KR100945768B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법 Download PDF

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노리히로 이토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

웨이퍼(W)를 기판 유지부에 의해 회전 가능하게 유지하고, 웨이퍼(W)의 외측을 둘러싸도록 배액컵(51)을 설치한 상태에서, 웨이퍼(W)를 회전시키면서 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하여 세정 처리를 행하며, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 웨이퍼(W)에 린스액을 공급하여 린스 처리하는 기판 처리 장치로서, 린스 처리는, 처음에는 웨이퍼(W)의 회전수를 세정 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 공정을 실시시키고, 그 후 웨이퍼(W)의 회전수를 세정 처리시의 회전수로 제어시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 배액컵(51)에서의 린스액의 액면을 상승시키는 공정, 및 웨이퍼(W)의 회전수를 상승시켜 배액컵(51)의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 공정을 실시시키도록 제어된다.
웨이퍼, 기판 유지부, 처리액, 원심력, 세정

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법{SUBSTRATE PROCESSING EQUIPMENT, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND CLEANING METHOD OF EXHAUST LIQUID CUP}
본 발명은 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 세정 처리와 같은 소정의 액 처리를 행하는 기판 처리 장치와 기판 처리 방법, 및 이러한 기판 처리 장치에서 배액을 받는 배액컵을 세정하는 배액컵의 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스나 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서는, 피처리 기판인 반도체 웨이퍼나 유리 기판에 처리액을 공급하여 액 처리를 행하는 프로세스가 많이 이용되고 있다. 이러한 프로세스로서는, 예컨대 기판에 부착된 파티클이나 오염 등을 제거하는 세정 처리를 들 수 있다.
이러한 기판 처리 장치로서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 스핀 척에 유지하고, 기판을 회전시킨 상태에서 웨이퍼에 약액 등의 처리액을 공급하여 세정 처리를 행하는 것이 알려져 있다. 이 종류의 장치에서는 통상, 처리액이 웨이퍼의 중심에 공급되고, 기판을 회전시킴으로써 처리액을 외측으로 퍼지게 하여 액막을 형성하며, 처리액을 기판의 바깥쪽으로 이탈시킨다. 그리고, 이러한 세정 처리 후, 마찬가지로 기판을 회전시킨 상태에서 기판에 순수 등의 린스액을 공급하여 린스액의 액막을 형성하고, 린스액을 기판의 바깥쪽으로 이탈시키는 린스 처리를 행한다. 이 때문에 기판의 바깥쪽으로 털어 내어진 처리액이나 린스액을 받아 배액하기 위한 배액컵을 웨이퍼의 외측을 둘러싸도록 설치하고 있다(예컨대 일본 특허 공개 제2002-368066호 공보).
그런데, 이 종류의 기판 처리 장치에 있어서는, 처리액으로서 알카리성 약액이나 산성 약액을 이용하여 세정 처리를 행한 후, 기판의 린스 처리를 행할 때에는, 기판상의 처리액뿐만 아니라 배액컵에 잔존하는 처리액도 제거해야 한다. 즉 이러한 알카리성 약액이나 산성 약액이 린스 처리 후에 배액컵에 잔존하면 이들이 휘발되거나, 이들 약액을 이용한 연속 처리의 경우에는 이들이 반응하여 화합물을 형성하거나 하여, 기판의 건조성능에 악영향을 초래할 우려가 있다. 또한, 알카리성 약액이나 산성 약액 등의 복수의 약액을 회수하여 사용하는 경우, 약액이 서로 혼합되어 열화 속도가 빨라지게 된다. 이 때문에 린스 처리시, 또는 린스 처리와는 별도로 정기적으로 또는 필요에 따라서, 배액컵에 잔존하는 처리액을 충분히 제거하는 것이 필요하다.
그러나, 종래 린스 처리에서는, 배액컵 내부 전체에 충분히 린스액이 널리 퍼지지 않고, 배액컵 내에 처리액이 잔존하여, 상기 문제점을 해소하는 것이 어렵다. 또한 배액컵에 세정 기구를 설치하여 컵 세정을 행하는 경우도 있지만, 장치가 복잡화, 대형화되어 문제이다.
본 발명의 목적은 처리액에 의한 기판 처리 후의 린스 처리시에, 배액컵 내의 처리액을 충분히 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치에 있어서 처리액을 받는 배액컵을 특별한 세정 기구를 이용하지 않고 확실하게 세정할 수 있는 배액컵의 세정 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 상기 기판 처리 방법 및 배액컵의 세정 방법을 실행하는 제어 프로그램이 기억된 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제1 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되고, 회전하는 기판으로부터 비산되는 처리액 또는 린스액을 받아 배액하며, 기판의 단부면 외측을 둘러싸는 외주벽과 기판의 단부의 아래쪽측을 둘러싸는 내측벽을 포함하는 환형의 배액컵과, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급시켜 기판에 대한 처리를 행하게 하고, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 린스 처리를 행하게 하며, 처리액의 공급, 린스액의 공급 및 기판의 회전수를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는 기판 처리 후의 린스 처리를 제어함에 있어서, 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급시키고, 그 후 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 것과, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 것을 실시하는 기판 처리 장치가 제공된다.
상기 제1 관점에 있어서, 상기 제어부는 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 실시시킨 후, 액면을 상승시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키도록 할 수 있으며, 상기 제어부는 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 실시시킨 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키도록 할 수도 있다.
또한, 상기 제어부는 기판 처리시의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 제어하고, 상기 액면을 상승시키는 공정시의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 제어하며, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 공정시의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 제어할 수 있다.
또한, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 상기 기판 유지부 및 기판과 함께 회전하며, 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 받아 상기 배액컵으로 유도하는 회전컵을 더 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 처리액 공급 기구는 제1 처리액과 제2 처리액을 공급하고, 상기 제어부는, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 제1 처리액을 공급시켜 기판에 대한 제1 처리를 행하게 하며, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 제1 린스 처리를 행하게 하고, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 제2 처리액을 공급시켜 기판에 대한 제2 처리를 행하게 하며, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 제2 린스 처리를 행하게 하도록, 제1 및 제2 처리액의 공급, 린스액의 공급 및 기판의 회전수를 제어하고, 적어도 제1 린스 처리를 제어함에 있어서, 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급시키며, 그 후 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 것과 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 것을 실시하도록 할 수 있다.
본 발명의 제2 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전하는 기판으로부터 비산되는 처리액 또는 린스액을 받아 배액하고, 기판의 단부면 외측을 둘러싸는 외주벽과 기판의 단부의 아래쪽측을 둘러싸는 내측벽을 포함하는 환형의 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계와, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 단계를 포함하며, 상기 린스 처리는, 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와, 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 제공된다.
상기 본 발명의 제2 관점에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는 제1 처리액과 제2 처리액을 공급하도록 구성되고, 상기 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계는, 기판에 제1 처리액을 공급하여 기판에 대한 제1 처리를 행하는 단계와, 기판에 제2 처리액을 공급하여 기판에 대한 제2 처리를 행하는 단계를 포함하며, 상기 린스 처리를 행하는 단계는, 상기 제1 처리 후에 행해지는 제1 린스 처리와, 상기 제2 처리 후에 행해지는 제2 린스 처리를 포함하고, 적어도 상기 제1 린스 처리는, 초기에 행해지는 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와, 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하여도 좋다. 이 경우에, 상기 제2 린스 처리도 초기에 행해지는 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와, 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 것을 포함하도록 할 수 있다.
상기 제2 관점에 있어서, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 행한 후, 액면을 상승시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키도록 할 수 있으며, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 행한 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키도록 할 수 있다.
또한, 기판 처리시의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 하고, 액면을 상승시킬 때의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 하며, 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시킬 때의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 할 수 있다.
