JP2023097397A - ガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置 - Google Patents

ガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、基板を処理する装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットと、及び前記処理ユニットにガスを供給するガス供給ユニットを含み、前記ガス供給ユニットは:前記処理ユニットの処理空間と流体連通される第１内部空間を有する第１ハウジングと、前記第１内部空間に配置され、前記第１内部空間と流体連通される第２内部空間を有する第２ハウジングと、及び前記第２内部空間にガスを供給するガス供給ダクトを含むことができる。【選択図】図５

Description

本発明は、ガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置に関するものである。
半導体素子または平板表示パネルを製造するためにフォトリソグラフィー工程、エッチング工程、アッシング工程、薄膜蒸着工程、そして、洗浄工程など多様な工程らが遂行される。このような工程らのうちでフォトリソグラフィー工程は半導体基板にフォトレジストを供給して基板表面に塗布膜を形成し、マスクを使用して形成された塗布膜に対して露光処理を遂行した後、現像液を供給して基板上に所望のパターンを得る工程である。特に、最近にはパターンの線幅(CD:Critical Dimension)の微細化を達成するために塗布工程で形成する塗布膜に対して高い水準の均一性(Uniformity)が要求されている。
図１は、基板上に塗布液を供給してウェハーなどの基板上に塗布膜を形成する一般的な基板処理装置を見せてくれる図面である。
図１を参照すれば、一般的な基板処理装置１０００は、処理ユニット１１００とガス供給ユニット１３００を含む。処理ユニット１１００はチャンバ１１１０と液処理モジュール１１２０を含む。チャンバ１１１０はベース１１１１と側壁１１１３を含む。チャンバ１１１０内には回転する基板にフォトレジストを供給して基板表面に塗布膜を形成する液処理モジュール１１２０が提供される。チャンバ１１００内には複数の液処理モジュール１１２０が提供されることができる。
ガス供給ユニット１３００は液処理モジュール１１２０によって形成される塗布膜が均一な厚さで形成されることができるようにチャンバ１１１０内の空間に温度及び/または湿度が調節されたガス(G)を供給する。ガス供給ユニット１３００はメインダクト１３１０とメインダクト１３１０からガス(G)の伝達を受けてチャンバ１１１０内に供給するガス供給ボックス１３２０を含む。ガス供給ボックス１３２０内の空間は、チャンバ１１１０内の空間と流体連通される。
一つの基板処理装置１０００は複数の処理ユニット１１００を含む。ガス供給ボックス１３２０は複数の処理ユニット１１００それぞれに対応されるように提供される。メイン供給ダクト１３１０は分岐されてそれぞれのガス供給ボックス１３２０にガス(G)を供給する。
複数の処理ユニット１１００は半導体製造ラインの空間を考慮して上下方向に沿ってお互いに積層されて配列される。複数の処理ユニット１１００のうちで何れか一つにガス(G)を供給するガス供給ボックス１３２０の上側には複数の処理ユニット１１００のうちで他の一つのベース１１１１が配置されることができる。
一方、処理ユニット１１００のチャンバ１１００内には前述したところのように基板を処理するための液処理モジュール１１２０が配置される。液処理モジュール１１２０は、基板を処理する動作を具現するための多様な動力発生装置を含む。例えば、液処理モジュール１１２０はモータや、シリンダーなどの動力発生装置を含む。このような動力発生装置は動力を発生させる過程で熱を発生させる。動力発生装置が発生させた熱はチャンバ１１１０のベース１１１１に伝達される。ベース１１１１に伝達された熱はベース１１１１の下に配置されるガス供給ボックス１３２０に伝達される。ガス供給ボックス１３２０に伝達された熱はガス供給ボックス１３２０に供給されたガス(G)を加熱する。
図２は、図１のガス供給ボックスらのうちで何れか一つを上部から眺めた図面である。図２に示されたようにガス供給ボックス１３２０でメインダクト１３１０と隣接した領域(図２でA領域)でのガス(G)温度とメインダクト１３１０と遠い領域(図２でB領域)でのガス(G)温度はお互いに変わることがある。ガス(G)がガス供給ボックス１３２０に流入されると、ガス(G)はA領域からB領域を向ける方向に移動するが、ガス(G)はA領域からB領域を向ける方向に移動する過程で続いて加熱される。これに、B領域でのガス(G)温度はA領域でのガス(G)温度より高いことがある。ガス供給ボックス１３２０のB領域からチャンバ１１００に流入されたガス(G)の温度は高くて、ガス供給ボックス１３２０のA領域からチャンバ１１００に流入されたガス(G)の温度は低い。要するに、ガス供給ボックス１３２０を通じてチャンバ１１００内に供給されるガス(G)の温度がチャンバ１１００内の領域によってお互いに変わることがある。
チャンバ１１００内に供給されるガス(G)温度の非均一性は、基板上に形成される塗布膜の厚さに影響を及ぼす。例えば、メインダクト１３１０と隣接した液処理モジュール１１２０によって形成される塗布膜の厚さとメインダクト１３１０と遠い液処理モジュール１１２０によって形成される塗布膜の厚さがお互いに変わることがある。また、基板上に形成される塗布膜の厚さも均一でないこともある。
韓国特許第10-0705965号公報
本発明は、基板を効率的に処理することができるガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は、チャンバの処理空間に供給されるガスの温度を比較的均一にさせるガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は、基板上に形成される塗布膜の均一性を改善することができるガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明が解決しようとする課題が前述した課題らに限定されるものではなくて、言及されない課題らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットと、及び前記処理ユニットにガスを供給するガス供給ユニットを含み、前記ガス供給ユニットは:前記処理ユニットの処理空間と流体連通される第１内部空間を有する第１ハウジングと、前記第１内部空間に配置され、前記第１内部空間と流体連通される第２内部空間を有する第２ハウジングと、及び前記第２内部空間にガスを供給するガス供給ダクトを含むことができる。
