JP2000315671A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置構成を複雑・大型化することなく容器に
付着した処理液の洗浄を行なえる基板処理装置及び基板
処理方法を提供する。 【解決手段】 容器（４）と、この容器（４）内で基板
（Ｗ，１）を保持し回転させる基板回転機構（３）と、
この基板回転機構（３）に保持された基板（Ｗ）上に、
この基板（Ｗ）を処理するための処理液を供給する処理
液供給機構（５、３６、３７、３８、３９）と、前記基
板回転機構（３）に保持された基板（Ｗ，１）上に、溶
剤を供給する溶剤供給機構（６、４２、４３、４４、３
９）と、前記溶剤供給機構（６、４２、４３、４４、３
９）を制御し、基板前処理用の溶剤と容器洗浄用の溶剤
とを選択的に供給させる制御部（１５）とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶ディスプレイ基板等の被処理基板上にレジスト液や溶
剤等の処理液を供給し、この被処理基板を容器内で回転
させることで供給した処理液を拡散させる基板処理装置
に関する。そして、特に、飛散した処理液が付着した容
器を洗浄することができる洗浄方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体デバイスや液晶デ
ィスプレイ（ＬＣＤ）等の製造プロセスにおいては、フ
ォトリソグラフィー技術によって所望の回路を形成す
る。このフォトリソグラフィー技術においては、ウエハ
等の基板の表面にレジスト液を塗布し、これを所定のパ
ターンに露光し、さらに現像処理することにより基板上
に所定パターンのレジスト膜を形成する。ついで、これ
をエッチング処理することにより所定パターンの回路を
形成する。

【０００３】現在、ウエハにレジスト液を塗布するため
の方法としてはスピンコーティング法が主流をなしてい
る。このスピンコーティング法では、ウエハの中心部に
レジスト液を滴下した後、ウエハを高速で回転させるこ
とでレジスト液を回転遠心力によってウエハ全体に拡散
させ、ウエハの全面に亘って略均一に塗布する。そし
て、このとき、余剰のレジスト液は回転遠心力によって
ウエハの縁部から飛散して除去される。このため、スピ
ンコーティング法においては、カップ状の容器内でウエ
ハを回転させて、このウエハから飛散するレジスト液を
受け止めるようにしている。この方法では、この容器の
内側にウエハから飛散したレジスト液が付着するため、
必要に応じてこの容器を洗浄する必要がある。

【０００４】容器の内側に付着した処理液を洗浄する技
術として、従来、特開平５−８２４３５号公報に開示さ
れたものがある。この公報に開示された技術では、ま
ず、洗浄に用いる専用の基板（洗浄基板）を、洗浄すべ
き容器内に搬入してスピンチャック上に保持させ、高速
で回転させる。次いで、高速回転する洗浄基板の直上に
容器洗浄専用の洗浄液吐出ノズルを対向させ、洗浄基板
上に洗浄液を供給する。このことで、供給された洗浄液
を洗浄基板の回転遠心力によってこの洗浄基板の縁部か
ら飛散させ、容器の内側部分に噴き付けて容器の洗浄を
行う。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の技術によれば、以下のような解決するべき課題があ
る。

【０００６】すなわち、まず、上記の従来技術では、容
器洗浄処理用に独立した溶剤供給機構を設けている。こ
のため、基板処理装置の構成が複雑化し、大型化する恐
れがある。

【０００７】また、近年、使用する処理液（例えばレジ
スト液）の種類の増加が著しく、容器の汚れについても
様々なパターンが発生してきている。しかしながら、前
述した公報に開示された技術では処理液の種類に応じた
容器洗浄処理を行えるものではない。このため、汚れが
落ちずらい処理液の場合や、粘度が低く広範囲に亘って
飛散するような処理液の場合等は、容器を十分に洗浄す
ることができない可能性がある。また、これに対応しよ
うとすると、洗浄液の使用量の増大、容器洗浄回数の増
大を招き、基板処理のスループットの低下等の新たな問
題が生じることが考えられる。

【０００８】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、装置構成を複雑・大型化することなく容器
に付着した処理液の洗浄を行なえる基板処理装置を提供
することを目的とする。また、一連の基板処理工程中で
容器の洗浄を有効に行なえる基板処理方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第１の観点によれば、容器（４）と、こ
の容器（４）内で基板（Ｗ，１）を保持し回転させる基
板回転機構（３）と、この基板回転機構（３）に保持さ
れた基板（Ｗ）上に、この基板（Ｗ）を処理するための
処理液を供給する処理液供給機構（５、３６、３７、３
８、３９）と、前記基板回転機構（３）に保持された基
板（Ｗ，１）上に、溶剤を供給する溶剤供給機構（６、
４２、４３、４４、３９）と、前記溶剤供給機構（６、
４２、４３、４４、３９）を制御し、基板前処理用の溶
剤と容器洗浄用の溶剤とを選択的に供給させる制御部
（１５）とを有することを特徴とする基板処理装置が提
供される。

【００１０】このような構成によれば、基板前処理用の
溶剤供給系統と容器洗浄用の溶剤供給系統を１つの溶剤
供給系統で共用することができるから、装置全体の構成
を簡略化できると共に、基板処理のスループットの向上
を図ることができる。

【００１１】この観点に基づく１の実施形態によれば、
前記制御部（１５）は、前記前処理用の溶剤の供給条件
（４６）と容器洗浄用の溶剤の供給条件（４７）を格納
する供給条件格納部（４８）を有し、この供給条件格納
部（４８）に格納された各供給条件（４６、４７）に基
づいて前記溶剤供給機構（６、４２、４３、４４、３
９）を制御し、基板前処理用の溶剤と容器洗浄用の溶剤
とを選択的に供給させる。

【００１２】他の１の実施形態によれば、前記容器洗浄
用の溶剤の供給条件（４７）は、基板（Ｗ）を処理した
処理液の種類に関連付けられており、前記制御部（１
５）は、処理液の種類に応じた供給条件で前記溶剤供給
機構（６、４２、４３、４４、３９）から溶剤を基板
（１）上に供給して容器を洗浄する。

【００１３】１の実施形態によれば、前記溶剤供給機構
（６、４２、４３、４４、３９）は、溶剤の供給源（４
２）と、この溶剤供給源（４２）に接続され、溶剤の供
給量又は供給時間若しくはその両方を制御できる溶剤送
り機構（４３、４４、３９）とを有し、前記制御部（１
５）は、前記溶剤送り機構（４３、４４、３９）を制御
することで、基板前処理用の溶剤と容器洗浄用の溶剤と
を選択的に供給させる。

【００１４】１の実施形態によれば、前記溶剤供給機構
（６、４２、４３、４４、３９）は、基板の上面に対し
て溶剤を供給する上面側供給系統（６、４２、４３、４
４、３９）の他に、基板の下面に対して溶剤を供給する
下面側供給系統（１６、１８、１９、３９）を有し、前
記制御部（１５）は、容器洗浄時には、前記上面側供給
系統と下面側供給系統の両方若しくは何れか一方から溶
剤を供給させる。

【００１５】１の実施形態によれば、前記溶剤供給機構
（６、４２、４３、４４、３９）は、基板の上面、下面
若しくはその両方に対して溶剤を供給する溶剤供給系統
（６、４２、４３、４４、３９、１６、１８、１９）の
他に、容器の内側に対して霧の溶剤を供給する溶剤噴霧
系統（９０）とを有し、前記制御部（１５）は、容器洗
浄時には、前記溶剤噴霧系統（９０）から霧状の溶剤を
容器内側に噴き付けた後、前記基板（１）を回転させつ
つ前記溶剤供給系統から溶剤を供給させる。

【００１６】１の実施形態によれば、この基板処理装置
は、さらに、容器内の雰囲気を制御する雰囲気制御機構
（ＤＦ、３０、１０）を有し、前記制御部（１５）は、
基板の前処理時、基板の処理時、及び容器洗浄時におけ
る容器内雰囲気を選択的に制御する。

