KR101823718B1 - 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템 - Google Patents

기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101823718B1
KR101823718B1 KR1020137017300A KR20137017300A KR101823718B1 KR 101823718 B1 KR101823718 B1 KR 101823718B1 KR 1020137017300 A KR1020137017300 A KR 1020137017300A KR 20137017300 A KR20137017300 A KR 20137017300A KR 101823718 B1 KR101823718 B1 KR 101823718B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
holding portion
wafer
processed
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020137017300A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140021990A (ko
Inventor
야스하루 이와시타
오사무 히라카와
마사루 혼다
아키라 후쿠토미
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20140021990A publication Critical patent/KR20140021990A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101823718B1 publication Critical patent/KR101823718B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67796—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1132—Using vacuum directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1126—Using direct fluid current against work during delaminating
    • Y10T156/1137—Using air blast directly against work during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168—Gripping and pulling work apart during delaminating
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1933—Spraying delaminating means [e.g., atomizer, etc.
    • Y10T156/1939—Air blasting delaminating means]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1928—Differential fluid pressure delaminating means
    • Y10T156/1944—Vacuum delaminating means [e.g., vacuum chamber, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/195—Delaminating roller means

Abstract

본 발명의 기판 반전 장치는, 기판의 편면을 유지하는 제1 유지부와, 이 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 기판의 편면을 유지하는 제2 유지부와, 적어도 제1 유지부 또는 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 제1유지부와 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와, 기판의 편면을 유지하여 반송하는 반송 기구를 갖고 있고, 제1 유지부, 제2 유지부 및 반송 기구에 있어서의 기판의 유지는, 베르누이 척에 의해 행해진다.

Description

기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템{SUBSTRATE INVERTING DEVICE, SUBSTRATE INVERTING METHOD, AND PEELING SYSTEM}
본 발명은, 기판을 반전시키는 기판 반전 장치, 이 기판 반전 장치를 이용한 기판 반전 방법, 이 기판 반전 장치를 구비한 박리 시스템에 관한 것이다.
최근, 예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼 (이하, 「웨이퍼」라고 한다)의 대구경화가 진행되고 있다. 또한, 실장 등의 특정한 공정에 있어서, 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있다. 예를 들어 대구경이고 얇은 웨이퍼를, 그대로 반송하거나, 연마 처리하면, 웨이퍼에 휨이나 균열이 발생할 우려가 있다. 이 때문에, 웨이퍼를 보강하기 위하여, 예를 들어 지지 기판인 웨이퍼나 글래스 기판에 웨이퍼를 부착하는 것이 행해지고 있다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼와 지지 기판이 접합된 상태에서 웨이퍼의 연마 처리 등 소정의 처리가 행해진 후, 웨이퍼와 지지 기판이 박리된다. 이러한 웨이퍼와 지지 기판의 박리는, 예를 들어 박리 장치를 사용하여 행해진다. 박리 장치는, 예를 들어 웨이퍼를 유지하는 제1 홀더와, 지지 기판을 유지하는 제2 홀더와, 웨이퍼와 지지 기판의 사이에 액체를 분사하는 노즐을 갖고 있다. 그리고, 이 박리 장치에서는, 노즐로부터 접합된 웨이퍼와 지지 기판의 사이에, 이 웨이퍼와 지지 기판 사이의 접합 강도보다 큰 분사압, 바람직하게는 접합 강도보다 2배 이상 큰 분사압으로 액체를 분사함으로써, 웨이퍼와 지지 기판의 박리가 행해지고 있다(특허문헌1).
