JP2002124502A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】基板に存在する有機物を、有機物の除去液で除
去する基板処理方法において、基板からレジスト膜を除
去する基板処理のスループットを向上させること。 【解決手段】基板処理装置１では、基板Ｗに除去液を供
給し、除去液の供給を停止させた後、基板Ｗに除去液の
供給をしない状態で基板Ｗを回転させることで基板Ｗに
付着する除去液を一旦振切る。そして、その上で基板Ｗ
に純水を供給する。これにより、中間リンス液を供給す
る工程を削除または短縮でき、スループットが向上し、
コストが低減できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は基板に存在する有機
物を、有機物の除去液で除去する基板処理方法および基
板処理装置に係る。特に、基板からレジスト膜を除去す
る基板処理方法および基板処理装置に係る。

【０００２】また、本発明はレジストが変質して生じた
反応生成物が存在する基板に、反応生成物の除去液を供
給して除去する基板処理方法および基板処理装置に係
り、特にレジスト膜をマスクとして基板の表面に存在す
る薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を
経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上
に生成された反応生成物を除去する基板処理方法および
基板処理装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミや銅などの金属
の薄膜がレジスト膜をマスクとしてエッチングされて半
導体素子の配線とされる工程がある。例えば図１４
（A）のように、基板１０１上に素子１０２が形成さ
れ、その上に金属膜１０３が形成される。この金属膜１
０３は例えばアルミニウムである。そして金属膜１０３
の上にはレジスト膜１０４が形成されている。このレジ
スト膜１０４は金属膜１０３の上面にレジストを塗布し
て乾燥させ、乾燥したレジストに対して露光機によって
配線パターンを露光し、露光が済んだレジストに対して
現像液を供給してレジストの不要な部分を溶解除去する
ことで得ることができる。これによって、金属膜１０３
の必要部分だけはレジスト膜１０３によってマスクさ
れ、次のエッチング工程では該金属膜１０３の必要部分
はエッチングされずに残ることになる。次に、レジスト
膜１０３によってマスクされた金属膜１０３に対してＲ
ＩＥなどのドライエッチングを施すと金属膜１０３の
内、レジスト膜１０３によってマスクされていない部分
はエッチングされて除去され、エッチングされずに残っ
た部分が金属配線１０６となる。このようにドライエッ
チングを行うと図１４（Ｂ）のように、金属配線１０６
の側方にレジスト膜１０３などに由来する反応生成物１
０５が堆積する。この反応生成物１０５は後続するレジ
スト除去工程では通常除去されず、レジスト膜１０４を
除去した後も図１４（Ｃ）のように基板１０１上に残っ
てしまう。このような反応生成物１０５を除去せずに基
板１０１を次工程に渡すと次工程以降の処理品質に悪影
響を与えるので次工程に渡す前に除去する必要がある。

【０００４】このため、従来では、基板に対して反応生
成物の除去液を供給する除去液供給工程、除去液を洗い
流す作用のある有機溶剤などの中間リンス液を基板に供
給する中間リンス工程、基板に純水を供給して純水洗浄
を行う純水洗浄工程を実施することで基板から反応生成
物を除去している。ところで、除去液と純水とが混合す
ると強アルカリが生成される「ペーハーショック」と呼
ばれる現象が生じ、金属配線に損傷を与えることが知ら
れている。このため従来、除去液と純水とが直接混合し
ないように、中間リンス液によって基板上から一旦除去
液を除去し、その上で基板に純水を供給して純水洗浄を
行っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の技術
では中間リンス工程に時間が掛かり、スループットに影
響がある。

【０００６】本発明の目的は基板に存在する有機物を、
有機物の除去液で除去する基板処理、特に、基板からレ
ジスト膜を除去する基板処理のスループットを向上させ
ることである。

【０００７】また、本発明の目的はレジストが変質して
生じた反応生成物が存在する基板に、反応生成物の除去
液を供給して、基板から反応生成物を除去する基板処
理、特にレジスト膜をマスクとして基板の表面に存在す
る薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を
経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上
に生成された反応生成物を除去する基板処理のスループ
ットを向上させることである。

【０００８】また、従来の技術では中間リンス工程で多
くの中間リンス液を使用するためコストがかさんでしま
う。

【０００９】本発明の別の目的は、本発明の目的は基板
に存在する有機物を、有機物の除去液で除去する基板処
理、特に、基板からレジスト膜を除去する基板処理のコ
ストを削減することであり、また、レジストが変質して
生じた反応生成物が存在する基板に、反応生成物の除去
液を供給して、基板から反応生成物を除去する基板処
理、特にレジスト膜をマスクとして基板の表面に存在す
る薄膜をドライエッチングするドライエッチング工程を
経た基板から、該ドライエッチング工程によって基板上
に生成された反応生成物を除去する基板処理のコストを
削減することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜を
ドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板
から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成さ
れた反応生成物を除去する基板処理方法であって、ドラ
イエッチング工程を経た基板に対して反応生成物を除去
する除去液を供給する除去液供給工程と、除去液の供給
を停止した状態で基板を回転させる除去液振切り工程
と、除去液振切り工程後、基板に対して純水を供給する
純水供給工程とを有する基板処理方法である。

【００１１】なお、純水供給工程を、除去液振切り工程
後、基板に対してリンス液を供給するリンス液供給工程
としてもよい。この場合、リンス液は常温、常圧で放置
すれば水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶
解したオゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化
炭素を純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。
また、リンス液としてオゾン水を用いれば、反応生成物
をより完全に除去できる。

【００１２】請求項２に記載の発明は請求項１に記載の
基板処理方法において、前記除去液振切り工程と純水供
給工程との間で基板に対して除去液を洗い流す中間リン
ス液を供給する中間リンス工程をさらに有する基板処理
方法である。

【００１３】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、反応生成物をより完全
に除去できる。

【００１４】請求項３に記載の発明は請求項１または請
求項２に記載の基板処理方法において、前記反応生成物
はポリマーであって、前記除去液は有機アルカリ液また
は無機酸である基板処理方法である。

【００１５】請求項４に記載の発明は請求項３に記載の
基板処理方法において、前記有機アルカリ液はジメチル
ホルムアミドまたは、ジメチルスルホキシドまたは、ヒ
ドロキシルアミンの何れかを含む基板処理方法である。

【００１６】請求項５に記載の発明は請求項３に記載の
基板処理方法において、前記無機酸はフッ酸または燐酸
を含む基板処理方法である。

【００１７】請求項６に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
除去する基板処理装置であって、ドライエッチング工程
を経た基板を保持して回転する保持回転手段と、保持回
転手段に保持された基板に対して、反応生成物を除去す
る除去液を供給する除去液供給手段と、保持回転手段に
保持された基板に対して純水を供給する純水供給手段
と、保持回転手段と除去液供給部と純水供給部とを制御
する制御手段とを有し、前記制御手段は、除去液供給手
段から基板に対して除去液を供給させ、除去液供給手段
からの除去液の供給を停止させ、除去液の供給を停止さ
せた状態で保持回転手段によって基板を回転させ、純水
供給手段から基板に対して純水を供給させる基板処理装
置である。

【００１８】なお、純水供給手段を、保持回転手段に保
持された基板に対してリンス液を供給するリンス液供給
手段としてもよい。この場合、制御手段は除去液供給手
段から基板に対して除去液を供給させ、除去液供給手段
からの除去液の供給を停止させ、除去液の供給を停止さ
せた状態で保持回転手段によって基板を回転させ、リン
ス液供給手段から基板に対してリンス液を供給させる。

【００１９】なお、リンス液は常温、常圧で放置すれば
水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶解した
オゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化炭素を
純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。また、
リンス液としてオゾン水を用いれば、反応生成物をより
完全に除去できる。

