JP4731377B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来から、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、および光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

この基板処理装置では、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の薬液またはそれらの混合溶液をノズルから基板に供給することにより、その基板の表面処理（以下、薬液処理と呼ぶ）を行う。

薬液処理を行う基板処理装置においては、基板へ薬液を供給するノズルの先端部に薬液の析出物が付着する。薬液の析出物は、ノズルによる基板への薬液供給後、ノズル先端部に付着した薬液が乾燥することにより生成される。

この現象は、フッ化アンモニウムとフッ化水素との混合溶液であるＢＨＦ、ならびにフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液のように塩を含む薬液を用いるときに発生しやすい。

また、酸性の薬液とアルカリ性の薬液とを個別に基板へ供給する基板処理装置（例えば、特許文献１参照）においては、それぞれの薬液を供給するノズルが近接して配置されると、各ノズルに付着する薬液の成分が周辺の雰囲気中に拡散して互いに反応することにより塩が生成される場合がある。この場合にも、ノズル先端部に析出物が付着しやすい。

ノズル先端部に付着する析出物は、基板へ薬液を供給するごとに成長する。この場合、成長した析出物がノズルから基板に落下することで、基板に形成されているパターンにダメージを与える。または、析出物に起因するパーティクルが基板に付着するといった基板の処理不良が発生する。

さらに、ノズル先端部に析出物が付着していることで、ノズルから基板へ供給される薬液の供給条件が変化してしまい、基板の処理不良が発生する。

そこで、ノズル先端部に付着する析出物を除去するために、ノズル先端部を洗浄することができるノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルがある（例えば、特許文献２参照）。

このノズル洗浄機構付き薬液供給ノズルは、ノズル洗浄機構として貫通孔を有するノズルブロックを備える。ノズルブロックの貫通孔にノズルが挿入されることにより、ノズルの外周面とノズルブロックの内周面との間に隙間が形成される。

ノズルによる基板への薬液の供給後、そのノズルがノズルブロックに挿入され、ノズルとノズルブロックとの隙間に洗浄液が供給される。これにより、ノズルとノズルブロックとの間の隙間に流れ込む洗浄液が、ノズル先端部へ流れることにより、ノズル先端部に付着する薬液が洗い流される。その結果、ノズル先端部への析出物の付着が防止される。

一方、処理対象となる基板の外方にノズル待機位置が設定される基板処理装置もある。この基板処理装置においては、ノズルは基板への薬液の供給時に基板の上方に移動し、薬液処理が終了した後に基板の外方に設定されたノズル待機位置に移動する。

ノズル待機位置には、例えばノズル先端部から滴下する液体を受け止める待機ポットが設けられる。この待機ポットの上方でノズルが洗浄液を用いて洗浄される。このとき、ノズル先端部から滴下する洗浄液が待機ポットにより受け止められる。

このような構成において、ノズル先端部が洗浄液により洗浄されることによって、ノズル先端部に付着している析出物が除去される。これにより、ノズルに付着する析出物に起因した基板の処理不良が防止されている。
特開２００６−３２８５８号公報 実開平６−４４１３７号公報

一般的に、基板処理装置の上記ノズル待機位置において、ノズルによる基板への薬液の供給前に、ノズル内部の温調されていない薬液を除去するために所定量の薬液を吐出するプリディスペンスが行われる。ノズルから吐出される薬液は待機ポットによって受け止められて、待機ポットに接続された廃棄系を通じて廃棄または、回収して薬液供給系に戻される。

しかしながら、アルカリ性の薬液を供給するノズルと酸性の薬液を供給するノズルとが近接して配置され、それぞれのノズルが各待機ポット上でプリディスペンスが行われる場合、アルカリ成分を含む雰囲気と酸成分を含む雰囲気とがそれぞれのノズルの周囲に拡散される。そして、拡散された各雰囲気が混合することによって塩が生成される。その結果、ノズル先端部に塩が付着し、基板の処理不良が発生していた。

本発明の目的は、基板の処理不良を防止することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、第１の処理液を基板保持手段に保持された基板に供給する第１の処理液供給ノズルと、第２の処理液を基板保持手段に保持された基板に供給する第２の処理液供給ノズルと、基板保持手段に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で、第１および第２の処理液供給ノズルをそれぞれ移動させる移動手段と、待機位置に配置されるとともに上部に第１の開口部を有し、第１の処理液供給ノズルの先端部が第１の開口部に挿入された状態で第１の処理液供給ノズルの先端部から吐出された第１の処理液を受け止める第１の待機容器と、待機位置に配置され、第２の処理液供給ノズルから吐出された第２の処理液を受け止める第２の待機容器と、第１の処理液供給ノズルが少なくとも第１の待機容器上に位置するときに第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように設けられた第１のカバー部材と、第１のカバー部材で取り囲まれた空間および第１の開口部を通して第１の待機容器内に気体を供給する第１の気体供給手段と、第１の気体供給手段により第１の待機容器内に供給された気体を排出する排気手段とを備えたものである。

第１の発明に係る基板処理装置においては、基板は基板保持手段により保持される。第１および第２の処理液供給ノズルは、基板保持手段に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で、移動手段によりそれぞれ移動される。また、第１および第２の処理液供給ノズルは、基板保持手段の外方の待機位置にそれぞれ設けられた第１および第２の待機容器上にそれぞれ待機する。

移動手段は、基板の上方位置に第１の処理液供給ノズルを移動させ、基板保持手段に保持された基板に第１の処理液が第１の処理液供給ノズルにより供給される。また、移動手段は、基板の上方位置に第２の処理液供給ノズルを移動させ、基板保持手段に保持された基板に第２の処理液が第２の処理液供給ノズルにより供給される。

