JP2002270592A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ドライエッチングを経た基板にはドライエッチ
ング時に生成された反応生成物が付着している。この反
応生成物は次工程のために除去される必要がある。よっ
て、従来技術では基板に対して、反応生成物の除去液、
除去液を洗い流す中間リンス液、純水を順に供給すると
いう処理を行っている。そして、除去液は基板に連続的
に供給されていたので除去液の消費量が多くなってい
た。 【解決手段】そこで本発明の基板処理装置１では、基板
Ｗに除去液を供給した後、該供給を停止した状態で基板
を静止させる。これにより、除去液の供給を停止してい
る一方、除去液による処理が進行する。よって、除去液
の消費量を抑制できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は基板に存在する有機
物を、有機物の除去液で除去する基板処理装置に係る。
特に、基板からレジスト膜を除去する基板処理装置に係
る。また、本発明はレジストが変質して生じた反応生成
物が存在する基板に、反応生成物の除去液を供給して除
去する基板処理装置に係り、特にレジスト膜をマスクと
して基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングする
ドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエッチ
ング工程によって基板上に生成された反応生成物を該基
板から除去する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程においては半導体
ウエハなどの基板上に形成されたアルミや銅などの金属
の薄膜がレジスト膜をマスクとしてエッチングされて半
導体素子の配線とされる工程がある。例えば図１０
（A）のように、基板１０１上に素子１０２が形成さ
れ、その上に金属膜１０３が形成される。この金属膜１
０３は例えばアルミニウムである。そして金属膜１０３
の上にはレジスト膜１０４が形成されている。このレジ
スト膜１０４は金属膜１０３の上面にレジストを塗布し
て乾燥させ、乾燥したレジストに対して露光機によって
配線パターンを露光し、露光が済んだレジストに対して
現像液を供給して不要な部分を溶解除去することで得る
ことができる。これによって、金属膜１０３の必要部分
だけはレジスト膜１０３によってマスクされ、次のエッ
チング工程では該金属膜１０３の必要部分はエッチング
されずに残ることになる。次に、レジスト膜１０３によ
ってマスクされた金属膜１０３に対してＲＩＥなどのド
ライエッチングを施すと金属膜１０３の内、レジスト膜
１０３によってマスクされていない部分はエッチングさ
れて除去され、エッチングされずに残った部分が金属配
線１０６となる。このようにドライエッチングを行うと
図１０（Ｂ）のように、金属配線１０６の側方にレジス
ト膜１０３などに由来する反応生成物１０５が堆積す
る。

【０００３】この反応生成物１０５は後続するレジスト
除去工程では通常除去されず、レジスト膜１０４を除去
した後も図１０（Ｃ）のように基板１０１上に残ってし
まう。このような反応生成物１０５を除去せずに基板１
０１を次工程に渡すと次工程以降の処理品質に悪影響を
与えるので次工程に渡す前に除去する必要がある。

【０００４】従来の基板処理装置では、基板を水平状態
に保持して回転させる保持回転手段、基板に対して反応
生成物の除去液を供給する除去液供給手段、除去液を洗
い流す作用のある有機溶剤などの中間リンス液を基板に
供給する中間リンス供給手段、基板に純水を供給して純
水洗浄を行う純水供給手段を有し、基板を回転させなが
ら、除去液、中間リンス液、純水を供給している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
基板処理装置では基板に除去液を供給する際、特に工夫
がなされておらず改善の余地がある。特に除去液は排出
後の処理にコストが掛かるため使用量の抑制が求められ
ていた。

【０００６】本発明の目的は、基板に存在する有機物
を、有機物の除去液で除去する処理、特に、基板からレ
ジスト膜を除去する処理を行ったとき除去液の使用量を
抑制することである。また、本発明の目的は、レジスト
が変質して生じた反応生成物が存在する基板に、反応生
成物の除去液を供給して、基板から反応生成物を除去す
る処理を行ったとき除去液の使用量を抑制することであ
る。また、本発明の目的は、レジスト膜をマスクとして
基板の表面に存在する薄膜をドライエッチングするドラ
イエッチング工程を経た基板から、該ドライエッチング
工程によって基板上に生成された反応生成物を該基板か
ら除去する処理を行ったとき、除去液の使用量を抑制す
ることである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は
レジスト膜をマスクとして基板の表面に存在する薄膜を
ドライエッチングするドライエッチング工程を経た基板
から、該ドライエッチング工程によって基板上に生成さ
れた反応生成物を除去する基板処理装置であって、前記
ドライエッチング工程を経た基板を水平に保持する保持
手段と、保持手段上の基板に対して反応生成物を除去す
る除去液を供給する除去液供給部と、除去液供給部を制
御する制御手段とを有し、前記制御手段は基板に対して
除去液を供給させた後、除去液の供給を停止させた状態
で基板上に除去液を残留させた状態を保持する基板処理
装置である。

【０００８】請求項２に記載の発明は請求項１に記載の
基板処理装置において、前記制御手段によって制御され
るとともに、保持手段を回転させることで基板を回転さ
せる回転手段を有し、前記制御手段は、基板に対して除
去液を供給させた後、除去液の供給を停止させた状態で
基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、
もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基
板を回転させるか、もしくは、基板を静止した状態にす
る基板処理装置である。

【０００９】請求項３に記載の発明は請求項２に記載の
基板処理装置において、前記制御手段は回転手段と除去
液供給手段とを制御して、基板を第1速度で回転させ、
第1速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
せ、基板の回転速度を第1速度よりも遅い第2速度にし、
第2速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
せ、その後、除去液供給部からの除去液の供給を停止さ
せ、基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させる
か、もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的
に基板を回転させるか、もしくは、基板の回転を停止さ
せる基板処理装置である。

【００１０】請求項４に記載の発明はレジスト膜をマス
クとして基板の表面に存在する薄膜をドライエッチング
するドライエッチング工程を経た基板から、該ドライエ
ッチング工程によって基板上に生成された反応生成物を
除去する基板処理方法であって、前記ドライエッチング
工程を経た基板に対して、反応生成物を除去する除去液
を供給する除去液供給工程と、除去液の供給を停止した
状態で基板上の除去液を残留させた状態を保持する液保
持工程とを有する基板処理方法である。

【００１１】請求項５に記載の発明は請求項４に記載の
基板処理方法において、前記液保持工程は除去液の供給
を停止させた状態で基板上に除去液が残留する程度で基
板を回転させるか、もしくは、基板上に除去液が残留す
る程度で間欠的に基板を回転させるか、もしくは、基板
を静止させる工程である基板処理方法である。

【００１２】請求項６に記載の発明は請求項５に記載の
基板処理方法において、前記除去液供給工程は、基板を
第1速度で回転させ、第1速度で回転している基板に対し
て除去液を供給する初期除去液供給工程と、基板の回転
速度を第1速度よりも遅い第2速度にする減速工程と、第
２速度の基板に対して除去液を供給する後期除去液供給
工程と、を含む基板処理方法である。

【００１３】請求項７に記載の発明は基板上の有機物を
除去する基板処理装置であって、基板を水平に保持する
保持手段と、前記基板に対して有機物を除去する除去液
を供給する除去液供給部と、除去液供給部を制御する制
御手段とを有し、前記制御手段は基板に対して除去液を
供給させた後、除去液の供給を停止させた状態で基板上
に除去液を残留させた状態を保持する基板処理装置であ
る。

【００１４】請求項８に記載の発明は請求項７に記載の
基板処理装置において、前記制御手段によって制御され
るとともに、保持手段を回転させることで基板を回転さ
せる回転手段を有し、前記制御手段は、基板に対して除
去液を供給させた後、除去液の供給を停止させた状態で
基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、
もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基
板を回転させるか、もしくは、基板を静止した状態にす
る基板処理装置である。

【００１５】請求項９に記載の発明は請求項８に記載の
基板処理装置において、前記制御手段は回転手段と除去
液供給手段とを制御して、基板を第1速度で回転させ、
第1速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
せ、基板が回転する速度を第1速度よりも遅い第2速度に
し、第2速度で回転している基板に対して除去液を供給
させ、その後、除去液供給部からの除去液の供給を停止
させ、基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させ
るか、もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠
的に基板を回転させるか、もしくは、基板の回転を停止
させる基板処理装置である。

