TW202414564A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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沖田展彬
中村一樹
岡田吉文
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明的基板清洗裝置包含腔室、第一處理部及第二處理部。腔室形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間。第一處理部對在腔室內配置於第一處理位置的基板進行第一處理。第二處理部對在腔室內配置於第二處理位置的基板進行第二處理。主機器人通過使對基板進行保持的手移動而進行相對於基板清洗裝置而言的基板的搬入及基板的搬出。另外，主機器人通過使手進入至處理空間內而接收配置於第一處理位置的基板，搬送至第二處理位置並進行定位。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明涉及一種對基板進行規定的處理的基板處理裝置及基板處理方法。
為了對液晶顯示裝置或有機電致發光（Electro Luminescence，EL）顯示裝置等中使用的平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用基板、半導體基板、光盤用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩幕用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。為了對基板進行清洗，而使用基板清洗裝置。
日本專利特開2022-51029號公報所記載的基板清洗裝置包括上側保持裝置、下側保持裝置及下表面清洗裝置。上側保持裝置包含一對下卡盤及一對上卡盤。配置於一對下卡盤之間且一對上卡盤之間的基板被一對下卡盤及一對上卡盤夾入。由此，在一對下卡盤及一對上卡盤與基板的外周端部相接的狀態下，對作為清洗對象的基板進行保持。下表面清洗裝置對由上側保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗。
下側保持裝置是所謂的旋轉卡盤，在對基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使基板以水平姿勢旋轉。下表面清洗裝置進一步對由下側保持裝置保持的基板的下表面中包圍下表面中央區域的區域（以下，稱為下表面外側區域）進行清洗。
上側保持裝置及下側保持裝置隔開間隔沿上下方向排列。因此，所述基板清洗裝置還包括在上側保持裝置與下側保持裝置之間進行基板的交接的交接裝置。交接裝置包含多個支撐銷及將所述多個銷連結的銷連結構件。多個支撐銷以朝向上方延伸的方式安裝於銷連結構件。在基板由多個支撐銷的上端部支撐的狀態下，銷連結構件上下移動。由此，在上側保持裝置與下側保持裝置之間搬送基板。
如上所述，交接裝置在將基板支持於多個支撐銷上的狀態下，使所述基板沿上下方向移動。各支撐銷具有比搬送基板的搬送機器人的基板保持部（手）等低的剛性。因此，各支撐銷容易受到在使銷連結構件上下移動的驅動部產生的振動、或在交接裝置附近產生的振動等的影響而振動。在此情況下，在上側保持裝置與下側保持裝置之間搬送基板時，有偏離基板應存在的位置的可能性。另外，所述交接裝置通過多個支撐銷沿上下方向移動而使基板移動。然而，交接裝置不具有使多個支撐銷沿水平方向移動的結構。因此，例如若在利用交接裝置接收基板時在基板產生水平方向上的位置偏離，則在所述交接裝置無法消除所述位置偏離。
若在由上側保持裝置保持的基板產生位置偏離，則有無法準確地對本來應清洗的區域（下表面中央區域）進行清洗的可能性。另外，若在由下側保持裝置保持的基板產生位置偏離，則有無法準確地對本來應清洗的區域（下表面外側區域）進行清洗的可能性。
本發明的目的在於提供一種能夠抑制因位置偏離而引起的基板的處理不良的產生的基板處理裝置及基板處理方法。
按照本發明的一方面的基板處理裝置包括：處理單元；以及搬送裝置，具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出，所述處理單元包含：腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間；第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理，所述搬送裝置通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
按照本發明的另一方面的基板處理方法包含：通過處理單元對基板進行處理的步驟；以及使用搬送裝置搬送基板的步驟，所述處理單元包含：腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間；第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理，所述搬送裝置具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出，所述對基板進行處理的步驟包含：通過所述第一處理部對所述處理前的基板進行所述第一處理；以及通過所述第二處理部對所述第一處理後的基板進行第二處理，所述搬送步驟包含：通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
以下，使用附圖對本發明的一實施形態的基板處理裝置及基板處理方法進行說明。在以下的說明中，所謂基板，是指半導體基板（晶圓）、液晶顯示裝置或有機EL（Electro Luminescence）顯示裝置等FPD（Flat Panel Display）用基板、光盤用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩幕用基板、陶瓷基板或太陽能電池用基板等。另外，在本實施形態中，基板的上表面是電路形成面（表面），基板的下表面是與電路形成面為相反側的面（背面）。另外，在本實施形態中，基板除了切口以外具有圓形形狀。
1.第一實施形態 ＜1＞基板處理裝置的結構 圖1是第一實施形態的基板處理裝置的示意平面圖。圖2是圖1的J-J線處的基板處理裝置100的示意剖面圖。如圖1所示，本實施形態的基板處理裝置100具有分度器（indexer）區塊110及處理區塊120。分度器區塊110及處理區塊120以相互相鄰的方式設置。
分度器區塊110包含多個（在本例中為四個）載體載置台140及搬送部150。多個載體載置台140與搬送部150連接，以隔開間隔排列成一列的方式配置。在各載體載置台140上載置有收納多塊基板W的載體C。
在搬送部150設置有分度器機器人200及控制裝置170。分度器機器人200包含多個（在本例中為四個）手Ia、Ib、Ic、Id、手支撐構件210及搬送驅動部220。
多個手Ia～Id構成為能夠分別對多個基板W進行保持，如圖2所示，沿上下方向以一定間隔排列的狀態設置於手支撐構件210上。手支撐構件210形成為沿一個方向延伸，在所述一個方向上能夠進退地對多個手Ia～Id進行支撐。搬送驅動部220構成為能夠沿水平方向（多個載體載置台140排列的方向）移動，能夠繞鉛垂軸旋轉且升降地對手支撐構件210進行支撐。進而，搬送驅動部220包含多個馬達及氣缸等，為了利用多個手Ia～Id搬送多個基板W，使手支撐構件210沿水平方向移動，使手支撐構件210繞鉛垂軸旋轉、升降。另外，搬送驅動部220使多個手Ia～Id沿水平方向進退。控制裝置170包括包含中央處理器（Central Processing Unit，CPU）、隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM）、只讀存儲器（Read Only Memory，ROM）及存儲裝置的計算機等，對基板處理裝置100內的各構成元件進行控制。
如圖1所示，處理區塊120包含清洗部161、清洗部162及搬送部163。清洗部161、搬送部163及清洗部162以與搬送部150相鄰並且依次排列的方式配置。在清洗部161、清洗部162中，如圖2所示，上下層疊配置有多個（在本例中為四個）基板清洗裝置1。各基板清洗裝置1具有用於將基板W搬入至所述基板清洗裝置1且從所述基板清洗裝置1將基板W搬出的搬入搬出口2x（圖2）。關於基板清洗裝置1的結構及動作的詳情將在後面敘述。
在搬送部163設置有主機器人300。主機器人300包含多個（在本例中為四個）手Ma、Mb、Mc、Md、手支撐構件310及搬送驅動部320。多個手Ma～Md具有共同的結構，以沿上下方向排列的狀態設置於手支撐構件310上。各手Ma～Md構成為能夠以水平姿勢對基板W進行保持。另外，在各手Ma～Md設置有用於將基板W固定於所述手中的預先決定的位置（以下，稱為手基準位置）的固定裝置。
此處，對手Ma及設置於所述手Ma的固定裝置進行說明。圖3是圖1的手Ma的平面圖，圖4是圖1的手Ma的側面圖。在圖3及圖4中，由手Ma保持的基板W的外形由單點劃線表示。如圖3所示，手Ma包含手基座部331及兩個手臂部332、333。手基座部331具有沿一個方向延伸的大致矩形的板形形狀。手臂部332、手臂部333形成為從一個方向上的手基座部331的兩端部向與所述一個方向正交的方向（以下，稱為手進退方向）分別呈直線狀延伸。
在手基座部331的上表面大致中央部，能夠沿手進退方向移動地設置有用於對基板W進行支撐的支撐片341（參照圖3及圖4的反白箭頭）。支撐片341具有能夠對基板W的下表面進行支撐的支撐面及能夠與基板W的外周端部抵接的抵接面。在手基座部331的上表面大致中央部，進而設置有使支撐片341沿手進退方向移動的固定裝置350。
在手臂部332的前端部附近固定有具有與支撐片341相同的結構的支撐片342。在手臂部333的前端部附近也固定有具有與支撐片341相同的結構的支撐片343。
