JP2001085383A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2001085383A JP2001085383A JP25920399A JP25920399A JP2001085383A JP 2001085383 A JP2001085383 A JP 2001085383A JP 25920399 A JP25920399 A JP 25920399A JP 25920399 A JP25920399 A JP 25920399A JP 2001085383 A JP2001085383 A JP 2001085383A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理液、あるいは基板表面を制御することに
より処理速度を制御し、均一な基板表面処理が可能な基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 温調ガス噴きつけノズル６の側面周囲に
設置された温調器７は、温調ガス８（基板表面処理には
寄与しないガス）を温調し、温調ガス８を温調ガス噴き
つけノズル６から噴射し、処理液１または（及び）基板
２を直接加熱し、処理液１（または及び）基板２を加熱
することにより、基板２（または処理液１）の中心部と
外周辺部との温度差を生じないようにし、基板表面温度
（処理液温度）の均一性を保っている。
より処理速度を制御し、均一な基板表面処理が可能な基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 温調ガス噴きつけノズル６の側面周囲に
設置された温調器７は、温調ガス８（基板表面処理には
寄与しないガス）を温調し、温調ガス８を温調ガス噴き
つけノズル６から噴射し、処理液１または（及び）基板
２を直接加熱し、処理液１（または及び）基板２を加熱
することにより、基板２（または処理液１）の中心部と
外周辺部との温度差を生じないようにし、基板表面温度
（処理液温度）の均一性を保っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に係
り、より詳細には、処理液にて基板表面の処理を行う基
板処理装置に関する。
り、より詳細には、処理液にて基板表面の処理を行う基
板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１５に従来の基板処理装置を示す。基
板支持部３で基板２を保持し、回転させながら上部より
処理液１（エッチング液）をかけることにより、基板２
全体の表面処理を行っていた。従来の基板処理装置は、
回転する基板２中央部に処理速度向上のため高温にした
処理液１をかけ、表面処理を行っていた。基板は回転し
ているため、中央部にかけた処理液１は基板２全面に広
がり、全面の処理が可能となる。
板支持部３で基板２を保持し、回転させながら上部より
処理液１（エッチング液）をかけることにより、基板２
全体の表面処理を行っていた。従来の基板処理装置は、
回転する基板２中央部に処理速度向上のため高温にした
処理液１をかけ、表面処理を行っていた。基板は回転し
ているため、中央部にかけた処理液１は基板２全面に広
がり、全面の処理が可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理速
度は基板表面温度（処理液温度）により変化すること、
また、高温の処理液１が直接当たる基板中央部と、処理
液１が広がる外周辺部とでは処理液温度に差が生じるこ
とにより、基板中央部と外周辺部とでは処理量が異な
り、均一な処理が困難であるという問題があった。例え
ば、基板上に成膜された金属膜をエッチングする場合、
基板中央部と外周辺部とでは上記の理由でエッチング速
度に差が生じるため、中央部の金属膜が全てエッチング
された時に外周辺部ではまだ金属膜が残っているという
現象が生じていた。基板上の温度差を小さくするため
に、基板全体に処理液をかけたり、処理液量を増やした
りもしているが、使用処理液量が増加する等の問題があ
った。本発明は、処理液、あるいは基板表面を制御する
ことにより処理速度を制御し、均一な基板表面処理が可
能な基板処理装置を提供することを目的とする。
度は基板表面温度（処理液温度）により変化すること、
また、高温の処理液１が直接当たる基板中央部と、処理
液１が広がる外周辺部とでは処理液温度に差が生じるこ
とにより、基板中央部と外周辺部とでは処理量が異な
り、均一な処理が困難であるという問題があった。例え
ば、基板上に成膜された金属膜をエッチングする場合、
基板中央部と外周辺部とでは上記の理由でエッチング速
度に差が生じるため、中央部の金属膜が全てエッチング
された時に外周辺部ではまだ金属膜が残っているという
現象が生じていた。基板上の温度差を小さくするため
に、基板全体に処理液をかけたり、処理液量を増やした
りもしているが、使用処理液量が増加する等の問題があ
った。本発明は、処理液、あるいは基板表面を制御する
ことにより処理速度を制御し、均一な基板表面処理が可
能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、基板温度を任意に制御する手段を
有することを特徴とする基板処理装置を提供できる。さ
らに、本発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基
板の上部より温調されたガスを基板に噴きつける温調手
段である。
め、本発明によれば、基板温度を任意に制御する手段を
有することを特徴とする基板処理装置を提供できる。さ
らに、本発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基
板の上部より温調されたガスを基板に噴きつける温調手
段である。
【０００５】また、本発明の基板温度を任意に制御する
手段とは、基板の下部より温調されたガスを基板に噴き
つける温調手段である。また、本発明の基板温度を任意
に制御する手段とは、基板の上部及び下部より温調され
たガスを基板に噴きつける温調手段である。また、本発
