JP2002190464A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP2002190464A JP2002190464A JP2001295541A JP2001295541A JP2002190464A JP 2002190464 A JP2002190464 A JP 2002190464A JP 2001295541 A JP2001295541 A JP 2001295541A JP 2001295541 A JP2001295541 A JP 2001295541A JP 2002190464 A JP2002190464 A JP 2002190464A
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- discharged
- liquid
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反応生成物の除去処理を精度よく実行すること
が可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、基板Ｗに向けて除去液
を吐出する除去液吐出ノズル２１を有する基板処理部２
と、温度調整槽３内の除去液を所定の温度となるように
加熱する温度調整機構４と、除去液回収機構５とを備え
る。この基板処理装置においては、基板Ｗに除去液を吐
出する前に待機位置において除去液供給ノズル２１から
除去液回収ポット２６に除去液を吐出するプリディスペ
ンスと、基板Ｗの非処理時に間欠的に待機位置において
除去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６に除去
液を吐出するオートディスペンスとが実行される。
が可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、基板Ｗに向けて除去液
を吐出する除去液吐出ノズル２１を有する基板処理部２
と、温度調整槽３内の除去液を所定の温度となるように
加熱する温度調整機構４と、除去液回収機構５とを備え
る。この基板処理装置においては、基板Ｗに除去液を吐
出する前に待機位置において除去液供給ノズル２１から
除去液回収ポット２６に除去液を吐出するプリディスペ
ンスと、基板Ｗの非処理時に間欠的に待機位置において
除去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６に除去
液を吐出するオートディスペンスとが実行される。
Description
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、レジス
ト膜をマスクとしたドライエッチング等の処理によりそ
の表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、
当該基板の表面に生成された反応生成物等を除去液によ
り除去する基板処理装置に関する。
ト膜をマスクとしたドライエッチング等の処理によりそ
の表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対し、
当該基板の表面に生成された反応生成物等を除去液によ
り除去する基板処理装置に関する。
【０００１】
【従来の技術】半導体素子の製造工程においては、半導
体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニュウムや
銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとしてエッ
チングすることによりパターン化するエッチング工程が
実行される。そして、このエッチング工程において、微
細な回路パターンを形成する場合には、ＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性イオンエ
ッチング）等の、ドライエッチングが採用される。
体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニュウムや
銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとしてエッ
チングすることによりパターン化するエッチング工程が
実行される。そして、このエッチング工程において、微
細な回路パターンを形成する場合には、ＲＩＥ（Ｒｅａ
ｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ／反応性イオンエ
ッチング）等の、ドライエッチングが採用される。
【０００２】このようなドライエッチングで使用される
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去
する必要がある。
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去
する必要がある。
【０００３】このため、従来、ドライエッチング工程の
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去する反応生成物の除去工程を行って
いる。
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去する反応生成物の除去工程を行って
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、このような反応
生成物の除去工程で使用される除去液としては、一般的
に、常温で使用するものが使用されていた。しかしなが
ら、近年、常温より高い温度で使用することにより、反
応生成物の除去性能を高めた除去液が開発されている。
生成物の除去工程で使用される除去液としては、一般的
に、常温で使用するものが使用されていた。しかしなが
ら、近年、常温より高い温度で使用することにより、反
応生成物の除去性能を高めた除去液が開発されている。
【０００５】そして、このような高温タイプの除去液を
使用する際には、除去液の昇温機構を使用することによ
り、除去液を例えば摂氏５０〜８０度程度の温度まで昇
温するとともに、除去液の温度を高い精度で管理してい
る。すなわち、基板に供給される除去液の温度が変動す
ると、反応生成部部の除去処理を精度よく行うことは不
可能となる。このため、基板に供給される除去液の温度
が常に一定となるように、除去液の温度管理を行う必要
がある。
使用する際には、除去液の昇温機構を使用することによ
り、除去液を例えば摂氏５０〜８０度程度の温度まで昇
温するとともに、除去液の温度を高い精度で管理してい
る。すなわち、基板に供給される除去液の温度が変動す
ると、反応生成部部の除去処理を精度よく行うことは不
可能となる。このため、基板に供給される除去液の温度
が常に一定となるように、除去液の温度管理を行う必要
がある。
【０００６】しかしながら、このような基板処理装置に
おいては、最初のロットの基板を処理した後、次のロッ
トの基板の処理を開始するまでの非処理時間の間、また
は、１枚の基板を処理した後、次の基板の処理を開始す
るまでの非処理時間の間に、除去液の昇温機構と基板表
面に向けて除去液を吐出するための除去液吐出部との間
の配管内等において除去液が冷却してしまい、反応生成
物の除去処理を精度よく行えないという問題が生ずる。
おいては、最初のロットの基板を処理した後、次のロッ
トの基板の処理を開始するまでの非処理時間の間、また
は、１枚の基板を処理した後、次の基板の処理を開始す
るまでの非処理時間の間に、除去液の昇温機構と基板表
面に向けて除去液を吐出するための除去液吐出部との間
の配管内等において除去液が冷却してしまい、反応生成
物の除去処理を精度よく行えないという問題が生ずる。
【０００７】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、反応生成物の除去処理を精度よく実行
することが可能な基板処理装置を提供することを目的と
する。
れたものであり、反応生成物の除去処理を精度よく実行
することが可能な基板処理装置を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、レジスト膜をマスクとしたドライエッチングにより
その表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対
し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、前記基板表面に向
けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給
機構と、前記除去液供給機構により前記基板に供給する
除去液を、所定の温度となるように加熱する温度調整機
構と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基
板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部か
ら吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出
される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させ
る移動機構と、前記除去液供給機構を制御することによ
り、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記
基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前