【００２０】請求項７に記載の発明は請求項６に記載の
基板処理装置において、保持回転手段に保持された基板
に対して、除去液を洗い流す中間リンス液を供給する中
間リンス液供給手段をさらに有し、前記制御手段は、除
去液供給手段から基板に対して除去液を供給させ、除去
液供給手段からの除去液の供給を停止させ、除去液の供
給を停止させた状態で保持回転手段によって基板を回転
させ、中間リンス液供給手段から中間リンス液を供給さ
せ、純水供給手段から基板に対して純水を供給させる基
板処理装置である。

【００２１】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、反応生成物をより完全
に除去できる。

【００２２】請求項８に記載の発明は基板に存在する有
機物を、有機物の除去液で除去する基板処理方法であっ
て、基板に除去液を供給する除去液供給工程と、除去液
の供給を停止した状態で基板を回転させる除去液振切り
工程と、除去液振切り工程後、基板に純水を供給する純
水供給工程とを有する基板処理方法である。

【００２３】なお、純水供給工程を、除去液振切り工程
後、基板に対してリンス液を供給するリンス液供給工程
としてもよい。この場合、リンス液は常温、常圧で放置
すれば水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶
解したオゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化
炭素を純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。
また、リンス液としてオゾン水を用いれば、有機物をよ
り完全に除去できる。

【００２４】請求項９に記載の発明は請求項８に記載の
基板処理方法において、前記除去液振切り工程と純水供
給工程との間で、除去液を洗い流す中間リンス液を基板
に供給する中間リンス工程をさらに有する基板処理方法
である。

【００２５】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、有機物をより完全に除
去できる。

【００２６】請求項１０に記載の発明は請求項８または
請求項９に記載の基板処理方法において、前記有機物は
ポリマーである基板処理方法である。

【００２７】請求項１１に記載の発明は請求項８ないし
請求項１０の何れかに記載の基板処理方法において、前
記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
は、無機系の除去液である基板処理方法である。

【００２８】請求項１２に記載の発明は基板に存在する
有機物を、有機物の除去液で除去する基板処理装置であ
って、前記基板を保持して回転する保持回転手段と、保
持回転手段に保持された基板に対して、除去液を供給す
る除去液供給手段と、保持回転手段に保持された基板に
対して純水を供給する純水供給手段と、保持回転手段と
除去液供給部と純水供給部とを制御する制御手段とを有
し、前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して
除去液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給
を停止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転
手段によって基板を回転させ、純水供給手段から基板に
対して純水を供給させる基板処理装置である。

【００２９】なお、純水供給手段を、保持回転手段に保
持された基板に対してリンス液を供給するリンス液供給
手段としてもよい。この場合、制御手段は除去液供給手
段から基板に対して除去液を供給させ、除去液供給手段
からの除去液の供給を停止させ、除去液の供給を停止さ
せた状態で保持回転手段によって基板を回転させ、リン
ス液供給手段から基板に対してリンス液を供給させる。

【００３０】なお、リンス液は常温、常圧で放置すれば
水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶解した
オゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化炭素を
純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。また、
リンス液としてオゾン水を用いれば、有機物をより完全
に除去できる。

【００３１】請求項１３に記載の発明は請求項１２に記
載の基板処理装置において、保持回転手段に保持された
基板に対して、除去液を洗い流す中間リンス液を供給す
る中間リンス液供給手段をさらに有し、前記制御手段
は、除去液供給手段から基板に対して除去液を供給さ
せ、除去液供給手段からの除去液の供給を停止させ、除
去液の供給を停止させた状態で保持回転手段によって基
板を回転させ、中間リンス液供給手段から中間リンス液
を供給させ、純水供給手段から基板に対して純水を供給
させる基板処理装置である。

【００３２】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、有機物をより完全に除
去できる。

【００３３】請求項１４に記載の発明は請求項１２また
は請求項１３に記載の基板処理装置において、前記有機
物はポリマーである基板処理装置である。

【００３４】請求項１５に記載の発明は請求項１１ない
し請求項１３の何れかに記載の基板処理装置において、
前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
は、無機系の除去液である基板処理装置である。

【００３５】請求項１６に記載の発明はレジストが変質
して生じた反応生成物が存在する基板に、反応生成物の
除去液を供給して除去する基板処理方法であって、基板
に除去液を供給する除去液供給工程と、除去液の供給を
停止した状態で基板を回転させる除去液振切り工程と、
除去液振切り工程後、基板に純水を供給する純水供給工
程とを有する基板処理方法である。

【００３６】なお、純水供給工程を、除去液振切り工程
後、基板に対してリンス液を供給するリンス液供給工程
としてもよい。この場合、リンス液は常温、常圧で放置
すれば水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶
解したオゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化
炭素を純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。
また、リンス液としてオゾン水を用いれば、反応生成物
をより完全に除去できる。

【００３７】請求項１７に記載の発明は請求項１６に記
載の基板処理方法において、前記除去液振切り工程と純
水供給工程との間で、除去液を洗い流す中間リンス液を
基板に供給する中間リンス工程をさらに有する基板処理
方法である。

【００３８】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、反応生成物をより完全
に除去できる。

【００３９】請求項１８に記載の発明は請求項１６また
は請求項１７に記載の基板処理方法において、前記有機
物はポリマーである基板処理方法である。

【００４０】請求項１９に記載の発明は請求項１６ない
し請求項１８の何れかに記載の基板処理方法において、
前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
は、無機系の除去液である基板処理方法である。

【００４１】請求項２０に記載の発明はレジストが変質
して生じた反応生成物が存在する基板に、反応生成物の
除去液を供給して除去する基板処理装置であって、前記
基板を保持して回転する保持回転手段と、保持回転手段
に保持された基板に対して、除去液を供給する除去液供
給手段と、保持回転手段に保持された基板に対して純水
を供給する純水供給手段と、保持回転手段と除去液供給
部と純水供給部とを制御する制御手段とを有し、前記制
御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去液を供
給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停止さ
せ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段によ
って基板を回転させ、純水供給手段から基板に対して純
水を供給させる基板処理装置である。

【００４２】なお、純水供給手段を、保持回転手段に保
持された基板に対してリンス液を供給するリンス液供給
手段としてもよい。この場合、制御手段は除去液供給手
段から基板に対して除去液を供給させ、除去液供給手段
からの除去液の供給を停止させ、除去液の供給を停止さ
せた状態で保持回転手段によって基板を回転させ、リン
ス液供給手段から基板に対してリンス液を供給させる。

【００４３】なお、リンス液は常温、常圧で放置すれば
水になる液体であり、例えば、オゾンを純水に溶解した
オゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化炭素を
純水に溶解した炭酸水がリンス液に使用できる。また、
リンス液としてオゾン水を用いれば、反応生成物をより
完全に除去できる。

【００４４】請求項２１に記載の発明は請求項２０に記
載の基板処理装置において、保持回転手段に保持された
基板に対して、除去液を洗い流す中間リンス液を供給す
る中間リンス液供給手段をさらに有し、前記制御手段
は、除去液供給手段から基板に対して除去液を供給さ
せ、除去液供給手段からの除去液の供給を停止させ、除
去液の供給を停止させた状態で保持回転手段によって基
板を回転させ、中間リンス液供給手段から中間リンス液
を供給させ、純水供給手段から基板に対して純水を供給
させる基板処理装置である。

【００４５】なお、中間リンス液として、オゾンを純水
に溶解したオゾン水を用いれば、反応生成物をより完全
に除去できる。

【００４６】請求項２２に記載の発明は請求項２０また
は請求項２１に記載の基板処理装置において、前記有機
物はポリマーである基板処理装置である。

【００４７】請求項２３に記載の発明は請求項２０ない
し請求項２２の何れかに記載の基板処理装置において、
前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
は、無機系の除去液である基板処理装置である。

【００４８】

【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は銅やアル
ミニウム、チタン、タングステンなどの金属膜、または
シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜である。

