JP2018137263A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<1.基板処理装置1の全体構成>
基板処理装置1の構成について、図1〜図2を参照しながら説明する。図1〜図2は、実施形態に係る基板処理装置1の構成を説明するための図である。図1、図2は、基板処理装置1の側面模式図、上面模式図である。
基板処理装置1にて処理対象とされる基板9の表面形状は略円形である。基板9の半径は、例えば、150mmである。基板9は、予め、デバイス面である上面にレジストを塗布された後、露光、現像、エッチング等の処理を経て、不純物注入と活性化処理をされている。基板9の上面には、エッチングされた導電体の微細パターンの上に、レジストのパターンが残存しており、基板9は、次にレジスト剥離処理(レジスト除去処理)を施される段階であるものとする。基板処理装置1は、ノズル51から基板9に処理液としてSPMを供給して基板9のレジストを剥離するレジスト剥離処理を行う。
<チャンバー11>
チャンバー11は、スピンチャック2やノズル等を収容する。チャンバー11の上部には、チャンバー11内に清浄空気(フィルタによってろ過された空気)を送る送風ユニットとしてのFFU(ファン・フィルタ・ユニット)12が設けられている。FFU12は、基板9の処理中にチャンバー11内に清浄空気の下向きの気流(「下降流」)を発生させる。
スピンチャック(「回転保持機構」)2は、基板9を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。スピンチャック2は、基板9を、主面の中心c1を通る鉛直な回転軸a1を中心に回転させる。基板処理装置1が処理液としてSPMを用いるときには、基板処理装置1は、例えば、100rpmの回転速度で基板9を回転させる。
飛散防止部3は、スピンベース21に保持されて回転される基板9から飛散する処理液等を受け止める。
処理部(「処理液供給機構」)5は、スピンベース21上に保持された基板9に対する処理を行う。具体的には、図1の処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の上面に処理液としてSPMと過酸化水素水とを選択的に供給する。処理部5は、ノズル保持部材50、ノズル51、および処理液供給部83を備えている。
ノズル移動機構6は、ノズル51を、その処理位置と退避位置との間で移動させる機構である。ノズル移動機構6は、水平に延在するアーム63、ノズル基台66、昇降駆動部68、回転駆動部69を備える。ノズル保持部材50は、アーム63の先端部分に取り付けられている。
排気ダクト7は、排気ダクト71と、排気ダクト72とを備えて構成されている。排気ダクト71は、中部材311と外部材312との間に形成される流路CAに連通する排気口71aを含み、当該流路CA内の気体を排気口71aから排気ダクト71に導入し、基板処理装置1の外部の排気設備99に導く。
対向部109はスピンベース21上に保持された基板9の上面と隙間を空けて対向することによって、基板9の上面を保護する。対向部109は、当該隙間の幅を変更することが出来る。
図3は、比較技術に係る基板処理装置100において発生するヒュームF100の流れH100を説明するための側面模式図である。図4は、実施形態に係る基板処理装置1において発生するヒュームF1の流れH1を説明するための側面模式図である。
図11は、基板処理装置1の動作の一例を示すフローチャートである。基板処理装置1は、このフローチャートに沿って、処理液によって基板9を処理する。このフローチャートに係る動作の開始に先立って、基板9はスピンベース21によって予め保持されている。また、基板9の上面には、エッチングされた導電体の微細パターンの上に、レジストのパターンが残存しており、基板9は、次にレジスト剥離処理(レジスト除去処理)を施される段階であるものとする。
2 スピンチャック(回転保持機構)
21 スピンベース(保持部材)
3 飛散防止部
31 スプラッシュガード
311 中部材(内側ガード)
312 外部材(外側ガード)
5 処理部(「処理液供給機構」)
51 ノズル
6 ノズル移動機構
7 排気ダクト
71,72 排気ダクト
71a,72a 排気口
C1,C2 部分
CA,CB 流路
A1 気流
L1 液流
Claims (16)
- 基板を略水平姿勢で保持しつつ回転可能な保持部材と、
前記保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、
前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構と、
前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、
前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、
前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、
を備え、
前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、
前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記回転軸に対向しており、
前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられている、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理装置。 - 請求項1から請求項6の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第1半直線を定義し、
前記回転軸を中心に前記第1半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第2半直線を定義したとき、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第2半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い、基板処理装置。 - 請求項1から請求項7の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記処理液供給機構は、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するノズルを備え、
前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である、基板処理装置。 - 保持部材によって基板を略水平姿勢で保持しつつ回転させる基板処理装置による基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
前記保持部材の周囲を取り囲み、上端が開放された筒形状の内側ガードと、
前記保持部材の周囲を取り囲み、前記内側ガードとの間に前記基板の上方の気体を導く流路を形成するように前記内側ガードの外側に設けられ、上端が開放された筒形状の外側ガードと、
前記内側ガードと前記外側ガードとの間に形成される前記流路に連通する排気口を含み、当該流路内の気体を外部に導く排気ダクトと、
を備え、
前記外側ガードの上端は、前記内側ガードの上端よりも上方に位置し、
前記外側ガードの上端と前記内側ガードの上端とがなす開口は、前記基板の回転軸に対向しており、
前記流路の通気抵抗が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が小さく、前記基板の上方の部分のうち前記内側ガードの上端よりも上方で、かつ、前記外側ガードの上端よりも下方の部分の気体が前記基板の上方から前記排気口側に向けて主に流れるように、前記内側ガードと前記外側ガードとが設けられており、
当該基板処理方法は、
基板を略水平姿勢で保持しつつ回転軸を中心に回転させる回転ステップと、
前記基板の表面に処理液を供給する処理液供給ステップと、
を備える、基板処理方法。 - 請求項9に記載の基板処理方法であって、
