JP2021158196A - 基板処理装置および基板反転方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を適切に反転できる基板処理装置および基板反転方法を提供することを目的とする。【解決手段】本願は、基板処理装置１および基板搬送方法に関する。基板処理装置１は、支持部２５と搬送機構２３と反転機構２６を備える。搬送機構２３は、第１吸引部４２とハンド駆動部４５を備える。反転機構２６は、第２吸引部７２と回転駆動部を備える。搬送機構２３が基板Ｗを支持部２５に搬送するとき、第１吸引部４２は基板Ｗの上方に位置し、第１吸引部４２は基板Ｗの上面に沿って気体を流して基板Ｗを上方に吸引し、かつ、ハンド駆動部４５は第１吸引部４２を支持部２５に移動させる。反転機構２６が支持部２５から基板Ｗを受けるとき、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置し、かつ、第２吸引部７２は基板Ｗの上面に沿って気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。【選択図】図５

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板反転方法に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板洗浄装置を開示する。以下では、特許文献１に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板洗浄装置は、反転部（１８）を備える。反転部（１８）は、水平軸周りに基板（Ｗ）を回転させる。反転部（１８）は、基板（Ｗ）を反転させる。

反転部（１８）は、複数の支持ピン（７２）と、一対のチャック（７３）と、１つの回転部（７４）を備える。支持ピン（７２）は、基板（Ｗ）を支持する。一対のチャック（７３）は、基板（Ｗ）と接触する。一対のチャック（７３）は、基板（Ｗ）の端縁を挟持する。回転部（７４）は、一対のチャック（７３）を支持する。回転部（７４）は、一対のチャック（７３）を、水平な回転軸線回りに回転させる。

基板洗浄装置は、搬送ユニット（１２）を備える。搬送ユニット（１２）は、基板（Ｗ）を反転部（１８）に搬送する。搬送ユニット（１２）は、基板保持部（５１）を備える。基板保持部（５１）は、基板（Ｗ）と接触する。基板保持部（５１）は、基板（Ｗ）を保持する。

反転部（１８）と搬送ユニット（１２）は、次のように動作する。基板保持部（５１）は、基板（Ｗ）を支持ピン（７２）に渡す。一対のチャック（７３）は、支持ピン（７２）から基板（Ｗ）を受ける。回転部（７４）は、一対のチャック（７３）を回転させる。これにより、基板（Ｗ）が反転する。一対のチャック（７３）は、基板（Ｗ）を支持ピン（７２）に渡す。基板保持部（５１）は、支持ピン（７２）から基板（Ｗ）を受ける。

特開２００３−５９８８５号公報

近年、基板は、薄型化および大口径化している。基板の厚みが薄く、かつ、基板の直径が大きくなると、基板の撓み量が著しく大きくなる。このため、従来の装置では、基板を適切に反転し難いことがある。例えば、基板を反転するとき、基板が損傷するおそれ、または、基板が割れるおそれがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に反転できる基板処理装置および基板反転方法を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理装置であって、基板と接触し、基板を水平姿勢で支持する支持部と、前記支持部に基板を搬送する搬送機構と、前記支持部から基板を受け、基板を反転させ、かつ、基板を前記支持部に渡す反転機構と、を備え、前記搬送機構は、基板と接触することなく基板を吸引する第１吸引部と、前記第１吸引部を移動させる搬送駆動部と、を備え、前記反転機構は、基板と接触することなく基板を吸引する第２吸引部と、前記第２吸引部を水平な回転軸線周りに回転させる回転駆動部と、を備え、前記搬送機構が基板を前記支持部に搬送するとき、前記第１吸引部は基板の上方に位置し、前記第１吸引部は基板の上面に沿って気体を流して基板を上方に吸引し、かつ、前記搬送駆動部は前記第１吸引部を前記支持部に移動させ、前記反転機構が前記支持部から基板を受けるとき、前記第２吸引部は前記支持部に支持される基板の上方に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板の上面に沿って気体を流して基板を上方に吸引する基板処理装置である。

第１吸引部は基板と接触することなく基板を吸引する。よって、搬送機構は基板を適切に支持できる。搬送機構は搬送駆動部を備える。よって、搬送機構は、第１吸引部に吸引される基板を好適に搬送できる。

第２吸引部は基板と接触することなく基板を吸引する。よって、反転機構は基板を適切に支持できる。反転機構は回転駆動部を備える。よって、反転機構は、第２吸引部に吸引される基板を好適に反転できる。

搬送機構は支持部に基板を搬送し、反転機構は支持部から基板を受ける。このように、反転機構は、支持部を介して、搬送機構から基板を、間接的に受ける。反転機構は、搬送機構から基板を、直接的に受けない。このため、第２吸引部は基板を適切に吸引できる。

支持部は基板を水平姿勢で支持する。よって、第２吸引部は基板を一層適切に吸引できる。

搬送機構が支持部に基板を搬送するとき、第１吸引部は基板の上方に位置する。このため、搬送機構は、支持部に基板を適切に渡すことができる。

反転機構が支持部から基板を受けるとき、第２吸引部は、支持部に支持される基板の上方に位置する。このため、反転機構は、支持部から基板を適切に受けることができる。

以上のとおり、本基板処理装置は、基板を適切に反転できる。

上述した基板処理装置において、前記支持部は、水平方向における基板の位置を調整する位置調整部と、を備えることが好ましい。支持部に支持される基板は、適切な位置に位置する。よって、第２吸引部は、支持部に支持される基板を、適切に吸引できる。反転機構は、支持部から基板を適切に受けることができる。

上述した基板処理装置において、前記位置調整部は、下方に向かって、前記支持部に支持される基板の半径方向内方に傾斜し、基板の端縁と接触する傾斜面と、を備えることが好ましい。位置調整部は、基板を適切な位置に好適に案内できる。

上述した基板処理装置において、前記反転機構が基板を反転するとき、前記第２吸引部は基板の上方の位置から基板の下方の位置に移動し、前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は基板の下方に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板を吸引せず、前記反転機構が前記支持部に基板を渡した後から前記支持部が前記搬送機構に基板を渡すまで、前記第２吸引部は静止することが好ましい。反転機構が基板を反転するとき、第２吸引部は基板を吸引し、かつ、回転駆動部は第２吸引部を回転軸線回りに回転させる。これにより、反転機構が基板を反転するとき、第２吸引部は基板の上方の位置から基板の下方の位置に移動する。よって、反転機構は、基板を好適に反転できる。反転機構が支持部に基板を渡すとき、第２吸引部は基板の下方に位置し、かつ、第２吸引部は基板を吸引しない。よって、反転機構は基板を支持部に好適に渡すことができる。反転機構が支持部に基板を渡した後から支持部が搬送機構に基板を渡すまで、第２吸引部は移動しない。よって、反転機構が支持部に基板を渡した後、速やかに、支持部は搬送機構に基板を渡すことができる。

上述した基板処理装置において、前記回転駆動部は、前記第２吸引部を前記回転軸線回りに回転させることによって、前記第２吸引部が気体を下方に吹き出す第１位置と、前記第２吸引部が気体を上方に吹き出す第２位置とに、前記第２吸引部を移動させ、前記回転軸線は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部よりも低い位置に配置され、前記第１位置に位置する前記第２吸引部は、前記第２位置に位置する前記第２吸引部よりも高い位置に配置されることが好ましい。回転駆動部は、第２吸引部を回転軸線回りに回転させることによって、第２吸引部を第１位置に移動させる。第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部は気体を下方に吹き出す。よって、第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部は、第２吸引部の下方に位置する基板を好適に吸引できる。回転駆動部は、第２吸引部を回転軸線回りに回転させることによって、第２吸引部を第２位置に移動させる。第２吸引部が第２位置に位置するとき、第２吸引部は気体を上方に吹き出す。よって、第２吸引部が第２位置に位置するとき、第２吸引部は、第２吸引部の上方に位置する基板を好適に吸引できる。回転軸線は、第１位置に位置する第２吸引部よりも低い位置に配置される。よって、第１位置に位置する第２吸引部は、第２位置に位置する第２吸引部よりも高い位置に配置される。このため、第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部を基板の上方の位置に容易に配置できる。したがって、第２吸引部が第１位置に位置するとき、反転機構は支持部から基板を好適に受けることができる。他方、第２位置に位置する第２吸引部は、第１位置に位置する第２吸引部よりも低い位置に配置される。このため、第２吸引部が第２位置に位置するとき、第２吸引部を基板の下方の位置に容易に配置できる。したがって、第２吸引部が第２位置に位置するとき、反転機構は支持部に基板を好適に渡すことができる。

上述した基板処理装置において、前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は前記第２位置に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板を吸引せず、前記反転機構が前記支持部に基板を渡した後から前記支持部が前記搬送機構に基板を渡すまで、前記第２吸引部は前記第２位置に位置したままであることが好ましい。反転機構が支持部に基板を渡すとき、第２吸引部は第２位置に位置し、かつ、第２吸引部は基板を吸引しない。よって、反転機構は基板を支持部に好適に渡すことができる。反転機構が支持部に基板を渡した後から支持部が搬送機構に基板を渡すまで、第２吸引部は第２位置に位置したままである。よって、反転機構が支持部に基板を渡した後、速やかに、支持部は搬送機構に基板を渡すことができる。

上述した基板処理装置において、前記第２吸引部が前記第２位置に位置するとき、前記第２吸引部は、平面視において、前記支持部よりも、前記支持部に支持される基板の半径方向内方に配置されることが好ましい。第２吸引部が第２位置に位置するとき、第２吸引部は、基板を一層適切に吸引できる。他方、第２吸引部を第２位置から退避させるために要する時間は、比較的に長い。ただし、上述したとおり、反転機構が支持部に基板を渡した後から支持部が搬送機構に基板を渡すまで、第２吸引部は第２位置に位置したままである。したがって、支持部が搬送機構に基板を渡すタイミングが遅くなることを、好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、基板処理装置は、前記支持部を、第１支持位置と、前記第１支持位置よりも低い第２支持位置とに、移動させる昇降駆動部と、を備え、前記第２吸引部が前記第１位置に位置するとき、前記第２吸引部は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置され、前記第２吸引部が前記第２位置において吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板の高さ位置よりも低く、かつ、前記支持部が前記第２支持位置において支持する基板の高さ位置よりも高いことが好ましい。第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部は、支持部が第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置される。よって、第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部は、支持部が第１支持位置において支持する基板の上方に、容易に位置できる。したがって、第２吸引部が第１位置に位置するとき、反転機構は支持部から基板を容易に受けることができる。第２吸引部が第２位置において吸引する基板の高さ位置は、支持部が第１支持位置において支持する基板の高さ位置よりも低く、かつ、支持部が第２支持位置において支持する基板の高さ位置よりも高い。よって、第２吸引部が第２位置に位置するとき、支持部が第２支持位置から第１支持位置に移動することにより、支持部は反転機構から基板を好適に受けることができる。すなわち、第２吸引部が第２位置に位置するとき、反転機構は支持部に基板を好適に渡すことができる。

上述した基板処理装置において、前記搬送機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記支持部は前記第１支持位置に位置し、前記反転機構が前記支持部から基板を受けるとき、前記支持部は前記第１支持位置に位置し、前記反転機構が基板を反転するとき、前記支持部は前記第２支持位置に位置し、前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記支持部は前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動することが好ましい。支持部の位置は、第１支持位置および第２支持位置の、２つのみである。よって、昇降駆動部の構造を簡素化できる。

上述した基板処理装置において、前記反転機構は、前記第２吸引部を、前記第１位置から、前記搬送機構と干渉しない第３位置に移動させる移動駆動部を備え、前記搬送機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は前記第３位置に位置することが好ましい。搬送機構が支持部に基板を渡すとき、第２吸引部が搬送機構と干渉することを好適に防止できる。

上述した基板処理装置において、前記第２吸引部が前記第３位置に位置するとき、前記第２吸引部は、平面視において、前記支持部よりも、前記支持部に支持される基板の半径方向外方に配置されることが好ましい。第２吸引部が第３位置に位置するとき、第２吸引部が搬送機構と干渉することを、確実に防止できる。

上述した基板処理装置において、前記反転機構は、前記移動駆動部に連結される前記第１枝部と、前記移動駆動部に連結される前記第２枝部と、を備え、前記第２吸引部は、前記第１枝部に保持される第３吸引部と、前記第２枝部に保持される第４吸引部と、を備え、前記移動駆動部は、前記第１枝部と前記第２枝部の間隔を広狭させ、前記移動駆動部は、前記第１枝部と前記第２枝部の間隔を大きくさせることによって、前記第１位置から前記第３位置に前記第２吸引部を移動させることが好ましい。第２吸引部が第１位置から第３位置に移動するときの第２吸引部の移動量を、好適に抑制できる。よって、移動駆動部は、第１位置から第３位置に第２吸引部を、容易に移動させることができる。

上述した基板処理装置において、前記第２吸引部が前記第１位置および前記第３位置に位置するとき、前記回転軸線は、平面視において、前記第１枝部と前記第２枝部の間を通るように配置され、前記第２吸引部が前記第１位置から前記第３位置に移動するとき、前記第１枝部および前記第２枝部はそれぞれ、平面視において、前記回転軸線から遠ざかり、前記第２吸引部が前記第３位置から前記第１位置に移動するとき、前記第１枝部および前記第２枝部はそれぞれ、平面視において、前記回転軸線に近づくことが好ましい。第２吸引部が第１位置と第３位置の間で移動するときの第２吸引部の移動量を、一層好適に抑制できる。よって、移動駆動部は、第１位置と第３位置の間で第２吸引部を、一層容易に移動させることができる。

本発明は、基板を反転する基板反転方法であって、第１吸引部を備える搬送機構が支持部に基板を搬送する搬送工程と、前記支持部が、前記搬送機構から基板を受け、基板を水平姿勢で支持する第１支持工程と、第２吸引部を備える反転機構が前記支持部から基板を取る第１取得工程と、前記反転機構が基板を反転する反転工程と、前記支持部が、前記反転機構から基板を受け、基板を水平姿勢で支持する第２支持工程と、を備え、前記搬送工程では、前記第１吸引部は基板の上方に位置し、前記第１吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引し、かつ、前記第１吸引部は前記支持部に移動し、前記第１取得工程では、前記第２吸引部は、前記支持部に支持される基板の上方の位置である第１位置に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引し、前記反転工程では、前記第２吸引部が基板を吸引した状態で、前記第２吸引部は水平な回転軸線周りに半回転し、前記第１位置から第２位置に移動する基板反転方法である。

搬送工程では、搬送機構が支持部に基板を搬送する。搬送機構は、第１吸引部を備える。搬送工程では、第１吸引部は基板の上方に位置し、第１吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引する。よって、搬送工程では、搬送機構は基板を好適に支持できる。

搬送工程では、第１吸引部が基板を吸引した状態で、第１吸引部は支持部に移動する。よって、搬送工程では、搬送機構は、第１吸引部に吸引される基板を支持部に好適に搬送できる。

第１支持工程では、支持部は搬送機構から基板を受ける。支持部は基板を水平姿勢で支持する。上述の通り、搬送工程では、第１吸引部は基板の上方に位置する。よって、第１支持工程では、支持部は、搬送機構から基板を好適に受けることができる。

第１取得工程では、反転機構が支持部から基板を取る。反転機構は、第２吸引部を備える。第１取得工程では、第２吸引部は第１位置に位置する。第１位置は、支持部に支持される基板の上方の位置である。第１取得工程では、第２吸引部は、前記第２吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引する。よって、第１取得工程では、反転機構は支持部から基板を適切に取ることできる。

上述の通り、第１支持工程では、支持部は基板を水平姿勢で支持する。よって、第１取得工程では、第２吸引部は基板を適切に吸引できる。

上述の通り、基板反転方法は、第１支持工程を備える。よって、搬送機構は支持部に基板を搬送する。反転機構は支持部から基板を取る。このように、反転機構は、支持部を介して搬送機構から基板を、間接的に受ける。反転機構は、搬送機構から基板を、直接的に受けない。このため、第２吸引部は基板を一層適切に吸引できる。したがって、第１取得工程では、反転機構は支持部から基板を一層適切に取ることができる。

反転工程では、反転機構が基板を反転する。具体的には、第２吸引部が基板を吸引した状態で、第２吸引部は水平な回転軸線周りに半回転し、第２吸引部は第１位置から第２位置に移動する。よって、反転工程では、反転機構は第２吸引部に吸引される基板を好適に反転できる。

