KR20090029632A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20090029632A
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오사무 타마다
마사카즈 사나다
타다시 미야기
슈이치 야스다
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

[과제]
장치의 공간절약을 실현하면서, 기판 단면의 오염에 기인한 문제(결함 발생, 트랙이나 노광장치로의 상호오염 등)를 회피할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결수단]
기판(基板)의 단면(端面)을 세정하는 단면세정처리(端面洗淨處理)유닛(ＥＣ)을 구비하는 세정처리부(洗淨處理部)(93)를, 인덱서블록(9)에 배치한다. 인덱서블록(9)에 설치된 인덱서로봇(ＩＲ)은, 카세트(Ｃ)로부터 꺼낸 미처리 기판(Ｗ)을, 처리부인 반사방지막용(反射防止膜用) 처리블록(10)으로 반송하기 전에 세정처리부(93)에 반송한다. 세정처리부(93)에서는, 기판(Ｗ)의 단면(端面) 및 이면(裏面)을 세정한다. 즉, 단면 및 이면이 오염된 기판(Ｗ)이 처리부에 반입되는 일이 없으므로, 기판의 단면이나 이면의 오염에 기인한 문제를 회피할 수 있다.

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 반도체기판, 액정표시장치용 글라스기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기(磁氣)디스크용 기판, 광자기(光磁氣)디스크용 기판, 포토마스크용 글라스기판 등(이하, 단지「기판」이라 한다)의 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
반도체나 액정디스플레이 등의 제품은, 기판에 대해 일련의 처리(예컨대, 세정, 레지스트 도포(塗布), 노광(露光), 현상(現像), 에칭, 층간절연막(層間絶緣膜)의 형성, 열처리, 다이싱 등의 일련의 처리)을 행함으로써 제조된다.
이들 처리를 행하는 기판처리장치는, 예를 들면, 복수의 처리블록(기판표면에 반사방지막(反射防止膜)을 형성하는 반사방지막용 처리블록, 반사방지막 위에 레지스트막(膜)을 도포하는 레지스트막용 처리블록, 노광 후의 기판을 현상하는 현상처리블록 등)을 병설(竝設)한 구성을 갖추어, 노광처리를 행하는 노광장치(露光裝置)에 인접해서 배치된다.
기판은, 각(各) 처리블록에 소정의 순서로 반송되면서 일련의 처리를 받는다. 즉, 카세트에 수용된 미처리 기판은, 반송장치에 의해 1매씩 바깥으로 운반되 어, 인덱서블록을 통해 반사방지막용 처리블록에 반입된다. 그리하여, 그곳에서 표면에 반사방지막이 형성된다. 반사방지막이 형성된 기판은, 계속해서 레지스트막용 처리블록에 반입되어, 그곳에서 레지스트막이 도포된다. 레지스트막이 형성된 기판은, 일단 기판처리장치로부터 외부장치인 노광장치로 운반되어, 그곳에서 노광처리된다. 노광처리 후의 기판은 다시 기판처리장치 내에 반입되어, 현상처리블록에서 현상된다. 이들 처리를 받아 그 표면에 레지스트 패턴이 형성된 기판은, 인덱서블록을 통해 다시 카세트에 수용된다.
그런데, 카세트에 수용되어 있는 미처리 기판은, 반드시 청정한 상태에 있다고는 할 수 없다. 오염된 기판에 대해 일련의 처리가 실행되어 버리면 결함이 발생해 버린다. 또한, 단면(端面)이나 이면(裏面) 등에 파티클 등이 부착된 기판이 트랙 내에 반입되어 버리면, 트랙이나 노광장치로의 상호오염의 원인이 되어 버린다.
특히, 액침법(液浸法)(투영광학계(投影光學系)와 기판 사이에, 굴절률 n 이 대기(n=1)보다 큰 액체(예를 들면, n＝1.44의 순수(純水))를 채운 상태로 함으로써, 기판표면에서의 노광광(露光光)을 단파장화(短波長化)하여, 미세한 노광 패턴을 형성하는 것을 가능하게 하는 노광방법)에 의한 노광처리를 행하는 노광장치인 경우, 기판의 단면이나 이면 등에 부착된 파티클 등에 의해 노광장치의 렌즈가 오염되어, 노광패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생할 우려가 있다.
이러한 문제를 회피하기 위해, 기판의 단면을 세정하는 처리블록(단면세정처리블록)을 구비하는 기판처리장치(基板處理裝置)가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조). 여기서는, 단면세정처리블록에서 기판의 단면을 세정함으로써, 노광장치 내의 오염을 방지하고 있다.
[특허문헌 1] 일본특허공개 2007-5659호 공보
특허문헌 1에 기재된 구성에 의하면, 기판의 단면(端面)에 부착된 파티클 등에 의해 노광장치 내(內)가 오염된다고 하는 사태를 방지할 수 있다. 그러나, 단면을 세정하기 위한 처리블록을 설치하는 구성에서는, 장치의 설치면적이 확대해 버린다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 장치의 공간절약을 실현하면서도, 기판 단면의 오염에 기인한 문제(결함 발생, 트랙이나 노광장치로의 상호오염 등)를 회피할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
청구항 1의 발명은, 기판에 대해 소정의 처리를 행하는 1 이상의 처리유닛을 배치한 처리부와, 미처리 기판을 외부로부터 받아들여 상기 처리부에 건네 줌과 아울러, 처리완료 기판을 상기 처리부로부터 받아서 외부로 반출하는 인덱서부(部)를 구비하며, 상기 인덱서부가, 상기 처리부에 건네주기 전의 기판 단면(端面)을 세정하는 단면세정부(端面洗淨部)를 구비한다.
청구항 2의 발명은, 청구항 1에 기재된 기판처리장치로서, 상기 단면세정부가, 소정의 세정액에 초음파진동을 부여하는 초음파진동(超音波振動)부여수단과, 상기 초음파진동이 부여된 상기 세정액을 피세정(被洗淨) 기판의 단면에 공급하는 토출(吐出)노즐을 구비한다.
청구항 3의 발명은, 청구항 2에 기재된 기판처리장치로서, 상기 단면세정부 가, 수평방향을 따른 양단부(兩端部)가 개방되고, 단면(斷面) ㄷ자형의 형상을 가진 액(液)고임부 형성부재를 더 구비하며, 상기 액고임부 형성부재의 내측공간에 상기 토출노즐로부터 상기 세정액을 토출함으로써 형성된 액고임부에 상기 피세정 기판의 단부(端部)를 담가 상기 피세정 기판의 단면(端面)을 세정한다.
청구항 4의 발명은, 청구항 1에 기재된 기판처리장치로서, 상기 단면세정부가, 세정액과 가압된 기체를 혼합해 세정액의 액적(液滴)을 생성하여 피세정 기판의 단면에 공급하는 이류체(二流體)노즐을 구비한다.
청구항 5의 발명은, 청구항 1에 기재된 기판처리장치로서, 상기 단면세정부가, 피세정 기판에 소정의 세정액을 공급하는 세정액공급수단과, 상기 피세정 기판의 단면에 슬라이딩 접촉하는 세정브러시를 구비한다.
청구항 6의 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 기판처리장치로서, 상기 인덱서부가, 상기 처리부에 건네주기 전의 기판 상하면(上下面)을 반전시키는 반전부(反轉部)와, 상기 처리부에 건네주기 전의 기판 이면을 세정하는 이면세정부(裏面洗淨部)를 더 구비한다.
청구항 7의 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 기판처리장치로서, 상기 인덱서부가, 복수의 기판을 수용하는 카세트를 재치하는 카세트재치부(載置部)와, 소정의 지지수단으로 기판을 지지하여, 상기 카세트, 상기 처리부 및 상기 단면세정부 사이에서 기판을 반송하는 기판반송장치(基板搬送裝置)를 더 구비하며, 상기 기판반송장치가, 그 단면부(端面部)가 세정되기 전의 기판을 지지하는 제1 지지수단과, 그 단면부가 세정된 후의 기판을 지지하는 제2 지지수단을 구비한 다.
청구항 1 내지 7에 기재된 발명에 의하면, 기판의 단면을 세정하는 단면세정부를 인덱서부에 설치하므로, 장치의 공간절약을 실현할 수 있다. 또한, 처리부에 건네주기 전에 기판의 단면을 세정할 수 있으므로, 처리부에 반입되는 기판의 단면을 청정한 상태로 할 수 있다. 이에 의해, 결함 발생 및 처리부로의 상호오염을 회피할 수 있다.
특히, 청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 기판의 단면에 초음파진동이 부여된 세정액을 공급할 수 있으므로, 기판의 단면에 부착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
특히, 청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 세정액의 액고임부에 피세정 기판의 단부를 담근 상태로 하므로, 기판의 단면 전체를 확실히 세정액에 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 높은 세정효과를 얻을 수 있다.
특히, 청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 기판의 단면에 세정액과 가압된 기체를 혼합함으로써 생성된 세정액의 액적을 공급할 수 있으므로, 기판의 단면에 부착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
특히, 청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 기판의 단면에 세정브러시를 슬라이딩 접촉시킴으로써, 기판의 단면에 부착된 파티클을 확실하게 제거할 수 있다.
특히, 청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 처리부에 건네주기 전에 기판의 이면을 세정할 수 있으므로, 처리부에 반입되는 기판의 이면을 청정한 상태로 할 수 있다. 이에 의해, 기판의 이면에 부착된 파티클 등에 의해 처리부가 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 이면세정부(裏面洗淨部)를 인덱서부에 설치하므로, 장치의 공간절약을 실현할 수 있다.
특히, 청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 단면이 세정되기 전의 기판을 지지하는 지지수단과, 단면이 세정된 후의 기판을 지지하는 지지수단을 구별해서 사용하므로, 단면이 세정된 후의 기판이 오염된 지지수단에 지지됨으로써 다시 오염되어 버린다고 하는 사태를 회피할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 기판처리장치(500)에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 설명에서 참조되는 도면에는, 각부(各部)의 위치관계나 동작방향을 명확화하기 위해, 공통의 ＸＹＺ 직교좌표계를 적당히 부여하고 있다.
<1. 기판처리장치(500)의 구성>
처음으로, 기판처리장치(500)의 전체 구성을 도 1∼도 3을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 기판처리장치(500)의 전체 구성을 나타내는 평면도이다. 기판처리장치(500)는, 액침노광처리(液浸露光處理)의 전후에 있어서, 기판(Ｗ)에 도포(塗布)처리, 열처리, 현상(現像)처리 등의 일련의 처리를 행하는 장치이다.
기판처리장치(500)는, 주로, 인덱서블록(9)과, 인덱서블록(9)으로부터 반입되는 기판(Ｗ)에 대해서 소정의 처리를 행하는 1 이상의 처리유닛을 각각 배치한 복수의 처리부(반사방지막(反射防止膜)용 처리블록(10), 레지스트막(膜)용 처리블 록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막 제거블록(14), 세정/건조처리블록(15) 및 인터페이스블록(16))를 이 순서대로 병설한 구성으로 되어 있다.
또한, 인터페이스블록(16)의 ＋Ｙ측에는, 이 기판처리장치(500)와는 다른 노광장치(17)가 접속된다. 노광장치(17)는, 기판(Ｗ)에 대해 액침노광처리를 행하는 기능을 갖고 있다.
인덱서블록(9)은, 미처리 기판을 외부로부터 받아들여 처리부에 건네 줌과 아울러, 처리완료 기판을 처리부로부터 받아서 외부로 반출하는 기능부이다. 더 구체적으로는, 복수의 기판(Ｗ)을 수용하는 카세트(캐리어)(Ｃ)로부터 미처리 기판을 꺼내어 처리부인 반사방지막용 처리블록(10)에 건네 줌과 아울러, 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 처리완료 기판을 받아서 카세트(Ｃ)에 수용한다.