【００１７】１の実施形態によれば、前記制御部（１
５）は、容器洗浄中に基板回転速度を変化させ、容器
（４）に対する洗浄位置を移動させる。

【００１８】１の実施形態によれば、容器洗浄を行なう
際に、処理する基板（Ｗ）の代わりに、洗浄に用いる専
用の基板（１）を前記回転保持機構（３）上に供給する
基板供給機構（７）を有する。

【００１９】１の実施形態によれば、この洗浄処理のた
めに用いる基板（１）は、その一部に、溶剤を厚さ方向
に沿って所定の範囲に亘って飛散させるための溶剤案内
部（６６）が設けられている。

【００２０】１の実施形態によれば、前記溶剤案内部
（６６）は、洗浄処理のために用いる基板（１、６５）
の一部を、切り込み立ち上げ加工してなる案内片（６
６）である。

【００２１】１の実施形態によれば、前記溶剤案内部
（６６）は、供給された溶剤を、溶剤が供給された面と
反対側の面に導く溶剤案内通路（６６ａ）を有する。

【００２２】１の実施形態によれば、前記洗浄処理のた
めに用いる基板（１）及び、処理液で処理する基板
（Ｗ）を、略同一の温度状態に制御するための基板温度
制御機構（ＤＦ）を有する。

【００２３】１の実施形態によれば、容器（４）内で基
板（Ｗ，１）を保持し回転させる基板回転機構（３）
は、基板（Ｗ，１）との間に所定の隙間を存した状態で
この基板を吸着保持するものである。

【００２４】この発明の第２の観点によれば、容器
（４）と、この容器（４）内で基板（１）を保持する基
板保持機構（３、９）と、前記基板保持機構（３、９）
に保持された基板（１）上に、容器洗浄用の溶剤を供給
する溶剤供給機構（６、４２、４３、４４、３９）と、
容器（４）内で基板（１）を回転させることで、基板
（１）に供給された溶剤を回転遠心力によって飛散させ
容器（４）を洗浄する基板回転機構（３、１０）とを有
し、前記基板（１）は、その一部に、溶剤を厚さ方向に
沿って所定の範囲に亘って飛散させるための溶剤案内部
（６６）が設けられていることを特徴とする容器洗浄装
置が提供される。

【００２５】また、この発明の第３の観点によれば、容
器（４）内で処理基板（Ｗ）を処理する基板処理方法に
おいて、容器（４）内に設けられた基板保持機構（３、
９）に処理基板（Ｗ）を供給する工程と、処理基板
（Ｗ）の表面に前処理用の溶剤を供給し、基板（Ｗ）の
前処理を行なう工程と、処理基板（Ｗ）に処理液を供給
し、基板（Ｗ）の処理を行なう工程と、基板保持機構
（３、９）に処理基板（Ｗ）に代えて容器洗浄用基板
（１）を供給する工程と、前記前処理用の溶剤を供給し
たのと同じ供給系統（６、４２、４３、４４、３９）を
通して前記容器洗浄用基板（１）上に容器洗浄用の溶剤
を供給する工程と、前記容器洗浄用基板（１）を回転さ
せ、回転遠心力によって容器洗浄用の溶剤を飛散させ、
これによって容器（４）を洗浄する工程とを有すること
を特徴とする基板処理方法が提供される。

【００２６】この観点に基づく１の実施形態によれば、
前記前処理用の溶剤を供給したのと異なる供給系統（１
６、１７、１８、１９、３９）を通して前記容器洗浄用
基板（１）に容器洗浄用の溶剤を供給する工程をさらに
有する。

【００２７】他の１の実施形態によれば、容器（４）の
内側に霧状の溶剤を噴霧する工程を有し、この工程の後
に前記容器洗浄用基板（１）に容器洗浄用の溶剤を供給
する。

【００２８】１の実施形態によれば、前記容器（４）を
洗浄する工程は、容器洗浄用基板（１）の回転数を変化
させて溶剤を飛散方向を制御し、容器（４）の下から上
に向かって洗浄する。

【００２９】この発明の他の特徴と利点は、次に説明す
る発明の実施の形態及び図面によって当業者に明らかに
される。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を、図面
を参照しながら説明する。

【００３１】この実施形態は、本発明の特徴である容器
洗浄システムを、半導体ウエハ（被処理基板）上にレジ
スト液を塗布するレジスト液塗布装置に適用したもので
ある。すなわち、この発明は、レジスト液塗布装置のよ
うに容器内で基板を処理する装置において、処理液で汚
染された容器を効果的に洗浄するためのシステムを提供
するものである。

【００３２】そして、この実施形態では、ウエハの前処
理（プリウェット処理）に用いる溶剤を吐出する前処理
用溶剤供給系統と、容器を洗浄するための溶剤を吐出す
る洗浄用溶剤供給系統とを、一つの溶剤供給系統で共用
し、吐出条件を格別に制御することで、前処理と洗浄の
両方に対処するようにしている。

【００３３】また、この実施形態では、容器の洗浄時に
は、ウエハの代わりに図４（ａ）、（ｂ）に示す基板１
（以下「洗浄基板１」という）を用いることで、容器の
洗浄を効果的に行うようにする。以下、このような特徴
を備えたレジスト液塗布装置について説明する。

【００３４】（レジスト液塗布装置）図１は、この実施
形態のレジスト液塗布装置を示す概略構成図である。こ
の装置は、図に２で示すベースと、このベース２に保持
され上面にウエハＷを保持するスピンチャック機構３
と、前記ベース２に固定され前記スピンチャック機構３
の周囲を覆うカップ状の容器４と、前記スピンチャック
機構３の上方に対向可能に設けられウエハＷ上に処理液
としてのレジスト液を滴下するレジスト液吐出ノズル５
と、同じくスピンチャック機構３の上方に対向可能に設
けられ前記ウエハＷ若しくは前記洗浄基板１上に溶剤と
してのシンナーを滴下する溶剤吐出ノズル６とを有す
る。

【００３５】また、この装置は、図に７で示すメインア
ーム機構を有する。このメインアーム機構７は、前記ス
ピンチャック機構３に対して、レジスト液の塗布処理を
行うウエハＷと前述した洗浄基板１とを選択的に供給す
る。

【００３６】次に、各機構について詳しく説明する。ま
ず、前記スピンチャック機構３は、スピンチャック９
と、このスピンチャック９を回転駆動するためのサーボ
モータ１０とを有する。前記スピンチャック９は、その
上面に真空チャック溝１１を有し、この真空チャック溝
１１はこのスピンチャック９を通してバキューム機構１
２に接続されている。

【００３７】したがって、前記バキューム機構１２を作
動させることでウエハＷ若しくは洗浄基板１をスピンチ
ャック９上に吸着保持でき、かつ、前記サーボモータ１
０を作動させることで吸着保持したウエハＷ若しくは洗
浄基板１を回転させることができるようになっている。

【００３８】なお、前記スピンチャック９の上面には、
微細な突起１４が散設されており、吸着保持したウエハ
Ｗとスピンチャック９との間に所定の隙間を生じさせる
ように構成されている。このことで、ウエハＷ周辺の雰
囲気制御された気体が、ウエハＷの下面側部分にも流通
するようになっている。なお、前記突起１４の高さは、
この突起１４の間を流通する気流により前記スピンチャ
ック９上にウエハＷを確実に吸着保持することができる
寸法に調節されている。

【００３９】また、前記モータ１０及び前記バキューム
装置１２は中央制御装置１５に接続されており、このス
ピンチャック機構３は、この中央制御装置１５からの指
令によって作動するようになっている。

【００４０】一方、前記べース２には、ウエハＷの裏面
または洗浄基板１の裏面に向けて溶剤としてのシンナー
を噴射するバックリンスノズル１６が設けられている。
このバックリンスノズル１６は、制御弁１８を介して溶
剤供給源１９に接続されている。また、前記ベース２の
周縁部には複数の排液管１７が設けられ、ベース２上で
受けた不要なレジスト液若しくは溶剤を排出できるよう
に構成されている。