一実施例によれば、前記第２ハウジングは:ガスが流れる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置され、一端が前記噴射部と連結されるダクト部を含むことができる。
一実施例によれば、前記ホールは複数個が前記噴射部に形成されることができる。
一実施例によれば、前記噴射部は前記第１内部空間の中央領域に配置されることができる。
一実施例によれば、前記噴射部は円筒形状を有して、前記ホールは前記噴射部の側部に形成されることができる。
一実施例によれば、前記処理ユニットは:第１処理ユニットと、及び前記第１処理ユニットの下に配置される第２処理ユニットを含み、前記第１ハウジングと前記第２ハウジングは前記第１処理ユニットと前記第２処理ユニットとの間に配置されることができる。
一実施例によれば、前記第１ハウジングは上面が前記第１処理ユニットの下面とお互いに離隔されるように設置されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは:前記第１ハウジングを前記第１処理ユニットに固定させる断熱素材の固定手段をさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは:前記第１ハウジングと前記第１処理ユニットとの間に設置されて断熱素材の断熱パッドをさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは:前記処理空間に供給される単位時間当りガスの供給流量を調節する流量調節ダンパをさらに含むことができる。
また、本発明は基板を処理する処理ユニットで温度または湿度が調節されたガスを供給するガス供給ユニットを提供する。ガス供給ユニットは、二重チャンバ構造を有して前記処理ユニットの処理空間と流体連通する内部空間を有するガス供給ハウジングと、及び前記ガス供給ハウジングにガスを供給するガス供給ダクトを含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ハウジングは:第１内部空間を有する第１ハウジング-前記第１ハウジングの前記処理空間と向い合う面には前記第１内部空間と前記処理空間を流体連通させる少なくとも一つ以上の打孔が形成される-；前記第１内部空間に配置され、前記ガス供給ダクトからガスが流入される第２内部空間を有する第２ハウジングを含むことができる。
一実施例によれば、前記第２ハウジングは:前記第２内部空間と前記第１内部空間を流体連通させる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置されるダクト部を含むことができる。
一実施例によれば、前記ホールは前記噴射部の上部、側部、そして、下部のうちで側部に形成されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは:前記打孔と前記第２ハウジングとの間に配置されてガスをフィルタリングするフィルターをさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは:既処理空間に供給されるガスの単位時間当り供給流量を調節する流量調節ダンパをさらに含むことができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板に塗布液を供給して基板上に液膜を形成する処理ユニットと、及び前記処理ユニットにガスを供給するガス供給ユニットを含み、前記処理ユニットは:処理空間を有するチャンバと、上部が開放された桶形状を有するボールと、前記ボール内で基板を支持するチャックと、前記チャックを回転させる駆動機と、前記チャックに支持された基板に塗布液を供給するノズルと、及び前記ボール内に流入されるガスを排気する排気配管を含み、前記ガス供給ユニットは:二重チャンバ構造を有して前記処理空間と流体連通する内部空間を有するガス供給ハウジングと、及び前記内部空間にガスを供給するガス供給ダクトを含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ハウジングは:前記処理空間と流体連通される第１内部空間を有する第１ハウジングと、及び前記第１内部空間に配置され、前記第１内部空間と流体連通される第２内部空間を有する第２ハウジングを含み、前記第２ハウジングは:ガスが流れる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置され、一端が前記噴射部と連結されるダクト部を含み、前記噴射部は前記第１内部空間の中央領域に配置されることができる。
一実施例によれば、前記処理ユニットは複数個で提供され、前記ガス供給ハウジングは複数個で提供されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ダクトは少なくともふたつ以上の前記ガス供給ハウジングにガスを供給するように構成されることができる。
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の一実施例によれば、チャンバの処理空間に供給されるガスの温度は比較的均一なことがある。
また、本発明の一実施例によれば、基板上に形成される塗布膜の均一性を改善することができる。
本発明の効果が前述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう
基板上に塗布液を供給してウェハーなどの基板上に塗布膜を形成する一般的な基板処理装置を見せてくれる図面である。 図１のガス供給ボックスらのうちで何れか一つを上部から眺めた図面である。 本発明の一実施例による基板処理装置を側部から眺めた断面図である。 図３の処理ユニットの液処理モジュールを見せてくれる図面である。 図３のガス供給ユニットを見せてくれる図面である。 図５のガス供給ユニットのガス供給ハウジングの内部を見せてくれる図面である。 ガス供給ユニットがチャンバの処理空間にガスを供給する姿を見せてくれる図面である。 同じく、ガス供給ユニットがチャンバの処理空間にガスを供給する姿を見せてくれる図面である。 本発明の他の実施例によるガス供給ユニットの姿を見せてくれる図面である。 本発明の他の実施例によるガス供給ユニットの姿を見せてくれる図面である。 本発明の他の実施例によるガス供給ユニットの姿を見せてくれる図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