일본 특허 출원 공개 평 9-167724호 공보
그런데, 웨이퍼와 지지 기판의 박리 처리는, 상술한 바와 같이 웨이퍼와 지지 기판을 박리한 후, 이들 웨이퍼의 접합면과 지지 기판의 접합면이 각각 세정되지만, 후속 공정에의 파티클의 유입을 최소한으로 하기 위해서는, 웨이퍼의 접합면뿐만 아니라, 웨이퍼의 접합면의 반대측 면인 비접합면도 세정하는 것이 바람직하다. 웨이퍼의 비접합면을 세정하는 경우, 예를 들어 웨이퍼의 비접합면을 유지한 상태에서 먼저 접합면을 세정하고, 그 후, 접합면을 유지하여 피접합면의 세정을 행한다. 이 때문에, 비접합면의 세정에는, 웨이퍼의 표리면을 반전시키는 작업이 필요해진다. 웨이퍼의 반전에는, 종래, 예를 들어 도 20에 도시한 바와 같은, 웨이퍼 반전용 아암(500)이 반전 장치로서 사용된다. 아암(500)은, 도 20에 도시한 바와 같이 접근, 이격 가능한 한 쌍의 척부(501, 501)를 갖고 있다. 척부(501, 501)에는, 각각 웨이퍼 협지부(502, 502)가 설치되고, 한 쌍의 이격된 척부(501, 501)가 서로 접근함으로써, 웨이퍼(W)의 주연부가 웨이퍼 협지부(502, 502)에 삽입되어 웨이퍼(W)가 지지된다. 그리고, 아암(500)을 지지하는 회전기구(503)에 의해 아암(500)을 수평축을 중심으로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 반전이 행해진다. 그러나, 연마 처리 후의 웨이퍼는 박형화되어 있기 때문에, 반전 장치로서 도 20에 도시한 종래의 아암(500)을 사용하면, 상술한 바와 같이 웨이퍼(W)에 휨이나 균열이 발생할 우려가 있다. 본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 연마 처리에 의해 박형화된 기판을, 휨이나 균열이 발생하는 일 없이 표리 반전시키는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 장치로서, 기판의 편면을 유지하는 제1 유지부와, 상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 기판의 편면을 유지하는 제2 유지부와, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와, 기판의 편면을 유지하여 반송하는 반송 기구를 가지며, 상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구에 있어서의 기판의 유지는, 베르누이 척에 의해 행해진다.
본 발명의 기판 반전 장치에 따르면, 대향하여 설치된 제1 유지부 및 제2 유지부와, 제1 유지부와 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 접근, 이격시키는 이동 기구를 갖고 있으므로, 예를 들어 반송 기구에 의해 기판을 제1 유지부로 반송하고 이 기판의 편면을 제1 유지부로 유지시키고, 이어서, 이동 기구에 의해 제1 유지부와 제2 유지부를 접근시킴으로써, 기판에 있어서의 제1 유지부가 유지하고 있던 면의 반대측 면을 제2 유지부로 유지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 유지부에 의해 유지되는 기판의 면을 교체할 수 있다. 그리고, 반송 기구에 의해, 기판에 있어서의 제2 유지부에 유지된 측의 반대측 면을 유지함으로써, 반송 기구에 유지된 기판의 표리면이 반전된 상태로 된다. 그리고, 본 발명에 있어서는, 기판을 반전시킬 때, 기판을 베르누이 척에 의해 유지하므로, 예를 들어 연마 처리에 의해 박형화된 기판을, 휨이나 균열을 발생하는 것 없이 표리 반전시킬 수 있다.
다른 관점에 따른 본 발명은, 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 시스템으로서, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치로 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치로 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 구비한 박리 처리 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션에 대하여, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션과 상기 반입출 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반송하는 반송 스테이션과, 상기 박리 처리 스테이션과, 이 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 인터페이스 스테이션과, 상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 피처리 기판을 검사하는 검사 장치와, 상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 상기 검사 장치에서 검사된 기판을 세정하는 검사후 세정 스테이션을 갖고, 상기 검사후 세정 스테이션은, 피처리 기판의 접합면을 세정하는 접합면 세정 장치와, 피처리 기판의 비접합면을 세정하는 비접합면 세정 장치와, 피처리 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 장치를 갖고, 상기 기판 반전 장치는, 피처리 기판의 편면을 유지하는 제1 유지부와, 상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 피처리 기판의 편면을 유지하는 제2 유지부와, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와, 피처리 기판의 편면을 유지하여 반송하는 반송 기구를 갖고, 상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구에 있어서의 피처리 기판의 유지는, 베르누이 척에 의해 행해진다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 기판 반전 장치를 이용하여 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 방법으로서, 상기 기판 반전 장치는, 기판의 편면을 유지하는 제1 유지부와, 상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 기판의 편면을 유지하는 제2 유지부와, 적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와, 기판의 편면을 유지하여 반송하는 반송 기구를 갖고, 상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구에 있어서의 기판의 유지는, 베르누이 척에 의해 행해지고, 상기 기판 반전 방법은, 상기 반송 기구에 의해 기판을 상기 제1 유지부로 반송하여 상기 제1 유지부에 이 기판의 편면을 유지시키고, 이어서, 이동 기구에 의해 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근시켜 상기 기판을 제2 유지부에 전달하고, 그 후, 제2 유지부에 유지된 기판을 상기 반송 기구에 의해 유지하는 것이다.
