JP2003115474A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

基板処理装置及び方法

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JP2003115474A
JP2003115474A JP2001307543A JP2001307543A JP2003115474A JP 2003115474 A JP2003115474 A JP 2003115474A JP 2001307543 A JP2001307543 A JP 2001307543A JP 2001307543 A JP2001307543 A JP 2001307543A JP 2003115474 A JP2003115474 A JP 2003115474A
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temperature
etching
processing apparatus
plating
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真二 梶田
Ichiro Katakabe
一郎 片伯部
Haruko Ono
晴子 大野
Katsutaka Inoue
雄貴 井上
Sachiko Kihara
幸子 木原
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板表面で起きるエッチングやめっき等の基
板処理速度をより均一に向上させ、例えばめっきにあっ
ては、より均一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成
できるようにする。 【解決手段】 基板Ｗを保持し回転させる基板保持部１
０と、基板保持部１０で保持し回転させた基板Ｗに温度
を制御した加熱流体を接触させて基板Ｗの温度を制御す
る加熱流体供給部２４とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置及び
方法に係り、特に半導体ウエハなどの基板を加熱するこ
とで、例えば膜の湿式エッチング速度や成膜速度等の基
板処理速度を向上させるようにした基板処理装置及び方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウエハ等の基板上に回路を
形成するための配線材料として、アルミニウムまたはア
ルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロ
マイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが
顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設
けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形
成される。この銅配線を形成する方法としては、ＣＶ
Ｄ、スパッタリング及びめっきといった手法があるが、
いずれにしても、基板のほぼ全表面に銅を成膜して、化
学機械的研磨（ＣＭＰ）により不要の銅を除去するよう
にしている。
【０００３】図４は、この種の銅配線基板Ｗの一製造例
を工程順に示すもので、先ず、図４（ａ）に示すよう
に、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａ
の上にＳｉＯ２からなる酸化膜（絶縁膜）２を堆積し、
この酸化膜２の内部に、リソグラフィ・エッチング技術
によりコンタクトホール３と配線用の溝４を形成し、そ
の上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解
めっきの給電層としてシード層７を形成する。
【０００４】そして、図４（ｂ）に示すように、基板Ｗ
の表面に銅めっきを施すことで、コンタクトホール３及
び溝４内に銅を充填するとともに、酸化膜２上に銅膜６
を堆積する。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）によ
り、酸化膜２上の銅膜６を除去して、コンタクトホール
３及び配線用の溝４に充填させた銅膜６の表面と酸化膜
２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図４
