JPH11111673A - エッチング方法および処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 この発明は基板を回転させてエッチングする
際に、その基板を全体にわたって均一にエッチングでき
るようにしたエッチング方法を提供することにある。 【解決手段】 基板２２の板面にエッチング液を供給し
てエッチングするエッチング方法において、上記基板を
回転させるとともに、この基板の中央部分と周辺部分と
で温度差が生じないように上記基板の温度を制御するこ
とを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は液晶用ガラス基板
や半導体ウエハなどをエッチングするためのエッチング
方法および処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置などの製造工
程においては、半導体ウエハや液晶用ガラス基板などの
基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスが
ある。リソグラフィプロセスは、周知のように上記基板
にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形
成されたマスクを介して光を照射し、ついでレジストの
光が照射されない部分（あるいは光が照射された部分）
を除去し、この除去された部分を基板上の残留レジスト
をマスクにしてエッチング液でエッチング処理するとい
う一連の工程を複数回繰り返すことで回路パタ−ンを形
成するようにしている。

【０００３】また、基板に付着した金属汚染を除去した
り、基板に形成された酸化膜を除去する場合にも、その
基板の板面をエッチング液でエッチングするということ
が行われている。

【０００４】従来、上記基板をエッチング処理する場
合、基板をコンベアで直線搬送し、所定位置で上記基板
の板面に向けてエッチング液を供給することで、その板
面をエッチングするということが行われていた。

【０００５】しかしながら、基板を直線搬送してエッチ
ングする場合、基板の搬送路を確保しなければならない
ため、装置が大型化してしまうということがあり、また
基板の全面にむらなくエッチング液を供給しなければな
らないから、エッチング液の使用量が多くなるというこ
とがあった。

【０００６】エッチング処理された基板は通常、洗浄お
よび乾燥処理されてから基板に残留するレジストの除去
（アッシング）が行われたり、エッチングによって金属
汚染や酸化膜が除去された場合には、その基板を洗浄お
よび乾燥処理してからパタ−ンを形成するなどのことが
行われる。

【０００７】上記基板の洗浄や乾燥処理は、基板を回転
させながら処理する、スピン処理装置で行われる。その
ため、基板をコンベアで搬送してエッチング処理する
と、つぎの洗浄および乾燥処理を行うためには上記基板
をスピン処理装置に移載しなければならないから、ロボ
ットなどの移載装置が必要となったり、移載に時間がか
かるばかりか、その際に基板の汚染や損傷を招くなどの
ことがある。

【０００８】そこで、基板のエッチング処理をスピン処
理装置で行うことが検討されている。その場合、基板を
上記処理装置の回転チャックに保持し、この回転チャッ
クによって回転させながらその板面にエッチング液を供
給することでエッチングすることになる。

【０００９】このように基板をエッチング処理すれば、
基板を直線搬送する場合に比べて装置を小型化すること
ができるばかりか、基板を回転させることで、たくさん
のエッチング液を供給しなくても、基板の板面にエッチ
ング液をむらなく供給することが可能となる。さらに、
スピン処理装置によれば、基板をエッチングした後、そ
の基板を他の装置に移載することなく洗浄処理したり、
乾燥処理することができるという点でも優れている。

【００１０】しかしながら、基板を回転させながらその
板面にエッチング液を供給してエッチング処理すると、
基板の中央部分に供給されたエッチング液が基板の回転
によって周辺部に流動するにつれて温度が低下するばか
りか、基板自体も周辺部分と中央部分との周速度の差に
よって周辺部分の方の温度低下が大きい。

【００１１】エッチング液によるエッチングレ−トは、
周知のようにエッチング液の温度の影響を受ける。その
ため、基板を回転させることで、エッチング液を基板の
板面に均一に分散させることができても、中央部分と周
辺部分とで、エッチング液や基板に温度差が生じること
で、基板の板面全体を均一にエッチングすることができ
なくなる。

【００１２】一方、図３（ａ）に示すように、基板２２
を同図に矢印に示す方向に回転させながらエッチング
し、その基板２２にレジストａをマスクにして回路パタ
−ンＰを形成することがある。その場合、基板ａに形成
される回路パタ−ンＰの幅方向の回転方向の前方に位置
する一端側はエッチング液が当たり易いから、金属など
の膜ｂを比較的良好にエッチングすることができる。