본 발명에 따르면, 연마 처리에 의해 박형화된 기판을 휨이나 균열이 발생하는 일 없이 표리 반전시킬 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 박리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼의 측면도이다.
도 3은 박리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 4는 제1 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 5는 제1 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 6은 제2 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 7은 제2 반송 장치의 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 8은 웨이퍼 반전 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 9는 박리 처리의 주요 공정을 도시하는 흐름도이다.
도 10은 제1 유지부와 제2 유지부에 의해 중합 웨이퍼를 유지한 모습을 도시하는 설명도이다.
도 11은 제2 유지부를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 12는 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼를 박리한 모습을 도시하는 설명도이다.
도 13은 제1 유지부로부터 베르누이 척으로 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 14는 베르누이 척으로부터 포러스 척으로 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 15는 베르누이 척으로부터 제1 유지부로 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 16은 제1 유지부로부터 제2 유지부로 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 17은 제1 유지부로부터 제2 유지부로 피처리 웨이퍼가 전달된 상태를 도시하는 설명도이다.
도 18은 제2 유지부로부터 베르누이 척으로 피처리 웨이퍼가 전달된 상태를 도시하는 설명도이다.
도 19는 베르누이 척의 다른 예를 도시하는 설명도이다.
도 20은 종래의 웨이퍼 반전용 아암의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 기판 반전 장치를 구비한 박리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다
박리 시스템(1)에서는, 도 2에 도시한 바와 같이 피처리 기판으로서의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 기판으로서의 지지 웨이퍼(S)가 접착제(G)로 접합된 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)를, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한다. 이하, 피처리 웨이퍼(W)에 있어서, 접착제(G)을 개재하여 지지 웨이퍼(S)와 접합되는 면을「접합면(WJ)」이라고 하고, 이 접합면(WJ)의 반대측의 면을「비접합면(WN)」이라고 한다. 마찬가지로, 지지 웨이퍼(S)에 있어서, 접착제(G)를 개재하여 피처리 웨이퍼(W)와 접합되는 면을「접합면(SJ)」이라고 하고, 「비접합면(SN)」이라고 한다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)는, 제품으로 되는 웨이퍼로서, 예를 들어 접합면(WJ)에 복수의 전자 회로가 형성되어 있다. 또한 피처리 웨이퍼(W)는, 예를 들어 비접합면(WN)이 연마 처리되어, 박형화(예를 들어 두께가 50㎛)되어 있다. 지지 웨이퍼(S)는, 피처리 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 가지며, 피처리 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 지지 기판으로서 웨이퍼를 사용한 경우에 대해서 설명하지만, 예를 들어 글래스 기판 등의 다른 기판을 사용하여도 된다.
박리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 각각 수용 가능한 카세트(CW, CS, CT)가 반입출되는 반입출 스테이션(2)과, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 박리 처리 스테이션(3)과, 박리 처리 스테이션(3)에 인접하는 후처리 스테이션(4) 사이에서 피처리 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)과, 후처리 스테이션(4)에 전달하기 전의 피처리 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(6)를 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
반입출 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3)은, X방향(도 1에서 상하 방향)으로 배열되어 배치되어 있다. 이들 반입출 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3) 사이에는 반송 스테이션(7)이 설치되어 있다. 인터페이스 스테이션(5)은, 박리 처리 스테이션(3)의 Y방향 부방향측(도 1에서 좌측 방향측)에 배치되어 있다. 또한, 검사 장치(6)는, 인터페이스 스테이션(5)의 X방향 정방향측(도 1에서 상 방향측)에 배치되어 있고, 인터페이스 스테이션(5)을 사이에 두고 검사 장치(6)의 반대측, 즉 인터페이스 스테이션(5)의 X방향 부방향측에는, 검사 후의 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 및 비접합면(WN)의 세정과, 피처리 웨이퍼(W)의 표리면의 반전을 행하는 검사후 세정 스테이션(8)이 배치되어 있다. 반입출 스테이션(2)에는, 카세트 재치대(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는, 복수, 예를 들어 3개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은 Y방향(도 1에서 좌우 방향)으로 일렬로 배열되어 배치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는, 박리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(CW, CS, CT)를 반입출할 때, 카세트(CW, CS, CT)를 재치할 수 있다. 이와 같이 반입출 스테이션(2)은, 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 유지가능하게 구성되어 있다. 또한, 카세트 재치판(11)의 개수는, 본 실시 형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다. 또한, 반입출 스테이션(2)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행해지고 있어, 정상의 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)로 판별되어 있다.