第２支持工程では、支持部は、反転機構から基板を受ける。支持部は、基板を水平姿勢で支持する。ここで、第２支持工程では、第２吸引部は第２位置に位置する。上述した通り、第２位置は、第２吸引部が、第１位置から、水平な回転軸線周りに半回転した位置である。したがって、第２吸引部が第２位置に位置するとき、第２吸引部は基板の下方に位置する。よって、第２支持工程では、支持部は、反転機構から基板を好適に受けることができる。

以上のとおり、本基板反転方法は、基板を適切に反転できる。

上述した基板反転方法において、前記第１支持工程では、水平方向における基板の位置を調整することが好ましい。第１支持工程では、支持部に支持される基板は、適切な位置に位置する。よって、第１取得工程では、第２吸引部は、支持部に支持される基板を適切に吸引できる。

上述した基板反転方法において、前記第１支持工程では、前記支持部は第１支持位置において静止し、前記第１取得工程では、前記支持部は前記第１支持位置において静止し、前記反転工程では、前記支持部は、前記第１支持位置から、前記第１支持位置よりも低い第２支持位置に移動し、前記第２支持工程では、前記支持部は前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動することが好ましい。支持部が静止する位置は、第１支持位置および第２支持位置の、２つのみである。よって、支持部の動作を簡素化できる。

上述した基板反転方法において、前記第２吸引部が前記第１位置に位置するとき、前記第２吸引部は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置され、前記回転軸線の高さ位置は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置よりも、低く、前記第２位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置よりも、低く、前記第２吸引部が前記第２位置で吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第１支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、低く、前記第２吸引部が前記第２位置で吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第２支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、高いことが好ましい。

第２吸引部が第１位置に位置するとき、第２吸引部は、支持部が第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置される。よって、第１取得工程では、支持部が第１支持位置において支持する基板を、第２吸引部は適切に吸引できる。

回転軸線の高さ位置は、第１位置に位置する第２吸引部の高さ位置よりも、低い。このため、第２位置に位置する第２吸引部の高さ位置は、第１位置に位置する第２吸引部の高さ位置よりも、低い。すなわち、第２吸引部が第１位置から第２位置に移動するとき、第２吸引部の高さ位置は下降する。ここで、第２吸引部が第２位置で吸引する基板の高さ位置は、支持部が第１支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、低く、かつ、支持部が第２支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、高い。よって、第２支持工程では、反転機構は支持部に基板を好適に渡すことができる。第２支持工程では、支持部が第２支持位置から第１支持位置に移動することによって、支持部は反転機構から基板を好適に受けることができる。

上述した基板反転方法において、基板反転方法は、前記搬送機構が前記支持部から基板を取る第２取得工程と、を備え、前記第２支持工程から前記第２取得工程まで、前記第２吸引部は前記第２位置において静止することが好ましい。第２支持工程の後、速やかに、第２取得工程を開始できる。

上述した基板反転方法において、基板反転方法は、前記第２取得工程の後、前記第２吸引部が、前記第２位置から、前記搬送機構と干渉しない第３位置に移動する退避工程と、を備え、前記第１支持工程では、前記第２吸引部は、前記第３位置に位置することが好ましい。退避工程よりも先に、第２取得工程を行う。よって、第２取得工程を早いタイミングで行うことができる。第１支持工程では、第２吸引部は第３位置に位置する。よって、第１支持工程では、第２吸引部が搬送機構と干渉することを好適に防止できる。

上述した基板反転方法において、前記退避工程は、前記支持部が前記第１支持位置から前記第２支持位置に移動する降下工程と、前記降下工程の後、前記第２吸引部が前記回転軸線周りに回転し、前記第２位置から前記第１位置に移動する第１移動工程と、前記第１移動工程の後、前記第２吸引部が、前記第１位置から前記第３位置に移動する第２移動工程と、前記第１移動工程の後、前記支持部が前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動する上昇工程と、を備えることが好ましい。退避工程では、第２吸引部は、第２位置から第３位置に、好適に移動できる。

本発明によれば、基板を適切に反転できる。

実施形態の基板処理装置の内部を示す平面図である。 図２（ａ）は基板の側面図であり、図２（ｂ）は基板の平面図である。 図３（ａ）、３（ｂ）はそれぞれ、基板Ｗの形状の一例を示す断面図である。 図４（ａ）、４（ｂ）はそれぞれ、基板Ｗの構造の一例を示す側面図である。 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す左側面図である。 図６（ａ）は基板載置部の正面図であり、図６（ｂ）は基板載置部の平面図である。 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 １枚の基板を搬送する手順を模式的に示す図である。 搬送機構のハンドの底面図である。 図１１（ａ）、１１（ｂ）、１１（ｃ）は、搬送機構のハンドの側面図である。 反転ユニットの側面図である。 反転ユニットの一部の平面図である。 反転ユニットの一部の正面図である。 反転ユニットの一部の正面図である。 基板を反転する動作例の手順を示すフローチャートである。 図１７（ａ）、１７（ｂ）、１７（ｃ）は、搬送工程および第１支持工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図１８（ａ）−１８（ｈ）は、搬送工程および第１支持工程の動作例を模式的に示す側面図である。 図１９（ａ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図１９（ｂ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２０（ａ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２０（ｂ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２１（ａ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２１（ｂ）は第１取得工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２２（ａ）は反転工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２２（ｂ）は反転工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２３（ａ）は反転工程および第２支持工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２３（ｂ）は反転工程および第２支持工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２４（ａ）は第２支持工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２４（ｂ）は第２支持工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２５（ａ）は第２取得工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２５（ｂ）は第２取得工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２６（ａ）は第２取得工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２６（ｂ）は第２取得工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２７（ａ）は搬出工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２７（ｂ）は搬出工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図２８（ａ）−２８（ｈ）は、第２取得工程および搬出工程の動作例を模式的に示す側面図である。 図２９（ａ）は降下工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図２９（ｂ）は降下工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図３０（ａ）は第１移動工程の動作例を模式的に示す正面図であり、図３０（ｂ）は第１移動工程の動作例を模式的に示す平面図である。 図３１（ａ）は第２移動工程および上昇行程の動作例を模式的に示す正面図であり、図３１（ｂ）は第２移動工程および上昇行程の動作例を模式的に示す平面図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。

図１は、実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。

＜基板Ｗ＞
先ず、基板処理装置１が処理する基板Ｗについて、説明する。図２（ａ）は、基板Ｗの側面図である。図２（ｂ）は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板Ｗの基本的な形状を説明する。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、比較的に薄い厚みを有してもよい。基板Ｗの厚みは、例えば、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。但し、基板Ｗの厚みは、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下に限定されない。基板Ｗの厚みは、１０［μｍ］未満であってもよい。基板Ｗの厚みは、２００［μｍ］よりも大きくてもよい。

基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。基板Ｗは、比較的に大きな直径を有してもよい。基板Ｗの直径は、例えば、３００［ｍｍ］である。但し、基板Ｗの直径は、３００［ｍｍ］に限定されない。基板Ｗの直径は、例えば、３００［ｍｍ］未満であってもよいし、３００［ｍｍ］よりも大きくてもよい。

基板Ｗは、第１面Ｗ１と第２面Ｗ２を有する。基板Ｗが水平姿勢であるとき、第１面Ｗ１および第２面Ｗ２の一方は上方を向き、第１面Ｗ１および第２面Ｗ２の他方は下方を向く。上方を向く基板Ｗの面を「上面ＷＴ」と呼び、下方を向く基板Ｗの面を「裏面ＷＢ」と呼ぶ。例えば、第１面Ｗ１が上面ＷＴに位置するとき、第２面Ｗ２は裏面ＷＢに位置する。例えば、基板Ｗが反転すると、第１面Ｗ１は上面ＷＴから裏面ＷＢに変わり、第２面Ｗ２は裏面ＷＢから上面ＷＴに変わる。

基板Ｗは、半導体デバイスが形成される第１領域３と、半導体デバイスが形成されない第２領域４を有する。第２領域４は、平面視において、基板Ｗの周縁に位置する。第１領域３は、平面視において、第２領域４の内側に位置する。第１領域３を「主部３」と呼ぶ。第２領域４を「周縁部４」と呼ぶ。

基板Ｗの詳細な形状を例示する。

図３（ａ）に示すように、基板Ｗは、凹部５を有してもよい。図３（ａ）は、基板Ｗの形状の一例を示す断面図である。凹部５は、例えば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。凹部５は、例えば、主部３が周縁部４よりも凹むことによって形成される。例えば、第１面Ｗ１の主部３に半導体デバイスが形成され、第２面Ｗ２の主部３に半導体デバイスが形成されない場合、凹部５は第１面Ｗ１に形成されず、凹部５は第２面Ｗ２に形成される。

あるいは、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗは、凹部５を有しなくてもよい。図３（ｂ）は、基板Ｗの形状の他の例を示す断面図である。第１面Ｗ１および第２面Ｗ２はそれぞれ、主部３および周縁部４にわたって平坦であってもよい。

基板Ｗの構造を例示する。

図４（ａ）に示すように、基板Ｗは、基板本体６と保護部材７を含んでもよい。図４（ａ）は、基板Ｗの構造の一例を示す側面図である。半導体デバイスは、基板本体６に形成される。基板本体６は、例えば、シリコンウェハである。基板本体６は、上述した凹部５を有してもよい。あるいは、基板本体６は、凹部５を有しなくてもよい。保護部材７は、例えば、基板Ｗを支持し、基板Ｗを保護する。半導体デバイスは、保護部材７に形成されない。保護部材７は、例えば、プレート、膜、テープ、シートおよびフィルムの少なくともいずれかである。保護部材７の材質は、例えば、ガラスまたは樹脂である。樹脂は、例えば、合成樹脂である。保護部材７は、基板本体６に接合される。保護部材７は、例えば、不図示の接着剤を介して、基板本体６に接合される。

図４（ｂ）に示すように、基板Ｗは、基板本体６を含み、かつ、保護部材７を含まなくてもよい。図４（ｂ）は、基板Ｗの構造の他の例を示す側面図である。基板Ｗは、例えば、基板本体６と接合していた保護部材７を剥離することによって得られる基板本体６であってもよい。例えば、基板本体６と保護部材７の接合に使用された接着剤が、基板Ｗに付着していてもよい。

基板処理装置１が行う処理は、例えば、上述した基板Ｗを洗浄する処理である。基板処理装置１が行う処理は、例えば、基板Ｗに付着する接着剤を基板Ｗから除去する処理である。

＜基板処理装置の概要＞
図１を参照する。基板処理装置１の概要を説明する。

基板処理装置１は、インデクサ部１０と処理ブロック２０を備える。処理ブロック２０はインデクサ部１０に接続される。インデクサ部１０と処理ブロック２０は水平方向に並ぶ。インデクサ部１０は、処理ブロック２０に基板Ｗを供給する。処理ブロック２０は、基板Ｗに処理を行う。インデクサ部１０は、処理ブロック２０から基板Ｗを回収する。

本明細書では、便宜上、インデクサ部１０と処理ブロック２０が並ぶ水平方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘのうち、処理ブロック２０からインデクサ部１０に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を、「幅方向Ｙ」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。「前方」、「後方」、「右方」および「左方」を特に区別しない場合には、「側方」と呼ぶ。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。

インデクサ部１０は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部１１を備える。キャリア載置部１１は幅方向Ｙに並ぶ。各キャリア載置部１１はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。基板ＷがキャリアＣに収容されるとき、基板Ｗは水平姿勢である。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。

インデクサ部１０は、搬送スペース１２を備える。搬送スペース１２は、キャリア載置部１１の後方に配置される。搬送スペース１２は、幅方向Ｙに延びる。

インデクサ部１０は、搬送機構１３を備える。搬送機構１３は、搬送スペース１２に設置される。搬送機構１３は、キャリア載置部１１の後方に配置される。搬送機構１３は、基板Ｗを搬送する。基板Ｗが搬送機構１３に支持されるとき、基板Ｗは水平姿勢である。搬送機構１３は、キャリア載置部１１に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。

処理ブロック２０は、搬送スペース２２を備える。搬送スペース２２は、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース２２の前部は、インデクサ部１０の搬送スペース１２とつながっている。搬送スペース２２は、搬送スペース１２から後方に延びる。搬送スペース２２は、幅方向Ｙにおける処理ブロック２０の中央部に配置される。

図１、５を参照する。図５は、幅方向Ｙにおける基板処理装置１の中央部の構成を示す左側面図である。処理ブロック２０は、搬送機構２３を備える。搬送機構２３は、搬送スペース２２に設置される。搬送機構２３は、基板Ｗを搬送する。基板Ｗが搬送機構２３に支持されるとき、基板Ｗは水平姿勢である。

処理ブロック２０は、複数（例えば、２つ）の反転ユニット２４を備える。反転ユニット２４は、搬送スペース２２に設置される。反転ユニット２４は、搬送スペース２２の前部に配置される。反転ユニット２４は、搬送機構２３の前方に配置される。各反転ユニット２４は、基板Ｗを反転させる。

各反転ユニット２４は、略同じ構造を有する。具体的には、各反転ユニット２４は、支持部２５を備える。支持部２５は、基板Ｗを支持する。基板Ｗが支持部２５に支持されるとき、基板Ｗは水平姿勢である。

各反転ユニット２４は、反転機構２６を備える。反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを取る。反転機構２６は、基板Ｗを反転させる。反転機構２６は、水平な回転軸線Ａ回りに基板Ｗを回転させる。反転機構２６は、基板Ｗを支持部２５に渡す。

各反転ユニット２４を区別する場合には、反転ユニット２４ａ、２４ｂと呼ぶ。反転ユニット２４ａの支持部２５、反転機構２６および回転軸線Ａを、適宜に支持部２５ａ、反転機構２６ａおよび回転軸線Ａａと呼ぶ。反転ユニット２４ｂの支持部２５、反転機構２６および回転軸線Ａを、適宜に支持部２５ｂ、反転機構２６ｂおよび回転軸線Ａｂと呼ぶ。

図５を参照する。処理ブロック２０は、複数（例えば、２つ）の基板載置部２７を備える。基板載置部２７は、搬送スペース２２に設置される。基板載置部２７は、搬送スペース２２の前部に配置される。基板載置部２７は、搬送機構２３の前方に配置される。基板載置部２７は、反転ユニット２４の下方に配置される。基板載置部２７は、１枚以上の基板Ｗを載置する。基板Ｗが基板載置部２７に載置されるとき、基板Ｗは水平姿勢である。

各基板載置部２７を区別する場合には、基板載置部２７ａ、２７ｂと呼ぶ。

図６（ａ）は、基板載置部２７の正面図である。図６（ｂ）は、基板載置部２７の平面図である。基板載置部２７は、壁３１と、複数（例えば、２つ）の棚３２を備える。棚３２は、壁３１に支持される。複数の棚３２は、鉛直方向Ｚに並ぶように、配置される。各棚３２は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。

各棚３２は、１つの第１棚３３と１つの第２棚３４を備える。第１棚３３と第２棚３４は、同じ高さ位置に配置される。第１棚３３と第２棚３４は、幅方向Ｙに並ぶ。第１棚３３および第２棚３４はそれぞれ、水平方向（例えば、前後方向Ｘ）に延びる。第１棚３３は、基板Ｗの第１側部と接触する。第２棚３４は、基板Ｗの第２側部と接触する。

棚３２は、さらに、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。具体的には、第１棚３３は第１傾斜面３３ａを備える。第２棚３４は第２傾斜面３４ａを備える。第１傾斜面３３ａと第２傾斜面３４ａはそれぞれ、基板Ｗの端縁と接触する。例えば、第１傾斜面３３ａおよび第２傾斜面３４ａはそれぞれ、下方に向かって、棚３２に支持される基板Ｗの半径方向内方に傾斜する。例えば、水平方向における第１傾斜面３３ａと第２傾斜面３４ａの間隔は、下方に向かって、小さくなる。第１傾斜面３３ａと第２傾斜面３４ａは、基板Ｗを所定の位置に案内する。

図１を参照する。処理ブロック２０は、複数の処理ユニット２８を備える。各処理ユニット２８は、搬送スペース２２に隣接する。一部の処理ユニット２８は、搬送スペース２２の右方に配置される。他の処理ユニット２８は、搬送スペース２２の左方に配置される。

図７は、基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。図７は、搬送スペース２２の左方に配置される処理ユニット２８を示す。複数の処理ユニット２８は、前後方向Ｘおよび鉛直方向Ｚに並ぶ。例えば、６個の処理ユニット２８が、前後方向Ｘに２列、鉛直方向Ｚに３段で配置される。図示を省略するが、搬送スペース２２の右方に配置される処理ユニット２８も、搬送スペース２２の左方に配置される処理ユニット２８と同様に配置される。

