JP2018181984A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、実施形態に係る基板処理方法について図1を参照して説明する。図1は、実施形態に係る基板処理方法の説明図である。
次に、上述した基板処理方法を実行する基板処理システムの構成について図2を参照して説明する。図2は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
ロードロック室5は、所定の真空度まで真空引き可能に構成される。ロードロック室5は、ゲートバルブ55を介して搬送部15と連結され、ゲートバルブ56を介して除去ユニット6と連結される。
次いで、除去ユニット6の構成について図3を参照して説明する。図3は、除去ユニット6の概略構成を示す図である。
次いで、エッチングユニット16の構成について図4を参照して説明する。図4は、エッチングユニット16の概略構成を示す図である。
次に、基板処理システム1の具体的動作について図5を参照して説明する。図5は、基板処理システム1が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。基板処理システム1が備える各装置は、制御部18の制御に従って図5に示す各処理手順を実行する。
ロードロック室5および除去ユニット6は、必ずしも基板処理システム1に設けられることを要しない。以下では、ロードロック室5および除去ユニット6が別装置に設けられる場合の例について図6を参照して説明する。
5 ロードロック室
6 除去ユニット
16 エッチングユニット
101 金属膜
102 層間絶縁膜
101a 酸化物
101c 水酸化物
Claims (6)
- 金属膜が形成された基板を保持する保持工程と、
前記保持工程において保持した基板に対し、前記金属膜を構成する金属に配位可能なキレート剤を含有するpH7以上のエッチング液を供給することによって前記金属膜の一部を除去するエッチング工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記エッチング液は、pH調整剤を含有すること
を特徴とする請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記保持工程前に、前記金属膜の表面に形成された自然酸化膜を除去する酸化膜除去工程
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記金属は、コバルトまたは銅であり、
前記エッチング液は、エチレンジアミン、塩酸および水の混合液であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 前記金属は、コバルトまたは銅であり、
前記エッチング液は、エチレンジアミン四酢酸、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水の混合液であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板処理方法。 - 金属膜が形成された基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に対し、前記金属膜を構成する金属に配位可能なキレート剤を含有するpH7以上のエッチング液を供給する供給部と
を備え、
前記保持部に保持された基板に対して前記供給部から前記エッチング液を供給することにより、前記金属膜の一部を除去すること
を特徴とする基板処理装置。
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