【００１３】しかしながら、回路パタ−ンＰの回転方向
後方に位置する他端側はエッチング液が当たりにくいた
めに、エッチングされるべき膜ｂの一部ｃが残留してし
まうということが生じる。そのため、基板２２に回路パ
タ−ンＰを精密にエッチング加工することができないと
いうことがある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】このように、装置の小
型化やエッチング液の使用量の低減を計るためなどに基
板を回転させながらエッチングすると、基板の中央部分
と周辺部分とでエッチング液に温度差が生じるので、基
板の全面を均一にエッチングすることができないという
ことがある。

【００１５】一方、エッチング時に基板の回転方向が一
定であると、基板に形成されるパタ−ンなどのような凸
形状の回転方向前方側と後方側とでエッチング液の当た
り具合が異なるから、後方側に削り残りが発生し、エッ
チングを精密に行えないということがある。

【００１６】この発明の目的は、基板を回転させながら
エッチングする際にその基板の中央部分と周辺部分とで
温度差が生じないようにしたエッチング方法および処理
装置を提供することにある。

【００１７】また、この発明の目的は、エッチングによ
って基板を回転させながらパタ−ンなどの凸形状を形成
する場合、その凸形状を精密にエッチング加工できるよ
うにした処理装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
の板面にエッチング液を供給してエッチングするエッチ
ング方法において、上記基板を回転させるとともに、こ
の基板の中央部分と周辺部分とで温度差が生じないよう
に上記基板の温度を制御することを特徴とする。

【００１９】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、上記基板の中央部分と周辺部分とにそれぞれエッチ
ング液を供給するとともに、周辺部分に供給するエッチ
ング液の温度を中央部分に供給するエッチング液の温度
よりも高く設定することを特徴とする。

【００２０】請求項３の発明は、請求項１の発明におい
て、上記基板の中央部分と周辺部分とにそれぞれ同じ温
度のエッチング液を供給するとともに、周辺部分に供給
するエッチング液の量を中央部分に供給するエッチング
液の量に比べて多く設定することを特徴とする。

【００２１】請求項４の発明は、請求項１の発明におい
て、上記基板の下面に、上面に供給されるエッチング液
とほぼ同じあるいは高い温度の流体を供給することを特
徴とする。

【００２２】請求項５の発明は、基板の板面にエッチン
グ液を供給してエッチング処理する処理装置において、
上記基板が保持されるとともに回転駆動される回転チャ
ックと、この回転チャックに保持された基板の上面の中
央部分にエッチング液を供給する第１のノズル体と、上
記回転チャックに保持された基板の上面の周辺部分に上
記第１のノズル体から供給されるエッチング液よりも温
度の高いエッチング液を供給する第２のノズル体とを具
備したことを特徴とする。

【００２３】請求項６の発明は、基板の板面にエッチン
グ液を供給してエッチング処理する処理装置において、
上記基板が保持されるとともに回転駆動される回転チャ
ックと、この回転チャックに保持された基板の上面にエ
ッチング液を供給するノズル体と、上記回転チャックに
保持された基板の下面に上記ノズル体から供給されるエ
ッチング液とほぼ同じあるいは高い温度の流体を供給す
る流体供給手段とを具備したことを特徴とする。

【００２４】請求項７の発明は、請求項５または請求項
６の発明において、上記回転チャックの回転方向を所定
時間ごとに変えることを特徴とする。請求項１の発明に
よれば、回転される基板の中央部分と周辺部分とで温度
差が生じないよう制御することで、基板の板面全体にわ
たってエッチングを均一に行うことができる。

【００２５】請求項２と請求項５の発明によれば、基板
の中央部分と周辺部に温度差が生じることがないよう、
供給するエッチング液に温度差を持たせることで、基板
を全体にわたってほぼ同じ温度にしてエッチングするこ
とが可能となる。

【００２６】請求項３の発明によれば、基板の中央部分
と周辺部分とに供給されるエッチング液の量を制御する
ことで、基板を全体にわたってほぼ同じ温度にしてエッ
チングすることが可能となる。

【００２７】請求項４と請求項６の発明によれば、基板
の下面に、上面に供給されるエッチング液とほぼ同じあ
るいは温度の高い流体を供給することで、基板を全体に
わたってほぼ同じ温度でエッチングすることが可能とな
る。

