記空気流入口から続く導入部と、平面視で前記導入部から角度を変えて続く案内部とを有し、
少なくとも前記案内部は、平面視で前記一端部側に位置する基板処理装置の上方に位置し、
前記ダクト空間における他端部側壁面と、前記案内部の終端部との間に、前記ダクト空間を上下方向に仕切り、かつ前記ダクト空間を前後方向に仕切って、前記ダクト空間を一端部側の第1の空間と、他端部側の第2の空間とに区画する仕切板が設けられ、
前記仕切板における前記案内部の終端部よりも背面側には、開口部が形成されている、(1)に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(3)前記基板処理装置の数は3以上であり、
前記気流誘導部材は、前記空気流入口から続く導入部と、平面視で前記導入部から角度を変えて続く案内部とを有し、
少なくとも前記案内部は、平面視で前記3以上の基板処理装置の上方に位置し、
前記案内部の終端部と前記ダクト空間における他端部側壁面との間には、開口部がある、(1)に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(4)前記気流誘導部材における導入部または案内部の少なくとも一方に、前記気流誘導部材によって創出された前記ダクト空間における前面側空間から背面側空間へと空気を流通させる流通部が形成されている、(1)~(3)のいずれかに記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(5)前記フィルタの下側には、空気流通孔を有する整流板が配置されている、(1)~(4)のいずれかに記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(6)前記フィルタと前記整流板との間に空間が形成されている、(5)に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(7)前記ダクト空間と前記フィルタとの間に、不織布が配置された(1)~(5)のいずれかに記載の基板処理装置用フィルタ装置。
(8)並列に配置された複数の基板処理装置の上方に設置されるフィルタを有するフィルタ装置を用いた前記基板処理装置への清浄空気供給方法であって、
前記フィルタの上方に形成されたダクト空間における前記基板処理装置の並列方向の一端部側から空気を前記ダクト空間内に導入し、
前記ダクト空間を上下方向に仕切る気流誘導部材によって、前記導入した空気を前記気流誘導部材の前面側から前記ダクト空間の他端部側に案内し、
前記他端部側に案内された空気の少なくとも一部を、前記気流誘導部材の背面側へと戻し、
前記基板処理装置における少なくとも一端部側に位置する基板処理装置に対しては、前記ダクト空間における前記気流誘導部材の前面側空間と背面側空間から、前記フィルタを介して清浄空気を供給する、清浄空気供給方法。
1 塗布現像処理装置
6 空調機
7、8 ダクト
11 液処理モジュール
21、22 液処理装置
21a、22a、23a カップ
30 フィルタ装置
31 天板
32 ダクト部材
32a 前面壁
32b、32c 側壁
32d 背面壁
32e 空気流入口
33、33a、33b、33c、33d 不織布
34 フィルタ
35 整流板
35a パンチングメタル
35b スペーサ―
40 気流誘導部材
41 導入部
42 案内部
42a、42b 流通部
43 仕切板
43a 開口部
A、A1、A2 空気
S 空間
Z ダクト空間
Z1 第1の空間
Z2 第2の空間
Z1a、Za 前面空間
Z1b、Zb 背面空間

Claims (8)