第１の処理液供給ノズルが少なくとも第１の待機容器上に位置するときに、第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部が第１のカバー部材により取り囲まれる。これにより、第１の処理液供給ノズルにより吐出される第１の処理液の雰囲気が拡散することが防止または抑制される。

このような構成によって、第１の処理液供給ノズルから吐出される第１の処理液の雰囲気が第２の処理液供給ノズル近傍まで拡散し、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが防止される。それにより、第１の処理液供給ノズルおよび第２の処理液供給ノズルに反応物が付着することおよび当該反応物が成長することが防止される。したがって、ノズルに付着する反応物に起因した基板の処理不良が防止される。

また、第１のカバー部材で取り囲まれた空間および第１の開口部を通して第１の待機容器内に第１の気体供給手段により気体が供給され、第１の待機容器内に供給された気体が排気手段により排出される。

これにより、第１のカバー部材内に存在する第１の処理液の雰囲気を第１の待機容器内に排出することができる。また、第１の待機容器内の第１の処理液の雰囲気を気体とともに第１の待機容器内から排出できる。

したがって、第１の処理液の雰囲気が拡散することを確実に防止できる。その結果、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが確実に防止される。

（２）基板処理装置は、第１の待機容器の下部から第１の処理液を廃棄する排液手段をさらに備え、排気手段は、第１の待機容器の上部に設けられてもよい。

この場合、第１の待機容器の下部に設けられた排液手段により第１の処理液が廃棄され、第１の待機容器の上部に設けられた排気手段により第１の処理液の雰囲気が排気される。このような構成により、第１の処理液の雰囲気と第１の処理液とを確実に分離して第１の待機容器内から排出することができる。

（３）第１のカバー部材は、第１の待機容器の上方に固定して配置されてもよい。この場合、移動手段により第１の待機容器上に第１の処理液供給ノズルが移動されると、第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部が第１のカバー部材により取り囲まれる。この構成により、第１の処理液供給ノズルが少なくとも第１の待機容器上に位置するときには、確実に第１の処理液供給ノズルの少なくとも一部を第１のカバー部材により取り囲むことができる。

（４）第１のカバー部材は、一側面に開口を有し、移動手段は、第１の処理液供給ノズルを水平移動させることにより開口を通して第１のカバー部材内に第１の処理液供給ノズルを進入および退出させてもよい。

この場合、第１の処理液供給ノズルは移動手段により水平移動されることによって、第１のカバー部材の開口を通して第１のカバー部材内に進入および退出される。それにより、第１の処理液供給ノズルの簡単な移動によって、第１の処理液供給ノズルの少なくとも一部を第１のカバー部材により取り囲むことができる。

（５）基板処理装置は、第１のカバー部材の開口を閉塞する閉塞部材をさらに備え、閉塞部材は、第１の処理液供給ノズルとともに移動するように設けられてもよい。

この場合、第１の処理液供給ノズルが移動手段により第１の待機容器上に移動された場合に、第１の処理液供給ノズルに設けられた閉塞部材が第１の待機容器の上方に固定された第１のカバー部材の開口を閉塞することによって、して第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部が取り囲まれる。これにより、第１の処理液供給ノズルにより吐出される処理液の雰囲気が拡散することが確実に防止または抑制される。

（６）第１のカバー部材は、上面に開口を有し、移動手段は、第１の処理液供給ノズルを上下移動させることにより開口を通して第１のカバー部材内に第１の処理液供給ノズルを進入および退出させてもよい。

この場合、第１の処理液供給ノズルが移動手段により上下移動されることによって、第１のカバー部材の上面の開口を通して第１のカバー部材内に進入および退出される。それにより、第１の処理液供給ノズルの簡単な移動によって、第１の処理液供給ノズルの少なくとも一部を第１のカバー部材により取り囲むことができる。

（７）基板処理装置は、第２の待機容器は、上部に第２の開口部を有し、第２の処理液供給ノズルの先端部が第２の開口部に挿入された状態で第２の処理液供給ノズルの先端部から吐出された第２の処理液を受け止めるように構成され、第２の処理液供給ノズルが少なくとも第２の待機容器上に位置するときに第２の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように設けられた第２のカバー部材をさらに備えてもよい。

この場合、第２の処理液供給ノズルが少なくとも第２の待機容器上に位置するときに、第２の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部が第２のカバー部材により取り囲まれる。これにより、第２の処理液供給ノズルにより吐出される処理液の雰囲気が拡散することが防止または抑制される。

このような構成によって、第２の処理液供給ノズルから吐出される処理液の雰囲気が第１の処理液供給ノズル近傍まで拡散し、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが防止される。それにより、第１の処理液供給ノズルおよび第２の処理液供給ノズルに反応物が付着することおよび当該反応物が成長することが確実に防止される。したがって、ノズルに付着する反応物に起因した基板の処理不良が確実に防止される。

（８）基板処理装置は、第２のカバー部材で取り囲まれた空間および第２の開口部を通して第２の待機容器内に気体を供給する第２の気体供給手段をさらに備えてもよい。

この場合、第２のカバー部材で取り囲まれた空間および第２の開口部を通して第２の待機容器内に第２の気体供給手段により気体が供給される。これにより、第２のカバー部材内に存在する第２の処理液の雰囲気を第２の待機容器内に排出することができる。したがって、第２の処理液の雰囲気が拡散することを確実に防止できる。その結果、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが確実に防止される。