明の基板温度を任意に制御する手段とは、処理部周辺の
気体を温調する温調手段である。また、本発明の基板温
度を任意に制御する手段とは、温調機能をもつ基板支持
機構である。
手段とは、基板の下部より温調されたガスを基板に噴き
つける温調手段である。また、本発明の基板温度を任意
に制御する手段とは、基板の上部及び下部より温調され
たガスを基板に噴きつける温調手段である。また、本発
明の基板温度を任意に制御する手段とは、処理部周辺の
気体を温調する温調手段である。また、本発明の基板温
度を任意に制御する手段とは、温調機能をもつ基板支持
機構である。
【０００６】また、本発明の基板温度を任意に制御する
手段は、処理部周辺の気体を温調する温調手段と、温調
機能をもつ基板支持機構とを含む。また、本発明の基板
温度を任意に制御する手段とは、基板の上部に温調器を
設置し、基板上の処理液、または基板を温調する温調手
段である。また、本発明の基板温度を任意に制御する手
段とは、基板の上部に温調器を設置し、基板上の処理
液、及び基板を温調する温調手段である。また、本発明
の基板温度を任意に制御する手段とは、基板の下部に温
調器を設置し、基板上の処理液、または基板を温調する
温調手段である。また、本発明の基板温度を任意に制御
する手段とは、基板の下部に温調器を設置し、基板上の
処理液、及び基板を温調する温調手段である。また、本
発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基板の上部
及び下部に温調器を設置し、基板上の処理液、または基
板を温調する温調手段である。
手段は、処理部周辺の気体を温調する温調手段と、温調
機能をもつ基板支持機構とを含む。また、本発明の基板
温度を任意に制御する手段とは、基板の上部に温調器を
設置し、基板上の処理液、または基板を温調する温調手
段である。また、本発明の基板温度を任意に制御する手
段とは、基板の上部に温調器を設置し、基板上の処理
液、及び基板を温調する温調手段である。また、本発明
の基板温度を任意に制御する手段とは、基板の下部に温
調器を設置し、基板上の処理液、または基板を温調する
温調手段である。また、本発明の基板温度を任意に制御
する手段とは、基板の下部に温調器を設置し、基板上の
処理液、及び基板を温調する温調手段である。また、本
発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基板の上部
及び下部に温調器を設置し、基板上の処理液、または基
板を温調する温調手段である。
【０００７】また、本発明の基板温度を任意に制御する
手段とは、基板の上部及び下部に温調器を設置し、基板
上の処理液、及び基板を温調する温調手段である。ま
た、本発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基板
の上部に温調器を設置し、基板の下部より温調されたガ
スを基板に噴きつける温調手段である。ここで、上述し
た温調手段として、誘導加熱を用いる。
手段とは、基板の上部及び下部に温調器を設置し、基板
上の処理液、及び基板を温調する温調手段である。ま
た、本発明の基板温度を任意に制御する手段とは、基板
の上部に温調器を設置し、基板の下部より温調されたガ
スを基板に噴きつける温調手段である。ここで、上述し
た温調手段として、誘導加熱を用いる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、図１〜１４を参照して本発
明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。
図１における基板処理装置は、基板支持部３によって保
持された基板２、基板２の上部に設けられた処理液噴き
つけノズル４、同じく基板２の上部に設けられた温調ガ
ス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成されている。
基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される
処理液１によって表面処理される。温調ガス噴きつけノ
ズル６の側面周囲に設置された温調器７は、温調ガス噴
きつけノズル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理に
は寄与しないガス）を温調する。温調された温調ガス８
は、温調ガス噴きつけノズル６から噴射され、処理液１
または（及び）基板２を直接加熱する。そして、処理液
１または（及び）基板２を加熱することにより、基板２
（または処理液１）の中心部と外周辺部との温度差を生
じないようにし、基板表面温度（処理液温度）の均一性
を保っている。
明による基板処理装置の実施の形態を詳細に説明する。
図１における基板処理装置は、基板支持部３によって保
持された基板２、基板２の上部に設けられた処理液噴き
つけノズル４、同じく基板２の上部に設けられた温調ガ
ス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成されている。
基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される
処理液１によって表面処理される。温調ガス噴きつけノ
ズル６の側面周囲に設置された温調器７は、温調ガス噴
きつけノズル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理に
は寄与しないガス）を温調する。温調された温調ガス８
は、温調ガス噴きつけノズル６から噴射され、処理液１
または（及び）基板２を直接加熱する。そして、処理液
１または（及び）基板２を加熱することにより、基板２
（または処理液１）の中心部と外周辺部との温度差を生
じないようにし、基板表面温度（処理液温度）の均一性
を保っている。
【０００９】図２における基板処理装置は、基板支持部
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられた
温調ガス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成されて
