WO2006103773A1 - スピン処理方法及び装置 - Google Patents

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spin
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heating
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Masato Tsuchiya
Syunichi Ogasawara
Katsumi Nezu
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Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Definitions

  • the present invention relates to a spin processing method and apparatus capable of improving processing speed and saving processing liquid in spin processing such as spin etching processing and spin cleaning processing.
  • FIG. 5 An apparatus shown in FIG. 5 is known as an apparatus for performing this conventional spin processing, for example, spin etching processing.
  • reference numeral 10 denotes a conventional spin etching apparatus, which has a spin table 14 that is rotatably installed via a rotating shaft 12.
  • Wafer holding means 16 for holding a wafer W is provided on the upper surface of the spin table 14.
  • Reference numeral 18 denotes a chemical solution supply nozzle provided above the woofer holding means 16.
  • the chemical solution supply nozzle 18 is connected to a chemical solution circulation heating tank 22 via a connection pipe L 1 provided with a chemical solution pump P 1.
  • the chemical solution circulation heating tank 22 functions to store the etching solution 20 and circulate and heat it.
  • [0004] 24 is a chemical supply bottle for storing the etching solution 20, which is connected to the chemical circulation heating tank 22 via a connection pipe L2 provided with a pump P2.
  • 26 is a heater means provided adjacent to the chemical circulation heating tank 22 and is provided in the chemical circulation pipe L3 where the circulation pump P3 is installed, and the etching liquid circulating in the chemical circulation pipe L3 is supplied. Plays a warming action.
  • a temperature sensor 28 is installed so as to be immersed in the chemical circulation heating tank 22 and detects the temperature of the etching solution 20 in the chemical circulation heating tank 22.
  • the temperature sensor 28 is electrically connected to the temperature control circuit 30 by an electric wire E1.
  • the temperature control circuit 30 is electrically connected to the heater means 26 via an electric wire E2, and controls the heater means 26 according to a signal from the temperature control circuit 30, so that the etching solution 20
  • the temperature can be controlled to a predetermined temperature.
  • the etching solution 20 that is circulated in the chemical solution circulation heating tank 22 and maintained at a predetermined temperature is supplied from the chemical solution supply nozzle 18 to the upper surface of the wafer W by a predetermined amount. Then, a predetermined spin etching process is performed. In this spin etching process, the temperature of the etching solution 20 in the chemical circulation heating tank 22 is always detected by the temperature sensor 28, and the detected temperature signal is sent to the temperature control circuit 30. The heater means 26 is controlled by this signal, and the temperature of the etching solution 20 is maintained at a predetermined temperature.
  • Patent Document 1 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-315671
  • the present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a spin processing method and apparatus capable of both improving the processing speed in spin processing and saving the processing liquid.
  • the spin processing method of the present invention is to hold and fix the wafer on the upper surface of the spin table, and supply the processing liquid to the wafer surface in a predetermined amount while rotating the spin table.
  • the predetermined temperature by heating the wafer is preferably 25 ° C or higher, more preferably 30 ° C or higher, most preferably 35 ° C or higher.
  • the upper limit of the wafer temperature due to this heating does not matter as long as the temperature of the processing solution does not boil, but the upper limit is about 99 ° C for normal etching solutions and cleaning solutions.
  • An appropriate supply amount of the treatment liquid is lLZmin to 0.005 L / min. If the supply amount exceeds lLZmin, the temperature of the processing solution to be supplied affects the temperature control of the wafer. Therefore, if it is less than 0.005 LZmin, the treatment effect may not be sufficient.
  • the spin processing apparatus of the present invention includes a spin table that is rotatably installed and has wafer holding means on the upper surface, a chemical supply nozzle that supplies a processing liquid to the upper surface of the spin table, and an upper surface of the spin table.
  • a woofer heating means for heating the woofer supported and fixed, a woofer temperature detecting means for detecting the temperature of the woofer, and the woofer based on a detected temperature signal from the woofer temperature detecting means.
  • a temperature control circuit for controlling the heating means.
  • N hot jet that injects nitrogen gas under pressure while heating
  • Heating means that can be used for heating
  • air hot jet means that pressurizes and heats air
  • infrared spotlight means that irradiates infrared rays in a spot shape. (Heater) can also be used.
  • the etching liquid is kept at a high temperature and waits at a high temperature as in the prior art, and then spins.
