KR100787996B1 - 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판상에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 상기 장치로부터 사용된 처리액을 회수하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과 상기 하우징 내에 회전가능하도록 배치되어 공정시 기판을 지지하는 지지체와, 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리액을 공급하는 노즐부재와, 상기 지지체의 측부에서 상기 기판 지지부재의 둘레를 감싸도록 환형으로 구비되며, 처리액이 유입되는 개구가 제공되는 적어도 하나의 회수통, 그리고 공정시 상기 지지체와 상기 회수통 사이에서 기판의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되어, 사용된 처리액을 상기 회수통으로 안내하는 처리액 안내부재를 포함한다. 본 발명은 처리액의 회수시 회수되는 처리액이 회수통과 강하게 충돌하는 것을 방지하고, 처리액이 회수통으로 효과적으로 안내한다. 따라서, 처리액이 기판으로 재유입되어 기판을 오염시키는 것을 방지하고, 처리액 회수시 흄의 발생을 줄일 수 있어 설비의 오염을 줄일 수 있다. 그리고, 유독성 가스의 발생을 줄일 수 있어 작업 환경의 안정성을 향상시킨다.
반도체, 웨이퍼, 세정, 건조, 흄, 기류, 하강기류, 블레이드, 회수, 리사이클

Description

기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR RECYCLING TREATING LIQUID FROM THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 처리액 안내부재 및 승강장치의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 지지체의 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 처리액 안내부재의 동작 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 처리액 회수 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 6은 5a의 처리액 회수 과정을 보여주는 도면이다.
도 7는 도 5a의 처리액 회수 과정을 상부에서 보여주는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 기판 처리 장치
110 : 하우징
120 : 처리액 회수부재
130 : 기판 지지부재
140 : 노즐부재
150 : 노즐부 구동기
160 : 처리유체 공급부재
210 : 처리액 안내부재
220 : 승강장치
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판상에 처리유체를 공급하여 반도체 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.
일반적으로 식각 공정 및 세정 공정은 건식 처리 장치와 습식 처리 장치로 나뉜다. 이 중 습식 처리 장치는 하우징, 기판 지지부재, 노즐부재, 그리고 회수 부재를 가진다. 하우징은 내부에 식각 및 세정 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 기판 지지부재는 하우징 내부에서 회전가능하도록 설치되며, 공정시 웨이퍼를 지지한다. 노즐부재는 회전되는 웨이퍼의 처리면으로 복수의 처리액들을 순차적으로 분사한다. 그리고, 회수 부재는 기판의 처리면으로 분사되는 처리액들을 분리회수한다. 회수 부재는 복수의 회수통들을 구비한다. 각각의 회수통들은 기판 지지부재의 측면을 감싸도록 설치된다. 각각의 회수통들은 처리액이 유입되는 개구가 상하로 적층되도록 배치된다. 상술한 습식 처리 장치는 공정 진행시 기판의 처리면으로 처리액을 분사하여 기판을 세정 및 린스하고, 사용된 처리액들은 각각의 회수통들에 의해 분리되어 회수된다.
상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 처리액의 회수시 사용된 처리액들이 회수통과 강하게 충돌하는 구조이다. 즉, 기판으로 공급되는 처리액들은 고속으로 회전되는 기판의 원심력에 의해 비산되어 회수통들로 유입된다. 이때, 비산되는 처리액들은 회수통 내벽과 강하게 충돌한다. 따라서, 회수통과 충돌되는 처리액들이 다시 기판의 처리면으로 유입되어 기판을 오염시킨다.
또한, 상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 처리액의 회수시 회수되는 처리액들이 회수통과 강하게 충돌하므로, 흄(fume)의 발생량이 크다. 처리액으로부터 발생되는 흄은 하우징 내부 및 설비 내부에 잔류하다가 공정 진행시 기판상에 재유입되어 기판을 오염시킨다. 또한, 흄의 발생량이 증가되면 유독성 가스에 의한 작업 환경에 안정성이 저하된다.
또한, 상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 각각의 회수통들이 상하로 적층되는 구조이므로, 장치의 높이가 증가한다. 즉, 각각의 회수통들은 기판으로부터 비산되는 처리액을 모두 유입시키기 위해서는 기판의 가장자리 측부를 충분히 감싸도록 넓은 개구가 요구된다. 따라서, 넓은 개구를 가지는 회수통들이 적층되는 구조의 습식 기판 처리 장치는 장치의 크기가 증가된다.
또한, 상기와 같은 습식 기판 처리 장치는 처리액의 회수시 사용된 처리액이 각각의 회수통으로 완전히 회수되지 않아 처리액의 회수율을 낮았다. 즉, 사용된 처리액이 회수하고자 하는 회수통으로 효과적으로 이동되지 않고 다른 회수통으로 이동되거나, 하우징의 다른 영역으로 비산되어 처리액의 회수율이 떨어진다.