固定裝置350對支撐片341的手進退方向上的位置進行調整，以在基板W未由手Ma保持的情況下，在俯視時穿過支撐片341、支撐片342、支撐片343的抵接面的圓比基板W大。
在利用手Ma接收基板W時，作為保持對象的基板W載置於支撐片341、支撐片342、支撐片343的全部支撐面上。在此狀態下，固定裝置350使支撐片341移動，以使基板W的外周端部與支撐片341、支撐片342、支撐片343的全部抵接面接觸。具體而言，固定裝置350以接近支撐片342、支撐片343的方式使支撐片341沿手進退方向移動。由此，在基板W固定於手基準位置的狀態下，基板W由手Ma保持。
另一方面，在利用手Ma傳遞基板時，在基板W固定於手基準位置的狀態下，固定裝置350使支撐片341移動，以使基板W的外周端部從支撐片341、支撐片342、支撐片343中的至少一部分的抵接面分離。具體而言，固定裝置350以遠離支撐片342、支撐片343的方式，使支撐片341沿手進退方向移動。由此，將手Ma中的基板W的保持狀態釋放。
如圖1所示，手支撐構件310形成為沿一個方向延伸，在所述一個方向上分別獨立地能夠進退地對所述多個手Ma～Md進行支撐。搬送驅動部320以能夠繞鉛垂軸旋轉且能夠升降的方式對手支撐構件310進行支撐。進而，搬送驅動部320包含多個馬達及氣缸等，為了利用多個手Ma～Md搬送多個基板W，使手支撐構件310繞鉛垂軸旋轉、升降。另外，搬送驅動部320使多個手Ma～Md沿水平方向進退。
在分度器區塊110與處理區塊120之間，上下層疊配置有用於在分度器機器人200與主機器人300之間進行基板W的交接的多個（在本例中為四個）基板載置部PASS1及多個基板載置部PASS2。多個基板載置部PASS1位於比多個（在本例中為四個）基板載置部PASS2更靠上方處。
多個基板載置部PASS2用於將基板W從分度器機器人200傳遞至主機器人300。多個基板載置部PASS1用於將基板W從主機器人300傳遞至分度器機器人200。
分度器機器人200從載置於多個載體載置台140上的多個載體C中的任一個載體C將處理前的基板W取出。另外，分度器機器人200將所取出的處理前的基板W載置於多個基板載置部PASS2的任一者。進而，分度器機器人200接收載置於多個基板載置部PASS1中的任一者的處理後的基板W，並收容於空的載體C內。
主機器人300通過多個手Ma～Md分別接收載置於多個基板載置部PASS2的多個處理前的基板W。另外，主機器人300將通過多個手Ma～Md從基板載置部PASS2接收到的多個處理前的基板W分別搬入至清洗部161或清洗部162的多個基板清洗裝置1。進而，主機器人300通過多個手Ma～Md分別將多個基板清洗裝置1內的多個處理後的基板W搬出。其後，主機器人300將從各基板清洗裝置1搬出的處理後的基板W載置於多個基板載置部PASS1中的任一者。
在本實施形態的基板清洗裝置1中，在所述基板清洗裝置1的內部決定相互不同的第一處理位置及第二處理位置。另外，在所述基板清洗裝置1中，在基板W處於第一處理位置的狀態下對基板W的一部分進行清洗，在基板W處於第二處理位置的狀態下對基板W的其他部分進行清洗。因此，在基板清洗裝置1內，需要使基板W從第一處理位置移動至第二處理位置。
因此，在本實施形態的基板處理裝置100中，主機器人300除了進行所述各種搬送動作以外，還進行各基板清洗裝置1中的第一處理位置及第二處理位置間的基板W的搬送。關於利用主機器人300進行的第一處理位置及第二處理位置間的基板W的搬送的詳情，與基板清洗裝置1的動作的詳情一起在後面敘述。
＜2＞基板清洗裝置的結構 圖5是圖1的基板清洗裝置1的示意性平面圖。圖6是表示圖5的基板清洗裝置1的內部結構的外觀立體圖。在基板清洗裝置1中，為了明確位置關係，定義相互正交的X方向、Y方向及Z方向。在圖5及圖6以後的規定圖中，X方向、Y方向及Z方向適宜由箭頭表示。X方向及Y方向在水平面內相互正交，Z方向相當於鉛垂方向。
如圖5所示，基板清洗裝置1包括：上側保持裝置10A、上側保持裝置10B、下側保持裝置20、台座裝置30、下表面清洗裝置50、杯裝置60、上表面清洗裝置70、端部清洗裝置80及開閉裝置90。所述構成元件設置於單元框體2內。在圖6中，單元框體2由虛線表示。
單元框體2具有矩形的底面部2a及從底面部2a的四邊向上方延伸的四個側壁部2b、2c、2d、2e。側壁部2b、側壁部2c相互相向，側壁部2d、側壁部2e相互相向。在側壁部2b的中央部形成有矩形的開口。所述開口為基板W的搬入搬出口2x，在基板W相對於單元框體2的搬入時及搬出時使用。在圖6中，搬入搬出口2x由粗虛線表示。在以下的說明中，將Y方向中的從單元框體2的內部經由搬入搬出口2x而朝向單元框體2的外側的方向（從側壁部2c朝向側壁部2b的方向）稱為前方，將其相反的方向（從側壁部2b朝向側壁部2c的方向）稱為後方。
在側壁部2b中的搬入搬出口2x的形成部分及其附近的區域設置有開閉裝置90。開閉裝置90包含構成為能夠將搬入搬出口2x打開/關閉的擋板91及驅動擋板91的擋板驅動部92。在圖6中，擋板91由粗的雙點劃線表示。擋板驅動部92驅動擋板91，以在基板W相對於基板清洗裝置1搬入時及搬出時將搬入搬出口2x開放。另外，擋板驅動部92驅動擋板91，以在基板清洗裝置1中的基板W的清洗處理時將搬入搬出口2x堵塞。
在底面部2a的中央部設置有台座裝置30。台座裝置30包含線性引導件31、可動台座32及台座驅動部33。線性引導件31包含兩條軌道，且以在俯視時從側壁部2b的附近至側壁部2c的附近沿Y方向延伸的方式設置。可動台座32設置成能夠在線性引導件31的兩條軌道上沿Y方向移動。台座驅動部33例如包含脈衝馬達，在線性引導件31上使可動台座32沿Y方向移動。
在可動台座32上，下側保持裝置20及下表面清洗裝置50以沿Y方向排列的方式設置。下側保持裝置20包含吸附保持部21及吸附保持驅動部22。吸附保持部21是所謂的旋轉卡盤，且具有能夠對基板W的下表面進行吸附保持的圓形的吸附面，構成為能夠繞沿上下方向延伸的軸（Z方向上的軸）旋轉。在圖5中，由下側保持裝置20吸附保持的基板W的外形由雙點劃線表示。在以下的說明中，在由吸附保持部21吸附保持基板W時，將基板W的下表面中的吸附保持部21的吸附面應吸附保持的區域稱為下表面中央區域。另一方面，將基板W的下表面中包圍下表面中央區域的區域稱為下表面外側區域。
吸附保持驅動部22包含馬達。吸附保持驅動部22的馬達以旋轉軸朝向上方突出的方式設置於可動台座32上。吸附保持部21安裝於吸附保持驅動部22的旋轉軸的上端部。另外，在吸附保持驅動部22的旋轉軸，形成有用於在吸附保持部21中對基板W進行吸附保持的抽吸路徑。所述抽吸路徑與未圖示的吸氣裝置連接。吸附保持驅動部22使吸附保持部21繞所述旋轉軸旋轉。
下表面清洗裝置50包含：下表面刷51、兩個液噴嘴52、氣體噴出部53、升降支撐部54、移動支撐部55、下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b及下表面刷移動驅動部55c。移動支撐部55設置成能夠在可動台座32上的一定區域內相對於下側保持裝置20沿Y方向移動。如圖6所示，升降支撐部54能夠升降地設置於移動支撐部55上。升降支撐部54具有在遠離吸附保持部21的方向（在本例中為後方）上向斜下方傾斜的上表面54u。
下表面刷51例如由聚乙烯醇（Polyvinyl Alcohol，PVA）海綿或分散有磨粒的PVA海綿形成，如圖5所示，具有能夠與基板W的下表面接觸的圓形的清洗面。另外，下表面刷51安裝於升降支撐部54的上表面54u，以使清洗面朝向上方，且清洗面能夠繞穿過所述清洗面的中心且沿上下方向延伸的軸旋轉。下表面刷51的清洗面的面積比吸附保持部21的吸附面的面積大。
兩個液噴嘴52分別以位於下表面刷51的附近且液體噴出口朝向上方的方式安裝於升降支撐部54的上表面54u上。在液噴嘴52連接有下表面清洗液供給部56（圖7）。下表面清洗液供給部56向液噴嘴52供給清洗液。液噴嘴52在利用下表面刷51對基板W進行清洗時，將從下表面清洗液供給部56供給的清洗液供給至基板W的下表面。在本實施形態中，作為供給至液噴嘴52的清洗液，使用純水（去離子水）。此外，作為供給至液噴嘴52的清洗液，也可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、SC1（氨與過氧化氫水的混合溶液）或四甲基氫氧化銨（tetramethylammonium hydroxide，TMAH）等來代替純水。
氣體噴出部53為具有沿一個方向延伸的氣體噴出口的狹縫狀的氣體噴射噴嘴。氣體噴出部53以在俯視時位於下表面刷51與吸附保持部21之間且氣體噴射口朝向上方的方式安裝於升降支撐部54的上表面54u。在氣體噴出部53連接有噴出氣體供給部57（圖7）。噴出氣體供給部57向氣體噴出部53供給氣體。在本實施形態中，作為向氣體噴出部53供給的氣體而使用氮氣。氣體噴出部53在利用下表面刷51對基板W進行清洗時及後述的基板W的下表面乾燥時，將從噴出氣體供給部57供給的氣體噴射至基板W的下表面。在此情況下，在下表面刷51與吸附保持部21之間形成沿X方向延伸的帶狀的氣體簾幕。作為供給至氣體噴出部53的氣體，也可使用氬氣或氦氣等惰性氣體來代替氮氣。
下表面刷旋轉驅動部55a包含馬達，在利用下表面刷51對基板W進行清洗時使下表面刷51旋轉。下表面刷升降驅動部55b包含步進馬達或氣缸，使升降支撐部54相對於移動支撐部55升降。下表面刷移動驅動部55c包含馬達，使移動支撐部55在可動台座32上沿Y方向移動。此處，可動台座32中的下側保持裝置20的位置被固定。因此，在利用下表面刷移動驅動部55c進行移動支撐部55在Y方向上的移動時，移動支撐部55相對於下側保持裝置20相對地移動。在以下的說明中，將在可動台座32上最接近下側保持裝置20時的下表面清洗裝置50的位置稱為接近位置，將在可動台座32上最遠離下側保持裝置20時的下表面清洗裝置50的位置稱為分離位置。