【００１６】請求項１０に記載の発明は請求項７ないし
請求項９に記載の基板処理装置において、前記有機物は
レジストが変質した反応生成物である基板処理装置であ
る。

【００１７】請求項１１に記載の発明は基板上の有機物
を除去する基板処理方法であって、基板に有機物を除去
する除去液を供給する除去液供給工程と、除去液の供給
を停止した状態で基板上の除去液を残留させた状態を保
持する液保持工程とを有する基板処理方法である。

【００１８】請求項１２に記載の発明は請求項１１に記
載の基板処理方法において、前記液保持工程は除去液の
供給を停止させた状態で基板上に除去液が残留する程度
で基板を回転させるか、もしくは、基板上に除去液が残
留する程度で間欠的に基板を回転させるか、もしくは、
基板を静止させる工程である基板処理方法である。

【００１９】請求項１３に記載の発明は請求項１２に記
載の基板処理方法において、前記除去液供給工程は、基
板を第1速度で回転させ、第1速度で回転している基板に
対して除去液を供給する初期除去液供給工程と、基板の
回転速度を第1速度よりも遅い第2速度にする減速工程
と、第２速度で回転している基板に対して除去液を供給
する後期除去液供給工程と、を含む基板処理方法であ
る。

【００２０】請求項１４に記載の発明は請求項１１ない
し請求項１３に記載の基板処理方法において、前記有機
物はレジストが変質した反応生成物である基板処理方法
である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下の各実施形態において、基板
とは半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板であ
る。また、当該基板は薄膜を有する。該薄膜は金属膜ま
たは絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては銅や
アルミニウム、チタン、タングステン、またはそれらの
混合物がある。絶縁膜としてはシリコン酸化膜やシリコ
ン窒化膜、有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜がある。な
お、ここでいう薄膜とは薄膜が形成された基板の主面に
対して垂直方向の断面において高さ寸法がが底部の長さ
寸法より短いものはもちろん、高さ寸法が底部の長さ寸
法より長いものも含む。従って、基板上で部分的に形成
されている膜や配線など、基板主面に向ったとき線状や
島状に存在するものも薄膜に含まれる。

【００２２】以下の各実施形態における基板処理とは基
板から有機物を除去する有機物除去処理、および／また
は、レジストが変質して生じた反応生成物を基板から除
去する反応生成物除去処理である。さらに具体的に述べ
ると、有機物としてのレジストを除去する処理、および
／またはドライエッチングや不純物拡散処理によって生
じた反応生成物を基板から除去する処理である。特にド
ライエッチングによって生じた反応生成物はポリマーで
あるのでポリマー除去処理であるとも言える。

【００２３】このポリマーは、例えば、レジスト膜をマ
スクとして前記薄膜をドライエッチングする工程を経た
場合、基板に生成される。なお、このポリマーはドライ
エッチングのエネルギーによってレジストや薄膜が変質
して生成された反応生成物であり、レジストそのものよ
りも薄膜に由来する成分（例えば金属）が多く含まれた
有機物である。

【００２４】また、レジスト膜をマスクとして前記薄膜
に不純物拡散処理を行う場合、例えばイオン注入処理を
経た基板ではレジスト膜に覆われていない部分の薄膜に
はもちろん、薄膜をマスクしているレジスト膜にもイオ
ンが入り込む。これにより、レジストの一部もしくは全
部が変質し、本発明に言う「レジストが変質して生じた
反応生成物」となっている。この反応生成物も有機物で
あり、除去対象となっている。

【００２５】なお、上述のレジストとは光や放射線の照
射を受けた部分が現像液に溶けやすくなったり、逆に溶
けにくくなったりする物質である。

【００２６】レジストを用いて、例えば薄膜のエッチン
グを行う場合、薄膜が形成された基板にレジスト液が塗
布されてレジスト膜が形成され、さらに、配線パターン
等の模様が該レジスト膜に露光される。そして、基板に
現像液を供給することにより、レジスト膜の不要部分が
溶解、除去され、レジストによる配線パターン等の模様
が形成される。そして、基板にRIEなどのドライエッチ
ングや、エッチング液を供給するウエットエッチングが
施されることにより、レジストが被覆していない部分の
薄膜が溶解される。これにより薄膜のエッチングが実行
される。また、レジストを用いて、不純物拡散処理を行
なう場合、薄膜が形成された基板にレジスト液が塗布さ
れてレジスト膜が形成され、さらに、薄膜における、不
純物を拡散させたい部分とそうでない部分とで構成され
る模様（不純物拡散用パターン）が該レジスト膜に露光
される。そして、基板に現像液を供給することにより、
レジスト膜の不要部分が溶解、除去され、レジストによ
る不純物拡散用パターンが形成される。その後、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）やイオンインプランテーションが施されることによ
り、レジストが被覆していない薄膜の部分に不純物が導
入される。

【００２７】また、以下、基板から脱落したポリマーを
汚染物質と表記する場合もある。また、以下の各実施形
態における除去液とは有機物を除去する有機物除去液ま
たは、レジストが変質して生じた反応生成物の除去液ま
たは、レジストを除去するレジスト除去液または、ポリ
マー除去液である。これら除去液は薄膜に対して除去対
象物、(有機物、または、レジストが変質して生じた反
応生成物、または、レジストそのもの、または、ポリマ
ー)を選択的に除去する液であり、有機アルカリ液を含
む液体、有機アミンを含む液体、無機酸を含む液体、フ
ッ化アンモン系物質を含む液体が使用できる。その内、
有機アルカリ液を含む液体としてはＤＭＦ（ジメチルホ
ルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）、ヒ
ドロキシルアミンが挙げられる。また無機酸を含む液体
としてはフツ酸、燐酸が挙げられる。その他、除去液と
しては１−メチル−２ピロリドン、テトラヒドロチオフ
ェン１．１−ジオキシド、イソプロパノールアミン、モ
ノエタノールアミン、２−（２アミノエトキシ）エタノ
ール、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテイ
ックジオール、パークレン、フェノールを含む液体など
があり、より具体的には、１−メチル−２ピロリドンと
テトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシドとイソプロ
パノールアミンとの混合液、ジメチルスルホシキドとモ
ノエタノールアミンとの混合液、２−（２アミノエトキ
シ）エタノールとヒドロキシアミンとカテコールとの混
合液、２−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチ
ルピロリドンとの混合液、モノエタノールアミンと水と
アロマテイックジオールとの混合液、パークレンとフェ
ノールとの混合液などが挙げられる。なお、有機アミン
を含む液体（有機アミン系除去液という。）にはモノエ
タノールアミンと水とアロマティックトリオールとの混
合溶液、２−（２−アミノエトキシ）エタノールとヒド
ロキシアミンとカテコールとの混合溶液、アルカノール
アミンと水とジアルキルスルホキシドとヒドロキシアミ
ンとアミン系防食剤の混合溶液、アルカノールアミンと
グライコールエーテルと水との混合溶液、ジメチルスル
ホキシドとヒドロキシアミンとトリエチレンテトラミン
とピロカテコールと水の混合溶液、水とヒドロキシアミ
ンとピロガロールとの混合溶液、２−アミノエタノール
とエーテル類と糖アルコール類との混合溶液、２−（２
−アミノエトキシ）エタノールとＮとＮ−ジメチルアセ
トアセトアミドと水とトリエタノールアミンとの混合溶
液がある。

【００２８】また、フッ化アンモン系物質を含む液体
（フッ化アンモン系除去液という。）には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと２−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。また、無機物を
含む無機系除去液としては水と燐酸誘導体との混合溶液
がある。また、以下の各実施形態における中間リンス液
とは除去液を基板から洗い流す液体であり、例えば有機
溶剤を使用できる。有機溶剤としてはイソプロピルアル
コール（ＩＰＡ）が使用できる。また、その他に中間リ
ンス液としてはオゾンを純水に溶解したオゾン水、水素
を純水に溶解した水素水、炭酸水を使用することができ
る。なお、中間リンス液としてオゾンを純水に溶解した
オゾン水を使用すれば、有機物、レジストが変質して生
じた反応生成物、ポリマーをより完全に除去できる。ま
た、以下の各実施形態において、除去液、中間リンス
液、純水を総称して処理液という。