以下では本発明の一実施例によるガス供給ユニット及びこれを含む基板処理装置に対して詳しく説明する。
図３は、本発明の一実施例による基板処理装置を側部から眺めた断面図である。図３を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０は処理ユニット１００、そして、ガス供給ユニット３００を含むことができる。
処理ユニット１００は基板(W)を処理する処理工程を遂行することができる。処理ユニット１００は基板(W)に処理液を供給して基板(W)を処理する処理工程を遂行することができる。処理ユニット１００は基板(W)に塗布液を供給して基板(W)を処理する処理工程を遂行することができる。例えば、処理ユニット１００は基板(W)にフォトレジストを供給して基板(W)上にフォトレジスト膜(Photoresist Layer)または反射防止膜(ARC、Anmti Reflective Coating Layer)を形成する塗布工程を遂行することができる。また、処理ユニット１００は基板(W)に現像液を供給して露光処理された基板(W)上にパターンを形成する現像工程を遂行することができる。また、図示されなかったが、基板処理装置１０は基板(W)を加熱処理して基板(W)上の薄膜を安定化させる加熱工程を遂行するベークユニットをさらに含むことができる。
一例で、処理ユニット１００らのうちで何れか一つで基板(W)に薄膜を形成する第１塗布工程を遂行することができる。第１塗布工程には塗布液を供給して基板(W)上に反射防止膜(ARC)を形成することができる。以後ベークユニットで反射防止膜(ARC)を安定化させるARCベーク工程を遂行することができる。以後、処理ユニット１００らのうちで他の一つで基板(W)に薄膜を形成する第２塗布工程を遂行することができる。第２塗布工程には塗布液を供給して基板(W)上にフォトレジスト膜を形成することができる。以後ベークユニットでフォトレジスト膜を安定化させるSoftベーク工程を遂行することができる。Softベーク工程では基板(W)上に残っていることがあるSolvent成分を蒸発させることができる。
Softベーク工程が遂行された以後、図示されない露光装置によって基板(W)は露光処理されることができる。露光工程が遂行された以後、ベークユニットでフォトレジスト膜の表面を平坦化させ、Standing Wave(露光処理時光の干渉によってフォトレジスト膜界面にきめが生じたもの)を改善するPost Exposureベーク工程を遂行することができる。以後、処理ユニット１００のうちでまた他の一つで基板(W)上に現像液を供給して基板(W)に対して現像工程を遂行することができる。現像工程が遂行された以後、ベークユニットは基板(W)に対してHardベーク工程を遂行することができる。Hardベーク工程は基板(W)上に残っているSolventと現像液を除去し、フォトレジスト膜の熱的特性を向上させるHardベーク工程であることができる。
上のARCベーク工程、Softベーク工程、Post Exposureベーク工程、そして、Hardベーク工程は一つのベークユニットで遂行されることができるし、または、それぞれお互いに異なるベークユニットで遂行されることもできる。
基板処理装置１０は処理ユニット１００を少なくとも一つ以上含むことができる。例えば、基板処理装置１０は処理ユニット１００を複数個含むことができる。処理ユニット１００らのうちで一部は水平方向に並んで配列されることができる。処理ユニット１００らのうちで他の一部は上下方向に並んで配列されることができる。処理ユニット１００らは上下方向に積層されて提供されることができる。処理ユニット１００の数は基板処理装置１０が配置される半導体製造ラインの面積、時間当たり処理が要求される基板(W)の数などを考慮して多様に変形されることができる。
また、それぞれの処理ユニット１００はチャンバ１１０と液処理モジュール１３０を含むことができる。チャンバ１１０はベース１１１と側壁１１３を含むことができる。ベース１１１と側壁１１３はお互いに組合されて基板(W)を処理する処理空間１１５の少なくとも一部を定義することができる。ベース１１１はチャンバ１１０の底部であることができる。側壁１１３はチャンバ１１０の側部であることができる。ベース１１１は後述する液処理モジュール１３０を駆動するためのインターフェースラインが提供される空間を含むことができる。また、ベース１１１は後述する液処理モジュール１３０の配管アセンブリー１６０の一構成が配置されることができる空間を含むことができる。
基板(W)に対して液処理を遂行する液処理モジュール１３０を含むことができる。処理ユニット１００は液処理モジュール１３０を少なくとも一つ以上を含むことができる。例えば、処理ユニット１００は液処理モジュール１３０を複数個含むことができる。すなわち、処理ユニット１００はチャンバ１１０の処理空間１１５に複数個の液処理モジュール１３０が配置されることができる。処理ユニット１００らのうちで一部１００aは液処理モジュール１３０を２個含むことができるし、処理ユニット１００らのうちで他の一部１００bは液処理モジュール１３０を３個含むことができる。しかし、これは一つの例示であり、液処理モジュール１３０の数は処理ユニット１００らの配置及び処理ユニット１００らが占める面積によって多様に変形されることができる。
図４は、図３の処理ユニットの液処理モジュールを見せてくれる図面である。以下では、処理ユニット１００らのうちで前述した第１塗布工程または第２塗布工程を遂行する液処理モジュール１３０を例を挙げて説明する。また、前述した現像工程を遂行する液処理モジュール１３０の構造は、第１塗布工程または第２塗布工程を遂行する液処理モジュール１３０と同一または類似なことがある。
図４を参照すれば、本発明の一実施例による処理ユニット１００の液処理モジュール１３０はチャックアセンブリー１４０、ボールアセンブリー１５０、配管アセンブリー１６０、そして、液供給アセンブリー１７０を含むことができる。
チャックアセンブリー１４０は基板(W)を支持及び回転させることができる。チャックアセンブリー１４０は基板(W)に処理液(例えば、フォトレジスト膜や、反射防止膜を形成する塗布液)が供給されるうちに基板(W)を支持及び/または回転させることができる。チャックアセンブリー１４０はチャック１４１、回転軸１４２、そして、駆動機１４３を含むことができる。