各処理ユニット２８は、基板Ｗに処理を行う。各処理ユニット２８が行う処理は、例えば、洗浄処理や接着剤除去処理である。各処理ユニット２８は、一度に１枚の基板Ｗを処理する。各処理ユニット２８は、基板Ｗの上面ＷＴを処理する。

処理ユニット２８は、基板保持部３６と回転駆動部３７を備える。基板保持部３６は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部３６が基板Ｗを保持するとき、基板Ｗは水平姿勢である。回転駆動部３７は、基板保持部３６と連結する。回転駆動部３７は、基板保持部３６を回転する。これにより、基板保持部３６に保持される基板Ｗは、基板保持部３６と一体に回転する。基板保持部３６に保持される基板Ｗは、鉛直方向Ｚと平行な回転軸線回りに回転する。

図１を参照する。処理ユニット２８は、ノズル３８を備える。ノズル３８は、基板Ｗに処理液を吐出する。ノズル３８は、上面ＷＴに処理液を吐出する。ノズル３８は、処理位置と退避位置に移動可能に設けられる。図１は、処理位置に位置するノズル３８を実線で示す。図１は、退避位置に位置するノズル３８を破線で示す。図１は、１つの基板保持部３６に保持される１枚の基板Ｗを示す。処理位置は、基板保持部３６に保持される基板Ｗの上方の位置である。ノズル３８が処理位置に位置するとき、ノズル３８は、平面視において、基板保持部３６に保持される基板Ｗと重なる。ノズル３８が退避位置に位置するとき、ノズル３８は、平面視において、基板保持部３６に保持される基板Ｗと重ならない。

処理ユニット２８は、ガード３９を備える。ガード３９は、基板保持部３６の側方を囲むように配置される。ガード３９は、処理液を受ける。

搬送機構２３は、反転ユニット２４にアクセス可能である。搬送機構２３は、支持部２５にアクセス可能である。搬送機構２３は、基板載置部２７にアクセス可能である。搬送機構２３は、棚３２にアクセス可能である。搬送機構２３は、処理ユニット２８にアクセス可能である。搬送機構２３は、基板保持部３６にアクセス可能である。

インデクサ部１０の搬送機構１３は、基板載置部２７にアクセス可能である。但し、搬送機構１３は、反転ユニット２４にアクセスしない。

基板処理装置１は、制御部２９を備える。制御部２９は、例えば、インデクサ部１０に設置される。

図８は、基板処理装置１の制御ブロック図である。制御部２９は、搬送機構１３、２３と反転ユニット２４と処理ユニット２８を制御する。制御部２９は、搬送機構１３、２３と反転ユニット２４と処理ユニット２８と通信可能に接続される。

制御部２９は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体は、各種の情報を予め格納している。記憶媒体に記憶される情報は、例えば、搬送機構１３、２３、反転ユニット２４および処理ユニット２８の動作条件に関する情報である。記憶媒体に記憶される情報は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報である。

図９を参照して、基板処理装置１の動作例を説明する。図９は、１枚の基板Ｗを搬送する手順を模式的に示す。図９は、基板が通過する基板処理装置１の要素を模式的に示す。

本動作例において、基板処理装置１の各要素は、制御部２９による制御にしたがって、動作するものとする。キャリア載置部１１上のキャリアＣ内では、第１面Ｗ１が裏面ＷＢに位置するものとする。本動作例を簡単に言うと、基板処理装置１は第１面Ｗ１を処理する。以下、本動作例を説明する。

基板Ｗを収容するキャリアＣが、キャリア載置部１１上に載置される（ステップＳ１）。搬送機構１３は、キャリア載置部１１上のキャリアＣから基板Ｗを搬出する（ステップＳ２）。搬送機構１３は、基板載置部２７ａに基板Ｗを搬送する（ステップＳ３）。搬送機構１３は、基板載置部２７ａの棚３２に基板Ｗを載置する。基板載置部２７ａの棚３２は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。搬送機構２３は、基板載置部２７ａから基板Ｗを受ける（ステップＳ４）。搬送機構２３は、基板載置部２７ａの棚３２から基板Ｗを取る。搬送機構２３は、反転ユニット２４ａに基板Ｗを搬送する。搬送機構２３は、支持部２５ａに基板Ｗを搬送する（ステップＳ５）。搬送機構２３は、支持部２５ａに基板Ｗを渡す。支持部２５ａが、基板Ｗを支持する。反転機構２６ａは、支持部２５ａから基板Ｗを受ける（ステップＳ６）。キャリアＣがキャリア載置部１１に載置された時から反転機構２６ａが支持部２５ａから基板Ｗを受ける時まで、第１面Ｗ１は裏面ＷＢに位置する。

反転機構２６ａは、回転軸線Ａａ回りに基板Ｗを反転する。第１面Ｗ１は、裏面ＷＢから上面ＷＴに変わる。

反転機構２６ａは、基板Ｗを支持部２５ａに渡す（ステップＳ７）。支持部２５ａが、基板Ｗを支持する。搬送機構２３は、支持部２５ａから基板Ｗを受ける（ステップＳ８）。搬送機構２３は、反転ユニット２４ａから基板Ｗを搬出する。搬送機構２３は、処理ユニット２８に基板Ｗを搬送する（ステップＳ９）。搬送機構２３は、基板保持部３６に基板Ｗを載置する。処理ユニット２８は、基板Ｗに処理を行う。具体的には、処理ユニット２８は、基板保持部３６に保持される基板Ｗを回転させながら、基板保持部３６に保持される基板Ｗの上面ＷＴに処理液を供給する。搬送機構２３は、基板保持部３６から基板Ｗを取る（ステップＳ１０）。搬送機構２３は、処理ユニット２８から基板Ｗを搬出する。搬送機構２３は、反転ユニット２４ｂに基板Ｗを搬送する。搬送機構２３は、支持部２５ｂに基板Ｗを搬送する（ステップＳ１１）。搬送機構２３は、支持部２５ｂに基板Ｗを渡す。支持部２５ｂは、基板Ｗを支持する。反転機構２６ｂは、支持部２５ｂから基板Ｗを受ける（ステップＳ１２）。反転機構２６ａが支持部２５ａに渡す時から反転機構２６ｂが支持部２５ｂから基板Ｗを受ける時まで、基板Ｗの第１面Ｗ１は上面ＷＴに位置する。

反転機構２６ｂは、回転軸線Ａｂ回りに基板Ｗを反転する。基板Ｗの第１面Ｗ１は、上面ＷＴから裏面ＷＢに変わる。

反転機構２６ｂは、基板Ｗを支持部２５ｂに渡す（ステップＳ１３）。支持部２５ｂは、基板Ｗを支持する。搬送機構２３は、支持部２５ｂから基板Ｗを受ける（ステップＳ１４）。搬送機構２３は、反転ユニット２４ｂから基板Ｗを搬出する。搬送機構２３は、基板載置部２７ｂに基板Ｗを渡す（ステップＳ１５）。搬送機構２３は、基板載置部２７ｂの棚３２に基板Ｗを載置する。基板載置部２７ｂの棚３２は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。搬送機構１３は、基板載置部２７ｂから基板Ｗを受ける（ステップＳ１６）。搬送機構１３は、基板載置部２７ｂの棚３２から基板Ｗを取る。搬送機構１３は、キャリア載置部１１上のキャリアＣに基板Ｗを搬入する（ステップＳ１７）。反転機構２６ｂが支持部２５ｂに渡す時から搬送機構１３がキャリアＣに基板Ｗを搬入する時まで、基板Ｗの第１面Ｗ１は裏面ＷＢに位置する。

基板処理装置１の構造について、さらに詳しく説明する。

＜インデクサ部１０＞
搬送機構１３の構造を説明する。

図１を参照する。搬送機構１３は、ハンド１４を備える。ハンド１４は、例えば、平面視において、略Ｕの字形状を有する。ハンド１４は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。

図５は、ハンド１４が支持する基板Ｗを示す。ハンド１４は基板Ｗの下方に位置する。ハンド１４は、基板Ｗと接触する。ハンド１４は、基板Ｗを吸引しない。

搬送機構１３は、ハンド駆動部１５を備える。ハンド駆動部１５は、ハンド１４と連結する。ハンド駆動部１５は、ハンド１４を移動させる。ハンド駆動部１５は、キャリア載置部１１上のキャリアＣと、基板載置部２７に、ハンド１４を移動させる。

ハンド駆動部１５の構造を例示する。ハンド駆動部１５は、レール１５ａと水平移動部１５ｂと鉛直移動部１５ｃと回転部１５ｄと進退移動部１５ｅを備える。レール１５ａは、固定的に設置される。レール１５ａは、搬送スペース１２の底部に配置される。レール１５ａは、幅方向Ｙに延びる。水平移動部１５ｂは、レール１５ａに支持される。水平移動部１５ｂは、レール１５ａに対して幅方向Ｙに移動する。鉛直移動部１５ｃは、水平移動部１５ｂに支持される。鉛直移動部１５ｃは、水平移動部１５ｂに対して鉛直方向Ｚに移動する。回転部１５ｄは、鉛直移動部１５ｃに支持される。回転部１５ｄは、鉛直移動部１５ｃに対して回転する。回転部１５ｄは、回転部１５ｄを通り、鉛直方向Ｚと平行な回転軸線回りに回転する。進退移動部１５ｅは、回転部１５ｄに対して水平方向に移動する。進退移動部１５ｅは、回転部１５ｄの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。進退移動部１５ｅは、ハンド１４を支持する。ハンド１４は、進退移動部１５ｅに固定される。

ハンド駆動部１５が上述した構造を有するので、ハンド１４は、鉛直方向Ｚに平行移動可能である。ハンド１４は、水平な任意の方向に平行移動可能である。ハンド１４は、水平面内で回転可能である。

図８を参照する。制御部２９は、搬送機構１３のハンド駆動部１５を制御する。制御部２９は、ハンド駆動部１５と通信可能に接続される。

＜処理ブロック２０＞
搬送機構２３と反転ユニット２４の構造を説明する。

＜＜搬送機構２３＞＞
図１、５を参照する。搬送機構２３は、ハンド４１を備える。ハンド４１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。

ハンド４１は、第１吸引部４２を備える。第１吸引部４２は、基板Ｗを吸引する。ハンド４１は、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーと呼ばれる。

図５は、第１吸引部４２が吸引する基板Ｗを示す。第１吸引部４２は、基板Ｗの上方に位置する。第１吸引部４２は、基板Ｗを上方に吸引する。

より詳しくは、第１吸引部４２が基板Ｗを吸引するとき、第１吸引部４２は、基板Ｗの上方の位置から、気体を基板Ｗに吹き出す。第１吸引部４２は、上面ＷＴに沿って気体を流す。気体が上面ＷＴに沿って流れることによって、上面ＷＴが受ける気圧は、裏面ＷＢが受ける気圧よりも、小さくなる。すなわち、気体が上面ＷＴに沿って流れることによって、負圧が上面ＷＴの近傍に形成される。ベルヌーイの原理により、上向きの力が基板Ｗに働く。このため、基板Ｗが上方に吸引される。基板Ｗは第１吸引部４２に向かって吸引される。ただし、第１吸引部４２は、第１吸引部４２が吸引する基板Ｗと接触しない。第１吸引部４２と上面ＷＴは、小さい隙間によって隔てられる。このように、第１吸引部４２は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。

図１、５を参照する。搬送機構２３は、ハンド駆動部４５を備える。ハンド駆動部４５は、ハンド４１と連結する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１を移動させる。すなわち、ハンド駆動部４５は、第１吸引部４２を移動させる。ハンド駆動部４５は反転ユニット２４と基板載置部２７と処理ユニット２８に、ハンド４１を移動させる。

ハンド駆動部４５の構造を例示する。ハンド駆動部４５は、支柱４５ａと鉛直移動部４５ｂと回転部４５ｃと進退移動部４５ｄを備える。支柱４５ａは、固定的に設置される。支柱４５ａは、鉛直方向Ｚに延びる。鉛直移動部４５ｂは、支柱４５ａに支持される。鉛直移動部４５ｂは、支柱４５ａに対して鉛直方向Ｚに移動する。回転部４５ｃは、鉛直移動部４５ｂに支持される。回転部４５ｃは、鉛直移動部４５ｂに対して回転する。回転部４５ｃは、回転部４５ｃを通り、鉛直方向Ｚと平行な回転軸線回りに回転する。進退移動部４５ｄは、回転部４５ｃに対して水平方向に移動する。進退移動部４５ｄは、回転部４５ｃの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。進退移動部４５ｄは、ハンド４１を支持する。

ハンド駆動部４５が上述した構造を有するので、ハンド４１は、鉛直方向Ｚに平行移動可能である。ハンド４１は、水平な任意の方向に平行移動可能である。ハンド４１は、水平面内で回転可能である。

ハンド駆動部４５は、本発明における搬送駆動部の例である。搬送機構２３は、本発明における搬送機構の例である。

図１０は、ハンド４１の底面図である。図１１（ａ）、１１（ｂ）、１１（ｃ）は、ハンド４１の側面図である。ハンド４１の構造を説明する。

ハンド４１は、連結部４６を備える。連結部４６は、進退移動部４５ｄに固定される。

ハンド４１は、吸引保持部４７を備える。吸引保持部４７は、連結部４６に固定される。吸引保持部４７は、連結部４６から水平方向に延びる。吸引保持部４７は、第１吸引部４２を保持する。

吸引保持部４７は、例えば、２つの枝部４７Ａ、４７Ｂを備える。枝部４７Ａ、４７Ｂは、略同じ高さ位置に配置される。

第１吸引部４２は、複数（例えば、６つ）の吸引パッド４３を備える。例えば、３つの吸引パッド４３は、枝部４７Ａに取り付けられる。他の３つの吸引パッド４３は、枝部４７Ｂに取り付けられる。

各吸引パッド４３は、平面視において、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗの全体にわたって、分散して配置される。図１０は、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗを破線で示す。図１１（ａ）は、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗを実線で示す。

各吸引パッド４３は、気体を吹き出す。吸引パッド４３は、鉛直方向Ｚと平行な中心軸心を有する円筒形状を有する。吸引パッド４３は、下方に開放された下部を有する。吸引パッド４３は、吸引パッド４３の下部から気体を下方に吹き出す。吸引パッド４３が気体を吹き出すとき、吸引パッド４３は、旋回流を形成してもよい。吸引パッド４３は旋回流を吸引パッド４３の下方に放出してもよい。ここで、旋回流は、例えば、吸引パッド４３の内部において吸引パッド４３の中心軸線回りに旋回する気流である。

搬送機構２３は、気体供給路４８を備える。気体供給路４８は、第１吸引部４２に連通接続される。気体供給路４８は、各吸引パッド４３に連通接続される。気体供給路４８は、第１吸引部４２に気体を供給する。第１吸引部４２は、気体供給路４８から供給された気体を吹き出す。第１吸引部４２に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。第１吸引部４２に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

搬送機構２３は、吸引調整部４９を備える。吸引調整部４９は、気体供給路４８上に設けられる。吸引調整部４９は、気体供給路４８を開閉する。吸引調整部４９が気体供給路４８を開くとき、気体供給路４８は第１吸引部４２に気体を供給する。吸引調整部４９が気体供給路４８を閉じるとき、気体供給路４８は第１吸引部４２に気体を供給しない。さらに、気体供給路４８が第１吸引部４２に供給する気体の流量を、吸引調整部４９は変えてもよい。例えば、吸引調整部４９は、気体供給路４８の流路断面積を調整してもよい。吸引調整部４９は、例えば、１つ以上の弁を備える。吸引調整部４９は、例えば、開閉弁および流量調整弁の少なくともいずれかを備える。

ハンド４１は、接触部５１を備える。接触部５１は、吸引保持部４７に固定される。接触部５１は、平面視において、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗと重なる位置に配置される。接触部５１は、第１吸引部４２よりも低い位置に配置される。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引するとき、接触部５１は基板Ｗの上面ＷＴと接触する。接触部５１が上面ＷＴと接触することにより、基板Ｗが第１吸引部４２に対して水平方向に移動することを、接触部５１は抑制する。すなわち、第１吸引部４２が基板Ｗを吸引するとき、接触部５１は、第１吸引部４２に対して適切な位置に基板Ｗを保つ。