인덱서블록(9)에는, 각 블록의 동작을 제어하는 메인 컨트롤러(제어부)(91)와, 1 이상의 카세트재치대(載置臺)(92)와, 세정처리부(93)와, 인덱서로봇(ＩＲ)이 설치되어 있다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＩＲＨ1, ＩＲＨ2)를 상하에 갖고 있다. 이 중, 한쪽 핸드(ＩＲＨ1)(세정전용(洗淨前用) 핸드(ＩＲＨ1))는, 세정처리부(93)에서 세정처리가 행해지기 전의 기판(Ｗ) 반송에 사용된다. 또한, 다른 쪽 핸드(ＩＲＨ2)(세정후용(洗淨後用) 핸드(ＩＲＨ2))는, 세정처리부(93)에서 세정처리가 행해진 후의 기판(Ｗ) 반송에 사용된다. 인덱서블록(9)의 레이아웃에 대해서는 뒤에 설명한다.
반사방지막용 처리블록(10)에는, 반사방지막용 열처리부(100, 101)와, 반사 방지막용 도포처리부(30)와, 제2 센터로봇(ＣＲ2)이 설치되어 있다. 반사방지막용 열처리부(100, 101)와 반사방지막용 도포처리부(30)는, 제2 센터로봇(ＣＲ2)을 사이에 두고 서로 대향배치(對向配置)되어 있다. 제2 센터로봇(ＣＲ2)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ1, ＣＲＨ2)를 상하에 갖고 있다.
인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(20)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(20)의 일부분에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ1, ＰＡＳＳ2)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상단(上段)의 기판재치부(ＰＡＳＳ1)는, 기판(Ｗ)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용되며, 하단(下段)의 기판재치부(ＰＡＳＳ2)는, 기판(Ｗ)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)으로 반송할 때 사용된다.
레지스트막용 처리블록(11)에는, 레지스트막용 열처리부(110, 111)와, 레지스트막용 도포처리부(40)와, 제3 센터로봇(ＣＲ3)이 설치되어 있다. 레지스트막용 열처리부(110, 111)와 레지스트막용 도포처리부(40)는, 제3 센터로봇(ＣＲ3)을 사이에 두고 서로 대향배치되어 있다. 제3 센터로봇(ＣＲ3)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ3, ＣＲＨ4)를 상하에 갖고 있다.
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(21)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(21)의 일부분에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ3, ＰＡＳＳ4)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상 단의 기판재치부(ＰＡＳＳ3)는, 기판(Ｗ)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 사용되며, 하단의 기판재치부(ＰＡＳＳ4)는, 기판(Ｗ)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때 사용된다.
현상처리블록(12)에는, 현상용 열처리부(120, 121)와, 현상처리부(50)와, 제4 센터로봇(ＣＲ4)이 설치되어 있다. 현상용 열처리부(120, 121)와 현상처리부(50)는, 제4 센터로봇(ＣＲ4)을 사이에 두고 서로 대향배치되어 있다. 제4 센터로봇(ＣＲ4)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ5, ＣＲＨ6)를 상하에 갖고 있다.
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(22)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(22)의 일부분에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ5, ＰＡＳＳ6)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상단의 기판재치부(ＰＡＳＳ5)는, 기판(Ｗ)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용되며, 하단의 기판재치부(ＰＡＳＳ6)는, 기판(Ｗ)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)으로 반송할 때 사용된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)에는, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)와, 레지스트 커버막용 도포처리부(60)와, 제5 센터로봇(ＣＲ5)이 설치되어 있다. 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)와 레지스트 커버막용 도포처리부(60)는, 제5 센터로봇(ＣＲ5)을 사이에 두고 서로 대향배치되어 있다. 제5 센터로봇(Ｃ Ｒ5)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ7, ＣＲＨ8)를 상하에 갖고 있다.
현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(23)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(23)의 일부분에는, 현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ7, ＰＡＳＳ8)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상단의 기판재치부(ＰＡＳＳ7)는, 기판(Ｗ)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용되며, 하단의 기판재치부(ＰＡＳＳ8)는, 기판(Ｗ)을 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)으로 반송할 때 사용된다.
레지스트 커버막 제거블록(14)에는, 레지스트 커버막 제거용 처리부(70a, 70b)와, 제6 센터로봇(ＣＲ6)이 설치되어 있다. 레지스트 커버막 제거용 처리부(70a, 70b)는, 제6 센터로봇(ＣＲ6)을 사이에 두고 서로 대향배치되어 있다. 제6 센터로봇(ＣＲ6)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ9, ＣＲＨ10)를 상하에 갖고 있다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막 제거블록(14) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(24)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(24)의 일부분에는, 레지스트 커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막 제거블록(14) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ9, ＰＡＳＳ10)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상단의 기판재치부(ＰＡＳＳ9)는, 기판(Ｗ)을 레지스트 커버막용 처 리블록(13)으로부터 레지스트 커버막 제거블록(14)으로 반송할 때 사용되며, 하단의 기판재치부(ＰＡＳＳ10)는, 기판(Ｗ)을 레지스트 커버막 제거블록(14)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로 반송할 때 사용된다.
세정/건조처리블록(15)에는, 노광후 베이크용(用) 열처리부(150, 151)와, 세정/건조처리부(80)와, 제7 센터로봇(ＣＲ7)이 설치되어 있다. 노광후 베이크용 열처리부(151)는, 인터페이스블록(16)에 인접하며, 후술하는 바와 같이 기판재치부(ＰＡＳＳ13, ＰＡＳＳ14)를 갖고 있다. 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)와 세정/건조처리부(80)는, 제7 센터로봇(ＣＲ7)을 사이에 두고 서로 대향배치되어 있다. 또한, 제7 센터로봇(ＣＲ7)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ11, ＣＲＨ12)를 상하에 갖고 있다.
레지스트 커버막 제거블록(14)과 세정/건조처리블록(15) 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(25)이 설치되어 있다. 또한, 격벽(25)의 일부분에는, 레지스트 커버막 제거블록(14)과 세정/건조처리블록(15) 사이에서 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(ＰＡＳＳ11, ＰＡＳＳ12)가 상하에 근접해서 설치되어 있다. 상단의 기판재치부(ＰＡＳＳ11)는, 기판(Ｗ)을 레지스트 커버막 제거블록(14)으로부터 세정/건조처리블록(15)으로 반송할 때 사용되며, 하단의 기판재치부(ＰＡＳＳ12)는, 기판(Ｗ)을 세정/건조처리블록(15)으로부터 레지스트 커버막 제거블록(14)으로 반송할 때 사용된다.
인터페이스블록(16)에는, 제8 센터로봇(ＣＲ8)과, 센드버퍼부(ＳＢＦ)와, 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)와, 에지노광부(ＥＥＷ)가 설치되어 있다. 또한, 에지 노광부(ＥＥＷ)의 하측에는, 후술하는 기판재치부(ＰＡＳＳ15, ＰＡＳＳ16) 및 리턴버퍼부(ＲＢＦ)가 설치되어 있다. 제8 센터로봇(ＣＲ8)은, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(ＣＲＨ13, ＣＲＨ14)를 상하에 갖고 있다. 또한, 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)는, 기판(Ｗ)의 주고받기를 행하는 2개의 핸드(Ｈ1, Ｈ2)를 상하에 갖고 있다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치(500)를 ＋Ｘ측으로부터 본 측면도이다. 인덱서블록(9)의 세정처리부(93)(도 1 참조)는, 1 이상의 처리유닛(931)(단면세정처리유닛(ＥＣ), 2개의 반전유닛(ＲＥＶ1, ＲＥＶ2) 및 이면세정유닛(ＳＯＡＫ))이 상하에 적층배치되어 있다. 각 처리유닛(931)의 구체적인 구성에 대해서는, 뒤에 설명한다.
반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 도포처리부(30)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(ＢＡＲＣ)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(ＢＡＲＣ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(31)과, 스핀척(31) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(32)과, 기판주연부(基板周緣部)에 형성된 반사방지막을 제거하기 위한 제거노즐(도시생략)을 구비한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 도포처리부(40)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(ＲＥＳ)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(ＲＥＳ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(41)과, 스핀척(41) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(42)과, 기판 주연부에 형성된 레지스트막을 제거하기 위한 제거노즐(도시생략)을 구비한다.
현상처리블록(12)의 현상처리부(50)(도 1 참조)에는, 5개의 현상처리유닛(ＤＥＶ)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 현상처리유닛(ＤＥＶ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(51)과, 스핀척(51) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 현상액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용 도포처리부(60)(도 1 참조)에는, 3개의 도포유닛(ＣＯＶ)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(ＣＯＶ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(61)과, 스핀척(61) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 레지스트 커버막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)과, 기판 주연부에 형성된 레지스트 커버막을 제거하기 위한 제거노즐(63)(도시생략)을 구비한다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 레지스트 커버막 제거용 처리부(70b)(도 1 참조)에는, 3개의 제거유닛(ＲＥＭ)이 상하에 적층배치되어 있다. 각 제거유닛(ＲＥＭ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(71)과, 스핀척(71) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 레지스트 커버막을 용해(溶解)시키는 제거액(예컨대 불소수지)을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.
세정/건조처리블록(15)의 세정/건조처리부(80)(도 1 참조)에는, 3개의 세정/건조처리유닛(ＳＤ)이 적층배치되어 있다. 각 세정/건조처리유닛(ＳＤ)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(81)과, 스핀척(81) 위에 지지된 기판(Ｗ)에 세정액(예컨대 순수(純水))을 공급하는 공급노즐(82)을 구비한다.
인터페이스블록(16)에는, 2개의 에지노광부(ＥＥＷ)와, 기판재치부(ＰＡＳＳ 15, ＰＡＳＳ16)와, 리턴버퍼부(ＲＢＦ)가 상하에 적층배치되어 있음과 아울러, 제8 센터로봇(ＣＲ8)(도 1 참조) 및 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)가 배치되어 있다. 각 에지노광부(ＥＥＷ)는, 기판(Ｗ)을 수평자세로 흡착지지해서 회전하는 스핀척(98)과, 스핀척(98) 위에 지지된 기판(Ｗ) 주연(周緣)을 노광하는 광조사기(光照射器)(99)를 구비한다.
도 3은, 도 1의 기판처리장치(500)를 －Ｘ측으로부터 본 측면도이다.
반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 각각, 2개의 가열유닛(핫 플레이트)(ＨＰ)과 2개의 냉각유닛(쿨링 플레이트)(ＣＰ)이 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)의 최상부에는, 냉각유닛(ＣＰ) 및 가열유닛(ＨＰ)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(ＬＣ)가 각각 배치되어 있다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 각각, 2개의 가열유닛(ＨＰ)과 2개의 냉각유닛(ＣＰ)이 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)의 최상부에는, 냉각유닛(ＣＰ) 및 가열유닛(ＨＰ)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(ＬＣ)가 각각 배치되어 있다.
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 각각, 2개의 가열유닛(ＨＰ)과 2개의 냉각유닛(ＣＰ)이 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 현상용 열처리부(120, 121)의 최상부에는, 냉각유닛(ＣＰ) 및 가열유닛(ＨＰ)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(ＬＣ)가 각각 배치되어 있다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 는, 각각, 2개의 가열유닛(ＨＰ)과 2개의 냉각유닛(ＣＰ)이 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)의 최상부에는, 냉각유닛(ＣＰ) 및 가열유닛(ＨＰ)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(ＬＣ)가 각각 배치되어 있다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 레지스트 커버막 제거용 처리부(70a)에는, 3개의 제거유닛(ＲＥＭ)이 상하에 적층배치되어 있다.
세정/건조처리블록(15)의 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)에는, 각각, 2개의 가열유닛(ＨＰ)과 2개의 냉각유닛(ＣＰ)이 상하에 적층배치되어 있다. 또한, 노광후 베이크용 열처리부(151)에는, 기판재치부(ＰＡＳＳ13, ＰＡＳＳ14)도 배치되어 있다. 또한, 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)의 최상부에는, 냉각유닛(ＣＰ) 및 가열유닛(ＨＰ)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(ＬＣ)가 각각 배치되어 있다.
