JP2007234812A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に形成されているレジストをむらなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板の表面にＳＰＭが供給された後（Ｓ１，Ｓ２：ＳＰＭ吐出）、その基板の表面上にＳＰＭが液膜を形成して滞留した状態が維持される（Ｓ３：ＳＰＭパドル）。そして、基板の表面上に滞留しているＳＰＭが一旦振り切られた後、基板の表面にＳＰＭが再び供給される。ＳＰＭの液中には、硫酸と過酸化水素水との反応生成熱により発生する水蒸気の気泡が多量に存在し、基板の表面上にＳＰＭが液膜を形成して滞留している間、ＳＰＭの液中の気泡が基板の表面の同じ部分に接触し続けるため、その部分からレジストが除去されずに残るが、基板の表面上からＳＰＭが一旦振り切られた後、その基板の表面にＳＰＭが再び供給されることによって、その残ったレジストを除去することができる。
【選択図】図３

Description

この発明は、半導体ウエハなどの各種基板の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。

半導体装置の製造工程には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面に形成された酸化膜などを選択的にエッチングする工程や、ウエハの表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。これらの工程では、不所望な部分に対するエッチングまたはイオン注入を防止するため、ウエハの最表面に感光性樹脂などの有機物からなるレジストのパターンが形成されて、エッチングまたはイオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハ上に形成されたレジストは、エッチングまたはイオン注入の後は不要になるから、エッチングまたはイオン注入の後には、そのウエハ上の不要となったレジストを除去するための処理が行われる。

この処理の方式としては、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式と、基板を１枚ずつ処理する枚葉式とがある。従来は、バッチ式が主流であったが、バッチ式は複数枚の基板を収容することのできる大きな処理槽を必要とするため、最近では、処理対象の基板が大型化してきていることもあって、そのような大きな処理槽を必要としない枚葉式が注目されている。

枚葉式のレジスト除去処理では、たとえば、ウエハがその中心と直交する回転軸線まわりに一定の回転速度で回転されつつ、そのウエハの表面の中央部に、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成されるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）が供給される。ウエハの表面に供給されたＳＰＭは、ウエハの回転による遠心力を受けて、ウエハの表面上を中央部から周縁に向けて流れ、ウエハの表面全域に速やかに行き渡る。ウエハの表面に形成されているレジストは、ＳＰＭに含まれるカロ酸（ペルオキソ一硫酸）の強酸化力によって、そのウエハの表面から剥離され、ＳＰＭの流れにより、押し流されて除去される。ＳＰＭの供給開始から所定時間が経過すると、ウエハの回転速度が下げられて、ウエハの表面上にＳＰＭが溜められていく。そして、ウエハの表面の全域を覆うＳＰＭの液膜が形成されると、ＳＰＭの供給が停止されて、そのＳＰＭが液膜を形成して溜まった状態（パドル状態）が一定時間にわたって維持される。これにより、ウエハの表面上のレジストとＳＰＭとの反応時間が確保され、レジストの剥離が促進される。その後は、ウエハの表面に純水が供給されることにより、ウエハに付着しているＳＰＭが洗い流された後、ウエハが高速回転されることにより乾燥されて、一連のレジスト除去処理が終了する。
特開２００５−１７５２２８号公報

ところが、ウエハの表面に供給されるＳＰＭの液中には、硫酸と過酸化水素水との反応熱により発生する水蒸気の気泡が多量に存在する。ＳＰＭのパドル状態が維持されている間は、ウエハの表面上でＳＰＭの流れが生じないため、その液中の気泡がウエハの表面の同じ部分に接触し続ける。そのため、従来のレジスト除去処理では、気泡が接触している部分でＳＰＭとレジストとの反応が進まず、ウエハの表面の不要なレジストが除去し切れずに残るおそれがある。

そこで、この発明の目的は、基板の表面に形成されているレジストをむらなく除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための方法であって、基板の表面上に処理液を供給する第１供給工程（Ｓ１，Ｓ２）と、前記第１供給工程に引き続いて、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態を維持する第１パドル工程（Ｓ３）と、前記第１パドル工程の後に、基板の回転により、基板から処理液を振り切る第１振り切り工程（Ｓ４）と、前記第１振り切り工程の後に、基板の表面上に処理液を供給する第２供給工程（Ｓ５，Ｓ６）とを含むことを特徴とする、基板処理方法である。

なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この方法では、基板の表面に処理液が供給された後、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態が維持される（第１パドル工程）。そして、その基板の表面上に滞留している処理液が振り切られた後、基板の表面に処理液が再び供給される。

硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液（ＳＰＭ）の液中には、硫酸と過酸化水素水との反応生成熱により発生する水蒸気の気泡が多量に存在する。基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留している間、処理液の液中の気泡が基板の表面の同じ部分に接触し続けるため、その部分にレジストが除去されずに残るが、基板の表面上から処理液が振り切られた後、基板の表面に処理液が再び供給されることによって、その残ったレジストを除去することができる。その結果、基板の表面に形成されているレジストをむらなく除去することができる。

請求項２記載の発明は、前記第２供給工程に引き続いて、基板の表面に処理液が液膜を形成して滞留した状態を維持する第２パドル工程（Ｓ７）をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法である。
この方法では、基板の表面に処理液が再び供給された後、さらに基板の表面上に処理液が液膜を形成した状態で貯留される。これにより、基板の表面上のレジストと処理液との反応時間をさらに確保することができ、基板の表面に形成されているレジストを一層むらなく除去することができる。また、この第２パドル工程中は、処理液の液中の気泡が基板の表面の同じ部分に接触し続けることになるが、その気泡は、第１パドル工程で気泡が接触した部分とは異なる部分に接触するので、レジストが除去されない部分を生じることがない。

請求項３記載の発明は、前記第２供給工程の後に、基板の表面にリンス液を供給して、基板の表面に付着している処理液をリンス液で洗い流すリンス処理工程（Ｓ８）をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板の表面に付着している処理液をリンス液で洗い流すことができる。

ここで、リンス液は、基板の表面にダメージを与えることなく、基板の表面に付着している処理液を洗い流すことができる液であり、たとえば純水が用いられる。また、純水以外にも、温純水、イオン水、水素が溶存する還元水（電解還元水を含む。）、炭酸水、磁気水などの機能水、または希薄濃度（たとえば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水、アンモニア過水、塩酸などをリンス液として用いることもできる。

請求項４記載の発明は、前記リンス処理工程の後に、基板の回転により、基板からリンス液を振り切る第２振り切り工程（Ｓ９）をさらに含むことを特徴とする、請求項３記載の基板処理方法である。
この方法によれば、基板に付着したリンス液を振り切って、基板を乾燥させることができる。

請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための装置であって、基板をほぼ水平に保持する基板保持手段（１）と、前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段（４）と、前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段（２，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１６）と、基板の表面に処理液が供給された後、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態が維持され、基板の回転によって、その基板の表面上に滞留している処理液が振り切られ、その後、基板の表面に処理液が再び供給されるように、前記基板回転手段および前記処理液供給手段を制御する制御手段（２５）とを含むことを特徴とする、基板処理装置である。

この構成によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。
この基板処理装置は、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であり、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面（上面）に硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）とを混合して作成されるＳＰＭを供給するためのＳＰＭノズル２と、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面付近の雰囲気を制御するための遮断板３とを備えている。

スピンチャック１は、モータ４と、このモータ４の駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース５と、このスピンベース５の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材６とを備えている。
複数個の挟持部材６によってウエハＷを挟持した状態で、モータ４が駆動されると、その駆動力によってスピンベース５が鉛直軸線まわりに回転され、そのスピンベース５とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直軸線まわりに回転される。

なお、スピンチャック１としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面（非デバイス面）を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
ＳＰＭノズル２は、スピンチャック１の上方でほぼ水平に延びるアーム７の先端に取り付けられている。このアーム７は、スピンチャック１の側方でほぼ鉛直に延びたアーム支持軸８に支持されている。また、アーム支持軸８には、ＳＰＭノズル駆動機構９が結合されており、このＳＰＭノズル駆動機構９の駆動力によって、アーム支持軸８を回動させて、アーム７を揺動させることができるようになっている。