いる。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射
される処理液１によって表面処理される。温調ガス噴き
つけノズル６の側面周囲に設置された温調器７は、温調
ガス噴きつけノズル６の中を通る温調ガス８（基板表面
処理には寄与しないガス）を温調する。そして、温調さ
れた温調ガス８は、温調ガス噴きつけノズル６から噴射
され、基板２を直接加熱し、基板２を介して間接的に処
理液１も加熱する場合もある。そして、処理液１または
（及び）基板２を加熱することにより、基板２（または
処理液１）の中心部と外周辺部との温度差を生じないよ
うにし、基板表面温度（処理液温度）の均一性を保って
いる。
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられた
温調ガス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成されて
いる。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射
される処理液１によって表面処理される。温調ガス噴き
つけノズル６の側面周囲に設置された温調器７は、温調
ガス噴きつけノズル６の中を通る温調ガス８（基板表面
処理には寄与しないガス）を温調する。そして、温調さ
れた温調ガス８は、温調ガス噴きつけノズル６から噴射
され、基板２を直接加熱し、基板２を介して間接的に処
理液１も加熱する場合もある。そして、処理液１または
（及び）基板２を加熱することにより、基板２（または
処理液１）の中心部と外周辺部との温度差を生じないよ
うにし、基板表面温度（処理液温度）の均一性を保って
いる。
【００１０】図３における基板処理装置は、基板支持部
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の上下両部に設けら
れた温調ガス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成さ
れている。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から
噴射される処理液１によって表面処理される。基板２の
上下２箇所にある温調ガス噴きつけノズル６には、個々
の側面周囲に温調器７が設置され、温調ガス噴きつけノ
ズル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与し
ないガス）を温調する。温調された温調ガス８は、個々
の温調ガス噴きつけノズル６から噴射される。基板２の
上部から噴きつけられる温調ガス８は基板２または（及
び）処理液１を直接加熱し、基板２の下部から噴きつけ
られる温調ガス８は基板２を直接加熱し、基板２を介し
て間接的に処理液１も加熱する場合がある。このように
して、基板２（または処理液１）の中心部と外周辺部と
の温度差を生じないようにし、基板表面温度（処理液温
度）の均一性を保っている。
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の上下両部に設けら
れた温調ガス噴きつけノズル６、及び温調器７で構成さ
れている。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から
噴射される処理液１によって表面処理される。基板２の
上下２箇所にある温調ガス噴きつけノズル６には、個々
の側面周囲に温調器７が設置され、温調ガス噴きつけノ
ズル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与し
ないガス）を温調する。温調された温調ガス８は、個々
の温調ガス噴きつけノズル６から噴射される。基板２の
上部から噴きつけられる温調ガス８は基板２または（及
び）処理液１を直接加熱し、基板２の下部から噴きつけ
られる温調ガス８は基板２を直接加熱し、基板２を介し
て間接的に処理液１も加熱する場合がある。このように
して、基板２（または処理液１）の中心部と外周辺部と
の温度差を生じないようにし、基板表面温度（処理液温
度）の均一性を保っている。
【００１１】図４における基板処理装置は、基板支持部
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、及び温調器７で構成されて
いる。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射
される処理液１によって表面処理される。また、基板処
理装置の周辺に設けられた温調器７が、基板処理装置周
辺の気体を温調し、間接的に基板２または（及び）処理
液１を温調することで、基板２（または処理液１）の中
心部と外周辺部との温度差を生じないようにし、基板表
面温度（処理液温度）の均一性を保っている。
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、及び温調器７で構成されて
いる。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射
される処理液１によって表面処理される。また、基板処
理装置の周辺に設けられた温調器７が、基板処理装置周
辺の気体を温調し、間接的に基板２または（及び）処理
液１を温調することで、基板２（または処理液１）の中
心部と外周辺部との温度差を生じないようにし、基板表
面温度（処理液温度）の均一性を保っている。
【００１２】図５における基板処理装置は、基板支持部
３０によって保持された基板２と、基板２の上部に設け
られた処理液噴きつけノズル４とで構成されている。基
板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される処
理液１によって表面処理される。また、基板支持部３０
は温調機能を有している。基板支持部３０は、直接基板
２を温調したり、あるいは基板２を介して間接的に処理
液１を温調することで、基板２（または処理液１）の中
心部と、外周辺部との温度差を小さくし、均一な基板表
面処理を可能とする。
３０によって保持された基板２と、基板２の上部に設け