본 발명의 제3 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전하는 기판으로부터 비산되는 처리액 또는 린스액을 받아 배액하고, 기판의 단부면 외측을 둘러싸는 외주벽과 기판의 단부의 아래쪽측을 둘러싸는 내측벽을 포함하는 환형의 배액컵을 포함하며, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 상기 회전 기구에 의해 회전시키면서, 상기 처리액 공급 기구로부터 처리액을 기판에 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치에서, 상기 배액컵을 세정하는 배액컵의 세정 방법으로서, 상기 기판 유지부에 기판 또는 더미 기판을 유지시키는 단계와, 상기 기판 또는 더미 기판을 회전시키면서 상기 기판 또는 더미 기판에 린스액을 공급하고, 기판 또는 더미 기판으로부터 털어 내어진 린스액에 의해 상기 배액컵의 처리액 유로를 린스하는 단계와, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 기판 또는 더미 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 배액컵의 세정 방법이 제공된다.
상기 제3 관점에 있어서, 상기 처리액 유로를 린스한 후, 액면을 상승시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키도록 할 수 있으며, 상기 처리액 유로를 린스한 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키도록 할 수도 있다.
또한, 상기 처리액 유로를 린스할 때의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 하고, 상기 액면을 상승시킬 때의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 하며, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시킬 때의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 할 수 있다.
본 발명의 제4 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 회전컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전하는 기판으로부터 비산되는 처리액 또는 린스액을 받아 배액하고, 기판의 단부면 외측을 둘러싸는 외주벽과 기판의 단부의 아래쪽측을 둘러싸는 내측벽을 포함하는 환형의 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치를 제어하기 위한 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계와, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 것을 포함하고, 상기 린스 처리는 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와, 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 실행되도록, 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 기억 매체가 컴퓨터에 제공된다.
본 발명의 제5 관점에 의하면, 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 회전컵의 외측을 둘러싸도록 설치되며, 회전하는 기판으로부터 비산되는 처리액 또는 린스액을 받아 배액하고, 기판의 단부면 외측을 둘러싸는 외주벽과 기판의 단부의 아래쪽측을 둘러싸는 내측벽을 포함하는 환형의 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치에서 상기 배액컵의 세정 처리를 행하기 위한 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서, 상기 제어 프로그램은, 실행시에, 상기 기판 유지부에 기판 또는 더미 기판을 유지시키는 단계와, 상기 기판 또는 더미 기판을 회전시키면서 상기 기판 또는 더미 기판에 린스액을 공급하고, 기판 또는 더미 기판으로부터 털어 내어진 린스액에 의해 상기 배액컵의 처리액 유로를 린스하는 단계와, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 기판 또는 더미 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 배액컵의 세정 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 의하면, 린스 처리시 또는 컵 세정시에, 기판 유지부에 기판을 유지시키고, 초기에는 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하며, 그 후 기판의 회전수를 저하시키거나 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계, 및 기판의 회전수를 상승시켜 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 단계를 실시시키기 때문에, 배액컵 내부 전체에 린스액을 널리 퍼트릴 수 있고, 배액컵 내의 처리액을 거의 완전히 제거할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치를 일부 절취하여 도시 하는 개략 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 액 공급 기구를 도시한 개략도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 배기·배액부를 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치의 회전컵 및 안내 부재의 부착 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 세정 처리의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 배액컵에 있어서의 세정 처리 후의 부착물의 상태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 있어서의 린스 처리의 순서를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 여기서는 본 발명을 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라고 기록)의 표리면 세정을 행하는 액 처리 장치에 적용한 경우에 대해서 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도, 도 2는 그 평면도, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 처리액 공급 기구 및 린스액 공급 기구를 도시한 개략도, 도 4는 도 1의 기판 처리 장치의 배기·배액부를 확대하여 도시하는 단면도이다.
기판 처리 장치(100)는 도시하지 않는 액 처리 시스템에 복수 대 내장되어 있고, 이는 베이스 플레이트(1)와, 피처리 기판인 웨이퍼(W)를 회전 가능하게 유지하는 웨이퍼 유지부(2)와, 이 웨이퍼 유지부(2)를 회전시키는 회전 모터(3)와, 웨이퍼 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 설치되고, 웨이퍼 유지부(2)와 함께 회전하는 회전컵(4)과, 웨이퍼(W)의 표면에 처리액을 공급하는 표면측 액 공급 노즐(5)과, 웨이퍼(W)의 이면에 처리액을 공급하는 이면측 액 공급 노즐(6)과, 회전컵(4)의 둘레 가장자리부에 설치된 배기·배출부(7)를 갖고 있다. 또한 배기·배출부(7)의 주위 및 웨이퍼(W)의 위쪽을 덮도록 케이싱(8)이 설치되어 있다. 케이싱(8)의 상부에는 액 처리 시스템의 팬·필터·유닛(FFU)으로부터의 기류를 측부에 마련된 도입구(9a)를 통해 도입하는 기류 도입부(9)가 설치되어 있고, 웨이퍼 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)로 청정 공기의 하강 기류가 제공된다.
웨이퍼 유지부(2)는 수평으로 설치된 원판형을 이루는 회전 플레이트(11)와, 그 이면의 중심부에 접속되고 아래쪽 수직으로 연장되는 원통형의 회전축(12)을 갖고 있다. 회전 플레이트(11)의 중심부에는 회전축(12) 내의 구멍(12a)과 연통하는 원형의 구멍(11a)이 형성되어 있다. 그리고 이면측 액 공급 노즐(6)을 구비한 승강 부재(13)가 구멍(12a) 및 구멍(11a) 내에 승강 가능하게 설치되어 있다. 회전 플레이트(11)에는 웨이퍼(W)의 외측 가장자리를 유지하는 유지 부재(14)가 설치되어 있고, 도 2에 도시되는 바와 같이, 이들은 등간격으로 3개 배치되어 있다. 이 유지 부재(14)는 웨이퍼(W)를 회전 플레이트(11)로부터 조금 뜬 상태에서 수평으로 웨이퍼(W)를 유지하도록 되어 있다. 이 유지 부재(14)는 웨이퍼(W)의 단부면을 유지 가 능한 유지부(14a)와, 유지부(14a)로부터 회전 플레이트 이면측 중심 방향으로 연장하는 착탈부(14b)와, 유지부(14a)를 수직면 내에서 회전 운동시키는 회전축(14c)을 가지며, 착탈부(14b)의 선단부를 도시하지 않는 실린더 기구에 의해 위쪽으로 밀어 올림으로써, 유지부(14a)가 외측으로 회전 운동하여 웨이퍼(W)의 유지가 해제된다. 유지 부재(14)에서는 도시하지 않는 스프링 부재에 의해 유지부(14a)가 웨이퍼(W)를 유지하는 방향으로 압박하고 있고, 실린더 기구를 작동시키지 않는 경우에는 유지 부재(14)에 의해 웨이퍼(W)가 유지된 상태가 된다.
회전축(12)은 2개의 베어링(15a)을 갖는 베어링 부재(15)를 통해 베이스 플레이트(1)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 회전축(12)의 하단부에는 풀리(16)가 끼워 넣어져 있고, 풀리(16)에는 벨트(17)가 감겨져 있다. 벨트(17)는 모터(3)의 축에 부착된 풀리(18)에도 감겨져 있다. 그리고 모터(3)를 회전시킴으로써 풀리(18), 벨트(17) 및 풀리(16)를 통해 회전축(12)이 회전되게 되어 있다.