チャック１４１は基板(W)を支持する安着面を有することができる。また、チャック１４１は後述するボールアセンブリー１５０内で基板(W)を支持及び回転させることができる。チャック１４１の安着面には基板(W)の下面が支持されることができる。チャック１４１は側部から眺める時、上面の面積が下面の面積より大きい形状を有することができる。チャック１４１は上広下狭の形状を有することができる。チャック１４１は上部から眺める時、基板(W)より小さな直径を有することができる。よって、基板(W)の中央領域はチャック１４１に支持され、基板(W)の縁領域はチャック１４１の外側に突き出されることができる。チャック１４１は基板(W)を真空吸着方式で基板(W)をチャッキング(Chucking)できるように構成されることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、チャック１４１は基板(W)をチャッキング(Chucking)できる多様な形態で変形されることができる。例えば、チャック１４１は基板(W)の側部を支持する複数のチャッキングピンを含み、チャッキングピンらが基板(W)の側部を基板(W)の中心を向ける方向に力を加えて基板(W)をチャッキングすることもできる。
チャック１４１は回転軸１４２の一端と連結されることができる。回転軸１４２は中空軸であることができる。回転軸１４２はチャック１４１を回転させ、チャック１４１に置かれた基板(W)を回転させることができる。回転軸１４２は中空モータであることができる駆動機１４３と連結されることができる。駆動機１４３はチャック１４１を回転させることができる。駆動機１４３は回転軸１４２を回転させる動力を発生させることができる。前述した例では駆動機１４３が中空モータであることを例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、駆動機１４３の種類は公知された動力発生装置で多様に変形されることができる。
ボールアセンブリー１５０は後述する液供給アセンブリー１７０で供給する処理液を回収して基板処理装置１０の外部に排出することができる。液供給アセンブリー１７０で供給された処理液が回転する基板(W)によって基板(W)の外側に飛散されることができる。ボールアセンブリー１５０は基板(W)の外側に飛散する処理液を回収して基板処理装置１０の外部に排出することができる。ボールアセンブリー１５０は後述するガス供給ユニット３００が供給するガスを吸入して基板処理装置１０の外部に排出することができる。
ボールアセンブリー１５０は外側ボール１５１、外側ボール昇降機１５２、内側ボール１５３、そして、内側ボール昇降機１５４を含むことができる。外側ボール１５１は上部が開放された桶形状を有することができる。外側ボール１５１は底部、底部から垂直な方向に延長される壁部、そして、壁部から基板(W)の中心を向ける方向に傾くように提供される傾斜部を含むことができる。外側ボール昇降機１５２は外側ボール１５１を上下方向に昇降させることができる。外側ボール昇降機１５２は空圧シリンダー、または油圧シリンダーであるか、またはモータなどの動力発生装置で提供されることができる。
内側ボール１５３は外側ボール１５１内に配置されることができる。内側ボール昇降機１５４は内側ボール１５３を上下方向に昇降させることができる。内側ボール昇降機１５４は空圧シリンダー、または油圧シリンダーであるか、またはモータなどの動力発生装置で提供されることができる。
内側ボール１５３は外側ボール１５１と組合されて処理液が排出されるドレン経路、またはガス供給ユニット３００が供給するガスを排気する排気経路を定義することができる。内側ボール１５３は外側ボール１５１とお互いに組合されてドレン経路のうちで一部であることがあるドレン空間１５５を定義することができる。ドレン空間１５５は後述するドレン配管１６１とお互いに向い合うことができる。内側ボール１５３は排気経路のうちで一部であることがあるバッファー空間１５６を定義することができる。バッファー空間は後述する排気配管１６２と向い合うことができる。
基板(W)に処理液が供給される間には、基板(W)から飛散される処理液が外側ボール１５１と内側ボール１５３との間に回収されるように外側ボール昇降機１５２と内側ボール昇降機１５４は外側ボール１５１と内側ボール１５３の高さを調節することができる。
配管アセンブリー１６０はドレン配管１６１、排気配管１６２、ドレンライン１６３、そして、排気ライン１６４を含むことができる。
ドレン配管１６１は前述したドレン空間１５５と向い合うことができる。液供給アセンブリー１７０の供給する処理液は内側ボール１５３と外側ボール１５１との間のドレン経路に沿って回収されることができるが、回収された処理液はドレン空間１５５を経ってドレン配管１６１に流入されることができる。ドレン配管１６１に流入された処理液はドレン配管１６１と連結されるドレンライン１６３を通じて外部に排出されることができる。
排気配管１６２はボールアセンブリー１５０内に流入されるガスを基板処理装置１０の外部に排気することができる。排気配管１６２は前述したバッファー空間１５６と向い合うことができる。後述するガス供給ユニット３００が供給するガスは内側ボール１５３と外側ボール１５１との間の排気経路(排気経路は前述したドレン経路と一部重畳されることができる)に沿って流れることができるが、ガスはバッファー空間１５６を経って排気配管１６２に流入されることができる。排気配管１６２に流入されたガスは排気配管１６２と連結される排気ライン１６４を通じて外部に排出されることができる。また、前述した排気ライン１６４及びドレンライン１６３は前述したベース１１１内の空間に提供されることができる。
液供給アセンブリー１７０はチャックアセンブリー１４０に支持されて回転する基板(W)に処理液を供給することができる。液供給アセンブリー１７０は第１ノズル１７１、第２ノズル１７２、そして、ノズルアーム１７３を含むことができる。第１ノズル１７１は基板(W)に第１処理液を供給することができる。第２ノズル１７２は基板(W)に第２処理液を供給することができる。ノズルアーム１７３は図示されない駆動装置と連結され、第１ノズル１７１と第２ノズル１７２の位置を変更させることができる。第１ノズル１７１が供給する処理液はフリーウェット液であることができる。フリーウェット液は基板(W)の表面性質が疎水性を有するように変化させるシンナー(Thinner)であることがある。第２ノズル１７２が供給する処理液は塗布液であることができる。塗布液はフォトレジストのような減光液であることができる。塗布液は前述した反射防止膜を形成する塗布液であることができる。しかし、これに限定されるものではなくて第２ノズル１７２が供給する処理液の種類は多様に変形されることができる。