【００２９】また、以下の各実施形態において、純水を
基板に供給する場合、純水にオゾンを溶解したオゾン
水、水素を純水に溶解した水素水、炭酸水を純水に替え
て供給してもよい。 ＜１、基板処理装置の第1実施形態＞以下、本発明の基
板処理装置の第1実施形態について説明する。図1は基板
処理装置１の上面図である。基板処理装置１は装置本体
３と、装置本体3の周囲少なくとも3方に設けられた作業
スペース５以外の場所に設置された処理液貯留部７とを
有する。装置本体３は複数の基板Ｗが水平姿勢で垂直方
向に積層されて収納されたキャリアＣが複数並べて載置
される搬入搬出部９と、搬入搬出部９に隣接し、キャリ
アＣの並び方向と平行に設けられた副搬送部１３と、副
搬送部１３に接続され、副搬送部１３と交わる方向に延
びる主搬送部１１と、主搬送部１１の両側に設けられた
処理部Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４とを有する。また副搬送
部１３にはキャリアＣの並び方向に移動可能な副搬送ロ
ボット１７が設けられ、該副搬送ロボット１７は昇降可
能で、かつ、キャリアＣ内の基板Ｗに対して進退可能な
副ハンド１９を有する。この構成により、副搬送ロボッ
ト１７はキャリアＣに対して1枚ずつ基板を授受でき
る。また、副ハンド１９は水平面内で回動可能である。
主搬送部１１は副搬送部１３の略中央に一端が接続され
ており、水平面内で副搬送部１３の延長方向に対して垂
直方向に移動可能な主搬送ロボット１５を有する。主搬
送ロボット１５は回動する副ハンド１９に対して基板Ｗ
を授受可能な主ハンド２１を有し、主ハンド２１は処理
部Ｐ１〜Ｐ４の何れかに対して基板Ｗを授受する。

【００３０】作業スペース５は搬入搬出部９のキャリア
Ｃが搬入搬出される側Ｆｒ以外の装置本体３を囲ってい
る。

【００３１】処理液貯留部7内には除去液を貯留する除
去液タンク２３が設けられており、処理部Ｐ１〜Ｐ４に
送出される除去液を貯留している。

【００３２】図2は除去液の供給、回収経路の概略を示
す。図のように、除去液タンク２３には各処理部Ｐ１〜
Ｐ４に向かって除去液が流れる管路25a〜２５ｄが接続
され、また、各処理部Ｐ１〜Ｐ４から回収された除去液
が除去液タンク２３に向かう管路２７a〜27dが接続され
ている。

【００３３】このような基板処理装置１では１つの除去
液タンク２３に対して複数の処理部Ｐ１〜Ｐ４が接続さ
れているので、どの処理部でも同様の処理ができる。よ
って、１つのロット（同じ処理が施される１群の基板の
集合）を処理部Ｐ１〜Ｐ４の何れに搬送しても同様の処
理を施せるのでスループットが向上する。

【００３４】図３は処理部Ｐ１を示す。処理部Ｐ１〜処
理部Ｐ４はそれぞれ同様の構成であるので、処理部Ｐ１
を例にして説明する。

【００３５】図3のように処理部Ｐ１は固定カップ２９
と固定カップ２９に対して相対的に昇降する昇降カップ
３１とを有する。固定カップ２９底面を有する碗状の構
造で、外カップ２９と内カップ２９とを有する。外カッ
プ２９は上面視、同一円周上で連続する壁状部分であっ
て、円環状の壁構造をとる。また、内カップ３５は外カ
ップ３３の内方に設けられ、同じく上面視、同一円周上
で連続する壁状部分であって、円環状の壁構造をとる。
なお、外カップ３３の最上部は後述の保持回転部４３に
保持されている基板Ｗの表面の高さ位置よりも高く、内
カップ３５の最上部は前記基板Ｗの表面の高さ位置より
も低い位置にある。この構造により、内カップ３５の内
側部分、内カップ３５と外カップ３５との間部分にはそ
れぞれ液体が集合する。そして、内カップ３５の内側部
分からドレン６３に通ずるドレン配管６５が配設され、
ドレン配管６５の途中に弁６６が設けられている。ま
た、内カップ３５と外カップ３３との間部分からは除去
液タンク２３に通ずる回収配管６４が配設され、回収配
管６４の途中には弁６８が設けられている。

【００３６】昇降カップ３１は筒状部材であって、内カ
ップ３５の更に内方に配され、不図示の昇降機構で昇降
する。また昇降カップ３１の上下方向の寸法は保持回転
部４３に保持された基板Ｗ表面の高さ位置と内カップ３
５の最上部の高さ位置との高さ方向における差に相当す
る長さよりも長い。この昇降カップ３１は下端が、保持
回転部４３に保持されている基板Ｗ表面よりも低い位置
に到来するドレン位置と、同じく下端が、保持回転部４
３に保持されている基板Ｗ表面よりも高い位置に到来す
る回収位置との間で昇降する。図3では昇降カップ３１
がドレン位置に到来した状態を示している。

【００３７】固定カップ２９内にはモータなどの回転手
段４１に接続された回転軸３７と回転軸３７の頂部に設
けられ、基板Ｗを吸着して支持する支持部材３９とが配
されている。そして基板Ｗは支持部材３９上に水平姿勢
で保持されて回転する。

【００３８】支持部材３９は上面に基板を吸着する吸着
面を有し、該吸着面に不図示の吸着孔を有する。そし
て、吸着孔からエアを吸引することで基板Ｗを略水平に
保持する。これにより支持部材３９は基板Ｗの裏面のみ
と接触して基板Ｗを保持している。なお、支持部材３９
が保持手段を構成する。また、、前記回転手段４１と回
転軸３７と支持部材３９とで保持回転部４３を構成す
る。

【００３９】また、処理部Ｐ１は第1ノズル部４５と第2
ノズル部４７とを有する。第1ノズル部４５は、昇降
し、かつ、回動する第1柱状部材４９と第1柱状部材４９
の頂部において略水平方向に延びる第1アーム５１とを
有する。第1アーム５１の先端には中間リンスノズル５
３、純水ノズル５５、超音波ノズル５７がそれぞれ設け
られている。この構成により、中間リンスノズル５３、
純水ノズル５５、超音波ノズル５７は第１柱状部材４９
を中心とした回動および昇降が可能で、中間リンスノズ
ル５３、純水ノズル５５、超音波ノズル５７は基板Ｗに
対向する供給位置と固定カップ２９外に退避する退避位
置とに移動可能である。

【００４０】中間リンスノズル５３は弁７１を介して中
間リンス液としての有機溶剤を供給する溶剤源７７に接
続されている。純水ノズル５５は弁７３を介して純水源
７９に接続されている。超音波ノズル５７は弁７５を介
して純水源８１に接続されている。第2ノズル部４５は
昇降し、かつ、回動する第２柱状部材５９と第２柱状部
材５９の頂部において略水平方向に延びる第２アーム６
１とを有する。第2アーム６１の先端には第1除去液ノズ
ル６７と第2除去液ノズル６９とが設けられている。こ
の構成により、第1除去液ノズル６７と第2除去液ノズル
６９は第２柱状部材５９を中心とした回動および昇降が
可能で、第1除去液ノズル６７と第2除去液ノズル６９は
基板Ｗに対向する供給位置と固定カップ２９外に退避す
る退避位置とに移動可能である。第1除去液ノズル６７
には除去液配管８３が接続されている。除去液配管８３
はポンプＰ、フィルタＦを介して除去液タンク２３に通
じている。また除去液配管８３のフィルタＦと第1除去
液ノズル６９との間には弁８５が設けられている。この
第２ノズル部４７が除去液供給部に相当する。なお、除
去液配管８３のフィルタＦと弁８５との間の部分と、回
収配管６４の除去液タンク２３と弁６８との間の部分と
はバイパス配管９１とで接続されている。また、除去液
配管８３が図２において処理部Ｐ１〜Ｐ４それぞれに除
去液を送出する管路２５a〜２５dに相当する。そして、
回収配管６４が図2において処理部Ｐ１〜Ｐ４から回収
された除去液が除去液タンク２３に還流する管路２７a
〜27dに相当する。第2除去液ノズル６９は弁８７を介し
て除去液源８９に接続されている。