표면측 액 공급 노즐(5)은 노즐 유지 부재(22)에 유지된 상태에서 노즐 아암(22a)의 선단에 부착되어 있고, 후술하는 액 공급 기구(85)로부터 노즐 아암(22a) 내에 설치된 유로를 통과하여 처리액 등이 공급되며, 그 내부에 마련된 노즐 구멍(5a)을 통해 처리액을 토출하게 되어 있다. 토출하는 처리액으로서는 웨이퍼 세정용의 약액, 순수 등의 린스액 등을 들 수 있다. 또한 노즐 유지 부재(22)에는 IPA로 대표되는 건조 용매를 토출하는 건조 용매 노즐(21)도 부착되어 있고, 그 내부에 마련된 노즐 구멍(21a)을 통해 IPA 등의 건조 용매를 토출하도록 되어 있다
도 2에도 도시되는 바와 같이, 노즐 아암(22a)은 구동 기구(81)에 의해 축(23)을 중심으로 하여 회전 운동 가능하게 설치되어 있고, 노즐 아암(22a)을 회전 운동시킴으로써, 표면측 액 공급 노즐(5)이 웨이퍼(W) 중심 상의 그리고 외주 상의 웨이퍼 세정 위치와, 웨이퍼(W)의 바깥쪽의 후퇴 위치를 취할 수 있도록 되어 있다. 또한 노즐 아암(22a)은 실린더 기구 등의 승강 기구(82)에 의해 상하 이동 가능하게 되어 있다.
도 3에 도시되는 바와 같이, 노즐 아암(22a) 내에는 유로(83a)가 마련되어 있고, 표면측 액 공급 노즐(5)의 노즐 구멍(5a)은 유로(83a)의 일단과 연결되어 있다. 또한 유로(83a)의 타단에는 배관(84a)이 접속되어 있다. 한편, 노즐 아암(22a) 내에는 유로(83b)도 마련되어 있고, 건조 용매 노즐(21)의 노즐 구멍(21a)은 유로(83b)의 일단과 연결되어 있다. 또한, 유로(83b)의 타단에는 배관(84b)이 접속되어 있다. 그리고 배관(84a, 84b)에는 액 공급 기구(85)로부터 소정의 처리액이 공급된다. 액 공급 기구(85)는 세정 처리를 위한 약액으로서, 예컨대 산성 약액인 희석 불산(DHF)을 공급하는 DHF 공급원(86), 알카리 약액인 암모니아 과산화수소수(SC1)를 공급하는 SC1 공급원(87), 린스액으로서 예컨대, 순수(DIW)를 공급하는 DIW 공급원(88), 건조 용매로서 예컨대 IPA를 공급하는 IPA 공급원(95)을 갖고 있다. DHF 공급원(86), SC1 공급원(87), DIW 공급원(88)으로부터는 배관(89, 90, 91)이 연장되어 있고, 이들 배관(89, 90, 91)이 개폐 밸브(92, 93, 94)를 통해 배관(84a)에 접속되어 있다. 따라서 개폐 밸브(92, 93, 94)를 조작함으로써, 암모니아 과산화수소수(SC1), 희석 불산(DHF), 순수(DIW)를 선택적으로 표면측 액 공급 노즐(5)에 공급 가능하게 되어 있다. 이 경우에 DIW 공급원(88)으로부터 연장되는 배관(91)은 배관(84a)의 가장 상류측에 접속되어 있다. 한편, IPA 공급원(95)에는 유로(83b)로부터 연장되는 배관(84b)이 직접 접속되어 있고, 배관(84b)에는 개폐 밸브(96)가 설치되어 있다. 따라서 개폐 밸브(96)를 개방하는 것에 의해, IPA를 건조 용매 노즐(21)에 공급 가능하게 되어 있다.
즉, 액 공급 기구(85)는 세정을 위한 처리액인 암모니아 과산화수소수(SC1) 및 희석 불산(DHF)을 공급하기 위한 처리액 공급 기구로서의 기능, 린스액으로서의 순수(DIW)를 공급하기 위한 린스액 공급 기구로서의 기능, 및 건조 용매로서의 IPA를 공급하는 건조 용매 공급 기구로서의 기능을 다하게 되어 있다.
이면측 액 공급 노즐(6)은 승강 부재(13)의 중심에 설치되어 있고, 그 내부에 길이 방향을 따라 연장되는 노즐 구멍(6a)이 형성되어 있다. 그리고 도시하지 않는 처리액 공급 기구에 의해 노즐 구멍(6a)의 하단으로부터 소정의 처리액이 공급되고, 그 처리액이 노즐 구멍(6a)을 통해 웨이퍼(W)의 이면으로 토출되게 되어 있다. 토출되는 액으로서는, 상기 표면측 액 공급 노즐(5)과 같이, 세정용 처리액, 순수 등의 린스액을 들 수 있다. 이면측 액 공급 노즐(6)에 처리액을 공급하는 액 공급 기구는 IPA의 공급계를 제외하고 상기 액 공급 기구(85)와 마찬가지로 구성할 수 있다. 승강 부재(13)의 상단부에는 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지대(24)를 갖고 있다. 웨이퍼 지지대(24)의 상면에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 3개의 웨이퍼 지지핀(25)(2개만 도시)이 구비되어 있다. 그리고 이면측 액 공급 노즐(6)의 하단에는 접속 부재(26)를 통해 실린더 기구(27)가 접속되어 있고, 이 실린더 기구(27)에 의해 승강 부재(13)를 승강시킴으로써 웨이퍼(W)를 승강시켜 웨이퍼(W)의 로딩 및 언로딩이 행해진다.
회전컵(4)은 회전 플레이트(11)의 단부 위쪽에서 내측 위쪽으로 비스듬하게 연장되는 원환형의 차양부(31)와, 차양부(31)의 외단부로부터 수직 아래쪽으로 연장되는 통형상의 외측벽부(32)를 갖고 있다. 그리고 도 4의 확대도에 도시되는 바와 같이, 외측벽부(32)와 회전 플레이트(11) 사이에는 원환형의 간극(33)이 형성되어 있고, 웨이퍼(W)가 회전 플레이트(11) 및 회전컵(4)과 함께 회전되어, 비산된 처리액이나 린스액이 이 간극(33)으로부터 아래쪽으로 유도된다.
차양부(31)와 회전 플레이트(11) 사이에는 웨이퍼(W)와 거의 동일한 높이의 위치에 판형을 이루는 안내 부재(35)가 개재되어 있다. 도 5에 도시되는 바와 같이, 차양부(31)와 안내 부재(35) 사이, 안내 부재(35)와 회전 플레이트(11) 사이에는 각각 처리액이나 린스액을 통과시키는 복수의 개구(36, 37)를 형성하기 위한 복수의 스페이서 부재(38, 39)가 둘레 방향을 따라서 배치되어 있다. 차양부(31)와, 안내 부재(35)와, 회전 플레이트(11)와, 이들 사이의 스페이서 부재(38, 39)는 나사(40)에 의해 체결되어 있다.
안내 부재(35)는 그 표리면이 웨이퍼(W)의 표리면과 대략 연속하도록 설치되어 있다. 그리고 모터(3)에 의해 웨이퍼 유지부(2) 및 회전컵(4)을 웨이퍼(W)와 함께 회전시키면서, 표면측 액 공급 노즐(5)로부터 웨이퍼(W) 표면의 중심으로 처리액을 공급하였을 때는, 처리액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면을 퍼져나가고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 털어내어 진다. 이 웨이퍼(W) 표면으로부터 털어 내어진 처리액은 안내 부재(35)의 표면으로 안내되어 개구(36)로부터 바깥쪽으로 배출되고, 외측벽부(32)에 의해서 아래쪽으로 유도된다. 또한 마찬가지로 웨이퍼 유지부(2) 및 회전컵(4)을 웨이퍼(W)와 함께 회전시키면서 이면측 액 공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 이면의 중심으로 처리액을 공급하였을 때에는 처리액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 이면으로 퍼져나가고, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 털어내어 진다. 이 웨이퍼(W) 이면으로부터 털어 내어진 처리액은 대략 연속하여 설치된 안내 부재(35)의 이면으로 안내되어 개구(37)로부터 바깥쪽으로 배출되며, 외측벽부(32)에 의해 아래쪽으로 유도된다. 이때 스페이서 부재(38, 39) 및 외측벽부(32)에 도달한 처리액에는 원심력이 작용하고 있기 때문에, 이들이 미스트가 되어 내측으로 복귀하는 것이 저지된다.