【００４９】また、該薄膜は前記銅やアルミニウム、チ
タン、タングステンなどの金属の混合物で構成されるも
のも含む。また、前記絶縁膜は有機絶縁膜、低誘電体層
間絶縁膜も含む。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形
成された基板に対して垂直方向の断面において高さ寸法
が底部の長さより短いものはもちろん、高さ寸法が底部
の長さより長いものも含む。従って、基板上で部分的に
形成されている膜や配線など、基板に向ったとき線状や
島状に存在するものも薄膜に含まれる。

【００５０】また以下の各実施形態における基板処理と
は基板から有機物を除去する有機物除去処理、または、
レジストが変質して生じた反応生成物を基板から除去す
る反応生成物除去処理である。さらに具体的に述べる
と、有機物としてのレジストを除去する処理、またはド
ライエッチングによって生じた有機物であり、レジスト
や薄膜に由来する反応生成物であるポリマーを基板から
除去するポリマー除去処理である。例えば、レジスト膜
をマスクとしてこの薄膜をドライエッチングする工程を
経た基板にはドライエッチングによってレジストや薄膜
に由来する反応生成物であるポリマーが生成されてい
る。なお、ここでいうレジストは感光性物質である。

【００５１】また、以下の各実施形態における除去液と
は有機物を除去する有機物除去液であり、レジストが変
質して生じた反応生成物の除去液であり、レジストを除
去するレジスト除去液であって、ポリマー除去液であ
る。

【００５２】除去液はＤＭＦ（ジメチルホルムアミ
ド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ヒドロキシ
ルアミンなどの有機アルカリ液を含む液体、有機アミン
を含む液体、フッ酸、燐酸などの無機酸を含む液体、フ
ッ化アンモン系物質を含む液体などがある。その他、ポ
リマー除去液としては１−メチル−２ピロリドン、テト
ラヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノ
ールアミン、モノエタノールアミン、２−（２アミノエ
トキシ）エタノール、カテコール、Ｎ−メチルピロリド
ン、アロマテイックジオール、パーフレン、フェノール
を含む液体などがあり、より具体的には、１−メチル−
２ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキ
シドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、２−
（２アミノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、２−（２アミノエトキシ）エタ
ノールとＮ−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノ
ールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、
パーフレンとフェノールとの混合液などが挙げられる。

【００５３】なお、有機アミンを含む液体（有機アミン
系除去液という。）にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、２−（２−アミ
ノエトキシ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、２−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタ
ノールとＮとＮ−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。また、フッ化
アンモン系物質を含む液体（フッ化アンモン系除去液と
いう。）には、有機アルカリと糖アルコールと水との混
合溶液、フッ素化合物と有機カルボン酸と酸・アミド系
溶剤との混合溶液、アルキルアミドと水と弗化アンモン
との混合溶液、ジメチルスルホキシドと２−アミノエタ
ノールと有機アルカリ水溶液と芳香族炭化水素との混合
溶液、ジメチルスルホキシドと弗化アンモンと水との混
合溶液、弗化アンモンとトリエタノールアミンとペンタ
メチルジエチレントリアミンとイミノジ酢酸と水の混合
溶液、グリコールと硫酸アルキルと有機塩と有機酸と無
機塩の混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との
混合溶液、アミドと有機塩と有機酸と無機塩との混合溶
液がある。また、無機物を含む無機系除去液としては水
と燐酸誘導体との混合溶液がある。

【００５４】また、以下の各実施形態における中間リン
ス液とは除去液を基板から洗い流す液体であり、例えば
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）などの有機溶剤また
はオゾンを純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解
した水素水などの機能水である。

【００５５】なお、中間リンス液としてオゾンを純水に
溶解したオゾン水を使用すれば、有機物、レジストが変
質して生じた反応生成物、ポリマーをより完全に除去で
きる。

【００５６】＜１ 基板処理装置の第1実施形態＞以
下、本発明の基板処理装置の第1実施形態について説明
する。図１、図2は基板処理装置１の構成を示す図であ
る。なお、図１は図２のＩ−Ｉ断面図であるが、便宜上
一部ハッチングを省略している。基板処理装置１は図1
のように断面が略コの字状で、上面視では図２のように
中央部分に開口を有する略リング状のカップ３と、図1
のようにカップ３の開口を通じて鉛直方向に立設され、
基板Ｗを保持して回転する保持回転手段５と、保持回転
手段５に保持されている基板Ｗに対して除去液を供給す
る除去液ノズル７と、同じく保持回転手段５に保持され
ている基板Ｗに対して純水を供給する純水ノズル９とを
有する。また、基板処理装置１は保持回転手段５に保持
されている基板Ｗの裏面に対して純水を供給する裏面洗
浄ノズル１１も有する。なお、除去液ノズル７は本発明
に言う除去液供給手段に当たり、純水ノズル９は本発明
に言う純水供給手段に当たる。

【００５７】カップ３は底部に複数の排出口４を有す
る。そして、基板Ｗに供給された液体の剰余分はカップ
３の内壁を伝って排出口４に至り、該排出口４から装置
外に排出される。

【００５８】保持回転手段５は不図示の機枠に固定さ
れ、鉛直方向に配された駆動軸を有するスピンモータ１
３とスピンモータの駆動軸に固定されたスピン軸１４
と、スピン軸１４の頂部に設けられた基板保持部材とし
てのバキュームチャック１５とを有する。バキュームチ
ャック１５は上面に基板を吸着する吸着面を有し、吸着
面は上面視で基板Ｗの面積よりも小さい。本実施形態で
はバキュームチャックは略円柱状部材であり、上部の吸
着面は円形である。このバキュームチャック１５は上面
の吸着面に不図示の吸着孔を有し、該吸着孔からエアを
吸引する。そして、バキュームチャック15上に載置され
た基板Ｗは前記吸着孔からのエアの吸引により保持され
る。このようにバキュームチャック１５は基板Ｗの裏面
のみと接触して基板Ｗを保持している。このような保持
回転手段５ではバキュームチャック１５上に載置された
基板Ｗをバキュームチャック１５による吸着で保持し、
スピンモータ１３を駆動することで前記バキュームチャ
ック１５上に保持した基板Ｗを軸７１を回転中心として
回転させる。

【００５９】除去液ノズル７は、不図示の機枠に固定さ
れ、鉛直方向に配された駆動軸を有する第1回動モータ
１７と第1回動モータ１７の駆動軸に固定された第1回動
軸１９と、第1回動軸１９の頂部に接続された第1アーム
２１とを有する。第1アーム２１の先端には除去液ノズ
ル本体２３が設けられている。除去液ノズル本体２３に
は軸線方向が基板Ｗの上面に向かう第1通孔２９が開け
られ、第1通孔２９には第1チューブ２７が接続されてい
る。また、第1通孔２９内には第1通孔２９内を通過する
除去液と接触する位置に第1振動子２５が設けられてい
る。

【００６０】第1通孔２９は第1アーム２１が軸７３を中
心に矢印７９のように回動したとき、図２のように第1
通孔２９から噴射される除去液８１の基板Ｗに対する到
達点が基板Ｗの回転中心Ｃを通って矢印８５のように円
弧状に基板Ｗを移動するように設けられている。

【００６１】なお、除去液ノズル７は基板Ｗの表面を含
む面に対して交わる方向に除去液を噴射する。すなわ
ち、除去液ノズル７から噴射される除去液の方向と基板
表面とがなす角は0度より大きく90度以下である。換言
すると基板Ｗに対して除去液ノズル７は直交方向または
斜め上方から除去液を噴射する。なお、好ましくは前記
噴射される除去液の方向と基板表面とがなす角は30度以
上60度以下で、より好ましくは45度である。