在底面部2a的中央部進而設置有杯裝置60。杯裝置60包含處理杯61及杯驅動部62。處理杯61以在俯視時包圍下側保持裝置20及台座裝置30且能夠升降的方式設置。在圖6中，處理杯61由虛線表示。杯驅動部62根據下表面刷51對基板W的下表面中的哪個部分進行清洗，使處理杯61在下杯位置與上杯位置之間移動。下杯位置是處理杯61的上端部位於比由吸附保持部21吸附保持的基板W更靠下方處時的處理杯61的高度位置。另外，上杯位置是處理杯61的上端部位於比吸附保持部21更靠上方處時的處理杯61的高度位置。
在比處理杯61更靠上方的高度位置，以在俯視時夾持台座裝置30相向的方式設置有一對上側保持裝置10A、10B。上側保持裝置10A包含：下卡盤11A、上卡盤12A、下卡盤驅動部13A及上卡盤驅動部14A。上側保持裝置10B包含：下卡盤11B、上卡盤12B、下卡盤驅動部13B及上卡盤驅動部14B。
下卡盤11A、下卡盤11B關於在俯視時穿過吸附保持部21的中心且沿Y方向（前後方向）延伸的鉛垂面對稱地配置，且設置成能夠在共同的水平面內沿X方向移動。下卡盤11A、下卡盤11B分別具有能夠從基板W的下方對基板W的下表面周緣部進行支撐的兩條支撐片。下卡盤驅動部13A、下卡盤驅動部13B使下卡盤11A、下卡盤11B移動，以使下卡盤11A、下卡盤11B相互接近或使下卡盤11A、下卡盤11B相互遠離。
上卡盤12A、上卡盤12B與下卡盤11A、下卡盤11B同樣地，關於在俯視時穿過吸附保持部21的中心且沿Y方向（前後方向）延伸的鉛垂面對稱地配置，且設置成能夠在共同的水平面內沿X方向移動。上卡盤12A、上卡盤12B分別具有構成為與基板W的外周端部的兩個部分抵接而能夠對基板W的外周端部進行保持的兩條保持片。上卡盤驅動部14A、上卡盤驅動部14B使上卡盤12A、上卡盤12B移動，以使上卡盤12A、上卡盤12B相互接近或使上卡盤12A、上卡盤12B相互遠離。
如圖5所示，在處理杯61的一側，以在俯視時位於上側保持裝置10B的附近的方式設置有上表面清洗裝置70。上表面清洗裝置70包含旋轉支撐軸71、臂72、噴霧噴嘴73及上表面清洗驅動部74。
旋轉支撐軸71在底面部2a上以沿上下方向延伸且能夠升降且能夠旋轉的方式由上表面清洗驅動部74支撐。如圖6所示，臂72以在比上側保持裝置10B更靠上方的位置，從旋轉支撐軸71的上端部沿水平方向延伸的方式設置。在臂72的前端部，安裝有噴霧噴嘴73。
在噴霧噴嘴73連接有上表面清洗流體供給部75（圖7）。上表面清洗流體供給部75向噴霧噴嘴73供給清洗液及氣體。在本實施形態中，作為供給至噴霧噴嘴73的清洗液，使用純水，作為供給至噴霧噴嘴73的氣體，使用氮氣。噴霧噴嘴73在對基板W的上表面進行清洗時，將從上表面清洗流體供給部75供給的清洗液與氣體混合而生成混合流體，將所生成的混合流體向下方噴射。
此外，作為供給至噴霧噴嘴73的清洗液，也可使用碳酸水、臭氧水、氫水、電解離子水、SC1（氨與過氧化氫水的混合溶液）或TMAH（四甲基氫氧化銨）等來代替純水。另外，作為供給至噴霧噴嘴73的氣體，也可使用氬氣或氦氣等惰性氣體來代替氮氣。
上表面清洗驅動部74包含一個或多個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支撐軸71升降，並且使旋轉支撐軸71旋轉。根據所述結構，通過在由吸附保持部21吸附保持並旋轉的基板W的上表面上使噴霧噴嘴73呈圓弧狀移動，可對基板W的上表面整體進行清洗。
如圖5所示，在處理杯61的另一側，以在俯視時位於上側保持裝置10A的附近的方式設置有端部清洗裝置80。端部清洗裝置80包含旋轉支撐軸81、臂82、斜面刷83及斜面刷驅動部84。
旋轉支撐軸81在底面部2a上以沿上下方向延伸且能夠升降且能夠旋轉的方式由斜面刷驅動部84支撐。如圖6所示，臂82以在比上側保持裝置10A更靠上方的位置，從旋轉支撐軸81的上端部沿水平方向延伸的方式設置。在臂82的前端部，以朝向下方突出且能夠繞上下方向上的軸旋轉的方式設置有斜面刷83。
斜面刷83例如由PVA海綿或分散有磨粒的PVA海綿形成，上半部具有倒圓錐台形形狀並且下半部具有圓錐台形形狀。根據所述斜面刷83，可以外周面的上下方向上的中央部分對基板W的外周端部進行清洗。
斜面刷驅動部84包含一個或多個脈衝馬達及氣缸等，使旋轉支撐軸81升降，並且使旋轉支撐軸81旋轉。根據所述結構，通過使斜面刷83的外周面的中央部分與由吸附保持部21吸附保持並旋轉的基板W的外周端部接觸，可對基板W的外周端部整體進行清洗。
此處，斜面刷驅動部84還包含內置於臂82的馬達。所述馬達使設置於臂82的前端部的斜面刷83繞上下方向上的軸旋轉。因此，在對基板W的外周端部進行清洗時，通過斜面刷83旋轉，基板W的外周端部的斜面刷83的清洗力提高。
＜3＞基板處理裝置的控制系統 圖7是表示圖1的基板處理裝置100的控制系統的結構的方塊圖。如上所述，圖1的控制裝置170包含CPU、RAM、ROM及存儲裝置。RAM用作CPU的工作區域。ROM存儲系統程序。存儲裝置存儲基板處理程序。
如圖7所示，控制裝置170包含卡盤控制部171、吸附控制部172、台座控制部173、下表面清洗控制部175、杯控制部176、上表面清洗控制部177、斜面清洗控制部178、搬入搬出控制部179、搬送控制部180、搬送控制部181及位置資訊存儲部182作為功能部。通過CPU在RAM上執行存儲於存儲裝置的基板處理程序來實現控制裝置170的功能部。控制裝置170的功能部的一部分或全部也可通過電子電路等硬體來實現。
卡盤控制部171、吸附控制部172、台座控制部173、下表面清洗控制部175、杯控制部176、上表面清洗控制部177、斜面清洗控制部178及搬入搬出控制部179對各基板清洗裝置1的動作進行控制。具體而言，卡盤控制部171為了接收搬入至各基板清洗裝置1的基板W，並在吸附保持部21的上方的位置進行保持，對下卡盤驅動部13A、下卡盤驅動部13B及上卡盤驅動部14A、上卡盤驅動部14B進行控制。
吸附控制部172為了利用吸附保持部21對基板W進行吸附保持並且使所吸附保持的基板W旋轉，對吸附保持驅動部22進行控制。台座控制部173為了使可動台座32相對於由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W移動，對台座驅動部33進行控制。
下表面清洗控制部175為了對基板W的下表面進行清洗，對下表面刷旋轉驅動部55a、下表面刷升降驅動部55b、下表面刷移動驅動部55c、下表面清洗液供給部56及噴出氣體供給部57進行控制。杯控制部176為了利用處理杯61接住在對由吸附保持部21吸附保持的基板W進行清洗時從基板W飛散的清洗液，對杯驅動部62進行控制。
上表面清洗控制部177為了對由吸附保持部21吸附保持的基板W的上表面進行清洗，對上表面清洗驅動部74及上表面清洗流體供給部75進行控制。斜面清洗控制部178為了對由吸附保持部21吸附保持的基板W的外周端部進行清洗，對斜面刷驅動部84進行控制。搬入搬出控制部179為了在各基板清洗裝置1中的基板W的搬入時及搬出時將單元框體2的搬入搬出口2x打開/關閉，對擋板驅動部92進行控制。
在基板處理裝置100中，搬送基板W的搬送機器人從其他構成元件接收基板W的接收位置可由對基板處理裝置100的整體定義的坐標系（以下，稱為裝置坐標系）的坐標表示。另外，搬送機器人向其他構成元件傳遞（載置）基板W的傳遞位置也可由裝置坐標系的坐標表示。在本實施形態中，所述搬送機器人是分度器機器人200及主機器人300。
在位置資訊存儲部182，存儲預先設定於基板處理裝置100內的多個接收位置的坐標作為位置資訊。多個接收位置的坐標包含所述第一處理位置的坐標。另外，在位置資訊存儲部182，存儲預先設定於基板處理裝置100內的多個傳遞位置的坐標作為位置資訊。多個傳遞位置的坐標包含所述第二處理位置的坐標。
圖1的搬送驅動部220例如包含多個編碼器或多個驅動脈衝產生部等，且構成為能夠輸出與手支撐構件210的動作量及各手Ia～Id的動作量對應的信號。由此，搬送控制部180可基於來自搬送驅動部220的輸出信號，掌握裝置坐標系中的各手Ia～Id的坐標位置。由此，搬送控制部180對搬送驅動部220進行控制，以基於所掌握的各手Ia～Id的坐標位置及存儲於位置資訊存儲部182的位置資訊，在多個載體C與多個基板載置部PASS1、PASS2之間搬送基板W。
圖1的搬送驅動部320例如包含多個編碼器或多個驅動脈衝產生部等，且構成為能夠輸出與手支撐構件310的動作量及各手Ma～Md的動作量對應的信號。由此，搬送控制部181可基於來自搬送驅動部320的輸出信號，掌握裝置坐標系中的各手Ma～Md的坐標位置。由此，搬送控制部181對搬送驅動部320進行控制，以基於所掌握的各手Ma～Md的坐標位置及存儲於位置資訊存儲部182的位置資訊，在多個基板載置部PASS1、PASS2與多個基板清洗裝置1之間搬送基板W。另外，搬送控制部181對搬送驅動部320進行控制，以在各基板清洗裝置1內的第一處理位置與第二處理位置之間搬送基板W。進而，搬送控制部181對設置於各手Ma～Md的圖3的固定裝置350的動作進行控制。
此外，在圖7的例子中，控制裝置170除了對分度器機器人200及主機器人300的動作進行控制以外，還對多個基板清洗裝置1的動作進行控制，但實施形態並不限定於此。各基板清洗裝置1也可具有用於對所述基板清洗裝置1的動作進行控制的控制裝置。在此情況下，控制裝置170也可不包含卡盤控制部171、吸附控制部172、台座控制部173、下表面清洗控制部175、杯控制部176、上表面清洗控制部177、斜面清洗控制部178及搬入搬出控制部179。