【００２８】請求項７の発明によれば、エッチング時に
基板を回転させる回転チャクの回転方向を所定時間ごと
に変えることで、上記基板に凸形状をエッチング加工す
る場合に、その凸形状の両側にエッチングされない削り
残りが発生するのを防止できる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。図１に示すこの発明の実施の
形態のスピン方式の処理装置は処理容器１を備えてい
る。この処理容器１は下カップ１ａと、この下カップ１
ａに対してスライド自在に設けられ、図示しないシリン
ダによって上下駆動される上カップ１ｂとからなり、上
記上カップ１ｂは上面が開放し、周壁は上端にゆくにつ
れて径方向内方に向かって傾斜している。

【００３０】上記処理容器１の底部には、周辺部に複数
の排出管２の一端が接続され、中心部には周辺部がフラ
ンジ３によって囲まれた挿通孔４が形成されている。こ
の挿通孔４には支持軸５が挿通されている。支持軸５の
上部は処理容器１の内部に突出し、下端部は上記処理容
器１の下方に配置されたベ−ス板６に固定されている。
上記排出管２は図示しない廃液タンクに連通している。

【００３１】上記支持軸５には回転チャック１１が回転
自在に支持されている。回転チャック１１は中心部に通
孔１２ａが穿設された円盤状のベ−ス１２を有する。こ
のベ−ス１２の下面、つまり上記通孔１２ａと対応する
位置には筒状の支持部１３が垂設されている。この支持
部１３は上記支持軸５に外嵌されていて、支持軸５の上
部と下部とはそれぞれ軸受１４によって上記支持部１３
に回転自在に支持されている。

【００３２】上記支持部１３の下端部の外周面には従動
プ−リ１５が設けられている。上記ベ−ス板６にはモ−
タ１６が設けられ、このモ−タ１６の回転軸１６ａには
駆動プ−リ１７が嵌着されている。この駆動プ−リ１７
と上記従動プ−リ１５とにはベルト１８が張設されてい
る。したがって、上記モ−タ１６が作動すれば、上記支
持部１３、つまり回転チャック１１が回転駆動されるよ
うになっている。

【００３３】上記モ−タ１６の回転は制御装置２０によ
って制御される。この制御装置２０は上記モ−タ１６に
よる回転チャック１１の回転方向および回転速度を制御
することができる。つまり、制御装置２０はその設定に
よって回転チャック１１の回転方向を所定時間ごとに変
えることができるようになっている。

【００３４】上記回転チャック１１のベ−ス１２の上面
には周方向に４本のピン１９が立設されている。各ピン
１９の上端部には係合部２１が形成され、これらの係合
部２１には液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの基板
２２が周辺部を係合させて着脱可能に保持されるように
なっている。したがって、上記基板２２は回転チャック
１１と一体的に回転できるようなっている。

【００３５】なお、上記回転チャック１１に対して基板
２２を着脱する際には、上記処理容器１の上カップ１ｂ
が図１に鎖線で示すよう下降方向に駆動される。それに
よって、上記各ピン１９の係合部２１が処理容器１から
露出するから、図示しないロボッドなどによって基板２
２を着脱することができる。

【００３６】上記支持軸５には、上端に支持軸５よりも
大径で、円錐状をなした頭部５ａが設けられている。こ
の支持軸５には、先端を上記頭部５ａの上面に開口させ
たＮ₂ などの不活性ガスなどのガス供給路３１と、先端
を同じく上記頭部５ａの上面に開口させた洗浄液供給路
３２とが軸方向に沿って形成されている。上記ガス供給
路３１は図示しないガス供給源に連通し、このガス供給
源からのガスは第１のヒ−タ３３によって所定温度に加
熱して上記基板２２の下面に供給することができるよう
になっている。

【００３７】上記回転チャック１１に保持される基板２
２の上方には、この基板２２の上面の中央部分に先端開
口を対向させた第１のノズル体３５と、周辺部分に先端
開口を対向させた第２のノズル体３６とが配置されてい
る。

【００３８】上記各ノズル体３５、３６は図示しないエ
ッチング液の供給源に連通しているとともに、第１のノ
ズル体３５に供給されるエッチング液は第２のヒ−タ３
７によって所定温度Ｔ1 に加熱され、第２のノズル体３
６に供給されるエッチング液は第３のヒ−タ３８によっ
て第１のノズル体３５から供給されるエッチング液より
も高い温度Ｔ2 に加熱されるようになっている。