【００４１】また、前述した容器４は、前記ベース２に
取り付けられた内カップ２０と、この内カップ２０の外
側を覆うように設けられた外カップ２１とからなる。内
カップ２０は、径方向外側に向かって次第に高さが低く
なるように傾斜し、不要な排出気液をこの方向へ導く傾
斜部２２と、この傾斜部２２に連結され略垂直に下方向
に延出された分離板２３を有する。外カップ２１は、前
記内カップ２０の傾斜部２２及び分離板２３を外側から
囲むように設けられ、この分離板２３と共に断面略Ｕ字
状の気液流路２８を形成する外側壁部２４と、この外側
壁部２４の内側に配置され、前記Ｕ字状の気液流路２８
を通過した排出気体をこの容器の下方向へ排出する排気
口２５とを有する。また、前記Ｕ字状の気液流路２８の
底面には、図に２６で示す排液口が設けられている。

【００４２】このような構成によれば、前記分離板２３
によって液体と気体とが分離され、液体は、前記気液流
路２８の底面に設けられた排液口２６から排出され、気
体は、前記排気口２５から排出される。なお、この排気
口２５に接続された排気管２９の途中にはオートダンパ
３０が備えられ、容器４内の雰囲気の排気／停止を前記
中央制御装置１５の指令により切り換えるように制御さ
れる。

【００４３】一方、レジスト液吐出ノズル５及び溶剤吐
出ノズル６は、前記スピンチャック機構３及び容器４の
直上に対向可能に設けられたアーム３２に保持されてい
る。このうち、レジスト液吐出ノズル５は、ホルダ３３
を介してこのアーム３２に着脱自在に取着されており、
後で説明するように交換可能に構成されている。

【００４４】また、このレジスト液吐出ノズル５は、図
示しない温調機構によって温調される供給管３５を介し
てレジスト液供給タンク３６に接続されている。この供
給管３５の中途部にはレジスト液供給用のバルブ３７及
びポンプ３８（例えばベローズポンプ）が設けられてい
る。これらバルブ３７、ポンプ３８は、例えばエア源３
９から供給されるエアにより作動するようになってい
る。このエア源３９は前記中央制御装置１５に接続され
ており、この制御装置１５からの指令に基づいて動作す
ることで、前記レジスト液供給タンク３６からレジスト
液を吸い上げ、前記ノズル５を通じてウエハＷ上に滴下
するようになっている。

【００４５】一方、前記溶剤吐出ノズル６は、前記アー
ム３２に固定的に保持されており、その上流側は溶剤供
給管４１としてアーム３２の基端側に延出され、溶剤供
給タンク４２に接続されている。この溶剤供給タンク４
２には、このタンク４２内に加圧されたＮ２ガスを送り
込むことで溶剤の液送りを行なうＮ２ガス供給源４３が
接続されている。このＮ２ガス供給源４３は中央制御装
置１５に接続されており、この制御装置１５の指令によ
って作動するようになっている。また、溶剤供給管４１
の中途部には、前記エア源３９から導入されたエアによ
って開閉動作する溶剤用制御弁４４が接続されている。

【００４６】したがって、前記中央制御装置１５の指令
によって前記Ｎ２ガス供給源４３およびエア源３９が作
動することで、タンク４２内の溶剤が加圧されて前記溶
剤供給管４１側に送り込まれ、前記制御弁４４が開閉す
ることによって前記ノズル６から吐出されるようになっ
ている。

【００４７】一方、図２は、前記レジスト液塗布装置の
上面図である。この図に示すように、前記レジスト液吐
出ノズル５及び溶剤吐出ノズル６を保持したアーム３２
は、Ｙ駆動機構５４によってＹ方向位置決め駆動可能に
保持されている。このＹ駆動機構５４は、Ｙ方向に沿っ
て前記容器４の外側まで延出されたＹレール５５を有
し、前記レジスト液吐出ノズル５を前記ウエハＷに対向
する位置と図に５６で示すノズル待機部との間で駆動で
きるようになっている。

【００４８】ノズル待機部５６には、それぞれホルダ３
３’に保持された３つのノズル５’が収納されている。
各ノズル５’はそれぞれ異なる種類のレジスト液を収納
するレジスト液タンク（図示しない）に接続されてお
り、現在前記アーム３２に保持されているノズル５と交
換できるようになっている。したがって、この実施形態
では、４種類のレジスト液を選択的に供給できるように
構成されている。また、このノズル待機部５６は、各ノ
ズル５をＸ方向に駆動して前記アーム３２の先端部に対
向位置決めできるように構成されている。

【００４９】さらに、この図に５７で示すのは、サイド
リンスノズルである。このサイドリンスノズル５７は、
サイドリンス用アーム５８に保持され、前記ウエハＷに
対向位置決めされるようになっている。そして、このサ
イドリンスノズル５７は、ウエハＷの周縁部のみに溶剤
を供給して不要なレジスト液膜を溶解して除去する。

【００５０】また、この図にＷＰで示すのは、前述した
洗浄基板１を収容する洗浄基板収納ユニットである。こ
の収納ユニットＷＰに収納された洗浄基板１は、メイン
アーム７によって温調された搬送路６０内を搬送され、
容器洗浄時には前記ウエハＷに代えて前記スピンチャッ
ク９上に移載されるようになっている。

【００５１】次に、図３を参照して、この発明の要部で
ある溶剤供給システムの制御系統を説明する。

【００５２】前述したように、このシステムでは、プリ
ウェット用の溶剤供給システムと容器洗浄用の溶剤供給
システムを、図１に示した溶剤供給システム（６，４
１，４２，４３，４４）で共用する。それらを使い分け
るために、この実施形態の制御装置１５は、プリウェッ
ト条件４６と容器洗浄条件４７を格納するデータ格納部
４５を有する。

【００５３】このプリウェット条件４６及び洗浄条件４
７は、それぞれレジスト液の種類（この実施形態では前
述したように４種類）に関連付けられて予め用意された
各種の制御データを含む。この制御データは、例えば、
塗布するレジスト液の種類に応じた溶剤供給量、供給速
度、雰囲気、ウエハ回転速度、及び形成するレジスト液
膜の情報（膜厚や、膜厚分布等）等を含む。

【００５４】そして、前記制御装置１５は、前記の条件
４６，４７に応じて溶剤供給系（エア源やＮ２供給源
等）を制御する供給系制御部４８と、排気やダウンフロ
ー等によりスピンチャック機構３周辺の雰囲気を制御す
る雰囲気制御部４９と、ウエハＷの回転駆動系（スピン
チャック機構等）を制御するウエハ駆動系制御部５０と
を有する。

【００５５】前記供給系制御部４８は、プリウエット工
程時には、前記プリウェット条件４６に基づき、前記エ
ア源３９を通して制御弁４４を制御することで、例えば
溶剤の供給時間若しくは供給速度を、塗布するレジスト
液の種類に対応したプリウエット工程に適したものに制
御する。また、容器洗浄工程時には、前記洗浄条件４７
を取り出して、溶剤の供給時間若しくは供給速度を、使
用したレジスト液の種類に対応した容器洗浄工程に適し
たものに制御する。

【００５６】この実施形態のように、溶剤がＮ２ガス加
圧により供給される場合には、溶剤の単位時間当たりの
供給量が一定であるから、前記制御弁４４の開度、開時
間若しくはその両方を制御することで各条件に対応した
溶剤の供給を行うようにする。

【００５７】また、前記雰囲気制御部４９は、プリウェ
ット条件及び洗浄条件に応じて、図示しないダウンフロ
ー発生装置（ＤＦ）、前記オートダンパ３０やバキュー
ム装置１２を制御し、基板周辺の雰囲気（温度や湿度
等）をプリウェット工程若しくは洗浄工程に応じたもの
にする。また、ウエハ駆動系制御部５０は、前記モータ
１０を制御し、ウエハＷの回転数を各工程に応じたもの
とする。