또한, 도포유닛(ＢＡＲＣ, ＲＥＳ, ＣＯＶ), 세정/건조처리유닛(ＳＤ), 제거유닛(ＲＥＭ), 현상처리유닛(ＤＥＶ), 가열유닛(ＨＰ) 및 냉각유닛(ＣＰ)의 수는, 각 블록의 처리속도에 따라 적당하게 변경되어도 좋다.
<2. 기판처리장치(500)의 동작>
계속해서, 기판처리장치(500)의 처리동작에 대해, 도 1∼도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는, 기판처리장치의 동작 흐름을 나타내는 도면이다. 또한, 이하에 설명하는 각 구성부의 동작은, 제어부(91)에 의해 제어된다.
이 기판처리장치(500)에서 기판(Ｗ)의 처리를 행할 때에는, 우선, 인덱서블 록(9)의 카세트재치대(92) 위에, 복수 매의 기판(Ｗ)이 다단(多段)으로 수납된 카세트(캐리어)(Ｃ)가 반입된다(스텝 Ｓ1).
카세트재치대(92) 위에 카세트(Ｃ)가 재치되면, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정전용(洗淨前用) 핸드(ＩＲＨ1)를 사용해 카세트(Ｃ) 내에 수납된 미처리 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 그리고, 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｘ축방향으로 이동해, 미처리 기판(Ｗ)을 세정처리부(93)로 반송한다. 세정처리부(93)에서는, 기판(Ｗ)의 단면(端面) 및 이면(裏面)의 세정처리가 행해진다 (스텝 Ｓ2). 이 처리에 대해서는 뒤에 설명한다. 다만, 본 명세서에서「단면(端面)」이란, 기판(Ｗ)의 측면(側面) 및, 기판(Ｗ)의 상하면(上下面)으로서 그 주연(周緣)으로부터 3∼4mm의 환상(環狀)영역을 가리킨다.
단면 및 이면의 세정처리가 종료하면, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정후용(洗淨後用) 핸드(ＩＲＨ2)를 사용하여 세정처리부(93)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내고, Ｘ축방향으로 이동하면서 θ방향으로 회전하여 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ1)에 재치한다.
반사방지막용 처리블록(10)의 제2 센터로봇(ＣＲ2)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ1)에 재치된 기판(Ｗ)를 받아서, 반사방지막용 도포처리부(30)의 도포유닛(ＢＡＲＣ)으로 해당 기판(Ｗ)을 반송한다. 도포유닛(ＢＡＲＣ)에서는, 노광처리시에 발생하는 정재파(定在波)나 할레이션을 감소시키기 위한 반사방지막이 기판(Ｗ)의 상면에 도포형성된다(스텝 Ｓ3). 또한, 기판(Ｗ)의 주연부로부터 소정 폭의 영역에 형성된 반사방지막은, 도포유닛(ＢＡＲＣ) 내의 제거노즐로부터 토출되는 제거액에 의해 제거된다.
그 후, 제2 센터로봇(ＣＲ2)은, 반사방지막용 도포처리부(30)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 반사방지막용 열처리부(100, 101)에서는, 기판(Ｗ)에 대해 소정의 열처리(가열처리 및 냉각처리)가 행해진다(스텝 Ｓ4). 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에서의 열처리가 종료하면, 제2 센터로봇(ＣＲ2)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ3)에 재치한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 제3 센터로봇(ＣＲ3)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ3)에 재치된 기판(Ｗ)를 받아서, 레지스트막용 도포처리부(40)의 도포유닛(ＲＥＳ)에 해당 기판(Ｗ)을 반송한다. 도포유닛(ＲＥＳ)에서는, 기판(Ｗ) 상면의 반사방지막 상부에, 레지스트막이 도포형성된다(스텝 Ｓ5). 또한, 기판(Ｗ)의 주연부로부터 소정 폭의 영역에 형성된 레지스트막은, 도포유닛(ＲＥＳ) 내의 제거노즐로부터 토출되는 제거액에 의해 제거된다.
그 후, 제3 센터로봇(ＣＲ3)은, 레지스트막용 도포처리부(40)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 레지스트막용 열처리부(110, 111)에서는, 기판(Ｗ)에 대해 소정의 열처리(가열처리 및 냉각처리)가 행해진다(스텝 Ｓ6). 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에서의 열처리가 종료하면, 제3 센터로봇(ＣＲ3)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ5)에 재치한다.
현상처리블록(12)의 제4 센터로봇(ＣＲ4)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ5)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ7)에 재치한다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제5 센터로봇(ＣＲ5)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ7)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 레지스트 커버막용 도포처리부(60)의 도포유닛(ＣＯＶ)으로 해당 기판(Ｗ)을 반송한다. 도포유닛(ＣＯＶ)에서는, 기판(Ｗ) 상면의 레지스트막 상부에, 레지스트 커버막이 도포형성된다(스텝 Ｓ7). 또한, 기판(Ｗ)의 주연부로부터 소정 폭의 영역에 형성된 레지스트 커버막은, 도포유닛(ＣＯＶ) 내의 제거노즐로부터 토출되는 제거액에 의해 제거된다.
그 후, 제5 센터로봇(ＣＲ5)은, 레지스트 커버막용 도포처리부(60)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에서는, 기판(Ｗ)에 대해 소정의 열처리(가열처리 및 냉각처리)가 행해진다(스텝 Ｓ8). 또한, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에서의 열처리가 종료하면, 제5 센터로봇(ＣＲ5)은, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ9)에 재치한다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 제6 센터로봇(ＣＲ6)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ9)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ11)에 재치한다. 또한, 세정/건조처리블록(15)의 제7 센터로봇(ＣＲ7)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ11)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ13)에 재치한다. 또한, 인터페이스블록(16)의 제8 센터로봇(ＣＲ8)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ13)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ15)에 재치한다. 또한, 인터페이스블록(16)에서 기판(Ｗ)이 에지노광부(ＥＥＷ)에 반입되 어, 기판(Ｗ)의 주연부에 노광처리가 행해져도 좋다.
인터페이스블록(16)의 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)는, 기판재치부(ＰＡＳＳ15)에 재치된 기판(Ｗ)을 노광장치(露光裝置)(17)의 기판반입부(17a)에 반입한다(스텝 Ｓ9). 또한, 노광장치(17)가 기판(Ｗ)을 받아들이지 않은 경우에는, 기판(Ｗ)은 센드버퍼부(ＳＢＦ)에 일시적으로 수납보관된다. 노광장치(17)에서는, 기판(Ｗ)에 대해 액침노광처리가 행해져, 기판(Ｗ) 상면에 소정의 전자(電子)패턴이 노광된다.
그 후, 인터페이스블록(16)의 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)는, 노광장치(17)의 기판반출부(17b)로부터 노광처리 후의 기판(Ｗ)을 꺼내(스텝 Ｓ10), 세정/건조처리블록(15)의 세정/건조처리부(80)에 해당 기판(Ｗ)을 반입한다. 또한, 세정/건조처리부(80)가 기판(Ｗ)을 받아들이지 않은 경우에는, 기판(Ｗ)은 리턴버퍼부(ＲＢＦ)에 일시적으로 수납보관된다. 세정/건조처리부(80)의 세정/건조처리유닛(ＳＤ)에서는, 노광처리 후의 기판(Ｗ)에 대해, 세정처리 및 건조처리가 행해진다(스텝 Ｓ11).
세정/건조처리부(80)에서의 세정처리 및 건조처리가 종료하면, 인터페이스블록(16)의 인터페이스용 반송기구(ＩＦＲ)는, 세정/건조처리부(80)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ16)에 재치한다.
인터페이스블록(16)의 제8 센터로봇(ＣＲ8)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ16)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 세정/건조처리블록(15)의 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)로 해당 기판(Ｗ)을 반송한다. 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)에서는, 노 광처리 후의 기판(Ｗ)에 대해 소정의 열처리(가열처리 및 냉각처리)가 행해진다(스텝 Ｓ12). 또한, 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)에서의 열처리가 종료하면, 인터페이스블록(16)의 제8 센터로봇(ＣＲ8)은, 노광후 베이크용 열처리부(150, 151)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ14)에 재치한다. 또한, 세정/건조처리블록(15)의 제7 센터로봇(ＣＲ7)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ14)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ12)에 재치한다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 제6 센터로봇(ＣＲ6)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ12)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 레지스트 커버막 제거용 처리부(70a, 70b)의 제거유닛(ＲＥＭ)으로 해당 기판을 반입한다. 제거유닛(ＲＥＭ)에서는, 소정의 제거액에 의해 기판(Ｗ)의 상면으로부터 레지스트 커버막이 제거된다(스텝 Ｓ13).
그 후, 제6 센터로봇(ＣＲ6)은, 레지스트 커버막 제거용 처리부(70a, 70b)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ10)에 재치한다. 또한, 레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제5 센터로봇(ＣＲ5)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ10)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ8)에 재치한다.
또한, 현상처리블록(12)의 제4 센터로봇(ＣＲ4)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ8)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 현상처리부(50)의 현상처리유닛(ＤＥＶ)으로 해당 기판(Ｗ)을 반입한다. 현상처리유닛(ＤＥＶ)에서는, 기판(Ｗ)의 상면에 현상액이 공급됨으로써, 현상처리가 행해진다(스텝 Ｓ14).
그 후, 제4 센터로봇(ＣＲ4)은, 현상처리부(50)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 현상용 열처리부(120, 121)에서는, 기판(Ｗ)에 대해 소정의 열처리(가열처리 및 냉각처리)가 행해진다(스텝 Ｓ15). 또한, 현상용 열처리부(120, 121)에서의 열처리가 종료하면, 제4 센터로봇(ＣＲ4)은, 현상용 열처리부(120, 121)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ6)에 재치한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 제3 센터로봇(ＣＲ3)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ6)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ4)에 재치한다. 또한, 반사방지막용 처리블록(10)의 제2 센터로봇(ＣＲ2)은, 기판재치부(ＰＡＳＳ4)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ2)에 재치한다. 또한, 인덱서블록(9)의 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정후용 핸드(ＲＨ2)를 사용하여 기판재치부(ＰＡＳＳ2)에 재치된 기판(Ｗ)을 받아서, 해당 기판(Ｗ)을 카세트재치대(92) 위의 카세트(Ｃ)에 수납한다. 그 후, 카세트재치대(92) 위로부터 카세트(Ｃ)가 반출되어(스텝 Ｓ16), 기판처리장치(500)에서의 일련의 기판처리가 종료한다.
<3. 인덱서블록(9)의 레이아웃>
다음으로, 인덱서블록(9)의 구성에 대해 더 상세하게 설명한다. 상술한 바와 같이, 인덱서블록(9)에는, 제어부(91)와, 1 이상의 카세트재치대(92)와, 1 이상의 처리유닛(931)을 구비하는 세정처리부(93)와, 인덱서로봇(ＩＲ)이 설치되어 있다. 여기서, 이들 각부(各部)의 레이아웃에 대해, 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5의 (a) 및 (b)는, 인덱서블록(9)의 레이아웃 예(例)를 나타내는 평면도 및 측면도이다.
세정처리부(93)는, 카세트재치대(92)에 인접해서 배치된다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｘ방향으로 이동함으로써(화살표(ＡＲ901)), 임의의 카세트재치대(92) 및 세정처리부(93)에 액세스할 수 있다.
또한, 세정처리부(93)가 구비하는 1 이상(도 5에서는 4개)의 처리유닛(931)은, 적층하여 배치된다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｚ방향으로 신축함으로써(화살표(ＡＲ902), 임의의 처리유닛(931)에 액세스할 수 있다.
또한, 이 실시형태에서는, 세정처리부(93)는, 4개의 처리유닛(931)으로 구성되어 있지만, 세정처리부(93)는 반드시 4개의 처리유닛(931)으로 구성되지 않아도 좋다. 이에 대해서는, 뒤에 변형예로서 설명한다.