記吐出部から除去液を吐出させる制御機構と、を備えた
ことを特徴とする。
は、レジスト膜をマスクとしたドライエッチングにより
その表面に形成された薄膜をパターン化した基板に対
し、当該基板の表面に生成された反応生成物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、前記基板表面に向
けて除去液を吐出する除去液吐出部を有する除去液供給
機構と、前記除去液供給機構により前記基板に供給する
除去液を、所定の温度となるように加熱する温度調整機
構と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基
板の表面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部か
ら吐出された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出
される待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させ
る移動機構と、前記除去液供給機構を制御することによ
り、前記除去液吐出部を前記供給位置に移動させて前記
基板に除去液を吐出する前に、前記待機位置において前
記吐出部から除去液を吐出させる制御機構と、を備えた
ことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
【００１０】請求項３に記載の発明は、レジスト膜をマ
スクとしたドライエッチングによりその表面に形成され
た薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に
生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理
装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出する
除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液供
給機構により前記基板供給する除去液を、所定の温度と
なるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部
から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供
給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前
記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間
で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記除
去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部
が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出
部から除去液を吐出させる制御機構と、を備えたことを
特徴とする。
スクとしたドライエッチングによりその表面に形成され
た薄膜をパターン化した基板に対し、当該基板の表面に
生成された反応生成物を除去液により除去する基板処理
装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出する
除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液供
給機構により前記基板供給する除去液を、所定の温度と
なるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部
から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出される供
給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液が前
記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との間
で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記除
去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出部
が前記待機位置において待機しているときに、前記吐出
部から除去液を吐出させる制御機構と、を備えたことを
特徴とする。
【００１１】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
【００１２】請求項５に記載の発明は、請求項３または
請求項４いずれかに記載の発明において、前記制御機構
は、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除
去液吐出部が前記待機位置において待機しているとき
に、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる。
請求項４いずれかに記載の発明において、前記制御機構
は、前記除去液供給機構を制御することにより、前記除
去液吐出部が前記待機位置において待機しているとき
に、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させる。
【００１３】請求項６に記載の発明は、基板に存在する
有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、前記除去液供給機構により前
記基板に供給する除去液を、所定の温度となるように加
熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出され
た除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前
記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面
以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液
吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を
制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置
に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待
機位置において前記吐出部から除去液を吐出させる制御
機構とを備えたことを特徴とする。
有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、前記除去液供給機構により前
記基板に供給する除去液を、所定の温度となるように加
熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出され
た除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前
記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面
以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液
吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を
制御することにより、前記除去液吐出部を前記供給位置
に移動させて前記基板に除去液を吐出する前に、前記待
機位置において前記吐出部から除去液を吐出させる制御
機構とを備えたことを特徴とする。
【００１４】請求項７に記載の発明は、請求項６に記載
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
【００１５】請求項８に記載の発明は、基板に存在する
有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、前記除去液供給機構により前
記基板に供給する除去液を、所定の温度となるように加
熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出され
た除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前
記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面
以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液
吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を
制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置
において待機しているときに、前記吐出部から除去液を
吐出させる制御機構とを備えたことを特徴とする。
有機物を除去液により除去する基板処理装置であって、
前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、前記除去液供給機構により前
記基板に供給する除去液を、所定の温度となるように加
熱する温度調整機構と、前記除去液吐出部から吐出され
た除去液が前記基板の表面に吐出される供給位置と、前
記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表面