（ｃ）に示すように銅膜６からなる配線が形成される。
【０００５】ここで、バリア層５は、酸化膜２のほぼ全
面を覆うように形成され、シード層７は、バリア層５の
ほぼ全面を覆うように形成される。このため、基板Ｗの
エッジ（周縁部）にシード層である銅膜が存在したり、
銅が成膜され研磨されずに残ったりすることがある。ま
た、シード層の形成やめっきの工程において裏面に銅や
銅塩が付着することがある。銅は、例えばアニール等の
半導体製造工程において、絶縁膜中に容易に拡散し、そ
の絶縁性を劣化させたり、その後の搬送や処理等の工程
でコンタミネーションの原因ともなり得るので、完全に
除去する必要がある。このため、エッジ部に成膜乃至付
着した銅等の導電性材料をエッチング加工等により除去
することが提案されている。また、基板積層構造によっ
ては薬液処理でエッジ部よりパーティクルが発生するこ
とが知られている。
【０００６】従来、この種の配線・電極材料である銅
（Ｃｕ）膜やルテニウム（Ｒｕ）膜等を形成した後の基
板のエッジエッチング処理としては、基板を回転させな
がら、基板の中央部より超純水を流し、同時に基板のエ
ッジに配線や電極材料を除去するエッチング液を供給
し、これによって、基板のエッジに成膜乃至付着した不
要な導電性材料をエッチング除去するようにしたものが
知られている。この時、エッチング速度を上げるため、
エッチング液の温度を上げることが行われている。
【０００７】また、電解めっきなどで基板の表面に銅膜
６（図４参照）を成膜する際、めっき装置として、めっ
き液を循環させるタイプのものを使用した場合には、め
っき液の温度を制御して、めっきの成膜速度を制御する
ことが広く行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ば、エッチング液として、揮発性の高い薬液や高温で分
解しやすい薬液を使用した場合に、この薬液（エッチン
グ液）の温度を上げ、この温度を上げた薬液を基板に接
触させてエッチング速度を向上させることは、装置の負
荷、環境の負荷、更には安全面から好ましくない。更
に、例えば前述の従来例のように、エッチング液を加熱
したり、めっき液の温度を制御したりしてエッチング速
度や成膜速度等の基板処理速度を向上させると、基板処
理の初期段階において、基板の温度が常温であり、基板
の全面における温度が一様にならず、基板処理速度にば
らつきが生じるばかりでなく、例えばめっき処理にあっ
ては、めっき膜の膜厚を基板の全面に亘って均一にする
ことが困難であるといった問題があった。
【０００９】本発明は上記に鑑みてなされたもので、基
板表面で起きるエッチングやめっき等の基板処理速度を
より均一に向上させ、例えばめっきにあっては、より均
一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成できるように
した基板処理装置及び方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を保持し回転させる基板保持部と、前記基板保
持部で保持し回転させた基板に温度を制御した加熱流体
を接触させて基板の温度を制御する加熱流体供給部とを
有することを特徴とする基板処理装置である。このよう
に、基板に加熱流体を接触させて、基板そのものの温度
を制御することで、基板全体の温度を処理当初から一定
にして、処理速度をより均一に向上させ、しかも、めっ
き処理にあっては、基板温度の面内均一性を向上させ
て、より均一な膜厚のめっき膜を成膜することができ
る。
【００１１】請求項２に記載の発明は、基板を保持し回
転させる基板保持部を有し、該基板保持部で保持し回転
させた基板に複数の流体を同時に接触させて基板の処理
を行う基板処理装置において、前記複数の流体のうち少
なくとも１つの流体は加熱流体とし、他の流体は常温付
近またはそれ以下の温度の流体とすることを特徴とする
基板処理装置である。常温とは、加熱・冷却などしな
い、平常の温度を指す。
【００１２】請求項３に記載の発明は、前記加熱流体
は、加熱した液体であることを特徴とする請求項１記載
の基板処理装置である。これにより、揮発性の高い薬液
や高温で分解しやすい薬液の温度を上げることなく、基
板の温度を制御することができる。例えば基板の表面に
加熱した液体を、基板の裏面に揮発性の高い薬液や高温
で分解しやすい薬液を供給することで、基板自体の温度
を制御しつつ基板処理を行うことができる。
【００１３】請求項４に記載の発明は、前記液体は、純
水であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置
である。これにより揮発性の高い薬液や高温で分解しや
すい薬液の温度を上げることなく、例えば基板のリンス
に使用される純水の温度を上昇させて、基板自体の温度
を制御することができる。
【００１４】請求項５に記載の発明は、前記基板保持部
で保持した基板の任意の領域に、流体を供給する流体供
給部を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載の基板処理装置である。これにより、例え
ば、エッチングに使用されるエッチング液等の流体を流
体供給部から基板の任意の領域に供給することで、揮発
性の高い薬液や高温で分解しやすい薬液からなるエッチ
ング液を加熱することなく、基板を加熱することができ
る。
【００１５】請求項６に記載の発明は、基板を保持し回
転させながら該基板に温度を制御した加熱流体を接触さ
せて基板の温度を制御しつつ、基板に処理を施すことを
特徴とする基板処理方法である。請求項７に記載の発明
は、基板を保持し回転させながら該基板に温度を制御し
た加熱流体を接触させて基板の温度を制御しつつ、同時
に常温またはそれ以下の温度の流体を接触させて基板に
処理を施すことを特徴とする基板処理方法である。
【００１６】請求項８に記載の発明は、前記基板処理
は、エッジエッチング処理及び／または基板洗浄処理で
あることを特徴とする請求項６または７記載の基板処理
方法である。請求項９に記載の発明は、前記基板処理
は、めっき処理であることを特徴とする請求項６または
７記載の基板処理方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形
態の基板処理装置を示す。この基板処理装置は、基板の
エッジエッチング処理に適するようにしたもので、基板
Ｗをその表面を上向き（フェースアップ）で保持し回転
させる基板保持部１０を有している。この基板保持部１
０は、基板Ｗの外方に内方に向けて移動自在に配置した
複数本の回転支持体１２を有し、この回転支持体１２を
内方に移動させて基板Ｗを左右から挟持して保持し、こ
の状態で、回転支持体１２を回転させて基板Ｗを回転さ
せるようになっている。
【００１８】基板保持部１０の側方に位置して、基板保
持部１０で保持した基板Ｗの表面のほぼ中央に純水等を
供給する表面ノズル１４が配置され、更に基板保持部１
０で保持した基板Ｗの裏面側のほぼ中央に位置して、基
板保持部１０で保持した基板の裏面のほぼ中央に純水や
薬液等を供給する裏面ノズル１６，１８が鉛直方向に配
置されている。
【００１９】更に、基板保持部１０の側方に位置して、
上下動自在で回動自在な支持軸２０が立設され、この支
持軸２０の上端に、水平方向に延びる揺動アーム２２の
基端が連接されている。この揺動アーム２２の自由端側
には、基板保持部１０で保持した基板Ｗの表面のほぼ中
央に純水や薬液等を供給するセンタノズル２４と、同じ
く外周部（エッジ）に薬液等を供給するエッジノズル２
６が備えられている。
【００２０】ここで、この例にあっては、センタノズル
２４から温度を制御した加熱流体を基板保持部１０で保
持した基板Ｗに向けて供給し基板Ｗに加熱流体を接触さ
せることで、このセンタノズル２４が加熱流体供給部と
しての役割を果たし、エッジノズル２６が薬液等を基板
Ｗに供給する流体供給部としての役割を果たすように構
成されている。
【００２１】つまり、基板Ｗを基板保持部１０の回転支
持体１２で保持し回転させた状態で、センタノズル（加
熱流体供給部）２４から加熱流体を基板Ｗの表面に向け
て供給し、この加熱流体を基板Ｗの遠心力で基板の全面
に拡がらせることで基板全体を均一に加熱して基板の温
度を制御し、この状態で、エッジノズル２６から基板の
外周部に向けて薬液等を供給し、これによって、エッジ
エッチング等の処理を行うようになっている。
【００２２】図２は、本発明の第２の実施の形態の基板
処理装置を示す。この基板処理装置は、基板Ｗの表面に
めっき処理を施す無電解めっき装置２８に適用したもの
で、この無電解めっき装置２８は、基板Ｗをチャック３
０を介して着脱自在に上向き（フェースアップ）に保持
する回転自在な基板保持部３２と、この基板保持部３２
で保持した基板Ｗの上面（被めっき面）にめっき液３４
を供給するセンタノズル３６とを有している。この基板
保持部３２は、主軸３８の上端に連結され、この主軸３