【００４１】図4は第1アーム５１先端部分の上面図であ
る。図4のように第1アーム５１先端にはブラケット９３
が設けられている。ブラケット９３には純水チューブ９
５が固定されている。また、ブラケット９３には屈曲ブ
ラケット９７が固定されており、屈曲ブラケット９７内
に中間リンスチューブ９９が配されている。また、ブラ
ケット９３は先端部分で下方に垂下し、90度に屈曲した
部材であり、屈曲した部分に超音波ノズル５７が固定さ
れている。超音波ノズル５７は電気信号によって振動す
る振動子を内蔵し、供給された純水を該振動子に接触さ
せて超音波を付与した状態で先端から該超音波を付与し
た純水を噴射する。図５は図４のＶ−Ｖ矢視図である。
図５のように超音波ノズル５７はブラケット９３の垂直
の板状部分に設けられた長孔９４（他の図面では略）に
ネジで固定されている。長孔９４は取り付けられた超音
波ノズル５７が水平面に対して常に所定の角度で傾斜す
るような方向に延びている。このような構造なので超音
波ノズル５７の位置調整が容易になる。純水チューブ９
５は第1アーム５１より下方に延びており純水チューブ
９５の先端が図３にいう純水ノズル５５を構成してい
る。そして、純水チューブ９５から吐出される純水と超
音波ノズル５７から噴射される除去液とは所定の一点
(処理液交差点CPという。)で交わるような位置関係に調
整されている。

【００４２】図６は図４のＶＩ−ＶＩ矢視図である。

【００４３】ブラケット９３に固定された屈曲ブラケッ
ト９７は樹脂や金属で形成された、形状が固定された部
材であり、例えば、ステンレスで形成される。そして、
該屈曲ブラケット９７は下方部分が屈曲しており、屈曲
した部分から先の延長方向を前記処理液交差点CPの方向
に一致させてある。このような屈曲ブラケット９７の内
部に中間リンスチューブ９９が挿入されている。中間リ
ンスチューブ９９は例えば樹脂製の可撓性チューブであ
り、屈曲ブラケット９７の形状に応じて変形可能であ
る。前記屈曲ブラケット９７は先端部分は前記のように
処理液交差点CPの方向を向いた形状であるので、中間リ
ンスチューブ９９も処理液交差点CPの方向に向いた状態
で配設される。このような構造により中間リンスチュー
ブ９９から吐出される中間リンス液は処理液交差点CPに
向う。このように、固定された形状の管状部材である屈
曲ブラケット９７と、管状部材の内部に挿入された可撓
性チューブである中間リンスチューブ９９とからなるノ
ズル機構が図２の中間リンスノズル５３に相当する。

【００４４】複数の異なるノズルである中間リンスノズ
ル５３、純水ノズル５５、超音波ノズル５７は以上のよ
うな構成となっており、それぞれのノズルから供給され
る処理液は処理液交差点CPに集中する。そして、中間リ
ンスノズル５３、純水ノズル５５、超音波ノズル５７の
何れかから基板Ｗに処理液を供給する場合は処理液交差
点CPが基板Ｗの表面に一致するように第1ノズル部４５
は制御される。また、第1ノズル部４５は第1アーム５１
を回動させながら基板に処理液を供給するとき前記処理
液交差点CPが基板Ｗの回転中心を通る構成とされてい
る。また、複数の異なるノズル（中間リンスノズル５
３、純水ノズル５５、超音波ノズル５７）から基板Ｗ上
の特定位置に順次処理液を供給したい場合、処理液交差
点CPが前記特定位置に一致するように第1アーム５１を
配置すれば第1アーム５１を移動させることなく複数の
異なるノズルから前記特定位置に順次処理液を供給する
ことができる。

【００４５】図７（Ａ）は第2アーム６１先端部分の上
面図である。また、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ矢
視図、図７（ｃ）は図７（Ａ）のＣ−Ｃ矢視図である。
図７（Ａ）のように第2アーム６１の先端には下方に伸
びる板状部分とその先端にて水平方向に屈曲した水平板
状部分とを有するアングル部材９２が設けられている。
アングル部材９２の水平板状部分には図７（Ｂ）のよう
に第1ノズル先端部材９６、第2ノズル先端部材９８が固
定されている。第1ノズル先端部材９６、第2ノズル先端
部材９８は鉛直下方に液を吐出する構成となっている。
また、第1ノズル先端部材９６、第2ノズル先端部材９８
は弗素樹脂などで形成されている。そして、第1ノズル
先端部材９６、第2ノズル先端部材９８それぞれに可撓
性の第1除去液チューブ８６、第2除去液チューブ８８が
挿入されている。第1除去液チューブ８６の一端は図３
では除去液配管８３中の弁８５に連通しており、第2除
去液チューブ８８は弁87に連通している。また、第1ノ
ズル先端部材９６が図3の第1除去液ノズル６７を構成
し、第2ノズル先端部材９８が第2除去液ノズル６９を構
成している。

【００４６】また、第1ノズル先端部材９６、第2ノズル
先端部材９８の先端部分はそれぞれ第2柱状部材５９の
回動によって第2アーム６１が回動したとき、基板Ｗの
回転中心の直上を通過する位置に配置されている。この
ため、適宜第2アーム６１を回動させて停止させれば第1
除去液ノズル６７、第2除去液ノズル６９共に基板Ｗの
回転中心の直上に静止することができる。

【００４７】なお本実施形態では第1除去液ノズル６７
と第2除去液ノズル６９との２つのノズルを第2アーム６
１に設けたが、これをひとつの共通除去液ノズルとして
もよい。この場合は第2アーム６１先端のアングル部材
９２に第1ノズル先端部材９６と同様の共通ノズル先端
部材を設け、該共通ノズル先端部材に共通配管を接続す
る。さらに共通配管には切り換え弁を接続する。切り換
え弁は第1、第2流入口と１つの流出口とを有する。そし
て、切り換え弁の内部には流出口に至る流路を第1、第2
流入口の何れかに接続する接続切り換え部が設けられて
いる。これにより、第1、第2流入口から流入する液体の
内、何れかを選択的に流出口に流すことができる。この
ような切り換え弁の第1流入口は弁８５（図3参照）に配
管で接続され、第2流入口は弁８７に配管で接続されて
いる。また、流出口には前記共通配管が接続されてい
る。

【００４８】よって、後述の基板処理方法を実行する場
合において、共通除去液ノズルを有する基板処理装置を
使用するときは以下のようにする。

【００４９】すなわち、除去液タンク２３の除去液を供
給する場合は弁８５を開、弁８７を閉とした状態で、不
図示の制御手段によって切り換え弁の接続切り換え部を
操作して第1流入口と流出口とを接続する。また、除去
液源８９の除去液を供給する場合は弁８７を開、弁８５
を閉とした状態で、不図示の制御手段によって切り換え
弁の接続切り換え部を操作して第２流入口と流出口とを
接続する。なお、後述の基板処理方法において第1除去
液ノズル６７または第2除去液ノズル６９の代わりに共
通除去液ノズルを使用する場合は、除去液を供給する際
の基板Ｗと第1除去液ノズル６７の位置に共通除去液ノ
ズルを、第2除去液ノズル６９の位置に共通除去液ノズ
ルを配する。

【００５０】このような共通除去液ノズルを設けた場合
は基板Ｗの特定の位置に除去液源８９の除去液または除
去液タンク２３を順序供給する場合、共通ノズルを一つ
の位置に停止させた状態で除去液を供給できる。このた
め複数の除去液ノズルを有するものに比べてノズルを移
動させる時間が不要であるのでスループットを短縮する
効果がある。