본 발명은 소정의 처리액으로 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정의 효율을 상승시키는 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 기판의 처리면이 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리액 및 처리액으로부터 발생되는 흄에 의해 설비가 오염되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 크기를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리액의 회수율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 상기 하우징 내에 회전가능하도록 배치되어 공정시 기판을 지지하는 지지체, 상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리액을 공급하는 노즐부재, 상기 지지체의 측부에서 상기 기판 지지부재의 둘레를 감싸도록 환형으로 구비되며, 처리액이 유입되는 개구가 제공되는 적어도 하나의 회수통, 그리고 공정시 상기 지지체와 상기 회수통 사이에서 기판의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되어, 사용된 처리액을 상기 회수통으로 안내하는 처리액 안내부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 안내부재는 상기 지지체의 외측벽에 상기 지지체와 함께 회전되도록 설치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수통들은 복수개가 상하 적층되도록 배치되고, 상기 지지체 및 상기 처리액 안내부재는 처리액 회수시 각각의 상기 회수통들이 처리액들 중 회수하고자 하는 처리액을 회수하도록 상하로 승강된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 안내부재에는 공정시 기판(W)으로 공급되는 처리액을 유입하는 유입구 및 상기 유입구로부터 유입된 처리액을 상기 회수통으로 유출시키는 유출구가 제공되되, 상기 유입구는 상기 유출구 보다 넓다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정시 기판의 처리면으로부터 비산되는 처리액을 상기 회수통으로 안내하기 위한 안내 위치 및 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 이동경로를 방해하지 않도록 위치되는 대기 위치 상호간에 상기 처리액 안내부재를 이동시키는 이동부재를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유출구는 상기 회수통의 개구 보다 좁다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 이동부재는 상기 기판 지지부재의 외측벽 으로부터 연장되는 제 1 지지대, 상기 제 1 지지대와 수직하게 설치되는 제 2 지지대, 그리고 상기 제 2 지지대를 상하로 승강시키는 승강부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 공정 진행시 상기 하우징 내 공간에 하강기류를 발생시키는 기류 발생부재를 더 포함하되, 상기 기류 발생부재는 상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되는, 그리고 상기 몸체의 중심을 기준으로 균등한 각도로 형성되고, 각각이 상기 몸체의 회전방향으로 갈수록 상향되는 나선형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 처리액 회수 방법은 회전가능한 지지체에 지지된 기판의 처리면으로 처리액을 공급하고, 사용된 처리액을 상기 지지체의 외측에 제공되는 회수통으로 회수시켜 기판을 처리하는 방법에 있어서, 공정시 사용된 처리액을 유입시키도록 기판의 측부를 감싸는 유입구가 제공된 처리액 안내부재를 상기 지지체와 상기 회수통 사이에 위치시킨 후 상기 유입구로 유입된 처리액을 상기 유입구보다 좁은 유출구를 통해 상기 회수통으로 유도시켜 처리액을 회수한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 처리액 회수 방법은 상기 공정시 상기 공정이 이루어지는 공간 내 하강기류를 발생시켜, 상기 공간 내 부유성 이물질들과 상기 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 상기 공간의 상부 영역으로부터 상기 공간의 하부 영역으로 이동시킨 후 배기한다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 세정 및 건조 공정을 수행하는 매엽식 기판 처리 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판에 분사되는 처리액을 회수하는 회수부재가 구비된 모든 반도체 제조 장치에 적용될 수 있다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 처리액 안내부재 및 승강장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 처리액 회수부재(120), 기판 지지부재(130), 노즐부재(140), 노즐부 구동기(150), 그리고, 처리유체 공급부재(160)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 기판(W)의 세정 및 건조 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 상부가 개방된 원통형상을 가진다. 하우징(110)의 개방된 상부는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 출입구로 사용된다.
하우징(110)의 일측에는 배출라인(112)이 제공된다. 배출라인(112)은 하우징(110) 내 공기를 외부로 배출시킨다. 배출라인(112)은 하우징(110)의 하측에서 하우징(110) 내 공간과 통한다. 배출라인(112)에는 흡입 부재(미도시됨)이 제공될 수 있다. 흡입 부재는 배출라인(112)에 유동압을 제공하여, 하우징(110) 내 공기를 강제 흡입한다. 흡입 부재로는 진공 펌프(vacuum pump)가 사용될 수 있다.
처리액 회수부재(120)는 공정시 기판(W)의 처리면으로 분사되는 처리액들을 회수한다. 처리액 회수부재(120)는 서로간의 상하 적층되는 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)을 가진다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 하우징(110)의 내측벽을 따라 환형으로 제공된다.