<4. 세정처리부(93)의 구성>
다음으로, 세정처리부(93)의 구성에 대해 더 상세하게 설명한다. 상술한 바와 같이, 세정처리부(93)는 처리유닛(931)으로서, 단면세정(端面洗淨)처리유닛(ＥＣ)과, 이면세정(裏面洗淨)유닛(ＳＯＡＫ)과, 2개의 반전유닛(ＲＥＶ)을 구비한다. 이들 각 유닛은, 예컨대, 도 6에 나타내는 바와 같이, 위로부터, 제1 반전유닛(ＲＥＶ1), 단면세정처리유닛(ＥＣ), 이면세정유닛(ＳＯＡＫ), 제2 반전유닛(ＲＥＶ2)의 순서로 적층배치된다. 다만, 처리유닛(931)의 적층순서는 이것에 한정되지 않는 다. 예컨대, 위로부터, 단면세정처리유닛(ＥＣ), 제1 반전유닛(ＲＥＶ1), 이면세정유닛(ＳＯＡＫ), 제2 반전유닛(ＲＥＶ2)의 순서로 적층배치하는 구성으로 해도 좋다.
다음으로, 각 유닛에 대해 더 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에서, 제1 및 제2 반전유닛(ＲＥＶ1, ＲＥＶ2)을 특히 구별하지 않는 경우에는, 단지「반전유닛(ＲＥＶ)」이라고 한다.
<4-1. 단면세정처리유닛(ＥＣ)>
단면세정처리유닛(ＥＣ)에 대해, 도 7, 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 7은, 단면세정처리유닛(ＥＣ)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 도 8의 (a) 및 (b)는, 노즐부분을 나타내는 측면도 및 평면도이다. 단면세정처리유닛(ＥＣ)은, 주로, 스핀척(210)과, 노즐이동기구(220)와, ㄷ자형(字型) 노즐(230)과, 초음파노즐(240)을 구비한다.
스핀척(210)은, 기판(Ｗ)을 수평자세로 지지함과 아울러 기판(Ｗ) 중심을 통과하는 연직인 회전축의 둘레로 기판(Ｗ)을 회전시킨다. 스핀척(210)은, 도시를 생략하는 전동모터에 의해 회전되는 회전축(211)의 상단에 고정되어 있다. 또한, 스핀척(210)에는 흡기로(吸氣路)(도시하지 않음)가 형성되어 있어, 스핀척(210) 위에 기판(Ｗ)을 재치한 상태에서 흡기로 내(內)를 배기함으로써, 기판(Ｗ)의 하면을 스핀척(210)에 진공흡착하여, 기판(Ｗ)을 수평자세로 지지할 수 있다.
노즐이동기구(220)는, 스핀척(210)의 측방(側方)이면서도 단면세정처리유닛 (ＥＣ)의 상부에 배치되어 있다. 또한, 노즐이동기구(220)에는, 하방(下方)으로 뻗은 봉(棒) 형상의 노즐지지부재(221)가 장착되어 있다. 노즐이동기구(220)를 구동 제어함으로써, 노즐지지부재(221)를 수평방향(화살표(ＡＲ221))으로 이동시킬 수 있다.
ㄷ자형 노즐(230)은, 노즐지지부재(221)의 하단에 장착되어, 스핀척(210)에 지지된 기판(Ｗ)과 거의 같은 높이에 위치해 있다. 노즐이동기구(220)를 구동제어하여 노즐지지부재(221)를 수평방향으로 이동시킴으로써, ㄷ자형 노즐(230)을 수평방향(화살표(ＡＲ230))으로 이동시킬 수 있다. ㄷ자형 노즐(230)은, 기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(210)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 단면위치(처리위치)에 놓여진다(도 7의 실선위치). 또한, 단면세정처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)의 단면위치부터 떨어진 퇴피위치에 놓여진다(도 7의 가상선위치).
ㄷ자형 노즐(230)은, 도 8에 나타내는 바와 같이, 수평방향을 따른 양단부(兩端部)(Ｔ)가 개방된 단면(斷面) ㄷ자형의 형상을 하고 있다. ㄷ자형 형상의 개방면(開放面)(ＤO)은, 스핀척(210)에 지지된 기판(Ｗ)의 단면(端面)(Ｒ)에 대향해 있다. 다시 말해, ㄷ자형 노즐(230)이 처리위치에 놓여지면, 피처리 기판(Ｗ)의 단부(端部)(Ｒ)가 ㄷ자형 노즐(230)의 상면(Ｄ1)과 하면(Ｄ2) 사이에 삽입되어, 단면(Ｒ)이 ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ) 내에 위치하는 상태가 된다. 다만, 여기서「단부(端部)」란 기판(Ｗ)의 주연으로부터 3∼4mm의 부분을 가리킨다.
초음파노즐(240)은, ㄷ자형 노즐(230)의 배면(背面)(Ｄ3)에 관통해서 장착되어 있다. 초음파노즐(240)에는, 세정액공급관(241)이 접속되어 있다. 세정액공급 관(241)의 타단(他端)은, 개폐밸브(242)를 통해 세정액공급원(243)에 접속되어 있다. 또한, 세정액으로서는, 예컨대 순수(純水), 순수에 착체(錯體)(이온화한 것)를 녹인 액 또는 불소약액 등이 사용된다. 개폐밸브(242)를 열면, 세정액공급관(243)을 통해서 초음파노즐(240)에 세정액이 공급되며, 초음파노즐(240)은, ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ)에 세정액을 토출한다.
또한, 초음파노즐(240)에는, 고주파진동자(250)가 장착되어 있다. 고주파진동자(250)는 고주파발생장치(도시생략)와 접속되어 있다. 고주파발생장치로부터 고주파진동자(250)에 고주파전류를 공급하면, 고주파진동자(250)가 초음파진동한다. 이에 의해, 초음파노즐(240) 안을 통과하는 세정액에 고주파전류값에 따른 고주파출력이 인가된다. 즉, 초음파진동 상태가 된 세정액이 초음파노즐(240)로부터 토출되게 된다. 또한, 세정액에 인가하는 고주파출력은, 기판 종류나 세정조건 등에 따라 적당히 결정한다.
초음파진동 상태가 된 세정액이 초음파노즐(240)로부터 ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ)에 토출되면, 토출된 세정액과 ㄷ자형 노즐(230)의 내주벽부(內周壁部)와의 계면장력(界面張力)에 의해서, 도 8에 나타내는 바와 같이, ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ)에 세정액의 액고임부(Ｌ)가 형성되어, 내측공간(Ｖ) 안에 위치해 있는 피처리 기판(Ｗ)의 단면부(端面部)(Ｒ)가 이 액고임부(Ｌ)에 담가진다. 그러면, 단면부(Ｒ)에 부착된 파티클은, 고주파진동의 충격을 받아 기판표면으로부터 유리(遊離)한다. 즉, 단면부(Ｒ)가 세정된다.
<4-2. 반전유닛(ＲＥＶ)>
계속해서, 반전(反轉)유닛(ＲＥＶ)에 대해, 도 9, 도 10을 참조하면서 설명한다. 도 9는, 반전유닛(ＲＥＶ)의 요부(要部) 구성을 나타내는 사시도이다. 도 10은, 도 9의 화살표(ＡＲ30) 방향에서 본 반전유닛(ＲＥＶ)의 개략 정면도이다. 반전유닛(ＲＥＶ)은, 기판(Ｗ)의 상하면을 반전시키는 유닛이다. 반전유닛(ＲＥＶ)은, 주로, 승강(昇降)테이블(310)과 반전척(330)을 구비한다.
승강테이블(310)은, 예컨대 에어실린더를 사용하여 구성된 도시를 생략하는 승강구동기구에 의해 연직방향을 따라 승강 가능하게 되어 있다. 승강테이블(310)의 상면에는 동일한 원주 위를 따라 복수개(본 실시형태에서는 6개)의 지지핀(318)이 입설(立設)되어 있다. 각 지지핀(318)은, 기판(Ｗ)의 하면주연부(下面周緣部)를 아래로부터 지지하는 지지부(318a)와, 그 지지부의 상면에 돌출설치된 핀부(318b)에 의해 구성되어 있다. 또한, 반전유닛(ＲＥＶ)의 승강테이블(310)은, 이면세정처리유닛(ＳＯＡＫ2)의 스핀척(427)처럼 기판(Ｗ)을 회전시키는 것은 아니고, 기판(Ｗ)을 강고하게 지지할 필요성이 떨어지기 때문에, 6개의 지지핀(318)은 모두 승강테이블(310)에 고정설치되어 있다. 즉, 승강테이블(310)의 핀부(318b)는 단지 기판(Ｗ)의 수평방향위치를 규제하기 위한 부재이다.
좌우 한 쌍의 반전척(330)은 원반(圓盤) 형상의 회전대(335)의 지름방향을 따라 설치되어 있다. 반전척(330)은, 회전대(335)에 내장된 슬라이드구동기구에 의해, 도 10의 화살표(ＡＲ31)로 나타내는 것처럼 슬라이드이동을 행한다. 한 쌍의 반전척(330, 330)은 연동(連動)하여 슬라이드이동을 행함으로써, 양(兩) 척 사이의 거리를 신축한다. 반전척(330)에는, 기판(Ｗ)의 단연부(端緣部)를 파지하기 위한 개구인 파지부(把持部)(331)가 설치되어 있다. 승강테이블(310)이 기판(Ｗ)을 반전척(330)과 같은 높이위치에 지지한 상태에서 2개의 반전척(330, 330)이 그 간격을 줄이도록 슬라이드이동함으로써, 파지부(331)에 의해 기판(Ｗ)의 단연부를 파지할 수 있다. 또한, 파지부(331)에는 승강테이블(310)의 지지핀(318)과의 간섭을 피하기 위한 잘림부분이 형성되어 있다.
또한, 회전대(335)는 유닛기대(基臺)(339)에 설치된 회전구동기구에 의해 연직면(鉛直面) 내에서 도 10의 화살표(ＡＲ32)로 나타내는 방향으로 회전 가능하게 되어 있다. 회전대(335)가 회전함으로써 한 쌍의 반전척(330, 330)도 화살표(ＡＲ32)로 나타내는 방향으로 회전한다.
반전유닛(ＲＥＶ)이 기판(Ｗ)의 상하면을 반전시킬 때에는, 우선, 승강테이블(310)이 반전척(330)보다 더 상방의 반출입(搬出入)위치까지 상승한다. 반출입위치에서 지지핀(318)에 기판(Ｗ)을 받은 승강테이블(310)은 반전척(330)에 기판(Ｗ)을 주고받는 주고받기위치까지 하강한다. 이 주고받기위치란, 수평방향을 따라 서로 대향해서 정지해 있는 반전척(330)과 승강테이블(310)에 지지된 기판(Ｗ)이 같은 높이가 되는 위치이다. 또한, 승강테이블(310)이 주고받기위치로 하강할 때에는 한 쌍의 반전척(330) 사이를 기판(Ｗ)이 통과 가능한 간격이 되도록 반전척(330)이 이동해 있다.
승강테이블(310)이 주고받기위치로 하강한 상태에서, 한 쌍의 반전척(330)이 그 간격을 좁히도록 슬라이드이동을 개시하여, 얼마 안 있어 양(兩)반전척(330)의 파지부(331)에 의해 기판(Ｗ)의 단연부가 파지된다. 이에 의해 기판(Ｗ)은 반전척(330)에 지지되게 되고, 승강테이블(310)은 더 하방의 대피(待避)위치까지 하강한다. 대피위치란, 계속되는 반전공정에서 반전척(330)과 승강테이블(310)이 충돌하지 않는 위치이다.