【００５１】なお、上記純水源７９、８１をそれぞれ、
オゾン水源、水素水源、炭酸水源としてもよい。

【００５２】＜２、基板処理方法の第1実施形態＞前述
の基板処理装置１は不図示の制御手段を有し、該制御手
段によって図８のような処理を行う。図８のように第1
の基板処理方法は第1除去液供給工程ｓ１、第1中間リン
ス工程ｓ2、第1純水供給工程ｓ３、振り切り工程ｓ４、
第2除去液供給工程ｓ５、第3除去液供給工程ｓ６、第2
中間リンス工程ｓ７、第2純水供給工程ｓ８、乾燥工程
ｓ９とを有する。以下、各工程について説明する。 （第1除去液供給工程ｓ1）本工程に入る前に除去液タン
ク２３内の温調手段（ヒータなど）を駆動するととも
に、弁８５、弁６８（図3参照）を閉じた状態でポンプ
Ｐを駆動する。これにより、除去液タンク２３内の除去
液は除去液配管８３を通じてポンプＰで汲み出され、フ
ィルタＦで濾過され、バイパス配管９１、回収配管６４
を通って再び除去液タンク２３に還流する。すなわち、
除去液配管８３、バイパス配管９１、回収配管６４とで
循環路を形成し、該循環路中で除去液を循環させながら
除去液を所定温度に温度調整する。除去液の温度調整が
完了すると昇降カップ３１を降下させてドレン位置に配
する。また、第1除去液ノズル６７を供給位置に配した
後、弁８５を開き、第1除去液ノズル６７を通じて基板
Ｗに除去液を供給する。（除去液の供給の詳細について
は後述。）所定時間後、弁８５を閉じて除去液の供給を
停止する。また第1除去液ノズル６７は退避位置に移動
させる。なお、本工程を通じて弁６６は開いている。本
工程で基板Ｗを回転させると供給された除去液は基板Ｗ
の回転により周囲に飛散する。飛散した除去液は昇降カ
ップ３１の内壁に当たって下方に落下する。落下した除
去液はドレン配管６５を通じてドレン６３に廃棄され
る。本工程では除去液により基板Ｗから反応生成物が大
量に剥離するので基板Ｗから飛散した除去液には多くの
汚染物質が含まれている恐れがある。このため、基板Ｗ
から飛散した除去液は除去液タンク２３に回収せず廃棄
する。これにより、除去液タンク２３内の除去液は比較
的清浄さが保たれる。 （第1中間リンス工程ｓ２）基板Ｗを回転させ、弁７１
を開いて基板Ｗに中間リンスノズル５３から溶剤を供給
する。このとき、昇降カップ３１はドレン位置にある。
また、弁66も開いた状態にしているので基板Ｗから飛散
した溶剤はドレン配管６５を通ってドレン６３に廃棄さ
れる。所定時間後、弁７１を閉じて溶剤の供給を停止す
る。これにより、基板Ｗ上の除去液が溶剤によって洗い
流される。

【００５３】なお、本工程を省略してもよい。この場合
は第1除去液供給工程ｓ１の後、弁６６を開いたままで
かつ、昇降カップ３１をドレン位置に配したままで基板
Ｗを高速で回転させる第1除去液振り切り工程を行う。
これにより、基板Ｗ上から除去液が振り切られるため、
中間リンス液で基板Ｗ上の除去液を洗い流す必要が無く
なる。よってスループットを短縮でき、かつランニング
コストを低下させることができる。 （第1純水供給工程ｓ３）

【００５４】弁６６を開いたままでかつ、昇降カップ３
１をドレン位置に配したままにしておく。そして、基板
Ｗを回転させ、純水ノズル５５を供給位置に移動させ
る。そして弁７３を開けて純水ノズル５５から回転する
基板Ｗに新鮮な純水を供給する。また、第1アーム５１
を往復回動させることで基板Ｗ表面において処理液交差
点CPを基板Ｗの回転中心を通る円弧上を往復移動させ
る。これにより、基板Ｗ上に均一に純水が供給される。

【００５５】次に、基板Ｗの回転、第1アーム５１の往
復回動を継続しながら弁75を開いて超音波ノズル５７か
ら超音波を付与した純水を基板Ｗに供給する。（このと
き、純水ノズル５５からの純水の供給を停止してもよい
し、継続してもよい。）これにより、基板Ｗ上に超音波
が付与された純水が均一に供給され基板Ｗ上の汚染物質
が洗い流される。所定時間後、弁75を（純水ノズル５５
からの純水の供給を継続していた場合は弁73も）閉じて
純水の供給を停止する。また、純水ノズル５５、超音波
ノズル５７を退避位置に移動させる。 （振り切り工程ｓ４）昇降カップ３１はドレン位置のま
ま、弁６６も開けたままで基板Ｗには何も供給せず、基
板Ｗを回転させる。これにより基板Ｗ上の液体が振り切
られる。 （第2除去液供給工程ｓ５）弁66を閉じ、弁6８を開く。
また、昇降カップ３１を上昇させて回収位置に移動させ
る。また、第1除去液ノズル６７を供給位置に移動させ
る。そして、弁８５を開いて除去液タンク２３から第1
除去液ノズル６７を通じて基板Ｗに除去液を供給する。
本工程で基板Ｗを回転させると飛散した除去液は昇降カ
ップ３１の下端と内カップ３５の上端との間を通過して
外カップ３３の内壁に到達する。到達した除去液は回収
配管６４を通じて除去液タンク２３に還流する。除去液
タンク２３に還流した除去液は再び除去液配管８３を通
って基板Ｗに供給される。所定時間後、弁８５を閉じて
除去液の供給を停止する。このように本工程では基板Ｗ
に供給した除去液を回収利用しているため使用した除去
液をすべて廃棄するものに比べて除去液の消費量を削減
することができる。しかも、第1除去液供給工程ｓ１に
て多くの反応生成物が基板Ｗから除去されているので、
本工程で回収される除去液は比較的、汚染物質の含有量
が少ない状態である。このため、除去液の消費量を削減
しながらも基板Ｗに良好に処理を施すことができる。 （第3除去液供給工程ｓ６）弁６８を開けたまま、弁８
７を開いて第2除去液ノズル６９から基板Ｗに除去液を
供給する。また、昇降カップは回収位置のままである。
よって、基板Ｗを回転させた場合、基板Ｗから飛散した
除去液は外カップ３３に到達し、回収配管６４を通って
除去液タンク２３に至る。この際、基板Ｗには除去液源
８９から新鮮な除去液が供給されるため、基板Ｗ上の反
応生成物を含む汚染物質は良好に除去される。所定時間
後弁８７を閉じて除去液の供給を停止し、第2除去液ノ
ズル６９を退避位置に移動させる。 （第2中間リンス工程ｓ７）昇降カップ３１をドレン位
置に降下させ、弁６８を閉じるとともに弁６６を開く。
そして、基板Ｗを回転させるとともに中間リンスノズル
５３を供給位置に移動させて弁７１を開き、基板Ｗに溶
剤を供給する。回転する基板Ｗから飛散した溶剤はドレ
ン配管６５を通ってドレン６３に廃棄される。所定時間
後、弁７１を閉じて溶剤の供給を停止する。これによ
り、基板Ｗ上の除去液が溶剤によって洗い流される。ま
た、中間リンスノズル５３を退避位置に移動させる。

【００５６】なお、本工程を省略してもよい。この場合
は本工程の代わりに第2振り切り工程として、第3除去液
供給工程ｓ６の後、昇降カップ３１をドレン位置に配
し、弁６８を閉じるとともに弁６６を開き、基板Ｗを高
速回転させ、基板Ｗ上の除去液を振り切る。これによ
り、中間リンス液で除去液を洗い流す必要が無くなるの
でスループットを短縮でき、かつランニングコストを低
下させることができる。 （第2純水供給工程ｓ８）昇降カップ３１はドレン位置
に配したまま、弁６６は開いたままにする。そして、基
板Ｗを回転させ、純水ノズル５５を供給位置に移動させ
る。そして弁７３を開けて純水ノズル５５から回転する
基板Ｗに新鮮な純水を供給する。また、第1アーム５１
を往復回動させることで基板Ｗ表面において処理液交差
点CPを基板Ｗの回転中心を通る円弧上を往復移動させ
る。これにより、基板Ｗ上に均一に純水が供給される。