【００３９】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
２２をエッチング加工する場合について説明する。回転
チャック１１の係合部２１に基板２２を保持したなら
ば、上記回転チャック１１を低速回転させる。それと同
時に、基板２２の板面の中央部分に第１のノズル体３５
から第２のヒ−タ３７によって所定温度Ｔ1 に加熱され
たエッチング液を供給し、周辺部分には第２のノズル体
３６からエッチング液を供給する。このエッチング液は
第３のヒ−タ３８によって上記第１のノズル体３５から
供給されるエッチング液よりも高い温度Ｔ2 に加熱され
る。

【００４０】第１のノズル体３５から基板２２の中央部
分に供給された温度Ｔ1 のエッチング液は基板２２の回
転によって中央部分から周辺部分へ流れることで温度が
低下し、また基板２２は周速度の差によって周辺部分が
中央部分よりも温度が低くなる。

【００４１】しかしながら、基板２２の周辺部分には第
３のヒ−タ３８によって温度Ｔ1 よりも高い温度Ｔ2 に
加熱されたエッチング液が供給される。したがって、第
２のノズル体３６から供給されるエッチング液の温度Ｔ
2 を適宜設定することで、基板２２の板面全体をほぼ均
一な温度に維持し、エッチング液によってエッチングす
ることが可能となる。

【００４２】このように、基板２２の全面をほぼ均一な
温度に制御してエッチング液でエッチングすることがで
きれば、エッチングレ−トもほぼ均一となるから、基板
２２の板面を全体にわたってほぼ均一にエッチングする
ことができる。

【００４３】実験によると、基板２２の回転数を６０r.
p.m とし、第１のノズル体３５から基板２２の中央部分
に約４５℃のエッチング液を供給すると、基板２２の中
央部分の温度はエッチング液とほぼ同じ約４５℃となる
が、周辺部の基板２２の温度は約４０℃に低下すること
が確認された。

【００４４】また、基板２２の回転数を６０r.p.m と
し、第１のノズル体３５から基板２２の中央部分に約３
０℃のエッチング液を供給すると、基板２２の中央部分
の温度はエッチング液とほぼ同じ約３０℃となるが、周
辺部の基板２２の温度は約２５℃に低下することが確認
された。

【００４５】以上のことから、第２のノズル体３６によ
って基板２２の周辺部に供給するエッチング液の温度Ｔ
2 を第１のノズル体３５から供給するエッチング液の温
度Ｔ1 よりも約５℃高くすれば、基板２２の中央部分か
ら周辺部に流れることで温度低下したエッチング液に、
第２のノズル体３６からの温度Ｔ2 のエッチング液が混
合し、基板２２の周辺部分のエッチング液の温度を中央
部分に供給されるエッチング液の温度とほぼ等しくする
ことができる。

【００４６】なお、基板２２の周辺部分に供給されるエ
ッチング液の温度Ｔ2 は、その供給量および基板２２の
回転数に応じてその基板２２の中央部分に供給されるエ
ッチング液の温度Ｔ1 との差が設定される。

【００４７】たとえば、供給量を多くした場合や回転数
を小さくした場合は各エッチング液の温度差を小さくす
ればよく、逆の場合は温度差を大きくすることで、基板
２２の温度を全体にわたってほぼ均一になるよう制御で
きる。

【００４８】このように、基板２２の板面全体における
エッチング液の温度をほぼ同じにできれば、基板２２の
全面をほぼ同じエッチングレ−トでエッチングすること
ができる。

【００４９】図２において、曲線Ａは基板２２が400mm
×500mm の液晶用ガラス基板で、その回転数を６０r.p.
m に設定し、基板２２の中央部分には４５℃のエッチン
グ液を供給し、周辺部分には５０℃のエッチング液を供
給してエッチングしたときの基板２２の径方向に沿うエ
ッチングレ−トを測定した結果であり、また同図中曲線
Ｂは中央部分にだけ４５℃のエッチグ液を供給したとき
のエッチングレ−トを測定した結果である。

【００５０】この実験結果の曲線Ｂから分かるように、
中央部分にだけエッチング液を供給すると、周辺部分に
行くにつれてエッチングレ−トが低くなるが、曲線Ａか
ら分かるように、中央部分だけでなく、周辺部分にも中
央部分より温度の高いエッチング液を供給してエッチン
グを行うと、液晶用基板のエッチングレ−トを径方向全
体にわたってほぼ同じにできることが確認された。