ハンド４１は、壁部５２、５３を備える。壁部５２、５３は、吸引保持部４７に固定される。壁部５２、５３は、平面視において、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗの半径方向外方に配置される。壁部５２、５３は、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗと略同じ高さ位置に配置される。壁部５２、５３は、鉛直方向Ｚに延びる。基板Ｗが第１吸引部４２に対して適切な位置に位置するとき、壁部５２、５３は、基板Ｗと接触しない。基板Ｗが第１吸引部４２に対して水平方向に過度に移動するとき、壁部５２、５３は、基板Ｗの端縁と接触する。これにより、基板Ｗが第１吸引部４２に対して水平方向に過度にずれることを、壁部５２、５３は規制する。

ハンド４１は、受け部５４を備える。受け部５４は、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗよりも低い位置に配置される。

受け部５４は、脱落防止位置に配置される。図１１（ａ）、１１（ｂ）は、脱落防止位置に位置する受け部５４を示す。

受け部５４が脱落防止位置に位置するとき、受け部５４は、平面視において、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗと重なる。例えば、受け部５４が脱落防止位置に位置するとき、受け部５４は、平面視において、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗの周縁部と重なる。受け部５４が脱落防止位置に位置するとき、受け部５４は、基板Ｗを受けることができる。受け部５４が脱落防止位置に位置するとき、基板Ｗがハンド４１から脱落することを、受け部５４は防止する。

図１１（ｂ）は、受け部５４によって受けられる基板Ｗを示す。受け部５４が基板Ｗを受けるとき、基板Ｗは水平姿勢である。

受け部５４が基板Ｗを受けるとき、受け部５４は、基板Ｗの裏面ＷＢおよび基板Ｗの端縁の少なくともいずれかと接触する。受け部５４が基板Ｗを受けるとき、基板Ｗが受け部５４に対して上方に移動することを、受け部５４は許容する。

受け部５４は、退避位置に移動可能である。図１１（ｃ）は、退避位置に位置する受け部５４を示す。

受け部５４が退避位置に位置するとき、基板Ｗは、受け部５４を通過して、鉛直方向Ｚに移動可能である。このため、基板Ｗは、第１吸引部４２の下方において、受け部５４よりも高い位置と、受け部５４よりも低い位置との間で、容易に移動できる。図１１（ｃ）は、第１吸引部４２の下方であって、受け部５４よりも高い位置に位置する基板Ｗを実線で示す。図１１（ｃ）は、第１吸引部４２の下方であって、受け部５４よりも低い位置に位置する基板Ｗを破線で示す。したがって、受け部５４が退避位置に位置するとき、第１吸引部４２を基板Ｗに容易に近づけることができ、第１吸引部４２を基板Ｗから容易に遠ざけることができる。

受け部５４の構成を説明する。受け部５４は、第１受け部５５と第２受け部５６を備える。第１受け部５５と第２受け部５６はそれぞれ、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗよりも低い位置に配置される。第１受け部５５と第２受け部５６は、略同じ高さ位置に配置される。第１受け部５５と第２受け部５６は、水平方向に間隔をあけて、配置される。第１受け部５５と第２受け部５６は、水平方向に互いに近づくことができ、かつ、水平方向に互いに遠ざかることができる。受け部５４が退避位置から脱落防止位置に移動するとき、第１受け部５５と第２受け部５６は互いに近づき、水平方向における第１受け部５５と第２受け部５６の間隔は小さくなる。第２受け部５６が脱落防止位置から退避位置に移動するとき、第１受け部５５と第２受け部５６は互いに遠ざかり、水平方向における第１受け部５５と第２受け部５６の間隔は大きくなる。

本実施形態では、第１受け部５５は、吸引保持部４７に固定される。具体的には、第１受け部５５は、壁部５２の下部に固定される。第１受け部５５は、壁部５２から、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗの半径方向内方に延びる。第２受け部５６は、吸引保持部４７に対して水平方向に移動可能である。図１０は、受け部５４が退避位置に位置するときの第２受け部５６を実線で示す。図１０は、受け部５４が脱落防止位置に位置するときの第２受け部５６を破線で示す。

ハンド４１は、ステー５７と受け部駆動部５８を備える。ステー５７は、第２受け部５６を支持する。第２受け部５６は、ステー５７に固定される。第２受け部５６は、ステー５７から、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗの径方向内方に延びる。受け部駆動部５８は、ステー５７と連結する。受け部駆動部５８は、連結部４６または吸引保持部４７に支持される。受け部駆動部５８は、ステー５７を吸引保持部４７に対して移動させる。受け部駆動部５８は、ステー５７を水平方向に移動させる。第２受け部５６は、ステー５７と一体に移動する。ステー５７が吸引保持部４７に対して移動するとき、第２受け部５６は第１受け部５５に対して移動する。このように、受け部駆動部５８は、第２受け部５６を第１受け部５５に対して移動させる。受け部駆動部５８は、脱落防止位置と退避位置に受け部５４を移動させる。受け部駆動部５８は、例えば、エアシリンダおよび電動モータの少なくとも１つである。

ステー５７は、壁部５２、５３と略同じ高さ位置に配置される。すなわち、ステー５７は、第１吸引部４２に吸引される基板Ｗと略同じ高さ位置に配置される。ステー５７は、鉛直方向Ｚに延びる。ステー５７は、壁部５２、５３と同様の機能を有する。基板Ｗが第１吸引部４２に対して水平方向に過度にずれることを、ステー５７は規制する。

＜＜反転ユニット２４＞＞
図１２は、反転ユニット２４の側面図である。反転ユニット２４は、筐体６１を備える。筐体６１は、略箱形状を有する。筐体６１は、基板搬送口６２を有する。基板搬送口６２は、筐体６１の後壁に形成される。基板Ｗは、基板搬送口６２を通過可能である。基板Ｗは、基板搬送口６２を通じて、筐体６１の外部と筐体６１の内部の間で移動可能である。搬送機構２３のハンド４１も、基板搬送口６２を通過可能である。なお、筐体６１は、筐体６１の前壁に形成される基板搬送口を有しない。このため、搬送機構１３は、反転ユニット２４にアクセスできない。

反転ユニット２４の支持部２５は、筐体６１の内部に設置される。支持部２５が基板Ｗを支持するとき、支持部２５は基板Ｗと接触する。

支持部２５は、基板Ｗを下方から支持する。支持部２５が基板Ｗを支持するとき、支持部２５は基板Ｗの下方に位置する。支持部２５は、基板Ｗの裏面ＷＢおよび基板Ｗの端縁の少なくともいずれかと接触する。支持部２５が基板Ｗを支持するとき、基板Ｗが支持部２５に対して上方に移動することを、支持部２５は許容する。支持部２５は、基板Ｗを吸引しない。

図１２、１３、１４を参照する。図１３は、反転ユニット２４の一部の平面図である。図１４は、反転ユニット２４の一部の正面図である。支持部２５は、複数（例えば、６個）の支持ピン６３を備える。各支持ピン６３は、平面視において、基板Ｗよりも十分に小さい。各支持ピン６３は、同じ高さ位置に配置される。各支持ピン６３は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗの端縁上に配列される。各支持ピン６３は、基板Ｗと接触する。

より具体的には、各支持ピン６３は、軸部６４と位置調整部６５を備える。軸部６４は、細長い棒形状を有する。軸部６４は、鉛直方向Ｚに延びる。位置調整部６５は、軸部６４の上端に接続される。位置調整部６５は、軸部６４から上方に突出する。位置調整部６５は、基板Ｗと接触する。

図１４を参照する。位置調整部６５は、さらに、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。具体的には、位置調整部６５は、傾斜面６５ａを備える。傾斜面６５ａは、基板Ｗの端縁と接触する。傾斜面６５ａは、下方に向かって、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に傾斜する。言い換えれば、傾斜面６５ａは、上方に向かって、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向外方に傾斜する。傾斜面６５ａは、基板Ｗを所定の位置に案内する。

図１４は、支持部２５に支持される基板Ｗの中心Ｊを示す。さらに、図１４は、中心軸線Ｋを示す。中心軸線Ｋは、中心Ｊを通り、鉛直方向Ｚと平行な仮想線である。半径方向は、中心軸線Ｋと直交する方向に相当する。半径方向内方は、半径方向において、中心軸線Ｋに近づく方向である。言い換えれば、半径方向内方は、基板Ｗの半径方向において、中心Ｊに近づく方向である。半径方向外方は、半径方向において、中心軸線Ｋから遠ざかる方向である。言い換えれば、半径方向外方は、基板Ｗの半径方向において、中心Ｊから遠ざかる方向である。

図１２を参照する。反転ユニット２４は、昇降ベース６６と昇降駆動部６７を備える。昇降ベース６６は、支持部２５の下方に配置される。昇降ベース６６は、支持部２５を支持する。昇降ベース６６は、支持部２５の下部に接続される。昇降駆動部６７は、昇降ベース６６と連結する。昇降駆動部６７は、筐体６１に支持される。昇降駆動部６７は、昇降ベース６６を筐体６１に対して移動させる。昇降駆動部６７は、昇降ベース６６を鉛直方向Ｚに移動させる。昇降ベース６６が移動するとき、支持部２５は昇降ベース６６と一体に移動する。これにより、支持部２５は筐体６１に対して移動する。支持部２５は鉛直方向Ｚに移動する。昇降駆動部６７は、例えば、エアシリンダを備える。

昇降駆動部６７は、支持部２５を、第１支持位置ＰＨと第２支持位置ＰＬに移動させる。図１２、１４は、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５を実線で示す。図１２、１４は、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５を破線で示す。第２支持位置ＰＬは、第１支持位置ＰＨよりも低い。具体的には、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５は、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５よりも低い位置に配置される。

図１３を参照する。第２支持位置ＰＬは、平面視において、第１支持位置ＰＨと同じ位置である。具体的には、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５は、平面視において、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５と同じ位置に配置される。なお、図１３は、昇降ベース６６の図示を省略する。

昇降駆動部６７は、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬにおいて、支持部２５を静止させる。昇降駆動部６７は、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬ以外の位置において、支持部２５を静止させない。昇降駆動部６７は、第１支持位置ＰＨよりも高い位置に、支持部２５を移動させない。昇降駆動部６７は、第２支持位置ＰＬよりも低い位置に、支持部２５を移動させない。

図１２を参照する。反転ユニット２４は、基板検出部６９を備える。基板検出部６９は、筐体６１に支持される。基板検出部６９は、基板Ｗを検出する。例えば、基板Ｗが支持部２５に支持されているか否かを、基板検出部６９は検出する。例えば、基板検出部６９は、基板Ｗの位置を検出する。

反転ユニット２４の反転機構２６は、ハンド７１を備える。ハンド７１は、１枚の基板Ｗを保持する。ハンド７１は、筐体６１の内部に設置される。

ハンド７１は、第２吸引部７２を備える。第２吸引部７２は、第１吸引部４２と略同じ構造を有する。第２吸引部７２は、基板Ｗを吸引する。ハンド７１は、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーと呼ばれる。

第２吸引部７２は、基板Ｗの第１面Ｗ１および第２面Ｗ２のいずれかを吸引する。例えば、第２吸引部７２が基板Ｗの第１面Ｗ１を吸引するとき、第２吸引部７２は、第１面Ｗ１と向かい合う位置に位置し、かつ、気体を第１面Ｗ１に吹き出す。第２吸引部７２は、第１面Ｗ１に沿って気体を流す。気体が第１面Ｗ１に沿って流れることによって、第１面Ｗ１が受ける気圧は、第２面Ｗ２が受ける気圧よりも、小さくなる。すなわち、気体が第１面Ｗ１に沿って流れることによって、負圧が第１面Ｗ１の近傍に形成される。ベルヌーイの原理により、第２吸引部７２に向かう力が基板Ｗに働く。このため、基板Ｗは第２吸引部７２に向かって吸引される。ただし、第２吸引部７２は、第２吸引部７２が吸引する基板Ｗと接触しない。第２吸引部７２と基板Ｗは、微小な隙間によって隔てられる。このように、第２吸引部７２は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。

ハンド７１は、吸引保持部７４を備える。吸引保持部７４は、第２吸引部７２を保持する。

図１３を参照する。吸引保持部７４は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂを備える。第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂは、間隔をあけて、配置される。

第２吸引部７２は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂを備える。第３吸引部７２Ａは、第１枝部７４Ａに保持される。第４吸引部７２Ｂは、第２枝部７４Ｂに保持される。

第３吸引部７２Ａは、複数（例えば、３つ）の吸引パッド７３Ａを備える。吸引パッド７３Ａは、第１枝部７４Ａに取り付けられる。第４吸引部７２Ｂは、複数（例えば、３つ）の吸引パッド７３Ｂを備える。吸引パッド７３Ｂは、第２枝部７４Ｂに取り付けられる。吸引パッド７３Ａ、７３Ｂは、吸引パッド４３と略同じ構造を有する。吸引パッド７３Ａ、７３Ｂを区別しない場合には、適宜に吸引パッド７３と呼ぶ。

反転機構２６は、気体供給路７５を備える。気体供給路７５は、気体供給路４８と類似する機能を有する。気体供給路７５は、第２吸引部７２に連通接続される。気体供給路７５は、第３吸引部７２Ａおよび第４吸引部７２Ｂに連通接続される。気体供給路７５は、各吸引パッド７３に連通接続される。気体供給路７５は、第２吸引部７２に気体を供給する。第２吸引部７２は、気体供給路７５から供給された気体を吹き出す。第２吸引部７２に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。第２吸引部７２に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

反転機構２６は、吸引調整部７６を備える。吸引調整部７６は、吸引調整部４９と類似する機能を有する。吸引調整部７６は、気体供給路７５上に設けられる。吸引調整部７６は、気体供給路７５を開閉する。吸引調整部７６が気体供給路７５を開くとき、気体供給路７５は第２吸引部７２に供給する。吸引調整部７６が気体供給路７５を閉じるとき、気体供給路７５は第２吸引部７２に供給しない。さらに、気体供給路７５が第２吸引部７２に供給する気体の流量を、吸引調整部７６は変えてもよい。例えば、吸引調整部７６は、気体供給路７５の流路断面積を調整してもよい。吸引調整部７６は、例えば、１つ以上の弁を備える。吸引調整部７６は、例えば、開閉弁および流量調整弁の少なくともいずれかを備える。

図１２を参照する。ハンド７１は、接触部７７を備える。接触部７７は、接触部５１と類似する機能を有する。接触部７７は、吸引保持部７４に固定される。第２吸引部７２が基板Ｗを吸引するとき、接触部７７は基板Ｗと接触する。接触部７７が基板Ｗと接触することにより、基板Ｗが第２吸引部７２に対してずれることを、接触部７７は抑制する。第２吸引部７２が基板Ｗを吸引するとき、接触部７７は、第２吸引部７２に対して適切な位置に、基板Ｗを保つ。

ハンド４１は、壁部７８を備える。壁部７８は、壁部５２、５３と類似する機能を有する。壁部７８は、吸引保持部７４に固定される。基板Ｗが第２吸引部７２に対して過度にずれることを、壁部７８は規制する。

反転機構２６は、ハンド駆動部８１を備える。ハンド駆動部８１は、ハンド７１と連結する。ハンド駆動部８１は、ハンド７１を移動させる。

具体的には、ハンド駆動部８１は、ハンド７１を、回転軸線Ａ回りに回転させる。ハンド駆動部８１は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を広狭させる。これにより、ハンド駆動部８１は、第２吸引部７２を、回転軸線Ａ回りに回転させる。ハンド駆動部８１は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂの間隔を広狭させる。

ハンド駆動部８１の構造を例示する。ハンド駆動部８１は、回転駆動部８２と回転ベース８３と移動駆動部８４を備える。回転駆動部８２は、筐体６１に支持される。回転駆動部８２は、筐体６１の前壁に設置される。回転駆動部８２は、筐体６１の外部に配置される部分と、筐体６１の内部に配置される部分を有する。回転ベース８３は、回転駆動部８２に連結される。移動駆動部８４は、回転ベース８３に支持される。移動駆動部８４は、ハンド７１と連結する。移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂと連結する。回転ベース８３および移動駆動部８４は、筐体６１の内部に設置される。

回転駆動部８２は、回転ベース８３を筐体６１に対して回転させる。回転駆動部８２は、回転ベース８３を回転軸線Ａ回りに回転させる。回転ベース８３が回転するとき、移動駆動部８４とハンド７１は、回転ベース８３と一体に回転する。このように、回転駆動部８２は、第２吸引部７２を回転させる。回転駆動部８２により、第２吸引部７２は、筐体６１に対して回転する。第２吸引部７２は、回転軸線Ａ回りに回転する。