８に固着した従動プーリ４０とモータ４２に固着した駆
動プーリ４４との間にタイミングベルト４６が掛け渡さ
れ、これによって、モータ４２の駆動に伴って回転する
ようになっている。
【００２３】一方、基板保持部３２で保持した基板Ｗの
下面（裏面）に対向して、上方に向けた加熱流体、例え
ばこの例では超純水の噴流を形成する加熱流体噴射管４
８が配置され、この加熱流体噴射管４８は加熱流体供給
源（図示せず）に接続されている。更に、基板保持部３
２の外側には、該基板保持部３２を囲繞してめっき液受
け５０が配置されている。
【００２４】これにより、基板Ｗを基板保持部３２で上
向きに保持して配置し、基板Ｗを回転させながら、めっ
き液３４を基板Ｗの上部から流下させて、基板Ｗの上面
（被めっき面）にめっき液３４を接触させ、これによっ
て、基板Ｗの上面にめっき膜を形成するようにしてい
る。このめっき処理時に、加熱した超純水を加熱流体噴
射管４８から基板Ｗの裏面に向けて噴射し、これによっ
て、基板Ｗの回転と相俟って、基板全体を均一に加熱す
る。このように、基板全体を加熱した超純水で均一に加
熱して基板全体の温度を一定に制御することで、基板温
度そのものも均一性良く上昇させて、成膜速度およびめ
っき膜の膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００２５】図３は、図２に示す無電解めっき装置２８
を備えた基板処理装置の全体構成を示す。この基板処理
装置は、ロード・アンロード部５２ａ，５２ｂ、前処理
を行う洗浄装置５４，５６、めっきの際の活性化剤とな
るＳｎＣｌ２液等により活性化処理を行う活性化処理装
置５８、無電解めっきの際の触媒となるＰｄＣｌ２液等
により触媒付与処理を行う触媒付与装置６０、無電解め
っき装置２８、めっき処理後の後処理を行う洗浄・乾燥
装置６４，６６、これらの間に基板Ｗの搬送を行う２基
の搬送装置（搬送ロボット）６８，７０、及び仮置きス
テージ７２を有している。
【００２６】ここで、一方の洗浄・乾燥装置６４は、こ
の例では、ロールクリーニングユニットで構成され、他
方の洗浄・乾燥装置６６は、ペンシル・スポンジを備え
たスピンドライユニットで構成されている。また、ロー
ド・アンロード部５２ａ，５２ｂ側に位置する搬送装置
６８はドライロボットで、仮置きステージ７２を挟んで
反対側に位置する搬送装置７０は、反転機構を備えたウ
ェットロボットである。
【００２７】次に、上記のように構成した基板処理装置
による一連のめっき処理の工程について説明する。ま
ず、ロード・アンロード部５２ａ，５２ｂに保持された
基板Ｗを一方の搬送装置６８により取り出し、仮置きス
テージ７２に置く。他方の搬送装置７０は、これを洗浄
装置５４に搬送し、ここで前洗浄を行った後、活性化処
理装置５８に搬送し、ここで、ＳｎＣｌ２等の活性化剤
を含む処理液によって活性化処理を行う。次に、基板Ｗ
を隣接する触媒付与装置６０に搬送し、ここでＰｄＣｌ
２液等の触媒によって触媒付与処理を行い、しかる後リ
ンスする。
【００２８】この過程では、活性化処理装置５８におい
て、活性化剤からのイオンＳｎ２＋が基板Ｗの表面に吸
着され、このイオンは、触媒付与装置６０において酸化
されてＳｎ４＋になり、逆にＰｄ２＋は還元されて金属
Ｐｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっ
き工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイ
ドの１液キャタリストを用いて行うこともできる。な
お、以上のような触媒付与工程は、この例のように、活
性化処理装置５８と触媒付与装置６０で行うこともでき
るが、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。
また、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態に
よっては、前述の活性化処理及び／又は触媒付与処理を
省略できる場合がある。
【００２９】搬送装置７０は、基板Ｗをさらに洗浄装置
５６に運び、ここで前洗浄を行った後、無電解めっき装
置２８に運び、ここで所定の還元剤と所定のめっき液を
用いて無電解めっき処理を行う。この場合、例えば銅め
っきにあっては、固液界面で還元剤の分解によって生じ
た電子が、基板表面の触媒を経由してＣｕ２＋に与えら
れ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して銅めっき膜を形成