또한, 안내 부재(35)는 이와 같이 웨이퍼(W) 표면 및 이면으로부터 털어 내어진 처리액을 안내하기 때문에, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 이탈한 처리액이 쉽게 난류화되지 않으며, 처리액이 미스트화되지 않고 회전컵(4) 밖으로 유도될 수 있다. 또한 도 2에 도시되는 바와 같이, 안내 부재(35)에는 웨이퍼 유지 부재(14)에 대응하는 위치에, 웨이퍼 유지 부재(14)를 피하도록 노치부(41)가 마련되어 있다.
배기·배출부(7)는 주로 회전 플레이트(11)와 회전컵(4)에 둘러싸인 공간으로부터 배출되는 기체 및 액체를 회수하기 위한 것이고, 도 4의 확대도에도 도시되는 바와 같이, 회전컵(4)으로부터 배출된 처리액이나 린스액을 받는 환형을 이루는 배액컵(51)과, 배액컵(51)을 수용하도록 배액컵(51)과 동심형의 환형을 이루는 배기컵(52)을 구비하고 있다.
도 1 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 배액컵(51)은 회전컵(4)의 외측에, 외측벽부(32)에 근접하여 수직으로 설치된 통형을 이루는 외주벽(53)과, 외주벽(53)의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽(54)을 갖고 있다. 내측벽(54)의 내주에는 내주벽(54a)이 수직으로 형성되어 있다. 이들 외주벽(53) 및 내측벽(54)에 의해서 규정되는 환형의 공간이 회전컵(4)으로부터 배출된 처리액이나 린스액을 수용하는 액 수용부(56)가 된다. 또한, 외주벽(53)의 상단에는 배액컵(51)으로부터의 처리액이 튀는 것을 방지하기 위해 회전컵(4)의 위쪽 부분으로 돌출된 돌출부(53a)가 설치되어 있다. 액 수용부(56)의 유지 부재(14)의 외측에 대응하는 위치에는 내측벽(54)으로부터 회전 플레이트(11)의 하면 근방까지 연장되고, 배액컵(51)의 둘레 방향을 따라서 환형으로 설치된 구획벽(55)을 갖고 있다. 그리고 액 수용부(56)는 이 구획벽(55)에 의해서, 간극(33)으로부터 배출되는 액을 받는 주 컵부(56a)와, 유지 부재(14)의 유지부(14a) 근방 부분에서 적하되는 액을 받는 부 컵부(56b)로 분리되어 있다. 액 수용부(56)의 바닥면(57)은 구획벽(55)에 의해 주 컵부(56a)에 대응하는 제1 부분(57a)과, 부 컵부(56b)에 대응하는 제2 부분(57b)으로 분리되어 있고, 이들은 모두 외측으로부터 내측(회전 중심측)을 향해 상승하도록 경사져 있다. 그리고 제2 부분(57b)의 내측단은 유지 부재(14)의 유지부(14a)보다 내측(회전 중심측)에 대응하는 위치에 도달한다. 구획벽(55)은 회전 플레이트(11)가 회전될 때에, 회전 플레이트(11)의 아래쪽으로 돌출된 유지 부재(14)의 부분에 의해서 형성된 기류가 미스트를 수반하여 웨이퍼(W)측에 도달하는 것을 저지하는 역할을 갖고 있다. 구획벽(55)에는 부 컵부(56b)로부터 주 컵부(56a)로 처리액을 유도하기 위한 구멍(58)이 형성되어 있다(도 1 참조).
배액컵(51)의 내측벽(54)의 최외측 부분에는 액 수용부(56)로부터 배액하는 1 지점의 배액구(60)가 마련되어 있고, 배액구(60)에는 배액관(61)이 접속되어 있다(도 1 참조). 배액관(61)에는 배액 전환부(111)가 접속되어 있고, 배액 전환부(111)로부터는 산성 배액을 배출하기 위한 산 배출관(112a), 알카리 배액을 배출하기 위한 알카리 배출관(112b), 산을 회수하기 위한 산 회수관(112c), 알카리를 회수하기 위한 알칼리 회수관(112d)이 수직 아래쪽으로 연장되어 있다. 또한 산 배출관(112a), 알칼리 배출관(112b), 산 회수관(112c), 알칼리 회수관(112d)에는 각각 밸브(113a, 113b, 113c, 113d)가 설치되어 있다. 이에 따라, 처리액의 종류에 따라서 분별 가능하게 되어 있다. 구체적으로는 희석 불산(DHF) 세정시에는 배액 전환부(111)를 산 회수관(112c)으로 전환하여 희석 불산(DHF) 배액을 회수하고, 희석 불산(DHF) 세정 후의 린스 처리시에는 배액 전환부(111)를 산 배출관(112a)으로 전환하여 희석 불산(DHF)에 린스액이 혼합된 배액을 폐기하며, 암모니아 과산화수소수(SC1) 세정시에는 배액 전환부(111)를 알칼리 회수관(112d)으로 전환하여 암모니아 과산화수소수(SC1) 배액을 회수하고, 암모니아 과산화수소수(SC1) 세정 후의 린스 처리시에는 배액 전환부(111)를 알칼리 배출관(112b)으로 전환하여 암모니아 과산화수소수(SC1)에 린스액이 혼합된 배액을 폐기한다. 또한 배액구(60)는 복수 지점 마련되어 있어도 좋다.
배액컵(51) 내에서는 웨이퍼(W), 회전 플레이트(11) 및 회전컵(4)의 회전 등에 의해, 회전컵(4)으로부터 배출되어 저장된 처리액이나 린스액의 선회류가 형성 되고, 배액구(60) 및 배액관(61)을 통해 배출된다. 이 선회류는 웨이퍼(W)의 회전 플레이트(11)의 회전에 의해서만 발생하지만, 회전컵(4)이 회전할 때에 배액컵(51) 내에 삽입된 외측벽부(32)의 하단 부분에 의해서 형성되는 선회 기류에, 배액컵(51) 내의 처리액이나 린스액이 수반됨으로써, 웨이퍼(W)와 회전 플레이트(11)만으로 발생하는 선회류보다 고속의 선회류를 형성할 수 있고, 배액구(60)로부터 액을 배출하는 속도를 높일 수 있다.
배기컵(52)은 배액컵(51)의 외주벽(53)의 외측 부분에 수직으로 설치된 외측벽(64)과, 유지 부재(14)의 내측 부분과 수직이고 그 상단이 회전 플레이트(11)에 근접하도록 설치된 내측벽(65)과, 베이스 플레이트(1) 상에 설치된 바닥벽(66)과, 외측벽(64)으로부터 위쪽으로 만곡하고, 회전컵(4)의 위쪽을 덮도록 설치된 상측벽(67)을 갖고 있다. 그리고 배기컵(52)은 그 상측벽(67)과 회전컵(4)의 차양부(31) 사이의 환형을 이루는 도입구(68)로부터 회전컵(4) 내부 및 그 주위의 가스 성분을 주로 취입하여 배기하게 되어 있다. 또한 배기컵(52)의 하부에는 도 1 및 도 4에 도시되는 바와 같이, 배기구(70)가 마련되어 있고, 배기구(70)에는 배기관(71)이 접속되어 있다. 배기관(71)의 하류측에는 도시하지 않는 흡인 기구가 설치되어 있고, 회전컵(4)의 주위의 가스 성분을 배기하는 것이 가능하게 되어 있다. 배기구(70)는 복수 마련되어 있고, 처리액의 종류에 따라서 전환하여 사용하는 것이 가능하게 되어 있다.