以外の位置に吐出される待機位置との間で、前記除去液
吐出部を移動させる移動機構と、前記除去液供給機構を
制御することにより、前記除去液吐出部が前記待機位置
において待機しているときに、前記吐出部から除去液を
吐出させる制御機構とを備えたことを特徴とする。
【００１６】請求項９に記載の発明は、請求項８に記載
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
の発明において、前記待機位置において前記除去液吐出
部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有
している。
【００１７】請求項１０に記載の発明は、請求項８また
は請求項９いずれかに記載の発明において、前記制御機
構は、前記除去液供給機構を制御することにより、前記
除去液吐出部が前記待機位置において待機しているとき
に、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させている。
は請求項９いずれかに記載の発明において、前記制御機
構は、前記除去液供給機構を制御することにより、前記
除去液吐出部が前記待機位置において待機しているとき
に、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させている。
【００１８】請求項１１に記載の発明は、レジストが変
質して生じた反応生成物を除去液により除去する基板処
理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出す
る除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液
供給機構により前記基板に供給する除去液を、所定の温
度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐
出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出され
る供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液
が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との
間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記
除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出
部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出
する前に、前記待機位置において前記吐出部から除去液
を吐出させる制御機構とを備えたことを特徴とする。
質して生じた反応生成物を除去液により除去する基板処
理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出す
る除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液
供給機構により前記基板に供給する除去液を、所定の温
度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐
出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出され
る供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液
が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との
間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記
除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出
部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を吐出
する前に、前記待機位置において前記吐出部から除去液
を吐出させる制御機構とを備えたことを特徴とする。
【００１９】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載の発明において、前記待機位置において前記除去液
吐出部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構
を有している。
記載の発明において、前記待機位置において前記除去液
吐出部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構
を有している。
【００２０】請求項１３に記載の発明は、レジストが変
質して生じた反応生成物を除去液により除去する基板処
理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出す
る除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液
供給機構により前記基板に供給する除去液を、所定の温
度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐
出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出され
る供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液
が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との
間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記
除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出
部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐
出部から除去液を吐出させる制御機構とを備えたことを
特徴とする。
質して生じた反応生成物を除去液により除去する基板処
理装置であって、前記基板表面に向けて除去液を吐出す
る除去液吐出部を有する除去液供給機構と、前記除去液
供給機構により前記基板に供給する除去液を、所定の温
度となるように加熱する温度調整機構と、前記除去液吐
出部から吐出された除去液が前記基板の表面に吐出され
る供給位置と、前記除去液吐出部から吐出された除去液
が前記基板の表面以外の位置に吐出される待機位置との
間で、前記除去液吐出部を移動させる移動機構と、前記
除去液供給機構を制御することにより、前記除去液吐出
部が前記待機位置において待機しているときに、前記吐
出部から除去液を吐出させる制御機構とを備えたことを
特徴とする。
【００２１】請求項１４に記載の発明は、請求項１３に
記載の発明において、前記待機位置において前記除去液
吐出部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構
を有している。
記載の発明において、前記待機位置において前記除去液
吐出部から吐出された除去液を回収する除去液回収機構
を有している。
【００２２】請求項１５に記載の発明は、請求項１３ま
たは請求項１４いずれかに記載の発明において、前記制
御機構は、前記除去液供給機構を制御することにより、
前記除去液吐出部が前記待機位置において待機している
ときに、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させてい
る。
たは請求項１４いずれかに記載の発明において、前記制
御機構は、前記除去液供給機構を制御することにより、
前記除去液吐出部が前記待機位置において待機している
ときに、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出させてい
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態に係
る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基
板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板として
のシリコン製半導体ウエハの表面から、反応性生成物と
してのポリマーを除去処理するためのものである。
る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基
板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板として
のシリコン製半導体ウエハの表面から、反応性生成物と
してのポリマーを除去処理するためのものである。
【００２４】ここで、上記薄膜は、例えば、銅やアルミ
ニウム、チタン、タングステンなどの金属膜、またはシ
リコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜から構成さ
れる。
ニウム、チタン、タングステンなどの金属膜、またはシ
リコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜から構成さ
れる。
【００２５】また、この基板処理装置で使用する除去液
としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ
（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンなどの
有機アルカリ液を含む液体、フッ酸、燐酸などの無機酸
を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体等を使用
することができる。また、その他の除去液として、１−
メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１
−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノー
ルアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテ
コール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオー
ル、テトラクロロエチレン、フェノールを含む液体など
があり、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンと
テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロ
パノールアミンとの混合液、ジメチルスルホシキドとモ
ノエタノールアミンとの混合液、２−（２アミノエトキ
シ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混
合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチ
ルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水と
アロマテイックジオールとの混合液、テトラクロロエチ
レンとフェノールとの混合液等を使用するようにしても
よい。
としては、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ
（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシルアミンなどの
有機アルカリ液を含む液体、フッ酸、燐酸などの無機酸
を含む液体、フッ化アンモン系物質を含む液体等を使用
することができる。また、その他の除去液として、１−
メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフェン１．１
−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モノエタノー
ルアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、カテ
コール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイックジオー
ル、テトラクロロエチレン、フェノールを含む液体など
があり、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンと
テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロ
パノールアミンとの混合液、ジメチルスルホシキドとモ
ノエタノールアミンとの混合液、２−（２アミノエトキ
シ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混
合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチ
ルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水と
アロマテイックジオールとの混合液、テトラクロロエチ
レンとフェノールとの混合液等を使用するようにしても
よい。
【００２６】図１はこの発明の第１実施形態に係る基板
処理装置を模式的に示す概要図である。
処理装置を模式的に示す概要図である。
【００２７】この基板処理装置は、基板処理部２と、温
度調整槽３と、温度調整機構４と、除去液回収機構５と
を備える。温度調整槽３は、薬液キャビネット１００内
に配置されている。また、基板処理部２は、処理キャビ
ネット２００内に配置されている。さらに、温度調整機
構４と除去液回収機構５とは、薬液キャビネット１００
と処理キャビネット２００とに亘って配置されている。
度調整槽３と、温度調整機構４と、除去液回収機構５と
を備える。温度調整槽３は、薬液キャビネット１００内
に配置されている。また、基板処理部２は、処理キャビ
ネット２００内に配置されている。さらに、温度調整機
構４と除去液回収機構５とは、薬液キャビネット１００
と処理キャビネット２００とに亘って配置されている。
【００２８】基板処理部２は、反応生成物を除去するた
めの除去液を基板Ｗの表面に供給して処理するためのも
のであり、モータ２２の駆動により基板Ｗを保持した状
態で回転するスピンチャック２３と、回転する基板Ｗの
表面に除去液を吐出するための除去液供給ノズル２１
と、電磁弁４４と除去液供給ノズル２１とを連結する除
去液供給管路２５と、除去液の飛散防止用カップ２４
と、除去液回収ポット２６とを備える。
めの除去液を基板Ｗの表面に供給して処理するためのも
のであり、モータ２２の駆動により基板Ｗを保持した状
態で回転するスピンチャック２３と、回転する基板Ｗの
表面に除去液を吐出するための除去液供給ノズル２１
と、電磁弁４４と除去液供給ノズル２１とを連結する除
去液供給管路２５と、除去液の飛散防止用カップ２４
と、除去液回収ポット２６とを備える。
【００２９】この基板処理部２においては、電磁弁４４
を開放することにより、除去液供給ノズル２１から、ス
ピンチャック２３に保持されて回転する基板Ｗの表面
に、温度調整槽３において温度制御された除去液を供給
する。基板Ｗの表面における金属膜の側壁に堆積したポ
リマー等の反応生成物は、除去液供給ノズル２１から供
給された除去液により除去される。
を開放することにより、除去液供給ノズル２１から、ス
ピンチャック２３に保持されて回転する基板Ｗの表面
に、温度調整槽３において温度制御された除去液を供給
する。基板Ｗの表面における金属膜の側壁に堆積したポ
リマー等の反応生成物は、除去液供給ノズル２１から供
給された除去液により除去される。
【００３０】温度調整槽３は、基板処理部２において基
板Ｗに供給するための除去液を貯留するためのものであ
る。この温度調整槽３には、除去液の供給部１０から除
去液が供給される。
板Ｗに供給するための除去液を貯留するためのものであ
る。この温度調整槽３には、除去液の供給部１０から除
去液が供給される。
【００３１】温度調整機構４は、温度調整槽３内の除去
液を所定の温度まで昇温するためのものであり、ヒータ
４２と、循環ポンプ４１と、薬液キャビネット１００内
で除去液を循環させる循環路４３と、薬液キャビネット
１００から処理キャビネット２００に亘って除去液を循
環させる循環路４５とを備える。温度調整槽３内の除去
液は、循環ポンプ４の駆動で循環路４３および４５を循
環する間に、ヒータ４２の作用により所定の温度まで昇
温される。
液を所定の温度まで昇温するためのものであり、ヒータ
４２と、循環ポンプ４１と、薬液キャビネット１００内
で除去液を循環させる循環路４３と、薬液キャビネット
１００から処理キャビネット２００に亘って除去液を循
環させる循環路４５とを備える。温度調整槽３内の除去
液は、循環ポンプ４の駆動で循環路４３および４５を循
環する間に、ヒータ４２の作用により所定の温度まで昇
温される。
【００３２】除去液回収機構５は、基板Ｗの処理に供さ
れ飛散防止用カップ２４により捕獲された除去液と、除
去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６に向けて
吐出された除去液とを回収するための除去液回収路１１
と、この除去液回収路１１を介して回収した除去液を一
時的に貯留する除去液貯留槽２９と、この除去液貯留槽
２９内に一時的に貯留された除去液を管路２８を介して
回収するためのポンプ２７とを備える。
れ飛散防止用カップ２４により捕獲された除去液と、除
去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６に向けて
吐出された除去液とを回収するための除去液回収路１１
と、この除去液回収路１１を介して回収した除去液を一
時的に貯留する除去液貯留槽２９と、この除去液貯留槽
２９内に一時的に貯留された除去液を管路２８を介して
回収するためのポンプ２７とを備える。
【００３３】図２は上述した基板処理部２の構成を除去
液貯留槽２９等とともに示す側面概要図であり、図３は
基板処理部２の構成を示す平面図である。なお、図２に
おいては、基板処理部２の一部を断面で示している。
液貯留槽２９等とともに示す側面概要図であり、図３は
基板処理部２の構成を示す平面図である。なお、図２に
おいては、基板処理部２の一部を断面で示している。
【００３４】除去液の飛散防止用カップ２４は、断面が
略コの字状で、平面視では中央部分に開口を有する略リ
ング状の形状を有する。そして、この飛散防止用カップ
２４の底面には、除去液回収路１１に連結する開口部１
３が形成されている。一方、除去液回収ポット２６は、
その上部が開放された円筒状の形状を有する。そして、
この除去液回収ポット２６の底面には、除去液回収路１
１に連結する開口部１２が形成されている。
略コの字状で、平面視では中央部分に開口を有する略リ
ング状の形状を有する。そして、この飛散防止用カップ
２４の底面には、除去液回収路１１に連結する開口部１
３が形成されている。一方、除去液回収ポット２６は、
その上部が開放された円筒状の形状を有する。そして、
この除去液回収ポット２６の底面には、除去液回収路１