  1. 並列に配置された複数の基板処理装置の上方に設置されるフィルタを有するフィルタ装置であって、
    前記フィルタの上方に形成されたダクト空間における前記基板処理装置の並列方向の一端部側に、空気流入口が形成され、
    前記空気流入口から流入した空気は、前記ダクト空間を上下方向に仕切る気流誘導部材によって、前記気流誘導部材の前面側から前記ダクト空間の他端部側に案内され、
    前記他端部側に案内された空気の少なくとも一部は、前記気流誘導部材の背面側へと戻るように構成され、
    前記ダクト空間内の空気は、前記フィルタを介して前記基板処理装置へと流れるように構成された、基板処理装置用フィルタ装置。
  2. 前記基板処理装置の数は2であり、
    前記気流誘導部材は、前記空気流入口から続く導入部と、平面視で前記導入部から角度を変えて続く案内部とを有し、
    少なくとも前記案内部は、平面視で前記一端部側に位置する基板処理装置の上方に位置し、
    前記ダクト空間における他端部側壁面と、前記案内部の終端部との間に、前記ダクト空間を上下方向に仕切り、かつ前記ダクト空間を前後方向に仕切って、前記ダクト空間を一端部側の第1の空間と、他端部側の第2の空間とに区画する仕切板が設けられ、
    前記仕切板における前記案内部の終端部よりも背面側には、開口部が形成されている、請求項1に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  3. 前記基板処理装置の数は3以上であり、
    前記気流誘導部材は、前記空気流入口から続く導入部と、平面視で前記導入部から角度を変えて続く案内部とを有し、
    少なくとも前記案内部は、平面視で前記3以上の基板処理装置の上方に位置し、
    前記案内部の終端部と前記ダクト空間における他端部側壁面との間には、開口部がある、請求項1に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  4. 前記気流誘導部材における導入部または案内部の少なくとも一方に、前記気流誘導部材によって創出された前記ダクト空間における前面側空間から背面側空間へと空気を流通させる流通部が形成されている、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  5. 前記フィルタの下側には、空気流通孔を有する整流板が配置されている、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  6. 前記フィルタと前記整流板との間に空間が形成されている、請求項5に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  7. 前記ダクト空間と前記フィルタとの間に、不織布が配置される請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置用フィルタ装置。
  8. 並列に配置された複数の基板処理装置の上方に設置されるフィルタを有するフィルタ装置を用いた前記基板処理装置への清浄空気供給方法であって、
    前記フィルタの上方に形成されたダクト空間における前記基板処理装置の並列方向の一端部側から空気を前記ダクト空間内に導入し、
    前記ダクト空間を上下方向に仕切る気流誘導部材によって、前記導入した空気を前記気流誘導部材の前面側から前記ダクト空間の他端部側に案内し、
    前記他端部側に案内された空気の少なくとも一部を、前記気流誘導部材の背面側へと戻し、
    前記基板処理装置における少なくとも一端部側に位置する基板処理装置に対しては、前記ダクト空間における前記気流誘導部材の前面側空間と背面側空間から、前記フィルタを介して清浄空気を供給する、清浄空気供給方法。
JP2019166580A 2019-09-12 2019-09-12 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。 Active JP7241650B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019166580A JP7241650B2 (ja) 2019-09-12 2019-09-12 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。
CN202010916170.XA CN112485982A (zh) 2019-09-12 2020-09-03 基板处理装置用过滤器装置和清洁空气供给方法
KR1020200113921A KR20210031615A (ko) 2019-09-12 2020-09-07 기판 처리 장치용 필터 장치 및 청정 공기 공급 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019166580A JP7241650B2 (ja) 2019-09-12 2019-09-12 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021044455A JP2021044455A (ja) 2021-03-18
JP7241650B2 true JP7241650B2 (ja) 2023-03-17

Family

ID=74862634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019166580A Active JP7241650B2 (ja) 2019-09-12 2019-09-12 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7241650B2 (ja)
KR (1) KR20210031615A (ja)
CN (1) CN112485982A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023097397A (ja) * 2021-12-27 2023-07-07 セメス カンパニー,リミテッド ガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030108349A1 (en) 2001-12-10 2003-06-12 Kouzou Kanagawa Substrate processing apparatus
JP2010087115A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP3171198U (ja) 2011-08-08 2011-10-20 東京エレクトロン株式会社 空気清浄用フィルタ装置
JP2012156488A (ja) 2011-01-05 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20130160261A1 (en) 2011-12-26 2013-06-27 Beijing Sevenstar Electronics Co.,Ltd. Apparatus for manufacturing semiconductor wafer

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007088485A (ja) 2001-12-25 2007-04-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030108349A1 (en) 2001-12-10 2003-06-12 Kouzou Kanagawa Substrate processing apparatus
JP2010087115A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2012156488A (ja) 2011-01-05 2012-08-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3171198U (ja) 2011-08-08 2011-10-20 東京エレクトロン株式会社 空気清浄用フィルタ装置
US20130160261A1 (en) 2011-12-26 2013-06-27 Beijing Sevenstar Electronics Co.,Ltd. Apparatus for manufacturing semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210031615A (ko) 2021-03-22
JP2021044455A (ja) 2021-03-18
CN112485982A (zh) 2021-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102207673B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법 및 단열 부재
US10777437B2 (en) Storage unit, transfer apparatus, and substrate processing system
US10128132B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
US20180308719A1 (en) Liquid Processing Apparatus
US7997813B2 (en) Coating and developing system with a direct carrying device in a processing block, coating and developing method and storage medium
US10573539B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
JP7241650B2 (ja) 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。
US10573546B2 (en) Substrate treating apparatus
US11079691B2 (en) Coating and developing apparatus and coating and developing method
JP5280141B2 (ja) 基板処理装置
CN108335968B (zh) 基片处理装置
CN104425322A (zh) 基板处理设备以及涂覆处理溶液的方法
JP2010087116A (ja) 基板処理装置
KR20060124602A (ko) 기판의 처리시스템
KR20100059712A (ko) 기판의 보관 장치 및 기판의 처리 장치
KR20200136940A (ko) 기판 처리 장치, 공조 방법 및 기억 매체
JP2017139360A (ja) 基板処理装置
KR102545752B1 (ko) 베이크 장치 및 기판 처리 장치
KR102316618B1 (ko) 버퍼 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11073333B2 (en) Substrate treating apparatus and exhaust method thereof
KR20130001222U (ko) 공기 청정용 필터 장치
JP4996749B2 (ja) 基板の処理装置
US20170140962A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20230142290A (ko) 기판처리장치
KR20230149541A (ko) 기판처리장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220613

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230131

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7241650

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150