【００５８】なお、この制御装置１５には、ディスプレ
イ５１及びタッチパネルやキーボード等の入力部５２が
接続されており、前述した各条件４６，４７を表示でき
ると共に、各条件の内容を変更及び更新できるように構
成されている。したがって、例えば、設定した条件では
容器４の洗浄が十分でない場合は、供給する溶剤の量を
増加させたり、ウエハＷの回転数を高速にしたりする等
の変更が行える。

【００５９】（洗浄基板）次に洗浄基板１を、図４
（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。洗浄基板１は、円
盤状の本体６５を有する。この本体６５は、ウエハＷの
熱伝導率と同じ材質で形成されかつ同じ厚さｔｃを有す
る。これにより熱容量がウエハＷとほぼ同等になるよう
に調整されている。

【００６０】この本体６５は、周方向に沿って所定の間
隔で設けられた立ち上げフィン６６（溶剤案内部）を有
する。このフィン６６は、この本体６５にコの字状の切
込みを入れ、径方向外側に向かって次第に高さが高くな
るように立ち上げることで形成されたものである。

【００６１】図５に示すように、この洗浄基板１は、前
記ウエハＷと同様にスピンチャック９上に吸着保持され
て回転駆動される。そして、前記溶剤吐出ノズル６から
前記容器洗浄条件４７に基づいて制御された溶剤が吐出
されると、この溶剤を回転遠心力によって径方向外側に
案内する。径方向外側に案内される溶剤は、前記フィン
６６と、このフィン６６の設けられていない部分とに分
岐して流れ、フィン６６に案内された溶剤Ａは、このフ
ィン６６に沿って斜め上方向に案内され、このフィン６
６の縁部から斜め上方向に向かって飛散する。フィン６
６の設けられていない部分に案内された溶剤Ｂは、本体
６５上面の縁部から略水平方向に飛散させられる。ま
た、フィン６６の設けられていない部分に案内された溶
剤の一部は、フィン６６の下側に生成された開口６６ａ
を通じて上記本体６５の裏面に流通し、この本体６５の
下面の縁部から略水平方向に飛散させられる（Ｃ）。本
体６５の上面と下面からそれぞれ飛散した溶剤は、本体
６５の縁部から飛散した直後で合流し、この影響で流れ
が乱れて飛散範囲が上下に広がることになる。

【００６２】このようにして、洗浄基板１の本体６５若
しくはフィン６６の縁部から飛散した溶剤は、前記容器
４（外カップ２１）の内面に直接噴き付けられ、容器４
に付着しているレジスト液を溶解して洗浄する。なお、
このような構成の洗浄基板１によれば、溶剤の飛散範囲
を拡大させて、より広い範囲の洗浄を行うことができ
る。

【００６３】（レジスト液の塗布及び容器の洗浄処理工
程）次に図６および図７を参照しながらこの実施形態に
おけるレジスト液の塗布処理について説明する。図６は
レジスト塗布工程のフローチャート、および図７（ａ）
〜（ｄ）はレジスト塗布工程と容器洗浄工程を示す工程
図である。

【００６４】（１）予備工程 まず、オペレータは、図３に示した入力部５２を通じて
塗布するべきレジスト液を選択する等、各種の設定を行
なう。

【００６５】この設定に基づいて、前記待機ユニット５
６からピックアップされるレジスト液吐出ノズル５（レ
ジスト液供給系統）の種類が決定される。

【００６６】（２）プリウェット工程（ステップＳ１〜
Ｓ５、図７（ａ）） まず、前記メインアーム機構７によりウエハＷをスピン
チャック９上に載置させる（ステップＳ１）。一方、前
記制御装置１５は、前記データ格納部４５からプリウェ
ット条件４６を取り出す（ステップＳ２）。次に、溶剤
吐出ノズル６をウエハＷの中心部上に移動させ対向させ
る（ステップＳ３、図７（ａ））。この溶剤吐出ノズル
６に接続された制御弁４４は、塗布するレジスト液に対
応した前記プリウェット条件４６に基づいて制御され、
ウエハＷ上に例えば２ｍｌ（第１の量）の溶剤を供給す
る（ステップＳ４）。

【００６７】次いで、ウエハＷの回転を開始し、例えば
前記プリウェット条件４６に基づいて２０００ｒｐｍで
回転させながら遠心力により溶剤を拡散し、溶剤膜を形
成する（ステップＳ５）。

【００６８】このようなプリウェット処理によれば、ウ
エハＷに直接レジスト液を塗布する場合に比べてレジス
ト液が滑りやすく即ち拡散しやすくなる。このため少量
のレジスト液であってもウエハＷ全体にレジスト液を拡
散することができるので、レジスト液の消費量を大幅に
低減することができる。

【００６９】（３）レジスト液塗布工程（ステップＳ６
〜Ｓ１０、図７（ｂ）、（ｃ）） 以上のプリウェット工程が終了すると、レジスト液吐出
ノズル５をウエハＷの中心部上に移動させ（ステップＳ
６、図７（ｂ））、例えばウエハＷを約４０００ｒｐｍ
で回転させながら所定のレジスト液を滴下する（ステッ
プＳ７）。その後一旦ウエハＷの回転数を例えば１５０
０ｒｐｍまで低下させてレジスト膜に作用する遠心力を
低減してレジスト膜がウエハＷの周縁部において厚くな
るのを防止する（ステップＳ８）。次いで、再びウエハ
Ｗの回転数を例えば３０００ｒｐｍに上昇させてレジス
ト膜を乾燥させる（ステップＳ９）。

【００７０】ウエハＷの上面にレジスト膜が形成された
ならば、ウエハＷの裏面洗浄及びウエハの周縁部の不要
レジスト膜の除去を行う（ステップＳ１０）。すなわ
ち、図７（ｂ）に示すように、ウエハＷを回転させなが
らウエハＷの裏面（下面）に向けてバックリンスノズル
１６から溶剤を供給して、ウエハＷの上面側から回り込
んでウエハＷの裏面側周縁部に付着したレジスト膜を除
去する。また、ウエハＷの上面の周縁部にサイドリンス
ノズル５７を対向させ、このノズル５７から供給された
溶剤によってウエハ周縁部のレジスト膜を溶解除去す
る。

【００７１】なお、サイドリンスノズル５７は、先端が
先細形状に形成されており、溶剤の供給位置精度が高く
なるように構成されている。これにより、不要なレジス
ト膜を少ない溶剤でより効果的に除去することができ、
基板処理のスループットを向上させることができる。

【００７２】不要なレジスト液膜が除去されたならば、
ウエハＷを高回転で回転させて溶剤を振り切る。このこ
とで、一連のレジスト液塗布工程を終了する。処理の終
了したウエハは前記メインアーム機構７によって搬出さ
れ、次の処理ユニット（後で説明するポストベークユニ
ット）へ搬送される。

【００７３】次に、ステップＳ１１で容器洗浄を開始す
るかを判断する。この判断は、例えば、ウエハＷに対す
るレジスト処理を前回の容器洗浄から何回行ったかに基
づいて行う。そして、このステップＳ１１で容器洗浄を
行うと判断するまでは、ステップＳ１〜Ｓ１０の工程を
継続的に行いウエハＷに対するレジスト液塗布を行う。

【００７４】なお、上記のレジスト液塗布処理工程にお
いては、オートダンパ３０は常時開に設定され、容器４
内の雰囲気は常に容器下方の排気口２５から排気された
状態となっている。これにより、レジスト液や溶剤が飛
散して形成されたミストやパーティクルが排出され、ウ
エハＷ上に再付着して汚染する等の事態が防止される。