ＳＰＭノズル２には、ミキシングバルブ１０から延びるＳＰＭ供給管１１の先端が接続されている。
ミキシングバルブ１０には、図示しない硫酸供給源からの硫酸が供給される硫酸供給管１２と、図示しない過酸化水素水供給源からの過酸化水素水が供給される過酸化水素水供給管１３が接続されている。硫酸供給管１２の途中部には、硫酸バルブ１４が介装されている。また、過酸化水素水供給管１３の途中部には、過酸化水素水バルブ１５が介装されている。

硫酸供給管１２に供給される硫酸は、硫酸供給源において、所定温度（たとえば、８０℃以上）に温度調節されている。一方、過酸化水素水供給管１３に供給される過酸化水素水は、室温（約２５℃）程度の液温を有している。
ＳＰＭ供給管１１の途中部には、攪拌流通管１６が介装されている。この攪拌流通管１６は、管部材内に、それぞれ液体流通方向を軸にほぼ１８０度のねじれを加えた長方形板状体からなる複数の撹拌フィンを、液体流通方向に沿う管中心軸まわりの回転角度を９０度ずつ交互に異ならせて配置した構成のものであり、たとえば、株式会社ノリタケカンパニーリミテド・アドバンス電気工業株式会社製の商品名「ＭＸシリーズ：インラインミキサー」を用いることができる。なお、この攪拌流通管１６は、必ずしも介装されていなくてもよい。

硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５が開かれると、硫酸および過酸化水素水がミキシングバルブ１０に流入し、それらがミキシングバルブ１０からＳＰＭノズル２に向けてＳＰＭ供給管１１を流通する。硫酸および過酸化水素水は、ＳＰＭ供給管１１を流通する途中、攪拌流通管１６を通過することにより十分に攪拌される。この攪拌によって、硫酸と過酸化水素水とが十分に反応し、多量のカロ酸（Ｈ_２ＳＯ_５）を含むＳＰＭが作成される。そして、そのＳＰＭがＳＰＭノズル２に供給され、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面に向けて吐出される。ＳＰＭは、硫酸と過酸化水素水との反応時に生じる反応熱により、硫酸の液温以上に昇温し、ウエハＷの表面上では１５０〜１６０℃に達する。

遮断板３は、ウエハＷとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成され、スピンチャック１の上方でほぼ水平に配置されている。この遮断板３の上面には、スピンベース５と共通の鉛直軸線を中心とする回転軸１７が固定されている。回転軸１７は、中空に形成されていて、その中空の内部には、純水供給管１８が挿通されている。
純水供給管１８には、図示しない純水供給源からの純水が純水バルブ１９を介して供給される。この純水供給管１８は、遮断板３の下面まで延びており、その先端には、純水を吐出するための純水ノズル２０が形成されている。

また、回転軸１７の内壁面と純水供給管１８との間は、窒素ガスが流通する窒素ガス流通路２１を形成している。この窒素ガス流通路２１には、窒素ガスバルブ２２を介して窒素ガスが供給されるようになっている。
回転軸１７は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム２３の先端付近から垂下した状態に取り付けられている。そして、このアーム２３には、スピンチャック１の上方に大きく離間した位置（図１に示す位置）と、遮断板３をスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に微小な間隔を隔てて近接する位置との間で昇降させるための遮断板昇降機構２４が結合されている。さらに、アーム２３に関連して、遮断板３をスピンチャック１によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構２６が設けられている。

図２は、この基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
この基板処理装置は、マイクロコンピュータを含む制御装置２５を備えている。制御装置２５は、予め定められたプログラムに従って、モータ４、ＳＰＭノズル駆動機構９、遮断板昇降機構２４および遮断板回転駆動機構２６の駆動を制御する。また、硫酸バルブ１４、過酸化水素水バルブ１５、純水バルブ１９および窒素ガスバルブ２２の開閉を制御する。