  • the point is that the wafer processing surface at the spin processing point is transferred to the processing point (upper surface of the spin table) and heated to a temperature close to the upper limit of the wafer and the processing solution used.
  • the supply amount of the processing liquid (chemical solution) in the present invention is such that the flow rate is reduced and supplied to the minimum at which the woofer processing surface can be processed uniformly, thereby preventing the processing surface (chemical solution) from lowering the temperature of the processing surface. I did it. By adopting such means, it has become possible to increase the processing speed and save the amount of processing liquid (chemical solution) used.
  • the temperature of the spin processing point is controlled, so that there is no temperature drop. Note that the smaller the chemical flow rate, the easier the temperature control at the spin processing point and the more advantageous.
  • FIG. 1 is a schematic side view showing one structural example of a spin etching apparatus of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional schematic explanatory view showing another structural example of the spin etching apparatus of the present invention.
  • FIG. 3 is a graph showing the correlation between hydrofluoric acid flow rate and etching rate in Experimental Example 1.
  • FIG. 4 is a graph showing the correlation between the wafer surface temperature and the etching rate in Experimental Example 2.
  • FIG. 5 is a schematic side view showing a structural example of a conventional spin etching apparatus.
  • 10 Conventional spin etching apparatus, 11, 11a: Spin etching apparatus of the present invention, 12: Rotating shaft, 14: Spin table, 16: Wafer holding means, 18: Chemical liquid supply nozzle, 20: Etching liquid, 22: Chemical liquid circulation heating tank, 24: Chemical liquid supply bottle, 26: Heater means, 28: Temperature sensor, 30: Temperature control circuit, 32: Woofer heating means, 34: Wafer temperature detection means, 35: External power supply, 36: Power supply brush, 38: Electric wire, El, E2, E3, E4: Electric wire, LI, L2, L4: Connection Pipe, L3: Chemical circulation pipe, PI, P2, P4: Chemical pump, P3: Circulation pump, W: Ueno.
  • FIG. 1 the same or similar members as those in FIG. 5 will be described using the same reference numerals.
  • reference numeral 11 denotes a spin processing apparatus of the present invention, for example, a spin etching apparatus, which has a spin table 14 that is rotatably set via a rotating shaft 12. Wafer holding means 16 for holding the wafer W is provided on the upper surface of the spin table 14.
  • Reference numeral 18 denotes a chemical supply nozzle provided above the woofer holding means 16. The chemical solution supply nozzle 18 is connected to a chemical solution supply bottle 24 for storing the etching solution 20 through a connection pipe L4 provided with a chemical solution pump P4.
  • the etching solution 20 stored in the chemical solution supply bottle 24 need not be temperature controlled, but may be temperature controlled to a predetermined temperature.
  • Figure 1 shows an example of controlling the temperature of the etchant! /
  • [0025] 32 is a woofer heating means, which is installed above the spin table 14 side. As this wafer heating means 32, air (air) or nitrogen gas (N) is pressurized and heated.
  • Examples include infrared spotlight means for irradiation.
  • the wafer heating processing means it is possible to adopt a configuration in which a heating body (heater) capable of adjusting the temperature is provided in the wafer holding means 16 as described later.
  • [0026] 34 is a woofer temperature detecting means, for example, an infrared radiation thermometer, and is provided at a position above the spin table 14 and facing the woofer heating means 32.
  • the wafer temperature detecting means 34 is electrically connected to the temperature control circuit 30 by an electric wire E3. It is.
  • the temperature control circuit 30 is electrically connected to the roof heating means 32 via an electric wire E4, and controls the roof heating means 32 by a signal from the temperature control circuit 30 to control the temperature of the roof W. It becomes possible to control to a predetermined temperature.
  • the wafer W held by the wafer holding means 16 on the spin table 14 is stored in the chemical supply bottle 24 while being heated to a predetermined temperature by the roof heating means 32. Then, an etching solution is supplied to the upper surface of the wafer W and a predetermined spin etching process is performed. For this spin etching process!
  • the temperature of the woofer W is constantly detected by the woofer temperature detecting means 34, and the detected temperature signal is sent to the temperature control circuit 30, and the woofer heating means 32 is controlled by the signal from the temperature control circuit 30.
  • the temperature of the uha W is maintained at a predetermined temperature.
  • the wafer heating means 32 shown in Fig. 1 includes an air hot jet means and an N hot jet means.