제 1 회수통(122)은 내부에 제 1 세정액을 회수하는 공간(s1)을 가진다. 같은 방식으로 제 2 회수통(124)은 내부에 제 2 세정액을 회수하는 공간(s2)을 가지고, 제 3 회수통(126)은 내부에 린스액을 회수하는 공간(s3)을 가진다. 또한, 회수통들(122, 124, 126) 각각은 기판(W)의 처리면으로 공급되는 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액이 유입되도록 일부가 개방된다. 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126) 각각은 개방된 일부를 통해 제 1 및 제 2 세정액, 그리고 린스액을 유입시킨 후 각각의 공간(s1, s2, s3)에 처리액을 수용한다.
여기서, 각각의 회수통(122, 124, 126)들의 개방된 일부는 되도록 좁게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 회수통(122, 124, 126)들의 개방된 일부가 넓게 제공될수록 장치의 크기가 증가되기 때문이다. 특히, 회수통(122, 124, 126)의 개방된 일부가 넓을수록 장치의 높이가 증가된다. 회수통(122, 124, 126)들의 개방된 일부는 후술할 처리액 안내부재(210)의 유출구(214b)로부터 비산되는 처리액이 모두 회수통으로 유입될 수 있는 정도의 넓이로 제공된다.
제 1 회수라인(122a)은 공간(s1)과 연결되어, 공간(s1) 내 제 1 세정액을 회 수한다. 같은 방식으로서, 제 2 회수라인(124a)은 공간(s2)과 연결되어, 공간(s2) 내 제 2 세정액을 회수하고, 제 3 회수라인(126a)은 공간(s3)과 연결되어, 공간(s3) 내 린스액을 회수한다. 여기서, 제 1 및 제 2 처리액은 서로 다른 종류의 세정액이고, 상기 제 3 처리액은 린스액일 수 있다. 예컨대, 제 1 세정액은 불산(HF) 용액이고, 제 2 세정액은 SC-1(Standard Clean-1) 용액이고, 린스액은 초순수이다.
기판 지지부재(130)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 기판 지지부재(130)는 지지체(132), 회전축(134), 그리고 구동부(136)를 가진다. 지지체(132)는 상부에 기판을 지지한다. 지지체(132)는 하우징(110) 내 공간에서 회전가능하도록 설치된다. 지지체(132)의 상부에는 지지체(132)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 배치되는 척킹핀(132a)들이 설치된다. 각각의 척킹핀(132a)은 공정시 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)한다. 회전축(134)은 하우징(110) 내부 중앙에서 회전가능하도록 설치된다. 회전축(134)은 일단이 지지체(132)의 중앙 하부에 결합되고, 타단은 구동부(136)에 결합된다. 구동부(136)는 회전축(134)을 회전시켜 지지체(132)를 회전시킨다. 또한, 구동부(136)는 회전축(134)을 승강시켜 지지체(132)의 높이를 조절한다. 특히, 구동부(136)는 세정 및 건조 공정시 사용되는 처리액들이 효과적으로 제 1 내지 제 3 회수통(122, 124, 126)으로 회수되도록 지지체(132)의 높이를 조절한다.
여기서, 본 발명의 다른 실시예로서, 기판 지지부재(130)는 공정 진행시 하우징(110) 내부 공간에 하강기류를 형성시킬 수 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 지지부재(130)는 외측벽에 복수의 블레이드(blade)(132b)들이 제공되는 지지체(132')를 구비한다. 블레이드(132b)들은 지지체(132)의 외측면으로부터 돌출된다. 블레이드(132b)들은 지지체(132)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 배치된다. 각각의 블레이드(132b)들은 지지체(132)의 회전방향(R)으로 갈수록 상향되는 나선형상을 가진다. 또한, 블레이드(132b)들은 지지체(132)가 회전될 때 하우징(110) 내 공기와 충돌하는 면을 가진다. 상기 면은 지지체(132)가 회전하면, 하우징(110) 내 공기와 충돌되어 충돌되는 공기의 흐름을 아래 방향으로 유도시킨다.
상술한 구조를 가지는 지지체(132')는 기판 처리 공정시 하우징(110) 내 공간에 하강기류를 형성시킨다. 하우징(110) 내 공기는 하우징(110)의 상부 영역으로부터 하부 영역으로 이동된 후 하우징(110) 외부로 효율적으로 배출된다. 따라서, 하우징(110) 내 파티클들과 같은 부유성 오염물질들 및 공정시 사용되는 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 효과적으로 배기할 수 있다. 따라서, 설비의 오염을 방지하고, 공정시 기판(W)의 처리면이 흄(fume)에 의해 오염되는 것을 방지한다. 또한, 유독성의 가스가 외부로 누출되는 것을 방지하여 작업 환경의 안전성을 상승시킨다.