（９）第１および第２の処理液のうち一方は酸性の液であり、第１および第２の処理液のうち他方はアルカリ性の液であってもよい。

この場合、第１および第２の処理液供給ノズルの一方または両方の周囲の少なくとも一部が上述のカバー部材により取り囲まれることによって、酸性の液の雰囲気とアルカリ性の液の雰囲気との反応による塩の発生が防止される。

（１０）第２の発明に係る基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法であって、第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ基板に供給するための第１および第２の処理液供給ノズルを基板保持手段の外方に設けられた第１および第２の待機容器上にそれぞれ待機させる待機ステップと、第１または第２の処理液供給ノズルを第１または第２の待機容器上から基板保持手段に保持された基板の上方位置に移動させ、第１または第２の処理液供給ノズルから第１または第２の処理液を基板保持手段に保持された基板に供給する処理ステップと備え、第１の待機容器は、上部に第１の開口部を有し、待機ステップは、カバー部材が第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように第１の処理液供給ノズルを第１の待機容器上に位置させるステップと、カバー部材で取り囲まれた空間および第１の開口部を通して第１の待機容器内に気体を供給するステップと、待機容器内に供給された気体を排出するステップとを含むものである。

第２の発明に係る基板処理方法においては、基板は基板保持手段により保持される。第１および第２の処理液供給ノズルは、待機ステップにおいて基板保持手段の外方にそれぞれ設けられた第１および第２の待機容器上にそれぞれ待機する。

また、待機ステップでは、カバー部材が第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように、第１の処理液吐出ノズルが第１の待機容器上に位置される。

さらに、第１または第２の処理液供給ノズルは、第１または第２の待機容器上から基板保持手段に保持された基板の上方位置に移動され、処理ステップにおいて第１または第２の処理液供給ノズルにより第１または第２の処理液が基板保持手段に保持された基板に供給される。

このような構成により、第１の処理液供給ノズルにより吐出される第１の処理液の雰囲気が拡散することが防止または抑制される。

それにより、第１の処理液供給ノズルから吐出される処理液の雰囲気が第２の処理液供給ノズル近傍まで拡散し、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが防止される。これにより、第１の処理液供給ノズルおよび第２の処理液供給ノズルに反応物が付着することおよび当該反応物が成長することが防止される。したがって、ノズルに付着する反応物に起因した基板の処理不良が防止される。

また、第１のカバー部材で取り囲まれた空間および第１の開口部を通して第１の待機容器内に第１の気体供給手段により気体が供給され、第１の待機容器内に供給された気体が排気手段により排出される。

これにより、第１のカバー部材内に存在する第１の処理液の雰囲気を第１の待機容器内に排出することができる。また、第１の待機容器内の第１の処理液の雰囲気を気体とともに第１の待機容器内から排出できる。
したがって、第１の処理液の雰囲気が拡散することを確実に防止できる。その結果、第１の処理液の雰囲気と第２の処理液の雰囲気とが反応して反応物が生じることが確実に防止される。

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法によれば、基板の処理不良を防止することが可能となる。

以下、本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、および光ディスク用基板等をいう。

また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。

以下、これらの薬液を用いた処理を薬液処理と呼ぶ。通常、薬液処理が終了した後、リンス液を用いた基板のリンス処理を行う。

リンス液とは、例えば純水、炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）もしくはイオン水、またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂ、洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃棄（排液）等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による基板Ｗの洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液（例えば、純水）による基板Ｗの洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。

ここで、本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ，５ｂでは、酸性の薬液による洗浄処理およびアルカリ性の薬液による洗浄処理が共に行われる。

すなわち、後述するように、基板Ｗにアルカリ性の薬液を供給する第１の薬液供給ノズル５０（図２）と、基板Ｗに酸性の薬液を供給する第２の薬液供給ノズル７０（図２）とが設けられる。

上記第２の薬液供給ノズル７０により供給される酸性の薬液の例としては、フッ酸、硫酸と過酸化水素水との混合液、および塩酸と過酸化水素水との混合液等が挙げられる。

また、上記第１の薬液供給ノズル５０により供給されるアルカリ性の薬液の例としては、アンモニア水と過酸化水素水との混合液、およびこの混合液に窒素ガスを混合することにより生成される液滴等が挙げられる。

一方、処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。

流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。

以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられる。

処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

（２）洗浄処理部の構成
図２は、本実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。

図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。

スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。

基板Ｗは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図２に示すように、本実施の形態では、吸着式のスピンチャック２１を用いているが、基板Ｗの周縁部を把持するスピンチャックを用いてもよい。

スピンチャック２１の外方には、モータ５１が設けられている。モータ５１には、回動軸５２が接続されている。回動軸５２には、アーム５３が水平方向に延びるように連結され、アーム５３の先端に第１の薬液供給ノズル５０が設けられている。

また、スピンチャック２１の外方には、第１の薬液供給ノズル５０に対応する第１の待機ポット６０が設けられる。本実施の形態においては、第１の待機ポット６０は上端部に開口を有し、下端部が閉塞された略角柱形状を有する。

モータ５１、回動軸５２およびアーム５３の内部を通るように薬液供給管５４が設けられている。

第１の薬液供給ノズル５０は、薬液供給管５４に接続されている。薬液供給管５４は、図１の流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。

このような構成により、薬液供給管５４に流体ボックス部２ａ〜２ｄからアルカリ性の薬液が供給され、第１の薬液供給ノズル５０から基板Ｗに薬液が供給される。このような構成により、基板Ｗに薬液処理を行うことができる。

モータ５１は回動軸５２を回転させる。したがって、第１の薬液供給ノズル５０が、回動軸５２を中心として、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの水平面内における略中心位置の上方（以下、第１の位置と呼ぶ）と第１の待機ポット６０の水平面内における略中心位置の上方（以下、第２の位置と呼ぶ）との間で揺動される。