＜4＞第一處理位置及第二處理位置 圖8A～圖8C是用於對基板清洗裝置1中的第一處理位置及第二處理位置進行說明的圖。在圖8A～圖8C中，在圖8A示出基板清洗裝置1的平面圖。另外，在圖8B示出沿著Y方向觀察到的下側保持裝置20及其周邊部的側面圖，在圖8C示出沿著X方向觀察到的下側保持裝置20及其周邊部的側面圖。圖8B的側面圖對應於圖5的A-A線側面圖，圖8C的側面圖對應於圖5的B-B線側面圖。此外，為了容易理解基板清洗裝置1中的各構成元件的形狀及動作狀態，在圖8A段的平面圖與B及圖8C的側面圖之間，一部分構成元件的擴縮率不同。
在圖8A～圖8C中，配置於第一處理位置的基板W的外形由單點劃線表示，並且配置於第一處理位置的基板W的中心位置作為第一處理位置而由標注了符號P1的點表示。另外，在圖8A～圖8C中，配置於第二處理位置的基板W的外形由虛線表示，並且配置於第二處理位置的基板W的中心位置作為第二處理位置而由標注了符號P2的點表示。
如圖8A所示，第一處理位置P1及第二處理位置P2在俯視時一致。因此，在圖8A的平面圖中，配置於第一處理位置P1的基板W的外形與配置於第二處理位置P2的基板W的外形一致。進而，配置於第一處理位置P1及第二處理位置P2的基板W的中心位置被決定為與俯視時的處理杯61的中心位置（後述的圖9A的平面基準位置rp）一致。
另一方面，如圖8B及圖8C所示，第一處理位置P1位於在側視時與上側保持裝置10A、上側保持裝置10B相同的高度位置。換言之，第一處理位置P1被決定為由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W的高度位置。另外，如圖8B及圖8C所示，第二處理位置P2位於在側視時與下側保持裝置20的吸附保持部21相同的高度位置。換言之，第二處理位置P2被決定為由下側保持裝置20保持的基板W的高度位置。
＜5＞基板清洗裝置1及主機器人300的動作 在多個基板清洗裝置1中，對由圖1的主機器人300的手Ma～手Md分別搬送的多個基板W依次進行清洗處理。以下，對關於由手Ma搬送的基板W的基板清洗裝置1的動作進行說明，但關於由手Mb～手Md搬送的基板W的基板清洗裝置1的動作也與關於由手Ma搬送的基板W的基板清洗裝置1的動作相同。
圖9A～圖22C是用於對圖5的基板清洗裝置1及圖1的主機器人300的動作的一例進行說明的示意圖。在圖9A～圖22C各者中，與圖8A～圖8C的例子同樣地，在圖9A～圖22A示出基板清洗裝置1的平面圖。此外，在圖9B～圖22B示出沿著Y方向觀察到的下側保持裝置20及其周邊部的側面圖，在圖9C～圖22C示出沿著X方向觀察到的下側保持裝置20及其周邊部的側面圖。圖9B～圖22B的側面圖對應於圖5的A-A線側面圖，圖9C～圖22C的側面圖對應於圖5的B-B線側面圖。此外，為了容易理解基板清洗裝置1中的各構成元件的形狀及動作狀態，在圖9A～圖22A的平面圖與圖9B～圖22B及圖9C～圖22C的側面圖之間，一部分構成元件的擴縮率不同。另外，在圖9A～圖22C中，處理杯61由雙點劃線表示，並且基板W的外形由粗的單點劃線表示。
在將基板W搬入至基板清洗裝置1之前的初始狀態下，開閉裝置90的擋板91將搬入搬出口2x堵塞。另外，如圖5所示，下卡盤11A、下卡盤11B維持於下卡盤11A、下卡盤11B間的距離比基板W的直徑充分大的狀態。另外，上卡盤12A、上卡盤12B也維持於上卡盤12A、上卡盤12B間的距離比基板W的直徑充分大的狀態。另外，台座裝置30的可動台座32以在俯視時吸附保持部21的中心位於處理杯61的中心的方式配置。另外，在可動台座32上，下表面清洗裝置50配置於接近位置。另外，下表面清洗裝置50的升降支撐部54處於下表面刷51的清洗面（上端部）位於比吸附保持部21更靠下方處的狀態。進而，在杯裝置60中，處理杯61處於下杯位置。在以下的說明中，將俯視時的處理杯61的中心位置稱為平面基準位置rp。另外，將在俯視時吸附保持部21的中心處於平面基準位置rp時的底面部2a上的可動台座32的位置稱為第一台座位置。
將處理前的基板W搬入至基板清洗裝置1的單元框體2內。具體而言，在即將搬入基板W之前，擋板91將搬入搬出口2x開放。其後，如圖9A及圖9C中由粗實線的箭頭a1所示，圖1的主機器人300的手Ma經由搬入搬出口2x而進入至單元框體2，使基板W移動至單元框體2內的大致中央的位置。此時，如圖9A～圖9C所示，由手Ma保持的基板W在下卡盤11A及上卡盤12A與下卡盤11B及上卡盤12B之間定位於第一處理位置P1。
此處，在利用手Ma搬送基板W時，基板W通過圖3的固定裝置350而固定於手基準位置。在此情況下，在搬送基板W時不會產生基板W相對於手Ma的位置偏離。因此，由手Ma搬送的基板W基於手Ma的坐標位置及第一處理位置P1的位置資訊，以高精度定位於第一處理位置P1。
接著，如圖10A及圖10B中由粗實線的箭頭a2所示，下卡盤11A、下卡盤11B相互接近，以使下卡盤11A、下卡盤11B的多個支撐片位於基板W的下表面周緣部的下方。在此狀態下，在手Ma中將固定裝置350對基板W的固定狀態解除。另外，手Ma下降。由此，保持於手Ma的基板W的下表面周緣部的多個部分由下卡盤11A、下卡盤11B的多個支撐片支撐。其後，手Ma從單元框體2退出。在手Ma退出後，擋板91將搬入搬出口2x堵塞。
接著，如圖11A及圖11B中由粗實線的箭頭a3所示，上卡盤12A、上卡盤12B相互接近，以使上卡盤12A、上卡盤12B的多個保持片與基板W的外周端部抵接。通過上卡盤12A、上卡盤12B的多個保持片與基板W的外周端部的多個部分抵接，由下卡盤11A、下卡盤11B支撐的基板W進一步由上卡盤12A、上卡盤12B保持。如此，由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持的基板W的中心在俯視時與平面基準位置rp重疊或大致重疊。另外，如圖11A中由粗實線的箭頭a4所示，可動台座32從第一台座位置向前方移動，以使吸附保持部21從平面基準位置rp偏離規定距離，並且下表面刷51的中心位於平面基準位置rp。此時，將位於底面部2a上的可動台座32的位置稱為第二台座位置。
接著，如圖12C中由粗實線的箭頭a5所示，升降支撐部54上升，以使下表面刷51的清洗面與基板W的下表面中央區域接觸。另外，如圖12C中由粗實線的箭頭a6所示，下表面刷51繞上下方向上的軸旋轉（自轉）。由此，附著於基板W的下表面中央區域的污染物質由下表面刷51物理性地剝離。
在圖12C，在對話框內示出下表面刷51與基板W的下表面接觸的部分的放大側面圖。如所述對話框內所示，在下表面刷51與基板W接觸的狀態下，液噴嘴52及氣體噴出部53保持於接近基板W的下表面的位置。此時，如反白箭頭a51所示，液噴嘴52在下表面刷51附近的位置朝向基板W的下表面噴出清洗液。由此，從液噴嘴52向基板W的下表面供給的清洗液被引導至下表面刷51與基板W的接觸部，由此，通過下表面刷51從基板W的背面去除的污染物質被清洗液沖掉。如此，在下表面清洗裝置50中，液噴嘴52與下表面刷51一起安裝於升降支撐部54。由此，可效率良好地向利用下表面刷51進行的基板W的下表面的清洗部分供給清洗液。因此，可降低清洗液的消耗量並且抑制清洗液的過度飛散。
此外，對基板W的下表面進行清洗時的下表面刷51的旋轉速度維持於從液噴嘴52向基板W的下表面供給的清洗液不會飛散至下表面刷51側的程度的速度。
此處，升降支撐部54的上表面54u在遠離吸附保持部21的方向上向斜下方傾斜。在此情況下，當包含污染物質的清洗液從基板W的下表面落下至升降支撐部54上時，由上表面54u接住的清洗液被導向遠離吸附保持部21的方向。
另外，在利用下表面刷51對基板W的下表面進行清洗時，氣體噴出部53如圖12C的對話框內由反白箭頭a52所示，在下表面刷51與吸附保持部21之間的位置朝向基板W的下表面噴射氣體。在本實施形態中，氣體噴出部53以氣體噴射口沿X方向延伸的方式安裝於升降支撐部54上。在此情況下，當從氣體噴出部53向基板W的下表面噴射氣體時，形成在下表面刷51與吸附保持部21之間沿X方向延伸的帶狀的氣體簾幕。由此，可防止在利用下表面刷51對基板W的下表面進行清洗時，包含污染物質的清洗液朝向吸附保持部21飛散。因此，可防止在利用下表面刷51對基板W的下表面進行清洗時，包含污染物質的清洗液附著於吸附保持部21，吸附保持部21的吸附面保持清潔。
此外，在圖12A～圖12C的例子中，如反白箭頭a52所示，氣體噴出部53從氣體噴出部53朝向下表面刷51向斜上方噴射氣體，但實施形態並不限定於此。氣體噴出部53也可從氣體噴出部53朝向基板W的下表面沿著Z方向噴射氣體。
接著，在圖12A～圖12C的狀態下，當基板W的下表面中央區域的清洗完成時，下表面刷51的旋轉停止，升降支撐部54下降，以使下表面刷51的清洗面與基板W分離規定距離。另外，停止從液噴嘴52向基板W噴出清洗液。此時，繼續從氣體噴出部53向基板W噴射氣體。
其後，如圖13A中由粗實線的箭頭a7所示，可動台座32向後方移動，以使吸附保持部21位於平面基準位置rp。即，可動台座32從第二台座位置移動至第一台座位置。此時，通過繼續從氣體噴出部53向基板W噴射氣體，基板W的下表面中央區域通過氣體簾幕依次乾燥。
接著，如圖14C中由粗實線的箭頭a8所示，升降支撐部54下降，以使下表面刷51的清洗面位於比吸附保持部21的吸附面（上端部）更靠下方處。另外，如圖14A及圖14B中由粗實線的箭頭a9所示，上卡盤12A、上卡盤12B相互遠離，以使上卡盤12A、上卡盤12B的多個保持片從基板W的外周端部分離。此時，基板W成為由下卡盤11A、下卡盤11B在第一處理位置P1支撐的狀態。
接著，擋板91將搬入搬出口2x開放，如圖15A及圖15C中由粗實線的箭頭a10所示，主機器人300的手Ma經由搬入搬出口2x而進入至單元框體2，接收處於第一處理位置P1的基板W。由手Ma接收到的基板W通過固定裝置350而固定於手基準位置。
其後，如圖16A及圖16B中由粗實線的箭頭a11所示，下卡盤11A、下卡盤11B相互遠離。此時，下卡盤11A、下卡盤11B移動至在俯視時不與基板W重疊的位置。由此，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B均返回至初始狀態。