１に連結する開口部１２が形成されている。
【００３５】一方、基板Ｗの表面に除去液を吐出するた
めの除去液吐出部としての除去液供給ノズル２１は、図
３に示すモータ１６の駆動により軸１５を中心に回動可
能なアーム１４の先端部に配設されている。そして、こ
の除去液供給ノズル２１は、モータ１６の駆動により、
図２および図３において実線で示す供給位置と、図２お
よび図３において二点鎖線で示す待機位置との間を往復
移動する。
めの除去液吐出部としての除去液供給ノズル２１は、図
３に示すモータ１６の駆動により軸１５を中心に回動可
能なアーム１４の先端部に配設されている。そして、こ
の除去液供給ノズル２１は、モータ１６の駆動により、
図２および図３において実線で示す供給位置と、図２お
よび図３において二点鎖線で示す待機位置との間を往復
移動する。
【００３６】ここで、前記供給位置は、除去液供給ノズ
ル２１がスピンチャック２３に保持されて回転する基板
Ｗの回転中心と対向することにより、除去液供給ノズル
２３から吐出された除去液が基板Ｗの表面に吐出される
位置である。また、前記待機位置は、除去液供給ノズル
２１が除去液回収ポット２６と対向することにより、除
去液供給ノズル２１から吐出された除去液が除去液回収
ポット２６内にに吐出される位置である。
ル２１がスピンチャック２３に保持されて回転する基板
Ｗの回転中心と対向することにより、除去液供給ノズル
２３から吐出された除去液が基板Ｗの表面に吐出される
位置である。また、前記待機位置は、除去液供給ノズル
２１が除去液回収ポット２６と対向することにより、除
去液供給ノズル２１から吐出された除去液が除去液回収
ポット２６内にに吐出される位置である。
【００３７】図４は、この基板処理装置の主要な電気的
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【００３８】この基板処理装置は、論理演算を実行する
ＣＰＵ５１と、装置の制御に必要な動作プログラムが格
納されたＲＯＭ５２と、制御時にデータ等が一時的にス
トアされるＲＡＭ５３とを有する制御部５０を備える。
この制御部５０は、インターフェース５４を介して、除
去液供給ノズル２１を供給位置と待機位置との間で往復
移動させるためのモータ１６と、基板Ｗを保持するスピ
ンチャック２３を回転駆動するためのモータ２２と、除
去液供給ノズル２１から除去液を吐出させるための電磁
弁４４とに接続されている。
ＣＰＵ５１と、装置の制御に必要な動作プログラムが格
納されたＲＯＭ５２と、制御時にデータ等が一時的にス
トアされるＲＡＭ５３とを有する制御部５０を備える。
この制御部５０は、インターフェース５４を介して、除
去液供給ノズル２１を供給位置と待機位置との間で往復
移動させるためのモータ１６と、基板Ｗを保持するスピ
ンチャック２３を回転駆動するためのモータ２２と、除
去液供給ノズル２１から除去液を吐出させるための電磁
弁４４とに接続されている。
【００３９】次に、上述した基板処理装置により反応生
成物の除去処理を行う場合の処理動作について説明す
る。
成物の除去処理を行う場合の処理動作について説明す
る。
【００４０】上述した基板処理装置においては、電磁弁
４４から除去液供給ノズル２１に至る除去液供給管路２
５内の除去液は循環していない。このため、最初のロッ
トの基板を処理した後次のロットの基板Ｗの処理を開始
するまでの非処理時間の間に、除去液供給管路２５内の
除去液の温度が設定温度より低くなる。このため、この
実施形態に係る基板処理装置においては、基板Ｗに除去
液を吐出する前に待機位置において除去液供給ノズル２
１から除去液回収ポット２６に除去液を吐出するプリデ
ィスペンスと、基板Ｗの非処理時に待機位置において間
欠的に除去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６
に除去液を吐出するオートディスペンスとを実行してい
る。
４４から除去液供給ノズル２１に至る除去液供給管路２
５内の除去液は循環していない。このため、最初のロッ
トの基板を処理した後次のロットの基板Ｗの処理を開始
するまでの非処理時間の間に、除去液供給管路２５内の
除去液の温度が設定温度より低くなる。このため、この
実施形態に係る基板処理装置においては、基板Ｗに除去
液を吐出する前に待機位置において除去液供給ノズル２
１から除去液回収ポット２６に除去液を吐出するプリデ
ィスペンスと、基板Ｗの非処理時に待機位置において間
欠的に除去液供給ノズル２１から除去液回収ポット２６
に除去液を吐出するオートディスペンスとを実行してい
る。
【００４１】図５は、プリディスペンスを行う際の基板
処理装置における処理動作を示すフローチャートであ
る。また、図６は、図５に示すフローチャートのサブル
ーチンとしての、オートディスペンスを行う際の基板処
理装置における処理動作を示すフローチャートである。
処理装置における処理動作を示すフローチャートであ
る。また、図６は、図５に示すフローチャートのサブル
ーチンとしての、オートディスペンスを行う際の基板処
理装置における処理動作を示すフローチャートである。
【００４２】図５に示すフローチャートを参照して、基
板処理装置により反応生成物の除去処理を実行する際に
は、先ず、サブルーチンとしての図６に示すオートディ
スペンスの実行フローをスタートさせる（ステップＳ１
１）。なお、このオートディスペンスの動作については
後述する。
板処理装置により反応生成物の除去処理を実行する際に
は、先ず、サブルーチンとしての図６に示すオートディ
スペンスの実行フローをスタートさせる（ステップＳ１
１）。なお、このオートディスペンスの動作については
後述する。
【００４３】次に、最初のロットの基板Ｗが搬入された
か否かを判断する（ステップＳ１２）。
か否かを判断する（ステップＳ１２）。
【００４４】最初のロットの基板Ｗが搬入されれば、プ
リディスペンスを実行する（ステップＳ１３）。このプ
リディスペンスを実行する際には、除去液供給ノズル２
１を図２および図３において二点鎖線で示す待機位置に
移動させた状態で、電磁弁４４を開放する。これによ
り、循環路４５を循環している加圧された除去液が除去
液吐出ノズル２１より吐出する。除去液吐出ノズル２１
より吐出した除去液は、除去液回収ポット２６および除
去液回収路１１を介して除去液貯留槽２９に一時的に貯
留された後、ポンプ２７の作用により温度調整槽３に回
収される。
リディスペンスを実行する（ステップＳ１３）。このプ
リディスペンスを実行する際には、除去液供給ノズル２
１を図２および図３において二点鎖線で示す待機位置に
移動させた状態で、電磁弁４４を開放する。これによ
り、循環路４５を循環している加圧された除去液が除去
液吐出ノズル２１より吐出する。除去液吐出ノズル２１
より吐出した除去液は、除去液回収ポット２６および除
去液回収路１１を介して除去液貯留槽２９に一時的に貯
留された後、ポンプ２７の作用により温度調整槽３に回
収される。
【００４５】このプリディスペンス動作を実行すること
により、通常の状態では循環しておらず設定温度より低
温となっている電磁弁４４から除去液供給ノズル２１に
至る除去液供給管路２５内の除去液が排出され、常に循
環され設定温度となっている除去液が新たに除去液供給
管２５内に浸入する。なお、このプリディスペンス時に
は、除去液供給管路２５の長さ等にもよるが、例えば、
１５秒程度継続して除去液を吐出するようにすればよ
い。
により、通常の状態では循環しておらず設定温度より低
温となっている電磁弁４４から除去液供給ノズル２１に
至る除去液供給管路２５内の除去液が排出され、常に循
環され設定温度となっている除去液が新たに除去液供給
管２５内に浸入する。なお、このプリディスペンス時に
は、除去液供給管路２５の長さ等にもよるが、例えば、
１５秒程度継続して除去液を吐出するようにすればよ
い。
【００４６】この状態において、最初のロットの基板Ｗ
の処理を実行する（ステップＳ１４）。この基板Ｗの処
理を実行する際には、スピンチャック２３により基板Ｗ
を高速回転させるとともに、除去液供給ノズル２１を図
２および図３において実線で示す供給位置に移動させた
状態で、電磁弁４４を開放する。これにより、循環路４
５を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズル
２１より吐出する。この基板Ｗの処理時には、基板Ｗは
最初から設定温度まで昇温された除去液により処理され
る。このため、反応生成物の除去処理を精度よく実行す
ることが可能となる。
の処理を実行する（ステップＳ１４）。この基板Ｗの処
理を実行する際には、スピンチャック２３により基板Ｗ
を高速回転させるとともに、除去液供給ノズル２１を図
２および図３において実線で示す供給位置に移動させた
状態で、電磁弁４４を開放する。これにより、循環路４
５を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズル
２１より吐出する。この基板Ｗの処理時には、基板Ｗは
最初から設定温度まで昇温された除去液により処理され
る。このため、反応生成物の除去処理を精度よく実行す
ることが可能となる。
【００４７】最初のロットの基板Ｗの処理が完了すれ
ば、次に処理すべきロットの基板Ｗが搬送されるまで待
機する（ステップＳ１５）。この待機時においては、サ
ブルーチンとしての図６に示すオートディスペンスが実
行される。
ば、次に処理すべきロットの基板Ｗが搬送されるまで待
機する（ステップＳ１５）。この待機時においては、サ
ブルーチンとしての図６に示すオートディスペンスが実
行される。
【００４８】すなわち、基板Ｗの処理工程（ステップＳ