반송 스테이션(7)의 내부에 형성된 웨이퍼 반송 영역(9)에는, 제1 반송 장치(20)가 배치되어 있다. 제1 반송 장치(20)는, 예를 들어 연직 방향, 수평 방향(Y방향, X방향) 및 연직축을 중심으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 제1 반송 장치(20)는, 웨이퍼 반송 영역(9) 내를 이동하여, 반입출 스테이션(2)과 박리 처리 스테이션(3) 사이에서 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송할 수 있다.
박리 처리 스테이션(3)은, 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리하는 박리 장치(30)를 갖고 있다. 박리 장치(30)의 Y방향 부방향측(도 1에서 좌측 방향측)에는, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 제1 세정 장치(31)가 배치되어 있다. 박리 장치(30)와 제1 세정 장치(31) 사이에는, 제2 반송 장치(32)가 설치되어 있다. 또한, 박리 장치(30)의 Y방향 정방향측(도 1에서 우측 방향측)에는, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정하는 제2 세정 장치(33)가 배치되어 있다. 이와 같이 박리 처리 스테이션(3)에는, 제1 세정 장치(31), 제2 반송 장치(32), 박리 장치(30), 제2 세정 장치(33)가, 인터페이스 스테이션(5)측에서부터 이 순서대로 배열되어 배치되어 있다.
검사 장치(6)에서는, 박리 장치(30)에 의해 박리된 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)의 잔사의 유무가 검사된다. 또한, 검사후 세정 스테이션(8)에서는, 검사 장치(6)에 의해 접착제(G)의 잔사가 확인된 피처리 웨이퍼(W)의 세정이 행해진다. 이 검사후 세정 스테이션(8)은, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하는 접합면 세정 장치(40), 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 세정하는 비접합면 세정 장치(41), 피처리 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시키는 기판 반전 장치로서의 웨이퍼 반전 장치(42)를 갖고 있다.
인터페이스 스테이션(5)에는, Y방향으로 연장된 반송로(50)를 따라 이동 가능한 반송 기구(51)가 설치되어 있다. 반송 기구(51)는, 수평축을 중심으로, 연직 방향 및 연직축을 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 박리 처리 스테이션(3), 후처리 스테이션(4), 검사 장치(6) 및 검사후 세정 스테이션(8) 사이에서 피처리 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 또한, 반송 기구(51)는, 웨이퍼 반전 장치(42)의 일부를 구성한다.
또한, 후처리 스테이션(4)에서는, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리를 행한다. 소정의 후처리로서, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)를 마운트하는 처리나, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로의 전기적 특성의 검사를 행하는 처리, 피처리 웨이퍼(W)를 칩마다 다이싱하는 처리 등이 행해진다.
다음은 상술한 박리 장치(30)의 구성에 대해서 설명한다. 박리 장치(30)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 그 내부에 복수의 기기를 수용하는 하우징(100)을 갖고 있다. 하우징(100)의 측면에는, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
하우징(100)의 저면에는, 하우징(100) 내부의 분위기를 배기하는 배기구(101)가 형성되어 있다. 배기구(101)에는, 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 장치(102)에 연통하는 배기관(103)이 접속되어 있다.
하우징(100)의 내부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 하면에서 흡착하여 지지하는 상부 척(110)과, 지지 웨이퍼(S)를 상면에 재치하여 지지하는 하부 척(111)이 설치되어 있다. 상부 척(110)은, 하부 척(111)의 상방에 설치되고, 하부 척(111)과 대향하도록 배치되어 있다. 즉, 하우징(100)의 내부에서는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서, 중합 웨이퍼(T)의 박리 처리가 행해진다.
상부 척(110)에는, 예를 들어 포러스 척이 사용되고 있다. 상부 척(110)은, 평판 형상의 본체부(120)를 갖고 있다. 본체부(120)의 하면 측에는, 다공질체(121)가 형성되어 있다. 다공질체(121)는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경을 가지며, 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 접촉한다. 또한, 다공질체(121)로서는 예를 들어 탄화규소가 사용된다.