接著，主機器人300的手Ma將基板W從第一處理位置P1搬送至第二處理位置P2，將所述基板W傳遞至下側保持裝置20。具體而言，如圖17B及圖17C中由粗實線的箭頭a12所示，對基板W進行保持的手Ma下降。另外，在基板W到達第二處理位置P2或基板W即將到達第二處理位置P2之前的時間點，將固定裝置350對基板W的固定狀態解除。如此，由手Ma保持的基板W定位於第二處理位置P2，並由吸附保持部21接收。在此狀態下，吸附保持部21對基板W的下表面中央區域進行吸附保持。此時，由下側保持裝置20吸附保持的基板W的中心在俯視時與平面基準位置rp重疊或大致重疊。其後，手Ma從單元框體2退出。在手Ma退出後，擋板91將搬入搬出口2x堵塞。
繼而，如圖18A及圖18C中由粗實線的箭頭a13所示，處理杯61從下杯位置上升至上杯位置。由此，處於第二處理位置P2的基板W位於比處理杯61的上端部更靠下方處。
接著，如圖19B及圖19C中由粗實線的箭頭a14所示，吸附保持部21繞上下方向上的軸（吸附保持驅動部22的旋轉軸的軸心）旋轉。由此，由吸附保持部21吸附保持的基板W以水平姿勢旋轉。
接著，上表面清洗裝置70的旋轉支撐軸71旋轉並下降。由此，如圖19A及圖19B中由粗實線的箭頭a15所示，噴霧噴嘴73移動至基板W的上方的位置，以噴霧噴嘴73與基板W之間的距離成為預先決定的距離的方式下降。在此狀態下，噴霧噴嘴73向基板W的上表面噴射清洗液與氣體的混合流體。另外，旋轉支撐軸71旋轉。由此，如圖19A～圖19C中由粗實線的箭頭a16所示，噴霧噴嘴73在旋轉的基板W的上方的位置移動。通過向基板W的上表面整體噴射混合流體，對基板W的上表面整體進行清洗。
另外，在利用噴霧噴嘴73對基板W的上表面進行清洗時，端部清洗裝置80的旋轉支撐軸81也旋轉並下降。由此，如圖19A及圖19B中由粗實線的箭頭a17所示，斜面刷83移動至基板W的外周端部的上方的位置。另外，斜面刷83的外周面的中央部分以與基板W的外周端部接觸的方式下降。在此狀態下，斜面刷83繞上下方向上的軸旋轉（自轉）。由此，附著於基板W的外周端部的污染物質被斜面刷83物理性地剝離。從基板W的外周端部剝離的污染物質被從噴霧噴嘴73噴射至基板W的混合流體的清洗液沖掉。
進而，在利用噴霧噴嘴73對基板W的上表面進行清洗時，升降支撐部54上升，以使下表面刷51的清洗面與基板W的下表面外側區域接觸。另外，如圖19C中由粗實線的箭頭a18所示，下表面刷51繞上下方向上的軸旋轉（自轉）。進而，液噴嘴52朝向基板W的下表面噴出清洗液，氣體噴出部53朝向基板W的下表面噴射氣體。在此狀態下，進而如圖19A及圖19C中由粗實線的箭頭a19所示，移動支撐部55在可動台座32上在接近位置與分離位置之間進行進退動作。如此，通過利用移動支撐部55而下表面刷51在與基板W的下表面接觸的狀態下沿水平方向移動，基板W的下表面中的能夠利用下表面刷51進行清洗的範圍擴大。由此，由吸附保持部21吸附保持並旋轉的基板W的下表面外側區域在整體上被下表面刷51清洗。
接著，當基板W的上表面、外周端部及下表面外側區域的清洗完成時，停止從噴霧噴嘴73向基板W噴射混合流體。另外，如圖20A～圖20C中由粗實線的箭頭a20所示，噴霧噴嘴73移動至處理杯61的一側的位置（初始狀態的位置）。另外，如圖20A～圖20C中由粗實線的箭頭a21所示，斜面刷83移動至處理杯61的另一側的位置（初始狀態的位置）。進而，下表面刷51的旋轉停止，升降支撐部54下降，以使下表面刷51的清洗面從基板W分離規定距離。另外，停止從液噴嘴52向基板W噴出清洗液、及從氣體噴出部53向基板W噴射氣體。在此狀態下，通過吸附保持部21以高速旋轉，附著於基板W的清洗液被甩開，基板W的整體乾燥。
接著，如圖21B及圖21C中由粗實線的箭頭a22所示，處理杯61從上杯位置下降至下杯位置。另外，為了準備將新的基板W搬入至單元框體2內，如圖21A及圖21C中由粗實線的箭頭a23所示，下卡盤11A、下卡盤11B相互接近至能夠支撐新的基板W的位置。
最後，從基板清洗裝置1的單元框體2內將基板W搬出。具體而言，在即將搬出基板W之前，擋板91將搬入搬出口2x開放。其後，如圖22A及圖22C中由粗實線的箭頭a24所示，手Ma接收配置於第二處理位置P2的處理後的基板W，從單元框體2退出。在手Ma退出後，擋板91將搬入搬出口2x堵塞。
＜6＞基板處理 圖23及圖24是表示利用圖7的控制裝置170對一個基板W進行的基板處理的流程圖。圖23及圖24的基板處理是通過控制裝置170的CPU在RAM上執行存儲於存儲裝置的基板處理程序來執行。以下，使用圖23及圖24的流程圖對基板處理進行說明。
此外，在圖23及圖24的流程圖中，主要記載主機器人300的手Ma的動作，但手Mb～手Md的動作也與手Ma的動作相同。另外，在圖23及圖24的流程圖中，省略分度器機器人200的動作的說明。
首先，主機器人300通過手Ma將處理前的一個基板W從基板載置部PASS2搬出（步驟S11）。接著，在用於對所述一個基板W進行清洗的一個基板清洗裝置1中，將搬入搬出口2x開放。因此，主機器人300經由所開放的搬入搬出口2x而使手Ma進入至一個基板清洗裝置1的單元框體2內（步驟S12）。
繼而，主機器人300基於作為基板W相對於一個基板清洗裝置1的傳遞位置而決定的位置資訊，將基板W定位於第一處理位置P1（步驟S13）。在步驟S11～步驟S13中，在基板W由手Ma搬送的期間，基板W通過固定裝置350而固定於手Ma的手基準位置。
接著，通過基板清洗裝置1的上側保持裝置10A、上側保持裝置10B，接收並保持定位於第一處理位置P1的基板W（步驟S14）。其後，主機器人300使手Ma從一個基板清洗裝置1的單元框體2內退出。另外，在所述一個基板清洗裝置1中，在手Ma退出後，將搬入搬出口2x堵塞（步驟S15）。
接著，基板清洗裝置1按照所述圖12A～圖14C的動作的例子，進行基板W的下表面中央區域的清洗及乾燥（步驟S16）。當步驟S16中的基板W的乾燥完成時，在一個基板清洗裝置1中將搬入搬出口2x開放。因此，主機器人300經由所開放的搬入搬出口2x而使手Ma進入至一個基板清洗裝置1的單元框體2內（步驟S17）。
繼而，主機器人300基於預先決定的接收位置（在本步驟中為第一處理位置P1）的位置資訊，通過手Ma從上側保持裝置10A、上側保持裝置10B接收基板W（步驟S18）。另外，主機器人300在所述一個基板清洗裝置1的單元框體2內，將所接收的基板W搬送至相對於下側保持裝置20而言的傳遞位置（在本步驟中為第二處理位置P2）（步驟S19）。進而，主機器人300將基板W定位於第二處理位置P2（步驟S20）。在步驟S18～步驟S20中，在基板W由手Ma搬送的期間，基板W通過固定裝置350而固定於手Ma的手基準位置。
接著，通過基板清洗裝置1的下側保持裝置20，接收定位於第二處理位置P2的基板W，並對所述基板W的下表面中央區域進行吸附保持（步驟S21）。其後，主機器人300使手Ma從一個基板清洗裝置1的單元框體2內退出。另外，在所述一個基板清洗裝置1中，在手Ma退出後，將搬入搬出口2x堵塞（步驟S22）。
接著，基板清洗裝置1按照所述圖18A～圖20C的動作的例子，進行基板W的上表面整體、外周端部及下表面外側區域的清洗、以及基板W的乾燥（步驟S23）。當步驟S23中的基板W的乾燥完成時，在一個基板清洗裝置1中將搬入搬出口2x開放。因此，主機器人300經由所開放的搬入搬出口2x而使手Ma進入至一個基板清洗裝置1的單元框體2內（步驟S24）。
繼而，主機器人300基於預先決定的接收位置（在本步驟中為第二處理位置P2）的位置資訊，通過手Ma從下側保持裝置20接收基板W（步驟S25）。其後，主機器人300使手Ma從一個基板清洗裝置1的單元框體2內退出。另外，在所述一個基板清洗裝置1中，在手Ma退出後，將搬入搬出口2x堵塞（步驟S26）。
最後，主機器人300通過手Ma將處理後的基板W搬入至基板載置部PASS1（步驟S27）。由此，關於一個基板W的一連串的基板處理結束。
＜7＞效果 （a）在本實施形態的基板清洗裝置1中，基於預先存儲於圖7的位置資訊存儲部182的多個接收位置及多個傳遞位置的位置資訊，由主機器人300進行基板W的搬送及定位。
具體而言，主機器人300在向基板清洗裝置1搬入基板W時，將處理前的基板W定位於第一處理位置P1。另外，主機器人300在所述基板清洗裝置1的單元框體2內，使對基板W的下表面中央區域進行清洗後的基板W從第一處理位置P1移動至第二處理位置P2。此時，能夠以與第一處理位置P1處的基板W的定位精度相同程度的精度，將基板W定位於第二處理位置P2。由此，可防止在從第一處理位置P1向第二處理位置P2搬送基板W後，基板W從第二處理位置P2大幅偏離。
其結果，無需在基板清洗裝置1內設置具有高定位能力的高價的搬送機構，便能夠抑制因位置偏離而引起的基板W的處理不良的產生。
（b）在主機器人300的各手（Ma～Md）設置有固定裝置350。由此，即使在利用手接收基板W時所述手與基板W之間的位置關係不處於預先決定的關係的情況下，在搬送基板W時，基板W也通過固定裝置350而固定於手上的手基準位置。因此，在手的移動中，所述手與基板W的位置關係不會產生偏離。因此，在從第一處理位置P1向第二處理位置P2搬送基板W時，通過按照位置資訊使手移動，能夠以高精度將保持於手的基板W定位於第二處理位置P2。
（c）在所述基板清洗裝置1中，第一處理位置P1及第二處理位置P2在一個單元框體2內沿上下方向排列。另外，各手（Ma～Md）構成為以水平姿勢對基板W進行保持。在此情況下，與手以鉛垂姿勢對基板W進行保持的情況相比，可縮短第一處理位置P1與第二處理位置P2之間的距離。由此，可縮短第一處理位置P1及第二處理位置P2間的基板W的搬送時間。