노즐부재(140)는 기판(W)의 처리면으로 처리유체를 분사한다. 노즐부재(140)는 적어도 하나의 노즐(nozzle)들을 가진다. 노즐부 구동기(150)는 노즐부재(140)를 구동한다. 노즐부 구동기(150)는 공정 위치(a) 및 대기 위치(b) 상호간에 노즐부(140)를 이동시킨다. 공정 위치(a)는 노즐부재(140)가 기판(W)의 처리면으로 처 리유체를 분사하는 위치이고, 대기 위치(b)는 노즐부재(140)가 공정 위치(a)로 이동되기 전에 하우징(110) 외부에서 대기하는 위치이다.
노즐부 구동기(150)는 제 1 아암(152), 제 2 아암(154), 그리고 구동모터(156)를 가진다. 제 1 아암(152)은 용기(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제 1 아암(152)의 일단은 노즐부재(140)와 결합되고, 제 1 아암(152)의 타단은 제 2 아암(154)과 결합된다. 제 2 아암(154)은 제 1 아암(152)과 수직하게 설치된다. 구동모터(156)는 제 2 아암(154)을 회전 및 승강 운동한다. 따라서, 노즐부 구동기(150)는 노즐부재(140)를 승강 운동 및 회전 운동시킨다.
처리유체 공급부재(160)는 노즐부재(140)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부재(160)는 세정액 공급부재(162), 린스액 공급부재(164), 그리고 건조가스 공급부재(166)를 포함한다. 세정액 공급부재(162)는 세정액 공급원(162a) 및 세정액 공급라인(162b)을 가진다. 세정액 공급원(162a)은 제 1 및 제 2 세정액을 저장하고, 세정액 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐부재(140)로 제 1 및 제 2 세정액을 공급한다. 린스액 공급부재(164)는 린스액 공급원(164a) 및 린스액 공급라인(164b)을 가진다. 린스액 공급원(164a)은 린스액을 저장하고, 린스액 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 건조가스 공급부재(166)는 건조가스 공급원(166a) 및 건조가스 공급라인(164b)을 가진다. 건조가스 공급원(166a)은 건조가스를 공급하고, 건조가스 공급라인(164b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부재(140)로 건조가스를 공급한다. 여기서, 건조가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 처리액 안내부재 및 승강장치의 구성을 상세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 처리액 안내부재(210)는 몸체(212)를 가진다. 몸체(212)는 기판 지지부재(130)의 둘레를 감싸는 환형으로 제작된다. 몸체(212)는 상부면(212a) 및 하부면(212b)을 가진다. 상부면(212a)은 몸체(212)의 중심을 기준으로 외측으로 갈수록 하향경사지고, 하부면(212b)은 상부면(212a)의 끝단으로부터 연장되되, 내측으로 갈수록 하향경사지도록 제공된다. 따라서, 상부면(212a)과 하부면(212b)의 구조는 기판 지지부재(130)를 향해 넓은 개구를 가지고, 처리액 회수부재(120)를 향해 좁은 개구를 가진다.
몸체(212)는 유입구(212a) 및 유출구(214a)를 가진다. 유입구(212a)는 공정진행시 사용된 처리액이 유입되는 개구이고, 유출구(214a)는 유입구(212a)로 유입된 처리액이 배출되는 개구이다. 유입구(212a)는 유출구(214a)보다 넓다. 유입구(212a)는 기판 지지부재(130)에 장착된 기판(W)을 향해 제공되고, 유출구(212b)는 회수부재(120)를 향해 제공된다. 그리고, 몸체(212)는 유입구(212a)로부터 유출구(212b)로 갈수록 점차 좁아지는 형상을 가진다.
몸체(212)는 중앙에 개구(216)가 제공된다. 개구(216)는 공정 진행시 기판 지지부재(130)의 지지체(132)가 상하이동되는 통로로 사용된다. 따라서, 처리액 안내부재(210)는 지지체(132)를 따라 상하 이동된다.
이동 부재(226)는 처리액 안내부재(210)를 상하로 승강시킨다. 이동 부재(226)는 제 1 및 제 2 지지대(222, 224), 그리고 승강장치(226)를 포함한다. 제 1 지지대(222)는 긴 플레이트 형상을 가진다. 제 1 지지대(222)는 지지체(132)의 둘레에 설치된다. 각각의 제 1 지지대(222)들은 수평으로 설치된다. 제 1 지지대(222)는 복수개가 지지체(132)의 중심을 기준으로 균등한 각도로 배치된다. 제 1 지지대(222)는 일단이 지지체(132)와 결합되고, 타단은 승강장치(226)와 결합된다. 제 2 지지대(224)는 제 1 지지대(222)와 대체적으로 수직하게 설치된다. 제 2 지지대(224)의 일단은 몸체(212)의 하부면(212b)에 결합되고, 타단은 승강장치(226)와 결합된다. 승강장치(226)는 각각의 제 1 지지대(222)의 타단에 설치된다. 승강장치(226)는 제 2 지지대(224)를 상하로 승강시킨다. 승강장치(226)로는 에어 실린더(air-silinder)가 사용될 수 있다.