再び図３を参照すれば、ガス供給ユニット３００は処理ユニット１００にガスを供給することができる。ガス供給ユニット３００が供給するガスは温度及び/または湿度が調節されたガスであることがある。ガス供給ユニット３００が供給するガスはCDA(Clean Dry Air)であることがある。
ガス供給ユニット３００はガス供給ダクト３１０、ガス供給ハウジング３３０、固定手段３５０、そして、断熱パッド３６０を含むことができる。ガス供給ハウジング３３０は少なくとも一つ以上が提供されることができる。例えば、ガス供給ハウジング３３０は複数個が提供され、それぞれの処理ユニット１００に対応されるように提供されることができる。ガス供給ハウジング３３０はそれぞれの処理ユニット１００が有するチャンバ１１０内の処理空間１１５にガスを供給できるように構成されることができる。ガス供給ハウジング３３０は前述した処理空間１１５を定義する構成らのうちで一つであることがある。ガス供給ハウジング３３０は液供給モジュール１３０の上側に配置されて液供給モジュール１３０を向ける下降気流を形成することができる。下降気流はガス供給ハウジング３３０が供給するガスによって形成されることができる。
ガス供給ハウジング３３０は隣接した処理ユニット１００らの間に配置されることができる。ガス供給ハウジング３３０は上下方向に配置される処理ユニット１００らの間に配置されることができる。例えば、上側に配置される処理ユニット１００を第１処理ユニットと言って、第１処理ユニットの下側に配置される処理ユニット１００を第２処理ユニットとする時、ガス供給ハウジング３３０は第１処理ユニットと第２処理ユニットとの間に配置されることができる。
ガス供給ダクト３１０はそれぞれのガス供給ハウジング３３０に前述した温度及び/または湿度が調節されたガスを供給することができる。ガス供給ダクト３１０は複数個が提供されることができる。ガス供給ダクト３１０は基板処理装置１０の一側に配置される第１ガス供給ダクト、基板処理装置１０の他側に配置される第２ガス供給ダクトを含むことができる。第１ガス供給ダクトは第１ガス供給ダクトと隣接したガス供給ハウジング３３０らにガスを供給し、第２ガス供給ダクトは第２ガス供給ダクトと隣接したガス供給ハウジング３３０らにガスを供給することができる。
ガス供給ダクト３１０はメインダクト３１１、そして、分岐ダクト３１３を含むことができる。ガス供給ダクト３１０は、メインダクト３１１は上下方向に延長されることができる。メインダクト３１１はガス供給源(図示せず)から温度及び/または湿度が調節されたガスの伝達を受けることができる。ガス供給源が供給するガスは、温度が２０℃乃至２５℃(望ましくは、２３℃)で調節され、湿度が４０％乃至５０％(望ましくは、４５％)で調節されることができる。
分岐ダクト３１３はメインダクト３１１から分岐されることができる。分岐ダクト３１３の一端はガス供給ハウジング３３０と連結され、他端はメインダクト３１１と連結されることができる。分岐ダクト３１３はメインダクト３１１と別個の構成で提供されて溶接などの方式でお互いに合着されることができる。または、分岐ダクト３１３はメインダクト３１１と一体の構成で提供されることもできる。分岐ダクト３１３はメインダクト３１１から温度及び/または湿度が調節されたガスの伝達を受けてガス供給ハウジング３３０に伝達することができる。ガス供給ハウジング３３０に伝達されたガスは処理ユニット１００の処理空間１１５に伝達されて下降気流を形成することができる。
図５は、図３のガス供給ユニットを見せてくれる図面であり、図６は図５のガス供給ユニットのガス供給ハウジングの内部を見せてくれる図面である。図６ではガス供給ハウジング３３０の構造をより明確に表現するため、フィルター３３８、そして、固定手段３５０などの構成は略して示した。
図５及び図６を参照すれば、分岐ダクト３１３内には処理空間１１５に供給されるガスの単位時間当り供給流量を調節する流量調節部材である、流量調節ダンパ３１５が設置されることができる。流量調節ダンパ３１５は分岐ダクト３１３の開放率を調節して第２内部空間３３６に供給されるガス(G)の単位時間当り供給流量を調節することができる。また、ガス供給ハウジング３３０は固定手段３５０によって上側に配置される処理ユニット１００のベース１１１に固定されることができる。固定手段３５０はボルト、またはねじであることができる。固定手段３５０は金属素材で提供されることができる。固定手段３５０はステンレス鋼で提供されることができる。しかし、これに限定されるものではなくて固定手段３５０は熱伝導度が低い断熱素材、例えば、ウレタンやPEEK素材で提供されることもできる。また、固定手段３５０で、後述する第１内部空間３３２に露出される部分はガス供給ユニット３００が供給するガスに対して耐食性を有する素材でコーティングされることができる。また、ガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間には断熱パッド３６０が設置されることができる。断熱パッド３６０はリング形状を有して、前述した固定手段３５０は断熱パッド３６０に挿入されることができる。断熱パッドは熱伝導度が低い断熱素材、例えば、ウレタンやPEEK素材で提供されることができる。
また、ガス供給ハウジング３３０、より具体的には、ガス供給ハウジング３３０が含む第１ハウジング３３１の上面はベース１１１の下面と離隔されるように固定手段３５０によってベース１１１に設置されることができる。これはベース１１１に伝達された熱がガス供給ハウジング３３０に伝達されることを最小化するためである。
ガス供給ハウジング３３０は第１ハウジング３３１（外側ハウジングの一例)、第２ハウジング３３５（内側ハウジングの一例)、そして、フィルター３３８を含むことができる。第１ハウジング３３１はガス供給ハウジング３３０の外側チャンバであり、第２ハウジング３３５はガス供給ハウジング３３０の内側チャンバであることができる。すなわち、ガス供給ハウジング３３０は二重チャンバ構造を有することができる。