（d）在所述基板清洗裝置1中，處理前的基板W通過主機器人300搬送至第一處理位置P1並被定位，由上側保持裝置10A、上側保持裝置10B保持。由此，在第一處理位置P1，應清洗的基板W的下表面中央區域被下表面清洗裝置50準確地清洗。
另外，下表面中央區域的清洗後的基板W通過主機器人300搬送至第二處理位置P2並被定位。另外，定位於第二處理位置P2的基板W由下側保持裝置20吸附保持並旋轉。在此狀態下，基板W的下表面外側區域被下表面清洗裝置50準確地清洗。這些結果為，可防止因基板W的位置偏離而引起的基板W的下表面的清洗不良的產生。
2.第二實施形態 對於第二實施形態的基板處理裝置，說明與第一實施形態的基板處理裝置100的不同點。在本實施形態的基板處理裝置中，在主機器人300的多個手Ma～Md各者不設置固定裝置350。本實施形態的手Ma～手Md是通過對基板W的下表面的多個（例如三個）部分進行吸附而能夠對基板W進行保持的吸附式的手。
因此，當各手在偏離手基準位置的位置接收基板W時，即使僅基於傳遞位置的位置資訊搬送手，也無法將基板W準確地定位於傳遞位置。因此，在本實施形態的基板處理裝置中，在各基板清洗裝置1的單元框體2的內部設置有對由手保持的基板W相對於手基準位置的相對位置（以下，稱為手相對位置）進行檢測的手位置檢測裝置。或者，在多個手Ma～Md各者設置有對手相對位置進行檢測的手位置檢測裝置。
手位置檢測裝置例如可包含攝像部，所述攝像部與手一起對保持於手上的基板W進行拍攝。在此情況下，可基於通過攝像而獲得的圖像數據來對手相對位置進行檢測。或者，手位置檢測裝置也可包含安裝於手上的多個線傳感器。在此情況下，多個線傳感器例如以在俯視時與由手保持的基板W的外周端部中的相互不同的三個以上的多個部分重疊的方式設置。另外，各線傳感器以能夠對在俯視時所述線傳感器重疊的基板W的外周端部的一部分檢測相對於手而言的相對位置的方式設置。由此，可基於由多個線傳感器檢測出的基板W的多個部分的相對位置，對手相對位置進行檢測。
圖25是表示第二實施形態的基板處理裝置的控制系統的結構的方塊圖。如圖25所示，在本實施形態的基板處理裝置的控制系統中，控制裝置170除了包含圖7的各種功能部（171～173、175～182）以外，還包含修正部183。
在主機器人300中，當通過各手Ma～Md對基板W進行保持時，在通過所述手對基板W進行保持的狀態下，通過手位置檢測裝置390對手相對位置進行檢測。在此情況下，修正部183基於所檢測出的手相對位置，算出基板W相對於手基準位置的偏離量。
根據所算出的偏離量，可求出假定基於存儲於位置資訊存儲部182的傳遞位置的位置資訊而手移動時的基板W相對於傳遞位置的偏離量。因此，修正部183在接收位置接收到基板W後，基於由手位置檢測裝置390檢測出的手相對位置，算出基板W相對於手基準位置的偏離量。另外，修正部183基於傳遞位置的位置資訊及所算出的偏離量，對預先存儲於位置資訊存儲部182的傳遞位置的位置資訊進行修正，以抵消在將基板W搬送至傳遞位置時產生的偏離量。由此，搬送控制部181對搬送驅動部320進行控制，以基於修正後的位置資訊將基板W定位於傳遞位置。
如以上所述，在本實施形態的基板處理裝置100中，在利用各手Ma～Md搬送基板W時，基板W不固定於所述手中的手基準位置，但對手相對位置進行檢測。另外，基於所檢測出的手相對位置，對存儲於位置資訊存儲部182的各種位置資訊進行修正。由此，基板W通過主機器人300以高精度從第一處理位置P1移動至第二處理位置P2，並定位於第二處理位置P2。
3.另一實施形態 （a）在所述實施形態中，在基板清洗裝置1內，第一處理位置P1及第二處理位置P2沿上下方向排列，但本發明並不限定於所述例子。第一處理位置P1及第二處理位置P2也可在水平面內排列。
（b）在所述實施形態中，對於搬入至基板清洗裝置1的基板W，依次進行第一處理位置P1處的基板W的下表面中央區域的清洗及第二處理位置P2處的基板W的下表面外側區域的清洗。本發明並不限定於所述例子。
在基板清洗裝置1中，也可在搬入至基板清洗裝置1的基板W的下表面外側區域在第二處理位置P2被清洗後，進行第一處理位置P1處的基板W的下表面中央區域的清洗。在此情況下，主機器人300在對基板W的下表面外側區域進行清洗後，通過使手進入至搬入搬出口2x，進行基板W從第二處理位置P2向第一處理位置P1的搬送。即使在此情況下，在單元框體2的內部，也通過主機器人300以高精度進行基板W的搬送。
（c）在所述實施形態中，主機器人300具有四個手Ma～Md，但本發明並不限定於所述例子。主機器人300可僅具有一個手，也可具有兩個、三個或五個以上的多個手。
（d）在所述實施形態中，作為處理單元設置有進行清洗處理的基板清洗裝置1，但本發明並不限定於所述例子。作為處理單元，也可設置進行熱處理的熱處理裝置、進行顯影處理的顯影裝置或進行塗佈處理的塗佈裝置等。
在作為處理單元而設置熱處理裝置的情況下，熱處理裝置也可構成為能夠執行作為本發明的第一處理及第二處理的加熱處理及冷卻處理。在作為處理單元而設置顯影裝置的情況下，顯影裝置也可構成為能夠執行作為本發明的第一處理及第二處理的向基板W供給顯影液的處理及向基板W供給沖洗液的處理。在作為處理單元而設置塗佈裝置的情況下，塗佈裝置也可構成為能夠執行作為本發明的第一處理及第二處理的向基板W供給第一塗佈液的處理及向基板W供給第二塗佈液的處理。在此情況下，第一塗佈液及第二塗佈液可為相同的塗佈液，也可為相互不同的塗佈液。
（e）在所述實施形態中，基板處理裝置100包含對基板清洗裝置1及主機器人300等進行控制的控制裝置170，但實施形態並不限定於此。在基板清洗裝置1及主機器人300構成為能夠通過基板處理裝置100的外部的資訊處理裝置進行控制的情況下，基板處理裝置100也可不包含控制裝置170。
（f）在所述實施形態的基板清洗裝置1中，基板W的下表面中央區域及下表面外側區域均通過下表面清洗裝置50進行清洗，但本發明並不限定於此。也可各別地設置用於對基板W的下表面中央區域進行清洗的結構及用於對基板W的下表面外側區域進行清洗的結構。
4.技術方案的各構成元件與實施形態的各部的對應關係 以下，對技術方案的各構成元件與實施形態的各元件的對應的例子進行說明，但本發明並不限定於下述例子。作為技術方案的各構成元件，也可使用具有技術方案中所記載的結構或功能的其他各種元件。
在所述實施形態中，基板清洗裝置1為處理單元的例子，主機器人300的手Ma～手Md為保持部的例子，主機器人300為搬送裝置的例子，單元框體2的搬入搬出口2x為開口部的例子，單元框體2為腔室的例子，第一處理位置P1為第一處理位置的例子，第二處理位置P2為第二處理位置的例子，單元框體2的內部空間為處理空間的例子。
另外，利用下表面清洗裝置50對基板W的下表面中央區域的清洗處理為第一處理的例子，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B及下表面清洗裝置50為第一處理部的例子，利用下表面清洗裝置50對基板W的下表面外側區域的清洗處理為第二處理的例子，下側保持裝置20及下表面清洗裝置50為第二處理部的例子。
另外，基板處理裝置100為基板處理裝置的例子，固定裝置350為固定裝置的例子，上側保持裝置10A、上側保持裝置10B為第一保持裝置的例子，下表面清洗裝置50為第一清洗裝置及第二清洗裝置的例子，下側保持裝置20為第二保持裝置的例子，手位置檢測裝置390為位置檢測裝置的例子。 5.實施形態的總結 （第一項）第一項的基板處理裝置包括： 處理單元；以及 搬送裝置，具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出， 所述處理單元包含： 腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間； 第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及 第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送裝置通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
對處理單元進行基板的搬入及基板的搬出的搬送裝置能夠基於基板處理裝置所固有的裝置坐標系及表示基板應交接的位置的位置資訊來進行基板的搬送及定位。
根據所述基板處理裝置，搬送裝置在向處理單元搬入基板時，可將處理前的基板定位於第一處理位置。另外，搬送裝置在使第一處理後的基板從第一處理位置移動至第二處理位置的情況下，能夠以與第一處理位置處的基板的定位精度相同程度的精度，將所述基板定位於第二處理位置。由此，可防止在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板後，基板從第二處理位置大幅偏離。
其結果，無需在處理單元內設置具有高定位能力的高價的搬送機構，便能夠抑制因位置偏離而引起的基板的處理不良的產生。
（第二項）根據第一項所述的基板處理裝置，其中，也可為： 所述搬送裝置包含固定裝置，所述固定裝置在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，將基板固定於所述保持部中的預先決定的位置， 所述搬送裝置基於表示所述第二處理位置的位置資訊使所述保持部移動，由此進行基板相對於所述第二處理位置的定位。
在此情況下，即使在利用保持部接收基板時保持部與基板之間的位置關係不處於預先決定的關係的情況下，保持部與基板之間的位置關係也通過固定裝置而固定為具有預先決定的位置關係。另外，根據所述基板處理裝置，在保持部的移動中，保持部與基板的位置關係不會產生偏離。因此，在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板時，通過使保持部按照位置資訊移動，能夠以高精度將保持於保持部的基板定位於第二處理位置。
（第三項）根據第一項或第二項所述的基板處理裝置，其中，也可為： 所述保持部構成為以水平姿勢對基板進行保持， 所述第一處理位置及所述第二處理位置沿上下方向排列。