移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａを回転ベース８３に対して移動させる。移動駆動部８４は、第２枝部７４Ｂを回転ベース８３に対して移動させる。これにより、移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂの間隔を広狭させる。

回転駆動部８２は、例えば、ロータリーアクチュエータを備える。移動駆動部８４は、例えば、エアシリンダを備える。例えば、移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａに対応する第１エアシリンダと、第２枝部７４Ｂに対応する第２エアシリンダを備えてもよい。あるいは、移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの両方に対応する共通エアシリンダを備えてもよい。さらに、移動駆動部８４は、第１リンク機構および第２リンク機構の少なくともいずれかを備えてもよい。第１リンク機構は、エアシリンダと第１枝部７４Ａを連結する。第２リンク機構は、エアシリンダと第２枝部７４Ｂを連結する。

ハンド駆動部８１は、第２吸引部７２を、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２と第３位置Ｐ３に移動させる。図１２は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２を実線で示す。図１２は、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２を破線で示す。図１３は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２を実線で示す。図１３は、第３位置Ｐ３に位置する第２吸引部７２を破線で示す。図１４は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２を実線で示す。図１４は、第２位置Ｐ２および第３位置Ｐ３に位置する第２吸引部７２を破線で示す。

図１２を参照する。回転駆動部８２は、第２吸引部７２を第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２に移動させる。具体的には、回転駆動部８２が第２吸引部７２を回転軸線Ａ回りに回転させることによって、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の間で移動する。より具体的には、回転駆動部８２は、第２吸引部７２を、半回転させる。回転駆動部８２は、第２吸引部７２を、１８０度、回転させる。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の間で移動するとき、移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を変えない。

ここで、筐体６１に対する回転軸線Ａの位置は、一定である。回転軸線Ａは、水平である。回転軸線Ａは、例えば、前後方向Ｘと平行である。

図１３を参照する。移動駆動部８４は、第２吸引部７２を第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３に移動させる。具体的には、移動駆動部８４が第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を変えることによって、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３の間で移動する。具体的には、移動駆動部８４が第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を大きくさせることによって、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動する。移動駆動部８４が第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を小さくさせることによって、第２吸引部７２は、第３位置Ｐ３から第１位置Ｐ１に移動する。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔は、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔よりも、大きい。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３の間で移動するとき、回転駆動部８２は、第２吸引部７２を回転軸線Ａ回りに回転させない。

なお、第２吸引部７２が回転軸線Ａ周りに回転するとき、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔は、一定である。第２吸引部７２が回転軸線Ａ周りに回転するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔は、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔と等しい。第２吸引部７２が回転軸線Ａ周りに回転するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔は、第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔よりも小さい。

回転軸線Ａと第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２と第３位置Ｐ３の関係を説明する。

図１２を参照する。回転軸線Ａは、第１位置Ｐ１よりも低い。回転軸線Ａは、第２位置Ｐ２よりも高い。第２位置Ｐ２は、第１位置Ｐ１よりも低い。具体的には、回転軸線Ａは、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２よりも低い位置に配置される。回転軸線Ａは、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２よりも高い位置に配置される。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２よりも低い位置に配置される。

図１４を参照する。第３位置Ｐ３は、回転軸線Ａよりも高い。第３位置Ｐ３は、第１位置Ｐ１と略同じ高さである。第３位置Ｐ３は、第２位置よりも高い。具体的には、第３位置Ｐ３に位置する第２吸引部７２は、回転軸線Ａよりも高い位置に配置される。第３位置Ｐ３に位置する第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２と略同じ高さ位置に配置される。第３位置Ｐ３に位置する第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２よりも高い位置に配置される。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は気体を下方に吹き出し可能である。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第３吸引部７２Ａおよび第４吸引部７２Ｂは、同じ高さ位置に配置される。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、接触部７７は、第２吸引部７２よりも低い位置に配置される（図１２参照）。

第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は気体を上方に吹き出し可能である。第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第３吸引部７２Ａおよび第４吸引部７２Ｂは、同じ高さ位置に配置される。第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、接触部７７は、第２吸引部７２よりも高い位置に配置される（図１２参照）。

第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は気体を下方に吹き出し可能である。但し、本実施形態では、第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は気体を吹き出さない。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第３吸引部７２Ａおよび第４吸引部７２Ｂは、同じ高さ位置に配置される。

図１３を参照する。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、回転軸線Ａは、平面視において、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂの間に配置される。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂは、平面視において、回転軸線Ａに対して線対称の位置に配置される。

図示を省略するが、第２位置Ｐ２は、平面視において、第１位置Ｐ１と重なる。第２位置Ｐ２は、第１位置Ｐ１の下方に配置される。具体的には、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、平面視において、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２と同じ位置に配置される。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２の下方に配置される。したがって、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、回転軸線Ａは、平面視において、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂの間に配置される。第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂは、平面視において、回転軸線Ａに対して線対称の位置に配置される。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１および第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重なる。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１および第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に配置される。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１および第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗの中央部に配置される。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１および第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、第２吸引部７２に吸引される基板Ｗの全体にわたって、分散して配置される。

第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、回転軸線Ａは、平面視において、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂの間に配置される。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂは、平面視において、回転軸線Ａに対して線対称の位置に配置される。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動するとき、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、平面視において、回転軸線Ａから遠ざかる。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３から第１位置Ｐ１に移動するとき、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、平面視において、回転軸線Ａに近づく。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３の間で移動するとき、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、回転軸線Ａと直交する水平方向に平行移動する。回転軸線Ａと直交する水平方向は、例えば、幅方向Ｙである。

第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重ならない。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向外方に配置される。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は、搬送機構２３と干渉しない。

第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、吸引保持部７４も、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重ならない。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、吸引保持部７４も、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向外方に配置される。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、吸引保持部７４も、搬送機構２３と干渉しない。

回転軸線Ａと第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２と第１支持位置ＰＨと第２支持位置ＰＬの関係を説明する。

第１位置Ｐ１は、第１支持位置ＰＨよりも高い。第１位置Ｐ１は、第２支持位置ＰＬよりも高い。第２位置Ｐ２は、第１支持位置ＰＨと略同じ高さ位置に配置される。第２位置Ｐ２は、側面視において、第１支持位置ＰＨと重なる。第２位置Ｐ２は、第２支持位置ＰＬよりも高い。回転軸線Ａは、側面視で、第１支持位置ＰＨと重なる。回転軸線Ａは、第２支持位置ＰＬよりも高い。具体的には、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２は、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５よりも高い位置に配置される。第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２は、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５よりも高い位置に配置される。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５と略同じ高さ位置に配置される。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、側面視において、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５と重なる。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５よりも高い位置に配置される。回転軸線Ａは、側面視において、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５と重なる。回転軸線Ａは、第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５よりも高い位置に配置される。

図１５は、反転ユニット２４の一部の正面図である。図１５は、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１において吸引する基板ＷＰ１を示す。図１５は、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２において吸引する基板ＷＰ２を示す。図１５は、支持部２５が第１支持位置ＰＨにおいて支持する基板ＷＰＨを示す。図１５は、支持部２５が第２支持位置ＰＬにおいて支持する基板ＷＰＬを示す。なお、本実施形態では、支持部２５は、第２支持位置ＰＬにおいて基板Ｗを支持しない。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は基板ＷＰ１の上方に位置する。第２吸引部７２は基板ＷＰ１を上方に吸引する。基板ＷＰ１は水平姿勢である。第２吸引部７２は基板ＷＰ１と接触しない。接触部７７が、基板ＷＰ１（具体的には上面ＷＴ）と接触する。接触部７７は、基板ＷＰ１の上方に位置する。

第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は基板ＷＰ２の下方に位置する。第２吸引部７２は基板ＷＰ２を下方に吸引する。基板ＷＰ２は水平姿勢である。第２吸引部７２は基板ＷＰ２と接触しない。接触部７７が、基板ＷＰ２（具体的には裏面ＷＢ）と接触する。接触部７７は、基板ＷＰ２の下方に位置する。

第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２が基板ＷＰ２の吸引を停止するとき、ハンド７１（接触部７７）は、基板ＷＰ２と同じ位置で基板Ｗを支持する。第２吸引部７２が第２位置Ｐ２で基板Ｗを吸引しないとき、ハンド７１に支持される基板Ｗがハンド７１に対して上方に移動することを、第２吸引部７２は許容する。

基板ＷＰ１の高さ位置は、基板ＷＰ２の高さ位置よりも高い。基板ＷＰＨの高さ位置は、基板ＷＰＬの高さ位置よりも高い。

基板ＷＰ１の高さ位置は、基板ＷＰＨの高さ位置よりも高い。基板ＷＰＨの高さ位置は、基板ＷＰ２の高さ位置よりも高い。基板ＷＰ２の高さ位置は、基板ＷＰＬの高さ位置よりも高い。

第１位置Ｐ１は、基板ＷＰＨよりも高い。具体的には、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、基板ＷＰＨよりも高い位置に配置される。

より詳しくは、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、基板ＷＰＨよりも僅かに高い位置に配置される。第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２は、基板ＷＰＨの上面ＷＴの近傍に配置される。これにより、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、基板ＷＰＨの位置から基板ＷＰ１の位置に基板Ｗを容易に浮かせることができる。

第２位置Ｐ２は、基板ＷＰＨよりも低い。第２位置Ｐ２は、基板ＷＰＬよりも高い。具体的には、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、基板ＷＰＨよりも低い位置に配置される。第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、基板ＷＰＬよりも高い位置に配置される。

第１支持位置ＰＨは、基板ＷＰ１よりも低い。第１支持位置ＰＨは、側面視において、基板ＷＰ２と重なる。第２支持位置ＰＬは、基板ＷＰ２よりも低い。具体的には、第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５は、基板ＷＰ１よりも低い位置に配置される。第１支持位置ＰＨに位置する支持部２５は、側面視において、基板ＷＰ２と重なる。第２支持位置ＰＬに位置する支持部２５は、基板ＷＰ２よりも低い位置に配置される。

図示を省略するが、基板ＷＰ１は、平面視において、基板ＷＰ２と同じ位置に配置される。基板ＷＰＨは、平面視において、基板ＷＰＬと同じ位置に配置される。基板ＷＰ１、ＷＰ２は、平面視において、基板ＷＰＨ、ＷＰＬと同じ位置に配置される。したがって、基板ＷＰ１は、基板ＷＰＨの上方に配置される。基板ＷＰＨは、基板ＷＰ２の上方に配置される。基板ＷＰ２は、基板ＷＰＬの上方に配置される。

図８を参照する。制御部２９は、搬送機構２３のハンド駆動部４５、吸引調整部４９および受け部駆動部５８を制御する。制御部２９は、反転ユニット２４の昇降駆動部６７を制御する。制御部２９は、反転ユニット２４の基板検出部６９の検出結果を取得する。制御部２９は、反転機構２６の吸引調整部７６とハンド駆動部８１を制御する。制御部２９は、ハンド駆動部８１の回転駆動部８２と移動駆動部８４を制御する。制御部２９は、これらの要素と通信可能に接続される。

＜基板処理装置１の動作例＞
以下では、搬送機構２３と反転ユニット２４の動作例を詳細に説明する。具体的には、図９に示すステップＳ４−Ｓ８、および、ステップＳ１０−Ｓ１４の動作例を、さらに詳細に説明する。

図１６は、基板Ｗを反転する動作例の手順を示すフローチャートである。以下の動作例において、基板処理装置１の各要素は、制御部２９による制御にしたがって、動作するものとする。

＜＜ステップＳ２１：搬送工程＞＞
搬送機構２３は、支持部２５に基板Ｗを搬送する。

図１７（ａ）、１７（ｂ）、１７（ｃ）は、搬送工程の動作例を模式的に示す平面図である。図１７（ａ）、１７（ｂ）、１７（ｃ）は、ハンド駆動部４５や昇降ベース６６の図示を省略する。

図１７（ａ）を参照する。ハンド４１は、基板Ｗを支持する。第１吸引部４２は、基板Ｗを吸引する。支持部２５は、基板Ｗを支持しない。ハンド７１も、基板Ｗを支持しない。第２吸引部７２は、基板Ｗを吸引しない。第２吸引部７２は、第３位置Ｐ３に位置する。

図１７（ｂ）を参照する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１（第１吸引部４２）を支持部２５に移動させる。これにより、ハンド４１は、筐体６１の外部から、基板搬送口６２を通じて、筐体６１の内部に入る。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、第１吸引部４２は支持部２５に移動する。

第１吸引部４２および基板Ｗは、支持部２５の上方の位置に到達する。搬送工程では、第２吸引部７２は、第３位置Ｐ３において静止する。このため、第２吸引部７２は搬送機構２３と干渉しない。吸引保持部７４も搬送機構２３と干渉しない。すなわち、ハンド７１は搬送機構２３と干渉しない。

＜＜ステップＳ２２：第１支持工程＞＞
図１７（ｂ）を参照する。搬送機構２３は、基板Ｗを支持部２５に渡す。支持部２５は、搬送機構２３から基板Ｗを受ける。支持部２５は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。

図１７（ｃ）を参照する。第１吸引部４２は、基板Ｗを吸引しない状態で、支持部２５の上方の位置から離れる。具体的には、ハンド４１は、筐体６１の内部から筐体６１の外部に移動する。支持部２５は、基板Ｗを支持する。第２吸引部７２は、第３位置Ｐ３に位置する。第２吸引部７２は、基板Ｗを吸引しない。

第１支持工程においても、第２吸引部７２は、第３位置Ｐ３において静止する。このため、第１支持工程においても、第２吸引部７２は搬送機構２３と干渉しない。第１支持工程においても、吸引保持部７４は搬送機構２３と干渉しない。

図１８（ａ）−１８（ｈ）を参照して、上述した搬送工程と第１支持工程を、改めて説明する。図１８（ａ）−１８（ｈ）は、搬送工程および第１支持工程の動作例を模式的に示す側面図である。

図１８（ａ）を参照する。ハンド４１は支持部２５よりも後方に位置する。第１吸引部４２は基板Ｗの上方に位置する。第１吸引部４２は、基板Ｗの上面ＷＴに気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは水平姿勢である。受け部５４は脱落防止位置に位置する。支持部２５は第１支持位置ＰＨに位置する。

図１８（ｂ）を参照する。ハンド駆動部４５はハンド４１を前方に移動させる。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、第１吸引部４２は支持部２５に移動する。第１吸引部４２および第１吸引部４２に吸引される基板Ｗは、支持部２５の上方に位置する。受け部４４は、支持部２５よりも高い位置に位置する。

図１８（ｃ）を参照する。吸引調整部４９は、第１吸引部４２への気体の供給を停止する。第１吸引部４２は、気体の吹き出しを停止する。第１吸引部４２は、基板Ｗの吸引を停止する。基板Ｗは、下方に落ちる。基板Ｗは、第１吸引部４２に対して下方に移動する。受け部５４は、基板Ｗを受ける。受け部５４は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。受け部５４に支持される基板Ｗは、支持部２５の上方に位置する。

図１８（ｄ）を参照する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１を僅かに下方に移動させる。受け部５４は、基板Ｗを支持した状態で、下降する。受け部５４は、支持部２５に基板Ｗを渡す。支持部２５は、第１支持位置ＰＨにおいて、受け部５４から基板Ｗを受ける。受け部５４は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも低い位置に、移動する。受け部５４は、基板Ｗから離れる。

位置調整部６５は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。具体的には、傾斜面６５ａは、基板Ｗの端縁と接触し、基板Ｗを所定の位置に案内する。そして、支持部２５は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。

図１８（ｅ）を参照する。受け部駆動部５８は、受け部５４を、脱落防止位置から退避位置に移動させる。第２受け部５６は第１受け部５５から遠ざかる。第２受け部５６は後方に移動する。その結果、第２受け部５６は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも後方に位置する。第２受け部５６は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重ならない。

図１８（ｆ）を参照する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１を前方に僅かに移動する。第１受け部５５および第２受け部５６は、前方に移動する。その結果、第１受け部５５は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも前方に位置する。第１受け部５５および第２受け部５６の両方は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重ならない。

図１８（ｇ）を参照する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１を上方に移動させる。受け部５４は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも低い位置から、支持部２５に支持される基板Ｗよりも高い位置に移動する。このとき、第１受け部５５は、支持部２５に支持される基板Ｗの前方の位置を通る。第２受け部５６は、支持部２５に支持される基板Ｗの後方の位置を通る。基板Ｗは、第１受け部５５と第２受け部５６の間を通り、第１吸引部４２から遠ざかる。

図１８（ｈ）を参照する。ハンド駆動部４５は、ハンド４１を後方に移動させる。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引しない状態で、第１吸引部４２は、支持部２５の上方の位置から離れる。