【００６２】第1チューブ２７は第1通孔２９に対して除
去液を供給する。第1振動子２５は後述の発振器６７か
らの電気信号により振動し、第１通孔２９を通る除去液
に対して超音波を付与する。このような除去液ノズル７
では第1回動モータ１７が第1回動軸１９を回動させるこ
とにより、第1アーム２１が軸７３を中心に回動する。
これにより、図２のように除去液ノズル７から噴射され
る除去液８１の基板Ｗに対する到達点は基板Ｗの回転中
心Ｃを通って矢印８５のように円弧状に基板Ｗを移動す
る。そして基板Ｗに対しては超音波が付与された除去液
が供給される。

【００６３】純水ノズル９は、不図示の機枠に固定さ
れ、鉛直方向に配された駆動軸を有する第2回動モータ
３１と第2回動モータ３１の駆動軸に固定された第２回
動軸３３と、第２回動軸３３の頂部に接続された第２ア
ーム３５とを有する。第２アーム３５の先端には純水ノ
ズル本体３７が設けられている。純水ノズル本体３７に
は軸線方向が基板Ｗの上面に向かう第２通孔４３が開け
られ、第２通孔４３には第２チューブ４１が接続されて
いる。また、第２通孔４３内には第2通孔４３内を通過
する純水と接触する位置に第2振動子３９が設けられて
いる。

【００６４】第２通孔４３は第２アーム３５が軸７５を
中心に矢印７７のように回動したとき、図２のように第
２通孔４３から噴射される純水８３の基板Ｗに対する到
達点が基板Ｗの回転中心Ｃを通って矢印８７のように円
弧状に基板Ｗを移動するように設けられている。

【００６５】なお、純水ノズル９は基板Ｗの表面を含む
面に対して交わる方向に純水を噴射する。すなわち、純
水ノズル９から噴射される純水の方向と基板表面とがな
す角は0度より大きく90度以下である。換言すると基板
Ｗに対して純水ノズル７は直交方向または斜め上方から
純水を噴射する。なお、好ましくは前記噴射される純水
の方向と基板表面とがなす角は30度以上60度以下で、よ
り好ましくは45度である。

【００６６】第２チューブ４１は第２通孔４３に対して
純水を供給する。第2振動子３９は後述の発振器６７か
らの電気信号により振動し、第２通孔４３を通る純水に
対して超音波を付与する。このような純水ノズル９では
第2回動モータ３１が第２回動軸３３を回動させること
により、第２アーム３５が軸７５を中心に回動する。こ
れにより、図２のように純水ノズル９から噴射される純
水８３の基板Ｗに対する到達点は基板Ｗの回転中心Ｃを
通って矢印８７のように円弧状に基板Ｗを移動する。そ
して基板Ｗに対しては超音波が付与された純水が供給さ
れる。

【００６７】裏面洗浄ノズル１１はカップ３を貫通して
基板Ｗの裏面に向って略鉛直方向に伸びる管状の部材
で、後述の裏面洗浄弁６５を通じて純水が供給される。
これによって、基板Ｗの裏面に対して純水を噴射するこ
とができる。

【００６８】次に図3に従って除去液ノズル７への除去
液供給系について、また、純水ノズル９、裏面洗浄ノズ
ル１１への純水供給系９１について説明する。除去液供
給系８９は装置外の除去液源４５から除去液を汲み出す
除去液ポンプ４７と、除去液ポンプ４７によって汲み出
された除去液を所定温度に加熱または冷却することで除
去液の温度を調節する温調器５１と、温調器５１で温度
調節された除去液から汚染物質をフィルタリングするフ
ィルタ４９と、フィルタリングされた除去液の除去液ノ
ズル７への流路を開閉する除去液ノズル弁５３とを有す
る。このような構成によって除去液供給系８９は温調器
５１によって所定温度に温度調節され、フィルタ４９で
清浄化された除去液を除去液ノズル７に供給できる。

【００６９】純水供給系９１は装置外の純水源５５から
純水を汲み出す純水ポンプ５７と、純水ポンプ５７によ
って汲み出された純水を所定温度に加熱または冷却する
ことで純水の温度を調節する温調器６１と、温調器６１
によって温度調節された純水から汚染物質をフィルタリ
ングするフィルタ５９と、フィルタリングされた純水の
純水ノズル９への流路を開閉する純水ノズル弁６３と、
同じくフィルタ５９によってフィルタリングされた純水
の裏面洗浄ノズルへの流路を開閉する裏面洗浄弁６５と
を有する。このような構成によって純水供給系９１は温
調器６１によって所定温度に温度調節され、フィルタ５
９で清浄化された純水を純水ノズル９に供給できる。

【００７０】次に同じく図3に従って超音波付与手段９
３について説明する。超音波付与手段９３は除去液ノズ
ル７内に設けられた第1振動子２５と第1振動子２５に対
して電気信号を送信して第1振動子２５を振動させる発
振器６７とを有する。このような構成によって、超音波
付与手段９３は除去液ノズル７から基板Ｗに供給される
べき除去液に超音波を付与する。また、超音波付与手段
９３は純水ノズル９内に設けられた第2振動子３９を有
し、第2振動子３９は発振器６７から送信される電気信
号によって振動する。このような構成によって超音波付
与手段９３は純水ノズル９から基板Ｗに供給されるべき
純水に超音波を付与する。

【００７１】このように超音波を付与した除去液または
超音波を付与した純水を基板Ｗに供給できるので、反応
生成物の除去をより迅速に行うことができ、スループッ
トが向上する。なお、除去液、純水のいずれかに超音波
を付与するだけでスループットが向上するが、除去液、
純水の両方に超音波を付与すればより迅速に反応生成物
の除去を行え、スループットが向上する。

【００７２】次に図４に従って、基板処理装置１のハー
ド構成について説明する。

【００７３】制御手段６９にはスピンモータ１３、第1
回動モータ１７、第2回動モータ３１、発振器６７、除
去液ポンプ４７、純水ポンプ５７、除去液ノズル弁７、
純水ノズル弁６３、裏面洗浄弁６５、温調器５１、温調
器６１が接続されており、制御手段６９は後述の基板処
理方法の第１実施形態および第２実施形態に記載のとお
り、これら接続されているものを制御する。

【００７４】＜２ 基板処理方法の第1実施形態＞図５
は、上記基板処理装置１を用いた基板処理方法の第1実
施形態を示す図である。図５のように本実施形態の基板
処理方法は除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ
２と、純水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有す
る。以下、図６に従って各工程について説明する。 （１、除去液供給工程ｓ１）まず、時刻ｔ０にいたるま
でに制御手段６９は温調器５１、６１を制御して除去
液、純水の温度が所定温度になるようにしている。