られた処理液噴きつけノズル４とで構成されている。基
板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される処
理液１によって表面処理される。また、基板支持部３０
は温調機能を有している。基板支持部３０は、直接基板
２を温調したり、あるいは基板２を介して間接的に処理
液１を温調することで、基板２（または処理液１）の中
心部と、外周辺部との温度差を小さくし、均一な基板表
面処理を可能とする。
【００１３】図６における基板処理装置は、基板支持部
３０によって保持された基板２、基板２の上部に設けら
れた処理液噴きつけノズル４、及び温調器７で構成され
ている。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴
射される処理液１によって表面処理される。ここで、図
６に示す基板処理装置は２つの温調手段を有している。
一つは、基板支持部３０自身が有している温調機能、も
う一つは、基板処理装置の周辺に設けられた温調器７で
ある。前者は、直接基板２を温調したり、あるいは基板
２を介して間接的に処理液１を温調する。後者は、基板
処理装置周辺の気体を温調し、間接的に基板２または
（及び）処理液１を温調している。そして前者と後者と
が、基板２（または処理液１）の中心部と、外周辺部と
の温度差を小さくし、均一な基板表面処理を可能とす
る。
３０によって保持された基板２、基板２の上部に設けら
れた処理液噴きつけノズル４、及び温調器７で構成され
ている。基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴
射される処理液１によって表面処理される。ここで、図
６に示す基板処理装置は２つの温調手段を有している。
一つは、基板支持部３０自身が有している温調機能、も
う一つは、基板処理装置の周辺に設けられた温調器７で
ある。前者は、直接基板２を温調したり、あるいは基板
２を介して間接的に処理液１を温調する。後者は、基板
処理装置周辺の気体を温調し、間接的に基板２または
（及び）処理液１を温調している。そして前者と後者と
が、基板２（または処理液１）の中心部と、外周辺部と
の温度差を小さくし、均一な基板表面処理を可能とす
る。
【００１４】図７における基板処理装置は、基板支持部
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、誘導加熱用電源１４、それ
に接続された加熱コイル１０、及び磁性体等加熱可能な
材料で形成されたサセプタ１１で構成されている。基板
２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される処理
液１によって表面処理される。誘導加熱用電源１４に接
続された加熱コイル１０がサセプタ１１を加熱し、その
熱によって間接的に基板２または（及び）処理液１を均
一な温度になるように制御したり、基板処理装置周辺の
気体を均一な温度になるように制御したりする。そし
て、これらの温度制御によって均一な基板表面処理が可
能となる。
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、誘導加熱用電源１４、それ
に接続された加熱コイル１０、及び磁性体等加熱可能な
材料で形成されたサセプタ１１で構成されている。基板
２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される処理
液１によって表面処理される。誘導加熱用電源１４に接
続された加熱コイル１０がサセプタ１１を加熱し、その
熱によって間接的に基板２または（及び）処理液１を均
一な温度になるように制御したり、基板処理装置周辺の
気体を均一な温度になるように制御したりする。そし
て、これらの温度制御によって均一な基板表面処理が可
能となる。
【００１５】図８における基板処理装置は、基板支持部
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられた
温調ガス噴きつけノズル６、及び誘導加熱用電源１４、
それに接続された加熱コイル１０とで構成されている。
基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される
処理液１によって表面処理される。
３によって保持された基板２、基板２の上部に設けられ
た処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられた
温調ガス噴きつけノズル６、及び誘導加熱用電源１４、
それに接続された加熱コイル１０とで構成されている。
基板２表面は、処理液噴きつけノズル４から噴射される
処理液１によって表面処理される。
【００１６】温調ガス噴きつけノズル６が、ステンレス
の場合、その周囲に加熱コイル１０を配置することによ
り、温調ガス噴きつけノズル６の中を通る温調ガス８
（基板表面処理には寄与しないガス）を温調する。温調
された温調ガス８は、温調ガス噴きつけノズル６から噴
射される。そして、その温調ガス８が直接基板２を加熱
したり、基板２を介して間接的に処理液１を加熱したり
して、基板２または（及び）処理液１の温度を均一に制
御し、均一な基板表面処理を可能としている。
の場合、その周囲に加熱コイル１０を配置することによ
り、温調ガス噴きつけノズル６の中を通る温調ガス８
（基板表面処理には寄与しないガス）を温調する。温調
された温調ガス８は、温調ガス噴きつけノズル６から噴
射される。そして、その温調ガス８が直接基板２を加熱
したり、基板２を介して間接的に処理液１を加熱したり
して、基板２または（及び）処理液１の温度を均一に制
御し、均一な基板表面処理を可能としている。
【００１７】温調ガス噴きつけノズル６が、樹脂の場
合、その周囲にサセプタ１１を介して加熱コイル１０を
配置する。これを示したものが図９である。加熱コイル
１１は、サセプタ１１を介して温調ガス噴きつけノズル
６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しない
ガス）を温調する。温調された温調ガス８は、温調ガス