【００５１】上記一実施の形態では、基板２２の周辺部
に供給するエッチング液の温度Ｔ2を中央部分に供給す
るエッチング液の温度Ｔ1 よりも高くしたが、中央部分
と周辺部分とに供給するエッチング液の温度を同じに設
定してもよい。

【００５２】その場合、中央部分に供給するエッチング
液の量に比べて周辺部分に供給するエッチング液の量を
十分に多くすれば、中央部分に供給されて周辺部分に流
れるエッチング液の温度低下を、周辺部分に供給するエ
ッチング液によって十分に補償することが可能となる。

【００５３】つまり、基板２２に供給されるエッチング
液によってその基板２２を全体にわたってほぼ均一な温
度に制御できるから、エッチングレ−トも全体にわたっ
てほぼ同じにすることができる。

【００５４】また、基板２２のエッチングレ−トを均一
化する他の手段としては、基板２２の少なくとも中央部
分に所定温度のエッチング液を第１のノズル体３５によ
って供給する。

【００５５】一方、基板２２の下面には、第１のヒ−タ
３３によって少なくとも基板２２の上面に供給されるエ
ッチング液と同じ温度あるいは高い温度に加熱されたガ
スをガス供給路３１から供給する。

【００５６】基板２２の下面へのガスの供給は、基板２
２の下面全体にわたって吹き付けてもよいが、基板２２
は回転による周速度の差で中央部分に比べて周辺部分の
温度低下が大きいから、中心部分よりも周辺部寄りに吹
き付けることで、周辺部分の温度低下を確実に補償する
ことが可能となる。この場合、ガスの温度Ｔ3 は、エッ
チング液の温度Ｔ1 および供給量さらにガスの供給量に
よって適宜設定すればよい。

【００５７】それによって、基板２２は、全体にわたっ
て上記ガス供給路３１からのガスの温度とほぼ同じ温度
に加熱されるため、回転にともなうエッチング液の温度
変化の影響をほとんど受けることがなくなる。つまり、
基板２２の温度を下面から供給するガスによって全体に
わたりほぼ均一にすることが可能であるから、エッチン
グレ−トもほぼ均一化することができる。

【００５８】さらに、基板２２の下面には、第１のヒ−
タ３３によって温度制御された気体に変わり、洗浄液供
給路３２から図示しないヒ−タによってエッチング液と
ほぼ同じあるいは高い温度に制御された純水などの洗浄
液を基板２２の下面に向けて噴出することで、この基板
２２の温度を全体にわたってほぼ均一になるようを制御
することができる。

【００５９】なお、基板２２の上面にエッチング液を供
給する場合、その供給位置を基板２２の中心から所定寸
法オフセットすることで、基板２２の中央部分の温度を
オフセットしない場合に比べて１〜２℃程度、低下せる
ことができる。つまり、基板２の周辺部分の温度低下が
大きい場合、第１のノズル体３５によるエッチング液の
供給を、基板２２の中心からオフセットすることで、基
板２２の温度を全体にわたって均一化することができ
る。

【００６０】基板２２に回路パタ−ンＰをエッチング加
工する場合、エッチング液は基板２２の回転方向が一定
であると、図３（ａ）を参照して従来例の項で説明した
ように、上記パタ−ンＰの回転方向後方側はエッチング
加工によって除去されるべき膜ｂの一部ｃが残留してし
まうことがある。

【００６１】そこで、パタ−ンＰなどをエッチング加工
する場合には、回転チャック１１の回転が所定時間ごと
に逆方向になるよう制御装置２０によって制御する。そ
れによって、パタ−ンＰの幅方向の一端側と他端側とに
基板２２の回転方向に応じて同じようにエッチング液が
当たることになるから、図３（ｂ）に示すように、パタ
−ンＰを膜ｂに削り残りが生じないよう精度よくエッチ
ング加工することができる。

【００６２】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、回転される基
板の中央部分と周辺部分とで温度差が生じないようこの
基板の温度を制御するようにした。そのため、基板のエ
ッチングレ−トを基板の全体にわたってほぼ同じにする
ことができるから、この基板を全体にわたってほぼ均一
にエッチングすることができる。