【００７５】さらに、上記のレジスト液処理工程中は、
図示しない温湿度調整器により、常時、温度はクリーン
ルーム内の設定気温と同一の温度例えば２３℃、湿度は
常に４０％を保つように雰囲気されている。これにより
ウエハＷ毎の膜厚ばらつきの発生を抑制することができ
る。

【００７６】（４）容器の洗浄処理工程（ステップＳ１
２〜Ｓ１７：図７（ｄ）） 一方、前記ステップＳ１１で容器洗浄を開始すると判断
された場合には、ステップＳ１２〜ステップＳ１７を実
行する。

【００７７】この容器洗浄工程においては、まず、前記
制御装置１５が前記データ格納部４５から使用したレジ
スト液に応じた容器洗浄条件４７を取り出す（ステップ
Ｓ１２）。次に、前記洗浄基板格納ユニットＷＰから洗
浄基板１を取り出し、前記メインアーム機構７によって
温度および湿度を制御されたダウンフロー（ＤＦ）が形
成された搬送路６０中を搬送する。このことで、洗浄基
板１の温度がウエハＷのレジスト塗布処理前に設定され
る温度と略同一の温度に温調される（ステップＳ１
３）。

【００７８】このように、洗浄基板１をウエハＷと同じ
処理条件となるように温調することで、スピンチャック
９の温度をレジスト液塗布時と同じ状態に保持すること
ができる。すなわち、前記洗浄基板１の温度がウエハＷ
１と比べて低い場合には、スピンチャック９が冷やされ
てしまい、再度ウエハＷを保持した場合に、ウエハＷの
温度分布が不均一になり、これによりレジスト膜の膜厚
にばらつきが生じる場合がある。この実施形態では、前
記洗浄基板１に対しウエハＷと同等の温調を行っている
から、このような事態が生じるのを有効に防止できる。

【００７９】次いで、この洗浄基板１はスピンチャック
９上に載置される。そして、前記制御装置１５は、前記
容器洗浄条件４７に基づいて前記モータ１０を作動さ
せ、洗浄基板１を例えば４０００ｒｐｍで回転させる。
ついで、前記制御弁４４が容器洗浄条件４７に基づいて
制御され、洗浄基板１上に例えば毎分所定ｍｌの溶剤
を、所定時間供給する（ステップＳ１４、図７
（ｄ））。

【００８０】このことで、図５、図７（ｄ）に示すよう
に、前記洗浄基板１の縁部から溶剤が飛散し、これが容
器４（外カップ２１）の内側に直接噴き付けられて、付
着したレジスト液を溶解し、除去する。

【００８１】なお、この溶剤の噴き付け位置は、前記洗
浄基板１の回転数すなわち、遠心力によって変化する。
例えば、回転数を低くすることで、外カップ２１の低い
位置に直接溶剤を噴き付けることができ、回転数を高く
することで外カップ２１の高い位置に直接溶剤を噴き付
けることができる。

【００８２】この実施形態では、洗浄基板１の回転数を
２０００ｒｐｍまで徐々に上げていくことで、外カップ
２１の低い位置から洗浄を開始し次第に高い位置に溶剤
の噴き付け位置を移動させるようにする（ステップＳ１
５）。

【００８３】容器４の洗浄が終了したならば、溶剤の吐
出を停止させ、溶剤を振り切ることで、この容器洗浄工
程を終了する（ステップＳ１６）。使用した洗浄基板１
は、スピンチャック９上から搬出され、再び温調雰囲気
（ダウンフロー：ＤＦ）下の搬送路６０を通って前記洗
浄基板格納ユニットＷＰに収納される。

【００８４】このような構成のレジスト液塗布装置及び
容器洗浄工程によれば、以下の効果を得ることができ
る。

【００８５】すなわち、第１に、プリウェット処理に用
いる溶剤供給系統と容器洗浄処理に用いる溶剤供給系統
とを共用することができるので、溶剤の配管構成が複雑
化することがない。

【００８６】すなわち、従来のレジスト液塗布装置に用
いられていた容器洗浄装置は、容器洗浄の溶剤を吐出す
る専用の配管系統を有していたため、これが装置構成を
複雑化するという問題があった。

【００８７】一方、本発明の発明者らは、近年、ウエハ
等の基板にレジスト液等の処理液を供給して処理する前
に洗浄液としても使用できる揮発性溶剤を供給すること
により処理液の供給量を低減せしめるプリウェット処理
の技術の開発を継続的に行っている。そこで、発明者ら
は、容器洗浄用の専用ノズルを設けず、プリウェット処
理に使用する揮発性溶剤の供給系を兼用して容器洗浄処
理を行えないかという観点から鋭意検討を行い、被処理
基板の処理に使用する際と容器洗浄処理に使用する際と
で溶剤の供給量あるいは供給流量等の管理を行う構成に
よってこれを実現するに至った。

【００８８】また、このような構成によれば、装置構成
が簡略化されるだけでなく、各系統を各別に位置決めす
る等の処理が不要になるから、処理時間の短縮を図るこ
とが可能となる。

【００８９】第２に、プリウェット処理と容器洗浄工程
共に、レジスト液の種類に応じた溶剤処理条件を各別に
制御するようにしたから、レジスト液の種類に応じたプ
リウェット処理を行えると共に、溶解除去しようとする
レジスト液に応じた洗浄工程を効果的に行える効果もあ
る。

【００９０】第３に、洗浄基板１として、図４に示した
構成のものを用いるようにしたので、溶剤の飛散範囲の
制御自由度が向上し、より効果的な容器洗浄が行える効
果がある。

【００９１】すなわち、上記洗浄基板１にフィン６６を
設けることで、この洗浄基板１から飛散させる溶剤の飛
散方向を積極的に制御でき、特に、上下方向の洗浄範囲
を拡大することができる。そして、容器４内の広い範囲
に亘って付着した汚れを有効に除去できる。

【００９２】また、洗浄基板１の回転数を制御すること
により、溶剤を噴き付ける位置を自由に制御できる。こ
の実施形態では、最初は基板１の回転速度を遅くしてお
いて、徐々に高速にするようにしているが、このことに
より以下の効果がある。

【００９３】すなわち、溶剤を、いきなり容器４の高い
位置に噴き付けた場合には、すだれ状に飛散した溶剤の
液流同士が繋がらず、最初に溶剤が接触した位置とそう
でない位置との間に洗浄の差が生じて、図８に示すよう
な洗浄むらが生じる可能性がある。

【００９４】これに対して、この発明のように、溶剤の
飛散範囲を上下方向に広範囲とすると共に、下側から徐
々に上側に向かって溶剤の噴き付け位置を移動させてい
くことにより、上記のような洗浄むらが生じてしまうこ
とを有効に防止できる。

【００９５】（塗布現像処理システム）以上説明したレ
ジスト液塗布装置は、図９〜図１１に示す塗布現像処理
システムに適用されることが好ましい。

【００９６】図９に示すように、この塗布現像処理シス
テムは、ウエハＷが収容されたカセットＣＲからウエハ
Ｗを順次取り出すカセット部７０と、カセット部７０に
よって取り出されたウエハＷに対しレジスト液塗布及び
現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部７１と、レ
ジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に
受け渡すインタフェース部７２とを備えている。

【００９７】前記カセット部７０には、カセットＣＲを
位置決め保持するための４つの突起部８０ａと、この突
起部８０ａによって保持されたカセットＣＲ内からウエ
ハＷを取り出す第１のサブアーム機構８１とが設けられ
ている。このサブアーム機構８１は、ウエハＷを取り出
したならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハ
Ｗを前記プロセス処理部７１に設けられたメインアーム
機構７に受け渡すことができるようになっている。