上述の通り、第１支持工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。搬送工程でも、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。

＜＜ステップＳ２３：第１基板検出工程＞＞
基板検出部６９は、基板Ｗを検出する。基板検出部６９は、基板検出部６９の検出結果を、制御部２９に出力する。制御部２９は、基板検出部６９の検出結果に基づいて、基板Ｗが所定の位置に存在するか否かを判定する。基板Ｗが所定の位置に存在すると制御部２９が判定した場合、ステップＳ２４に進む。基板Ｗが所定の位置に存在すると制御部２９が判定しなかった場合、ステップＳ２４に進まない。この場合、異常処理を実行する。異常処理は、例えば、ステップＳ２１に戻ることである。異常処理は、例えば、異常が発生したことをユーザーに通知することである。

＜＜ステップＳ２４：第１取得工程＞＞
支持部２５は、反転機構２６に基板Ｗを渡す。反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを取る。

図１９（ａ）、１９（ｂ）、２０（ａ）、２０（ｂ）、２１（ａ）、２１（ｂ）は、第１取得工程の動作例を模式的に示す図である。図１９（ａ）、２０（ａ）、２１（ａ）は、反転ユニット２４の一部の正面図である。図１９（ｂ）、２０（ｂ）、２１（ｂ）は、反転ユニット２４の一部の平面図である。各図では、ハンド駆動部８１等の図示を省略する。

図１９（ａ）、１９（ｂ）を参照する。第２吸引部７２は第３位置Ｐ３に位置する。第２吸引部７２は基板Ｗを吸引しない。支持部２５は第１支持位置ＰＨに位置する。支持部２５は基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。

図２０（ａ）、２０（ｂ）を参照する。移動駆動部８４は、第３位置Ｐ３から第１位置Ｐ１に第２吸引部７２を移動させる。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。

図２１（ａ）、２１（ｂ）を参照する。第２吸引部７２は基板Ｗの吸引を開始する。具体的には、吸引調整部７６は、第２吸引部７２に気体を供給する。第２吸引部７２は、気体を下方に吹き出す。第２吸引部７２は、上面ＷＴに気体を吹き出す。第２吸引部７２は、上面ＷＴに気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、支持部２５から上方に浮く。基板Ｗは、支持部２５から離れる。支持部２５は、第１支持位置ＰＨで、基板Ｗを反転機構２６に渡す。反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを受ける。反転機構２６は、基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。

第１取得工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。

＜＜ステップＳ２５：反転工程＞＞
反転機構２６は、基板Ｗを反転する。

図２２（ａ）、２２（ｂ）、２３（ａ）、２３（ｂ）は、反転工程の動作例を模式的に示す図である。図２２（ａ）、２３（ａ）は、反転ユニット２４の一部の正面図である。図２２（ｂ）、２３（ｂ）は、反転ユニット２４の一部の平面図である。

図２２（ａ）、２２（ｂ）を参照する。第２吸引部７２は基板Ｗの上方に位置する。第２吸引部７２は基板Ｗを吸引する。基板Ｗは水平姿勢である。昇降駆動部６７は、第１支持位置ＰＨから第２支持位置ＰＬに支持部２５を移動させる。

図２３（ａ）、２３（ｂ）を参照する。支持部２５は第２支持位置ＰＬに位置する。回転駆動部８２は、第２吸引部７２を回転軸線Ａ回りに回転させる。第２吸引部７２が基板Ｗを吸引した状態で、第２吸引部７２は半回転する。第２吸引部７２が基板Ｗを吸引した状態で、第２吸引部７２は、１８０度、回転する。第２吸引部７２が基板Ｗを吸引した状態で、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動する。第２吸引部７２に吸引される基板Ｗも、回転軸線Ａ回りに回転する。基板Ｗは、反転する。

基板Ｗが反転するとき、第２吸引部７２は基板Ｗの上方の位置から基板Ｗの下方の位置に移動する。基板Ｗが反転するとき、第２吸引部７２が吸引する基板Ｗの面は、上面ＷＴから裏面ＷＢに変わる。

第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、基板Ｗの下方に位置する。基板Ｗは水平姿勢である。

＜＜ステップＳ２６：第２支持工程＞＞
反転機構２６は、支持部２５に基板Ｗを渡す。支持部２５は、反転機構２６から基板Ｗを受ける。支持部２５は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。

図２３（ａ）、２３（ｂ）を参照する。第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置したままである。第２吸引部７２は、基板Ｗの吸引を停止する。具体的には、吸引調整部７６は、第２吸引部７２への気体の供給を停止する。第２吸引部７２は、気体の吹き出しを停止する。基板Ｗは、単に、ハンド７１（接触部７７）に載置される状態になる。基板Ｗは水平姿勢である。基板Ｗが上方に移動することを、第２吸引部７２は許容する。

図２４（ａ）、２４（ｂ）は、第２支持工程の動作例を模式的に示す図である。図２４（ａ）は、反転ユニット２４の一部の正面図である。図２４（ｂ）は、反転ユニット２４の一部の平面図である。

第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に位置する。第２吸引部７２は基板Ｗの下方に位置する。第２吸引部７２は基板Ｗを吸引しない。昇降駆動部６７は、第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに支持部２５を移動させる。支持部２５は、ハンド７１上の基板Ｗと接触する。さらに、支持部２５は、基板Ｗを上方に持ち上げる。基板Ｗは、反転機構２６に対して上方に移動する。基板Ｗは、反転機構２６から離れる。反転機構２６は、支持部２５に基板Ｗを渡す。

位置調整部６５は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。具体的には、傾斜面６５ａは、基板Ｗの端縁と接触し、基板Ｗを所定の位置に案内する。

支持部２５は、第１支持位置ＰＨにおいて、基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。

第２支持工程では、第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２において静止する。すなわち、第２支持工程では、第２吸引部７２は、基板Ｗの下方に位置したままである。支持部２５が第１支持位置ＰＨに位置するとき、支持部２５は、第２吸引部７２の側方を囲む。

＜＜ステップＳ２７：第２基板検出工程＞＞
基板検出部６９は、基板Ｗを検出する。基板検出部６９は、基板検出部６９の検出結果を、制御部２９に出力する。制御部２９は、基板検出部６９の検出結果に基づいて、基板Ｗが所定の位置に存在するか否かを判定する。基板Ｗが所定の位置に存在すると制御部２９が判定した場合、ステップＳ２８に進む。基板Ｗが所定の位置に存在すると制御部２９が判定しなかった場合、ステップＳ２８に進まない。この場合、異常処理を実行する。異常処理は、例えば、異常が発生したことをユーザーに通知することである。

＜＜ステップＳ２８：第２取得工程＞＞
支持部２５は、搬送機構２３に基板Ｗを渡す。搬送機構２３は、支持部２５から基板Ｗを取る。

図２５（ａ）、２５（ｂ）、２６（ａ）、２６（ｂ）は、第２取得工程の動作例を模式的に示す図である。図２５（ａ）、２６（ａ）は、反転ユニット２４および搬送機構２３の一部の正面図である。図２５（ｂ）、２６（ｂ）は、反転ユニット２４および搬送機構２３の一部の平面図である。

図２５（ａ）、図２５（ｂ）を参照する。支持部２５は、第１支持位置ＰＨにおいて、基板Ｗを支持する。第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置したままである。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引していない状態で、第１吸引部４２は支持部２５の上方の位置に移動する。第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。

図２６（ａ）、２６（ｂ）を参照する。第１吸引部４２は、基板Ｗの吸引を開始する。第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、支持部２５から上方に浮く。基板Ｗは、支持部２５から離れる。支持部２５は、第１支持位置ＰＨにおいて、搬送機構２３に基板Ｗを渡す。搬送機構２３は、基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。

第２取得工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。第２取得工程では、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２において静止する。

第２支持工程から第２取得工程まで、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２において静止する。反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は移動しない。反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、支持部２５は、第２吸引部７２の側方を囲む。

＜＜ステップＳ２９：搬出工程＞＞
第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、第１吸引部４２は支持部２５の上方の位置から離れる。

図２７（ａ）、２７（ｂ）は、搬出工程の動作例を模式的に示す図である。図２７（ａ）は、反転ユニット２４および搬送機構２３の一部の正面図である。図２７（ｂ）は、反転ユニット２４および搬送機構２３の一部の平面図である。例えば、搬送機構２３は、反転ユニット２４から基板Ｗを搬出する。具体的には、第１吸引部４２および基板Ｗは、筐体６１の内部から筐体６１の外部に移動する。さらに、搬送機構２３は、処理ユニット２８または基板載置部２７に、基板Ｗを搬送する。

図２８（ａ）−２８（ｈ）を参照して、上述した第２取得工程と搬出工程を、改めて説明する。図２８（ａ）−２８（ｈ）は、第２取得工程および搬出工程の動作例を模式的に示す側面図である。

図２８（ａ）を参照する。ハンド４１は、支持部２５よりも後方に位置する。第１吸引部４２は、基板Ｗを吸引しない。受け部４４は、退避位置に位置する。支持部２５は、第１支持位置ＰＨに位置する。支持部２５は、基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置する。第２吸引部７２は、基板Ｗを吸引しない。

図２８（ｂ）を参照する。第１吸引部４２は支持部２５に移動する。第１吸引部４２は、支持部２５の上方の位置に位置する。第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。受け部４４は、支持部２５よりも高い位置に位置する。受け部５４は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重ならない。第１受け部５５は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも前方に位置する。第２受け部５６は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも後方に位置する。

図２８（ｃ）を参照する。ハンド４１は、下方に僅かに移動する。受け部５４は、支持部２５に支持される基板Ｗよりも高い位置から、支持部２５に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。受け部５４は、支持部２５の上端よりも低い位置まで下降する。支持部２５に支持される基板Ｗは、第１受け部５５と第２受け部５６の間を通過する。第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上面ＷＴに近づく。

図２８（ｄ）を参照する。ハンド４１は、後方に僅かに移動する。第１受け部５５および第２受け部５６は、後方に移動する。その結果、第１受け部５５は、支持部２５に支持される基板Ｗの下方に位置する。第１受け部５５は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重なる。

図２８（ｅ）を参照する。受け部５４は脱落防止位置に移動する。具体的には、第２受け部５６が第１受け部５５に近づく。第２受け部５６が、前方に移動する。その結果、第２受け部５６は、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗの下方に位置する。第１受け部５５および第２受け部５６の両方が、平面視において、支持部２５に支持される基板Ｗと重なる。

図２８（ｆ）を参照する。第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。第１吸引部４２は、基板Ｗの吸引を開始する。具体的には、第１吸引部４２は、上面ＷＴに気体を吹き出す。第１吸引部４２は、上面ＷＴに気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、支持部２５から上方に浮く。基板Ｗは、支持部２５から離れる。支持部２５は、第１支持位置ＰＨで、基板Ｗを搬送機構２３に渡す。搬送機構２３は、支持部２５から基板Ｗを受ける。搬送機構２３は、基板Ｗを支持する。基板Ｗは水平姿勢である。

図２８（ｇ）を参照する。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、ハンド４１は上方に移動する。受け部５４は、支持部２５の上端よりも低い位置から、支持部２５の上端よりも高い位置まで移動する。

図２８（ｈ）を参照する。ハンド４１は、後方に移動する。第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、第１吸引部４２は、支持部２５の上方の位置から離れる。

上述の通り、第２取得工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨに静止する。第２取得工程では、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に静止する。搬出工程でも、支持部２５は第１支持位置ＰＨに静止する。搬出工程でも、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に静止する。

＜＜ステップＳ３０：退避工程＞＞
退避工程は、第２取得工程の後に行われる。すなわち、退避工程は、支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡した後に、行われる。退避工程では、第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３に移動する。具体的には、第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動する。続いて、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動する。退避工程は、降下工程と第１移動工程と第２移動工程と上昇工程を含む。第１移動工程は、降下工程の後に行われる。第２移動工程と上昇行程は、第１移動工程の後に行われる。

＜＜ステップＳ３１：降下工程＞＞
図２９（ａ）、２９（ｂ）を参照する。図２９（ａ）は、降下工程の動作例を模式的に示す正面図である。図２９（ｂ）は、降下工程の動作例を模式的に示す平面図である。第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置する。第２吸引部７２は、基板Ｗを吸引しない。支持部２５は、基板Ｗを支持しない。支持部２５は、第１支持位置ＰＨから第２支持位置ＰＬに移動する。

＜＜ステップＳ３２：第１移動工程＞＞
図３０（ａ）、３０（ｂ）を参照する。図３０（ａ）は、第１移動工程の動作例を模式的に示す側面図である。図３０（ｂ）は、第１移動工程の動作例を模式的に示す平面図である。支持部２５は、第２支持位置ＰＬに位置する。第２吸引部７２が回転軸線Ａ回りに回転する。第２吸引部７２は第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動する。

＜＜ステップＳ３３：第２移動工程＞＞
図３１（ａ）、３１（ｂ）を参照する。図３１（ａ）は、第２移動工程および上昇行程の動作例を模式的に示す正面図である。図３１（ｂ）は、第２移動工程および上昇行程の動作例を模式的に示す平面図である。第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動する。

＜＜ステップＳ３４：上昇工程＞＞
図３１（ａ）、３１（ｂ）を参照する。支持部２５は、第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動する。

ここで、上昇行程を行う期間は、第２移動工程を行う期間と重なってもよい。例えば、第２移動工程と同時に、上昇行程を行ってもよい。あるいは、上昇行程を行う期間は、第２移動工程を行う期間と重ならなくてもよい。例えば、第２移動工程の後に、上昇行程を行ってもよい。例えば、上昇工程の後に、第２移動行程を行ってもよい。

退避工程の後、ステップＳ２１に戻り、搬送工程を行う。

＜実施形態の効果＞
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送する搬送機構２３を備える。搬送機構２３は、第１吸引部４２を備える。第１吸引部４２は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。このため、搬送機構２３は、基板Ｗを好適に支持できる。例えば、撓み易い基板Ｗであっても、搬送機構２３は基板Ｗを好適に支持できる。例えば、基板Ｗ自体の剛性が比較的に小さい場合であっても、搬送機構２３は基板Ｗを好適に支持できる。

搬送機構２３はハンド駆動部４５を備える。ハンド駆動部４５は、第１吸引部４２を移動させる。このため、搬送機構２３は、第１吸引部４２に吸引された基板Ｗを、好適に搬送できる。

基板処理装置１は、反転機構２６を備える。反転機構２６は、第２吸引部７２を備える。第２吸引部７２は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。このため、反転機構２６は、基板Ｗを好適に支持できる。例えば、撓み易い基板Ｗであっても、反転機構２６は基板Ｗを好適に支持できる。例えば、基板Ｗ自体の剛性が比較的に小さい場合であっても、反転機構２６は基板Ｗを好適に支持できる。

反転機構２６は、回転駆動部８２を備える。回転駆動部８２は回転軸線Ａ回りに第２吸引部７２を回転させる。このため、反転機構２６は、第２吸引部７２に吸引された基板Ｗを、好適に反転できる。

基板処理装置１は、支持部２５を備える。支持部２５は、基板Ｗと接触し、基板Ｗを支持する。搬送機構２３は、支持部２５に基板Ｗを搬送する。反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを受ける。このように、搬送機構２３から反転機構２６に基板Ｗを送るとき、搬送機構２３は反転機構２６に基板Ｗを、直接的に渡さない。搬送機構２３から反転機構２６に基板Ｗを送るとき、搬送機構２３は、支持部２５を介して、反転機構２６に基板Ｗを、間接的に渡す。このため、第２吸引部７２は、支持部２５に支持される基板Ｗを適切に吸引できる。したがって、反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを適切に受けることができる。

支持部２５は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。よって、第２吸引部７２は、支持部２５に支持される基板Ｗを一層適切に吸引できる。したがって、反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを一層適切に受けることができる。

搬送機構２３が支持部２５に基板Ｗを搬送するとき、第１吸引部４２は基板Ｗの上方に位置する。このため、搬送機構２３は、支持部２５に基板Ｗを適切に渡すことができる。

反転機構２６が支持部２５から基板Ｗを受けるとき、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置し、かつ、第２吸引部７２は基板Ｗの上面ＷＴに沿って気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。このため、反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを適切に受けることができる。

以上のとおり、基板処理装置１は、基板Ｗを適切に反転できる。

支持部２５は、位置調整部６５を備える。位置調整部６５は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。よって、支持部２５が基板Ｗを支持するとき、基板Ｗは、適切な位置に位置する。このため、第２吸引部７２は、支持部２５に支持される基板Ｗを、適切に吸引できる。反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを適切に受けることができる。