【００７５】また、時刻ｔ０にいたるまでに制御手段６
９がスピンモータ１３を駆動して基板Ｗを回転させ、時
刻ｔ０において基板Ｗは所定の回転数で回転している。
そして、時刻ｔ０において制御手段６９が、第1回動モ
ータ１７を回動させて除去液ノズル７を回動させる。ま
た時刻ｔ０において制御手段６９は除去液ポンプ４７を
駆動させることで除去液を除去液ノズル７に向って送出
させるとともに、除去液ノズル弁５３を開状態にし、除
去液ノズル７から基板Ｗに対して除去液を供給させる。
これらにより、除去液ノズル７から供給される除去液は
基板Ｗへの到達点が図２の矢印８５のように基板Ｗ表面
を含む水平面において、基板Ｗの回転中心Ｃを通り、少
なくとも異なる2点で基板Ｗの端縁と交わる円弧上を移
動するように基板Ｗ上に供給される。このようにして、
除去液供給工程ｓ１が実行される。なお、時刻ｔ０にお
いて制御手段６９は発振器６７から除去液ノズル７内の
第1振動子２５に電気信号を発信させて第1振動子２５を
振動させる。これにより、除去液ノズル７から供給され
る除去液には超音波が付与される。このため、基板Ｗに
付着している反応生成物には超音波振動が加えられ基板
Ｗから取れやすくなる。所定時間経過後の時刻ｔ１にお
いて制御手段６９は除去液ノズル７がカップ３の上方か
ら退避した状態にて第1回動モータ１７の駆動を停止さ
せる。また、制御手段６９は除去液ノズル弁５３を閉状
態にし、除去液ポンプ４７の駆動も停止して除去液ノズ
ル７からの除去液の供給を停止させる。また制御手段６
９は時刻ｔ１において発振器６７から第1振動子２５へ
の電気信号の発信を停止させる。 （２、除去液振切り工程ｓ２）次に時刻ｔ１において制
御手段６９は基板Ｗへの除去液の供給を停止させる一方
で、引き続きスピンモータ１３を回転させ、基板Ｗを回
転させた状態を維持する。これにより、除去液振切り工
程ｓ２が実行される。この除去液振切り工程ｓ２におい
て基板Ｗは５００ｒｐｍ以上で回転され、好ましくは１
０００ｒｐｍから４０００ｒｐｍで回転される。また、
回転を維持する時間は少なくとも１秒以上、好ましくは
２〜５秒である。このように、基板Ｗに対する除去液の
供給を停止した状態で基板が回転する状態を維持するの
で基板Ｗ上の除去液は遠心力によって基板Ｗ上から振切
られる。また、基板は水平状態に保持された状態で回転
されるので除去液は均一に基板Ｗから振切られる。この
ため基板Ｗの面内均一性が保持される。また、バキュー
ムチャック１５は基板Ｗの裏面のみと接触していること
から基板Ｗの端縁と接触している部材が無い。このた
め、基板Ｗの上面から基板Ｗの外側に向って水平方向に
振切られる除去液の進行を妨げるものが無いので基板Ｗ
から除去液が振切られるために必要な時間が短くなる。
よって、スループットを向上させることができる。ま
た、保持回転手段５は唯1枚の基板Ｗを保持するだけで
あるので、容易に基板Ｗの回転数を上げることができ
る。このため、基板Ｗから除去液が振切られるために必
要な時間が短くなる。よって、スループットを向上させ
ることができる。

【００７６】（３、純水供給工程ｓ３）次に時刻ｔ２に
おいて制御手段６９が、第２回動モータ３２を回動させ
て純水ノズル９を回動させる。また時刻ｔ２において制
御手段６９は純水ポンプ５７を駆動させることで純水を
純水ノズル９に向って送出させるとともに、純水ノズル
弁６３を開状態にし、純水ノズル９から純水を供給させ
る。これらにより、純水ノズル９から供給される純水は
基板Ｗへの到達点が図2の矢印８７が示すように基板Ｗ
表面を含む水平面において、基板Ｗの回転中心Ｃを通
り、少なくとも異なる2点で基板Ｗの端縁と交わる円弧
上を移動するように基板Ｗ上に供給される。このように
して、純水供給工程ｓ３が実行される。なお、時刻ｔ２
において制御手段６９は発振器６７から純水ノズル９内
の第2振動子３９に電気信号を発信させて第2振動子３９
を振動させる。これにより、純水ノズル９から供給され
る純水には超音波が付与される。このため、基板Ｗに付
着している反応生成物には超音波振動が加えられ基板Ｗ
から取れやすくなる。また、時刻ｔ２において制御手段
６９は裏面洗浄弁６５を開状態にして裏面洗浄ノズル１
１から基板Ｗの裏面に対して純水を供給させ、基板Ｗの
裏面も洗浄する。所定時間経過後の時刻ｔ３において制
御手段６９は純水ノズル９がカップ３の上方から退避し
た状態にて第２回動モータ３１の駆動を停止させる。ま
た、制御手段６９は純水ノズル弁６３を閉状態にし、純
水ポンプ５７の駆動も停止して純水ノズル９からの純水
の供給を停止させる。また制御手段６９は時刻ｔ３にお
いて発振器６７から第２振動子３９への電気信号の発信
を停止させる。

【００７７】（４、純水振切り工程ｓ４）

【００７８】時刻ｔ３において制御手段６９は基板Ｗへ
の純水の供給を停止する一方で、引き続きスピンモータ
１３を回転させ、基板Ｗを回転させた状態を維持する。
これにより、純水振切り工程ｓ４が実行される。

【００７９】以上のようにして基板Ｗに除去液および純
水が供給されることによって反応生成物が除去される。

【００８０】本実施形態によれば除去液振切り工程ｓ２
において、基板Ｗ上の除去液が振切られ、基板Ｗ上に残
存する除去液が僅少または全く無くなる。よって、この
状態で純水供給工程ｓ３において基板Ｗに対して純水を
供給すれば純水が接触する除去液の量は僅少または全く
無いのでペーハーショックが発生しても基板Ｗへの影響
はほとんど無いか、ペーハーショック自体が生じない。
従って、中間リンス工程が不要となり、スループットが
向上する。また、中間リンス工程を省略することでコス
トを削減できるとともに中間リンス工程で用いられる有
機溶剤を使用せずに済むので装置の安全性を向上させる
こともできる。

【００８１】また超音波が付与された除去液、および純
水を供給しているのでより迅速に反応生成物を除去でき
る。

【００８２】なお、本実施形態の基板処理方法では除去
液供給工程ｓ１開始から純水振切り工程ｓ４終了まで基
板Ｗの回転を停止させていないが、除去液供給工程ｓ１
と除去液振切り工程ｓ２との間、除去液振切り工程ｓ２
と純水供給工程ｓ３との間、純水供給工程ｓ３と純水振
切り工程ｓ４との間の何れかで一旦基板Ｗの回転を停止
させてもよい。

【００８３】要は純水供給工程ｓ３を開始する前に少し
でも基板Ｗを回転させて基板Ｗ上の除去液を減少させる
工程があればよい。

【００８４】また、除去液供給工程ｓ１と、除去液振切
り工程ｓ２と、純水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４
とにおける基板Ｗの回転数は同じであってもそれぞれ異
なっていてもよい。

【００８５】＜３ 基板処理方法の第2実施形態＞図７
に従って第2実施形態の基板処理方法について説明す
る。

【００８６】第2実施形態の基板処理方法は第1実施形態
の基板処理方法を2度繰り返すものである。すなわち、
本実施形態の基板処理方法は第１除去液供給工程ｓ１１
と、第１除去液振切り工程ｓ１２と、第１純水供給工程
ｓ１３と、第１純水振切り工程ｓ１４と、第2除去液供
給工程ｓ２１と、第2除去液振切り工程ｓ２２と、第2純
水供給工程ｓ２３と、第2純水振切り工程ｓ２４とから
なる。ここで、第1除去液供給工程ｓ１１、第2除去液供
給工程ｓ２１は第1実施形態の除去液供給工程ｓ１と同
一内容である。また、第１除去液振切り工程ｓ１２と第
2除去液振切り工程ｓ２２は第1実施形態の除去液振切り
工程ｓ２と同一内容である。また、第１純水供給工程ｓ
１３と、第2純水供給工程ｓ２３は第1実施形態の純水供
給工程ｓ３と同一内容である。また、第１純水振切り工
程ｓ１４と、第2純水振切り工程ｓ２４は第1実施形態の
純水振切り工程ｓ４と同一内容である。この第2実施形
態の基板処方法では第1純水供給工程ｓ１３と第2除去液
供給工程ｓ２１との間で第1純水振切り工程ｓ１４が存
在する。このため第1純水供給工程ｓ１３で基板Ｗ上に
供給された純水が第1純水振切り工程ｓ１４によって振
切られ基板Ｗ上に残存する純水は僅少またはまったく無
くなる。この状態で基板Ｗに対して除去液を供給すれば
除去液が接触する純水の量は僅少または全く無いのでペ
ーハーショックによる基板Ｗへの影響はほとんど無い
か、ペーハーショック自体が生じない。