또한, 본체부(120)의 내부이며 다공질체(121)의 상방에는 흡인 공간(122)이 형성되어 있다. 흡인 공간(122)은, 예를 들어 다공질체(121)를 덮도록 형성되어 있다. 흡인 공간(122)에는, 흡인관(123)이 접속되어 있다. 흡인관(123)은, 예를 들어 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 그리고, 흡인관(123)으로부터 흡인 공간(122)과 다공질체(121)를 통해 피처리 웨이퍼의 비접합면(WN)이 흡인되어, 이 피처리 웨이퍼(W)는 상부 척(110)에 흡착 유지된다.
또한, 본체부(120)의 내부이며 흡인 공간(122)의 상방에는, 피처리 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 기구(124)가 설치되어 있다. 가열 기구(124)로는, 예를 들어 히터가 사용된다.
상부 척(110)의 상면에는, 이 상부 척(110)을 지지하는 지지판(130)이 설치되어 있다. 지지판(130)은, 하우징(100)의 천정면에 지지되어 있다. 또한, 본 실시 형태의 지지판(130)을 생략하고, 상부 척(110)은 하우징(100)의 천정면에 맞닿아 지지되어도 된다.
하부 척(111)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 흡착 유지하기 위한 흡인관(140)이 설치되어 있다. 흡인관(140)은, 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
또한, 하부 척(111)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 가열하는 가열 기구(141)가 설치되어 있다. 가열 기구(141)로는, 예를 들어 히터가 사용된다.
하부 척(111)의 하방에는, 하부 척(111) 및 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구(150)가 설치되어 있다. 이동 기구(150)는, 하부 척(111)을 연직 방향으로 이동시키는 연직 이동부(151)와, 하부 척(111)을 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부(152)를 갖고 있다.
연직 이동부(151)는, 하부 척(111)의 하면을 지지하는 지지판(160)과, 지지판(160)을 승강시켜서 상부 척(110)과 하부 척(111)을 연직 방향으로 접근, 이격시키는 구동부(161)와, 지지판(160)을 지지하는 지지 부재(162)를 갖고 있다. 구동부(161)는, 예를 들어 볼 나사(도시하지 않음)와, 이 볼 나사를 회전시키는 모터(도시하지 않음)를 갖고 있다. 또한, 지지 부재(162)는, 연직 방향으로 신축 가능하게 구성되며, 지지판(160)과 후술하는 지지체(171) 사이에 예를 들어 3군데 설치되어 있다.
수평 이동부(152)는, X방향(도 3에서 좌우 방향)으로 연장된 레일(170)과, 레일(170)에 설치되는 지지체(171)와, 지지체(171)를 레일(170)을 따라 이동시키는 구동부(172)를 갖고 있다. 구동부(172)는, 예를 들어 볼 나사(도시하지 않음)와 이 볼 나사를 회전시키는 모터(도시하지 않음)를 갖고 있다.
또한, 하부 척(111)의 하방에는, 중합 웨이퍼(T) 또는 지지 웨이퍼(S)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 승강 핀은 하부 척(111)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)에 삽입 관통하여 하부 척(111)의 상면으로 돌출 가능하게 되어 있다.
다음은, 상술한 제1 세정 장치(31)의 구성에 대해서 설명한다. 제1 세정 장치(31)는, 도 4에 도시한 바와 같이 하우징(180)을 갖고 있다. 하우징(180)의 측면에는, 피처리 웨이퍼(W)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
하우징(180) 내의 중앙부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 포러스 척(190)이 설치되어 있다. 포러스 척(190)은, 평판 형상의 본체부(191)와, 본체부(191)의 상면측에 형성된 다공질체(192)를 갖고 있다. 다공질체(192)는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경을 갖고, 이 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 맞닿아 있다. 또한, 다공질체(192)로서는 예를 들어 탄화규소가 사용된다. 다공질체(192)에는 흡인관(도시하지 않음)이 접속되고, 이 흡인관으로부터 다공질체(192)를 통하여 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 흡인함으로써, 피처리 웨이퍼(W)를 포러스 척(190) 위에 흡착 지지할 수 있다.
포러스 척(190)의 하방에는, 예를 들어 모터 등을 구비한 척 구동부(193)가 설치되어 있다. 포러스 척(190)은, 척 구동부(193)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(193)에는, 예를 들어 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 포러스 척(190)은 승강 가능하게 되어 있다.
포러스 척(190)의 주위에는, 피처리 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 컵(194)이 설치되어 있다. 컵(194)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(195)과, 컵(194) 내의 분위기를 진공화하여 배기하는 배기관(196)이 접속되어 있다.