図３は、この基板処理装置における処理の流れを説明するための工程図である。
ウエハＷの処理に際しては、搬送ロボット（図示せず）により、この基板処理装置にウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に受け渡される。このとき、遮断板３は、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、スピンチャック１の上方に大きく離間した位置に退避されている。

スピンチャック１にウエハＷが保持されると、モータ４が駆動されて、ウエハＷの回転が開始される。ウエハＷの回転速度は、たとえば、１０００ｒｐｍまで上げられ、その１０００ｒｐｍに維持される。また、ＳＰＭノズル駆動機構９が駆動されて、スピンチャック１に保持されたウエハＷの上方にＳＰＭノズル２が配置される。そして、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５が開かれて、ＳＰＭノズル２から回転状態のウエハＷの表面にＳＰＭが供給される（ステップＳ１）。

このとき、ＳＰＭノズル２がウエハＷの上方で停止されて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面の中央部（回転中心付近）にＳＰＭが供給されてもよい。この場合、ウエハＷの表面の中央部に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に行き渡る。そして、ＳＰＭに含まれるカロ酸の強酸化力によって、ウエハＷの表面に形成されているレジストが剥離され、ＳＰＭの流れにより、その剥離されたレジストが押し流されて除去される。

また、ＳＰＭノズル駆動機構９の制御により、アーム７が所定角度範囲内で揺動されて、ＳＰＭノズル２がウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動されてもよい。この場合、ウエハＷの表面上におけるＳＰＭの供給位置がウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ往復移動（スキャン）し、ウエハＷの表面の全域にＳＰＭがむらなく速やかに供給される。そして、ＳＰＭに含まれるカロ酸の強酸化力によって、ウエハＷの表面に形成されているレジストが剥離され、ＳＰＭの流れにより、その剥離されたレジストが押し流されて除去される。

ＳＰＭの供給開始後、たとえば、６０秒間が経過すると、ウエハＷの回転速度がウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜を保持可能な速度（５〜２０ｒｐｍの範囲で、たとえば、１０ｒｐｍ）に下げられる。ウエハＷの回転速度が下げられた後も、ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給は継続されており、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭは、ウエハＷの表面上に溜められていく（ステップＳ２）。そして、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭの液膜が形成されると、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５が閉じられて、ＳＰＭノズル２からのＳＰＭの供給が停止される。ウエハの表面の全域を覆うＳＰＭの液膜が形成されるまでに要する時間は、ＳＰＭノズル２から吐出されるＳＰＭの流量によって異なるが、たとえば、５〜２０秒間である。

ウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成された状態は、たとえば、５０〜６０秒間にわたって維持される（ＳＰＭパドル：ステップＳ３）。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭとの反応が進み、ウエハＷの表面からのレジストの剥離が進行する。
その後、ウエハＷの回転速度が所定の振り切り回転速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲で、たとえば、１０００ｒｐｍ）に上げられ、たとえば、２〜３秒間、その振り切り回転速度で維持される。これにより、ウエハＷの表面上のＳＰＭの液膜は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面から剥離したレジストとともに、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方に振り切られて除去される（ＳＰＭ振り切り：ステップＳ４）。

次いで、ウエハＷの回転状態が維持されたまま、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５が再び開かれて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面にＳＰＭが供給される（ステップＳ５）。このとき、ＳＰＭノズル２がウエハＷの上方で停止されて、ＳＰＭノズル２からウエハＷの表面の中央部（回転中心付近）にＳＰＭが供給されてもよいし、ＳＰＭノズル駆動機構９の制御により、アーム７が所定角度範囲内で揺動されて、ＳＰＭノズル２がウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動されてもよい。ＳＰＭの供給により、ウエハＷの表面に残っているレジストの剥離が進み、ＳＰＭの流れにより、その剥離されたレジストが押し流されて除去される。