【００８７】なお、本実施形態では第1実施形態の基板
処理方法を2回繰り返しているが、2回より多く、繰り返
してもよい。

【００８８】＜４ 基板処理装置の第2実施形態＞図
８、図９に従って本発明の基板処理装置の第2実施形態
について説明する。なお、図８は図９のＶＩＩＩ−ＶＩ
ＩＩ断面図であるが、便宜上、一部ハッチングを省略し
ている。本第2実施形態の基板処理装置１００は第1実施
形態の基板処理装置１に加えて、中間リンス液供給手段
としての溶剤ノズル２を有する。第2実施形態の基板処
理装置１００は第1実施形態の基板処理装置１と共通部
分が多いので、以下、基板処理装置１と共通の部分は図
面に同一の参照番号を付し説明を省略する。

【００８９】図８のように基板処理装置１００は溶剤ノ
ズル２を有する。溶剤ノズル２は、不図示の機枠に固定
され、鉛直方向に配された駆動軸を有する第３回動モー
タ１８と第３回動モータ１８の駆動軸に固定された第３
回動軸２０と、第３回動軸２０の頂部に接続された第３
アーム２２とを有する。第３アーム２２の先端には溶剤
ノズル本体２４が設けられている。溶剤ノズル本体２４
には軸線方向が基板Ｗの上面に向かう第３通孔３０が開
けられ、第３通孔３０には第３チューブ２８が接続され
ている。また、第３通孔３０内には第３通孔３０内を通
過する有機溶剤と接触する位置に第３振動子２６が設け
られている。第３通孔３０は第３アーム２２が軸７４を
中心に回動したとき、図９のように第３通孔３０から噴
射される有機溶剤８１の基板Ｗに対する到達点が基板Ｗ
の回転中心Ｃを通って矢印８６のように円弧状に基板Ｗ
を移動するように設けられている。

【００９０】なお、溶剤ノズル２は基板Ｗの表面を含む
面に対して交わる方向に有機溶剤を噴射する。すなわ
ち、溶剤ノズル２から噴射される有機溶剤の方向と基板
表面とがなす角は0度より大きく90度以下である。換言
すると基板Ｗに対して溶剤ノズル２は直交方向または斜
め上方から有機溶剤を噴射する。なお、好ましくは前記
噴射される有機溶剤の方向と基板表面とがなす角は30度
以上60度以下で、より好ましくは45度である。

【００９１】第３チューブ２８は第３通孔３０に対して
有機溶剤を供給する。第３振動子２６は発振器６７から
の電気信号により振動し、第３通孔３０を通る有機溶剤
に対して超音波を付与する。

【００９２】このような溶剤ノズル２では第３回動モー
タ１８が第３回動軸２０を回動させることにより、第３
アーム２２が軸７４を中心に矢印７８のように回動す
る。これにより、図９のように溶剤ノズル２から噴射さ
れる有機溶剤８１の基板Ｗに対する到達点は基板Ｗの回
転中心Ｃを通って矢印８６のように円弧状に基板Ｗを移
動する。そして基板Ｗに対しては超音波が付与された有
機溶剤が供給される。

【００９３】裏面溶剤ノズル１２はカップ３を貫通して
基板Ｗの裏面に向って略鉛直方向に伸びる管状の部材
で、後述の裏面溶剤弁６６を通じて有機溶剤が供給され
る。これによって、基板Ｗの裏面に対して有機溶剤を噴
射することができる。

【００９４】図１０は溶剤ノズル２に対して有機溶剤を
供給する溶剤供給系９０を示す。溶剤供給系９０は装置
外の溶剤源４６から有機溶剤を汲み出す溶剤ポンプ４８
と、溶剤ポンプ４８によって汲み出された有機溶剤を所
定温度に加熱または冷却することで有機溶剤の温度を調
節する温調器５２と、温調器５２によって温度調節され
た有機溶剤から汚染物質をフィルタリングするフィルタ
５０と、フィルタリングされた有機溶剤の溶剤ノズル２
への流路を開閉する溶剤ノズル弁５４と、同じくフィル
タ５０によってフィルタリングされた有機溶剤の裏面溶
剤ノズル１２への流路を開閉する裏面溶剤弁６６とを有
する。このような構成によって溶剤供給系９０は温調器
５２によって所定温度に温度調節され、フィルタ５０で
清浄化された有機溶剤を溶剤ノズル２に供給できる。

【００９５】また、超音波付与手段９３は溶剤ノズル２
内に設けられた第３振動子２６を有し、第３振動子２６
は発振器６７から送信される電気信号によって振動す
る。このような構成によって超音波付与手段９３は溶剤
ノズル２から供給されるべき有機溶剤に超音波を付与す
る。このように超音波を付与した有機溶剤を基板Ｗに供
給できるので、反応生成物の除去をより迅速に行うこと
ができ、スループットが向上する。なお、除去液、有機
溶剤、純水のいずれかに超音波を付与するだけでスルー
プットが向上するが、除去液、有機溶剤、純水の内のど
れか２つまたは全てに超音波を付与すればより迅速に反
応生成物の除去を行え、スループットが向上する。

【００９６】次に図１１に従って基板処理装置１００の
ハード構成について説明する。

【００９７】制御手段７０には第１実施形態における制
御手段６９と同様、スピンモータ１３、第1回動モータ
１７、第2回動モータ３１、発振器６７、除去液ポンプ
４７、純水ポンプ５７、除去液ノズル弁７、純水ノズル
弁６３、裏面洗浄弁６５、温調器５１、温調器６１が接
続されている。さらに、制御手段７０には第３回動モー
タ１８、溶剤ポンプ４８、溶剤ノズル弁５４、裏面溶剤
弁６６、温調器５２が接続されている。そして、この制
御手段７０は後述の基板処理方法の第３実施形態および
第４実施形態に記載のとおり、これら接続されているも
のを制御する。

【００９８】＜５ 基板処理方法の第３実施形態＞図１
２に従って、上記基板処理装置１００を用いた基板処理
方法の第３実施形態について説明する。本実施形態の基
板処理方法は除去液供給工程ｓ３１と、除去液振切り工
程ｓ３２と、中間リンス工程としての溶剤供給工程ｓ３
３と純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程ｓ３５とを有
する。この本実施形態の基板処理方法は、実質的に除去
液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純水供給
工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４とを有する第1実施形態
の基板処理方法において、除去液振切り工程ｓ２と純水
供給工程ｓ３との間に溶剤供給工程を加えたものであ
る。よって、前記除去液供給工程ｓ３１と、除去液振切
り工程ｓ３２と、純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程
ｓ３５とはそれぞれ第1実施形態の基板処理方法におけ
る除去液供給工程ｓ１と、除去液振切り工程ｓ２と、純
水供給工程ｓ３と純水振切り工程ｓ４と同じ内容なので
説明を省略する。

【００９９】次に本実施形態の溶剤供給工程ｓ３３につ
いて説明する。図１３のように除去液供給工程ｓ３１
と、除去液振切り工程ｓ３２とを経て溶剤供給工程ｓ３
３が実行される。除去液振切り工程ｓ３２では基板Ｗに
対する除去液の供給を停止した状態で基板が回転する状
態を維持するので基板Ｗ上の除去液は遠心力によって基
板Ｗ上から振切られ、基板Ｗ上に残る除去液は限りなく
少なくなっている。次に時刻ｔ２において制御手段７０
が、第３回動モータ１８を回動させて溶剤ノズル２を回
動させる。また時刻ｔ２において制御手段７０は溶剤ポ
ンプ４８を駆動させることで有機溶剤を溶剤ノズル２に
向って送出させるとともに、温調器５２を駆動して有機
溶剤を所定温度にし、さらに溶剤ノズル弁５４を開状態
にして溶剤ノズル２から有機溶剤を供給させる。これら
により、溶剤ノズル２から供給される有機溶剤は基板Ｗ
への到達点が図９の矢印８６に示されるように基板Ｗ表
面を含む水平面において、基板Ｗの回転中心Ｃを通り、
少なくとも異なる2点で基板Ｗの端縁と交わる円弧上を
移動するよう、基板Ｗ上に供給される。このようにし
て、溶剤供給工程ｓ３３が実行される。なお、時刻ｔ２
において制御手段７０は発振器６７から溶剤ノズル２内
の第３振動子２６に電気信号を発信させて第３振動子２
６を振動させる。これにより、溶剤ノズル２から供給さ
れる有機溶剤には超音波が付与される。このため、基板
Ｗに付着している反応生成物には超音波振動が加えられ
基板Ｗから取れやすくなる。また、時刻ｔ２において制
御手段７０は裏面溶剤弁６６を開状態にして裏面溶剤ノ
ズル１２から基板Ｗの裏面に対して有機溶剤を供給さ
せ、基板Ｗの裏面の除去液も洗い流す。