１４）が終了してから一定の時間が経過したか否かを判
定する（ステップＳ２１）。
１４）が終了してから一定の時間が経過したか否かを判
定する（ステップＳ２１）。
【００４９】そして、一定の時間が経過した時点で、オ
ートディスペンスを実行する（ステップＳ２２）。この
オートディスペンスを実行する際には、上述したプリデ
ィスペンスの場合と同様、除去液供給ノズル２１を図２
および図３において二点鎖線で示す待機位置に移動させ
た状態で、電磁弁４４を開放する。これにより、循環路
４５を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズ
ル２１より吐出する。除去液吐出ノズル２１より吐出し
た除去液は、除去液回収ポット２６および除去液回収路
１１を介して除去液貯留槽２９に一時的に貯留された
後、ポンプ２７の作用により温度調整槽３に回収され
る。
ートディスペンスを実行する（ステップＳ２２）。この
オートディスペンスを実行する際には、上述したプリデ
ィスペンスの場合と同様、除去液供給ノズル２１を図２
および図３において二点鎖線で示す待機位置に移動させ
た状態で、電磁弁４４を開放する。これにより、循環路
４５を循環している加圧された除去液が除去液吐出ノズ
ル２１より吐出する。除去液吐出ノズル２１より吐出し
た除去液は、除去液回収ポット２６および除去液回収路
１１を介して除去液貯留槽２９に一時的に貯留された
後、ポンプ２７の作用により温度調整槽３に回収され
る。
【００５０】このオートディスペンスは、一定時間毎、
すなわち、間欠的に実行される。これにより、通常の状
態では循環しておらず設定温度より低温となっている電
磁弁４４から除去液供給ノズル２１に至る除去液供給管
路２５内の除去液が排出され、常に循環され設定温度と
なっている除去液が新たに除去液供給管２５内に浸入す
る。
すなわち、間欠的に実行される。これにより、通常の状
態では循環しておらず設定温度より低温となっている電
磁弁４４から除去液供給ノズル２１に至る除去液供給管
路２５内の除去液が排出され、常に循環され設定温度と
なっている除去液が新たに除去液供給管２５内に浸入す
る。
【００５１】除去液供給管２５内で除去液が長時間停滞
した場合には、除去液供給管２５内の除去液のみならず
除去液供給管２５自体が低温となることから、上述した
プリディスペンスを行っても、最初に基板Ｗに供給する
除去液の温度が設定温度より低温となる現象が発生する
可能性がある。しかしながら、このオートディスペンス
を実行することにより、このような問題の発生を未然に
防止することが可能となる。なお、このプリディスペン
ス時には、例えば、１時間毎に１回、１５秒程度継続し
て除去液を吐出するようにすればよい。
した場合には、除去液供給管２５内の除去液のみならず
除去液供給管２５自体が低温となることから、上述した
プリディスペンスを行っても、最初に基板Ｗに供給する
除去液の温度が設定温度より低温となる現象が発生する
可能性がある。しかしながら、このオートディスペンス
を実行することにより、このような問題の発生を未然に
防止することが可能となる。なお、このプリディスペン
ス時には、例えば、１時間毎に１回、１５秒程度継続し
て除去液を吐出するようにすればよい。
【００５２】再度図５を参照して、全ての基板Ｗの処理
が終了した場合には（ステップＳ１５）、サブルーチン
としての図６に示すオートディスペンスの実行フローを
終了した後、（ステップＳ１６）、全体の処理を終了す
る。
が終了した場合には（ステップＳ１５）、サブルーチン
としての図６に示すオートディスペンスの実行フローを
終了した後、（ステップＳ１６）、全体の処理を終了す
る。
【００５３】なお、上述した実施形態に係る基板処理装
置においては、新たなロットの基板Ｗが搬入される度に
プリディスペンスを実行しているが、１枚の基板Ｗを処
理する度にプリディスペンスを実行するようにしてもよ
い。
置においては、新たなロットの基板Ｗが搬入される度に
プリディスペンスを実行しているが、１枚の基板Ｗを処
理する度にプリディスペンスを実行するようにしてもよ
い。
【００５４】また、上述した実施形態に係る基板処理装
置においては、オートディスペンスを一定時間毎、すな
わち、間欠的に実行しているが、このオートディスペン
スを連続的に実行してもよい。すなわち、基板Ｗを処理
していない状態においては、除去液供給ノズル２１を図
２および図３において二点鎖線で示す待機位置に配置
し、除去液を除去液吐出ノズル２１から除去液回収ポッ
ト２６に向けて連続的に吐出させるようにしてもよい。
このような場合には、除去液吐出ノズルから吐出する除
去液の流量を小さくするようにすることが好ましい。
置においては、オートディスペンスを一定時間毎、すな
わち、間欠的に実行しているが、このオートディスペン
スを連続的に実行してもよい。すなわち、基板Ｗを処理
していない状態においては、除去液供給ノズル２１を図
２および図３において二点鎖線で示す待機位置に配置
し、除去液を除去液吐出ノズル２１から除去液回収ポッ
ト２６に向けて連続的に吐出させるようにしてもよい。
このような場合には、除去液吐出ノズルから吐出する除
去液の流量を小さくするようにすることが好ましい。
【００５５】さらに、上述した実施形態に係る基板処理
装置においては、オートディスペンスとプリディスペン
スの両者を並行して実行しているが、これらの一方のみ
を実行するようにしてもよい。
装置においては、オートディスペンスとプリディスペン
スの両者を並行して実行しているが、これらの一方のみ
を実行するようにしてもよい。
【００５６】また、上述した実施形態に係る基板処理装
置においては除去液供給ノズル２１が基板Ｗの回転中心
と対向する位置を除去液供給ノズル２１の供給位置とし
ているが、供給位置は除去液供給ノズル２１が基板Ｗに
除去液を供給できる位置であればどこでもよい。本実施
形態に係る基板処理装置では例えば除去液供給ノズル２
１が基板Ｗに対向する位置であればどこでもよい。
置においては除去液供給ノズル２１が基板Ｗの回転中心
と対向する位置を除去液供給ノズル２１の供給位置とし
ているが、供給位置は除去液供給ノズル２１が基板Ｗに
除去液を供給できる位置であればどこでもよい。本実施
形態に係る基板処理装置では例えば除去液供給ノズル２
１が基板Ｗに対向する位置であればどこでもよい。
【００５７】また、上述した実施形態に係る基板処理装
置においては除去液供給ノズル２１が除去液回収ポット
２６と対向する位置を除去液供給ノズル２１の待機位置
としているが、除去液供給ノズル２１が除去液回収ポッ
ト２６に除去液を吐出できる位置であればどこでもよ
い。
置においては除去液供給ノズル２１が除去液回収ポット
２６と対向する位置を除去液供給ノズル２１の待機位置
としているが、除去液供給ノズル２１が除去液回収ポッ
ト２６に除去液を吐出できる位置であればどこでもよ
い。
【００５８】また上述した実施形態に係る基板処理装置
においては除去液供給ノズル２１は回転する基板Ｗの回
転中心と対向する位置に静止して除去液を吐出している
が、モータ１６によって、アーム１４を往復回動させ、
前記基板Ｗの回転中心と基板Ｗの周縁とを通る円弧上に
て除去液ノズル２１を移動させながら除去液を吐出させ
てもよい。
においては除去液供給ノズル２１は回転する基板Ｗの回
転中心と対向する位置に静止して除去液を吐出している
が、モータ１６によって、アーム１４を往復回動させ、
前記基板Ｗの回転中心と基板Ｗの周縁とを通る円弧上に
て除去液ノズル２１を移動させながら除去液を吐出させ
てもよい。
【００５９】上記実施形態では、除去液や純水などの処
理液が少なくとも基板Ｗの回転中心に供給されると共
に、基板Ｗが回転するので基板に供給された液が基板Ｗ
の周辺にむら無く広がる。特に基板Ｗを水平に保持して
回転した場合、基板Ｗ全面にむら無く液が供給されるの
で、均一な処理が実行できる。
理液が少なくとも基板Ｗの回転中心に供給されると共
に、基板Ｗが回転するので基板に供給された液が基板Ｗ
の周辺にむら無く広がる。特に基板Ｗを水平に保持して
回転した場合、基板Ｗ全面にむら無く液が供給されるの
で、均一な処理が実行できる。
【００６０】なお、上記実施形態では基板Ｗを回転させ
ながら、少なくとも基板Ｗの回転中心に処理液を供給し
ているが、本発明は回転する基板Ｗに処理液を供給する
ことに限られない。例えば、間欠的に回動または回転し
ている基板Ｗの回転中心に処理液を供給してもよい。ま
た、静止した状態の基板Ｗの中央に処理液を供給した
後、基板Ｗを回動または回転させてもよい。この場合の
回動または回転は連続的でも間欠的でもよい。
ながら、少なくとも基板Ｗの回転中心に処理液を供給し
ているが、本発明は回転する基板Ｗに処理液を供給する
ことに限られない。例えば、間欠的に回動または回転し
ている基板Ｗの回転中心に処理液を供給してもよい。ま
た、静止した状態の基板Ｗの中央に処理液を供給した
後、基板Ｗを回動または回転させてもよい。この場合の
回動または回転は連続的でも間欠的でもよい。
【００６１】なお、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。
【００６２】例えば、本発明はプラズマアッシングの際
に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限ら
ない各種処理において、レジストに起因して生成された
ポリマーを基板から除去する場合も含む。
に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限ら
ない各種処理において、レジストに起因して生成された