ＳＰＭの再供給の開始から所定時間（たとえば、５秒間）が経過すると、ウエハＷの回転速度がウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜を保持可能な速度（５〜２０ｒｐｍの範囲で、たとえば、１０ｒｐｍ）に下げられる。ウエハＷの回転速度が下げられた後も、ウエハＷの表面へのＳＰＭの供給は継続されており、ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭは、ウエハＷの表面上に溜められていく（ステップＳ６）。そして、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭの液膜が形成されると、硫酸バルブ１４および過酸化水素水バルブ１５が閉じられて、ＳＰＭノズル２からのＳＰＭの供給が停止される。ＳＰＭの供給が停止されると、ＳＰＭノズル２がウエハＷの上方から外れた位置に退避される。

ウエハＷの表面上にＳＰＭの液膜が形成された状態は、たとえば、５０〜６０秒間にわたって維持される（ＳＰＭパドル：ステップＳ７）。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭとの反応がさらに進み、ウエハＷの表面に残留しているレジストがすべて剥離される。
その後、ウエハＷの回転速度が振り切り回転速度に再び上昇される。これにより、ウエハＷの表面上のＳＰＭの液膜は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面から剥離したレジストとともに、ウエハＷの周縁に向けて流れ、ウエハＷの周縁から側方に振り切られて除去される。その一方で、遮断板３がウエハＷの表面に近接する位置に下降される。そして、純水バルブ１９が開かれて、純水ノズル２０からウエハＷの表面の中央に向けて純水が供給される。また、遮断板３は、遮断板回転駆動機構２６によって、ウエハＷと同方向に回転させられる。ウエハＷの表面上に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を中央から周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面の全域に純水が速やかに行き渡り、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭが純水により洗い流される（リンス処理：ステップＳ８）。

純水の供給開始後、たとえば、６０秒間が経過すると、ウエハＷの表面に遮断板３が近接配置され、ウエハＷと同方向に回転させた状態のまま、窒素ガスバルブ２２が開かれて、ウエハＷの表面の中央部に窒素ガスが供給される。そして、ウエハＷの回転速度が所定のスピンドライ回転速度（１０００〜３０００ｒｐｍの範囲で、たとえば、３０００ｒｐｍ）に上げられて、ウエハＷと遮断板３との間に窒素ガスが充満した状態で、ウエハＷの表面から純水を遠心力で振り切るためのスピンドライ処理が行われる（ステップＳ９）。このスピンドライ処理は、１０〜６０秒間の範囲で行われ、たとえば、３０秒間にわたって続けられる。

スピンドライ処理後は、モータ４が停止されて、ウエハＷが静止した後、搬送ロボットによって、この基板処理装置から処理済みのウエハＷが搬出される。
以上のように、この基板処理装置では、ウエハＷの表面にＳＰＭが供給された後、ウエハＷの表面上にＳＰＭが液膜を形成して滞留した状態が維持される。そして、そのウエハＷの表面上に滞留しているＳＰＭが一旦振り切られた後、ウエハＷの表面にＳＰＭが再び供給される。

硫酸と過酸化水素水とを混合して作成されるＳＰＭの液中には、硫酸と過酸化水素水との反応生成熱により発生する水蒸気の気泡が多量に存在する。ウエハＷの表面上にＳＰＭが液膜を形成して滞留している間、ＳＰＭの液中の気泡がウエハＷの表面の同じ部分に接触し続けるため、その部分にレジストが除去されずに残るが、ウエハＷの表面上からＳＰＭが一旦振り切られた後、そのウエハＷの表面にＳＰＭが再び供給されることによって、その残ったレジストを除去することができる。その結果、ウエハＷの表面に形成されているレジストをむらなく除去することができる。

また、ウエハＷの表面にＳＰＭが再び供給された後、さらにウエハＷの表面上にＳＰＭが液膜を形成した状態で貯留される。これにより、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭとの反応時間をさらに確保することにより、ウエハＷの表面に形成されているレジストを一層むらなく除去することができる。また、ＳＰＭの液膜が形成されている間は、ＳＰＭの液中の気泡がウエハＷの表面の同じ部分に接触し続けることになるが、その気泡は、最初にＳＰＭの液膜が形成された工程（最初のＳＰＭパドル工程）で気泡が接触した部分とは異なる部分に接触するので、レジストが除去されない部分を生じることはない。