배액컵(51)의 외측벽인 외주벽(53)과 배기컵(52)의 외측벽(64) 사이에는 환형을 이루는 외측 환형 공간(99a)이 형성되어 있고, 또한 배액컵(51)의 바닥부와 배기컵(52)의 바닥부 사이의 배기구(70)의 외측 부분에는 둘레 방향을 따라서 다수의 통기 구멍(98)이 형성된 환형의 기류 조정 부재(97)가 설치되어 있다. 그리고 외측 환형 공간(99a)과 기류 조정 부재(97)는 배기컵(52)에 취입되어, 배기구(70)에 이르는 기류를 조정하여 균일하게 배기하는 기능을 갖고 있다. 즉, 이와 같이 환형의 공간인 외측 환형 공간(99a)을 통과시켜 기류를 전체 둘레에 걸쳐 균일하게 아래쪽으로 유도하고, 다수의 통기 구멍(98)을 형성한 기류 조정 부재(97)를 설치하여 압력 손실, 즉 기류의 저항을 부여하고 기류를 분산함으로써, 배기구(70)로부터의 거리에 관계없이 비교적 균일하게 배기를 행할 수 있다.
또한, 배액컵(51)의 내주벽(54a)과 배기컵(52)의 내측벽(65) 사이에는 환형을 이루는 내측 환형 공간(99b)이 형성되어 있고, 또한 배액컵(51)의 내주측에는 배기컵(52)과의 사이에 간극(77)이 형성되어 있다. 그리고 도입구(68)로부터 취입된 기체 성분은 외측 환형 공간(99a)뿐만 아니라, 배액컵(51)의 액 수용부(56)에도 다소 흐르고, 그 기류는 액 수용부(56)로부터 내측 환형 공간(99b)을 통과하여 전체 둘레에 걸쳐 균일하게 아래쪽으로 유도되며, 간극(77)을 통과하여 배기구(70)로부터 비교적 균일하게 배기를 행할 수 있다.
이와 같이, 배액컵(51)으로부터의 배액과 배기컵(52)으로부터의 배기가 독립적으로 행해지도록 되어 있기 때문에, 배액과 배기를 분리한 상태로 유도하는 것이 가능해진다. 또한 배액컵(51)으로부터 미스트가 누출되어도 배기컵(52)이 그 주위를 둘러싸고 있기 때문에 조속히 배기구(70)를 통해 배출되고, 미스트가 외부에 누출되는 것이 확실하게 방지된다.
기판 처리 장치(100)는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러(121)를 갖고 있고, 기판 처리 장치(100)의 각 구성부가 이 프로세스 컨트롤러(121)에 접속되어 제어되는 구성으로 되어 있다. 또한 프로세스 컨트롤러(121)에는 오퍼레이터가 기판 처리 장치(100)의 각 구성부를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(100)의 각 구성부의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(122)가 접속되어 있다. 또한 프로세스 컨트롤러(121)에는 기판 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(121)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나, 처리 조건에 따라서 기판 처리 장치(100)의 각 구성부에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램, 즉 레시피가 저장된 기억부(123)가 접속되어 있다. 레시피는 기억부(123) 중의 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드디스크와 같이 고정 설치되어 있는 것이어도 좋고, CDROM, DVD, 반도체 메모리(예컨대 플래시 메모리) 등의 이동성의 것이어도 좋다. 또한 다른 장치로부터, 예컨대 전용 회선을 통해 레시피를 적절하게 전송시키도록 하여도 좋다.
그리고, 필요에 따라서, 사용자 인터페이스(122)로부터의 지시 등으로써 임의의 레시피를 기억부(123)로부터 호출하여, 프로세스 컨트롤러(121)에 실행시킴으로써, 프로세스 컨트롤러(121)의 제어하에, 기판 처리 장치(100)에서의 원하는 처리가 행해진다.
다음에, 이상과 같이 구성되는 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해서 도 6 내지 도 8에 기초하여 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 이하의 세정 처리 동작은 기억부(123)에 저장된 레시피에 기초하여 프로세스 컨트롤러(121)에 의해서 제어된다.
처리액(약액)을 이용한 세정 처리는 도 6에 도시하는 바와 같은 순서로 행해진다. 우선, (a)에 도시되는 바와 같이, 승강 부재(13)를 상승시킨 상태로, 도시되지 않는 반송 아암으로부터 웨이퍼 지지대(24)의 지지핀(25) 상에 웨이퍼(W)를 전달한다. 계속해서 (b)에 도시되는 바와 같이, 승강 부재(13)를 웨이퍼(W)를 유지 부재(14)에 의해 유지 가능한 위치까지 하강시키고, 유지 부재(14)에 의해 웨이퍼(W)를 척킹한다. 그리고 (c)에 도시되는 바와 같이, 표면측 액 공급 노즐(5)을 후퇴 위치로부터 웨이퍼 세정 위치로 이동시킨다.
이 상태에서, (d)에 도시되는 바와 같이, 모터(3)에 의해 웨이퍼(W)를 유지 부재(2) 및 회전컵(4)과 함께 회전시키면서, 표면측 액 공급 노즐(5) 및 이면측 액 공급 노즐(6)로부터 소정의 처리액을 공급하여 웨이퍼(W)의 세정 처리를 행한다.
이 웨이퍼 세정 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)가 회전되는 상태에서, 표면측 액 공급 노즐(5) 및 이면측 액 공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 표면 및 이면의 중앙에 처리액이 공급된다. 이것에 의해, 처리액이 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측으로 퍼져나가고, 그 과정에서 세정 처리가 이루어진다. 그리고 이와 같이 세정 처리에 제공된 처리액은 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 털어내어 진다. 이 세정 처리시의 웨이퍼의 회전수는 200 rpm∼700 rpm의 범위인 것이 바람직하다. 또한 처리액의 공급량은 0.5 L/min∼1.5 L/min인 것이 바람직하다.
이 웨이퍼 세정 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)의 외측을 둘러싸도록 설치되어 있는 컵이 웨이퍼(W)와 함께 회전하는 회전컵(4)이기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 털어 내어진 처리액이 회전컵(4)에 닿았을 때에 처리액에는 원심력이 작용하고, 고정컵의 경우와 같은 비산(미스트화)은 잘 발생하지 않는다. 그리고 회전컵(4)에 도달한 처리액은 아래쪽으로 유도되고, 간극(33)으로부터 배액컵(51)에서의 액 수용부(56)의 주 컵부(56a)로 배출된다. 한편 회전 플레이트(11)의 유지 부재(14)의 부착 위치에는 유지부(14a)를 삽입하는 구멍이 마련되어 있기 때문에, 그 부분으로부터 배액컵(51)의 부 컵부(56b)에 처리액이 적하된다. 그리고 이와 같이 하여 배액컵(51)에 수용된 처리액은 그 안에서 선회되면서 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통과하여 배출되지만, 회전컵(4)의 회전에 수반하여 외측벽부(32)에 의해 배액컵(51) 내에 선회 기류가 형성되고, 배액컵(51) 내의 처리액이 이 선회 기류에 수반됨으로써, 보다 고속인 선회류가 되어, 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통과하여 배출된다. 이와 같이 고속인 선회류가 형성되기 때문에 처리액을 단시간에 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통과하여 배출시킬 수 있다.