ポリマーを基板から除去する場合も含む。
【００６３】また、本発明は、ドライエッチングや、プ
ラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけ
を除去することに限定されるものではなく、レジストに
由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含
む。
ラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけ
を除去することに限定されるものではなく、レジストに
由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含
む。
【００６４】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。
【００６５】例えば、レジストが塗布され、該レジスト
に配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像
され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層
としての薄膜に対するエッチング処理）が施された基板
を対象とし、下層処理が終了して、不要になったレジス
ト膜を除去する場合も含まれる。
に配線パターン等の模様が露光され、該レジストが現像
され、該レジストの下層に対して下層処理（例えば下層
としての薄膜に対するエッチング処理）が施された基板
を対象とし、下層処理が終了して、不要になったレジス
ト膜を除去する場合も含まれる。
【００６６】なお、この場合、不要になったレジスト膜
を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反
応生成物があればこれも同時に除去できるので、スルー
プットが向上するとともに、コストを削減できる。例え
ば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してド
ライエッチングを施した場合は反応生成物も生成され
る。よって、ドライエッチング時に下層をマスクするこ
とに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜
が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じた反
応生成物があればこれも同時に除去できるので、スルー
プットが向上するとともに、コストを削減できる。例え
ば、上記下層処理において、下層である薄膜に対してド
ライエッチングを施した場合は反応生成物も生成され
る。よって、ドライエッチング時に下層をマスクするこ
とに供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜
が変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。
【００６７】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。
【００６８】また、スピンチャック２３は基板Ｗの面積
よりも小さい面積で基板の裏面を吸着するバキュームチ
ャックであり、基板Ｗの裏面のみと接触して基板Ｗを保
持しているため、基板Ｗの表面全体、特に基板Ｗの表面
の周辺部分にもまんべんなく液体が供給されるので処理
における基板Ｗの面内均一性が確保できる。
よりも小さい面積で基板の裏面を吸着するバキュームチ
ャックであり、基板Ｗの裏面のみと接触して基板Ｗを保
持しているため、基板Ｗの表面全体、特に基板Ｗの表面
の周辺部分にもまんべんなく液体が供給されるので処理
における基板Ｗの面内均一性が確保できる。
【００６９】また、同じくスピンチャック２３は基板Ｗ
の裏面のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板
Ｗの周部分に接触するものは何も無い。よって、基板Ｗ
から液体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排出さ
れる。
の裏面のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板
Ｗの周部分に接触するものは何も無い。よって、基板Ｗ
から液体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排出さ
れる。
【００７０】
【発明の効果】請求項１、請求項６および請求項１１に
記載の発明によれば、除去液吐出部を供給位置に移動さ
せて吐出部から基板に除去液を吐出する前に、待機位置
において吐出部から除去液を吐出させることから、所定
の温度まで昇温された除去液により反応生成や有機物物
の除去処理を実行することが可能となる。このため、反
応生成物や有機物の除去処理を精度よく実行することが
可能となる。
記載の発明によれば、除去液吐出部を供給位置に移動さ
せて吐出部から基板に除去液を吐出する前に、待機位置
において吐出部から除去液を吐出させることから、所定
の温度まで昇温された除去液により反応生成や有機物物
の除去処理を実行することが可能となる。このため、反
応生成物や有機物の除去処理を精度よく実行することが
可能となる。
【００７１】請求項２、請求項７および請求項１２に記
載の発明によれば、待機位置において除去液吐出部から
吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有するこ
とから、除去液の無駄な消費を防止して除去液を有効に
利用することが可能となる。
載の発明によれば、待機位置において除去液吐出部から
吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有するこ
とから、除去液の無駄な消費を防止して除去液を有効に
利用することが可能となる。
【００７２】請求項３、請求項８および請求項１３に記
載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において待
機しているときに、吐出部から除去液を吐出させること
から、基板に供給される除去液の温度が低下する現象を
有効に防止して、所定の温度まで昇温された除去液によ
り反応生成物や有機物の除去処理を実行することが可能
となる。このため、反応生成物や有機物の除去処理を精
度よく実行することが可能となる。
載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において待
機しているときに、吐出部から除去液を吐出させること
から、基板に供給される除去液の温度が低下する現象を
有効に防止して、所定の温度まで昇温された除去液によ
り反応生成物や有機物の除去処理を実行することが可能
となる。このため、反応生成物や有機物の除去処理を精
度よく実行することが可能となる。
【００７３】請求項４、請求項９および請求項１４に記
載の発明によれば、待機位置において除去液吐出部から
吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有するこ
とから、除去液の無駄な消費を防止して除去液を有効に
利用することが可能となる。
載の発明によれば、待機位置において除去液吐出部から
吐出された除去液を回収する除去液回収機構を有するこ
とから、除去液の無駄な消費を防止して除去液を有効に
利用することが可能となる。
【００７４】請求項５、請求項１０および請求項１５に
記載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において
待機しているときに吐出部から除去液を間欠的に吐出さ
せることから、多量の除去液を使用することなく、基板
に供給される除去液の温度が低下する現象を効率的に防
止することが可能となる。
記載の発明によれば、除去液吐出部が待機位置において
待機しているときに吐出部から除去液を間欠的に吐出さ
せることから、多量の除去液を使用することなく、基板
に供給される除去液の温度が低下する現象を効率的に防
止することが可能となる。
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置を
模式的に示す概要図である。
模式的に示す概要図である。
【図２】基板処理部２の構成を除去液貯留槽２９等とと
もに示す側面概要図である。
もに示す側面概要図である。
【図３】基板処理部２の構成を示す平面図である。
【図４】この基板処理装置の主要な電気的構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】プリディスペンスを行う際の基板処理装置にお
ける処理動作を示すフローチャートである。
ける処理動作を示すフローチャートである。
【図６】オートディスペンスを行う際の基板処理装置に
おける処理動作を示すフローチャートである。
おける処理動作を示すフローチャートである。
２ 基板処理部 ３ 温度調整槽 ４ 温度調整機構 ５ 除去液回収機構 １０ 除去液の供給部 １１ 除去液回収路 １２ 開口部 １３ 開口部 １４ アーム １６ モータ ２１ 除去液供給ノズル ２２ モータ ２３ スピンチャック ２４ 飛散防止用カップ ２５ 除去液供給管路 ２６ 除去液回収ポット ２７ ポンプ ２８ 回収路 ２９ 除去液貯留槽 ４１ 循環ポンプ ４２ ヒータ ４３ 循環路 ４４ 電磁弁 ４５ 循環路 ５０ 制御部 １００ 薬液キャビネット ２００ 処理キャビネット Ｗ 基板
Claims (15)
- 【請求項１】 レジスト膜をマスクとしたドライエッチ
ングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した
基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を
除去液により除去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を
吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から除
去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項３】 レジスト膜をマスクとしたドライエッチ
ングによりその表面に形成された薄膜をパターン化した
基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を
除去液により除去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前
記吐出部から除去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置におい
て、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４いずれかに記載
の基板処理装置において、 前記制御機構は、前記除去液供給機構を制御することに
より、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機し
ているときに、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出さ
せる基板処理装置。 - 【請求項６】 基板に存在する有機物を除去液により除
去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を
吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から除
去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理装置におい
て、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項８】 基板に存在する有機物を除去液により除
去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前
記吐出部から除去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の基板処理装置におい
て、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項１０】 請求項８または請求項９いずれかに記
載の基板処理装置において、 前記制御機構は、前記除去液供給機構を制御することに
より、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機し
ているときに、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出さ
せる基板処理装置。 - 【請求項１１】レジストが変質して生じた反応生成物を
除去液により除去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部を前記供給位置に移動させて前記基板に除去液を
吐出する前に、前記待機位置において前記吐出部から除
去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の基板処理装置にお
いて、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項１３】 レジストが変質して生じた反応生成物
を除去液により除去する基板処理装置であって、 前記基板表面に向けて除去液を吐出する除去液吐出部を
有する除去液供給機構と、 前記除去液供給機構により前記基板に供給する除去液
を、所定の温度となるように加熱する温度調整機構と、 前記除去液吐出部から吐出された除去液が前記基板の表
面に吐出される供給位置と、前記除去液吐出部から吐出
された除去液が前記基板の表面以外の位置に吐出される
待機位置との間で、前記除去液吐出部を移動させる移動
機構と、 前記除去液供給機構を制御することにより、前記除去液
吐出部が前記待機位置において待機しているときに、前
記吐出部から除去液を吐出させる制御機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板処理装置にお
いて、 前記待機位置において前記除去液吐出部から吐出された
除去液を回収する除去液回収機構を有する基板処理装
置。 - 【請求項１５】 請求項１３または請求項１４いずれか
に記載の基板処理装置において、 前記制御機構は、前記除去液供給機構を制御することに
より、前記除去液吐出部が前記待機位置において待機し
ているときに、前記吐出部から除去液を間欠的に吐出さ
せる基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001295541A JP4018362B2 (ja) | 2000-10-05 | 2001-09-27 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305607 | 2000-10-05 | ||
| JP2000-305607 | 2000-10-05 | ||
| JP2001295541A JP4018362B2 (ja) | 2000-10-05 | 2001-09-27 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190464A true JP2002190464A (ja) | 2002-07-05 |
| JP4018362B2 JP4018362B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=26601575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001295541A Expired - Lifetime JP4018362B2 (ja) | 2000-10-05 | 2001-09-27 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4018362B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109347A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および異常処理方法 |
| JP2013187229A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20190125253A (ko) * | 2013-06-20 | 2019-11-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치를 위한 스케줄 작성 방법 및 스케줄 작성 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| WO2023195340A1 (ja) * | 2022-04-05 | 2023-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
-
2001
- 2001-09-27 JP JP2001295541A patent/JP4018362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010109347A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-05-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および異常処理方法 |
| JP2013187229A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR20190125253A (ko) * | 2013-06-20 | 2019-11-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치를 위한 스케줄 작성 방법 및 스케줄 작성 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| KR102285183B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2021-08-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치를 위한 스케줄 작성 방법 및 스케줄 작성 프로그램을 기록한 기록 매체 |
| WO2023195340A1 (ja) * | 2022-04-05 | 2023-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
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|---|---|
| JP4018362B2 (ja) | 2007-12-05 |
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