【００６３】請求項２と請求項５の発明によれば、基板
の中央部分と周辺部分に温度差が生じることがないよ
う、基板に供給するエッチング液に温度差を持たせるこ
とで、基板全体がほぼ同じ温度になるよう制御するよう
にした。

【００６４】そのため、基板のエッチングレ−トを全体
にわたってほぼ同じにすることができるから、基板に対
するエッチングをほぼ均一に行うことができる。請求項
３の発明によれば、基板の中央部分と周辺部分とに供給
されるエッチング液の量を制御することで、基板の全体
をほぼ同じ温度になるよう制御するようにした。

【００６５】そのため、基板のエッチングレ−トを全体
にわたってほぼ同じにすることができるから、この基板
に対するエッチングをほぼ均一に行うことができる。請
求項４と請求項６の発明によれば、基板の下面に、上面
に供給されるエッチング液とほぼ同じ温度あるいは高い
温度の流体を供給することで、基板全体をほぼ同じ温度
にできるようにした。

【００６６】そのため、基板のエッチングレ−トをほぼ
同じにすることができるから、全面にわたって均一にエ
ッチングすることができる。請求項７の発明によれば、
エッチング時に基板を回転させる回転チャクの回転方向
を所定時間ごとに変えるようにした。

【００６７】そのため、上記基板に凸形状をエッチング
加工する場合に、その凸形状の両側に削り残りが発生す
るのをなくすことができるから、精密なエッチング加工
を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態を示す処理装置の断面
図。

【図２】同じく基板の中心部分と周辺部分とに異なる温
度のエッチグ液を供給した場合と、中央部分にだけエッ
チング液を供給した場合のエッチングレ−トを測定した
結果のグラフ。

【図３】（ａ）は基板を一定方向に回転させてパタ−ン
を形成した場合のエッチング状態の説明図、（ｂ）は基
板の回転方向を所定時間ごとに変えてパタ−ンを形成し
た場合のエッチング状態の説明図。

【符号の説明】

１１…回転チャック ２０…制御装置 ２２…基板 ３１…ガス供給路（流体供給手段） ３２…洗浄液供給路（流体供給手段） ３５…第１のノズル体 ３６…第２のノズル体

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の板面にエッチング液を供給してエ
   ッチングするエッチング方法において、 上記基板を回転させるとともに、この基板の中央部分と
   周辺部分とで温度差が生じないように上記基板の温度を
   制御することを特徴とするエッチング方法。
2. 【請求項２】 上記基板の中央部分と周辺部分とにそれ
   ぞれエッチング液を供給するとともに、周辺部分に供給
   するエッチング液の温度を中央部分に供給するエッチン
   グ液の温度よりも高く設定することを特徴とする請求項
   １記載のエッチング方法。
3. 【請求項３】 上記基板の中央部分と周辺部分とにそれ
   ぞれ同じ温度のエッチング液を供給するとともに、周辺
   部分に供給するエッチング液の量を中央部分に供給する
   エッチング液の量に比べて多く設定することを特徴とす
   る請求項１記載のエッチング方法。
4. 【請求項４】 上記基板の下面に、上面に供給されるエ
   ッチング液とほぼ同じ温度あるいは高い温度の流体を供
   給することを特徴とする請求項１記載のエッチング方
   法。
5. 【請求項５】 基板の板面にエッチング液を供給してエ
   ッチング処理する処理装置において、 上記基板が保持されるとともに回転駆動される回転チャ
   ックと、 この回転チャックに保持された基板の上面の中央部分に
   エッチング液を供給する第１のノズル体と、 上記回転チャックに保持された基板の上面の周辺部分に
   上記第１のノズル体から供給されるエッチング液よりも
   温度の高いエッチング液を供給する第２のノズル体とを
   具備したことを特徴とする処理装置。
6. 【請求項６】 基板の板面にエッチング液を供給してエ
   ッチング処理する処理装置において、 上記基板が保持されるとともに回転駆動される回転チャ
   ックと、 この回転チャックに保持された基板の上面にエッチング
   液を供給するノズル体と、 上記回転チャックに保持された基板の下面に上記ノズル
   体から供給されるエッチング液とほぼ同じあるいは高い
   温度の流体を供給する流体供給手段とを具備したことを
   特徴とする処理装置。
7. 【請求項７】 上記回転チャックの回転方向を所定時間
   ごとに変えることを特徴とする請求項５または請求項６
   記載の処理装置。