在此情況下，第一處理位置及第二處理位置沿上下方向排列，因此與保持部以鉛垂姿勢對基板進行保持的情況相比，可縮短第一處理位置與第二處理位置之間的距離。由此，可縮短第一處理位置與第二處理位置間的基板的搬送時間。
（第四項）根據第一項至第三項中任一項所述的基板處理裝置，其中，也可為： 所述第一處理部及所述第二處理部中的其中一者包含： 第一保持裝置，對處於所述第一處理位置的基板的外周端部進行保持；以及 第一清洗裝置，對由所述第一保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗， 所述第一處理部及所述第二處理部中的另一者包含： 第二保持裝置，在對處於所述第二處理位置的基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使所保持的基板旋轉；以及 第二清洗裝置，對由所述第二保持裝置保持並旋轉的基板的下表面外側區域進行清洗。
在此情況下，基板以高精度定位於第一處理位置，因此應由第一清洗裝置清洗的基板的下表面的區域被準確地清洗。另外，基板以高精度定位於第二處理位置，因此應由第二清洗裝置清洗的基板的下表面的區域被準確地清洗。這些結果為，可防止因基板的位置偏離而引起的基板的下表面的清洗不良的產生。
（第五項）根據第一項所述的基板處理裝置，其中，也可為： 所述搬送裝置包含位置檢測裝置，所述位置檢測裝置在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，對基板相對於所述保持部的相對位置進行檢測， 所述搬送裝置基於表示所述第二處理位置的位置資訊及由所述位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置而使所述保持部移動，由此進行基板相對於所述第二處理位置的定位。
若可掌握基板相對於保持部的相對位置，則可求出在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板時，假定保持部按照位置資訊移動時的基板相對於第二處理位置的偏離量。因此，根據所述基板處理裝置，能夠基於由位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置，對位置資訊進行修正，以抵消搬送至第二處理位置時產生的偏離量。其結果，通過基於修正後的位置資訊使保持部移動，能夠以高精度將保持於保持部的基板定位於第二處理位置。
（第六項）第六項的基板處理方法包含： 通過處理單元對基板進行處理的步驟；以及 使用搬送裝置搬送基板的步驟， 所述處理單元包含： 腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間； 第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及 第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送裝置具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出， 所述對基板進行處理的步驟包含： 通過所述第一處理部對所述處理前的基板進行所述第一處理；以及通過所述第二處理部對所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送步驟包含： 通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
對處理單元進行基板的搬入及基板的搬出的搬送裝置能夠基於基板處理裝置所固有的裝置坐標系及表示基板應交接的位置的位置資訊來進行基板的搬送及定位。
根據所述基板處理方法，搬送裝置在向處理單元搬入基板時，可將處理前的基板定位於第一處理位置。另外，搬送裝置在使第一處理後的基板從第一處理位置移動至第二處理位置的情況下，能夠以與第一處理位置處的基板的定位精度相同程度的精度，將所述基板定位於第二處理位置。由此，可防止在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板後，基板從第二處理位置大幅偏離。
其結果，無需在處理單元內設置具有高定位能力的高價的搬送機構，便能夠抑制因位置偏離而引起的基板的處理不良的產生。
（第七項）根據第六項所述的基板處理方法，其中，也可為： 所述搬送步驟包含： 在所述搬送裝置中，在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，將基板固定於所述保持部中的預先決定的位置；以及 在將基板從所述第一處理位置搬送至所述第二處理位置並進行定位的情況下，基於表示所述第二處理位置的位置資訊使所述保持部移動。
在此情況下，即使在利用保持部接收基板時保持部與基板之間的位置關係不處於預先決定的關係的情況下，保持部與基板之間的位置關係也被固定為具有預先決定的位置關係。另外，根據所述基板處理方法，在保持部的移動中，保持部與基板的位置關係不會產生偏離。因此，在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板時，通過使保持部按照位置資訊移動，能夠以高精度將保持於保持部的基板定位於第二處理位置。
（第八項）根據第六項或第七項所述的基板處理方法，其中，也可為： 所述保持部構成為以水平姿勢對基板進行保持， 所述第一處理位置及所述第二處理位置沿上下方向排列。
在此情況下，第一處理位置及第二處理位置沿上下方向排列，因此與保持部以鉛垂姿勢對基板進行保持的情況相比，可縮短第一處理位置與第二處理位置之間的距離。由此，可縮短第一處理位置與第二處理位置間的基板的搬送時間。
（第九項）根據第六項至第八項中任一項所述的基板處理方法，其中，也可為： 所述第一處理部及所述第二處理部中的其中一者包含： 第一保持裝置，對處於所述第一處理位置的基板的外周端部進行保持；以及 第一清洗裝置，對由所述第一保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗， 所述第一處理部及所述第二處理部中的另一者包含： 第二保持裝置，在對處於所述第二處理位置的基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使所保持的基板旋轉；以及 第二清洗裝置，對由所述第二保持裝置保持並旋轉的基板的下表面外側區域進行清洗。
在此情況下，基板以高精度定位於第一處理位置，因此應由第一清洗裝置清洗的基板的下表面的區域被準確地清洗。另外，基板以高精度定位於第二處理位置，因此應由第二清洗裝置清洗的基板的下表面的區域被準確地清洗。這些結果為，可防止因基板的位置偏離而引起的基板的下表面的清洗不良的產生。
（第十項）根據第六項所述的基板處理方法，其中，也可為： 所述搬送步驟包含： 在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，使用位置檢測裝置對基板相對於所述保持部的相對位置進行檢測；以及 在將基板從所述第一處理位置搬送至所述第二處理位置並進行定位的情況下，基於表示所述第二處理位置的位置資訊及由所述位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置而使所述保持部移動。
若可掌握基板相對於保持部的相對位置，則可求出在從第一處理位置向第二處理位置搬送基板時，假定保持部按照位置資訊移動時的基板相對於第二處理位置的偏離量。因此，根據所述基板處理方法，能夠基於由位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置，對位置資訊進行修正，以抵消搬送至第二處理位置時產生的偏離量。其結果，通過基於修正後的位置資訊使保持部移動，能夠以高精度將保持於保持部的基板定位於第二處理位置。
根據所述實施形態的基板處理裝置，可抑制因基板搬送時的基板的定位精度低而引起的基板的處理不良的產生。因此，通過基板處理而獲得的製品的成品率提高。由此，可減少無用的基板處理，因此可實現基板處理的節能化。另外，在將藥液用於所述基板的處理的情況下，可隨著成品率的提高而減少無用的藥液的利用，因此可有助於減少地球環境的污染。
1:基板清洗裝置 2:單元框體 2a:底面部 2b、2c、2d、2e:側壁部 2x:搬入搬出口 10A、10B:上側保持裝置 11A、11B:下卡盤 12A、12B:上卡盤 13A、13B:下卡盤驅動部 14A、14B:上卡盤驅動部 20:下側保持裝置 21:吸附保持部 22:吸附保持驅動部 30:台座裝置 31:線性引導件 32:可動台座 33:台座驅動部 50:下表面清洗裝置 51:下表面刷 52:液噴嘴 53:氣體噴出部 54:升降支撐部 54u:上表面 55:移動支撐部 55a:下表面刷旋轉驅動部 55b:下表面刷升降驅動部 55c:下表面刷移動驅動部 56:下表面清洗液供給部 57:噴出氣體供給部 60:杯裝置 61:處理杯 62:杯驅動部 70:上表面清洗裝置 71、81:旋轉支撐軸 72、82:臂 73:噴霧噴嘴 74:上表面清洗驅動部 75:上表面清洗流體供給部 80:端部清洗裝置 83:斜面刷 84:斜面刷驅動部 90:開閉裝置 91:擋板 92:擋板驅動部 100:基板處理裝置 110:分度器區塊 120:處理區塊 140:載體載置台 150、163:搬送部 161、162:清洗部 170:控制裝置 171:卡盤控制部（功能部） 172:吸附控制部（功能部） 173:台座控制部（功能部） 175:下表面清洗控制部（功能部） 176:杯控制部（功能部） 177:上表面清洗控制部（功能部） 178:斜面清洗控制部（功能部） 179:搬入搬出控制部（功能部） 180、181:搬送控制部（功能部） 182:位置資訊存儲部（功能部） 183:修正部 200:分度器機器人 210、310:手支撐構件 220、320:搬送驅動部 300:主機器人 331:手基座部 332、333:手臂部 341、342、343:支撐片 350:固定裝置 390:手位置檢測裝置 A-A、B-B、J-J:線 a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7、a8、a9、a10、a11、a12、a13、a14、a15、a16、a17、a18、a19、a20、a21、a22、a23、a24、a51、a52:箭頭 C:載體 Ia、Ib、Ic、Id、Ma、Mb、Mc、Md:手 P1:第一處理位置（符號） P2:第二處理位置（符號） PASS1、PASS2:基板載置部 rp:平面基準位置 S11、S12、S13、S14、S15、S16、S17、S18、S19、S20、S21、S22、S23、S24、S25、S26、S27:步驟 W:基板 X、Y、Z:方向