또한, 배기컵(52)에는, 그 상측벽(67)과 회전컵(4)의 차양부(31) 사이의 환형을 이루는 도입구(68)로부터 회전컵(4) 내부 및 그 주위의 가스 성분이 주로 취입되어, 배기구(70)로부터 배기관(71)을 통과하여 배기된다.
이와 같이 하여 처리액에 의한 처리가 행해진 후, 이어서 린스 처리가 행해진다. 이 린스 처리에 있어서는, 종전의 처리액의 공급을 정지한 후, 표면측 액 공급 노즐(5) 및 이면측 액 공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 표리면에 린스액으로서 순수를 공급하고, 처리액에 의한 세정 처리의 경우와 마찬가지로, 모터(3)에 의해 웨이퍼(W)를 유지 부재(2) 및 회전컵(4)과 함께 회전시키면서, 표면측 액 공급 노즐(5) 및 이면측 액 공급 노즐(6)로부터 웨이퍼(W)의 표면 및 이면 중앙에 린스액으로서 순수가 공급되며, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 바깥쪽으로 퍼져나가는 과정에서 웨이퍼(W)의 린스 처리가 이루어진다. 그리고 이와 같이 린스 처리에 제공되는 순수는 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리로부터 털어내어 진다.
이와 같이 하여 털어 내어진 린스액으로서의 순수는 처리액의 경우와 같이, 회전컵(4)의 간극(33) 및 유지부(14a)를 삽입하는 구멍 부분으로부터 배액컵(51)에서의 액 수용부(56)에 배출되고, 그 안에서 선회되면서 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통과하여 배출되지만, 회전컵(4)의 외측벽부(32)에 의해 배액컵(51) 내에 선회 기류가 형성되고, 배액컵(51) 내의 린스액으로서의 순수가 이 선회 기류에 수반됨으로써, 보다 고속인 선회류가 되어, 배액구(60)로부터 배액관(61)을 통과하여 단시간에 배출된다.
이와 같이, 환형의 배액컵(51)으로부터 단시간에 처리액이나 린스액을 배출할 수 있기 때문에, 여러 종류의 처리액을 사용하는 경우에, 액 치환 속도를 높일 수 있고, 또한 처리액을 전환할 때에 2 종류의 처리액이 혼합된 상태로 배출되는 것을 방지할 수 있다.
린스액으로서의 순수에 의해 웨이퍼(W)의 린스 처리를 행할 때에는, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)로부터 털어 내어진 순수가 배액컵(51)을 선회하기 때문에, 배액컵(51) 내의 세정의 기능을 갖게 할 수 있다.
종래부터 이 종류의 린스 처리는 일반적으로, 세정 처리시와 같은 정도의 회 전수로 웨이퍼를 회전시키면서 린스액을 공급함으로써 행해지고 있었다. 이것에 의해 배액컵(51) 내의 처리액이 선회된 부분을 린스액도 선회하게 되어, 배액컵(51)에 잔존하는 처리액을 제거할 수 있다.
그러나, 세정 처리 후에 배액컵(51)에 도달한 처리액은 액 수용부(56)에 있어서 층류 상태로 흐른다고는 할 수 없고, 액면이 물결치거나, 액이 튀는 현상이 발생하는 등에 의해, 도 7에 도시되는 바와 같이, 액 수용부(56)에 형성되는 선회류의 메인 유로보다 윗 부분에 처리액의 부착물(130)이 생긴다. 이 때문에 린스 처리시에, 간단히 세정 처리와 동일한 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시켜서는 배액컵(51)에 부착된 처리액을 충분히 제거할 수 없는 것으로 판명되었다.
그래서, 본 실시형태에서는 린스액으로서의 순수의 배액컵(51) 내에 있어서의 선회 경로를 제어한다. 이하, 본 실시형태에 있어서의 린스 처리에 대해서 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8은 기판 처리 장치에 있어서의 린스 처리의 순서를 설명하기 위한 공정 단면도이다. 우선 (a)에 도시되는 바와 같이, 제1 공정으로서, 웨이퍼(W)의 회전수를 세정 처리시와 동일한 회전수로 하여, 배액컵(51)의 액 수용부(56)에서 처리액이 선회한 메인 유로에서의 세정 처리를 행하고, 그 부분에 잔존하는 처리액을 제거한다. 이 때의 린스액으로서의 순수의 공급량은 처리액의 공급량과 동일하게 하는 것이 바람직하다. 전술과 같이, 세정 처리시의 바람직한 웨이퍼의 회전수는 200 rpm∼700 rpm의 범위이고, 바람직한 처리액의 공급량은 0.5 L/min∼1.5 L/min이기 때문에, 이 제1 공정에 있어서도 이들의 범위가 바람직하다. 구체적으로는 세정 처 리시의 처리액 공급 및 제1 공정에 있어서의 린스액 공급에 있어서는 회전수: 300 rpm, 공급량: 1.5 L/min이 예시된다. 이러한 메인 유로의 세정 처리는 메인 유로에 잔존하고 있는 처리액 제거에 필요한 시간동안 연속적으로 행해지는 것이 바람직하다. 이 처리는 일례로서 5초 정도로 가능하다.
제1 공정 종료 후에는 (a)에 도시되는 바와 같이, 액 수용부(56)에 있어서의 외주벽(53)에 대응하는 부분 및 내측벽(54)에 대응하는 부분에 제거되지 않는 처리액의 부착물(130)이 생긴다. 외주벽(53)에 대응하는 부분에서는 보다 큰 원심력이 작용하기 때문에, 내측벽(54)에 대응하는 부분보다 높은 위치에 부착물(130)이 도달한다. 이 때문에 제1 공정에 이어서, 이러한 부착물(130)을 확실하게 제거하기 위해 제2 공정 및 제3 공정을 실시한다.
우선 제2 공정에 있어서는 내측벽(54)에 대응하는 부분에 잔존하는 부착물(130)을 제거한다. 구체적으로는 (b)에 도시되는 바와 같이, 내측벽(54)에 대응하는 부분의 부착물(130)은 그다지 높지 않은 위치에 존재하고 있기 때문에, 배액컵(51)에서의 순수의 액면을 상승시킴으로써 대응한다. 즉 린스액인 순수의 액면을 부착물(130)이 존재하고 있는 내측벽(54)에 대응하는 부분의 위치보다 높게 함으로써, 그 부착물(130)을 제거한다. 이와 같이 배액컵(51) 내의 액면을 상승시키는 수단으로서는 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시키는 것을 들 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전수를 저하시키면, 회전컵(4)의 외측벽부(32)에 의한 선회 기류도 저하되어 배액컵(51)을 흐르는 순수의 선회류의 속도가 저하되고, 배출되는 순수의 양이 적어지기 때문에, 배액컵(51) 내를 선회하는 순수의 액면이 상승한다. 이 때의 웨이퍼(W)의 회전수는 50 rpm∼200 rpm인 것이 바람직하다. 또한 액면을 상승시키는 다른 수단으로서는 공급하는 순수의 양을 증가시키는 것을 들 수 있다. 이것에 의해 배액컵(51)에 대한 순수의 공급량이 증가하기 때문에, 결과적으로 액면이 상승한다. 이 경우의 순수의 공급량은 제1 공정시의 공급량의 1.2∼2.0배 정도가 바람직하다. 구체적으로는 제2 공정에 있어서의 린스액 공급에 있어서는 회전수: 100 rpm, 공급량: 1.5 L/min, 또는 회전수: 300 rpm, 공급량: 2.0 L/min이 예시된다. 이러한 내측벽(54)에 대응하는 부분의 부착물 제거를 위해 세정 처리는 내측벽(54)에 잔존하고 있는 부착물 제거에 필요한 시간동안 연속적으로 행해지는 것이 바람직하다. 이 처리는 일례로서 5초 정도로 가능하다.