【０１００】このように溶剤供給工程ｓ３３では有機溶
剤を基板Ｗに供給することによって、基板Ｗから除去液
を完全に洗い流してしまう。このため、後続する純水供
給工程ｓ３４にて基板Ｗに純水が供給されたとき、純水
に接触する除去液はまったく無くなるのでペーハーショ
ックの発生を防止することができる。このため、基板Ｗ
上の薄膜に対するダメージの発生を防止することができ
る。また、本実施形態では除去液振切り工程ｓ３２にお
いて基板Ｗから除去液を振切っているのでこの時点で基
板Ｗに残存する除去液は僅かである。このため、溶剤供
給工程ｓ３３において有機溶剤によって除去液を洗い流
すのに必要な時間を短縮することができる。このためス
ループットが向上する。また、同じく、基板Ｗに残存す
る除去液は僅かであるため、溶剤供給工程ｓ３３におい
て必要となる有機溶剤の量を低減することができるので
コストを削減することもできる。なお、本実施形態では
溶剤供給工程ｓ３３の直後に純水供給工程ｓ３４を実行
しているが、溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４
との間に基板Ｗ上の溶剤を振切る溶剤振切り工程を設け
てもよい。

【０１０１】また、本実施形態では除去液供給工程ｓ３
１開始から純水振切り工程ｓ３５終了まで基板Ｗの回転
を停止させていないが、除去液供給工程ｓ３１との間、
除去液振切り工程ｓ３２と溶剤供給工程ｓ３３との間、
溶剤供給工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４との間、純水
供給工程ｓ３４と純水振切り工程ｓ３５との間の何れか
で一旦基板Ｗの回転を停止させてもよい。

【０１０２】要は溶剤供給工程ｓ３３を開始する前に少
しでも基板Ｗを回転させて基板Ｗ上の除去液を減少させ
る工程があればよい。それによって、溶剤供給工程ｓ３
５に要する時間が短縮でき、スループットが向上すると
ともに、コストを削減することができる。

【０１０３】また本実施形態では超音波が付与された除
去液、有機溶剤、純水を供給しているのでより迅速に反
応生成物を除去できる。また、本実施形態では除去液供
給工程ｓ３１と、除去液振切り工程ｓ３２と、溶剤供給
工程ｓ３３と純水供給工程ｓ３４と純水振切り工程ｓ３
５という一連の工程を一度のみ行っているが、この一連
の工程を複数回繰り返してもよい。

【０１０４】以上の各実施形態の保持回転手段は基板を
水平に保持して回転させているが、基板の主面を水平面
に対して傾斜させて、または基板の主面を鉛直方向に沿
わせて保持回転する保持回転手段としてもよい。

【０１０５】また、以上の各実施形態の保持回転手段は
唯1枚の基板を保持しているが、複数の基板を保持する
保持回転手段としてもよい。

【０１０６】また、以上の各実施形態の基板処理ではド
ライエッチングを経て表面にポリマーが生成された基板
を対象としているが、該ドライエッチングを経てさらに
アッシングを経た基板を対象とした場合に特に効果があ
る。アッシングは例えば酸素プラズマ中にレジスト膜を
有する基板を配して行われるが、アッシングを経ると、
より多くのポリマーが生成される。このため、ドライエ
ッチングとアッシングとを経た基板からポリマーを除去
する処理を行う場合、本願発明によれば、よりスループ
ットが向上でき、また、コストを削減できる。

【０１０７】また、基板を水平に保持して回転する場合
は基板の凹凸内にまんべんなく液体が進入するので処理
を良好に行うことができる。

【０１０８】また、除去液や純水などの液が少なくとも
基板Ｗの回転中心Ｃに供給されていると共に、基板Ｗが
回転するので基板に供給された液が基板Ｗの周辺にむら
無く供給される。特に水平に保持して回転した場合は基
板Ｗ全面にむら無く液が供給されるので、均一な処理が
実行できる。

【０１０９】また、バキュームチャック１５は基板Ｗの
裏面のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗ
の表面全体、特に基板Ｗの表面の周辺部分にもまんべん
なく液体が供給されるので処理品質が損なわれない。

【０１１０】また、同じくバキュームチャック１５は基
板Ｗの裏面のみと接触して基板Ｗを保持しているため、
基板Ｗの周部分に接触するものは何も無い。よって、基
板Ｗから液体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排
出される。

【０１１１】なお、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去することを開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。例えば、先にも言及したが、本発明はプラズマア
ッシングの際に生成されたポリマーを基板から除去する
場合も含む。よって、本発明は、必ずしもドライエッチ
ングとは限らない各種処理において、レジストに起因し
て生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
また、本発明は、ドライエッチングや、プラズマアッシ
ングによる処理で生成されるポリマーだけを除去するこ
とに限定されるものではなく、レジストに由来する各種
反応生成物を基板から除去する場合も含む。

【０１１２】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。例えば、レジスト
が塗布され、該レジストに配線パターン等の模様が露光
され、該レジストが現像され、該レジストの下層に対し
て下層処理（例えば下層としての薄膜に対するエッチン
グ）が施された基板を対象とし、下層処理が終了して、
不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。な
お、この場合、不要になったレジスト膜を除去するのと
同時に、レジスト膜が変質して生じた反応生成物があれ
ばこれも同時に除去できるので、スループットが向上す
るとともに、コストを削減できる。例えば、上記下層処
理において、下層である薄膜に対してドライエッチング
を施した場合は反応生成物も生成される。よって、ドラ
イエッチング時に下層をマスクすることに供されたレジ
スト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して生じた
反応生成物も同時に除去できる。

【０１１３】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。

【０１１４】また、上記実施形態の基板処理装置では純
水供給手段が設けられているがこれをリンス液供給手段
としてもよい。この場合は純水源の代わりにリンス液源
を設け、リンス液源のリンス液を基板に供給する。ここ
でのリンス液は常温（摂氏20度〜28度程度）、常圧（約
1気圧）で放置すれば水になる液体である。例えば、オ
ゾンを純水に溶解したオゾン水、水素を純水に溶解した
水素水、二酸化炭素を純水に溶解した炭酸水である。特
に、純水の代わりにリンス液として、オゾン水を使用す
れば有機物、レジストが変質して生じた反応生成物、ポ
リマーをより完全に除去できる。よって、この場合は有
機物、レジストが変質して生じた反応生成物、ポリマー
を基板から除去する処理の処理品質を向上させるという
課題を解決できる。

【０１１５】また上記実施形態の基板処理方法では純水
供給工程において、基板に純水を供給し、純水振切り工
程で基板から純水を振切っているが、純水供給工程をリ
ンス液供給工程とし、純水振切り工程をリンス液振切り
工程としてもよい。この場合はリンス液供給工程で前記
リンス液を基板に供給し、リンス液振切り工程で基板か
ら前記リンス液を振切る。従って、上記実施形態におい
て、除去液振切り工程または中間リンス工程に続いてリ
ンス液供給工程、リンス液振切り工程を行ってもよい。