する。なお、この触媒としては、Ｐｄ以外にも、遷移金
属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を用いるこ
とができる。
【００３０】次に、搬送装置６８でめっき後の基板を無
電解めっき装置２８から取り出して洗浄・乾燥装置６４
に運ぶ。この洗浄・乾燥装置６４では、基板をロールに
よって水洗浄して乾燥させる。そして、搬送装置６８
は、この基板を洗浄・乾燥装置６６に運び、この洗浄・
乾燥装置６６でペンシル・スポンジによる仕上げの洗浄
とスピンドライによる乾燥を行って、ロード・アンロー
ド部５２ａ，５２ｂへ戻す。基板は後にＣＭＰ装置や酸
化膜形成装置に搬送される。
【００３１】（実施例１）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用して、基板のエッジエッチ
ング及び裏面洗浄を行った。この時、基板Ｗとして、シ
リコンウエハに酸化膜（ＳｉＯ２）を１００ｎｍ、その
上にＴａＮ膜を３０ｎｍ、シード層としての銅スパッタ
膜を１５０ｎｍ、銅めっき膜を１０００ｎｍ形成したも
のを使用した。
【００３２】先ず、基板Ｗを基板保持部１０で保持し、
基板Ｗを回転させながら、表面ノズル１４及び裏面ノズ
ル１６から基板Ｗの表裏面に純水を供給して基板Ｗを濡
らす。このように、基板Ｗを予め純水で濡らすことによ
り、エッチング薬液を供給開始と同時にむらなく基板に
拡げることができる。
【００３３】そして、退避していた揺動アーム２２を基
板Ｗの表面の中心部まで移動させ、基板Ｗの近傍まで下
降させた後、基板Ｗを回転させながら、センタノズル２
４から回路形成面の保護、銅の自然酸化膜除去のために
ＤＨＦ（１.０Ｌ／ｍｉｎ）を供給した。この時、ＤＨ
Ｆを加熱してその温度を制御し、この加熱したＤＨＦを
基板Ｗに供給して、基板Ｗを均一に加熱した。その直
後、エッジノズル２６から、酸化性の酸として、常温ま
たはそれ以下の温度のＨ２Ｏ２（約３０ｍＬ／ｍｉｎ）
を基板の端面から３ｍｍの位置に供給してエッジ部の銅
膜をエッチング除去した。同時に、一方の裏面ノズル１
６から常温またはそれ以下の温度のＨ２Ｏ ２を、他方の
裏面ノズル１８からＤＨＦを交互に１Ｌ／ｍｉｎで供給
して、基板裏面のエッチングを行った。
【００３４】エッチング終了後、エッジノズル２６、裏
面ノズル１６，１８からのエッチング液の供給を止め、
ほぼそれと同時に、表面ノズル１４と裏面ノズル１６か
ら純水を供給してリンスを２０秒行った。そして、純水
リンスをやめ、基板を２０００ｒｐｍで高速回転させて
乾燥させた。これにより、基板Ｗを加熱流体としてのＤ
ＨＦで加熱しない場合と比較して、銅膜の目視によるジ
ャストエッチング時間を２０秒から１０秒に短縮でき、
またこのように、処理時間を短縮できたため、薬液の使
用量も減らすことができた。
【００３５】（実施例２）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を１００ｎｍ形成した基板を使用して、
基板のエッジ部及び裏面の酸化膜をエッチングし、同時
に基板の裏面を洗浄した。装置の動作は上記実施例１と
ほぼ同様で、異なる点は、センタノズル２４から加温し
た純水を、エッジノズル２６及び裏面ノズル１６からＳ
ｉＯ２エッチング液としてＤＨＦを供給し、これによっ
て、エッチングを行った点である。このように、純水を
加熱してその温度を制御し、この加熱した純水を基板Ｗ
に供給して、基板Ｗを均一に加熱することにより、純水
の温度を加温しない場合に比べてエッチングレートを向
上させることができた。このことは、以下の実施例４〜
９においても同様であった。
【００３６】（実施例３）図２に示す基板処理装置（無
電解めっき装置）を使用して、基板の配線用溝内に銅を
埋め込んだ。この時、基板Ｗとして、シリコンウエハに
酸化膜（ＳｉＯ２）を１００ｎｍ、その上にＴａＮ膜を
３０ｎｍ、シード層としての銅スパッタ膜を１５０ｎｍ
形成した後、ＣＭＰ装置を用いてウエハ表面の銅スパッ
タ膜を除去したものを使用した。先ず、基板保持部３２
で基板Ｗを表面を上にして保持し、基板Ｗを回転させな
がら、前述のように、基板Ｗの上面（被めっき面）にめ
っき液３４をセンタノズル３６から流下させながら供給
して、基板Ｗの配線用溝内のシード層７の上にめっき膜
を形成した。このめっき処理時に、加熱した超純水を基
板Ｗの裏面に向けて噴射し、これによって、基板Ｗの回