圖1是第一實施形態的基板處理裝置的示意平面圖， 圖2是圖1的J-J線處的基板處理裝置的示意平面圖， 圖3是圖1的手的平面圖， 圖4是圖1的手的側面圖， 圖5是圖1的基板清洗裝置的示意平面圖， 圖6是表示圖5的基板清洗裝置的內部結構的外觀立體圖， 圖7是表示圖1的基板處理裝置的控制系統的結構的方塊圖， 圖8A～圖8C是用於對基板清洗裝置中的第一處理位置及第二處理位置進行說明的圖， 圖9A～圖9C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖10A～圖10C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖11A～圖11C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖12A～圖12C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖13A～圖13C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖14A～圖14C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖15A～圖15C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖16A～圖16C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖17A～圖17C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖18A～圖18C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖19A～圖19C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖20A～圖20C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖21A～圖21C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖22A～圖22C是用於對圖5的基板清洗裝置及圖1的主機器人的動作的一例進行說明的示意圖， 圖23是表示利用圖7的控制裝置對一個基板進行的基板處理的流程圖， 圖24是表示利用圖7的控制裝置對一個基板進行的基板處理的流程圖， 圖25是表示第二實施形態的基板處理裝置的控制系統的結構的方塊圖。
1:基板清洗裝置
100:基板處理裝置
110:分度器區塊
120:處理區塊
140:載體載置台
150、163:搬送部
161、162:清洗部
170:控制裝置
200:分度器機器人
210、310:手支撐構件
220、320:搬送驅動部
300:主機器人
C:載體
J-J:線
Ia、Ib、Ic、Id、Ma、Mb、Mc、Md:手
PASS1、PASS2:基板載置部
W:基板

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，包括： 處理單元；以及 搬送裝置，具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出， 所述處理單元包含： 腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間； 第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及 第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送裝置通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
  2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述搬送裝置包含固定裝置，所述固定裝置在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，將基板固定於所述保持部中的預先決定的位置， 所述搬送裝置基於表示所述第二處理位置的位置資訊使所述保持部移動，由此進行基板相對於所述第二處理位置的定位。
  3. 根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述保持部構成為以水平姿勢對基板進行保持， 所述第一處理位置及所述第二處理位置沿上下方向排列。
  4. 根據請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第一處理部及所述第二處理部中的其中一者包含： 第一保持裝置，對處於所述第一處理位置的基板的外周端部進行保持；以及 第一清洗裝置，對由所述第一保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗， 所述第一處理部及所述第二處理部中的另一者包含： 第二保持裝置，在對處於所述第二處理位置的基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使所保持的基板旋轉；以及 第二清洗裝置，對由所述第二保持裝置保持並旋轉的基板的下表面外側區域進行清洗。
  5. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述搬送裝置包含位置檢測裝置，所述位置檢測裝置在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，對基板相對於所述保持部的相對位置進行檢測， 所述搬送裝置基於表示所述第二處理位置的位置資訊及由所述位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置而使所述保持部移動，由此進行基板相對於所述第二處理位置的定位。
  6. 一種基板處理方法，包含： 通過處理單元對基板進行處理的步驟；以及 使用搬送裝置搬送基板的步驟， 所述處理單元包含： 腔室，具有開口部且形成包含第一處理位置及第二處理位置的處理空間； 第一處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第一處理位置的處理前的基板進行第一處理；以及 第二處理部，對收容於所述腔室內且配置於所述第二處理位置的所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送裝置具有對基板進行保持的保持部，且構成為能夠通過使所述保持部移動而進行相對於所述處理單元而言的基板的搬入及基板的搬出， 所述對基板進行處理的步驟包含： 通過所述第一處理部對所述處理前的基板進行所述第一處理；以及 通過所述第二處理部對所述第一處理後的基板進行第二處理， 所述搬送基板的步驟包含： 通過使所述保持部經由所述開口部而進入至所述處理空間內，接收配置於所述第一處理位置的基板，將所接收的基板在所述處理空間內搬送並定位於所述第二處理位置。
  7. 根據請求項6所述的基板處理方法，其中，所述搬送基板的步驟包含： 在所述搬送裝置中，在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，將基板固定於所述保持部中的預先決定的位置；以及 在將基板從所述第一處理位置搬送至所述第二處理位置並進行定位的情況下，基於表示所述第二處理位置的位置資訊使所述保持部移動。
  8. 根據請求項6或7所述的基板處理方法，其中，所述保持部構成為以水平姿勢對基板進行保持， 所述第一處理位置及所述第二處理位置沿上下方向排列。
  9. 根據請求項6或7所述的基板處理方法，其中，所述第一處理部及所述第二處理部中的其中一者包含： 第一保持裝置，對處於所述第一處理位置的基板的外周端部進行保持；以及 第一清洗裝置，對由所述第一保持裝置保持的基板的下表面中央區域進行清洗， 所述第一處理部及所述第二處理部中的另一者包含： 第二保持裝置，在對處於所述第二處理位置的基板的下表面中央區域進行吸附保持的同時使所保持的基板旋轉；以及 第二清洗裝置，對由所述第二保持裝置保持並旋轉的基板的下表面外側區域進行清洗。
  10. 根據請求項6所述的基板處理方法，其中，所述搬送基板的步驟包含： 在通過所述保持部對基板進行保持的情況下，使用位置檢測裝置對基板相對於所述保持部的相對位置進行檢測；以及 在將基板從所述第一處理位置搬送至所述第二處理位置並進行定位的情況下，基於表示所述第二處理位置的位置資訊及由所述位置檢測裝置檢測出的基板的相對位置而使所述保持部移動。
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