다음으로, 회전대(335)가 180°회전동작(반(半)회전)을 행하여 기판(Ｗ)의 상하면을 반전시킨다. 그 후, 다시 승강테이블(310)이 대피위치로부터 주고받기 위치까지 상승하여 기판(Ｗ)을 지지핀(318)으로 받음과 아울러, 한 쌍의 반전척(330)이 그 간격을 넓히도록 슬라이드이동을 행한다. 그리고, 반전후의 기판(Ｗ)을 받은 승강테이블(310)이 더 상기 반출입위치까지 상승하여, 지지핀(318)으로부터 반전후의 기판(Ｗ)이 반출된다. 또한, 지지핀(318)은 기판(Ｗ)의 단연부를 지지하는 것이기 때문에, 반전에 의해 패턴형성이 된 기판(Ｗ)의 표면이 하면이 되었다고 해도, 그 패턴을 손상시킬 우려는 없다.
<4-3. 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)>
계속해서, 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)에 대해, 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 11은, 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)의 구성을 나타내는 도면이다. 이면세정처리유닛(ＳＯＡＫ)은, 주로, 스핀척(427)과, 세정용 노즐회동기구(460)와, 세정용 노즐(450)과, 건조용 노즐회동기구(470)와, 건조용 노즐(451)을 구비한다.
스핀척(427)은, 상술한 단면세정처리유닛(ＥＣ)의 스핀척(201)과 마찬가지로, 기판(Ｗ)을 수평자세로 지지함과 아울러 기판(Ｗ) 중심을 통과하는 연직인 회 전축 둘레로 기판(Ｗ)을 회전시킨다. 다만, 단면세정처리유닛(ＥＣ)의 스핀척(201)은 기판(Ｗ)의 하면을 진공흡착하는 타입의 것이었지만, 이면세정처리유닛(ＳＯＡＫ)의 스핀척(427)은 기판(Ｗ)의 단연부를 파지하는 타입의 것이다. 즉, 스핀척(427)의 상면주연부(上面周緣部)에는 동일한 원주 위를 따라 복수개(본 실시형태에서는 6개)의 지지핀(428)이 입설되어 있다. 각 지지핀(428)은, 기판(Ｗ)의 하면주연부를 아래로부터 지지하는 원통 형상의 지지부와, 그 지지부의 상면에 돌출설치되어 기판(Ｗ)의 단연부에 당접해서 누르는 핀부에 의해 구성되어 있다. 6개의 지지핀(428) 중 3개에 대해서는 스핀척(427)에 고정설치된 고정지지핀으로 되어 있다. 고정지지핀은, 원통 형상 지지부의 축심 위에 핀부를 돌출설치하고 있다. 한편, 6개의 지지핀(428) 중 나머지 3개에 대해서는 스핀척(427)에 대해 회전(자전) 가능하게 설치된 가동지지핀으로 되어 있다. 가동지지핀에서는, 원통 형상 지지부의 축심으로부터 약간 편심하여 핀부가 돌출설치되어 있다. 3개의 가동지지핀은 도시생략의 링크기구 및 구동기구에 의해 연동해서 회동(回動)구동된다. 가동지지핀이 회동함으로써, 6개의 핀부에서 기판(Ｗ)의 단연부를 파지하는 것과, 기판(Ｗ)의 파지를 해제하는 것이 가능하다. 6개의 지지핀(428)에 의해 기판(Ｗ)의 단연부를 파지함으로써, 스핀척(427)은 기판(Ｗ)의 하면 중앙부에 접촉하는 일없이 기판(Ｗ)을 지지할 수 있다.
세정용 노즐회동기구(460)는, 예컨대 회동(回動)모터에 의해 구성되며, 스핀척(427)의 측방에 배치되어 있다. 세정용 노즐회동기구(460)에는, 상방(上方)으로 뻗은 회동축(461)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(461)에는, 수평방향으로 뻗은 아 암(462)이 연결되어 있다. 세정용 노즐회동기구(460)를 구동제어함으로써, 아암(462)을 회동시킬 수 있다.
세정용 노즐(450)은, 아암(462)의 선단에 장착되어 있다. 세정용 노즐회동기구(460)를 구동제어하여 아암(462)을 회동시킴으로써, 세정용 노즐(450)을 스핀척(427)에 지지된 기판(Ｗ)의 상방으로 이동시킬 수 있다. 세정용 노즐(450)은, 기판(Ｗ)의 이면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(427)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 상방위치(처리위치)에 놓여진다. 또한, 이면세정처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)으로부터 떨어진 퇴피위치(도 11에 나타내는 위치)에 놓여진다.
세정용 노즐(450)에는, 세정액공급관(463)이 접속되어 있다. 세정액공급관(463)의 타단은, 개폐밸브(464)를 통해 세정액공급원(465)에 접속되어 있다. 개폐밸브(464)를 열면, 세정액공급관(465)을 통해, 세정용 노즐(450)에 세정액이 공급된다. 이에 의해, 세정용 노즐(450)로부터 기판(Ｗ)의 이면으로 세정액을 공급할 수 있다. 또한, 세정용 노즐(450)로서, 예컨대, 공급된 처리액을 그대로 토출하는 소위 스트레이트 노즐을 채용할 수 있다.
건조용 노즐회동기구(470)는, 예컨대 회동모터에 의해 구성되며, 스핀척(427)의 측방으로서, 세정용 노즐회동기구(460)와는 반대측에 배치되어 있다. 건조용 노즐회동기구(470)에는, 상방으로 뻗은 회동축(471)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(471)에는, 수평방향으로 뻗은 아암(472)이 연결되어 있다. 건조용 노즐회동기구(470)를 구동제어함으로써, 아암(472)을 회동시킬 수 있다.
건조용 노즐(451)은, 아암(472)의 선단에 장착되어 있다. 건조용 노즐회동기 구(470)를 구동제어하여 아암(472)을 회동시킴으로써, 건조용 노즐(451)을 스핀척(427)에 지지된 기판(Ｗ)의 상방으로 이동시킬 수 있다. 건조용 노즐(451)은, 기판(Ｗ)의 건조처리를 행하는 동안은, 스핀척(427)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 상방위치(처리위치)에 놓여진다. 또한, 건조처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)으로부터 떨어진 퇴피위치에 놓여진다.
건조용 노즐(451)에는, 건조용 공급관(473)이 접속되어 있다. 건조용 공급관(473)의 타단은, 개폐밸브(474)를 통해 불활성 가스 공급원(475)에 접속되어 있다. 개폐밸브(474)를 열면, 건조용 공급관(473)을 통해, 건조용 노즐(451)에 불활성 가스(예컨대, 질소가스(N2)나 아르곤가스(Ar))가 공급된다. 이에 의해, 건조용 노즐(451)로부터 기판(Ｗ)의 이면으로 불활성 가스를 공급할 수 있다.
또한, 스핀척(427) 주위에는, 스핀척(427)에 지지된 기판(Ｗ)을 둘러싸는 처리컵(423)이 설치되어 있다. 처리컵(423)의 내측에는, 원통 형상의 칸막이벽(433)이 설치되어 있다. 또한, 스핀척(427) 주위를 둘러싸도록, 기판(Ｗ) 처리에 사용된 세정액을 배액하기 위한 배액공간(排液空間)(431)이 칸막이벽(433)의 내측에 형성되어 있다. 또한, 배액공간(431)을 둘러싸도록, 처리컵(423)의 외벽과 칸막이벽(433) 사이에 기판(Ｗ) 처리에 사용된 처리액을 회수하기 위한 회수액공간(432)이 형성되어 있다.
배액공간(431)에는, 배액처리장치(도시생략)로 처리액을 안내하기 위한 배액관(434)이 접속되며, 회수액공간(432)에는, 회수처리장치(도시생략)로 처리액을 안 내하기 위한 회수관(435)이 접속되어 있다.
또한, 처리컵(423)의 상방에는, 기판(Ｗ)으로부터의 처리액이 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위한 스플래시 가드(424)가 설치되어 있다. 이 스플래시 가드(424)는, 회전축(425)에 대해 회전대칭(回轉對稱)인 형상으로 되어 있다. 스플래시 가드(424)의 상단부의 내면에는, 단면(斷面) く자형 형상의 배액안내홈(441)이 환상(環狀)으로 형성되어 있다. 또한, 스플래시 가드(424)의 하단부의 내면에는, 외측 하방으로 경사하는 경사면으로 이루어지는 회수액안내부(442)가 형성되어 있다. 회수액안내부(442)의 상단 부근에는, 처리컵(423)의 칸막이벽(433)을 받아들이기 위한 칸막이벽수납홈(443)이 형성되어 있다.
이 스플래시 가드(424)는, 볼나사기구 등으로 구성된 가드승강구동기구(도시생략)에 의해 연직방향을 따라 승강구동된다. 가드승강구동기구는, 스플래시 가드(424)를, 회수액안내부(442)가 스핀척(421)에 지지된 기판(Ｗ)의 단연부를 둘러싸는 회수위치와, 배액안내홈(441)이 스핀척(421)에 지지된 기판(Ｗ)의 단연부를 둘러싸는 배액위치 사이에서 승강시킨다. 스플래시 가드(424)가 회수위치(도 11에 나타내는 위치)에 있는 경우에는, 기판(Ｗ)의 단연부로부터 비산한 세정액이 회수 액안내부(442)에 의해 회수액공간(432)에 안내되어, 회수관(435)을 통해 회수된다. 한편, 스플래시 가드(424)가 배액위치에 있는 경우에는, 기판(Ｗ)의 단연부로부터 비산한 세정액이 배액안내홈(441)에 의해 배액공간(431)에 안내되어, 배액관(434)을 통해 배액된다. 이와 같이 하여, 세정액의 배액 및 회수를 바꿔서 실행 가능하게 되어 있다.
<5. 세정처리부(93)에서의 세정처리의 흐름>
계속해서, 세정처리부(93)에서 행해지는 기판(Ｗ)의 단면 및 이면의 세정처리(도 4의 스텝 Ｓ2)의 흐름에 대해, 도 12를 참조하면서 설명한다. 도 12는, 세정처리부(93)의 동작의 흐름을 나타내는 도면이다. 또한, 이하에 설명하는 각 구성부의 동작은, 제어부(91)(도 1 참조)에 의해 제어된다.
인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정전용 핸드(ＩＲＨ1)를 사용하여 카세트(Ｃ) 안에 수납된 미처리 기판(Ｗ)을 꺼내, 세정처리부(93)의 단면세정처리유닛(ＥＣ)으로 반송한다. 단면세정처리유닛(ＥＣ)에서는, 기판(Ｗ)의 단면의 세정처리가 행해진다(스텝 Ｓ21).
단면의 세정처리의 흐름에 대해 더 구체적으로 설명한다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, 기판(Ｗ)을 스핀척(210) 위에 재치한다. 그러면, 스핀척(210)은, 재치된 기판(Ｗ)을 흡착지지한다. 이에 의해, 기판(Ｗ)은, 수평자세로 지지되게 된다.
계속해서, 노즐이동기구(220)가, 대피위치에 있는 ㄷ자형 노즐(230)을 처리위치까지 이동시킨다. 이에 의해, 기판(Ｗ) 단부가 ㄷ자형 노즐(230)의 상면(Ｄ1)과 하면(Ｄ2) 사이에 삽입되어, 단면(Ｒ)이 ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ) 안에 위치하는 상태가 된다.
계속해서, 회전축(211)이 회전을 개시한다. 이에 의해, 스핀척(210)에 지지되어 있는 기판(Ｗ)이 회전하게 된다. 그 후, 개폐밸브(242)를 개방함과 아울러 고주파발생장치로부터 고주파진동자(250)에 고주파전류를 공급해, 고주파진동자(250) 를 초음파진동시킨다. 그러면, 초음파진동 상태가 된 세정액이 초음파노즐(240)로부터 ㄷ자형 노즐(230)의 내부에 토출되고, ㄷ자형 노즐(230)의 내측공간(Ｖ)에 초음파진동 상태가 된 세정액의 액고임부(Ｌ)가 형성되어, 내측공간(Ｖ) 안에 위치해 있는 기판(Ｗ)의 단면부(Ｒ)가 이 액고임부(Ｌ)에 담가진다. 이에 의해, 단면부(Ｒ)에 부착된 파티클 등이 고주파진동의 충격을 받아서 기판표면으로부터 유리한다. 즉, 단면부(Ｒ)가 세정된다. ㄷ자형 노즐(230)로부터 넘쳐 나온 액체는 도시하지 않은 배액기구에 의해 배액된다.