【００５７】次に、基板Ｗの回転、純水ノズル５５から
の純水の供給、第1アーム５１の回動を継続しながら弁7
5を開いて超音波ノズル５７から超音波を付与した純水
を基板Ｗに供給する。（このとき、純水ノズル５５から
の純水の供給を停止してもよいし、継続してもよい。）
これにより、基板Ｗ上に超音波が付与された純水が均一
に供給され基板Ｗ上の汚染物質が洗い流される。所定時
間後、弁75を（純水ノズル５５からの純水の供給を継続
していた場合は弁73も）閉じて純水の供給を停止する。
また、純水ノズル５５、超音波ノズル５７を退避位置に
移動させる。 （乾燥工程ｓ９）昇降カップ３１はドレン位置のまま、
弁６６も開けたままで基板Ｗには何も供給せず、基板Ｗ
を回転させる。これにより基板Ｗ上の液体が振り切ら
れ、基板Ｗが乾燥する。

【００５８】以上の基板処理方法の第1実施形態では第1
除去液供給工程ｓ１で使用済みの除去液を廃棄し、第2
除去液供給工程ｓ５、第3除去液供給工程ｓ６では使用
済みの除去液を除去液タンク２３に回収して再利用して
いる。したがって、比較的汚染物質の含有量の少ない除
去液を再利用しているので除去液の消費量を抑えること
ができる。

【００５９】また、第1、第2純水供給工程では純水ノズ
ル５５から比較的大量の純水を基板Ｗ上に均一に供給し
てから超音波を付与した純水を供給している。このため
超音波を付与した純水が基板Ｗに供給されたとき、既に
供給されて基板Ｗ上に均一に存在する純水にも超音波エ
ネルギーが伝わる。このため、基板Ｗ上に均一に超音波
エネルギーが伝播し汚染物質が良好に除去される。 ＜３、除去液の供給方法＞

【００６０】前記基板処理方法の第1実施形態では第1除
去液供給工程ｓ１、第2除去液供給工程ｓ５、第3除去液
供給工程ｓ６で基板Ｗに除去液を供給しているが、以下
に説明する除去液の供給方法の何れを適用してもよい。
（第1の除去液供給方法）

【００６１】第1の除去液供給方法は不図示の制御手段
によって、第1除去液ノズル６７または第2除去液ノズル
６９から、基板Ｗに対して除去液を供給した後、基板Ｗ
に除去液を供給しない状態で基板Ｗ上に除去液を残留さ
せた状態を保持する方法である。この場合、基板Ｗの表
面全体を除去液が覆っている状態で除去液を残留させる
ことが好ましい。

【００６２】より具体的には、不図示の制御手段によっ
て、保持回転部４３を第1速度（例えば３００〜３００
０ｒｐｍ）で回転させる回転工程、第1除去液ノズル６
７または第2除去液ノズル６９を使用し、第1速度で回転
する基板Ｗの中心に対して鉛直上方から除去液を供給す
る初期除去液供給工程、基板Ｗの回転速度を第1速度よ
りも遅い第2速度（例えば０〜２００ｒｐｍ）にする減
速工程、第1除去液ノズル６７または第2除去液ノズル６
９を使用して第２速度の基板Ｗの中心に対して鉛直上方
から除去液を供給する後期除去液供給工程をとる。そし
てその後さらに液保持工程を経る。前記液保持工程は第
1除去液ノズル６７または第2除去液ノズル６９からの除
去液の供給を停止させた状態で、基板Ｗ上に除去液が残
留する程度で基板Ｗを回転させる低速回転工程（例えば
０より大きく５０ｒｐｍ以下の回転数）、もしくは、第
1除去液ノズル６７または第2除去液ノズル６９からの除
去液の供給を停止させた状態で、基板上に除去液が残留
する程度で間欠的に基板Ｗを回転させる間欠回転工程、
もしくは、第1除去液ノズル６７または第2除去液ノズル
６９からの除去液の供給を停止させた状態で、基板Ｗを
静止させる静止工程である。なお、低速回転工程、間欠
回転工程、静止工程の何れでも基板Ｗ表面全体を除去液
で覆った状態を保持することが望ましい。

【００６３】このように、比較的高速な第1速度で回転
する基板Ｗの中心に対して鉛直上方から除去液を供給す
ることで、基板Ｗ全面が迅速に除去液で濡らされる。そ
して、第1速度よりも遅い第2速度で回転する基板Ｗの中
心に対して鉛直上方から除去液を供給したとき、既に基
板Ｗ全面は除去液で濡れているので除去液は基板Ｗの上
を中央から周辺に向って均等に覆っていく。このとき基
板Ｗは比較的遅い第2速度になっているので基板Ｗ上を
覆った除去液は基板Ｗ上に滞留し、基板Ｗには除去液が
盛られることになる。この状態で基板Ｗ上に除去液が残
留する程度で基板Ｗを回転させるか、もしくは、基板Ｗ
上に除去液が残留する程度で間欠的に基板を回転させる
か、もしくは、基板Ｗを静止させれば除去液が反応生成
物に作用して除去液による処理が進行し、反応生成物が
除去されていく。特に、基板Ｗ上に除去液が残留する程
度で基板Ｗを回転させるか、もしくは、基板Ｗ上に除去
液が残留する程度で間欠的に基板を回転させるかすると
基板Ｗ上の除去液は慣性で静止しようとするのに対し基
板Ｗは回転しようとするので、基板Ｗ表面と除去液とが
相対的に移動する。このため、基板Ｗ上の除去液が流動
し、基板Ｗ上の特定場所に滞留しない。このため、基板
Ｗ上の除去液の中で液の入れ替わりが生じ、基板Ｗ上の
除去液を効率よく処理に供することができる。よって、
除去液の使用量を抑制しながらも良好に反応生成物の除
去を行なうことができる。なお、基板Ｗが静止した状態
で基板Ｗに除去液を供給してもよい。

【００６４】以上のように、第1の除去液供給方法では
基板Ｗへの除去液の供給を停止した状態で除去液による
処理を進行させるので除去液の使用量を抑制することが
できる。

【００６５】なお、第1速度で回転する基板Ｗを第2速度
に減速させる間、すなわち前記減速工程中も除去液を供
給し続けてもよい。この場合も基板Ｗの中心に対して鉛
直上方から除去液を供給することが好ましい。

【００６６】また、低速回転工程や間欠回転工程では除
去液が基板Ｗ上に残留する程度で基板Ｗを回転させる
が、この残留の度合いについては基板Ｗの一部にでも除
去液が残留しておればよい。ただし、除去液が基板Ｗ上
全体を覆った状態が好ましい。なお、前述の第１中間リ
ンス工程ｓ２や第２中間リンス工程ｓ７においてこの第
１の除去液供給方法と同様な方法で中間リンス液を供給
してもよい。すなわち、基板Ｗに中間リンス液を供給し
た後、中間リンス液の供給を停止した状態で

【００６７】基板上に中間リンス液が残留する程度で基
板を回転させるか、もしくは、基板上に中間リンス液が
残留する程度で間欠的に基板を回転させるか、もしく
は、基板を静止した状態にしてもよい。こうすれば、中
間リンス液の使用量を抑制できる。

【００６８】また、前述の第1純水供給工程ｓ３や第2純
水供給工程ｓ８においてこの第１の除去液供給方法と同
様な方法で純水を供給してもよい。すなわち、基板Ｗに
純水を供給した後、純水の供給を停止した状態で、基板
上に純水が残留する程度で基板を回転させるか、もしく
は、基板上に純水が残留する程度で間欠的に基板を回転
させるか、もしくは、基板を静止した状態にしてもよ
い。こうすれば純水の使用量を抑制できる。 （第2の除去液供給方法）第２の除去液供給方法は不図
示の制御手段によって、第1除去液ノズル６７または第2
除去液ノズル６９を基板Ｗの回転中心の直上に静止さ
せ、回転する基板Ｗの中心に対して鉛直上方から連続的
に除去液を供給する方法である。この方法は第1の除去
液供給方法に比べて除去液の使用量は多くなるが、連続
的に除去液を供給するので基板Ｗ上の汚染物質が迅速に
除去液とともに基板Ｗ外に流される。 ＜４、基板処理装置の第２実施形態＞図９は基板処理装
置の第2実施形態に係る基板処理装置１００を示す。基
板処理装置１００は基板処理装置１の処理部Ｐ１〜Ｐ４
と同様の構成の処理部Ｐ１１〜Ｐ１４を有する。また、
基板処理装置１００は複数の処理部からなる第1処理部
群に対して処理液を供給、回収する第1処理液タンク
と、前記第1処理部群には属さない複数の処理部からな
る第2処理部群に対して処理液を供給、回収する第２処
理液タンクとを有する構成である。具体的には図9のよ
うに処理部Ｐ１１、Ｐ１２が前記第1処理部群Ｇ１を構
成し、処理部Ｐ１３、１４が前記第2処理部群Ｇ２を構
成する。また処理部Ｐ１１、Ｐ１２に対して処理液とし
て除去液を供給、回収する第1除去液タンク１２３ａが
第1処理液タンクに相当し、処理部Ｐ１３、１４に処理
液として除去液を供給、回収する第２除去液タンク１２
３ｂが第２処理液タンクに相当する。