상기와 같은 구조를 가지는 승강장치(226)는 처리액 안내부재(210)를 회수 위치(c) 및 기판 로딩 위치(d) 상호간에 이동시킨다. 도 4를 참조하면, 회수 위치(c)는 공정 진행시 사용된 처리액을 회수시 처리액 안내부재(210)가 기판(W)의 처리면으로부터 비산되는 처리액을 회수부재(120)로 안내하는 위치이다. 기판 로딩 위치(d)는 기판(W)이 지지체(132)에 로딩 및 언로딩할 때, 기판(W)의 이동 경로를 방해하지 않도록 하는 위치이다.
본 실시예에서는 처리액 안내부재(210)의 유입구(214a)가 지지체(132)에 로딩된 기판(W)의 가장자리 측면의 높이와 대응되는 위치가 회수 위치(c)이고, 처리액 안내부재(210)가 지지체(132)의 상부면의 이하로 내려간 위치가 기판 로딩 위치(d)인 것을 예로 들어 설명하였으나, 회수 위치(c) 및 기판 로딩 위치(d)는 다양하게 변형될 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 상술한 구조를 가지는 기판 처리 장치로부터 처리액을 회수하는 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들에 대한 상세한 설명은 생략하고, 참조번호를 동일하게 병기한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 처리액 회수 방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 6는 5a의 처리액 회수 과정을 보여주는 도면이고, 도 7은 도 5a의 처리액 회수 과정을 상부에서 보여주는 도면이다.
기판 처리 장치(100)의 공정이 개시되면, 기판(W)이 지지부재(132)의 상부에 로딩(loading)된다. 이때, 처리액 안내부재(210)는 기판 로딩 위치(d)에 위치된다.기판(W)이 로딩되면, 지지체(132)의 척킹핀(132a)들은 기판(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)한다. 기판(W)이 지지체(132)에 고정되면, 구동부(136)는 지지체(132)를 제 1 회수위치(L1)로 이동한다. 여기서, 제 1 회수위치(L1)는 처리액 안내부재(210)가 사용된 제 1 세정액을 제 1 회수통(122)으로 안내하는 위치이다.
도 5a를 참조하면, 지지체(132)가 제 2 회수위치(X)에 위치되면, 구동부(136)는 지지체(132)를 기설정된 공정 속도로 회전한다. 이때, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 블레이드(132a)들이 제공된 지지체(132')의 회전에 의해 하우징(110) 내 공간에는 하강기류가 형성된다.
그리고, 승강 장치(220)는 처리액 안내부재(210)를 기판 로딩 위치(d)로부터 회수 위치(c)로 이동시킨다. 그리고, 노즐부 구동기(150)는 노즐부재(140)를 대기 위치(b)로부터 공정 위치(a)로 이동시킨다. 노즐부재(140)가 공정 위치(a)에 위치되면, 밸브(162b)가 오픈되어 공급라인(162b)은 세정액 공급원(162a)으로부터 노즐 부재(140)로 세정액을 공급하고, 노즐부재(140)는 공급받은 제 1 세정액을 기판(W)으로 분사한다.
분사된 제 1 세정액은 기판(W)의 처리면을 세정한다. 제 1 세정액은 회전되는 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리 영역으로 이동되면서 기판을 세정한다. 그리고, 사용된 제 1 세정액은 기판(W)의 처리면으로부터 비산되어 처리액 안내부재(210)로 이동된다.
여기서, 도 6 및 도 7을 참조하면, 사용된 제 1 세정액은 처리액 안내부재(210)의 유입구(214a)로 유입된 후 유출구(214b)를 통해 제 1 회수통(122)에 수용된다. 이때, 기판(W)의 중앙영역으로부터 가장자리영역으로 이동되는 제 1 세정액의 이동방향(Y1)은 기판(W)의 중심으로부터 가장자리로 수직하다. 그리고, 기판(W)의 가장자리으로부터 처리액 안내부재(210)로 이동되는 제 1 세정액의 이동방향(Y2)은 이동방향(Y1)과 동일하다. 이는 기판(W)을 회전하는 지지체(132)와 처리액 안내부재(210)가 서로 동일한 회전속도로 회전하기 때문이다. 따라서, 기판(W)으로부터 비산되는 세정액은 처리액 안내부재(210)로 이동될 때 동일선상을 따라 이동된다.