支持部２５が位置調整部６５を備えるので、第１吸引部４２も、支持部２５に支持される基板Ｗを、適切に吸引できる。よって、搬送機構２３は、支持部２５から基板Ｗを適切に受けることができる。

上述の通り、第１吸引部４２および第２吸引部７２は、基板Ｗと接触せずに基板Ｗを吸引する。このため、第１吸引部４２および第２吸引部７２が基板Ｗを吸引するときに基板Ｗが適切な位置に位置することは、第１吸引部４２および第２吸引部７２にとって特に重要である。

位置調整部６５は、傾斜面６５ａを備える。傾斜面６５ａは、基板Ｗの端縁と接触する。傾斜面６５ａは、下方に向かって、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に傾斜する。このため、位置調整部６５は、基板Ｗを所定の位置に好適に案内できる。

反転機構２６が基板Ｗを反転するとき、第２吸引部７２は基板Ｗの上方の位置から基板Ｗの下方の位置に移動する。このため、反転機構２６は、基板Ｗを好適に反転できる。

反転機構２６は基板Ｗを支持部２５に渡すとき、第２吸引部７２は基板Ｗの下方に位置し、かつ、第２吸引部７２は基板Ｗを吸引しない。このため、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、基板Ｗが反転機構２６に対して上方に移動することを、反転機構２６は許容する。よって、反転機構２６は基板Ｗを支持部２５に好適に渡すことができる。

反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は静止する。すなわち、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は、移動しない。よって、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後、速やかに、支持部２５は搬送機構２３に基板Ｗを渡すことができる。すなわち、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡す時から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡す時までの期間を、容易に短縮できる。よって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。例えば、基板処理装置１が単位時間当たりに処理可能な基板Ｗの数を、好適に向上できる。

回転駆動部８２は、第２吸引部７２を回転軸線Ａ回りに回転させることによって、第２吸引部７２を第１位置Ｐ１に移動させる。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は気体を下方に吹き出す。よって、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、第２吸引部７２の下方に位置する基板Ｗを上方に好適に吸引できる。

回転駆動部８２は、第２吸引部７２を回転軸線Ａ回りに回転させることによって、第２吸引部７２を第２位置Ｐ２に移動させる。第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は気体を上方に吹き出す。よって、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、第２吸引部７２の上方に位置する基板Ｗを下方に好適に吸引できる。

回転軸線Ａは、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２よりも低い位置に配置される。よって、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２よりも高い位置に配置される。このため、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２を基板Ｗの上方の位置に容易に配置できる。したがって、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、反転機構２６は支持部２５から基板Ｗを好適に受けることができる。

他方、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２よりも低い位置に配置される。このため、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２を基板Ｗの下方の位置に容易に配置できる。したがって、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、反転機構２６は支持部２５に基板Ｗを好適に渡すことができる。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動することによって、反転機構２６は、基板Ｗを反転させるとともに、基板Ｗの高さ位置を下降させる。よって、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、反転機構２６は、支持部２５に一層容易に基板Ｗを渡すことができる。

反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に位置し、かつ、第２吸引部７２は基板Ｗを吸引しない。このため、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、基板Ｗが反転機構２６に対して上方に移動することを、反転機構２６は許容する。よって、反転機構２６は基板Ｗを支持部２５に好適に渡すことができる。

反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に位置したままである。よって、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後、速やかに、支持部２５は搬送機構２３に基板Ｗを渡すことができる。よって、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に配置される。このため、第２吸引部７２は、基板Ｗの中央部に、上向きの力を作用させることができる。よって、第２吸引部７２は、基板Ｗを一層適切に吸引できる。

第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に配置される。このため、第２吸引部７２は、基板Ｗの中央部に、下向きの力を作用させることができる。よって、第２吸引部７２は、基板Ｗを一層適切に吸引できる。

第２吸引部７２を備える基板処理装置１では、第２吸引部７２の退避に要する時間が特に長い。この理由は、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向内方に配置されるからである。このため、例えば、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３までの移動距離は、比較的に長い。例えば、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３までの第２吸引部７２の移動時間は、比較的に長い。ここで、仮に、支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡す前に、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２から退避するならば、支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すタイミングが著しく遅くなるはずである。上述した通り、本実施形態では、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２に位置したままである。したがって、支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すタイミングが遅くなることを、好適に抑制できる。この効果は、第２吸引部７２を備える基板処理装置１にとって、特に大きい。

なお、本実施形態では、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、支持部２５は第２吸引部７２の側方に配置される。このため、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２から退避することは、禁止される。第２吸引部７２が支持部２５と干渉するからである。さらに、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗの下方に配置される。このため、反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡した後から支持部２５が搬送機構２３に基板Ｗを渡すまで、支持部２５が第１支持位置Ｐ１から降下することは、禁止される。支持部２５に支持される基板Ｗが第２吸引部７２と干渉するからである。

基板処理装置１は、昇降駆動部６７を備える。昇降駆動部６７は、第１支持位置ＰＨと第２支持位置ＰＬとに支持部２５を移動させる。第２支持位置ＰＬは、第１支持位置ＰＨよりも低い。よって、支持部２５は好適に昇降できる。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、基板ＷＰＨよりも、高い位置に配置される。よって、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は、基板ＷＰＨの上方の位置に、容易に位置できる。したがって、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、反転機構２６は支持部２５から基板Ｗを容易に受けることができる。

基板ＷＰ２の高さ位置は、基板ＷＰＨの高さ位置よりも低く、かつ、基板ＷＰＬの高さ位置よりも高い。よって、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、支持部２５が第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動することにより、支持部２５は反転機構２６から基板Ｗを好適に受けることができる。すなわち、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置するとき、反転機構２６は支持部２５に基板Ｗを好適に渡すことができる。

搬送機構２３が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、支持部２５は第１支持位置ＰＨに位置する。反転機構２６が支持部２５から基板Ｗを受けるとき、支持部２５は第１支持位置ＰＨに位置する。反転機構２６が基板Ｗを反転するとき、支持部２５は第２支持位置ＰＬに位置する。反転機構２６が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、支持部２５は第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動する。このように、支持部２５の位置は、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬの、２つのみである。言い換えれば、昇降駆動部６７は、支持部２５を、３つ以上の位置に移動させなくてもよい。具体的には、昇降駆動部６７は、支持部２５を、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬ以外の位置に移動させなくてもよい。例えば、昇降駆動部６７は、支持部２５を、第１支持位置ＰＨよりも高い位置に移動させなくもよい。例えば、昇降駆動部６７は、支持部２５を、第２支持位置ＰＬよりも低い位置に移動させなくもよい。よって、昇降駆動部６７の構造を簡素化できる。例えば、電動モータを用いずに、昇降駆動部６７を実現できる。さらに、支持部２５の動作を簡素化できる。

さらに、搬送機構２３が支持部２５から基板Ｗを受けるとき、支持部２５は第１支持位置ＰＨに位置する。よって、昇降駆動部６７の構造を一層簡素化できる。支持部２５の動作を一層簡素化できる。

反転機構２６は、移動駆動部８４を備える。移動駆動部８４は、第２吸引部７２を、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動させる。ここで、第３位置Ｐ３は、第２吸引部７２が搬送機構２３と干渉しない第２吸引部７２の位置である。搬送機構２３が支持部２５に基板Ｗを渡すとき、第２吸引部７２は第３位置Ｐ３に位置する。よって、搬送機構２３は支持部２５に基板Ｗを渡すとき、第２吸引部７２が搬送機構２３と干渉することを好適に防止できる。

第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２は、平面視において、支持部２５よりも、支持部２５に支持される基板Ｗの半径方向外方に配置される。よって、第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２が搬送機構２３と干渉することを、確実に防止できる。さらに、第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するとき、第２吸引部７２が支持部２５と干渉することを、確実に防止できる。

反転機構２６は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂを備える。第１枝部７４Ａは移動駆動部８４に連結される。第２枝部７４Ｂは移動駆動部８４に連結される。第２吸引部７２は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂを備える。第３吸引部７２Ａは、第１枝部７４Ａに保持される。第４吸引部７２Ｂは、第２枝部７４Ｂに保持される。移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を広狭させる。移動駆動部８４は、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔を大きくさせることによって、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に第２吸引部７２を移動させる。このように、移動駆動部８４は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂの相対的な位置を変える。これにより、第３吸引部７２Ａおよび第４吸引部７２Ｂはそれぞれ、効率良く退避できる。すなわち、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動するときの第２吸引部７２の移動量を、好適に抑制できる。よって、移動駆動部８４は、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に第２吸引部７２を、容易に移動させることができる。さらに、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動するときの第２吸引部７２の可動域を、効果的に小さくできる。よって、反転機構２６が大型化することを好適に抑制できる。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１および第３位置Ｐ３に位置するとき、回転軸線Ａは、平面視において、第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間を通るように配置される。第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動するとき、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、平面視において、回転軸線Ａから遠ざかる。第２吸引部７２が第３位置Ｐ３から第１位置Ｐ１に移動するとき、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、平面視において、回転軸線Ａに近づく。このように、移動駆動部８４は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂを、個別に移動させる。具体的には、移動駆動部８４は、第３吸引部７２Ａと第４吸引部７２Ｂをそれぞれ、反対方向に移動させる。よって、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３の間で移動するときの第２吸引部７２の移動量を、一層好適に抑制できる。よって、移動駆動部８４は、第１位置Ｐ１と第３位置Ｐ３の間で第２吸引部７２を、一層容易に移動させることができる。さらに、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動するときの第２吸引部７２の可動域を、一層効果的に小さくできる。よって、反転機構２６が大型化することを一層好適に抑制できる。

第２吸引部７２が回転軸線Ａ周りに回転するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔は、第２吸引部７２が第３位置Ｐ３に位置するときの第１枝部７４Ａと第２枝部７４Ｂの間隔よりも小さい。このため、第２吸引部７２が回転軸線Ａ周りに回転するときの第２吸引部７２および吸引保持部７４の可動域を、効果的に小さくできる。よって、反転機構２６が大型化することを好適に抑制できる。

基板を反転する基板反転方法は、搬送工程（ステップＳ２１）を備える。搬送工程では、搬送機構２３が支持部２５に基板を搬送する。搬送工程では、第１吸引部４２は基板Ｗの上方に位置する。搬送工程では、第１吸引部４２は基板Ｗの上面ＷＴに気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。よって、搬送工程では、搬送機構２３は基板Ｗを好適に支持できる。

搬送工程では、第１吸引部４２が基板Ｗを吸引した状態で、第１吸引部４２は支持部２５に移動する。よって、搬送工程では、搬送機構２３は基板Ｗを好適に搬送できる。

基板反転方法は、第１支持工程（ステップＳ２２）を備える。第１支持工程では、支持部２５は、搬送機構２３から基板Ｗを受ける。上述の通り、搬送工程では、第１吸引部４２は基板Ｗの上方に位置する。よって、第１支持工程では、支持部２５は、搬送機構２３から基板を好適に受けることができる。

基板反転方法は、第１取得工程（ステップＳ２４）を備える。第１取得工程では、反転機構２６が支持部２５から基板Ｗを取る。第１取得工程では、第２吸引部７２は第１位置Ｐ１に位置する。すなわち、第２吸引部７２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。第１取得工程では、第２吸引部７２は基板Ｗの上面ＷＴに気体を流して基板Ｗを上方に吸引する。よって、第１取得工程では、反転機構２６は支持部２５から基板Ｗを適切に取ることができる。

第１支持工程では、支持部２５は基板Ｗを水平姿勢で支持する。よって、第１取得工程では、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗを適切に吸引できる。したがって、第１取得工程では、反転機構２６は支持部２５から基板Ｗを適切に取ることができる。

上述の通り、基板反転方法は、第１支持工程を備えるので、搬送機構２３は支持部２５に基板Ｗを渡し、反転機構２６は支持部２５から基板Ｗを取る。このように、反転機構２６は、支持部２５を介して搬送機構２３から基板Ｗを、間接的に受ける。反転機構２６は、搬送機構２３から基板Ｗを、直接的に受けない。このため、第２吸引部７２は支持部２５に支持される基板Ｗを一層適切に吸引できる。したがって、第１取得工程では、反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを一層適切に取ることができる。

基板反転方法は、反転工程（ステップＳ２５）を備える。反転工程では、反転機構２６が基板Ｗを反転する。反転工程では、第２吸引部７２が基板Ｗを吸引した状態で、第２吸引部７２は回転軸線Ａ周りに半回転する。反転工程では、第２吸引部７２が基板Ｗを吸引した状態で、第２吸引部７２は第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動する。よって、反転工程では、第２吸引部７２に吸引される基板Ｗを好適に反転できる。

基板反転方法は、第２支持工程（ステップＳ２６）を備える。第２支持工程では、支持部２５は、反転機構２６から基板Ｗを受ける。支持部２５は、基板Ｗを水平姿勢で支持する。ここで、第２支持工程では、第２吸引部７２が第２位置Ｐ２に位置する。すなわち、第２支持工程では、第２吸引部７２は基板Ｗの下方に位置する。よって、第２支持工程では、支持部２５は、反転機構２６から基板Ｗを好適に受けることができる。

以上のとおり、基板反転方法は、基板Ｗを適切に反転できる。

第１支持工程では、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。このため、第１支持工程では、支持部２５に支持される基板Ｗは、適切な位置に位置する。よって、第１取得工程では、第２吸引部７２は、支持部２５に支持される基板Ｗを適切に吸引できる。

基板反転方法は、第１基板検出工程を備える。第１基板検出工程は、支持部２５に支持される基板Ｗを検出する。第１基板検出工程は、第１支持工程の後に行われる。よって、第１基板検出工程は、第１支持工程が適切に完了したかをチェックできる。さらに、第１基板検出工程は、第１取得工程の前に行われる。よって、第１基板検出工程は、第１取得工程を適切に行うことが可能か否かについて、第１取得工程の前に判断できる。その結果、第１基板検出工程は、第１取得工程を開始するか否かについて、適切に決定できる。

第１支持工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。第１取得工程では、支持部２５は第１支持位置ＰＨにおいて静止する。反転工程では、支持部２５は、第１支持位置ＰＨから第２支持位置ＰＬに移動する。第２支持工程では、支持部２５は第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動する。このように、支持部２５が静止する位置は、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬの、２つのみである。言い換えれば、支持部２５は、３つ以上の位置に静止しなくてもよい。具体的には、支持部２５は、第１支持位置ＰＨおよび第２支持位置ＰＬ以外の位置に静止しなくてもよい。よって、支持部２５の動作を簡素化できる。

第２吸引部７２が第１位置Ｐ１に位置するとき、第２吸引部７２は基板ＷＰＨよりも高い位置に配置される。よって、第１取得工程では、第２吸引部７２は基板ＷＰＨを適切に吸引できる。

基板ＷＰ１の高さ位置は、基板ＷＰＨの高さ位置よりも、高い。よって、第１取得工程では、反転機構２６は、支持部２５から基板Ｗを好適に取ることができる。第１取得工程では、支持部２５は、第１支持位置ＰＨにおいて、基板Ｗを反転機構２６に好適に渡すことができる。

回転軸線Ａの高さ位置は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２の高さ位置よりも、低い。このため、第２位置Ｐ２に位置する第２吸引部７２の高さ位置は、第１位置Ｐ１に位置する第２吸引部７２の高さ位置よりも、低い。すなわち、第２吸引部７２が第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動するときに、第２吸引部７２は下降する。ここで、基板ＷＰ２の高さ位置は、基板ＷＰＨの高さ位置よりも、低く、かつ、基板ＷＰＬの高さ位置よりも、高い。よって、第２支持工程では、反転機構２６は支持部２５に基板Ｗを好適に渡すことができる。第２支持工程では、支持部２５が第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動することによって、支持部２５は反転機構２６から基板Ｗを好適に受けることができる。

基板反転方法は、第２取得工程を備える。第２取得工程では、搬送機構２３は支持部２５から基板Ｗを取る。第２支持工程から第２取得工程まで、第２吸引部７２は第２位置Ｐ２において静止する。よって、第２支持工程の後、速やかに、第２取得工程を開始できる。その結果、基板処理装置１のスループットを好適に向上できる。

第２取得工程では、第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗの上方に位置する。第１吸引部４２は基板Ｗの上面ＷＴに気体を流して基板を上方に吸引する。よって、第２取得工程では、搬送機構２３は、支持部２５から基板Ｗを適切に取ることができる。