소정 시간이 경과하면, 세정액의 공급이 정지됨과 아울러 회전축(211)의 회전이 정지된다. 그리고, 노즐이동기구(220)가, 처리위치에 있는 ㄷ자형 노즐(230)을 대피위치까지 이동시킨다. 또한 스핀척(210)이 기판(Ｗ)의 흡착지지를 해제하고, 인덱서로봇(ＩＲ)이, 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 사용하여 단면세정처리유닛(ＥＣ)에 있는 단면세정처리후의 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 이상으로, 기판(Ｗ)의 단면의 세정처리가 종료한다.
다시 도 12를 참조한다. 스텝 Ｓ21의 처리가 종료하면, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 단면세정처리유닛(ＥＣ)으로부터 꺼낸 단면세정처리후의 기판(Ｗ)을 제1 반전유닛(ＲＥＶ1)으로 반송한다. 제1 반전유닛(ＲＥＶ1)에서는, 기판(Ｗ)은, 그 이면이 상면이 되도록 반전된다(스텝 Ｓ22). 반전유닛(ＲＥＶ1)에서의 반전동작은 상술한 바와 같다. 다만, 여기서, 기판(Ｗ)의「표면(表面)」이란, 패턴형성이 이루어지는 주면(主面)이며, 기판(Ｗ)의「이면」이란 표면의 반대측 면이다.
스텝 Ｓ22의 처리가 종료하면, 계속해서, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정후용 핸 드(ＩＲＨ2)를 사용하여 제1 반전유닛(ＲＥＶ1)에 있는 반전된 기판(Ｗ)을 꺼내, 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)으로 반송한다. 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)에서는, 기판(Ｗ)의 이면의 세정처리가 행해진다(스텝 Ｓ23).
이면의 세정처리의 흐름에 대해 더 구체적으로 설명한다. 기판(Ｗ)의 반입시에는 스플래시 가드(424)는 하강한 상태에 있어, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 기판(Ｗ)을 스핀척(427) 위에 재치한다. 그러면, 스핀척(427)의 6개의 지지핀(428)이 재치된 기판(Ｗ)의 단연부를 파지한다. 이에 의해, 기판(Ｗ)은, 그 이면을 상측을 향해 수평자세로 지지되게 된다.
계속해서, 스플래시 가드(424)가 상술한 배액위치까지 이동함과 아울러, 세정처리용 노즐(450)이 기판(Ｗ)의 중심부 상방으로 이동한다. 그리고, 회전축(425)이 회전을 개시한다. 이에 의해, 스핀척(427)에 지지되어 있는 기판(Ｗ)이 회전하게 된다. 그 후, 개폐밸브(464)를 개방하여 세정처리용 노즐(450)로부터 세정액을 기판(Ｗ)의 상면(여기서는 이면)에 토출한다. 이에 의해, 기판(Ｗ)의 이면세정처리가 진행하여, 기판(Ｗ)의 이면에 부착해 있던 파티클 등이 씻겨져 나간다. 회전하는 기판(Ｗ)으로부터 원심력에 의해 비산한 액체는 배액안내홈(441)에 의해 배액공간(431)에 안내되어, 배액관(434)으로부터 배액된다.
소정 시간이 경과하면, 회전축(425)의 회전속도가 저하한다. 이에 의해, 기판(Ｗ)의 회전에 의해 뿌리쳐지는 세정액의 양이 감소해, 기판(Ｗ)의 이면 전체에 수막(水膜)이 형성되어, 소위 액고임된 상태가 된다. 또한, 회전축(425)의 회전을 정지시켜 기판(Ｗ)의 이면 전체에 수막을 형성해도 좋다.
계속해서, 세정액의 공급이 정지되고, 세정처리용 노즐(450)이 소정의 위치에 퇴피함과 아울러, 건조처리용 노즐(451)이 기판(Ｗ)의 중심부 상방으로 이동한다. 그리고, 개폐밸브(474)를 개방하여 건조처리용 노즐(451)로부터 기판(Ｗ)의 상면 중심부 근방에 불활성 가스를 토출한다. 이에 의해, 기판(Ｗ)의 이면 중심부의 수분이 기판(Ｗ)의 주연부로 흘러가게 되어, 기판(Ｗ)의 이면 주연부에만 수막이 잔류하는 상태가 된다.
계속해서, 회전축(425)의 회전수가 다시 상승함과 아울러, 건조처리용 노즐(451)이 기판(Ｗ)의 이면 중심부 상방으로부터 주연부 상방으로 서서히 이동한다. 그러면, 기판(Ｗ)의 이면 위에 잔류하는 수막에 큰 원심력이 작용함과 아울러, 기판(Ｗ)의 이면 전체에 불활성 가스가 내뿜어지게 된다. 이에 의해, 기판(Ｗ) 위의 수막을 확실히 제거할 수 있다. 즉, 기판(Ｗ)을 확실히 건조시킬 수 있다.
계속해서, 불활성 가스의 공급이 정지되고, 건조처리노즐(451)이 소정의 위치에 대피함과 아울러, 회전축(425)의 회전이 정지한다. 또한, 스플래시 가드(424)가 하강함과 아울러, 지지핀(428)이 기판(Ｗ)의 단연부 파지를 해제해, 인덱서로봇(ＩＲ)이, 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 사용하여 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)에 있는 이면세정처리후의 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 이상으로, 기판(Ｗ) 이면의 세정처리가 종료한다. 또한, 세정 및 건조 처리 중에서의 스플래시 가드(424)의 위치는, 처리액의 회수 또는 배액의 필요성에 따라 적당히 변경하는 것이 바람직하다.
다시 도 12를 참조한다. 스텝 Ｓ23의 처리가 종료하면, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)으로부터 꺼낸 이면세정처리후의 기판(Ｗ)을 제2 반전유닛 (ＲＥＶ2)으로 반송한다. 제2 반전유닛(ＲＥＶ2)에서는, 기판(Ｗ)은, 그 표면이 상면이 되도록 반전된다(스텝 Ｓ24). 반전유닛(ＲＥＶ2)에서의 반전동작은 상술한 바와 같다.
스텝 Ｓ24의 처리가 종료하면, 계속해서, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 사용하여 제2 반전유닛(ＲＥＶ2)에 있는 반전된 기판(Ｗ)(즉, 반전됨으로써, 그 표면이 상면으로 되어 있는 기판(Ｗ))을 꺼내, Ｘ축방향으로 이동하면서도 θ방향으로 회전하여 해당 기판(Ｗ)을 기판재치부(ＰＡＳＳ1)에 재치한다(스텝 Ｓ25). 이상으로, 기판(Ｗ)의 단면 및 이면의 세정처리가 종료한다.
<6. 효과>
상기 실시형태에 의하면, 세정처리부(93)를 인덱서블록(9)에 설치하므로, 장치의 공간절약을 실현할 수 있다. 또한, 단면세정처리유닛(ＥＣ)에서, 처리부인 반사방지막용 처리블록(10)에 건네주기 전에 기판의 단면을 세정할 수 있으므로, 처리블록(10)에 반입되는 기판의 단면을 청정한 상태로 할 수 있다. 또한, 이면세정유닛(ＳＯＡＫ)에서, 처리부인 반사방지막용 처리블록(10)에 건네주기 전에 기판의 이면을 세정할 수 있으므로, 단면뿐만 아니라 이면도 청정한 상태로 할 수 있다. 이에 의해, 오염된 기판에 대해 일련의 처리가 실행되어 결함이 발생해 버린다는 사태를 회피할 수 있다. 또한, 단면이나 이면 등에 파티클 등이 부착된 기판이 트랙 내에 반입되어 버림으로써, 트랙이나 노광장치가 오염된다는 사태를 회피할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 단면세정처리유닛(ＥＣ)이 초음파진동이 부여된 세정액을 기판(Ｗ)의 단면에 공급하는 초음파노즐(240)을 구비하므로, 기판의 단면을 초음파진동이 부여된 세정액으로 세정할 수 있다. 이에 의해, 기판의 단면에 부착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 단면세정처리유닛(ＥＣ)이 액고임부를 형성하는 ㄷ자형 노즐(230)을 구비하여, 기판의 단부를 세정액의 액고임부에 담근 상태로 하므로, 기판의 단면 전체를 확실히 세정액에 접촉시킬 수 있다. 이에 의해, 높은 세정효과를 얻을 수 있다. 특히, 기판(Ｗ)의 단면 부근이 소수성(疏水性) 상태에 있을 경우이어도 세정액이 충분히 널리 퍼지므로, 단면 부근에 부착된 파티클 등을 확실히 제거할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 단면이 세정되기 전의 기판을 지지하는 핸드(세정전용 핸드(ＩＲＨ1))와, 단면이 세정된 후의 기판을 지지하는 핸드(세정후용 핸드(ＩＲＨ2))를 구별해서 사용하므로, 단면이 세정된 후의 기판이 오염된 핸드에 지지됨으로써 다시 오염되어 버린다는 사태를 회피할 수 있다. 따라서, 단면이 세정된 후의 기판을 청정한 상태로 유지하여 반사방지막용 처리블록(10)에 반입할 수 있다.
<7. 변형예>
<7-1. 인덱서블록(9)의 레이아웃의 변형예>
상기 실시형태에서는, 세정처리부(93)가 카세트재치대(92)에 인접해서 배치 되는 인덱서블록(9)의 레이아웃을 나타내고 있지만, 인덱서블록(9)의 레이아웃은 이것에 한정되지 않는다.
<인덱서블록(9)의 레이아웃의 제1 변형예>
제1 변형예에 따른 인덱서블록(9)의 레이아웃에 대해, 도 13을 참조하면서 설명한다. 도 13의 (a) 및 (b)는, 제1 변형예에 따른 인덱서블록(9)의 레이아웃을 나타내는 평면도 및 측면도이다.
여기서는, 세정처리부(93)는, 카세트재치대(92)의 상하에 적층하여 배치된다. 특히 바람직하게는, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이, 세정처리부(93)가 카세트재치대(92)의 하측에 배치된다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｚ방향으로 신축함으로써(화살표(ＡＲ902)), 카세트재치대(92) 혹은 세정처리부(93)에 액세스할 수 있다.
또한, 여기서는, 세정처리부(93)가 구비하는 1 이상(도 13에서는, 3개)의 처리유닛(931)은, 서로 인접해서 배치된다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｘ방향으로 이동함으로써(화살표(ＡＲ901)), 임의의 처리유닛(931)에 액세스할 수 있다.
<인덱서블록(9)의 레이아웃의 제2 변형예>
제2 변형예에 따른 인덱서블록(9)의 레이아웃에 대해, 도 14를 참조하면서 설명한다. 도 14의 (a) 및 (b)는, 제2 변형예에 따른 인덱서블록(9)의 레이아웃을 나타내는 평면도 및 측면도이다.
여기서는, 세정처리부(93)는, 인덱서로봇(ＩＲ)의 상방에 배치된다. 인덱서 로봇(ＩＲ)은, Ｚ방향으로 신축함으로써(화살표(ＡＲ902)), 세정처리부(93)에 액세스할 수 있다. 다만, 세정처리부(93)는, 인덱서로봇(ＩＲ)의 Ｘ방향에 대한 이동(화살표(ＡＲ901))을 방해하지 않는 높이에 배치한다.
또한, 여기서는, 세정처리부(93)가 구비하는 1 이상(도 14에서는, 2개)의 처리유닛(931)은, 서로 적층해서 배치된다. 인덱서로봇(ＩＲ)은, Ｚ방향으로 신축함으로써(화살표(ＡＲ902)), 임의의 처리유닛(931)에 액세스할 수 있다.