噴きつけノズル６から噴射される。そして、その温調ガ
ス８が直接基板２を加熱したり、基板２を介して間接的
に処理液１を加熱したりして、基板２または（及び）処
理液１の温度を均一に制御し、均一な基板表面処理を可
能としている。
合、その周囲にサセプタ１１を介して加熱コイル１０を
配置する。これを示したものが図９である。加熱コイル
１１は、サセプタ１１を介して温調ガス噴きつけノズル
６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しない
ガス）を温調する。温調された温調ガス８は、温調ガス
噴きつけノズル６から噴射される。そして、その温調ガ
ス８が直接基板２を加熱したり、基板２を介して間接的
に処理液１を加熱したりして、基板２または（及び）処
理液１の温度を均一に制御し、均一な基板表面処理を可
能としている。
【００１８】図１０における基板処理装置は、基板支持
部３によって保持された基板２、基板２の上部に設けら
れた処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられ
た温調ガス噴きつけノズル６、及び誘導加熱用電源１
４、それに接続された加熱コイル１０、及び磁性体等加
熱可能な材料で形成されたサセプタ１１構成されてい
る。ここで、誘導加熱用電源１４と、それに接続された
加熱コイル１０とは、基板２の上下に２組ある。基板２
の上部にある加熱コイル１０は、サセプタ１１を加熱
し、その熱によって間接的に基板２または（及び）処理
液１を均一な温度になるように制御したり、基板処理装
置周辺の気体を均一な温度になるように制御したりす
る。
部３によって保持された基板２、基板２の上部に設けら
れた処理液噴きつけノズル４、基板２の下部に設けられ
た温調ガス噴きつけノズル６、及び誘導加熱用電源１
４、それに接続された加熱コイル１０、及び磁性体等加
熱可能な材料で形成されたサセプタ１１構成されてい
る。ここで、誘導加熱用電源１４と、それに接続された
加熱コイル１０とは、基板２の上下に２組ある。基板２
の上部にある加熱コイル１０は、サセプタ１１を加熱
し、その熱によって間接的に基板２または（及び）処理
液１を均一な温度になるように制御したり、基板処理装
置周辺の気体を均一な温度になるように制御したりす
る。
【００１９】さらに、基板２の下部にある温調ガス噴き
つけノズル６が、ステンレスの場合、その周囲に加熱コ
イル１０を配置することにより、温調ガス噴きつけノズ
ル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しな
いガス）を温調する。そして、これら２組の誘導加熱用
電源１４と、それに接続された加熱コイル１０とによっ
て、均一な基板表面処理が可能となる。基板２の下部に
ある温調ガス噴きつけノズル６が、樹脂の場合、その周
囲にサセプタ１１を介して加熱コイル１０を配置する。
これを示したものが図１１である。加熱コイル１１は、
サセプタ１１を介して温調ガス噴きつけノズル６の中を
通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しないガス）を
温調する。
つけノズル６が、ステンレスの場合、その周囲に加熱コ
イル１０を配置することにより、温調ガス噴きつけノズ
ル６の中を通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しな
いガス）を温調する。そして、これら２組の誘導加熱用
電源１４と、それに接続された加熱コイル１０とによっ
て、均一な基板表面処理が可能となる。基板２の下部に
ある温調ガス噴きつけノズル６が、樹脂の場合、その周
囲にサセプタ１１を介して加熱コイル１０を配置する。
これを示したものが図１１である。加熱コイル１１は、
サセプタ１１を介して温調ガス噴きつけノズル６の中を
通る温調ガス８（基板表面処理には寄与しないガス）を
温調する。
【００２０】図１２における基板処理装置は、基板支持
部３１にサセプタの機能をもたせたもので、誘導加熱用
電源１４に接続された加熱コイル１０により、磁性体等
加熱可能な材料で形成された基板支持部３を加熱するこ
とで間接的に基板２または（及び）処理液１の温度制御
を行い、均一な基板表面処理を可能とする。図１３にお
ける基板処理装置は、基板支持部３１にサセプタの機能
をもたせ、さらに、基板２の上部にも誘導加熱用電源１
４に接続された加熱コイル１０と、サセプタ１１とを配
置したものである。磁性体等加熱可能な材料で形成され
た基板支持部３及びサセプタ１１を加熱することで間接
的に基板２または（及び）処理液１の温度制御を行い、
均一な基板表面処理を可能とする。
部３１にサセプタの機能をもたせたもので、誘導加熱用
電源１４に接続された加熱コイル１０により、磁性体等
加熱可能な材料で形成された基板支持部３を加熱するこ
とで間接的に基板２または（及び）処理液１の温度制御
を行い、均一な基板表面処理を可能とする。図１３にお
ける基板処理装置は、基板支持部３１にサセプタの機能
をもたせ、さらに、基板２の上部にも誘導加熱用電源１
４に接続された加熱コイル１０と、サセプタ１１とを配
置したものである。磁性体等加熱可能な材料で形成され
た基板支持部３及びサセプタ１１を加熱することで間接
的に基板２または（及び）処理液１の温度制御を行い、
均一な基板表面処理を可能とする。
【００２１】図１４における基板処理装置では、温調器
７を基板２の表面付近に配置し、直接基板２、または
（及び）処理液１を温調することにより、基板２（また
は処理液１）の中心部と外周辺部との温度差をなくし、
均一な基板表面処理を可能とする。以上、本発明による
基板処理装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明
は前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば上記の説
明では、温調ガス８に、基板表面処理には寄与しないガ
スを用いているが、基板表面処理を直接行うガス、ある
いは基板表面処理を促進するガスを用いることも可能で
ある。
７を基板２の表面付近に配置し、直接基板２、または