다음에 제3 공정에 있어서는 외주벽(53)에 대응하는 부분에 잔존하는 부착물(130)을 제거한다. 전술한 바와 같이 외주벽(53)에 대응하는 부분에는 원심력에 의해 꽤 높은 위치까지 부착물(130)이 존재하고 있기 때문에, 간단히 린스액인 순수의 액면 위치를 상승시키는 것만으로는 제거하기 어렵다. 이 때문에 (c)에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수를 제1 공정보다 상승시킴으로써, 부착물(130)이 존재하고 있는 외주벽(53)에 대응하는 부분의 위치까지 순수를 상승시켜, 부착물(130)을 제거한다. 이와 같이 웨이퍼(W)의 회전수를 상승시킴으로써, 외주벽(53)의 내면을 따라서 순수의 액면이 상승하는 것은, 회전컵(4)의 회전수의 상승에 수반하여 둘레 가장자리로부터 이탈하여 외주벽(53)에 충돌할 때의 충격이 증가하고, 순수의 선회류의 속도 상승에 의해서 선회류의 원심력이 상승하는 것에 의한 것으로 추측된다. 이 때의 웨이퍼(W)의 회전수는 500 rpm∼1500 rpm인 것이 바람직하 다. 또한 순수의 공급량은 세정 처리시의 처리액의 공급량과 동일하여도 좋고, 처리액의 공급량과 같이 0.5 L/min∼1.5 L/min이 바람직하다. 구체적으로는 제3 공정에 있어서의 린스액 공급에 있어서는 회전수: 1000 rpm, 공급량: 1.5 L/min이 예시된다. 이러한 외주벽(53)에 대응하는 부분의 부착물 제거를 위한 세정 처리는 외주벽(53)에 잔존하고 있는 부착물 제거에 필요한 시간동안 연속적으로 행해지는 것이 바람직하다. 이 처리는 일예로서 5초 정도로 가능하다.
이와 같이, 알칼리 약액이나 산성 약액 등의 처리액으로의 세정 처리시에 배액컵(51)에서 액면이 물결치거나 액이 튀는 현상에 의한 오염이 발생하여도, 린스 처리시에 이상의 제1 공정 내지 제3 공정을 실시함으로써, 특별한 세정 기구를 설치하지 않고, 이들 부착물(130)을 포함하여 배액컵(51) 내에 잔존하는 처리액을 확실하게 제거할 수 있다. 이 때문에 잔존하는 처리액이 휘발하는 등에 의해 웨이퍼(W)의 건조 성능에 악영향을 부여하는 것을 거의 완전하게 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 공정 및 제3 공정의 순서는 특별히 따르지 않고, 먼저 제3 공정을 실시한 후, 제2 공정을 실시하여도 상관없다.
이상과 같은 린스 처리가 종료한 후, 필요에 따라서, 건조 용매 노즐(21)로부터 회전하고 있는 웨이퍼(W) 상에 IPA 등의 건조 용매를 공급하여 건조 처리를 행할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는 처리액으로서 산성 약액인 희석 불산(DHF), 알칼리 약액인 암모니아 과산화수소수(SC1)를 공급할 수 있고, 이들의 연속 처리를 행하는 것이 가능하다. 이 때에는 한 쪽의 약액을 이용하여 상기 순서로 세정 처리를 행하 고, 이어서 린스 처리를 행하며, 그 후 다른 쪽의 약액을 이용하여 같은 순서로 세정 처리를 행하고, 린스 처리를 추가로 행하는 것이 되지만, 이들 2개의 세정 처리 사이의 린스 처리에서, 최초의 처리액이 잔존하고 있으면, 전술한 바와 같이 처리액의 휘발에 더하여, 다음의 세정 처리에 있어서 산과 알카리에 의한 반응에 의해 화합물이 발생하고, 웨이퍼(W)에 대하여 보다 큰 악영향을 부여하는 것이 된다. 따라서 이들 세정 처리 사이의 린스 처리에 상기 제1 공정 내지 제3 공정을 포함하는 린스 처리를 적용함으로써, 보다 큰 효과를 얻을 수 있다. 물론, 뒤의 세정 처리에 이어서 행해지는 린스 처리에 있어서도, 상기 제1 공정 내지 제3 공정을 포함하는 린스 처리를 적용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 기판 처리 장치는 이상의 효과에 추가로 이하와 같은 효과를 나타낼 수 있다. 즉 회전컵(4)이 존재하고 있기 때문에, 배액컵(51)은 배액 가능한 정도의 아주 작은 것이어도 좋고, 또한 배액컵(51)과 배기컵(52)이 각각 독립적으로 설치되며, 배액 및 배기를 개별적으로 취입하여 배액구(60) 및 배기구(70)로부터 별개로 배출하기 때문에, 배기·배액을 분리하기 위한 특별한 기구를 설치할 필요가 없다. 또한 배액컵(51)이 배기컵(52)에 수용된 상태로 설치되어 있기 때문에, 배기·배액을 따로따로 취입하는 구조이면서 스페이스를 작게 할 수 있고, 결과적으로 장치의 풋 프린트를 작게 할 수 있다. 또한 배액컵(51)이 배기컵(52)에 수용된 상태이기 때문에, 처리액의 미스트가 배액컵(51)으로부터 누출되어도 배기컵(52)으로 트랩할 수 있고, 장치 밖으로 처리액의 미스트가 비산되어 악영향을 부여하는 것을 방지할 수 있다.
이상은 린스 처리시에 도 8에 도시하는 제1 공정 내지 제3 공정을 적용한 경우에 대해서 나타내었지만, 이에 한정되지 않고, 기판 처리와는 별개로, 정기적으로 또는 필요에 따라서, 린스액 예컨대 순수를 이용하여 상기 제1 공정 내지 제3 공정에 의해 배액컵(51)의 세정을 행하도록 하는 것도 가능하다. 이 경우에는 웨이퍼는 세정할 필요가 없기 때문에, 더미 웨이퍼를 이용하여 처리를 행할 수 있다. 물론 실제 웨이퍼를 이용하여도 좋다. 이와 같은 배액컵(51)의 세정 처리 동작도 기억부(123)에 저장된 레시피에 기초하여 프로세스 컨트롤러(121)에 의해서 제어된다.
이와 같이 웨이퍼 처리와 별개로 배액컵(51)의 세정을 행함으로써, 보다 자유도가 높은 세정을 행할 수 있다. 또한 배액컵(51)의 세정에, 상기 린스 처리와 같은 제1 공정 내지 제3 공정을 실시함으로써, 특별한 세정 기구를 이용하지 않고, 린스 처리와 동일한 방법으로 부착물이나 배액컵에 잔존하는 처리액을 확실하게 제거할 수 있다.
배액컵(51)의 세정에 상기 제1 공정 내지 제3 공정을 적용하는 경우에는, 린스 처리는 상기 제1 공정 내지 제3 공정을 적용한 것어도 좋고, 통상의 조건으로 행하여, 그 후의 컵 세정시에만 제1 공정 내지 제3 공정을 적용하여도 좋다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 여러 가지 변형 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는 웨이퍼의 표리면 세정을 행하는 세정 처리 장치를 예로 들어 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 표면만 또는 이면만의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치여도 좋으며, 세정 처리에 한정되지 않고, 다른 액 처리여도 상관없다. 또한 상기 실시형태에서는 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 이용한 경우에 대해서 나타내었지만, 액정 표시 장치(LCD)용 유리 기판으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(FPD)용의 기판 등, 다른 기판에 적용 가능한 것은 물론이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼에 부착된 파티클이나 오염을 제거하기 위한 세정 장치에 유효하다.