モータ５１には、図示しない昇降機構が設けられている。モータ５１は回動軸５２を上昇および下降させることにより、上記第１の位置または第２の位置において第１の薬液供給ノズル５０を下降または上昇させる。

薬液処理の開始時には、モータ５１により回動軸５２が回転するとともにアーム５３が回動し、第２の位置にある第１の薬液供給ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方（第１の位置）に移動する。さらに、モータ５１により回動軸５２が下降することにより、第１の薬液供給ノズル５０が下降して基板Ｗの表面に近接し、基板Ｗの表面へ薬液が供給される。

一方、薬液処理の終了時には、モータ５１により回動軸５２が上昇することによって、第１の薬液供給ノズル５０は、基板Ｗの表面から離間される。さらに、モータ５１により回動軸５２が回転するとともにアーム５３が回動し、第１の薬液供給ノズル５０がスピンチャック２１の外方に配置された第１の待機ポット６０の上方（第２の位置）に移動する。

なお、第１の待機ポット６０の側面部には溝部６１が形成されている。第１の薬液供給ノズル５０が第１の位置と第２の位置との間で揺動する際には、第１の薬液供給ノズル５０の先端部がこの溝部６１を通って移動するように構成されている。したがって、第２の位置に第１の薬液供給ノズル５０が待機する際には、第１の薬液供給ノズル５０の先端部は第１の待機ポット６０内の空間に位置される。

上記の状態で、第１の待機ポット６０は、薬液処理後の第１の薬液供給ノズル５０から滴下する薬液を回収する。また、第１の待機ポット６０は、プリディスペンス時に第１の薬液供給ノズル５０から吐出される薬液を回収する。なお、プリディスペンスとは、第１の待機ポット６０において、第１の薬液供給ノズル５０による基板Ｗへの薬液の供給前に、当該第１の薬液供給ノズル５０内部の温調されていない薬液を除去するために所定量の薬液を吐出することである。

第１の待機ポット６０の下端部には開口部６０ａが形成されている。この開口部６０ａには、第１の待機ポット６０により回収された薬液を排出する配管６２が接続される。配管６２から排出された薬液は、再利用してもよいし、または廃棄してもよい。

また、第１の待機ポット６０の上端部には開口部６０ｂが形成されている。この開口部６０ｂには、第１の待機ポット６０内の雰囲気を排気するための排気管６３が接続される。排気管６３により第１の待機ポット６０内の雰囲気が排気される。

ここで、本実施の形態では、第１の薬液供給ノズル５０がプリディスペンスを行う際に、当該第１の薬液供給ノズル５０の一部を覆う第１のカバー５５が第１の待機ポット６０の上方に設けられている。なお、第１のカバー５５の構成は、第２の薬液供給ノズル７０の一部を覆う後述の第２のカバー７４（図２）の構成と同様である。

一方、スピンチャック２１の外方で洗浄処理部５ａ〜５ｄの上方には、さらにモータ７１ａが設けられている。

モータ７１ａには、回動軸７１が接続されている。回動軸７１には、アーム７２が水平方向に延びるように連結され、アーム７２の先端に第２の薬液供給ノズル７０が設けられている。

また、スピンチャック２１の外方には、第２の薬液供給ノズル７０に対応する第２の待機ポット８０が設けられている。第２の待機ポット８０は上端部に開口を有し、下端部が閉塞された略角柱形状を有する。

以下の説明では、第２の待機ポット８０の上端部における略中心位置を第３の位置と呼ぶ。

モータ７１ａは回動軸７１を回転させる。これにより、第２の薬液供給ノズル７０が、回動軸７１を中心として上述の第１の位置と第３の位置との間で揺動される。

モータ７１ａには、図示しない昇降機構が設けられている。モータ７１ａは回動軸７２を上昇および下降させることにより、第１の位置において第２の薬液供給ノズル７０を下降および上昇させる。

モータ７１ａ、回動軸７１およびアーム７２の内部を通るように薬液供給管７３が設けられている。第２の薬液供給ノズル７０は、薬液供給管７３に接続されている。薬液供給管７３は流体ボックス部２ａ〜２ｄに接続されている。

洗浄処理部５ａ〜５ｄの第２の薬液供給ノズル７０には、薬液供給管７３を通して流体ボックス部２ａ〜２ｄから酸性の薬液が供給される。第２の薬液供給ノズル７０から基板Ｗに薬液が供給され、薬液処理が行われる。

薬液処理の開始時には、モータ７１ａにより回動軸７１が回転するとともにアーム７２が回動し、第３の位置にある第２の薬液供給ノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方（第１の位置）に移動する。

そして、モータ７１ａにより回動軸７１が下降することにより、第２の薬液供給ノズル７０が下降して基板Ｗの表面に近接し、基板Ｗの表面へ薬液が供給される。

一方、薬液処理の終了時には、モータ７１ａにより回動軸７１が上昇することにより、第２の薬液供給ノズル７０は、基板Ｗの表面から離間される。さらに、モータ７１ａにより回動軸７１が回転するとともにアーム７２が回動し、第２の薬液供給ノズル７０がスピンチャック２１の外方に配置された第２の待機ポット８０の上端部（第３の位置）に移動する。

ここで、本実施の形態では、後述（図３）するように、第２の待機ポット８０の上部に溝部８１が設けられている。溝部８１は第２の待機ポット８０内の空間に連通している。

溝部８１は、第２の待機ポット８０における一方の端面から他方の端面まで連続しかつ断面略Ｕ字状に形成される。

このような構成において、アーム７２が回動することによって、第２の薬液供給ノズル７０は第２のポット８０における溝部８１の一方の端部から挿入され、上記第３の位置に配置される。それにより、第２の薬液供給ノズル７０の先端部が第２の待機ポット８０内に収容される。