【００６９】また、図９のように第１除去液タンク１２
３ａから処理部Ｐ１１、１２に向って除去液が流れる管
路１２５ａ、１２５ｂが設けられ、処理部Ｐ１１、１２
から回収された除去液が第１除去液タンク１２３ａにそ
れぞれ向かう管路１２７ａ、１２７ｂが設けられてい
る。

【００７０】同様に、第２除去液タンク１２３ｂから処
理部Ｐ１３、１４に向って除去液が流れる管路１２５
ｃ、１２５ｄが設けられ、処理部Ｐ１３、１４から回収
された除去液が第２除去液タンク１２３ｂにそれぞれ向
かう管路１２７ｃ、１２７ｄが設けられている。

【００７１】また基板処理装置１００は不図示の制御手
段を有し、第１処理部群Ｇ１では基板に対して所定の第
１処理手順を実行し、第２処理部群Ｇ２所定の第２処理
手順を実行する。

【００７２】この第１処理手順と第２処理手順とは同じ
であってもよいし、異なっていてもよい。異なっている
場合は２つのロットをそれぞれ第１処理部群Ｇ１、第２
処理部群Ｇ２で同時に処理できる。

【００７３】また、第1除去液タンク１２３ａおよび第
２除去液タンク１２３ｂに貯留されている除去液は所定
時間が経過すると疲労して処理能力が低下する。また、
第1除去液タンク１２３ａおよび第２除去液タンク１２
３ｂには各処理部から回収した除去液が流入するので所
定枚数の基板を処理するとやはり疲労して処理能力が低
下する。このため、基板処理装置１００の制御手段は第
1除去液タンク１２３ａおよび第２除去液タンク１２３
ｂそれぞれに設けられている不図示の排液配管から各タ
ンク内の除去液を一旦、すべて廃棄する。そして、新鮮
な除去液を不図示の除去液源から第1除去液タンク１２
３ａおよび第２除去液タンク１２３ｂに供給する。この
動作を液交換処理という。

【００７４】ここで、第1除去液タンク１２３ａまたは
第２除去液タンク１２３ｂのいずれかで液交換処理が行
われると第１処理部群Ｇ１または第２処理部群Ｇ２のい
ずれか、液交換処理に係っているタンクに接続されてい
る第１処理部群Ｇ１または第２処理部群Ｇ２において基
板の処理を行えなくなる。しかし、第１処理部群Ｇ１ま
たは第２処理部群Ｇ２のいずれか一方が液交換処理のた
めに基板の処理を行えなくても、液交換処理を行ってい
ないタンクに接続されている第１処理部群Ｇ１または第
２処理部群Ｇ２のいずれかで基板の処理が行える。よっ
て、高価な基板処理装置が非稼動態になってしまうこと
を防止できる。

【００７５】以上、上記実施形態では、支持部材３９は
基板Ｗの裏面のみと接触して基板Ｗを保持しているた
め、基板Ｗの表面全体、特に基板Ｗの表面の周辺部分に
もまんべんなく液体が供給されるので処理における基板
Ｗの面内均一性が確保できる。

【００７６】また、同じく支持部材３９は基板Ｗの裏面
のみと接触して基板Ｗを保持しているため、基板Ｗの周
部分に接触するものは何も無い。よって、基板Ｗから液
体を振り切るとき、液が基板Ｗから円滑に排出される。

【００７７】なお、上記実施形態ではドライエッチング
工程を経た基板に対して、ドライエッチング時に生成さ
れたポリマーを除去する処理を開示したが、本発明はド
ライエッチング時に生成されたポリマーが存在する基板
から前記ポリマーを除去することに限定されるものでは
ない。

【００７８】例えば、本発明はプラズマアッシングの際
に生成されたポリマーを基板から除去する場合も含む。
よって、本発明は、必ずしもドライエッチングとは限ら
ない各種処理において、レジストに起因して生成された
ポリマーを基板から除去する場合も含む。

【００７９】また、本発明は、ドライエッチングや、プ
ラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーだけ
を除去することに限定されるものではなく、レジストに
由来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含
む。

【００８０】例えば、不純物拡散処理を行った場合、薄
膜上のレジスト膜が一部、もしくは全部変質し反応生成
物となる。このような反応生成物を除去する場合も含
む。

【００８１】また、本発明ではレジストに由来する反応
生成物を基板から除去することに限らず、レジストその
ものを基板から除去する場合も含む。

【００８２】例えば、レジストが塗布され、該レジスト
に模様（配線パターン等）が露光され、該レジスト膜が
現像され、該レジストの下方に存在する下層に対して下
層処理が施された基板を対象とし、下層処理が終了し
て、不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれ
る。

【００８３】より具体的に言うと、レジスト膜が現像さ
れた後、下層としての薄膜に対して例えばエッチング処
理を行った場合が含まれる。このときのエッチング処理
が、エッチング液を供給して行うウエットエッチングで
あるか、RIEなどのドライエッチングであるかを問わ
ず、エッチング処理後はレジスト膜は不要になるのでこ
れを除去する必要がある。このようなエッチング処理後
のレジスト除去処理も含まれる。

【００８４】また、その他には、レジスト膜が現像され
た後、下層としての薄膜に下層処理として不純物拡散を
行った場合がある。不純物拡散処理後はレジスト膜は不
要になるのでこれを除去する必要があるが、このときの
レジスト除去処理も含まれる。

【００８５】なお、これらの場合、不要になったレジス
ト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じ
た反応生成物も同時に除去できるので、スループットが
向上するとともに、コストを削減できる。

【００８６】例えば、前記エッチング処理において、下
層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は
レジストに由来する反応生成物も生成される。よって、
ドライエッチング時に下層である薄膜をマスクすること
に供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が
変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。

【００８７】また、下層である薄膜に対して不純物拡散
処理(特にイオンインプランテーション)を行った場合に
もレジストに由来する反応生成物が生成される。よっ
て、不純物拡散処理時に下層をマスクすることに供され
たレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が変質して
生じた反応生成物も同時に除去できる。

【００８８】また、本発明はレジストに由来する反応生
成物やレジストそのものを基板から除去することに限ら
ず、レジストに由来しない有機物、例えば人体から発塵
した微細な汚染物質などを基板から除去することも含
む。

【００８９】また、上記実施形態の基板処理装置では純
水ノズル５５および、超音波ノズル５７が設けられてい
るがこれらをそれぞれ、リンス液を供給するリンスノズ
ルおよび、超音波を付与したリンス液を供給する超音波
リンスノズルとしてもよい。この場合は純水源７９、８
１の代わりにそれぞれリンスノズル用のリンス液源、超
音波リンスノズル用のリンス液源を設け、各リンス液源
のリンス液を基板に供給する。ここでのリンス液は常温
（摂氏20度〜28度程度）、常圧（約1気圧）で放置すれ
ば水になる液体である。例えば、オゾンを純水に溶解し
たオゾン水、水素を純水に溶解した水素水、二酸化炭素
を純水に溶解した炭酸水である。特に、純水の代わりに
リンス液として、オゾン水を使用すれば有機物、レジス
トが変質して生じた反応生成物、ポリマーをより完全に
除去できる。よって、この場合は有機物、レジストが変
質して生じた反応生成物、ドライエッチによって生じた
ポリマーを基板から除去する処理の処理品質を向上させ
るという課題を解決できる。