  • FIG. 2 illustrates another example of the processing apparatus of the present invention.
  • the same or similar members as those in FIG. 1 will be described using the same reference numerals.
  • reference numeral 11 a denotes a spin processing apparatus of the present invention, for example, a spin etching apparatus, which has a spin table 14 that is rotatably set via a rotating shaft 12. On the upper surface of the spin table 14, a wafer holding means 16 for holding the wafer W is provided.
  • Reference numeral 33 denotes a heating body (electric heater) provided in the roof holding means 16 for heating the roof W.
  • Current is supplied to the heating element 33 from the external power source 35 via the power supply brushes 36 and 36 and the electric wires 3 and 38, and the holding means 16 and the holding means 16 held by the holding means 16 are fixed. It can be heated.
  • the rest of the configuration is the same as in Figure 1 and will not be described again.
  • the spin processing method and apparatus of the present invention includes a Si process as shown in Examples described later. In addition to the above oxide film removal, it can be applied to resist film removal, nitride film removal, metal film removal, and the like.
  • the wafer was heated and controlled by a hot jet heater using N gas in the spin etching apparatus shown in FIG. 1 as the wafer heating means.
  • the thermal acid film removal time on Si wafer by hydrofluoric acid was measured by changing the hydrofluoric acid flow rate (LZmin), and the relationship with the etching rate (AZsec) was obtained.
  • the wafer heating by the wafer heating means was powerful. The completion of removal of the oxide film was judged by visually repelling the wafer-treated surface.
  • Etching process conditions are as follows. Concentration of hydrofluoric acid: 49.5%, spin speed: 1000 rpm, chemical nozzle: stopped at wafer center, hydrofluoric acid temperature: 21 ° C.
  • the force etching rate was changed from 210 AZsec to 220 AZsec by changing the hydrofluoric acid flow rate from 1 L to 0. There was no variation in range. Therefore, it was confirmed that the etching rate was not affected by changes in the hydrofluoric acid flow rate.