この状態で、第２の待機ポット８０は、薬液処理後の第２の薬液供給ノズル７０から滴下する薬液を回収する。また、第２の薬液供給ノズル７０も、第１の薬液供給ノズル５０と同様にプリディスペンスを行う。

第２の待機ポット８０の下端部には開口部８０ａが形成されている。この開口部８０ａには、第２の待機ポット８０により回収された薬液を排出する配管８２が接続される。配管８３から排出された薬液は、再利用してもよいし、または廃棄してもよい。

また、第２の待機ポット８０の上端部には開口部８０ｂが形成されている。この開口部８０ｂには、第２の待機ポット８０内の雰囲気を排気するための排気管８３が接続される。排気管８３により第２の待機ポット８０内の雰囲気が排気される。

ここで、本実施の形態では、第２の薬液供給ノズル７０がプリディスペンスを行う際に、当該第２の薬液供給ノズル７０の一部を覆う第２のカバー７４が第２の待機ポット８０の上方に設けられている。なお、第２のカバー７４の詳細な構成については後述する。

スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容される。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。

また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して廃棄するための廃棄空間３１が形成されている。廃棄空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。

さらに、廃棄空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための循環液空間３２が形成されている。循環液空間３２は、廃棄空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。

廃棄空間３１には、薬液を廃棄するための廃棄管３４が接続され、循環液空間３２には、薬液を回収するための回収管３５が接続されている。

処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの薬液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃棄案内溝４１が環状に形成されている。

また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。

スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等により構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）により支持されている。

上記のガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置Ｐ１と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置Ｐ２と、廃棄案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃棄位置Ｐ３との間で上下動させる。

スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置Ｐ１に下降する。

スプラッシュガード２４が循環位置Ｐ２にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液が回収液案内部４２により循環液空間３２に導かれ、回収管３５により回収される。そして、回収管３５により回収された薬液は、図示しない循環系により循環される。

一方、スプラッシュガード２４が廃棄位置Ｐ３にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液またはリンス液が廃棄案内溝４１により廃棄空間３１に導かれる。そして、廃棄空間３１に導かれた薬液またはリンス液は、廃棄管３４を介して図示しない廃棄系により廃棄される。

（３）ノズルを覆うカバーの構成
続いて、酸性の薬液を供給する第２の薬液供給ノズル７０の一部を覆う第２のカバー７４の構成について説明する。

図３は、第２の薬液供給ノズル７０の一部を覆う第２のカバー７４の構成を示す斜視図である。以下の説明では、水平面内で直交する２方向をＸ方向およびＹ方向とし、Ｘ方向およびＹ方向を含む水平面に直交する方向をＺ方向とする。

図３（ａ）に示すように、第２のカバー７４は、第２の待機ポット８０の上方に固定されている。また、第２のカバー７４は、Ｘ方向およびＹ方向を含む平面に沿って形成された上面部７４ａおよび仕切片７４ｂ、ならびに、上面部７４ａおよび仕切片７４ｂを連結する連結部７４ｃを含む。

第２のカバー７４の一方の端部は、Ｙ方向およびＺ方向を含む平面に沿って形成された被覆部７４ｄを含み、第２のカバー７４の他方の端部は開口されている。なお、第２のカバー７４において、連結部７４ｃに対向する側部も第２の薬液供給ノズル７０が進入および退出可能となるように開口されている。

このような構成において、アーム７２が回動されることによって、第２の薬液供給ノズル７０は連結部７４ｃに対向する開口された側部から第２のカバー７４内に収納される。この場合、第２の薬液供給ノズル７０の先端部は被覆部７４ｄと仕切片７４ｂとの間に配置される。

このような構成により、第２の待機ポット８０に第２の薬液供給ノズル７０のプリディスペンスを行う際には、第２のカバー７４により第２の薬液供給ノズル７０の周囲の一部を覆うことができる。これにより、プリディスペンス時において第２の薬液供給ノズル７０から吐出される酸性の薬液の雰囲気がノズルの周囲に拡散することを抑制することができる。

また、図３（ａ）において、第２のカバー７４の上面部７４ａ上に中空の気体供給小室９０が設けられる。気体供給小室９０上に気体供給部９１が設けられる。気体供給部９１には、図示しない配管が接続されている。

気体供給部９１には、例えば窒素ガス等の不活性ガスを含む気体が供給される。気体供給部９１に供給された上記気体は、気体供給小室９０内に導入される。

ここで、図３（ｂ）に示すように、第２のカバー７４の上面部７４ａにおいて、気体供給小室９０内と第２のカバー７４内とを連通させるスリット状の孔部９０ａが形成される。この孔部９０ａは、仕切片７４ｂと被覆部７４ｄとの間の空間を向くように傾斜した内面を有する。

このような構成により、気体供給小室９０内に導入された上記気体は、孔部９０ａを通過し、第２のカバー７４内に供給される。

孔部９０ａがスリット状に細長く形成されていることにより、第２のカバー７４内に供給される気体の流れを加速させることができる。これにより、酸性の薬液の雰囲気が第２のカバー内を気体の流れに沿って上方から下方に流れるため、第２のカバー７４内から確実に拡散を防止できる。それにより、上記雰囲気の拡散防止の信頼性を向上することができる。

なお、気体供給小室９０および気体供給部９１は必ずしも設けなくてもよく、第２の薬液供給ノズル７０による酸性の薬液雰囲気の拡散が確実に防止される場合には、気体供給小室９０および気体供給部９１は特に設けなくてもよい。