転と相俟って、基板全体を均一に加熱したところ、めっ
き速度の向上、めっき膜厚の面内均一性の向上が見られ
た。
【００３７】（実施例４）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を裏面を含め３００ｎｍ、Ｔｉを３０ｎ
ｍ、ＴｉＮを５０ｎｍ、Ｒｕを１００ｎｍ順次形成した
基板を使用して、基板のエッジ部のルテニウム（Ｒｕ）
をエッチングし、同時に基板の裏面を洗浄した。装置の
動作は上記実施例１とほぼ同様で、異なる点は、センタ
ノズル２４から加温した純水を、エッジノズル２６か
ら、Ｒｕエッチング液として、常温またはそれ以下の温
度のＮａＣｌＯを、裏面ノズル１６から、ＳｉＯ２エッ
チング液として、常温またはそれ以下の温度のＤＨＦを
供給し、これによって、エッチング及び洗浄を行った点
である。ここで、ＮａＣｌＯを常温またはそれ以下の温
度することで、この分解を防止することができる。
【００３８】（実施例５）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、前記実施例４と同様な
基板で、ＣＶＤによる成膜時などで裏面にもＲｕ膜を有
する基板を使用して、基板のエッジ部のＲｕをエッチン
グし、同時に基板の裏面のルテニウムをエッチングし
た。装置の動作は上記実施例１とほぼ同様で、異なる点
は、センタノズル２４から加温した純水を、エッジノズ
ル２６及び裏面ノズル１６から、Ｒｕをエッチングする
液として、常温またはそれ以下の温度のＮａＣｌＯを供
給し、これによって、エッチングを行った点である。
【００３９】（実施例６）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を裏面を含め３００ｎｍ、Ｔｉを３０ｎ
ｍ、ＴｉＮを５０ｎｍ、Ｃｏを１００ｎｍ順次形成した
基板を使用して、基板のエッジ部のコバルト（Ｃｏ）を
エッチングし、同時に基板の裏面を洗浄した。装置の動
作は上記実施例１とほぼ同様で、異なる点は、センタノ
ズル２４から加温した純水を、エッジノズル２６から、
Ｃｏエッチング液として、常温またはそれ以下の温度の
ＨＣｌＩとＨ２Ｏ２との混合液を、裏面ノズル１６か
ら、ＳｉＯ２エッチング液として、常温またはそれ以下
の温度のＤＨＦを供給し、これによって、エッチング及
び洗浄を行った点である。
【００４０】（実施例７）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を裏面を含め３００ｎｍ、Ｔｉを３０ｎ
ｍ、ＴｉＮを５０ｎｍ順次形成した基板を使用して、基
板のエッジ部のＴｉＮをエッチングし、同時に基板の裏
面を洗浄した。装置の動作は上記実施例１とほぼ同様
で、異なる点は、センタノズル２４から加温した純水
を、エッジノズル２６から、ＴｉＮエッチング液とし
て、常温またはそれ以下の温度のＨＣｌとＨ２Ｏ２との
混合液を、裏面ノズル１６から、ＳｉＯ２エッチング液
として、常温またはそれ以下の温度のＤＨＦを供給し、
これによって、エッチング及び洗浄を行った点である。
【００４１】（実施例８）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を裏面を含め３００ｎｍ、ＳｉＮを１０
０ｎｍ順次形成した基板を使用して、基板のＳｉＮをエ
ッチングし、同時に基板の裏面を洗浄した。装置の動作
は上記実施例１とほぼ同様で、異なる点は、センタノズ
ル２４から加温した純水を、エッジノズル２６から、Ｓ
ｉＮエッチング液として、常温またはそれ以下の温度の
ＤＨＦを、裏面ノズル１６から、ＳｉＯ２エッチング液
として、常温またはそれ以下の温度のＤＨＦを供給し、
これによって、エッチング及び洗浄を行った点である。
【００４２】（実施例９）図１に示す基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を使用し、シリコンウエハに酸化
膜（ＳｉＯ２）を裏面を含め３００ｎｍ、ＴａＮを３０
ｎｍ順次形成した基板を使用して、基板のエッジ部のＴ
ａＮをエッチングし、同時に基板の裏面を洗浄した。装
置の動作は上記実施例１とほぼ同様で、異なる点は、セ
ンタノズル２４から加温した純水を、エッジノズル２６
から、ＴａＮエッチング液として、常温またはそれ以下
の温度のＤＨＦとＨ２Ｏ２との混合液を、裏面ノズル１
６から、ＳｉＯ２エッチング液として、常温またはそれ
以下の温度のＤＨＦを供給し、これによって、エッチン