前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも排気口側の方が広い、基板処理方法。 - 請求項10に記載の基板処理方法であって、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔が、前記回転軸に対して前記排気口とは反対側よりも前記排気口側の方が広くなるように、前記内側ガードに対して前記外側ガードが相対的に偏心している、基板処理方法。 - 請求項11に記載の基板処理方法であって、
前記内側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心している、基板処理方法。 - 請求項11に記載の基板処理方法であって、
前記外側ガードの側壁の中心軸が前記回転軸に一致し、
前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理方法。 - 請求項11に記載の基板処理方法であって、
前記外側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口側に偏心しており、前記内側ガードの側壁が前記回転軸に対して前記排気口とは反対側に偏心している、基板処理方法。 - 請求項9から請求項14の何れか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
前記内側ガードと前記外側ガードとは、前記保持部材の周囲を取り囲んで前記回転軸に沿って延在する筒形状の側壁をそれぞれ含み、
平面視において前記回転軸から前記排気口の中心に延びる仮想の半直線によって第1半直線を定義し、
前記回転軸を中心に前記第1半直線を前記基板の回転方向の下流側へ鋭角回転して得られる仮想の半直線によって第2半直線を定義したとき、
前記内側ガードの側壁と、前記外側ガードの側壁との間隔は、平面視において前記内側ガードの側壁と前記外側ガードの側壁とが前記第2半直線とそれぞれ交差する箇所において最も広い、基板処理方法。 - 請求項9から請求項15の何れか1つの請求項に記載の基板処理方法であって、
前記処理液供給ステップは、前記基板の上方から前記基板の表面のうち前記基板の中心に対して前記排気口側の着液位置に前記処理液を吐出するステップであり、
前記着液位置は、前記着液位置に吐出された前記処理液が前記基板の表面に形成する液膜が前記基板の中心を覆う位置である、基板処理方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR20220072014A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
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KR20220072016A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022143191A (ja) * | 2021-03-17 | 2022-10-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990928A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式表面処理装置 |
JP2002025969A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
JP2014086639A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20150031184A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4803592B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2011-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
KR101062253B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2011-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치 |
JP5503435B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5596071B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2014-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
KR20140085726A (ko) * | 2012-12-27 | 2014-07-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2017
- 2017-02-20 JP JP2017028722A patent/JP6824773B2/ja active Active
- 2017-12-08 TW TW106143193A patent/TWI659485B/zh active
-
2018
- 2018-01-18 KR KR1020180006450A patent/KR102103064B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-11 CN CN201810141286.3A patent/CN108461423B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990928A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式表面処理装置 |
JP2002025969A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Shibaura Mechatronics Corp | スピン処理装置 |
JP2014086639A (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20150031184A (ko) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 액 처리 장치 |
JP2015056626A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220070854A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-05-31 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20220072014A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20220072013A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR20220072016A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102573602B1 (ko) | 2020-11-23 | 2023-09-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102624576B1 (ko) | 2020-11-23 | 2024-01-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102635384B1 (ko) | 2020-11-23 | 2024-02-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102635385B1 (ko) | 2020-11-23 | 2024-02-14 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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