ここで、プリディスペンス時において第２の薬液供給ノズル７０から吐出される酸性の薬液の雰囲気が拡散することを防止またはさらに抑制するために、以下のようにしてもよい。

図４は、第２の薬液供給ノズル７０に閉塞部材７４ｓを取り付けた状態を示す斜視図である。

図４に示すように、第２のカバー７４におけるＸ方向およびＺ方向を含む平面に沿った一方の開口を閉塞するために、第２の薬液供給ノズル７０に閉塞部材７４ｓを取り付ける。

このような構成により、第２の薬液供給ノズル７０がアーム７２によって揺動され、第２の待機ポット８０の上端部における第３の位置に移動された場合に、当該第２の薬液供給ノズル７０に取り付けられた閉塞部材７４ｓが第２のカバー７４の開口を閉塞する。これにより、プリディスペンス時において第２の薬液供給ノズル７０から吐出される酸性の薬液の雰囲気が拡散することを防止またはさらに抑制することができる。

なお、閉塞部材７４ｓは第２のカバー７４の開口を全て覆うものでなくてもよく、第２の薬液供給ノズル７０が、第２の待機ポット８０の上端部における第３の位置に移動された場合に、第２のカバー７４の開口と閉塞部材７４ｓとの間に隙間があってもよい。

ここで、上述の図３においては、アーム７２が回動するだけで、第２の薬液供給ノズル７０が第２の待機ポット８０の上端部における第３の位置に移動する場合について説明したが、以下のような構成を採用してもよい。

図５は、第２のカバー７４の他の例を示す斜視図である。

図５に示すように、アーム７２が回動した後、下降することにより第２の待機ポット８０の上端部における第３の位置に移動する場合には、当該第２の待機ポット８０上方に円筒状に形成されたカバー７５を設ける。

このような構成により、アーム７２が下降することによって第２の薬液供給ノズル７０が円筒状に形成されたカバー７５内の空間を通過し、第２の薬液供給ノズル７０の先端部が第２の待機ポット８０の孔部８１ａに挿入される。図５の場合には、第２の薬液供給ノズル７０は回動された後、下降されることによりカバー７５を通して第３の位置に移動されるので、孔部８１ａは第２の待機ポット８０の上部において略円形状に形成される。

このような構成により、第２の薬液供給ノズル７０がプリディスペンスを行う際には、酸性の薬液による雰囲気が拡散することが上記カバー７５により防止または抑制される。

なお、図示されていないが、カバー７５の周壁の上部に配管を取り付けることにより当該カバー７５内に窒素ガス等の気体を供給してもよい。それにより、上記雰囲気が拡散することを防止または抑制する信頼性を向上することができる。

（４）二流体ノズルの構成
次に、第１の薬液供給ノズル５０または第２の薬液供給ノズル７０の他の構成について説明する。本実施の形態では、第１の薬液供給ノズル５０または第２の薬液供給ノズル７０は、以下に示す二流体ノズルであってもよい。

図６は、二流体ノズル５０の構成を示す断面図である。図６（ａ）は外部混合型と呼ばれる二流体ノズル５０Ａの一例の縦断面図であり、図６（ｂ）は内部混合型と呼ばれる二流体ノズル５０Ｂの他の一例の縦断面図である。これら２つのノズル形態の最も大きな相違点は、二流体の混合すなわち混合流体の生成が、ノズル本体の内部でされるか外部でされるかという点である。

図６（ａ）に示す外部混合型二流体ノズル５０Ａは、内部本体部１５１および外部本体部１５２により構成される。内部本体部１５１は、例えば石英からなり、外部本体部１５２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。

内部本体部１５１の中心軸に沿って薬液導入部１５１ｂが形成されている。内部本体部１５１の下端には、薬液導入部１５１ｂに連通する薬液吐出口１５１ａが形成されている。内部本体部１５１は外部本体部１５２内に挿入されている。なお、内部本体部１５１および外部本体部１５２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。

内部本体部１５１と外部本体部１５２との間には円筒状の気体通過部１５２ｂが形成されている。外部本体部１５２の下端には、気体通過部１５２ｂに連通する気体吐出口１５２ａが形成されている。外部本体部１５２の周壁には、気体通過部１５２ｂに連通する気体導入口１５２ｃが設けられている。

気体通過部１５２ｂは、気体吐出口１５２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガスの流速が加速され、気体吐出口１５２ａより吐出される。

図６（ａ）の外部混合型二流体ノズル５０Ａでは、薬液吐出口１５１ａから吐出された薬液と気体吐出口１５２ａから吐出された窒素ガスとが二流体ノズル５０Ａの下端近傍の外部で混合され、薬液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。霧状の混合流体が基板Ｗの表面に吐出されることにより、基板Ｗの表面を効果的に処理することができる。

この場合、霧状の混合流体は、薬液吐出口１５１ａおよび気体吐出口１５２ａから吐出された後に生成されるため、薬液および窒素ガスの流量および流速は、それぞれ薬液吐出口１５１ａ内および気体吐出口１５２ａ内で互いに独立した状態を維持する。これにより、薬液および窒素ガスの流量および流速を所望の値に制御することにより、所望の混合流体を得ることができる。例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

図６（ｂ）に示す内部混合型二流体ノズル５０Ｂは、気体導入管１５３および本体部１５４により構成される。本体部１５４は、例えば石英からなり、気体導入管１５３は、例えばＰＴＦＥからなる。

気体導入管１５３には、上端から下端まで連通する気体導入部１５３ａが形成されている。本体部１５４は、径大な上部筒１５４ａ、テーパ部１５４ｂおよび径小な下部筒１５４ｃからなる。