【００９８】カセット部７０とプロセス処理部７１間で
のウエハＷの受け渡しは第３の処理ユニット群Ｇ３を介
して行われる。この第３の処理ユニット群Ｇ３は、図１
０に示すように複数のプロセス処理ユニットを縦形に積
み上げて構成したものである。すなわち、この処理ユニ
ット群Ｇ３は、ウエハＷを冷却処理するクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）、前記洗浄基板１を収納する洗浄基板格
納ユニット（ＷＰ）、ウエハＷに対するレジスト液の定
着性を高める疎水化処理を行なうアドヒージョンユニッ
ト（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせをするアライメント
ユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷを待機させておくため
のエクステンションユニット（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理を行なう２つプリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）、及び露光処理後の加熱処理を行なう２つポ
ストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を順次下から
上へと積み上げて構成されている。

【００９９】前記ウエハＷのメインアーム機構７への受
け渡しは、前記エクステンションユニット（ＥＸＴ）及
びアライメントユニット（ＡＬＩＭ）を介して行われ
る。

【０１００】また、図９に示すように、このメインアー
ム機構７の周囲には、前記第３の処理ユニット群Ｇ３を
含む第１〜第５の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５がこのメイ
ンアーム機構７を囲むように設けられている。前述した
第３の処理ユニット群Ｇ３と同様に、他の処理ユニット
群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ４，Ｇ５も各種の処理ユニットを上下
方向に積み上げ的に構成されている。

【０１０１】すなわち、この発明のレジスト液塗布装置
（ＣＯＴ）は、図１１に示すように、前記第１、第２の
処理ユニット群Ｇ１、Ｇ２に設けられている。この第
１、第２の処理ユニット群Ｇ１，Ｇ２は、レジスト塗布
装置（ＣＯＴ）と現像処理装置（ＤＥＶ）とを上下方向
に積み上げ構成したものである。

【０１０２】なお、この図に８２、８３、８４で示すの
は、図示しない温湿度調整器により温度および湿度を調
整されたダウンフローＤＦを通すためのフィルターであ
る。これにより、カセット部７０、プロセス処理部７１
及びインタフェース部７２の各ステーションには、フィ
ルタ８２〜８４によって塵芥が除去されて清浄化された
空気のダウンフローＤＦが形成されている。

【０１０３】一方、前記メインアーム機構７は、図１０
に示すように、上下方向に延接された筒状のガイド８９
と、ガイド８９に沿って上下駆動されるメインアーム８
８を備えている。また、このメインアーム８８は平面方
向に回転し、かつ進退駆動されるように構成されてい
る。したがって、このメインアーム８８を、上下方向に
駆動することで、ウエハＷを前記各処理ユニット群Ｇ１
〜Ｇ５の各処理ユニットに対して任意にアクセスさせる
ことができるようになっている。

【０１０４】すなわち、前記カセット部７０から第３の
処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）を介してウエハＷを受け取ったメインアーム機構７
は、先ず、このウエハＷを第３の処理ユニット群Ｇ３の
アドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入し、疎水化処理
を行なう。ついで、アドヒージョンユニット（ＡＤ）か
らウエハＷを搬出し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で
冷却処理する。

【０１０５】冷却処理されたウエハＷは、前記メインア
ーム機構７によって前記第１の処理ユニット群Ｇ１（若
しくは第２の処理ユニット群Ｇ２）のレジスト液塗布装
置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される。このこ
とで、ウエハＷをこの発明のレジスト液塗布装置に対し
てロードすることができる。

【０１０６】前述したようにレジスト液が塗布されたウ
エハＷは、メインアーム機構７によってレジスト液塗布
ユニット（ＣＯＴ）からアンロードされ、第４の処理ユ
ニット群Ｇ４を介してインタフェース部７２に受け渡さ
れる。

【０１０７】この第４の処理ユニット群Ｇ４は、図７に
示すように、クーリングユニット（ＣＯＬ）、イクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）、イ
クステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）、２つのプリベーキングユニット（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）、及び２つのポストベーキングユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）を下から上へと順次積み上げて構成したも
のである。

【０１０８】前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取
り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤
（シンナー）を飛ばして乾燥される。

【０１０９】次に、このウエハＷはクーリングユニット
（ＣＯＬ）で冷却された後、エクステンションユニット
（ＥＸＴ）を介して前記インタフェース部７２に設けら
れた第２のサブアーム機構７４に受け渡される。

【０１１０】ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機
構７４は、受け取ったウエハＷを順次カセットＣＲ内に
収納する。このインターフェース部７２は、前記ウエハ
ＷをカセットＣＲに収納した状態で図示しない露光装置
に受け渡し、露光処理後のウエハＷが収納されたカセッ
トＣＲを受け取る。

【０１１１】露光処理された後のウエハＷは、前記とは
逆に第４の処理ユニット群Ｇ４を介してメインアーム機
構７に受け渡され、このメインアーム機構７は、この露
光後のウエハＷを必要であればポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＢＡＫＥ）に挿入した後、現像装置（ＤＥＶ）
に挿入し現像処理を行なわせる。現像処理後のウエハＷ
は、いずれかのベーキングユニットに搬送され、加熱乾
燥された後、この第３の処理ユニット群Ｇ３のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセット部７０に
排出される。

【０１１２】なお、前記第５の処理ユニット群Ｇ５は、
選択的に設けられるもので、この例では前記第４の処理
ユニット群Ｇ４と同様に構成されている。また、この第
５の処理ユニット群Ｇ５はレール７５によって移動可能
に保持され、前記メインアーム機構７及び前記第１〜第
４の処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ４に対するメンテナンス処
理を容易に行ない得るようになっている。

【０１１３】なお、前記洗浄基板１は、容器洗浄時に、
洗浄基板格納ユニットＷＰから取り出されて前記レジス
ト液塗布ユニット（ＣＯＴ）に供給されるようになって
いる。

【０１１４】また、前記中央制御装置１５に接続された
表示部５１及びタッチパネル５２は、図１１に示すよう
に、カセット部７０の側方に配置されている。

【０１１５】前述したレジスト液塗布装置を、図９〜図
１１に示した塗布現像ユニットに適用した場合、複数の
ウエハの並行処理が容易に行なえるから、ウエハＷの塗
布現像処理工程を非常に効率的に行なうことができる。
また、各処理ユニットが上下に積上げ式に構成されてい
るから装置の設置面積を著しく減少させることができ
る。

【０１１６】（変形例）この発明は上述した一実施形態
に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範
囲で種々変形可能である。

【０１１７】第１に、前記一実施形態では、容器洗浄時
に、ウエハＷの上面に対向する溶剤吐出ノズル６からの
み溶剤を供給していたが、バックリンスノズル１６から
も供給するようにしても良い。

【０１１８】この場合、前記制御装置１５は、前記容器
洗浄条件４７に基づいて前記バックリンスノズル１６の
制御弁１８に接続されたエア源３９を制御し、除去する
レジスト液に応じた条件で溶剤を吐出させるようにす
る。

【０１１９】このような構成によれば、前記洗浄基板１
の下面に沿わせ回転遠心力によってこの溶剤を基板１の
縁部から飛散させることが可能になる。また、このよう
な構成によれば、基板１の下面側から前記開口６６ａを
通って基板１の上面側に溶剤を流通させ、前記フィン６
６の下面に沿ってこの溶剤を案内して、このフィン６６
の縁部から飛散させることができる。このことにより、
フィン６６の上面側から飛散する溶剤と下面側から飛散
する溶剤とを合体させることができる。

【０１２０】なお、これにより、洗浄基板１の上面側を
流通する溶剤が上記開口６６ａに衝突してミスト化する
ことがないから、溶剤の使用効率を高めることも可能に
なる。このため容器洗浄処理の所要時間を低減するとと
もに溶剤消費量を低減することができる。

【０１２１】また、この場合、前記溶剤吐出ノズル６か
らの溶剤の供給開始タイミングと、バックリンスノズル
１６からの溶剤の供給開始タイミングとの間に時間差を
付けるようにしても良い。このことによっても、溶剤の
飛散方向を制御することができる。