（及び）処理液１を温調することにより、基板２（また
は処理液１）の中心部と外周辺部との温度差をなくし、
均一な基板表面処理を可能とする。以上、本発明による
基板処理装置の実施の形態を詳細に説明したが、本発明
は前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要
旨を逸脱しない範囲で変更可能である。例えば上記の説
明では、温調ガス８に、基板表面処理には寄与しないガ
スを用いているが、基板表面処理を直接行うガス、ある
いは基板表面処理を促進するガスを用いることも可能で
ある。
【００２２】
【発明の効果】このように、本発明による基板処理装置
によれば、処理液、あるいは基板表面を制御することに
より処理速度を制御し、均一な基板表面処理を行うこと
が可能である。
によれば、処理液、あるいは基板表面を制御することに
より処理速度を制御し、均一な基板表面処理を行うこと
が可能である。
【図１】本発明による第１の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図２】本発明による第２の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図３】本発明による第３の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図４】本発明による第４の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図５】本発明による第５の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図６】本発明による第６の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図７】本発明による第７の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図８】本発明による第８の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図９】本発明による第９の実施の形態である基板処理
装置の側面図。
装置の側面図。
【図１０】本発明による第１０の実施の形態である基板
処理装置の側面図。
処理装置の側面図。
【図１１】本発明による第１１の実施の形態である基板
処理装置の側面図。
処理装置の側面図。
【図１２】本発明による第１２の実施の形態である基板
処理装置の側面図。
処理装置の側面図。
【図１３】本発明による第１３の実施の形態である基板
処理装置の側面図。
処理装置の側面図。
【図１４】本発明による第１４の実施の形態である基板
処理装置の側面図。
処理装置の側面図。
【図１５】従来の基板処理装置の側面図。
１：処理液 ２：基板 ３、３０、３１：基板支持部 ６：温調ガス噴きつけノズル ７：温調器 ８：温調ガス
Claims (15)
- 【請求項１】 基板回転機構を有し、処理液にて基板表
面の処理を行う基板処理装置において、 基板温度を任意に制御する手段を有することを特徴とす
る基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部より温調されたガ
スを前記基板に噴きつける温調手段であることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の下部より温調されたガ
スを前記基板に噴きつける温調手段であることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部及び下部より温調
されたガスを前記基板に噴きつける温調手段であること
を特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、処理部周辺の気体を温調する温調
手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、温調機能をもつ基板支持機構であ
ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項７】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、処理部周辺の気体を温調する温調
手段と、 温調機能をもつ基板支持機構とを含むことを特徴とする
基板処理装置。 - 【請求項８】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部に温調器を設置
し、前記基板上の前記処理液、または前記基板を温調す
る温調手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部に温調器を設置
し、前記基板上の前記処理液、及び前記基板を温調する
温調手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１０】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の下部に温調器を設置
し、前記基板上の前記処理液、または前記基板を温調す
る温調手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の下部に温調器を設置
し、前記基板上の前記処理液、及び前記基板を温調する
温調手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部及び下部に温調器
を設置し、前記基板上の前記処理液、または前記基板を
温調する温調手段であることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項１３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部及び下部に温調器
を設置し、前記基板上の前記処理液、及び前記基板を温
調する温調手段であることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１４】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記制御する手段は、前記基板の上部に温調器を設置