そして、ＳＰＭによる処理後は、リンス処理が行われることにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭを純水で洗い流すことができる。さらに、リンス処理に引き続いてスピンドライ処理が行われることにより、そのウエハＷに付着した純水を振り切って、ウエハＷを乾燥させることができる。
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。たとえば、ウエハＷに対する各処理工程の時間や各処理工程におけるウエハＷの回転速度は、上述の実施形態で示した数値に限らず、ウエハＷに対する良好な処理が達成されるように適当に変更されてもよい。

また、上述の実施形態では、ミキシングバルブ１０からＳＰＭノズル２に至る経路上で、硫酸と過酸化水素水とが混合されて、レジストの剥離に適した液温に昇温したＳＰＭが作成される構成を取り上げたが、予め作成されたＳＰＭをタンクに貯留して、このタンク内のＳＰＭの液温をレジストの剥離に適した液温に管理しておき、そのタンクからＳＰＭノズルにＳＰＭを供給するようにしてもよい。

さらにまた、上述の実施形態では、ウエハＷの表面に純水を供給して、その表面に付着したＳＰＭを純水で洗い流すとしたが、ＳＰＭを洗い流すために用いられるリンス液は、ウエハＷの表面にダメージを与えることなく、そのウエハＷに付着したＳＰＭを洗い流すことができる液であればよく、純水以外にもたとえば、温純水、イオン水、水素が溶存する還元水（電解還元水を含む。）、炭酸水、磁気水などの機能水、または希薄濃度（たとえば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水、アンモニア過水、塩酸などを用いることができる。

また、上述の実施形態では、遮断板３の下面に形成された純水ノズル２０からリンス液が供給される構成としたが、リンス液を供給するノズルはスピンチャック１の側方に配置して、そのノズルからリンス液をウエハＷに供給する構成としてもよい。
また、上述の実施形態では、スピンドライ処理を開始する前に窒素ガスバルブ２２が開かれて、ウエハＷの表面に窒素ガスが供給される構成としたが、ウエハＷへのＳＰＭ供給時から窒素ガスバルブ２２は開かれていてもよい。

また、処理の対象となる基板は、ウエハＷに限らず、化合物半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。 前記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 前記基板処理装置における処理の流れを説明するための工程図である。

符号の説明

１ スピンチャック
２ ＳＰＭノズル
４ モータ
１０ ミキシングバルブ
１１ ＳＰＭ供給管
１２ 硫酸供給管
１３ 過酸化水素水供給管
１４ 硫酸バルブ
１５ 過酸化水素水バルブ
１６ 攪拌流通管
２５ 制御装置
Ｗ ウエハ

Claims (5)

1. 基板の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための方法であって、
   基板の表面上に処理液を供給する第１供給工程と、
   前記第１供給工程に引き続いて、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態を維持する第１パドル工程と、
   前記第１パドル工程の後に、基板の回転により、基板から処理液を振り切る第１振り切り工程と、
   前記第１振り切り工程の後に、基板の表面上に処理液を供給する第２供給工程とを含むことを特徴とする、基板処理方法。
2. 前記第２供給工程に引き続いて、基板の表面に処理液が液膜を形成して滞留した状態を維持する第２パドル工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の基板処理方法。
3. 前記第２供給工程の後に、基板の表面にリンス液を供給して、基板の表面に付着している処理液をリンス液で洗い流すリンス処理工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１または２記載の基板処理方法。
4. 前記リンス処理工程の後に、基板の回転により、基板からリンス液を振り切る第２振り切り工程をさらに含むことを特徴とする、請求項３記載の基板処理方法。
5. 基板の表面に対して、硫酸と過酸化水素水とを混合して作成される処理液によるレジスト除去処理を施すための装置であって、
   基板をほぼ水平に保持する基板保持手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段と、
   前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、
   基板の表面に処理液が供給された後、基板の表面上に処理液が液膜を形成して滞留した状態が維持され、基板の回転によって、その基板の表面上に滞留している処理液が振り切られ、その後、基板の表面に処理液が再び供給されるように、前記基板回転手段および前記処理液供給手段を制御する制御手段とを含むことを特徴とする、基板処理装置。

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