【０１２２】第２に、前記一実施形態では、容器洗浄工
程中に洗浄基板１の回転数を次第に上昇させることで図
８に示すような洗浄むらの発生を防止するようにした
が、次の方法によってこれを防止するようにしても良
い。

【０１２３】このためには、たとえば、図１２に示すよ
うに、前記バックリンスノズル１６の側方に、内カップ
の上部に霧状の溶剤を噴射する複数のスプレーノズル９
０を設けるようにし、前記洗浄基板１を回転させる前
に、前記容器４の内側にミスト状の溶剤を噴き付けて
（噴霧して）濡らすようにする。

【０１２４】この後、前記洗浄基板１を回転させると共
に、前記溶剤吐出ノズル６を通じて溶剤を供給すること
で、前記第１の実施形態と同様の洗浄を行う。このよう
な洗浄方法によれば、前記容器４の内側全体を予め溶剤
で濡らしておくことができるので、図８のような洗浄む
らが生じることを防止できる効果がある。

【０１２５】なお、前記スプレーノズル９０から噴霧さ
れた霧状の溶剤は、比重が軽いため容器から上方へ放出
されやすい。これを防止するため、例えば前記排気口２
５からの排気流量を、レジスト液の塗布処理あるいは前
記ノズル６を通じた洗浄処理の場合よりも大きくするこ
とが有効である。また、このことにより、溶剤の消費量
の低減を図ることができる。

【０１２６】第３に、上述の実施形態においては、いず
れも洗浄用の溶剤として揮発性の溶剤、すなわちシンナ
ーを使用したが、レジスト液などの処理液を洗い流すこ
とのできる液体であれば良い。また、処理液はレジスト
液に限られず、現像液等にも適用可能である。処理液が
現像液の場合には溶剤としては純水等を用いることがで
きる。

【０１２７】第４に、上記実施形態においては、基板処
理における容器内雰囲気と容器洗浄処理における容器内
雰囲気とで圧力を異ならせるように制御しているが、容
器洗浄処理時において、基板処理時に比して容器内雰囲
気の温度を低く、湿度を高くすることにより溶剤の蒸発
を抑制するように制御してもよい。またこれらを圧力、
温度および湿度の制御を組み合わせることによりさらに
一層容器洗浄処理の洗浄効果が高まり、処理時間の低
減、溶剤の消費量の低減を図ることができる。

【０１２８】第５に、上記実施形態においては、ウエハ
Ｗの表面を溶剤で濡らした後にレジスト液を供給するよ
うにしているが、レジスト液の供給は溶剤の供給中に行
ってもよい。このように供給を同時に行うことにより処
理時間の低減を図ることができる。

【０１２９】第６に、上記実施形態においては、洗浄基
板１をウエハＷの処理前に設定される温度と略同一の温
度状態に保持する工程を、温調されたダウンフロー（Ｄ
Ｆ）が形成された搬送路６０中を通過させることにより
行ったが、この工程は洗浄基板１を温調することができ
れば良いので、例えば洗浄基板格納ユニットＷＰに温調
されたダウンフローを導いたり、クーリングプレート
（ＣＯＬ）上に載置する等により行ってもよい。ダウン
フローを基板保持ユニットＷＰに導いて温調するように
すれば、ウエハＷの処理中において長時間にわたって温
調を行うことができるから、さらに精度の良い温調を施
すことが可能となる。そして、洗浄基板１とウエハＷと
の温度差による処理ばらつきをさらに低減することがで
きる。

【０１３０】また、洗浄基板１をクーリングプレートに
載置して温調を行うようにすれば、面内て均一に温調さ
れたプレートに直接的に載置して温調を施すことができ
るので、基板全面に亘って均一な温度分布を得ることが
できる。なお、これに対して、ダウンフローにより温調
する場合には、ダウンフローの場所による速度差によっ
て洗浄基板１と空気との間の熱伝達係数にばらつきが生
じ、洗浄基板１に微少な温度ばらつきが発生する恐れが
ある。クーリングプレートによる温調によれば、これを
有効に防止できる。

【０１３１】第７に、上記実施形態においては、洗浄基
板１への溶剤の供給を洗浄基板１の上面（処理面）側か
らと下面（非処理面）側からとより行ったが、下面側か
らのみ供給するようにしても良い。

【０１３２】第８に、上記実施形態においては、容器に
ミスト状の溶剤を噴霧するためにスプレーノズル９０を
用いたが、噴出する溶剤の粒径を小さくすることができ
る構成であればこれに限定されるものではない。例えば
洗浄基板１のフィン６６の側面に上面側または下面側か
ら溶剤を当ててミストを発生させることにより行っても
よい。

【０１３３】第９に、上記実施形態においては、洗浄基
板１のフィン６６の立ち上げ高さを全て同じとしたが、
これに限定されるものではない。周方向に沿って様々な
高さのフィン６６を設けるようにしても良い。また、フ
ィン６６の高さは容器４内の汚れの付着位置に応じて設
定するのが好ましい。即ち、例えば容器４の高い位置に
汚れの付着が多い場合にはフィン６６の高さを高く、容
器４の低い位置に汚れの付着が多い場合にはフィン６６
の高さを低くすることが好ましい。

【０１３４】また、汚れが、高さ方向の複数の箇所例え
ばＮ箇所にわたって付着している場合においては、これ
に対応するために、高さの異なるＮ種類のフィン６６を
設けるようにすることが好ましい。

【０１３５】第１０に、上記一実施形態においては、ウ
エハＷ若しくは洗浄基板１とスピンチャック９との間に
突起１４を散設して隙間を設け、ウエハＷ或いは洗浄基
板１の裏面側の温調を行えるようにしたが、このために
は必ずしも上記一実施形態の構成に限定されるものでは
ない。

【０１３６】例えば、前記突起１４の代りに多孔質材料
からなるシートを介在させるようにしても同様の効果を
得ることができる。

【０１３７】その他、この発明は、要旨を変更しない範
囲で種々変形可能であることはいうまでもない。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明した構成によれば、装置構成を
複雑・大型化することなく容器に付着した処理液の洗浄
を行なえる基板処理装置及び基板処理方法を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態を示す概略構成図。

【図２】同じく、上面図。

【図３】同じく、溶剤供給機構の制御系を示すブロック
図。

【図４】同じく、洗浄基板を示す平面図及び縦断面図。

【図５】同じく、洗浄基板からの溶剤の飛散形態を説明
するための説明図。

【図６】同じく、レジスト液塗布工程及び容器洗浄工程
を示すフローチャート。

【図７】同じく、レジスト液塗布工程及び容器洗浄工程
を示す工程図。

【図８】同じく、容器に付着した処理液の汚れを示す説
明図。

【図９】同じく、この発明を適用した塗布現像システム
を示す上面図。

【図１０】同じく、この発明を適用した塗布現像システ
ムを示す背面図。

【図１１】同じく、この発明を適用した塗布現像システ
ムを示す正面図。

【図１２】変形例を説明するための概略構成図。

【符号の説明】

Ｗ…ウエハ Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット群 ＤＦ…ダウンフロー ＷＰ…洗浄基板格納ユニット １…基板 １…洗浄基板 ２…ベース ３…スピンチャック機構 ４…容器 ５…レジスト液吐出ノズル ６…溶剤吐出ノズル ７…メインアーム機構 ９…スピンチャック １０…サーボモータ １１…真空チャック溝 １２…バキューム装置 １４…突起 １５…中央制御装置 １６…バックリンスノズル １７…排液管 １８…制御弁 １９…溶剤供給源 ２０…内カップ ２１…外カップ ２２…傾斜部 ２３…分離板 ２４…外側壁部 ２５…排気口 ２６…排液口 ２８…気液流路 ２９…排気管 ３０…オートダンパ ３２…アーム ３３…ホルダ ３５…供給管 ３６…レジスト液供給タンク ３７…バルブ ３８…ポンプ ３９…エア源 ４１…溶剤供給管 ４２…溶剤供給タンク ４３…ガス供給源 ４４…溶剤用制御弁 ４５…データ格納部 ４６…プリウェット条件 ４７…容器洗浄条件 ４８…供給系制御部 ４９…雰囲気制御部 ５０…ウエハ駆動系制御部 ５１…ディスプレイ ５２…入力部 ５４…Ｙ駆動機構 ５５…Ｙレール ５６…ノズル待機部 ５７…サイドリンスノズル ５８…サイドリンス用アーム ６０…搬送路 ６５…本体 ６６…フィン ６６ａ…開口 ７０…カセット部 ７１…プロセス処理部 ７２…インタフェース部 ９０…スプレーノズル