上部筒１５４ａのテーパ部１５４ｂ内に混合室１５４ｄが形成され、下部筒１５４ｃ内に直流部１５４ｅが形成されている。下部筒１５４ｃの下端には、直流部１５４ｅに連通する混合流体吐出口１５４ｆが形成されている。

本体部１５４の上部筒１５４ａには、混合室１５４ｄに連通する薬液導入部１５４ｇが設けられている。気体導入管１５３の下端部は、本体部１５４の上部筒１５４ａの混合室１５４ｄ内に挿入されている。

図６（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂでは、気体導入部１５３ａから加圧された窒素ガスが供給され、薬液導入部１５４ｇから薬液が供給されると、混合室１５４ｄで窒素ガスと薬液とが混合され、薬液の微細な液滴を含む霧状の混合流体が生成される。

混合室１５４ｄで生成された混合流体は、テーパ部１５４ｂに沿って直流部１５４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体は、混合流体吐出口１５４ｆから吐出され、基板Ｗの表面に供給される。これにより、基板Ｗの表面を混合流体により効果的に処理することができる。

図６（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂでは、例えば、窒素ガスの流量を調整することにより、混合流体による基板Ｗへの衝撃を緩和することができる。

なお、図６（ａ）の外部混合型二流体ノズル５０Ａおよび図６（ｂ）の内部混合型二流体ノズル５０Ｂは、用途等に応じて選択的に使用することができる。

（５）基板処理に用いられる薬液
本実施の形態では、基板Ｗの表面をエッチングして洗浄する場合には、上述のＢＨＦを薬液として用いることができる。

また、基板Ｗの表面に形成されたポリマーを除去する場合には、フッ化アンモニウムを含む溶液、例えばフッ化アンモニウムおよびリン酸を含む混合溶液を薬液として用いることができる。

また、基板Ｗの現像処理を行う場合には、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）等のアルカリ性溶液または酢酸ブチル等の酸性溶液を薬液として用いることができる。

さらに、基板Ｗの表面に形成されたレジストを剥離する場合には、硫酸過水またはオゾン水を薬液として用いることができる。

（６）本実施の形態における効果
上述したように、本実施の形態においては、第１の待機ポット６０を用いた第１の薬液供給ノズル５０のプリディスペンス時、および第２の待機ポット８０を用いた第２の薬液供給ノズル７０のプリディスペンス時に、第１の薬液供給ノズル５０の周囲の一部を覆う第１のカバー５５と第２の薬液供給ノズル７０の周囲の一部を覆う第２のカバー７４とを設けることにより、第１の薬液供給ノズル５０により吐出されるアルカリ性の薬液の雰囲気および第２の薬液供給ノズル７０により吐出される酸性の薬液の雰囲気が拡散することが防止または抑制される。 この構成によって、アルカリ性の薬液の雰囲気が第２の薬液供給ノズル７０近傍まで拡散し、酸性の薬液の雰囲気と反応することにより塩が発生することが防止される。それにより、第２の薬液供給ノズル７０に塩が付着することおよび当該塩が成長することが防止される。したがって、ノズルに付着する塩に起因した基板の処理不良が防止される。

同様に、上記の構成によって、酸性の薬液の雰囲気が第１の薬液供給ノズル５０近傍まで拡散し、アルカリ性の薬液の雰囲気と反応することにより塩が発生することが防止される。それにより、第１の薬液供給ノズル５０に塩が付着することおよび当該塩が成長することが防止される。したがって、ノズルに付着する塩に起因した基板の処理不良が防止される。

また、本実施の形態では、気体供給小室９０および孔部９０ａを介して第２のカバー７４内に窒素ガス等の気体が供給されることにより、第２のカバー７４内に存在する酸性の薬液の雰囲気を第２の待機ポット８０内に排出することができる。第２の待機ポット８０内の上記雰囲気は開口部８０ｂおよび排気管８３を介して排気される。これにより、酸性の薬液の雰囲気が確実に拡散しない。したがって、酸性の薬液の雰囲気の拡散防止の信頼性を向上することができる。

さらに、本実施の形態では、第１の薬液供給ノズル５０および第２の薬液供給ノズル７０といった２つの薬液供給ノズルを設けているが、基板処理装置１００内において多数（例えば、３つ以上）の薬液供給ノズルを設ける場合で、これらの薬液供給ノズルが互いに近接する場合でも、各薬液供給ノズルの周囲の一部を覆うカバーを設けることにより、塩の発生を防止することができる。なお、酸性の薬液を吐出する薬液供給ノズルおよびアルカリ性の薬液を吐出する薬液供給ノズルのうち少なくとも一方の一部をカバーで覆うようにしてもよい。

（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、第１の薬液供給ノズル５０の一部を覆う第１のカバー５５、および第２の薬液供給ノズル７０の周囲の一部を覆う第２のカバー７４を共に設けることとしたが、設置スペースに制限がある場合等には、どちらか一方に設けることとしてもよい。

また、上記実施の形態では、図３または図５において第２の薬液供給ノズル７０の周囲の一部を覆うための第２のカバー７４またはカバー７５を第２の待機ポット８０の上方に固定して設けることとしたが、これに限定されるものでなく、第２の薬液供給ノズル７０に予め第２のカバー７４またはカバー７５を取り付けておいて、当該第２のカバー７４またはカバー７５が第２の薬液供給ノズル７０とともに移動する構成としてもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持手段に相当し、酸性の薬液およびアルカリ性の薬液が第１および第２の処理液の一方および他方にそれぞれ相当し、第１および第２の薬液供給ノズル５０，７０が第１および第２の処理液供給ノズルの一方および他方にそれぞれ相当し、第１および第２の待機ポット６０，８０が第１および第２の待機容器の一方および他方にそれぞれ相当し、アーム５３，７２が移動手段に相当し、第１および第２のカバー５５，７４，７５が第１および第２のカバー部材の一方および他方にそれぞれ相当する。