【０１１６】なお、リンス液供給工程で使用するリンス
液がオゾン水であるときは、有機物、レジストが変質し
て生じた反応生成物、ポリマーをより完全に除去でき
る。よって、この場合は有機物、レジストが変質して生
じた反応生成物、ポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。

【０１１７】

【発明の効果】本発明の基板処理方法および基板処理装
置によれば、中間リンス工程を省略または短縮できるの
でスループットを向上させることができ、コストも削減
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第1実施形態の基板処理装置の側面図
である。

【図２】本発明の第1実施形態の基板処理装置の上面図
である。

【図３】本発明の第1実施形態の基板処理装置の配管図
である。

【図４】本発明の第1実施形態の基板処理装置のハード
構成図である。

【図５】本発明の第1実施形態の基板処理方法のフロー
図である。

【図６】本発明の第1実施形態の基板処理方法のフロー
の詳細図である。

【図７】本発明の第２実施形態の基板処理方法のフロー
図である。

【図８】本発明の第２実施形態の基板処理装置の側面図
である。

【図９】本発明の第２実施形態の基板処理装置の上面図
である。

【図１０】本発明の第２実施形態の基板処理装置の配管
図である。

【図１１】本発明の第２実施形態の基板処理装置のハー
ド構成図である。

【図１２】本発明の第３実施形態の基板処理方法のフロ
ー図である。

【図１３】本発明の第３実施形態の基板処理方法のフロ
ーの詳細図である。

【図１４】従来例を説明する図である。

【符号の説明】 １ 第1実施形態の基板処理装置 ２ 溶剤ノズル ５ 保持回転手段 ７ 除去液ノズル ８ 純水ノズル

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レジスト膜をマスクとして基板の表面に
   存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング
   工程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって
   基板上に生成された反応生成物を除去する基板処理方法
   であって、 ドライエッチング工程を経た基板に対して反応生成物を
   除去する除去液を供給する除去液供給工程と、 除去液の供給を停止した状態で基板を回転させる除去液
   振切り工程と、 除去液振切り工程後、基板に対して純水を供給する純水
   供給工程とを有する基板処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
   て、前記除去液振切り工程と純水供給工程との間で基板
   に対して除去液を洗い流す中間リンス液を供給する中間
   リンス工程をさらに有する基板処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板処
   理方法において、 前記反応生成物はポリマーであって、 前記除去液は有機アルカリ液または無機酸である基板処
   理方法。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理方法におい
   て、 前記有機アルカリ液はジメチルホルムアミドまたは、ジ
   メチルスルホキシドまたは、ヒドロキシルアミンの何れ
   かを含む基板処理方法。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の基板処理方法におい
   て、 前記無機酸はフッ酸または燐酸を含む基板処理方法。
6. 【請求項６】 レジスト膜をマスクとして基板の表面に
   存在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング
   工程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって
   基板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置
   であって、 ドライエッチング工程を経た基板を保持して回転する保
   持回転手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して、反応生成物を
   除去する除去液を供給する除去液供給手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して純水を供給する
   純水供給手段と、 保持回転手段と除去液供給部と純水供給部とを制御する
   制御手段とを有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
   液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
   止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
   によって基板を回転させ、純水供給手段から基板に対し
   て純水を供給させる基板処理装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の基板処理装置におい
   て、 保持回転手段に保持された基板に対して、除去液を洗い
   流す中間リンス液を供給する中間リンス液供給手段をさ
   らに有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
   液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
   止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
   によって基板を回転させ、中間リンス液供給手段から中
   間リンス液を供給させ、純水供給手段から基板に対して
   純水を供給させる基板処理装置。
8. 【請求項８】 基板に存在する有機物を、有機物の除去
   液で除去する基板処理方法であって、 基板に除去液を供給する除去液供給工程と、 除去液の供給を停止した状態で基板を回転させる除去液
   振切り工程と、 除去液振切り工程後、基板に純水を供給する純水供給工
   程とを有する基板処理方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の基板処理方法におい
   て、前記除去液振切り工程と純水供給工程との間で、除
   去液を洗い流す中間リンス液を基板に供給する中間リン
   ス工程をさらに有する基板処理方法。
10. 【請求項１０】 請求項８または請求項９に記載の基板
    処理方法において、 前記有機物はポリマーである基板処理方法。
11. 【請求項１１】 請求項８ないし請求項１０の何れかに
    記載の基板処理方法において、 前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
    は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
    は、無機系の除去液である基板処理方法。
12. 【請求項１２】 基板に存在する有機物を、有機物の除
    去液で除去する基板処理装置であって、 前記基板を保持して回転する保持回転手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して、除去液を供給
    する除去液供給手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して純水を供給する
    純水供給手段と、 保持回転手段と除去液供給部と純水供給部とを制御する
    制御手段とを有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
    液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
    止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
    によって基板を回転させ、純水供給手段から基板に対し
    て純水を供給させる基板処理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板処理装置にお
    いて、 保持回転手段に保持された基板に対して、除去液を洗い
    流す中間リンス液を供給する中間リンス液供給手段をさ
    らに有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
    液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
    止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
    によって基板を回転させ、中間リンス液供給手段から中
    間リンス液を供給させ、純水供給手段から基板に対して
    純水を供給させる基板処理装置。
14. 【請求項１４】 請求項１２または請求項１３に記載の
    基板処理装置において、 前記有機物はポリマーである基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１１ないし請求項１３の何れか
    に記載の基板処理装置において、 前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
    は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
    は、無機系の除去液である基板処理装置。
16. 【請求項１６】 レジストが変質して生じた反応生成物
    が存在する基板に、反応生成物の除去液を供給して除去
    する基板処理方法であって、 基板に除去液を供給する除去液供給工程と、 除去液の供給を停止した状態で基板を回転させる除去液
    振切り工程と、 除去液振切り工程後、基板に純水を供給する純水供給工
    程とを有する基板処理方法。
17. 【請求項１７】 請求項１６に記載の基板処理方法にお
    いて、前記除去液振切り工程と純水供給工程との間で、
    除去液を洗い流す中間リンス液を基板に供給する中間リ
    ンス工程をさらに有する基板処理方法。
18. 【請求項１８】 請求項１６または請求項１７に記載の
    基板処理方法において、 前記有機物はポリマーである基板処理方法。
19. 【請求項１９】 請求項１６ないし請求項１８の何れか
    に記載の基板処理方法において、 前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
    は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
    は、無機系の除去液である基板処理方法。
20. 【請求項２０】レジストが変質して生じた反応生成物が
    存在する基板に、反応生成物の除去液を供給して除去す
    る基板処理装置であって、 前記基板を保持して回転する保持回転手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して、除去液を供給
    する除去液供給手段と、 保持回転手段に保持された基板に対して純水を供給する
    純水供給手段と、 保持回転手段と除去液供給部と純水供給部とを制御する
    制御手段とを有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
    液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
    止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
    によって基板を回転させ、純水供給手段から基板に対し
    て純水を供給させる基板処理装置。
21. 【請求項２１】 請求項２０に記載の基板処理装置にお
    いて、 保持回転手段に保持された基板に対して、除去液を洗い
    流す中間リンス液を供給する中間リンス液供給手段をさ
    らに有し、 前記制御手段は、除去液供給手段から基板に対して除去
    液を供給させ、除去液供給手段からの除去液の供給を停
    止させ、除去液の供給を停止させた状態で保持回転手段
    によって基板を回転させ、中間リンス液供給手段から中
    間リンス液を供給させ、純水供給手段から基板に対して
    純水を供給させる基板処理装置。
22. 【請求項２２】 請求項２０または請求項２１に記載の
    基板処理装置において、 前記有機物はポリマーである基板処理装置。
23. 【請求項２３】 請求項２０ないし請求項２２の何れか
    に記載の基板処理装置において、 前記除去液は有機アミンを含む有機アミン系除去液また
    は、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系除去液また
    は、無機系の除去液である基板処理装置。