  • the hydrofluoric acid flow rate (LZmin) was set to 0. OlLZmin, the wafer was heated by the wafer heating means, and the wafer surface temperature was changed as shown in FIG. Figure 4 shows the relationship between the wafer surface temperature (° C) and the etching rate (AZsec) by measuring the removal time of the thermal oxide film on the Si wafer by acid. The completion of the removal of the oxide film was confirmed in the same manner as in Experimental Example 1.
  • the etching rate increased as shown in FIG. 4 by increasing the wafer surface temperature. Therefore, it was confirmed that the higher the wafer surface temperature, the higher the etching rate.
  • the use amount of the chemical solution can be greatly reduced by improving the utilization rate of the chemical solution itself over the spin process such as the spin etching process and the spin cleaning process.
  • the supply circuit can be simplified and the cost can be reduced.

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Abstract

　スピン処理における処理速度の向上と処理液の節約の両立を可能とするスピン処理方法及び装置を提供する。スピンテーブル上面にウェーハを保持固定し、該スピンテーブルを回転させつつ、該ウェーハ表面に処理液を所定量ずつ供給し、該ウェーハ表面を処理するスピン処理方法であって、前記ウェーハを加熱し該ウェーハ温度を所定温度に維持した状態で前記処理液を供給し、該ウェーハの処理を行うようにした。前記ウェーハの加熱による所定温度は２５°C以上が好ましい。                                                                       

Description

明 細 書
スピン処理方法及び装置
技術分野
[0001] 本発明は、スピンエッチング処理やスピン洗浄処理等のスピン処理における処理速 度の向上及び処理液の節約を図ることができるようにしたスピン処理方法及び装置 に関する。
背景技術
[0002] 従来のスピン処理にお!、ては、処理液の温度を昇温し、スピン処理点でのゥエーハ 温度を保持する方法が用いられて ヽる。
[0003] この従来のスピン処理、例えば、スピンエッチング処理を行うための装置として、図 5 に示した装置が知られている。図 5において、 10は従来のスピンエッチング装置で、 回転軸 12を介して回転可能に設置されたスピンテーブル 14を有している。該スピン テーブル 14の上面にはゥエーハ Wを保持するゥエーハ保持手段 16が設けられてい る。 18は、該ゥヱーハ保持手段 16の上方に設けられた薬液供給ノズルである。該薬 液供給ノズル 18は薬液ポンプ P 1を設置した接続パイプ L 1を介して薬液循環加温タ ンク 22に接続されている。該薬液循環加温タンク 22は、エッチング液 20を貯留し循 環加温する作用を果たす。
[0004] 24はエッチング液 20を貯留する薬液供給ボトルで、ポンプ P2を設置した接続パイ プ L2を介して前記薬液循環加温タンク 22に接続されており、該薬液循環加温タンク 22内のエッチング液が減少すると補充するように作用する。 26は該薬液循環加温タ ンク 22に隣接して設けられたヒータ手段で、循環用ポンプ P3を設置した薬液循環パ イブ L3に設けられており、薬液循環パイプ L3内を循環するエッチング液を加温する 作用を果たす。 28は温度センサーで、薬液循環加温タンク 22に内に浸漬可能に設 置されており、該薬液循環加温タンク 22内のエッチング液 20の温度を検知する。
[0005] 該温度センサー 28は、電線 E1によって温度制御回路 30に電気的に接続されてい る。該温度制御回路 30は前記ヒータ手段 26に電線 E2を介して電気的に接続され、 該温度制御回路 30からの信号によって該ヒータ手段 26を制御し、エッチング液 20の 温度を所定温度に制御できるようになって 、る。