グ及び洗浄を行った点である。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板自体を加熱した状態で基板の処理を行うことがで
き、これによって、エッチングやめっき等の基板処理速
度をより均一に向上させ、例えばめっきにあっては、よ
り均一な膜厚のめっき膜を容易かつ迅速に形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置（エ
ッジエッチング装置）を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の基板処理装置（無
電解めっき装置）の概要を示す断面図である。
【図３】図２に示す基板処理装置（無電解めっき装置）
を備えた基板処理装置の全体構成を示す図である。
【図４】銅配線基板の一製造例を工程順に示す図であ
る。
【符号の説明】
２ 酸化膜 ６ 銅膜 ７ シード層 １０ 基板保持部 １２ 回転支持体 １４ 表面ノズル １６，１８ 裏面ノズル ２２ 揺動アーム ２４ センタノズル（加熱流体供給部） ２６ エッジノズル（流体供給部） ２８ 無電解めっき装置 ３２ 基板保持部 ３４ めっき液 ３６ センタノズル ４８ 加熱流体噴射管 Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 晴子 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 井上 雄貴 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 木原 幸子 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K029 FA04 JA02 JA08 4K030 DA03 DA04 GA05 JA10 KA41 5F043 AA01 AA07 BB27 DD07 DD30 EE01 EE07 EE08 EE10 EE35 GG10

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を保持し回転させる基板保持部と、 前記基板保持部で保持し回転させた基板に温度を制御し
    た加熱流体を接触させて基板の温度を制御する加熱流体
    供給部とを有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項２】 基板を保持し回転させる基板保持部を有
    し、該基板保持部で保持し回転させた基板に複数の流体
    を同時に接触させて基板の処理を行う基板処理装置にお
    いて、 前記複数の流体のうち少なくとも１つの流体は加熱流体
    とし、他の流体は常温付近またはそれ以下の温度の流体
    とすることを特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項３】 前記加熱流体は、加熱した液体であるこ
    とを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記液体は、純水であることを特徴とす
    る請求項３記載の基板処理装置。
  5. 【請求項５】 前記基板保持部で保持した基板の任意の
    領域に、流体を供給する流体供給部を更に有することを
    特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理
    装置。
  6. 【請求項６】 基板を保持し回転させながら該基板に温
    度を制御した加熱流体を接触させて基板の温度を制御し
    つつ、基板に処理を施すことを特徴とする基板処理方
    法。
  7. 【請求項７】 基板を保持し回転させながら該基板に温
    度を制御した加熱流体を接触させて基板の温度を制御し
    つつ、同時に常温またはそれ以下の温度の流体を接触さ
    せて基板に処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
  8. 【請求項８】 前記基板処理は、エッジエッチング処理
    及び／または基板洗浄処理であることを特徴とする請求
    項６または７記載の基板処理方法。
  9. 【請求項９】 前記基板処理は、めっき処理であること
    を特徴とする請求項６または７記載の基板処理方法。
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