上述の通り、第２支持工程では、支持部２５は基板Ｗを水平姿勢で支持する。よって、第２取得工程では、第１吸引部４２は支持部２５に支持される基板Ｗを適切に吸引できる。

上述の通り、基板反転方法は、第２支持工程を備えるので、反転機構２６は支持部２５に基板Ｗを渡し、搬送機構２３は支持部２５から基板Ｗを取る。このように、搬送機構２３は、支持部２５を介して反転機構２６から基板Ｗを、間接的に受ける。搬送機構２３は、反転機構２６から基板Ｗを、直接的に受けない。このため、第１吸引部４２は支持部２５に支持される基板Ｗを一層適切に吸引できる。

第２支持工程では、水平方向における基板の位置を調整する。このため、第２支持工程では、支持部２５に支持される基板Ｗは、適切な位置に位置する。よって、第２取得工程では、第１吸引部４２は、支持部２５に支持される基板Ｗを適切に吸引できる。

基板反転方法は、第２基板検出工程を備える。第２基板検出工程は、支持部２５に支持される基板Ｗを検出する。第２基板検出工程は、第２支持工程の後に行われる。よって、第２基板検出工程は、第２支持工程が適切に完了したかをチェックできる。さらに、第２基板検出工程は、第２取得工程の前に行われる。よって、第２基板検出工程は、第２取得工程を適切に行うことが可能か否かについて、第２取得工程の前に判断できる。その結果、第２基板検出工程は、第２取得工程を開始するか否かについて、適切に決定できる。

反転工程は、退避工程を備える。退避工程は、第２取得工程の後に、行われる。よって、第２取得工程の実行タイミングを、容易に早めることができる。退避工程に起因して、第２取得工程の実行が遅れることがない。

退避工程では、第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３に移動する。第３位置Ｐ３は、搬送機構２３と干渉しない位置である。第１支持工程では、第２吸引部７２は、第３位置に位置する。よって、第１支持工程では、第２吸引部７２が搬送機構２３と干渉することを好適に防止できる。

退避工程は、降下工程と第１移動工程と第２移動工程と上昇行程とを備える。降下工程では、支持部２５は、第１支持位置ＰＨから第２支持位置ＰＬに移動する。第１移動工程は、退避工程の後に実行される。第１移動工程では、第２吸引部７２は、回転軸線Ａ周りに回転し、第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動する。第２移動工程は、第１移動工程の後に実行される。第２移動工程では、第２吸引部７２は、第１位置Ｐ１から第３位置Ｐ３に移動する。上昇行程は、第１移動工程の後に実行される。上昇行程では、支持部２５は、第２支持位置ＰＬから第１支持位置ＰＨに移動する。このため、退避工程では、第２吸引部７２は、第２位置Ｐ２から第３位置Ｐ３に好適に移動できる。

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

上述した実施形態では、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、回転軸線Ａと直交する水平方向に平行移動する。但し、これに限られない。例えば、第１枝部７４Ａおよび第２枝部７４Ｂはそれぞれ、旋回移動してもよい。具体的には、第１枝部７４Ａは、第１枝部７４Ａの基端部を中心として、水平面内を旋回移動してもよい。同様に、第２枝部７４Ｂは、第２枝部７４Ｂの基端部を中心として、水平面内を旋回移動してもよい。

上述した実施形態では、第３位置Ｐ３は、第１位置Ｐ１と同じ高さ位置に配置される。但し、これに限られない。第３位置Ｐ３は、第１位置Ｐ１よりも、高い位置に配置されてもよい。

上述した実施形態では、吸引保持部７４は、移動駆動部８４に接続され、回転ベース８３に接続されていない。但し、これに限られない。吸引保持部７４は、移動駆動部８４および回転ベース８３に接続されてもよい。例えば、吸引保持部７４は、回転ベース８３に対して摺動可能に、回転ベース８３に支持されてもよい。例えば、吸引保持部７４は、回転ベース８３に対して揺動可能に、回転ベース８３に支持されてもよい。

上述した実施形態では、位置調整部６５は、基板Ｗの端縁と接触する。但し、これに限られない。例えば、位置調整部６５は、基板Ｗの端縁および基板Ｗの裏面ＷＢの両方と接触してもよい。例えば、軸部６４は、基板Ｗの裏面ＷＢと接触してもよい。

上述した実施形態では、支持部２５は、支持ピン６３を備える。但し、これに限られない。例えば、支持部２５は、棚を備えてもよい。ここで、支持部２５の棚は、水平方向（例えば、前後方向Ｘ）に延び、基板Ｗと接触する。例えば、支持部２５の棚は、基板載置部２７の棚３２と同じ形状を有してもよい。

上述した実施形態では、基板処理装置１が備える反転ユニット２４の数は、２つである。但し、これに限られない。基板処理装置１が備える反転ユニット２４の数は、１つでもよい。基板処理装置１が備える反転ユニット２４の数は、３つ以上でもよい。

図６に示す動作例では、各基板Ｗが搬送される処理ユニット２８の数は、１つである。但し、これに限られない。各基板Ｗが搬送される処理ユニット２８の数は、２つ以上でもよい。例えば、反転ユニット２４ａから基板Ｗを搬出した後で、反転ユニット２４ｂに基板Ｗを搬入する前に、２つ以上の処理ユニット２８に基板Ｗを搬送してもよい。例えば、反転ユニット２４ｂから基板Ｗを搬出した後で、基板載置部２７ｂに基板Ｗを搬入する前に、１つ以上の処理ユニット２８に基板Ｗを搬送してもよい。

上述した実施形態において、処理ユニット２８の基板保持部３６は、例えば、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーであってもよい。例えば、基板保持部３６は、基板Ｗを吸引することによって、基板Ｗを保持してもよい。例えば、基板保持部３６は、不図示の吸引部を備えてもよい。ここで、基板保持部３６の吸引部は、上述した第１吸引部４２または第２吸引部７２と類似する構造を有してもよい。基板保持部３６の吸引部は、基板保持部３６に支持される基板Ｗの下方に配置されてもよい。基板保持部３６の吸引部は、基板保持部３６に支持される基板Ｗの裏面ＷＢに沿って気体を流して基板Ｗを下方に吸引してもよい。

あるいは、基板保持部３６は、メカニカルチャック、または、メカニカルグリッパーであってもよい。例えば、基板保持部３６は、不図示の端縁接触部を備えてもよい。ここで、基板保持部３６の端縁接触部は、基板Ｗの端縁と接触してもよい。基板保持部３６と基板Ｗが回転するとき、端縁接触部に対して基板Ｗが滑らないように、基板保持部３６の端縁接触部は基板Ｗを保持してよい。

上述した実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
２３ … 搬送機構
２４、２４ａ、２４ｂ … 反転ユニット
２５、２５ａ、２５ｂ … 支持部
２６、２６ａ、２６ｂ … 反転機構
２９ … 制御部
４１ … ハンド
４２ … 第１吸引部
４５ … ハンド駆動部（搬送駆動部）
５４ … 受け部
６５ … 位置調整部
６５ａ … 傾斜面
６７ … 昇降駆動部
６９ … 基板検出部
７１ … ハンド
７２ … 第２吸引部
７２Ａ … 第３吸引部
７２Ｂ … 第４吸引部
７４ … 吸引保持部
７４Ａ … 第１枝部
７４Ｂ … 第２枝部
８１ … ハンド駆動部
８２ … 回転駆動部
８３ … 回転ベース
８４ … 移動駆動部
Ａ、Ａａ、Ａｂ … 回転軸線
Ｊ … 基板の中心
Ｋ … 中心軸線
Ｐ１ … 第１位置
Ｐ２ … 第２位置
Ｐ３ … 第３位置
ＰＨ … 第１支持位置
ＰＬ … 第２支持位置
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 第１面
Ｗ２ … 第２面
ＷＴ … 上面
ＷＢ … 裏面
ＷＰ１ … 第２吸引部が第１位置において吸引する基板
ＷＰ２ … 第２吸引部が第２位置において吸引する基板
ＷＰＨ … 支持部が第１支持位置において支持する基板
ＷＰＬ … 支持部が第２支持位置において支持する基板
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 鉛直方向

Claims (20)

1. 基板処理装置であって、
   基板と接触し、基板を水平姿勢で支持する支持部と、
   前記支持部に基板を搬送する搬送機構と、
   前記支持部から基板を受け、基板を反転させ、かつ、基板を前記支持部に渡す反転機構と、
   を備え、
   前記搬送機構は、
   基板と接触することなく基板を吸引する第１吸引部と、
   前記第１吸引部を移動させる搬送駆動部と、
   を備え、
   前記反転機構は、
   基板と接触することなく基板を吸引する第２吸引部と、
   前記第２吸引部を水平な回転軸線周りに回転させる回転駆動部と、
   を備え、
   前記搬送機構が基板を前記支持部に搬送するとき、前記第１吸引部は基板の上方に位置し、前記第１吸引部は基板の上面に沿って気体を流して基板を上方に吸引し、かつ、前記搬送駆動部は前記第１吸引部を前記支持部に移動させ、
   前記反転機構が前記支持部から基板を受けるとき、前記第２吸引部は前記支持部に支持される基板の上方に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板の上面に沿って気体を流して基板を上方に吸引する
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記支持部は、
   水平方向における基板の位置を調整する位置調整部と、
   を備える
   基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記位置調整部は、
   下方に向かって、前記支持部に支持される基板の半径方向内方に傾斜し、基板の端縁と接触する傾斜面と、
   を備える
   基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記反転機構が基板を反転するとき、前記第２吸引部は基板の上方の位置から基板の下方の位置に移動し、
   前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は基板の下方に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板を吸引せず、
   前記反転機構が前記支持部に基板を渡した後から前記支持部が前記搬送機構に基板を渡すまで、前記第２吸引部は静止する
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記回転駆動部は、前記第２吸引部を前記回転軸線回りに回転させることによって、前記第２吸引部が気体を下方に吹き出す第１位置と、前記第２吸引部が気体を上方に吹き出す第２位置とに、前記第２吸引部を移動させ、
   前記回転軸線は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部よりも低い位置に配置され、
   前記第１位置に位置する前記第２吸引部は、前記第２位置に位置する前記第２吸引部よりも高い位置に配置される
   基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置において、
   前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は前記第２位置に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板を吸引せず、
   前記反転機構が前記支持部に基板を渡した後から前記支持部が前記搬送機構に基板を渡すまで、前記第２吸引部は前記第２位置に位置したままである
   基板処理装置。
7. 請求項５または６に記載の基板処理装置において、
   前記第２吸引部が前記第２位置に位置するとき、前記第２吸引部は、平面視において、前記支持部よりも、前記支持部に支持される基板の半径方向内方に配置される
   基板処理装置。
8. 請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   基板処理装置は、
   前記支持部を、第１支持位置と、前記第１支持位置よりも低い第２支持位置とに、移動させる昇降駆動部と、
   を備え、
   前記第２吸引部が前記第１位置に位置するとき、前記第２吸引部は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置され、
   前記第２吸引部が前記第２位置において吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板の高さ位置よりも低く、かつ、前記支持部が前記第２支持位置において支持する基板の高さ位置よりも高い
   基板処理装置。
9. 請求項７または８に記載の基板処理装置において、
   前記搬送機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記支持部は前記第１支持位置に位置し、
   前記反転機構が前記支持部から基板を受けるとき、前記支持部は前記第１支持位置に位置し、
   前記反転機構が基板を反転するとき、前記支持部は前記第２支持位置に位置し、
   前記反転機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記支持部は前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動する
   基板処理装置。
10. 請求項５から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記反転機構は、
    前記第２吸引部を、前記第１位置から、前記搬送機構と干渉しない第３位置に移動させる移動駆動部を備え、
    前記搬送機構が前記支持部に基板を渡すとき、前記第２吸引部は前記第３位置に位置する
    基板処理装置。
11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記第２吸引部が前記第３位置に位置するとき、前記第２吸引部は、平面視において、前記支持部よりも、前記支持部に支持される基板の半径方向外方に配置される
    基板処理装置。
12. 請求項１０または１１に記載の基板処理装置において、
    前記反転機構は、
    前記移動駆動部に連結される前記第１枝部と、
    前記移動駆動部に連結される前記第２枝部と、
    を備え、
    前記第２吸引部は、
    前記第１枝部に保持される第３吸引部と、
    前記第２枝部に保持される第４吸引部と、
    を備え、
    前記移動駆動部は、前記第１枝部と前記第２枝部の間隔を広狭させ、
    前記移動駆動部は、前記第１枝部と前記第２枝部の間隔を大きくさせることによって、前記第１位置から前記第３位置に前記第２吸引部を移動させる
    基板処理装置。
13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    前記第２吸引部が前記第１位置および前記第３位置に位置するとき、前記回転軸線は、平面視において、前記第１枝部と前記第２枝部の間を通るように配置され、
    前記第２吸引部が前記第１位置から前記第３位置に移動するとき、前記第１枝部および前記第２枝部はそれぞれ、平面視において、前記回転軸線から遠ざかり、
    前記第２吸引部が前記第３位置から前記第１位置に移動するとき、前記第１枝部および前記第２枝部はそれぞれ、平面視において、前記回転軸線に近づく
    基板処理装置。
14. 基板を反転する基板反転方法であって、
    第１吸引部を備える搬送機構が支持部に基板を搬送する搬送工程と、
    前記支持部が、前記搬送機構から基板を受け、基板を水平姿勢で支持する第１支持工程と、
    第２吸引部を備える反転機構が前記支持部から基板を取る第１取得工程と、
    前記反転機構が基板を反転する反転工程と、
    前記支持部が、前記反転機構から基板を受け、基板を水平姿勢で支持する第２支持工程と、
    を備え、
    前記搬送工程では、前記第１吸引部は基板の上方に位置し、前記第１吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引し、かつ、前記第１吸引部は前記支持部に移動し、
    前記第１取得工程では、前記第２吸引部は、前記支持部に支持される基板の上方の位置である第１位置に位置し、かつ、前記第２吸引部は基板の上面に気体を流して基板を上方に吸引し、
    前記反転工程では、前記第２吸引部が基板を吸引した状態で、前記第２吸引部は水平な回転軸線周りに半回転し、前記第１位置から第２位置に移動する
    基板反転方法。
15. 請求項１４に記載の基板反転方法において、
    前記第１支持工程では、水平方向における基板の位置を調整する
    基板反転方法。
16. 請求項１４から１５のいずれかに記載の基板反転方法において、
    前記第１支持工程では、前記支持部は第１支持位置において静止し、
    前記第１取得工程では、前記支持部は前記第１支持位置において静止し、
    前記反転工程では、前記支持部は、前記第１支持位置から、前記第１支持位置よりも低い第２支持位置に移動し、
    前記第２支持工程では、前記支持部は前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動する
    基板反転方法。
17. 請求項１６に記載の基板反転方法において、
    前記第２吸引部が前記第１位置に位置するとき、前記第２吸引部は、前記支持部が前記第１支持位置において支持する基板よりも高い位置に配置され、
    前記回転軸線の高さ位置は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置よりも、低く、
    前記第２位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置は、前記第１位置に位置する前記第２吸引部の高さ位置よりも、低く、
    前記第２吸引部が前記第２位置で吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第１支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、低く、
    前記第２吸引部が前記第２位置で吸引する基板の高さ位置は、前記支持部が前記第２支持位置で支持する基板の高さ位置よりも、高い
    基板反転方法。
18. 請求項１６または１７に記載の基板反転方法において、
    基板反転方法は、
    前記搬送機構が前記支持部から基板を取る第２取得工程と、
    を備え、
    前記第２支持工程から前記第２取得工程まで、前記第２吸引部は前記第２位置において静止する
    基板反転方法。
19. 請求項１８に記載の基板反転方法において、
    基板反転方法は、
    前記第２取得工程の後、前記第２吸引部が、前記第２位置から、前記搬送機構と干渉しない第３位置に移動する退避工程と、
    を備え、
    前記第１支持工程では、前記第２吸引部は、前記第３位置に位置する
    基板反転方法。
20. 請求項１９に記載の基板反転方法において、
    前記退避工程は、
    前記支持部が前記第１支持位置から前記第２支持位置に移動する降下工程と、
    前記降下工程の後、前記第２吸引部が前記回転軸線周りに回転し、前記第２位置から前記第１位置に移動する第１移動工程と、
    前記第１移動工程の後、前記第２吸引部が、前記第１位置から前記第３位置に移動する第２移動工程と、
    前記第１移動工程の後、前記支持部が前記第２支持位置から前記第１支持位置に移動する上昇工程と、
    を備える
    基板反転方法。
    

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