[0006] 上述したような構成により、前記薬液循環加温タンク 22内において循環されつつ所 定温度に維持されたエッチング液 20は、前記薬液供給ノズル 18から所定量ずっゥ エーハ Wの上面に供給され、所定のスピンエッチング処理が行われる。このスピンェ ツチング処理においては、薬液循環加温タンク 22内のエッチング液 20の温度は、温 度センサー 28によって常時検知され、その検知温度信号は温度制御回路 30に送ら れ、この温度制御回路 30からの信号によりヒータ手段 26を制御し、エッチング液 20 の温度は所定温度に維持される。
[0007] し力しながら、上記したスピンエッチング装置においては、ゥエーハの処理枚数に対 応できる分のエッチング液を加温待機させなければならず、この待機中のエッチング 液の経時劣化が問題であった。また、エッチング液の高温での待機は経時劣化に加 えて、安全面力 見ても問題である。
[0008] また、スピンエッチング処理点（スピンテーブル 14の上面）での温度保持はエツチン グ液供給量の増量を必要とし、処理速度の向上はエッチング液使用量の増加に直 結してしまうという問題もある。さらに、上記した従来の装置では、エッチング液供給 回路が複雑でコストアップにつながるという問題があった。
[0009] スピンエッチング処理にぉ 、て、エッチング処理速度を上げるためには、エッチング 液の温度を高温にし、スピンエッチング処理点での温度低下を少なくするため、薬液 流量を多くする必要がある。しかし、エッチング処理速度を速くするためにエッチング 液の温度を高く設定すると、使用していない待機中のエッチング液も時間とともに劣 化してしまい、さらにエッチング処理点での温度低下を防止するため流量を増加させ ることとなり、処理に必要なエッチング液以上の量を供給しなければならなくなり、エツ チング処理速度の向上とエッチング液の節約を両立させることができない状況であつ た。スピン洗浄処理等の他のスピン処理においても同様の問題があった。
[0010] 上記したエッチング液等の処理液の温度制御を行う手法の他に、基板処理装置の 容器内の雰囲気温度を制御する手法も知られて!/ヽる（特許文献 1)。
特許文献 1 :特開 2000— 315671号公報
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0011] 本発明は、上記した従来技術の問題点に鑑みなされたもので、スピン処理における 処理速度の向上と処理液の節約の両立を可能とするスピン処理方法及び装置を提 供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0012] 上記課題を解決するために、本発明のスピン処理方法は、スピンテーブル上面に ゥエーハを保持固定し、該スピンテーブルを回転させつつ、該ゥエーハ表面に処理 液を所定量ずつ供給し、該ゥ ーハ表面を処理するスピン処理方法であって、前記 ゥエーハを加熱し該ゥ ーハ温度を所定温度に維持した状態で前記処理液を供給し 、該ゥヱーハの処理を行うようにしたことを特徴とする。
[0013] 前記ゥエーハの加熱による所定温度は 25°C以上が好ましぐ 30°C以上がさらに好 ましぐ 35°C以上が最も好ましい。この加熱によるゥエーハ温度の上限値は、処理液 が沸騰しない温度であればいくら高くても力まわないが、通常のエッチング液や洗浄 液では 99°C程度が上限となる。前記処理液の供給量は lLZmin〜0. 005L/min が適当である。前記供給量が lLZminを超えると供給する処理液の温度がゥエーハ の温度制御に影響するので好ましくなぐ 0. 005LZmin未満であると処理効果が充 分でない場合がある。
[0014] 本発明のスピン処理装置は、回転可能に設置されかつ上面にゥエーハ保持手段を 有するスピンテーブルと、該スピンテーブルの上面に処理液を供給する薬液供給ノ ズルと、該スピンテーブル上面に支持固定されたゥ ーハを加熱するゥ ーハ加熱 手段と、該ゥ ーハの温度を検知するゥ ーハ温度検知手段と、該ゥエーハ温度検 知手段からの検知温度信号に基づいて前記ゥエーハ加熱手段を制御する温度制御 回路とからなることを特徴とする。
[0015] 前記ゥエーハ加熱手段としては、窒素ガスを加圧加熱して噴射する Nホットジェット
2
手段、空気を加圧加熱して噴射するエアーホットジェット手段、赤外線をスポット状に 照射する赤外線スポットライト手段を用いることができ、その他に前記ゥエーハ保持手 段に設置された調温可能な加熱体 (ヒータ)を用いることもできる。
[0016] 本発明の眼目は、従来のようにエッチング液を高温で温調待機させてぉ 、てスピン 処理点（スピンテーブル上面）に送る方式でなぐスピン処理点でのゥ ーハ処理面 をゥエーハ及び使用する処理液の上限に近い温度まで昇温させ処理する点にある。
[0017] 本発明における処理液 (薬液)供給量は、ゥ ーハ処理面が均一に処理できる最小 限まで流量を絞り込み供給することとし、処理液 (薬液）による処理面の温度低下を 防止するようにした。このような手段を採用することにより、処理速度の高速化と処理 液 (薬液)使用量の節約を可能とした。
発明の効果
[0018] 本発明によれば、スピン処理点での温度制御を行うため、処理液の経時劣化がなく なり、そのため、限界まで温度を上昇させることができ、化学反応が最速の条件で処 理することができる。よって、本発明によれば生産能力を向上させることができるという 効果が達成される。