<7-2. 단면세정처리유닛(ＥＣ)의 변형예>
상기 실시형태에 따른 단면세정처리유닛(ＥＣ)에서는, ㄷ자형 노즐(230) 및 초음파노즐(240) 등을 사용하여 기판(Ｗ)의 단면을 세정하는 구성을 나타내고 있지만, 단면세정처리유닛(ＥＣ)의 구성은 이것에 한정되지 않는다.
<단면세정처리유닛(ＥＣ)의 제1 변형예>
제1 변형예에 따른 단면세정처리유닛(ＥＣａ)에 대해, 도 15, 도 16을 참조하면서 설명한다. 도 15는, 제1 변형예에 따른 단면세정처리유닛(ＥＣａ)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 도 16은, 브러시부분을 나타내는 측면도이다. 단면세정처리유닛(ＥＣａ)은, 주로, 스핀척(510)과, 제1 세정용 노즐회동기구(520)와, 제1 세정용 노즐(530)과, 제2 세정용 노즐회동기구(540)와, 제2 세정용 노즐(550)과, 브러시이동기구(560)와, 브러시(570)를 구비한다. 스핀척(510)의 구성은, 상술한 스핀척(210)(도 7 참조)과 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다.
제1 세정용 노즐회동기구(520)는, 예컨대 회동모터에 의해 구성되며, 스핀척(510)의 측방에 배치되어 있다. 제1 세정용 노즐회동기구(520)에는, 상방으로 뻗은 회동축(521)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(521)에는, 수평방향으로 뻗은 아암(522)이 연결되어 있다. 제1 세정용 노즐회동기구(520)를 구동제어함으로써, 아암(522)을 회동시킬 수 있다.
제1 세정용 노즐(530)은, 아암(522)의 선단에 장착되어 있다. 제1 세정용 노즐회동기구(520)를 구동제어하여 아암(522)을 회동시킴으로써, 제1 세정용 노즐(530)을 스핀척(510)에 지지된 기판(Ｗ)의 상방으로 이동시킬 수 있다. 제1 세정용 노즐(530)은, 기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(510)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 상방위치(처리위치)에 놓여진다(도 15의 실선위치). 또한, 단면세정처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)으로부터 떨어진 퇴피위치(도 15의 가상선위치)에 놓여진다.
제2 세정용 노즐회동기구(540)는, 제1 세정용 노즐(530)과 마찬가지로, 예컨대 회동모터에 의해 구성되며, 스핀척(510)의 측방에 배치되어 있다. 제2 세정용 노즐회동기구(540)에는, 상방으로 뻗은 회동축(541)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(541)에는, 수평방향으로 뻗은 아암(542)이 연결되어 있다. 제2 세정용 노즐회동기구(540)를 구동제어함으로써, 아암(542)을 회동시킬 수 있다.
제2 세정용 노즐(550)은, 아암(542)의 선단에 장착되어 있으며, 스핀척(510)에 지지된 기판(Ｗ)의 하측면을 향해 세정액을 토출하는 자세로 지지되어 있다. 제2 세정용 노즐회동기구(540)를 구동제어하여 아암(542)을 회동시킴으로써, 제2 세 정용 노즐(550)을 스핀척(510)에 지지된 기판(Ｗ)의 하방(下方)으로 이동시킬 수 있다. 제2 세정용 노즐(550)은, 기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(510)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 하방위치(처리위치)에 놓여진다(도 15의 실선위치). 또한, 단면세정처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)으로부터 떨어진 퇴피위치(도 15의 가상선위치)에 놓여진다.
제1 세정용 노즐(530) 및 제2 세정용 노즐(550)에는, 각각, 세정액공급관(581)이 접속되어 있다. 세정액공급관(581)의 타단은, 개폐밸브(582)를 통해 세정액공급원(583)에 접속되어 있다. 개폐밸브(582)를 열면, 세정액공급관(581)을 통해, 제1 세정용 노즐(530) 및 제2 세정용 노즐(550)에 세정액이 공급된다. 이에 의해, 제1 세정용 노즐(530)로부터 기판(Ｗ)의 상측면으로 세정액을 공급할 수 있고, 제2 세정용 노즐(550)로부터 기판(Ｗ)의 하측면으로 세정액을 공급할 수 있다.
브러시이동기구(560)는, 스핀척(510)의 측방이면서도 단면세정처리유닛(ＥＣａ)의 상부에 배치되어 있다. 또한, 브러시이동기구(560)에는, 하방으로 뻗은 봉 형상의 브러시지지부재(561)가 장착되어 있다. 브러시이동기구(560)를 구동제어함으로써, 브러시지지부재(561)를 수평방향(화살표(ＡＲ561a)) 및 수직방향(화살표(ＡＲ561b))으로 이동시킬 수 있다. 또한, 브러시이동기구(560)는, 전동모터에 의해 회전되는 회전축(도시생략)을 더 구비하며, 브러시지지부재(561)는 이 회전축의 하단에 고정되어 있다. 다시 말해, 브러시이동기구(560)를 구동제어함으로써, 브러시지지부재(561)를 연직인 회전축의 둘레로 회전시킬 수 있다(화살표(ＡＲ561c)).
브러시(570)는, 브러시지지부재(561)의 하단에 장착되어, 스핀척(510)에 지 지된 기판(Ｗ)과 거의 같은 높이에 위치해 있다. 브러시이동기구(561)를 구동제어하여 노즐지지부재(561)를 수평방향으로 이동시킴으로써, 브러시(570)를 수평방향(화살표(ＡＲ570a))으로 이동시킬 수 있다. 브러시(570)는, 기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(11)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 단면위치(처리위치)에 놓여진다(도 15의 실선위치). 또한 이 동안, 후술하는 바와 같이, 브러시(570)는, 회전구동됨과 아울러 상하로 이동된다. 단면세정처리가 종료하면, 브러시(570)는, 피처리 기판(Ｗ)의 단면위치부터 떨어진 퇴피위치에 놓여진다(도 15의 가상선위치).
브러시(122)는, 예컨대, 폴리비닐알콜에 의해 형성되어 있으며, 도 16에 나타내는 바와 같이, 횡단면이 원형이고, 종단면이 중앙부로부터 양단부를 향해 경사하는 형상을 하고 있다.
기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행할 때는, 상술한 제1 세정용 노즐(530) 및 제2 세정용 노즐(550)의 각각으로부터 기판(Ｗ)의 상측면 및 하측면을 향해 세정액이 토출된다. 또한 이 상태에서, 브러시(570)가, 회전구동 개시된다(화살표(ＡＲ570c). 그리고, 회전하는 브러시(570)가, 수평방향으로 이동되어(화살표(ＡＲ570a)), 스핀척(510)에 지지된 기판(Ｗ)의 단면위치(처리위치)에 놓여진다.
처리위치에 놓여진 브러시(570)는, 또한 수직방향으로 이동된다(화살표(ＡＲ570b)). 즉, 브러시(570)는, 제1 높이위치(Ｈ1)(도 16의 실선위치)와 제2 높이위치(도 16의 가상선위치) 사이를 반복이동한다. 제1 높이위치(Ｈ1)에서는, 브러시(570)의 상측 경사면(Ｋ1)이, 스핀척(11)에 지지된 기판(Ｗ)의 단면(Ｒ)에 상측 으로부터 슬라이딩 접촉한다. 그러면, 단면부(Ｒ)의 상측 부근에 부착된 파티클은, 회전하는 브러시(570)로부터 물리적인 힘을 받아 기판(Ｗ)의 표면으로부터 유리한다. 제1 높이위치보다 높은 위치인 제2 높이위치에서는, 브러시(570)의 하측 경사면(Ｄ2)이, 스핀척(11)에 지지된 기판(Ｗ)의 단면(Ｒ)에 하측으로부터 슬라이딩 접촉한다. 그러면, 단면부(Ｒ)의 하측 부근에 부착된 파티클은, 회전하는 브러시(570)로부터 물리적인 힘을 받아 기판(Ｗ)의 표면으로부터 유리한다. 즉, 브러시(570)가 높이위치(Ｈ1)와 높이위치(Ｈ2) 사이를 이동함으로써, 단면부(Ｒ)는 상측과 하측의 양쪽으로부터 세정된다.
이 변형예에 의하면, 기판의 단면에 세정브러시를 슬라이딩 접촉시킴으로써, 기판의 단면에 부착된 파티클을 확실히 제거할 수 있다.
<단면세정처리유닛(ＥＣ)의 제2 변형예>
제2 변형예에 따른 단면세정처리유닛(ＥＣb)에 대해, 도 17을 참조하면서 설명한다. 도 17은, 제2 변형예에 따른 단면세정처리유닛(ＥＣb)의 전체 구성을 나타내는 도면이다. 단면세정처리유닛(ＥＣb)은, 주로, 스핀척(610)과, 노즐회동기구(620)와, 이류체노즐(630)을 구비한다. 스핀척(610)의 구성은, 상술한 스핀척(11)(도 7 참조)과 마찬가지이므로, 그 설명을 생략한다.
노즐회동기구(620)는, 예컨대 회동모터에 의해 구성되며, 스핀척(610)의 측방에 배치되어 있다. 노즐회동기구(620)에는, 상방으로 뻗은 회동축(621)이 접속되어 있다. 또한, 회동축(621)에는, 수평방향으로 뻗은 아암(622)이 연결되어 있다. 노즐회동기구(620)를 구동제어함으로써, 아암(622)을 회동시킬 수 있다.
이류체노즐(630)은, 아암(622)의 선단에 장착되며, 스핀척(610)에 지지된 기판(Ｗ)의 단면(Ｒ)을 향해 세정액을 토출하는 자세로 지지되어 있다. 노즐회동기구(620)를 구동제어하여 아암(622)을 회동시킴으로써, 이류체노즐(630)을 스핀척(610)에 지지된 기판(Ｗ)의 상방으로 이동시킬 수 있다. 이류체노즐(630)은, 기판(Ｗ)의 단면세정처리를 행하는 동안은, 스핀척(610)에 지지된 피처리 기판(Ｗ)의 상측의 측방위치(처리위치)에 놓여진다(도 17의 실선위치). 또한, 단면세정처리가 종료하면, 피처리 기판(Ｗ)으로부터 떨어진 대피위치에 놓여진다(도 17의 가상선위치).
이류체노즐(630)에는, 세정액공급관(631)과 질소가스공급관(634)이 각각 접속되어 있다. 세정액공급관(631)의 타단은, 개폐밸브(632)를 통해 세정액공급원(633)에 접속되어 있어, 개폐밸브(632)를 열면, 세정액공급관(631)을 통해, 이류체노즐(630)에 세정액이 공급된다. 또한, 질소가스공급관(634)의 타단은, 개폐밸브(635)를 통해 질소가스공급원(636)에 접속되어 있어, 개폐밸브(635)를 열면, 질소가스공급관(634)을 통해, 이류체노즐(630)에 질소가스가 공급된다.
여기서, 도 18을 참조하면서, 이류체노즐(630)에 대해 더 구체적으로 설명한다. 도 18은, 이류체노즐(630)을 나타내는 측단면도이다. 이류체노즐(630)은, 세정액과 기체(예컨대, 질소가스)를 혼합해서, 세정액의 액적을 생성하여 토출하는 노즐이다. 더 구체적으로는, 세정액공급원(633) 및 질소가스공급원(636)으로부터 각각 공급되는 세정액 및 질소가스를 노즐 내부에서 혼합함으로써, 미스트 상태의 세 정액의 액적을 생성해서 기판(Ｗ)에 대해 토출한다(소위 내부혼합형 이류체노즐).
이류체노즐(630)은, 세정액도입관(665) 내에, 가스도입관(666)이 삽입된 이중관 구조로 되어 있다. 또한, 세정액도입관(665) 내의 가스도입관(666) 단부보다 하류측에는, 질소가스와 세정액이 혼합되는 혼합부(667)가 형성되어 있다.