第１ハウジング３３１は外側チャンバとして、第１内部空間３３２を有することができる。第２内部空間３３２には内側チャンバである第２ハウジング３３５が配置されることができる。第２ハウジング３３５はガス供給ダクト３１０から供給されるガスが流入されるハウジングであることができる。
第１ハウジング３３１の下面、具体的には、下部に配置される処理ユニット１００の処理空間１１５と向い合う面には第１内部空間３３２と処理空間１１５をお互いに流体連通させる少なくとも一つ以上の打孔３３３が形成されることができる。すなわち、第１ハウジング３３１は打孔３３３が形成された打孔プレートを含むことができる。
第２ハウジング３３５はガス供給ダクト３１０が供給するガスが流入される空間である第２内部空間３３６を含むことができる。また、第２ハウジング３３５は噴射部３３５a、そして、ダクト部３３５bを含むことができる。噴射部３３５aは上部から眺める時概して円筒形状を有することができる。ダクト部３３５aは噴射部３３５aと分岐ダクト３１３との間に配置され、ガス供給ダクト３１０が供給するガスを噴射部３３５aに伝達することができる。
ダクト部３３５bは噴射部から延長されてガス供給ダクト３１０の分岐ダクト３１３と連結されることができる。噴射部３３５aは第１内部空間３３２の中央領域に配置されることができる。噴射部３３５aは上部から眺める時、そして、ガス供給ハウジング３３０の断面から眺める時、第１内部空間３３２の中央領域に配置されることができる。
また、噴射部３３５aには第２内部空間３３６と第１内部空間３３２をお互いに流体連通させる少なくとも一つ以上のホール３３７が形成されることができる。例えば、ホール３３７は噴射部３３５aに複数個が形成されることができる。ホール３３７は噴射部３３５aの上部、側部、そして、下部のうちで側部に形成されることができる。ホール３３７は噴射部３３５aの側部にお互いに同じ間隔で離隔されて形成されることができる。ホール３３７は噴射部３３５aの側部に形成されるが、上部から眺めた噴射部３３５aの外周の円周方向に沿ってお互いに離隔されて形成されることができる。
また、第２ハウジング３３５と第１ハウジング３３１の打孔プレートとの間には、フィルター３３８が配置されることができる。フィルター３３８はHEPAフィルタ(HEPA FILTER、High Efficiency Particulate Air Filter)であることがある。フィルター３３８は打孔３３３と第２ハウジング３３５との間に配置され、処理空間１１５に流入されるガスをフィルタリングすることができる。
図７と図８は、ガス供給ユニットがチャンバの処理空間にガスを供給する姿を見せてくれる図面である。図７と図８を参照すれば、ガス供給ダクト３１０が供給するガス(G)は、メインダクト３１１を通じてそれぞれの分岐ダクト３１３に伝達され、分岐ダクト３１３に伝達されたガス(G)は分岐ダクト３１３それぞれと連結されるガス供給ハウジング３３０の内部空間３３２、３３６に伝達されることができる。分岐ダクト３１３に伝達されたガス(G)は第２内部空間３３６に流入され、第２内部空間３３６に流入されたガス(G)はホール３３７を通じて第１内部空間３３２に流入されることができる。第１内部空間３３２に流入されたガスはフィルター３３８と打孔３３３を経って処理空間１１５に流入されることができる。処理空間１１５に供給されるガス(G)は処理空間１１５に下降気流を形成することができる。処理空間１１５に供給されたガス(G)はボールアセンブリー１５０の排気経路に流入され、排気経路に流入されたガス(G)はバッファー空間１５６を経って排気配管１６２を通じて外部に排気されることができる。
本発明の一実施例によれば、ガス供給ダクト３１０が供給するガス(G)はダクト部３３５bを経って噴射部３３５aに流入される。すなわち、ガス(G)はダクト部３３５bを通じて第１内部空間３３２の中央領域に配置される噴射部３３５aに流入されて第１内部空間３３２の中央領域に先噴射されることができる。前で説明したところのように、メインダクト１３１０から流入されるガスはガス供給ボックス１３２０に伝達され、ガス供給ボックス１３２０に伝達されたガスはメインダクト１３１０から遠くなる方向に流れながら持続加熱される。これにガス供給ボックス１３２０でメインダクト１３１０と隣接した領域でのガス(G)温度と、メインダクト１３１と遠い領域でのガス(G)温度がお互いに相異な問題があった。しかし、本発明の一実施例によれば、ガス供給ハウジング３３０が二重チャンバ構造を有して、ガス供給ハウジング３３０に供給されたガス(G)が第１ハウジング３３１の中央領域に噴射された以後、第１内部空間３３２で拡散されて処理空間１１５に流入される。すなわち、ガス供給ダクト３１０の位置に根拠して偏心供給されたガス(G)を第１内部空間３３２の中央領域に先噴射して、以後処理空間１１５にガス(G)を流入させるので、外部発熱源(例えば、ガス供給ハウジング３３０の上部に配置される処理ユニット１００の駆動機１４３など)の影響性を最小化して温度及び/または湿度が調節されたガス(G)を処理空間１１５に均一に供給することができるようになる。これに、処理空間１１５に流入されるガス(G)の温度偏差を改善することができる。
処理空間１１５に流入されるガス(G)の温度偏差が改善される場合、基板(W)上に形成される薄膜の厚さの均一性も改善されることができる。具体的に、ボールアセンブリー１５０を基準で、左右温度偏差が０．１℃以上の場合、基板(W)上に形成される薄膜の厚さに影響を及ぼすことがあるが、本願発明は処理空間１１５に流入されるガス(G)の温度偏差を改善(具体的に、ボールアセンブリー１５０を基準で、左右温度偏差が０．１℃未満になるように管理)して基板(W)上に形成される薄膜厚さが均一になることができない問題点を改善することができる。
また、前で説明したところのように一つの処理ユニット１００は複数個の液処理モジュール１３０を含むことができるが、一つの処理空間１１５に供給されるガス(G)の温度偏差が改善されるので、それぞれの液処理モジュール１３０で形成される基板(W)上の薄膜の厚さ偏差も改善(すなわち、厚さ偏差の程度が減少)されることができる。すなわち、液処理モジュール１３０らの間の処理程度の均一性(Tool To Tool Matching、TTTMとも称する)を改善することができる。