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 容器と、 この容器内で基板を保持し回転させる基板回転機構と、 この基板回転機構に保持された基板上に、この基板を処
   理するための処理液を供給する処理液供給機構と、 前記基板回転機構に保持された基板上に、溶剤を供給す
   る溶剤供給機構と、 前記溶剤供給機構を制御し、基板前処理用の溶剤と容器
   洗浄用の溶剤とを選択的に供給させる制御部とを有する
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記制御部は、 前記前処理用の溶剤の供給条件と容器洗浄用の溶剤の供
   給条件を格納する供給条件格納部を有し、 この供給条件格納部に格納された各供給条件に基づいて
   前記溶剤供給機構を制御し、基板前処理用の溶剤と容器
   洗浄用の溶剤とを選択的に供給させることを特徴とする
   基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の基板処理装置において、 前記容器洗浄用の溶剤の供給条件は、基板を処理した処
   理液の種類に関連付けられており、 前記制御部は、処理液の種類に応じた供給条件で前記溶
   剤供給機構から溶剤を基板上に供給して容器を洗浄する
   ことを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記溶剤供給機構は、 溶剤の供給源と、 この溶剤供給源に接続され、溶剤の供給量又は供給時間
   若しくはその両方を制御できる溶剤送り機構とを有し、 前記制御部は、 前記溶剤送り機構を制御することで、基板前処理用の溶
   剤と容器洗浄用の溶剤とを選択的に供給させることを特
   徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記溶剤供給機構は、 基板の上面に対して溶剤を供給する上面側供給系統の他
   に、 基板の下面に対して溶剤を供給する下面側供給系統を有
   し、 前記制御部は、 容器洗浄時には、前記上面側供給系統と下面側供給系統
   の両方若しくは何れか一方から溶剤を供給させることを
   特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記溶剤供給機構は、 基板の上面、下面若しくはその両方に対して溶剤を供給
   する溶剤供給系統の他に、 容器の内側に対して霧の溶剤を供給する溶剤噴霧系統と
   を有し、 前記制御部は、 容器洗浄時には、前記溶剤噴霧系統から霧状の溶剤を容
   器内側に噴き付けた後、前記基板を回転させつつ前記溶
   剤供給系統から溶剤を供給させることを特徴とする基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 請求項１記載の基板処理装置において、 この基板処理装置は、さらに、容器内の雰囲気を制御す
   る雰囲気制御機構を有し、 前記制御部は、基板の前処理時、基板の処理時、及び容
   器洗浄時における容器内雰囲気を選択的に制御すること
   を特徴とする基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記制御部は、容器洗浄中に基板回転速度を変化させ、
   容器に対する洗浄位置を移動させることを特徴とする基
   板処理装置。
9. 【請求項９】 請求項１記載の基板処理装置において、 容器洗浄を行なう際に、処理する基板の代わりに、洗浄
   に用いる専用の基板を前記回転保持機構上に供給する基
   板供給機構を有することを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の基板処理装置におい
    て、 この洗浄処理のために用いる基板は、 その一部に、溶剤を厚さ方向に沿って所定の範囲に亘っ
    て飛散させるための溶剤案内部が設けられていることを
    特徴とする基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の基板処理装置におい
    て、 前記溶剤案内部は、洗浄処理のために用いる基板の一部
    を、切り込み立ち上げ加工してなる案内片であることを
    特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０記載の基板処理装置におい
    て、 前記溶剤案内部は、 供給された溶剤を、溶剤が供給された面と反対側の面に
    導く溶剤案内通路を有することを特徴とする基板処理装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項９記載の基板処理装置におい
    て、 前記洗浄処理のために用いる基板及び、処理液で処理す
    る基板を、略同一の温度状態に制御するための基板温度
    制御機構を有することを特徴とする基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１記載の基板処理装置におい
    て、 容器内で基板を保持し回転させる基板回転機構は、 基板との間に所定の隙間を存した状態でこの基板を吸着
    保持するものであることを特徴とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 容器と、 この容器内で基板を保持する基板保持機構と、 前記基板保持機構に保持された基板上に、容器洗浄用の
    溶剤を供給する溶剤供給機構と、 容器内で基板を回転させることで、基板に供給された溶
    剤を回転遠心力によって飛散させ容器を洗浄する基板回
    転機構とを有し、 前記基板は、 その一部に、溶剤を厚さ方向に沿って所定の範囲に亘っ
    て飛散させるための溶剤案内部が設けられていることを
    特徴とする容器洗浄装置。
16. 【請求項１６】 請求項１５記載の容器洗浄装置におい
    て、 前記溶剤案内部は、洗浄処理のために用いる基板の一部
    を、切り込み立ち上げ加工してなる案内片であることを
    特徴とする容器洗浄装置。
17. 【請求項１７】 請求項１５記載の容器洗浄装置におい
    て、 前記溶剤案内部は、 供給された溶剤を、溶剤が供給された面と反対側の面に
    導く溶剤案内通路を有することを特徴とする容器洗浄装
    置。
18. 【請求項１８】 容器内で処理基板を処理する基板処理
    方法において、 容器内に設けられた基板保持機構に処理基板を供給する
    工程と、 処理基板の表面に前処理用の溶剤を供給し、基板の前処
    理を行なう工程と、 処理基板に処理液を供給し、基板の処理を行なう工程
    と、 基板保持機構に処理基板に代えて容器洗浄用基板を供給
    する工程と、 前記前処理用の溶剤を供給したのと同じ供給系統を通し
    て前記容器洗浄用基板上に容器洗浄用の溶剤を供給する
    工程と、 前記容器洗浄用基板を回転させ、回転遠心力によって容
    器洗浄用の溶剤を飛散させ、これによって容器を洗浄す
    る工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
19. 【請求項１９】 請求項１８の基板処理方法において、 前記前処理用の溶剤を供給したのと異なる供給系統を通
    して前記容器洗浄用基板に容器洗浄用の溶剤を供給する
    工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。
20. 【請求項２０】 請求項１８の基板処理方法において、 容器の内側に霧状の溶剤を噴霧する工程を有し、この工
    程の後に前記容器洗浄用基板に容器洗浄用の溶剤を供給
    することを特徴とする基板処理方法。
21. 【請求項２１】 請求項１８の基板処理方法において、 前記容器を洗浄する工程は、 容器洗浄用基板の回転数を変化させて溶剤を飛散方向を
    制御し、容器の下から上に向かって洗浄することを特徴
    とする基板処理方法。
22. 【請求項２２】 請求項１８の基板処理方法において、 容器洗浄用基板は、 その一部に、溶剤を厚さ方向に沿って所定の範囲に亘っ
    て飛散させるための溶剤案内部が設けられていることを
    特徴とする基板処理方法。
23. 【請求項２３】 請求項２２記載の基板処理方法におい
    て、 前記溶剤案内部は、洗浄処理用基板の一部を、切り込み
    立ち上げ加工してなる案内片であることを特徴とする基
    板処理方法。
24. 【請求項２４】 請求項２２記載の基板処理装置におい
    て、 前記溶剤案内部は、 供給された溶剤を、溶剤が供給された面と反対側の面に
    導く溶剤案内通路を有することを特徴とする基板処理方
    法。