그리고, 처리액 안내부재(210)로부터 제 1 회수통(122)으로 이동되는 제 1 세정액의 이동방향(Y3)은 기판(W)의 원심력에 의해 기판(W)의 회전방향(X)으로 경사지게 비산된다. 즉, 기판(W)으로부터 처리액 안내부재(210)로 비산되는 제 1 세정액의 이동방향(Y2)은 처리액 안내부재(210)로부터 제 1 회수통(122)으로 비산될 때 기판(W)의 회전력에 의해 경사지게 되어 이동방향(Y3)으로 비산된다. 따라서, 기판(W)의 처리면으로부터 처리액 안내부재(210)로 비산되는 제 1 세정액은 처리액 안내부재(210)과 비교적 약하게 충돌된다. 그리고, 제 1 세정액의 대부분은 처리액 안내부재(210)의 유출구(214b)를 통해 제 1 회수통(122)으로 이동된다. 그러므로, 공정 진행시 제 1 세정액으로부터 발생되는 흄(fume)의 양을 줄일 수 있고, 제 1 세정액이 제 1 회수통(122)에 수용된 후 다시 기판(W)의 처리면으로 재유입되는 것을 방지한다. 상술한 작용 및 효과는 각각의 처리액이 회수되는 과정에 모두 적용되는 것으로, 후술할 제 2 세정액 및 린스액의 회수과정에서는 이러한 작용 및 효과에 대한 설명을 생략한다.
기판(W)이 일차적으로 세정되면, 세정액 공급부재(162)는 제 1 세정액의 공급을 중단한다. 그리고, 제 1 회수통(122)에 수용된 제 1 세정액은 제 1 회수라인(122a)을 통해 회수된다.
기판(W)의 1차 세정이 완료되면, 기판(W)의 2차 세정이 수행된다. 도 5b를 참조하면, 구동부(136)는 지지체(132)를 제 1 공정위치(L1)로부터 제 2 공정위치(L2)로 이동한다. 제 2 공정위치(L2)는 처리액 안내부재(210)가 사용된 제 2 세정액을 제 2 회수통(124)으로 안내하는 위치이다. 그리고, 세정액 공급부재(162)는 노즐부(140)로 제 2 세정액을 공급한다. 노즐부(140)는 공급받은 제 2 세정액은 기판(W)의 처리면으로 분사한다.
분사된 제 2 세정액은 기판(W)의 처리면을 이차적으로 세정한다. 세정이 완료된 제 2 세정액은 기판(W)의 처리면으로부터 처리액 안내부재(210)로 비산된 후 제 2 회수통(124)에 수용된다.
기판(W)의 세정 공정이 완료되면, 기판(W)의 린스 공정이 수행된다. 도 4c를 참조하면, 구동부(136)는 지지체(132)를 제 2 공정위치(L2)로부터 제 3 공정위치(L3)로 이동한다. 제 3 공정위치(L3)는 처리액 안내부재(210)가 사용된 린스액을 제 3 회수통(126)으로 안내하는 위치이다. 그리고, 밸브(164b')가 오픈되어 공급라인(164b)은 린스액 공급원(164a)으로부터 노즐부(140)로 린스액을 공급한다. 노즐부(140)는 공급받은 린스액을 기판(W)의 처리면으로 분사한다.
분사된 린스액은 기판(W)의 처리면에 잔류하는 세정액을 제거한다. 사용된 린스액은 기판(W)의 처리면으로부터 처리액 안내부재(210)로 비산된 후 제 3 회수통(126)에 수용된다.
상술한 처리액 회수 과정이 진행되는 과정에서 발생되는 하우징(110) 내 부유성 이물질과 흄(fume)은 하우징(110) 내 공간에 형성된 하강기류로 인해 하우징(110) 내 상부 영역으로부터 하부 영역으로 유도된다. 하부 영역으로 유도된 이물질 및 흄은 배출라인(112)을 통해 외부로 배기된다.
기판(W)의 린스가 완료되면, 기판(W)의 건조 공정이 수행된다. 밸브(166b')가 오픈되어 공급라인(166b)은 건조가스 공급원(166a)으로부터 노즐부(140)로 건조가스를 공급한다. 노즐부(140)는 공급받은 건조가스를 기판(W)의 처리면이 분사한다. 분사된 건조가스를 기판(W)의 처리면에 잔류하는 린스액 및 기타 이물질들을 제거한다.