세정액도입관(665)에 공급된 세정액과, 가스도입관(666)에 공급된 가압된 질소가스는, 혼합부(667)에서 혼합된다. 이에 의해 세정액의 액적을 포함하는 혼합유체가 형성된다. 형성된 혼합유체는, 혼합부(667) 하류측의 가속관(668)에 의해 가속되어, 토출구(669)로부터 토출된다.
또한, 이류체노즐(630)은, 질소가스 및 세정액을 노즐 외부의 개방공간에서 충돌시켜 혼합함으로써 세정액의 액적을 생성하여 기판(Ｗ)에 대해 토출하는 소위 외부혼합형 이류체노즐이어도 좋다.
세정액의 액적이 기판(Ｗ)의 단면을 향해 토출됨으로써, 단면부(Ｒ)에 부착된 파티클은, 기판표면으로부터 유리한다. 즉, 단면부(Ｒ)가 세정된다.
이 변형예에 의하면, 기판의 단면을 세정액과 기체를 혼합함으로써 생성된 세정액의 액적으로 세정할 수 있으므로, 기판의 단면에 부착된 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
<단면세정처리유닛(ＥＣ)의 제3 변형예>
상기 실시형태에서는, 초음파노즐(240)이 ㄷ자형 노즐(230)의 배면(Ｄ3)에 장착되는 구성으로 하고 있지만, ㄷ자형 노즐(230)을 설치하는 일없이, 초음파노 즐(240)로부터 직접 기판(Ｗ)의 단면을 향해 초음파진동 상태가 된 세정액을 토출하는 구성으로 해도 좋다.
<7-3. 세정처리부(93)의 유닛 구성의 변형예>
상기 실시형태에서는, 세정처리부(93)는, 적층(혹은 인접(도 13 참조))배치된 1 이상의 처리유닛(931)을 구비하는 구성하고 있다. 특히, 상기 실시형태에서는, 세정처리부(93)는 4개의 처리유닛(931)(단면세정처리유닛(ＥＣ), 2개의 반전유닛(ＲＥＶ) 및 이면세정유닛(ＳＯＡＫ))을 구비하는 구성으로 하고 있지만, 세정처리부(93)의 유닛 구성은 이것에 한정되지 않는다.
<세정처리부(93)의 유닛 구성의 제1 변형예>
예컨대, 1개의 처리유닛(931)(단면세정처리유닛(ＥＣ))만을 구비하는 구성으로 해도 좋다. 즉, 세정처리부(93)에는, 반드시 기판(Ｗ)을 반전시켜 이면을 세정하기 위한 기능부(반전유닛(ＲＥＶ) 및 이면세정유닛(ＳＯＡＫ))를 설치할 필요는 없다.
<세정처리부(93)의 유닛 구성의 제2 변형예>
또한, 예컨대, 도 19에 나타내는 바와 같이, 기판(Ｗ)의 단면을 세정하는 처리부(단면세정처리유닛(ＥＣ))와 이면을 세정하는 처리부(이면세정유닛(ＳＯＡＫ))를 합체시켜 1개의 처리유닛(931)으로 해도 좋다. 즉, 단면의 세정처리와 이면의 세정처리를 동일한 유닛으로 행하는 구성으로 해도 좋다.
이러한 처리유닛(단면·이면세정유닛(ＥＣ·ＳＯＡＫ)은, 이면을 세정하기 위한 기능부(스핀척(427), 세정용 노즐회동기구(460), 세정용 노즐(450), 건조용 노즐회동기구(470) 및 건조용 노즐(451)(도 11 참조))에 더해서, 단면을 세정하기 위한 기능부(예컨대, 노즐회동기구(620) 및 이류체노즐(630)(도 17 참조))를 구비함으로써 실현된다.
또한, 단면·이면세정유닛(ＥＣ·ＳＯＡＫ)에서는, 기판(Ｗ)은, 그 이면이 상면이 되고, 패턴형성이 이루어지는 주면(主面)인 표면이 하면이 된 자세로 반입되어 온다. 따라서, 단면·이면세정유닛(ＥＣ·ＳＯＡＫ)의 스핀척은, 기판(Ｗ)의 하면을 진공흡착하는 타입의 것은 아니고, 기판(Ｗ)의 단연부를 파지하는 타입의 것인 것이 바람직하다.
다만, 기판(Ｗ)의 단연부를 파지하는 타입의 스핀척인 경우, 지지핀이 당접해 있는 단면부분을 세정할 수 없어, 그 부분에 파티클 등이 잔존할 가능성이 있다. 이러한 문제점을 해소하기 위해, 단면세정을 할 때, 도중에 기판(Ｗ)을 파지하는 지지핀을 변경하는 동작(바꿔 잡기 동작)을 행하는 것이 바람직하다. 예컨대, 스핀척의 상면주연부에 12개의 지지핀을 입설해 두고, 시작 단계에서는 그 중 6개의 지지핀으로 기판(Ｗ)을 파지하고, 단면의 세정처리가 도중까지 진행한 시점에서, 나머지 6개의 지지핀으로 바꿔 잡아서 기판(Ｗ)을 파지하도록 한다.
또한, 스핀척으로서, 비접촉으로 기판(Ｗ)을 지지하는 타입의 것(예컨대, 지지체에 설치된 슬릿 형상의 개구로부터 기판을 향해 가스를 분출해서, 베르누이효 과를 이용하여 기판을 지지하는 척(베르누이 척))을 채용하면, 단면을 세정하는 기구로서, 상술한 ㄷ자형 노즐(230)(도 7 참조)이나 브러시(570)(도 15 참조)를 사용할 수 있다.
이와 같이, 단면의 세정처리와 이면의 세정처리를 동일한 유닛으로 행하는 구성으로 하면, 공간절약 및 비용절감이라는 이점이 얻어진다.
<세정처리부(93)의 유닛 구성의 제3 변형예>
또한, 상기 실시형태에서는, 처리유닛(931)으로서 2개의 반전유닛(ＲＥＶ)을 설치하는 구성으로 하고 있지만, 1개의 반전유닛(ＲＥＶ)을 설치하는 구성으로 해도 좋다. 즉, 그 이면이 상면이 되도록 기판(Ｗ)을 반전시키는 제1 반전처리와, 이면의 세정처리후에 그 이면이 하면이 되도록 기판(Ｗ)을 반전시키는 제2 반전처리를, 각각 다른 유닛에서 행하는 구성으로 해도 좋고, 같은 유닛에서 행하는 구성으로 해도 좋다.
상기 실시형태와 같이, 2개의 반전처리를 별개의 유닛에서 행하는 구성으로 하면, 이면이 세정된 후의 기판이 반전유닛(ＲＥＶ)의 반전기구에 의해 오염되는 일이 없다고 하는 이점이 얻어진다. 한편, 이 변형예와 같이, 2개의 반전처리를 같은 반전유닛(ＲＥＶ)에서 행하는 구성으로 하면, 반전유닛(ＲＥＶ)을 2개 설치할 필요가 없으므로, 공간절약 및 비용절감이라고 하는 이점이 얻어진다.
<7-4. 인덱서로봇(ＩＲ)의 변형예>
상기 실시형태에서는, 인덱서로봇(ＩＲ)은, 세정전용 핸드(ＩＲＨ1)와 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 각각 1개씩 설치하여, 합계 2개의 핸드에 의해 기판(Ｗ)의 반출입을 행하는 구성으로 하고 있지만, 1개의 세정전용 핸드(ＩＲＨ1)와 2개의 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)인 합계 3개의 핸드에 의해 기판(Ｗ)의 반출입을 행하는 구성으로 해도 좋다.
세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 2개 설치하는 구성으로 하면, 세정처리후의 기판(Ｗ)의 주고받기(세정처리부(93)에 대한 기판(Ｗ)의 주고받기나, 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에서의 기판(Ｗ)의 주고받기)를, 2개의 세정후용 핸드(ＩＲＨ2)를 사용하여 동시에 행할 수 있다
도 1은 기판처리장치의 전체 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 기판처리장치의 전체 구성을 나타내는 측면도이다.
도 3은 기판처리장치의 전체 구성을 나타내는 측면도이다.
도 4는 기판처리장치의 동작의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 5는 인덱서블록의 레이아웃 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 세정처리부의 유닛 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 단면세정처리유닛의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 ㄷ자형 노즐을 나타내는 도면이다.
도 9는 반전유닛의 요부 구성을 나타내는 사시도이다.
도 10은 반전유닛의 개략 정면도이다.
도 11은 이면세정유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 12는 세정처리부의 동작의 흐름을 나타내는 도면이다.
도 13은 변형예에 따른 인덱서블록의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
도 14는 변형예에 따른 인덱서블록의 레이아웃을 나타내는 도면이다.
도 15는 변형예에 따른 단면세정처리유닛의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 16은 브러시의 구성을 나타내는 측면도이다.
도 17은 변형예에 따른 단면세정처리유닛의 전체 구성을 나타내는 도면이다.
도 18은 이류체노즐을 나타내는 측단면도이다.
도 19는 변형예에 따른 세정처리부의 유닛 구성을 나타내는 도면이다.
[부호의 설명]
9 인덱서블록
10 반사방지막용 처리블록
11 레지스트막용 처리블록
12 현상처리블록
13 레지스트 커버막용 처리블록
14 레지스트 커버막 제거블록
15 세정/건조처리블록
16 인터페이스블록
91 제어부
92 카세트재치대
93 세정처리부
210 스핀척
230 ㄷ자형 노즐
240 초음파노즐
250 고주파진동자
931 처리유닛
500 기판처리장치
ＩＲ 인덱서로봇
ＥＣ 단면세정처리유닛
ＳＯＡＫ 이면세정유닛
ＲＥＶ 반전유닛

Claims (7)

  1. 기판에 대해 소정의 처리를 행하는 1 이상의 처리유닛을 배치한 처리부와,
    미처리 기판을 외부로부터 받아들여 상기 처리부에 건네 줌과 아울러, 처리완료 기판을 상기 처리부로부터 받아서 외부로 반출하는 인덱서부(部)를 구비하며,
    상기 인덱서부가,
    상기 처리부에 건네주기 전의 기판 단면(端面)을 세정하는 단면세정부(端面洗淨部)를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 단면세정부가,
    소정의 세정액에 초음파진동을 부여하는 초음파진동(超音波振動)부여수단과,
    상기 초음파진동이 부여된 상기 세정액을 피세정 기판의 단면에 공급하는 토출(吐出)노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 단면세정부가,
    수평방향을 따른 양단부(兩端部)가 개방되고, 단면(斷面) ㄷ자형의 형상을 가진 액(液)고임부 형성부재를 더 구비하며,
    상기 액고임부 형성부재의 내측공간에 상기 토출노즐로부터 상기 세정액을 토출함으로써 형성된 액고임부에 상기 피세정 기판의 단부(端部)를 담가 상기 피세정 기판의 단면(端面)을 세정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 단면세정부가,
    세정액과 가압된 기체를 혼합해 세정액의 액적(液滴)을 생성하여 피세정 기판의 단면에 공급하는 이류체(二流體) 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 단면세정부가,
    피세정 기판에 소정의 세정액을 공급하는 세정액공급수단과,
    상기 피세정 기판의 단면에 슬라이딩 접촉하는 세정브러시를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덱서부가,
    상기 처리부에 건네주기 전의 기판 상하면을 반전시키는 반전부(反轉部)와,
    상기 처리부에 건네주기 전의 기판 이면을 세정하는 이면세정부(裏面洗淨部)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인덱서부가,
    복수의 기판을 수용하는 카세트를 재치하는 카세트재치부(載置部)와,
    소정의 지지수단으로 기판을 지지하여, 상기 카세트, 상기 처리부 및 상기 단면세정부 사이에서 기판을 반송하는 기판반송장치(基板搬送裝置)를 더 구비하며,
    상기 기판반송장치가,
    그 단면부(端面部)가 세정되기 전의 기판을 지지하는 제1 지지수단과,
    그 단면부가 세정된 후의 기판을 지지하는 제2 지지수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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