【００９０】また上記実施形態の基板処理方法では第
1、第2純水供給工程において、基板に純水または超音波
を付与した純水を供給し、純水振切り工程で基板から純
水を振切っているが、この第1、第2純水供給工程をそれ
ぞれ第1、第2リンス液供給工程とし、純水振切り工程を
リンス液振切り工程としてもよい。この場合は第1、第2
リンス液供給工程で前記リンスノズルから基板にリンス
液を供給し、超音波リンスノズルから超音波を付与した
リンス液を基板に供給する。そして、リンス液振切り工
程で基板から前記リンス液を振切る。従って、上記実施
形態において、除去液振切り工程または中間リンス工程
に続いてリンス液供給工程、リンス液振切り工程を行っ
てもよい。

【００９１】なお、リンス液供給工程で使用するリンス
液がオゾン水であるときは、有機物、レジストが変質し
て生じた反応生成物、ドライエッチによって生じたポリ
マーをより完全に除去できる。よって、この場合は有機
物、レジストが変質して生じた反応生成物、ドライエッ
チによって生じたポリマーを基板から除去する処理の処
理品質を向上させるという課題を解決できる。

【００９２】

【発明の効果】本発明の基板処理装置によれば、基板に
対する除去液の供給を停止した状態で保持回転部の回転
を停止させるので基板上に除去液が乗った状態で基板が
静止する。このため除去液の供給がなくても基板上で除
去液による処理が進行するので除去液の消費量を抑制す
ることができる。

【００９３】また、本発明の基板処理方法によれば、基
板の表面が除去液で覆われ、除去液の供給が停止した状
態でかつ、基板に対する除去液の供給を停止した状態で
基板を水平姿勢にて静止させる。このため、除去液の供
給がなくても基板上で除去液による処理が進行するので
除去液の消費量を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置１の上面図である。

【図２】基板処理装置１の除去液の供給、回収を説明す
る配管図である。

【図３】処理部Ｐ１を説明する側面図、および、処理部
Ｐ１に対する液の供給、回収を説明する図である。

【図４】第1ノズル部４５の先端の上面図である。

【図５】図４のＶ−Ｖ矢視図である。

【図６】図４のＶＩ−ＶＩ矢視図である。

【図７】第2ノズル部４７の先端部分を説明する図であ
る。

【図８】基板処理方法のフロー図である。

【図９】基板処理装置１００の除去液の供給、回収を説
明する配管図である。

【図１０】従来技術を説明する図である。

【符号の説明】

１、１００ 基板処理装置 ４３ 保持回転部 ４５ 第1ノズル部 ４７ 第2ノズル部 ５３ 中間リンスノズル ５５ 純水ノズル ５７ 超音波ノズル ６７ 第1除去液ノズル ６９ 第2除去液ノズル Ｐ１〜Ｐ４、Ｐ１１〜Ｐ１４ 処理部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA09 DB09 EB02 FA07 5F033 HH08 HH11 HH18 HH19 QQ11 QQ19 QQ91 QQ96 RR04 RR06 XX21

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レジスト膜をマスクとして基板の表面に存
   在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
   程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
   板上に生成された反応生成物を除去する基板処理装置で
   あって、 前記ドライエッチング工程を経た基板を水平に保持する
   保持手段と、 保持手段上の基板に対して反応生成物を除去する除去液
   を供給する除去液供給部と、 除去液供給部を制御する制御手段とを有し、 前記制御手段は基板に対して除去液を供給させた後、除
   去液の供給を停止させた状態で基板上に除去液を残留さ
   せた状態を保持する基板処理装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置において、 前記制御手段によって制御されるとともに、保持手段を
   回転させることで基板を回転させる回転手段を有し、 前記制御手段は、 基板に対して除去液を供給させた後、除去液の供給を停
   止させた状態で基板上に除去液が残留する程度で基板を
   回転させるか、もしくは、基板上に除去液が残留する程
   度で間欠的に基板を回転させるか、もしくは、基板を静
   止した状態にする基板処理装置。
3. 【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置において、 前記制御手段は回転手段と除去液供給手段とを制御し
   て、 基板を第1速度で回転させ、 第1速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
   せ、 基板の回転速度を第1速度よりも遅い第2速度にし、 第2速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
   せ、 その後、除去液供給部からの除去液の供給を停止させ、 基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、
   もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基
   板を回転させるか、もしくは、基板の回転を停止させる
   基板処理装置。
4. 【請求項４】レジスト膜をマスクとして基板の表面に存
   在する薄膜をドライエッチングするドライエッチング工
   程を経た基板から、該ドライエッチング工程によって基
   板上に生成された反応生成物を除去する基板処理方法で
   あって、 前記ドライエッチング工程を経た基板に対して、反応生
   成物を除去する除去液を供給する除去液供給工程と、 除去液の供給を停止した状態で基板上の除去液を残留さ
   せた状態を保持する液保持工程とを有する基板処理方
   法。
5. 【請求項５】請求項４に記載の基板処理方法において、 前記液保持工程は除去液の供給を停止させた状態で基板
   上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、もし
   くは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基板を
   回転させるか、もしくは、基板を静止させる工程である
   基板処理方法。
6. 【請求項６】請求項５に記載の基板処理方法において、 前記除去液供給工程は、 基板を第1速度で回転させ、第1速度で回転している基板
   に対して除去液を供給する初期除去液供給工程と、 基板の回転速度を第1速度よりも遅い第2速度にする減速
   工程と、 第２速度の基板に対して除去液を供給する後期除去液供
   給工程と、を含む基板処理方法。
7. 【請求項７】基板上の有機物を除去する基板処理装置で
   あって、 基板を水平に保持する保持手段と、 前記基板に対して有機物を除去する除去液を供給する除
   去液供給部と、 除去液供給部を制御する制御手段とを有し、 前記制御手段は基板に対して除去液を供給させた後、除
   去液の供給を停止させた状態で基板上に除去液を残留さ
   せた状態を保持する基板処理装置。
8. 【請求項８】請求項７に記載の基板処理装置において、 前記制御手段によって制御されるとともに、保持手段を
   回転させることで基板を回転させる回転手段を有し、 前記制御手段は、 基板に対して除去液を供給させた後、除去液の供給を停
   止させた状態で基板上に除去液が残留する程度で基板を
   回転させるか、もしくは、基板上に除去液が残留する程
   度で間欠的に基板を回転させるか、もしくは、基板を静
   止した状態にする基板処理装置。
9. 【請求項９】請求項８に記載の基板処理装置において、 前記制御手段は回転手段と除去液供給手段とを制御し
   て、 基板を第1速度で回転させ、 第1速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
   せ、 基板が回転する速度を第1速度よりも遅い第2速度にし、 第2速度で回転している基板に対して除去液を供給さ
   せ、 その後、除去液供給部からの除去液の供給を停止させ、 基板上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、
   もしくは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基
   板を回転させるか、もしくは、基板の回転を停止させる
   基板処理装置。
10. 【請求項１０】請求項７ないし請求項９に記載の基板処
    理装置において、 前記有機物はレジストが変質した反応生成物である基板
    処理装置。
11. 【請求項１１】基板上の有機物を除去する基板処理方法
    であって、 基板に有機物を除去する除去液を供給する除去液供給工
    程と、 除去液の供給を停止した状態で基板上の除去液を残留さ
    せた状態を保持する液保持工程とを有する基板処理方
    法。
12. 【請求項１２】請求項１１に記載の基板処理方法におい
    て、 前記液保持工程は除去液の供給を停止させた状態で基板
    上に除去液が残留する程度で基板を回転させるか、もし
    くは、基板上に除去液が残留する程度で間欠的に基板を
    回転させるか、もしくは、基板を静止させる工程である
    基板処理方法。
13. 【請求項１３】請求項１２に記載の基板処理方法におい
    て、 前記除去液供給工程は、 基板を第1速度で回転させ、第1速度で回転している基板
    に対して除去液を供給する初期除去液供給工程と、 基板の回転速度を第1速度よりも遅い第2速度にする減速
    工程と、 第２速度で回転している基板に対して除去液を供給する
    後期除去液供給工程と、を含む基板処理方法。
14. 【請求項１４】請求項１１ないし請求項１３に記載の基
    板処理方法において、 前記有機物はレジストが変質した反応生成物である基板
    処理方法。