[0019] さらに、本発明によれば、薬液流量を必要最小限にしても、スピン処理点の温度制 御を行うため、温度低下がない。なお、薬液流量は少ないほどスピン処理点における 温度制御が容易となり有利である。
[0020] また、本発明によれば、薬液自体の利用率を向上させることとなり、薬液使用量の 減少となる。さらに、薬液供給回路がシンプルとなり、コストダウンが期待できる。 図面の簡単な説明
[0021] [図 1]本発明のスピンエッチング装置の一つの構造例を示す概略側面説明図である
[図 2]本発明のスピンエッチング装置の他の構造例を示す一部断面概略説明図であ る。
[図 3]実験例 1におけるフッ酸流量とエッチングレートとの相関関係を示すグラフであ る。
[図 4]実験例 2におけるゥ ーハ表面温度とエッチングレートとの相関関係を示すダラ フである。
[図 5]従来のスピンエッチング装置の構造例を示す概略側面説明図である。
符号の説明
[0022] 10 :従来のスピンエッチング装置、 11, 11a:本発明のスピンエッチング装置、 12 : 回転軸、 14 :スピンテーブル、 16 :ゥエーハ保持手段、 18 :薬液供給ノズル、 20 :エツ チング液、 22 :薬液循環加温タンク、 24 :薬液供給ボトル、 26 :ヒータ手段、 28 :温度 センサー、 30 :温度制御回路、 32 :ゥヱーハ加熱手段、 34 :ゥエーハ温度検知手段、 35 :外部電源、 36 :給電ブラシ、 38 :電線、 El, E2, E3, E4 :電線、 LI, L2, L4 : 接続パイプ、 L3 :薬液循環パイプ、 PI, P2, P4 :薬液ポンプ、 P3 :循環用ポンプ、 W ：ゥエーノヽ。
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下に本発明の実施の形態を図 1に基づいて説明するが、これら実施の形態は例 示的に示されるもので、本発明の技術思想力 逸脱しない限り種々の変形が可能な ことはいうまでもない。なお、図 1において、図 5における部材と同一又は類似部材は 、同一の符号を用いて説明する。
[0024] 図 1において、 11は本発明のスピン処理装置、例えば、スピンエッチング装置で、 回転軸 12を介して回転可能に設置されたスピンテーブル 14を有している。該スピン テーブル 14の上面には、ゥエーハ Wを保持するゥエーハ保持手段 16が設けられて いる。 18は該ゥヱーハ保持手段 16の上方に設けられた薬液供給ノズルである。該薬 液供給ノズル 18は、薬液ポンプ P4を設置した接続パイプ L4を介してエッチング液 2 0を貯留する薬液供給ボトル 24に接続されて 、る。該薬液供給ボトル 24内に貯留さ れるエッチング液 20は、温度制御される必要はないが、所定温度に温度制御しても よい。図 1にはエッチング液の温度制御を行って ヽな 、例が示されて！/、る。
[0025] 32はゥヱーハ加熱手段で、前記スピンテーブル 14の側上方に設置されている。こ のゥエーハ加熱手段 32としては、空気 (エアー）又は窒素ガス (N )を加圧加熱して
2
噴射するエアーホットジェット手段又は Nホットジェット手段や赤外線をスポット状に
2
照射する赤外線スポットライト手段等を挙げることができる。また、ゥエーハ加熱処理 手段としては、後述するように、前記ゥエーハ保持手段 16に調温可能な加熱体 (ヒー タ)を設ける構成を採用することもできる。
[0026] 34は、ゥヱーハ温度検知手段、例えば、赤外線放射温度計で、前記スピンテープ ル 14の側上方でかつ前記ゥ ーハ加熱手段 32に対向する位置に設けられている。 該ゥエーハ温度検知手段 34は電線 E3によって温度制御回路 30に電気的に接続さ れて 、る。該温度制御回路 30は前記ゥ ハ加熱手段 32に電線 E4を介して電気 的に接続され、該温度制御回路 30からの信号によって該ゥ ハ加熱手段 32を制 御し、ゥ ハ Wの温度を所定温度に制御できるようになって 、る。
[0027] 上記した構成により、前記スピンテーブル 14上にゥ ハ保持手段 16によって保 持されたゥ ハ Wを前記ゥ 加熱手段 32によって、所定温度に加熱した状態 で、前記薬液供給ボトル 24に貯留されて 、るエッチング液がゥ ハ Wの上面に供 給され所定のスピンエッチング処理が行われる。このスピンエッチング処理にお！ヽて 、ゥ ハ Wの温度は、ゥ ハ温度検知手段 34によって常時検知され、その検知 温度信号は温度制御回路 30に送られ、この温度制御回路 30からの信号によってゥ ハ加熱手段 32を制御し、ゥ ハ Wの温度は所定温度に維持される。
[0028] 図 1に示したゥ ハ加熱手段 32としては、エアーホットジェット手段や Nホットジェ
2 ット手段、赤外線スポットライト手段等の、別体としてゥエーハ加熱手段 32を設けた例 を示した力 ゥ 保持手段 16を直接加熱することによって、ゥ Wの加熱を 行う構成を採用することもできるので、以下に説明する。
[0029] 図 2に、本発明の処理装置の他の例を示して説明する。図 2において、図 1におけ る部材と同一又は類似部材は、同一の符号を用いて説明する。
[0030] 図 2において、 11aは本発明のスピン処理装置、例えば、スピンエッチング装置で、 回転軸 12を介して回転可能に設置されたスピンテーブル 14を有している。該スピン テーブル 14の上面には、ゥ ハ Wを保持するゥ ハ保持手段 16が設けられて いる。