し、前記基板の下部より温調されたガスを前記基板に噴
きつける温調手段であることを特徴とする基板処理装
置。 - 【請求項１５】 請求項２乃至請求項１４のいずれかに
記載の基板処理装置において、 前記温調手段として、誘導加熱を用いることを特徴とす
る基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25920399A JP2001085383A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25920399A JP2001085383A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085383A true JP2001085383A (ja) | 2001-03-30 |
Family
ID=17330830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25920399A Pending JP2001085383A (ja) | 1999-09-13 | 1999-09-13 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001085383A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003021657A1 (fr) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Tokyo Electron Limited | Dispositif et procede de traitement de substrat |
| WO2003032380A1 (fr) * | 2001-10-03 | 2003-04-17 | Ebara Corporation | Dispositif et procede de traitement d'un substrat |
| WO2006103773A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | スピン処理方法及び装置 |
| JP2012069696A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 基板の処理装置および基板の処理方法 |
| WO2013191421A1 (ko) * | 2012-06-18 | 2013-12-27 | 주식회사 제우스 | 기판 처리 장치 |
| JP2014022678A (ja) * | 2012-07-23 | 2014-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハのエッチング方法 |
| JP2014038979A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| KR101371118B1 (ko) * | 2009-01-22 | 2014-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 약액 처리 장치 및 약액 처리 방법 |
| KR101401782B1 (ko) | 2012-12-31 | 2014-05-30 | 한국수력원자력 주식회사 | 모재의 간접가열방식을 이용한 에칭장치 |
| CN103871815A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 |
| US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| JP2018113481A (ja) * | 2018-04-09 | 2018-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25920399A patent/JP2001085383A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7416632B2 (en) | 2001-09-03 | 2008-08-26 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| JP2003115474A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Ebara Corp | 基板処理装置及び方法 |
| WO2006103773A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. | スピン処理方法及び装置 |
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| US10002770B2 (en) | 2012-08-17 | 2018-06-19 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| US11217452B2 (en) | 2012-08-17 | 2022-01-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing device and substrate processing method for carrying out chemical treatment for substrate |
| JP2014038979A (ja) * | 2012-08-20 | 2014-02-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| CN103871815A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体处理装置及处理半导体晶圆的方法 |
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