また、上記実施の形態においては、気体供給小室９０および気体供給部９１が第１または第２の気体供給手段に相当し、開口部６０ｂ，８０ｂおよび排気管６３，８３が排気手段に相当し、溝部８１または孔部８１ａが第１または第２の開口部に相当し、開口部６０ａ，８０ａおよび配管６２，８２が排液手段に相当し、第２のカバー７４が第１のカバー部材に相当し、閉塞部材７４ｓが閉塞部材に相当する。

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、および光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。

本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 本実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。 第２の薬液供給ノズルの一部を覆う第２のカバーの構成を示す斜視図である。 第２の薬液供給ノズルに閉塞部材を取り付けた状態を示す斜視図である。 第２のカバーの他の例を示す斜視図である。 二流体ノズルの構成を示す断面図である。

符号の説明

２ａ〜２ｄ 流体ボックス部
５ａ〜５ｄ 洗浄処理部
２１ スピンチャック
２５ 回転軸
５０ 第１の薬液供給ノズル
５１ モータ
５２ 回動軸
５３ アーム
５５ 第１のカバー
６０ 第１の待機ポット
６０ａ，６０ｂ 開口部
６１ 溝部
６２ 配管
６３ 排気管
７０ 第２の薬液供給ノズル
７１ 回動軸
７１ａ モータ
７２ アーム
７４ 第２のカバー
７４ａ 上面部
７４ｂ 仕切片
７４ｃ 連結部
７４ｄ 被覆部
７４ｓ 閉塞部材
７５ カバー
８０ 第２の待機ポット
８０ａ，８０ｂ 開口部
８１ 溝部
８１ａ 孔部
８２ 配管
８３ 排気管
９０ 気体供給小室
９１ 気体供給部
１００ 基板処理装置

Claims (10)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   基板を保持する基板保持手段と、
   第１の処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する第１の処理液供給ノズルと、
   第２の処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する第２の処理液供給ノズルと、
   前記基板保持手段に保持された基板の上方位置と基板の外方の待機位置との間で、前記第１および第２の処理液供給ノズルをそれぞれ移動させる移動手段と、
   前記待機位置に配置されるとともに上部に第１の開口部を有し、前記第１の処理液供給ノズルの先端部が前記第１の開口部に挿入された状態で前記第１の処理液供給ノズルの前記先端部から吐出された前記第１の処理液を受け止める第１の待機容器と、
   前記待機位置に配置され、前記第２の処理液供給ノズルから吐出された前記第２の処理液を受け止める第２の待機容器と、
   前記第１の処理液供給ノズルが少なくとも前記第１の待機容器上に位置するときに前記第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように設けられた第１のカバー部材と、
   前記第１のカバー部材で取り囲まれた空間および前記第１の開口部を通して前記第１の待機容器内に気体を供給する第１の気体供給手段と、
   前記第１の気体供給手段により前記第１の待機容器内に供給された気体を排出する排気手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１の待機容器の下部から第１の処理液を廃棄する排液手段をさらに備え、
   前記排気手段は、前記第１の待機容器の上部に設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１のカバー部材は、前記第１の待機容器の上方に固定して配置されることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記第１のカバー部材は、一側面に開口を有し、
   前記移動手段は、前記第１の処理液供給ノズルを水平移動させることにより前記開口を通して前記第１のカバー部材内に前記第１の処理液供給ノズルを進入および退出させることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第１のカバー部材の開口を閉塞する閉塞部材をさらに備え、
   前記閉塞部材は、前記第１の処理液供給ノズルとともに移動するように設けられることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第１のカバー部材は、上面に開口を有し、
   前記移動手段は、前記第１の処理液供給ノズルを上下移動させることにより前記開口を通して前記第１のカバー部材内に前記第１の処理液供給ノズルを進入および退出させることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
7. 前記第２の待機容器は、上部に第２の開口部を有し、前記第２の処理液供給ノズルの先端部が前記第２の開口部に挿入された状態で前記第２の処理液供給ノズルの前記先端部から吐出された前記第２の処理液を受け止めるように構成され、
   前記第２の処理液供給ノズルが少なくとも前記第２の待機容器上に位置するときに前記第２の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように設けられた第２のカバー部材をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記第２のカバー部材で取り囲まれた空間および前記第２の開口部を通して前記第２の待機容器内に気体を供給する第２の気体供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記第１および第２の処理液のうち一方は酸性の液であり、前記第１および第２の処理液のうち他方はアルカリ性の液であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 基板を処理する基板処理方法であって、
    第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ基板に供給するための第１および第２の処理液供給ノズルを基板保持手段の外方に設けられた第１および第２の待機容器上にそれぞれ待機させる待機ステップと、
    前記第１または第２の処理液供給ノズルを前記第１または第２の待機容器上から前記基板保持手段に保持された基板の上方位置に移動させ、前記第１または第２の処理液供給ノズルから第１または第２の処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理ステップと備え、
    前記第１の待機容器は、上部に第１の開口部を有し、
    前記待機ステップは、
    カバー部材が前記第１の処理液供給ノズルの周囲の少なくとも一部を取り囲むように前記第１の処理液供給ノズルを第１の待機容器上に位置させるステップと、
    前記カバー部材で取り囲まれた空間および前記第１の開口部を通して前記第１の待機容器内に気体を供給するステップと、
    前記待機容器内に供給された気体を排出するステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。

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