[0031] 33はゥ ハ Wを加熱するための該ゥ ハ保持手段 16に設けられた加熱体 (電 気ヒータ）である。該加熱体 33には、外部電源 35から給電ブラシ 36, 36及び電線 3 8, 38を介して電流が供給され、ゥ 保持手段 16並びに該ゥ 保持手段 1 6に保持固定されるゥヱ Wを加熱することができるようになつている。その他の構 成は図 1と同様であるので再度の説明は省略する。上記のような構成とすることによ つて、図 1に示した別体としてゥ 加熱手段 32を設けた場合と同様の作用効果 を達成することができる。
[0032] 本発明のスピン処理方法及び装置は、後述する実施例に示すように、 Siゥ 上の酸化膜除去に用いられる他、レジスト膜除去、窒化膜除去、金属膜除去等に適 用することが可能である。
実施例
[0033] 以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例 示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでな 、ことは 、うまでもな!/、。
[0034] 本実施例ではゥヱーハの加熱手段として図 1に示したスピンエッチング装置にある Nガスを使用するホットジェットヒーターによりゥエーハを加熱制御した。
2
[0035] (実験例 1)
フッ酸による Siゥヱーハ上の熱酸ィ匕膜除去時間をフッ酸流量 (LZmin)を変えて測 定し、エッチングレート（AZsec)との関係を求めた。なお、ゥエーハ加熱手段による ゥエーハ加熱は行わな力つた。また、酸化膜除去の完了は目視によるゥエーハ処理 面の撥水化で判断した。
[0036] エッチング処理条件は次の通りである。フッ酸濃度: 49. 5%、スピン回転数： 1000 rpm、薬液ノズル：ゥエーハセンターで停止、フッ酸温度： 21°C。
[0037] 上記処理条件において、図 3に示したように、フッ酸流量を 1L〜0. OlLZminまで 変化させ、フッ酸流量に対するエッチングレートの変動の有無を調べた力 エツチン グレートは 210AZsec〜220AZsecの範囲で変動はなかった。したがって、フッ酸 流量の変化によってエッチングレートが影響を受けないことを確認した。
[0038] (実験例 2)
フッ酸流量（LZmin)を 0. OlLZminとし、ゥエーハをゥエーハ加熱手段で加熱し 、図 4に示したようにゥエーハ表面温度を変化させた以外は実験例 1と同一の処理条 件を用い、フッ酸による Siゥエーハ上の熱酸ィ匕膜除去時間を測定し、 ゥエーハ表面 温度 (°C)とエッチングレート（AZsec)との関係を求めて、その結果を図 4に示した。 酸ィ匕膜除去の完了の確認は実験例 1と同様に行った。
[0039] 上記処理条件において、ゥエーハ表面温度を上昇させることによりエッチングレート は図 4のように上昇した。したがって、ゥエーハ表面温度をあげればあげる程、エッチ ングレートが上昇することを確認した。
産業上の利用可能性 本発明によれば、スピンエッチング処理やスピン洗净処理などのスピン処理にぉ ヽ て、薬液自体の利用率を向上させることにより、薬液の使用量を大幅に減少させるこ とができる上、薬液供給回路のシンプルィ匕を実現し、コストダウンを図ることができる。

Claims

請求の範囲
[1] スピンテーブル上面にゥエーハを保持固定し、該スピンテーブルを回転させつつ、 該ゥエーハ表面に処理液を所定量ずつ供給し、該ゥエーハ表面を処理するスピン処 理方法であって、前記ゥ ーハを加熱し該ゥ ーハ温度を所定温度に維持した状態 で前記処理液を供給し、該ゥエーハの処理を行うようにしたことを特徴とするスピン処 理方法。
[2] 前記ゥエーハの加熱による所定温度が 25°C以上であることを特徴とする請求項 1記 載のスピン処理方法。
[3] 前記処理液の供給量が lLZmin〜0. 005LZminであることを特徴とする請求項
1又は 2記載のスピン処理方法。
[4] 回転可能に設置されかつ上面にゥヱーハ保持手段を有するスピンテーブルと、該 スピンテーブルの上面に処理液を供給する薬液供給ノズルと、該スピンテーブル上 面に支持固定されたゥ ーハを加熱するゥ ーハ加熱手段と、該ゥ ーハの温度を 検知するゥエーハ温度検知手段と、該ゥエーハ温度検知手段からの検知温度信号に 基づいて前記ゥエーハ加熱手段を制御する温度制御回路とからなることを特徴とす るスピン処理装置。
[5] 前記ゥエーハ加熱手段が、窒素ガスを加圧加熱して噴射する Nホットジェット手段
2
であることを特徴とする請求項 4記載のスピン処理装置。
[6] 前記ゥエーハ加熱手段が、空気を加圧加熱して噴射するエアーホットジェット手段 であることを特徴とする請求項 4記載のスピン処理装置。
[7] 前記ゥエーハ加熱手段が、赤外線をスポット状に照射する赤外線スポットライト手段 であることを特徴とする請求項 4記載のスピン処理装置。
[8] 前記ゥ ーハ加熱手段が、前記ゥヱーハ保持手段に設置された調温可能な加熱体 であることを特徴とする請求項 4記載のスピン処理装置。
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