기판(W)의 건조가 완료되면, 구동부(136)는 지지체(132)의 회전을 중지하고, 지지체(132)를 하우징(110)의 개방된 상부 외부로 상승시킨다. 각각의 척킹 핀(132a)들은 기판(W)을 언척킹(unchucking)한다. 승강장치(220)는 처리액 안내부재(210)를 회수 위치(c)로부터 기판 로딩 위치(d)로 하강시킨다. 그리고, 하우징(110) 외부에 설치된 로봇암(미도시됨)은 기판(W)을 기판 처리 장치(100)로부터 언로딩(unloading)한다.
상술한 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는 방법은 사용된 처리액이 회수통으로 회수할 때 기판(W)의 처리면으로부터 비산되는 처리액을 회수통으로 안내하는 처리액 안내부재가 제공된다.
처리액 안내부재는 기판의 회전속도와 동일한 속도로 회전되므로, 기판으로부터 비산되는 처리액이 처리액 안내부재로 이동될 때 동일한 방향으로 이동된다. 따라서, 기판으로부터 비산되는 처리액이 처리액 안내부재와 강하게 충돌되는 것을 방지하므로, 종래의 기판으로부터 비산되는 처리액이 회수통과 강하게 충돌하는 구조에 비해 처리액의 충돌에 의해 방생되는 흄(fume)의 발생을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 처리액 안내부재가 기판으로부터 비산되는 처리액을 각각의 회수통의 개구를 향해 효과적으로 유도시켜주므로, 사용되는 처리액의 회수량을 상승시킨다.
또한, 본 발명은 종래의 넓은 크기의 개구를 가지는 회수통으로 처리액이 회수되는 구조에 비해 사용된 처리액이 처리액 안내부재의 좁은 유출구를 통해 회수통의 개구로 안내되므로, 회수통으로 유입된 처리액이 다시 기판의 처리면으로 재유입되어 기판을 오염시키는 현상을 방지한다.
또한, 본 발명은 회수통의 용적을 감소시킬 수 있어 기판 처리 장치의 크기 를 줄일 수 있다. 특히, 기판 처리 장치의 높이를 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 공정이 수행되는 공간 내 하강기류를 발생시킬 수 있어 파티클과 같은 부유성 오염물질들 및 공정시 사용되는 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 효과적으로 배기시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 처리액 안내부재가 사용된 처리액을 회수하고자 하는 회수통으로 유도시킨다. 따라서, 처리액이 회수하고자 하는 회수통이 아닌 다른 회수통으로 유입되거나, 하우징 내 다른 영역으로 비산되는 것을 방지하여 처리액의 회수율을 향상시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 처리액의 회수시 회수되는 처리액이 회수통과 강하게 충돌하는 것을 방지한다. 따라서, 처리액이 기판으로 재유입되어 기판을 오염시키는 것을 방지하고, 처리액 회수시 흄의 발생을 줄일 수 있어 설비의 오염을 줄일 수 있다. 그리고, 유독성 가스의 발생을 줄일 수 있어 작업 환경의 안정성을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 처리액들을 회수하는 각각의 회수통들의 용적을 줄일 수 있어, 장치의 크기를 감소시킨다.
또한, 본 발명은 처리액 안내부재가 사용된 처리액을 효과적으로 회수통으로 안내하므로 처리액의 회수율을 향상시킨다.

Claims (10)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과,
    상기 하우징 내에 회전가능하도록 배치되어 공정시 기판을 지지하는 지지체와,
    상기 지지체에 놓여진 기판상에 처리액을 공급하는 노즐부재와,
    상기 지지체의 측부에서 상기 기판 지지부재의 둘레를 감싸도록 환형으로 구비되며, 처리액이 유입되는 개구가 제공되는 회수통과,
    공정시 상기 지지체와 상기 회수통 사이에서 기판의 측부를 감싸도록 환형으로 제공되어, 상기 노즐부재로부터 공급된 후 기판으로부터 비산되는 처리액을 상기 회수통으로 안내하는 처리액 안내부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액 안내부재는,
    상기 지지체의 외측벽에 상기 지지체와 함께 회전되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 회수통들은,
    복수개가 상하 적층되도록 배치되고,
    상기 지지체 및 상기 처리액 안내부재는,
    처리액 회수시 각각의 상기 회수통들이 처리액들 중 회수하고자 하는 처리액을 회수하도록 상하로 승강되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 안내부재에는,
    공정시 기판(W)으로 공급되는 처리액을 유입하는 유입구와,
    상기 유입구로부터 유입된 처리액을 상기 회수통으로 유출시키는 유출구가 제공되되,
    상기 유입구는 상기 유출구 보다 넓은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정시 기판의 처리면으로부터 비산되는 처리액을 상기 회수통으로 안내하기 위한 안내 위치 및 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 이동경로를 방해하지 않도록 위치되는 대기 위치 상호간에 상기 처리액 안내부재를 이동시키는 이동부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 유출구는,
    상기 회수통의 개구 보다 좁은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 이동부재는,
    상기 기판 지지부재의 외측벽으로부터 연장되는 제 1 지지대와,
    상기 제 1 지지대와 수직하게 설치되는 제 2 지지대와,
    상기 제 2 지지대를 상하로 승강시키는 승강부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    공정 진행시 상기 하우징 내 공간에 하강기류를 발생시키는 기류 발생부재를 더 포함하되,
    상기 기류 발생부재는,