また、前述したところのようにガス供給ハウジング３３０はその上面がベース１１１の下面と離隔されるように設置される。これに、ベース１１１の熱がガス供給ハウジング３３０に伝達されてガス供給ハウジング３３０が供給するガス(G)の温度に影響を与えることを最小化することができる。また、前述したところのようにガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間には断熱パッド３６０が提供され、ベース１１１の熱がガス供給ハウジング３３０に伝達されることを最小化することができる。
前述した例ではガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間にリング形状の断熱パッド３６０が配置されることを例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図９に示されたようにガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間には板形状の断熱プレート３７０が配置されることができる。断熱プレート３７０は断熱パッド３６０と類似に断熱素材、例えば、ウレタンやPEEKのような素材で提供されることができる。
前述した例ではガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間にリング形状の断熱パッド３６０が配置されることを例を挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、図１０に示されたようにガス供給ハウジング３３０とベース１１１との間には真空空間３８１を有する断熱ハウジング３８０が提供されることができる。断熱ハウジング３３０は断熱素材、例えば、ウレタンやPEEKのような素材で提供されることができるし、内部が真空雰囲気である真空空間３８１に提供されることができる。真空の場合熱伝導率が非常に低いので、ベース１１１の熱がガス(G)の温度に影響を及ぼすことを最小化することができる。断熱ハウジング３８０が提供される場合ガス供給ハウジング３３０は断熱ハウジング３８０に締結手段(I)によって固定及び締結されることができる。締結手段(I)はボルト、またはねじであることができる。
前述した例では噴射部３３５aがダクト部３３５bによって固定されることを例を挙げて図示したが、これに限定されるものではない。例えば、噴射部３３５aの位置がより安定的に固定されることができるように、ガス供給ユニット３００は噴射部３３５aを第１ハウジング３３１に固定させる固定部材３９０をさらに含むことができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
１１００ 処理ユニット
１１１０ チャンバ
１１１１ ベース
１１１３ 側壁
１１２０ 液処理モジュール
１３００ ガス供給ユニット
１３１０ メインダクト
１３２０ ガス供給ボックス
１０ 基板処理装置
１００ 処理ユニット
１１０ チャンバ
１１１ ベース
１１３ 側壁
１１５ 処理空間
１３０ 液処理モジュール
１４０ チャックアセンブリー
１４１ チャック
１４２ 回転軸
１４３ 駆動機
１５０ ボールアセンブリー
１５１ 外側ボール
１５２ 外側ボール昇降機
１５３ 内側ボール
１５４ 内側ボール昇降機
１５５ ドレン空間
１５６ バッファー空間
１６０ 配管アセンブリー
１６１ ドレン配管
１６２ 排気配管
１６３ ドレンライン
１６４ 排気ライン
１７０ 液供給アセンブリー
１７１ 第１ノズル
１７２ 第２ノズル
１７３ ノズルアーム
３００ ガス供給ユニット
３１０ ガス供給ダクト
３１１ メインダクト
３１３ 分岐ダクト
３１５ 流量調節ダンパ
３３０ ガス供給ハウジング
３３１ 第１ハウジング
３３２ 第１内部空間
３３３ 打孔
３３５ 第２ハウジング
３３５a 噴射部
３３５b ダクト部
３３６ 第２内部空間
３３７ ホール
３３８ フィルター
３５０ 固定手段
３６０ 断熱パッド
３７０ 断熱プレート
３８０ 断熱ハウジング
I 締結手段

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において:
    基板を処理する処理ユニットと、及び
    前記処理ユニットにガスを供給するガス供給ユニットを含み、
    前記ガス供給ユニットは:
    前記処理ユニットの処理空間と流体連通される第１内部空間を有する第１ハウジングと、
    前記第１内部空間に配置され、前記第１内部空間と流体連通される第２内部空間を有する第２ハウジングと、及び
    前記第２内部空間にガスを供給するガス供給ダクトを含む基板処理装置。
  2. 前記第２ハウジングは:
    ガスが流れる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び
    前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置され、一端が前記噴射部と連結されるダクト部を含む請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ホールは複数個が前記噴射部に形成される請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記噴射部は前記第１内部空間の中央領域に配置される請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記噴射部は円筒形状を有して、
    前記ホールは前記噴射部の側部に形成される請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記処理ユニットは:
    第１処理ユニットと、及び
    前記第１処理ユニットの下に配置される第２処理ユニットを含み、
    前記第１ハウジングと前記第２ハウジングは前記第１処理ユニットと前記第２処理ユニットとの間に配置される請求項１乃至請求項５のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ハウジングは上面が前記第１処理ユニットの下面とお互いに離隔されるように設置される請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記ガス供給ユニットは:
    前記第１ハウジングを前記第１処理ユニットに固定させる断熱素材の固定手段をさらに含む請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ガス供給ユニットは:
    前記第１ハウジングと前記第１処理ユニットとの間に設置されて断熱素材の断熱パッドをさらに含む請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記ガス供給ユニットは:
    前記処理空間に供給される単位時間当りガスの供給流量を調節する流量調節ダンパをさらに含む請求項１乃至請求項５のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  11. 基板を処理する処理ユニットに温度または湿度が調節されたガスを供給するガス供給ユニットにおいて:
    二重チャンバ構造を有して前記処理ユニットの処理空間と流体連通する内部空間を有するガス供給ハウジングと、及び
    前記ガス供給ハウジングにガスを供給するガス供給ダクトを含むガス供給ユニット。
  12. 前記ガス供給ハウジングは:
    第１内部空間を有する第１ハウジング-前記第１ハウジングの前記処理空間と向い合う面には前記第１内部空間と前記処理空間を流体連通させる少なくとも一つ以上の打孔が形成される-と、及び
    前記第１内部空間に配置され、前記ガス供給ダクトからガスが流入される第２内部空間を有する第２ハウジングを含む請求項１１に記載のガス供給ユニット。
  13. 前記第２ハウジングは:
    前記第２内部空間と前記第１内部空間を流体連通させる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び
    前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置されるダクト部を含む請求項１２に記載のガス供給ユニット。
  14. 前記ホールは前記噴射部の上部、側部、そして、下部のうちで側部に形成される請求項１３に記載のガス供給ユニット。
  15. 前記ガス供給ユニットは:
    前記打孔と前記第２ハウジングとの間に配置されてガスをフィルタリングするフィルターをさらに含む請求項１２乃至請求項１４のうちで何れか一つに記載のガス供給ユニット。
  16. 前記ガス供給ユニットは:
    前記処理空間に供給されるガスの単位時間当り供給流量を調節する流量調節ダンパをさらに含む請求項１５に記載のガス供給ユニット。
  17. 基板を処理する装置において:
    基板に塗布液を供給して基板上に液膜を形成する処理ユニットと、及び
    前記処理ユニットにガスを供給するガス供給ユニットを含み、
    前記処理ユニットは:
    処理空間を有するチャンバと、
    上部が開放された桶形状を有するボールと、
    前記ボール内で基板を支持するチャックと、
    前記チャックを回転させる駆動機と、
    前記チャックに支持された基板に塗布液を供給するノズルと、及び
    前記ボール内に流入されるガスを排気する排気配管を含み、
    前記ガス供給ユニットは:
    二重チャンバ構造を有して前記処理空間と流体連通する内部空間を有するガス供給ハウジングと、及び
    前記内部空間にガスを供給するガス供給ダクトを含む基板処理装置。
  18. 前記ガス供給ハウジングは:
    前記処理空間と流体連通される第１内部空間を有する第１ハウジングと、及び
    前記第１内部空間に配置され、前記第１内部空間と流体連通される第２内部空間を有する第２ハウジングを含み、
    前記第２ハウジングは:
    ガスが流れる少なくとも一つ以上のホールが形成された噴射部と、及び
    前記噴射部と前記ガス供給ダクトとの間に配置され、一端が前記噴射部と連結されるダクト部を含み、
    前記噴射部は前記第１内部空間の中央領域に配置される請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 前記処理ユニットは複数個で提供され、
    前記ガス供給ハウジングは複数個で提供される請求項１７または請求項１８に記載のに記載の基板処理装置。
  20. 前記ガス供給ダクトは少なくともふたつ以上の前記ガス供給ハウジングにガスを供給するように構成される請求項１９に記載の基板処理装置。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158054A (ja) * 2001-08-28 2003-05-30 Nec Kagoshima Ltd 基板処理装置
JP2003178945A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2004172223A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Tokyo Electron Ltd 絶縁膜形成装置
US20180230624A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature selective epitaxy in a deep trench
JP2021044455A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。
JP2022132016A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003158054A (ja) * 2001-08-28 2003-05-30 Nec Kagoshima Ltd 基板処理装置
JP2003178945A (ja) * 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2004172223A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Tokyo Electron Ltd 絶縁膜形成装置
US20180230624A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for low temperature selective epitaxy in a deep trench
JP2021044455A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置用フィルタ装置及び清浄空気供給方法。
JP2022132016A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

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