Claims (18)

  1. 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와,
    기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 수직 아래쪽으로 연장되며, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 회전컵과,
    상기 회전컵의 외측에 구비된 외주벽과, 상기 외주벽의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽과, 상기 외주벽과 내측벽에 의해 형성되는 환형의 공간으로서 상기 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 수용하여 외부로 배액하는 액 수용부를 포함하는 배액컵과,
    상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급시켜 기판에 대한 처리를 행하게 하고, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 린스 처리를 행하도록, 처리액의 공급, 린스액의 공급 및 기판의 회전수를 제어하는 제어부를 포함하며,
    상기 제어부는, 기판 처리 후의 린스 처리를 제어함에 있어서, 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급시키고, 그 후 기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 것과, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 것을 실시하는 것인 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 실시시킨 후, 액면을 상승시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 것인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 실시시킨 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키는 것인 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 기판 처리시의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 제어하고, 상기 액면을 상승시키는 공정시의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 제어하며, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시킬 때의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 제어하는 것인 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는 제1 처리액과 제2 처리액을 공급하고,
    상기 제어부는, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 제1 처리액을 공급시켜 기판에 대한 제1 처리를 행하게 하며, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 제1 린스 처리를 행하게 하고, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 제2 처리액을 공급시켜 기판에 대한 제2 처리를 행하게 하며, 그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급시켜 제2 린스 처리를 행하게 하도록, 제1 및 제2 처리액의 공급, 린스액의 공급 및 기판의 회전수를 제어하고,
    적어도 제1 린스 처리를 제어함에 있어서, 기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급시키며, 그 후 기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 것과, 기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 것을 실시하는 것인 기판 처리 장치.
  7. 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 수직 아래쪽으로 연장되며, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 회전컵과, 상기 회전컵의 외측에 구비된 외주벽과, 상기 외주벽의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽과, 상기 외주벽과 내측벽에 의해 형성되는 환형의 공간으로서 상기 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 수용하여 외부로 배액하는 액 수용부를 포함하는 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계와,
    그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 단계를 포함하고,
    상기 린스 처리는,
    기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와,
    기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는 제1 처리액과 제2 처리액을 공급하도록 구성되고,
    상기 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계는, 기판에 제1 처리액을 공급하여 기판에 대한 제1 처리를 행하는 단계와, 기판에 제2 처리액을 공급하여 기판에 대한 제2 처리를 행하는 단계를 포함하며,
    상기 린스 처리를 행하는 단계는, 상기 제1 처리 후에 행해지는 제1 린스 처리와, 상기 제2 처리 후에 행해지는 제2 린스 처리를 포함하고,
    적어도 상기 제1 린스 처리는,
    기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와,
    기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2 린스 처리는,
    기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와,
    기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 것인 기판 처리 방법.
  10. 제7항에 있어서, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 행한 후, 액면을 상승 시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 기판 처리 방법.
  11. 제7항에 있어서, 기판 처리시의 회전수로 린스 처리를 행한 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키는 기판 처리 방법.
  12. 제7항에 있어서, 기판 처리시의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 하고, 액면을 상승시킬 때의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 하며, 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시킬 때의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 수직 아래쪽으로 연장되며, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 회전컵과, 상기 회전컵의 외측에 구비된 외주벽과, 상기 외주벽의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽과, 상기 외주벽과 내측벽에 의해 형성되는 환형의 공간으로서 상기 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 수용하여 외부로 배액하는 액 수용부를 포함하는 배액컵을 포함하고, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 상기 회전 기구에 의해 회전시키면서, 상기 처리액 공급 기구로부터 처리액을 기판에 공급하여 기판 처리를 행하는 기판 처리 장치에서, 상기 배액컵을 세정하는 배액컵의 세정 방법으로서,
    상기 기판 유지부에 기판 또는 더미 기판을 유지시키는 단계와,
    상기 기판 또는 더미 기판을 회전시키면서 상기 기판 또는 더미 기판에 린스액을 공급하고, 기판 또는 더미 기판으로부터 털어 내어진 린스액에 의해 상기 배액컵의 처리액 유로를 린스하는 단계와,
    상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 것인 배액컵의 세정 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 처리액 유로를 린스한 후, 액면을 상승시키고, 이어서 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키는 것인 배액컵의 세정 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 처리액 유로를 린스한 후, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시키고, 이어서 액면을 상승시키는 것인 배액컵의 세정 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 처리액 유로를 린스할 때의 기판의 회전수를 200 rpm∼700 rpm으로 하고, 상기 액면을 상승시킬 때의 기판의 회전수를 50 rpm∼200 rpm으로 하며, 상기 배액컵의 외주벽에 대한 린스액의 도달 위치를 상승시킬 때의 기판의 회전수를 500 rpm∼1500 rpm으로 하는 것인 배액컵의 세정 방법.
  17. 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 수직 아래쪽으로 연장되며, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 회전컵과, 상기 회전컵의 외측에 구비된 외주벽과, 상기 외주벽의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽과, 상기 외주벽과 내측벽에 의해 형성되는 환형의 공간으로서 상기 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 수용하여 외부로 배액하는 액 수용부를 포함하는 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치를 제어하기 위한 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 회전시키면서 상기 처리액 공급 기구에 의해 기판에 처리액을 공급하여 기판에 대한 처리를 행하는 단계와,
    그 후 마찬가지로 기판을 회전시키면서 상기 린스액 공급 기구에 의해 기판에 린스액을 공급하여 린스 처리를 행하는 단계를 포함하고,
    상기 린스 처리는,
    기판의 회전수를 기판 처리시의 회전수로 제어하면서 린스액을 공급하는 단계와,
    기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 기판 처리 방법이 실행되도록, 컴퓨터에 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
  18. 기판을 수평으로 유지하고, 기판과 함께 회전 가능한 기판 유지부와, 상기 기판 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판에 린스액을 공급하는 린스액 공급 기구와, 상기 기판 유지부에 유지된 기판을 둘러싸고, 수직 아래쪽으로 연장되며, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 회전컵과, 상기 회전컵의 외측에 구비된 외주벽과, 상기 외주벽의 하단부로부터 내측을 향해 연장되는 내측벽과, 상기 외주벽과 내측벽에 의해 형성되는 환형의 공간으로서 상기 기판을 회전시켰을 때에 기판으로부터 털어 내어진 처리액 또는 린스액을 수용하여 외부로 배액하는 액 수용부를 포함하는 배액컵을 포함하는 기판 처리 장치에서 상기 배액컵의 세정 처리를 행하기 위한 컴퓨터상에서 동작하는 제어 프로그램이 기억된 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체로서,
    상기 제어 프로그램은, 실행시에, 상기 기판 유지부에 기판 또는 더미 기판을 유지시키는 단계와,
    상기 기판 또는 더미 기판을 회전시키면서 상기 기판 또는 더미 기판에 린스액을 공급하고, 기판 또는 더미 기판으로부터 털어 내어진 린스액에 의해 상기 배액컵의 처리액 유로를 린스하는 단계와,
    상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 저하시켜 상기 회전컵의 회전수를 저하시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키거나, 또는, 상기 처리액 유로를 린스할 때보다 린스액의 공급량을 증가시킴으로써 상기 배액컵의 액 수용부에서의 린스액의 액면을 상승시키는 단계와,
    상기 처리액 유로를 린스할 때보다 상기 기판 또는 더미 기판의 회전수를 상승시켜 상기 회전컵의 회전수를 상승시킴으로써 상기 액 수용부에 수용된 린스액의 상기 외주벽에 대한 도달 위치를 상승시키는 단계를 포함하는 배액컵의 세정 방법이 행해지도록, 컴퓨터에 상기 기판 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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