    상기 몸체의 외측면으로부터 돌출되는, 그리고 상기 몸체의 중심을 기준으로 균등한 각도로 형성되고, 각각이 상기 몸체의 회전방향으로 갈수록 상향되는 나선형상을 가지는 복수의 블레이드들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 회전가능한 지지체에 지지된 기판의 처리면으로 처리액을 공급하고, 사용된 처리액을 상기 지지체의 외측에 제공되는 회수통으로 회수시켜 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정시 사용된 처리액을 유입시키도록 기판의 측부를 감싸는 유입구가 제공된 처리액 안내부재를 상기 지지체와 상기 회수통 사이에 위치시킨 후 상기 유입구로 유입된 처리액을 상기 유입구보다 좁은 유출구를 통해 상기 회수통으로 유도시켜 처리액을 회수하는 것을 특징으로 하는 처리액 회수 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 처리액 회수 방법은,
    상기 공정시 상기 공정이 이루어지는 공간 내 하강기류를 발생시켜, 상기 공간 내 부유성 이물질들과 상기 처리액으로부터 발생되는 흄(fume)을 상기 공간의 상부 영역으로부터 상기 공간의 하부 영역으로 이동시킨 후 배기하는 것을 특징으로 하는 처리액 회수 방법.
KR1020060054361A 2006-06-16 2006-06-16 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법 KR100787996B1 (ko)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997016B1 (ko) * 2008-07-16 2010-11-25 주식회사 케이씨텍 매엽식 기판 처리 장치
KR101276091B1 (ko) * 2011-09-20 2013-06-18 주식회사 제우스 기판 세정장치
KR101337303B1 (ko) * 2013-02-27 2013-12-05 청진테크 주식회사 세정장비의 세정유체 분리회수장치
KR20150073681A (ko) * 2013-12-23 2015-07-01 세메스 주식회사 처리액공급유닛
CN107968061A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗液回收装置
CN110603628A (zh) * 2017-02-06 2019-12-20 平面半导体公司 处理污水的去除
US10985039B2 (en) 2017-02-06 2021-04-20 Planar Semiconductor, Inc. Sub-nanometer-level substrate cleaning mechanism
US11069521B2 (en) 2017-02-06 2021-07-20 Planar Semiconductor, Inc. Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004223322A (ja) 2003-01-20 2004-08-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20050107806A (ko) * 2003-03-20 2005-11-15 세즈 아게 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법
KR20060032949A (ko) * 2003-08-29 2006-04-18 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004223322A (ja) 2003-01-20 2004-08-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR20050107806A (ko) * 2003-03-20 2005-11-15 세즈 아게 디스크상 물품의 습식 처리장치 및 처리방법
KR20060032949A (ko) * 2003-08-29 2006-04-18 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100997016B1 (ko) * 2008-07-16 2010-11-25 주식회사 케이씨텍 매엽식 기판 처리 장치
KR101276091B1 (ko) * 2011-09-20 2013-06-18 주식회사 제우스 기판 세정장치
KR101337303B1 (ko) * 2013-02-27 2013-12-05 청진테크 주식회사 세정장비의 세정유체 분리회수장치
KR20150073681A (ko) * 2013-12-23 2015-07-01 세메스 주식회사 처리액공급유닛
KR102310463B1 (ko) 2013-12-23 2021-10-12 세메스 주식회사 처리액공급유닛 및 이를 가지는 기판처리장치
CN110603628A (zh) * 2017-02-06 2019-12-20 平面半导体公司 处理污水的去除
US10892172B2 (en) 2017-02-06 2021-01-12 Planar Semiconductor, Inc. Removal of process effluents
US10985039B2 (en) 2017-02-06 2021-04-20 Planar Semiconductor, Inc. Sub-nanometer-level substrate cleaning mechanism
US11069521B2 (en) 2017-02-06 2021-07-20 Planar Semiconductor, Inc. Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism
CN110603628B (zh) * 2017-02-06 2023-11-07 平面半导体公司 处理污水的去除
US11830726B2 (en) 2017-02-06 2023-11-28 Planar Semiconductor Corporation Pte. Ltd. Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism
CN107968061A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗液回收装置

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