도 5에 도시한 바와 같이 컵(194)의 X방향 부방향(도 5에서 하측 방향)측에는, Y방향(도 5에서 좌우 방향)을 따라 연장된 레일(200)이 형성되어 있다. 레일(200)은, 예를 들어 컵(194)의 Y방향 부방향(도 5에서 좌측 방향)측의 외방으로부터 Y방향 정방향(도 5에서 우측 방향)측의 외방까지 형성되어 있다. 레일(200)에는, 아암(201)이 설치되어 있다.
아암(201)에는, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이 피처리 웨이퍼(W)에 세정액, 예를 들어 유기 용제를 공급하는 세정액 노즐(203)이 지지되어 있다. 아암(201)은, 도 5에 도시한 노즐 구동부(204)에 의해, 레일(200)을 따라 이동 가능하다. 이에 의해, 세정액 노즐(203)은, 컵(194)의 Y방향 정방향측의 외방에 설치된 대기부(205)로부터 컵(194) 내의 피처리 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 이 피처리 웨이퍼(W) 위를 피처리 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(201)은, 노즐 구동부(204)에 의해 승강할 수 있어, 세정액 노즐(203)의 높이를 조절할 수 있다.
세정액 노즐(203)에는, 예를 들어 2 유체 노즐이 사용된다. 세정액 노즐(203)에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 이 세정액 노즐(203)에 세정액을 공급하는 공급관(210)이 접속되어 있다. 공급관(210)은, 내부에 세정액을 저류하는 세정액 공급원(211)에 연통되어 있다. 공급관(210)에는, 세정액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(212)이 설치되어 있다. 또한, 세정액 노즐(203)에는, 이 세정액 노즐(203)에 불활성 가스, 예를 들어 질소 가스를 공급하는 공급관(213)이 접속되어 있다. 공급관(213)은, 내부에 불활성 가스를 저류하는 가스 공급원(214)에 연통되어 있다. 공급관(213)에는, 불활성 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(215)이 설치되어 있다. 그리고, 세정액과 불활성 가스는 세정액 노즐(203) 내에서 혼합되어, 이 세정액 노즐(203)로부터 피처리 웨이퍼(W)로 공급된다. 또한, 이하에서는, 세정액과 불활성 가스를 혼합한 것을 간단히「세정액」이라고 하는 경우가 있다.
또한, 포러스 척(190)의 하방에는, 피처리 웨이퍼(W)를 하방으로부터 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 승강 핀은 포러스 척(190)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)에 삽입 관통하여 포러스 척(190)의 상면으로 돌출 가능하게 되어 있다. 그리고, 포러스 척(190)을 승강시키는 대신에 승강 핀을 승강시켜, 포러스 척(190)과의 사이에서 피처리 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 또한, 상술한 검사후 세정 스테이션(8)의 접합면 세정 장치(40)와 비접합면 세정 장치(41)의 구성은, 이 제1 세정 장치(31)와 마찬가지이므로 접합면 세정 장치(40)와 비접합면 세정 장치(41)에 대해서는 설명을 생략한다.
또한, 제2 세정 장치(33)의 구성은, 상술한 제1 세정 장치(31)의 구성과 거의 마찬가지이다. 제2 세정 장치(33)에는, 도 6에 도시한 바와 같이 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190) 대신에, 스핀 척(220)이 설치된다. 스핀 척(220)은, 수평한 상면을 갖고, 이 상면에는, 예를 들어 지지 웨이퍼(S)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 지지 웨이퍼(S)를 스핀 척(220) 위에 흡착 지지할 수 있다. 제2 세정 장치(33)의 그 밖의 구성은, 상술한 제1 세정 장치(31)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 스핀 척(220)의 하방에는, 피처리 웨이퍼(W)의 이면, 즉 비접합면(WN)을 향하여 세정액을 분사하는 백 린스 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있어도 된다. 이 백 린스 노즐로부터 분사되는 세정액에 의해, 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)과 피처리 웨이퍼(W)의 외주부가 세정된다.
다음은, 상술한 제2 반송 장치(32)의 구성에 대해서 설명한다. 제2 반송 장치(32)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 베르누이 척(230)을 갖고 있다. 베르누이 척(230)은, 이 척의 표면으로부터 공기를 분출함으로써 피처리 웨이퍼(W)를 부유시켜, 비접촉 상태에서 피처리 웨이퍼(W)를 흡인하여 매달아 유지할 수 있다. 베르누이 척(230)은, 지지 아암(231)에 지지되어 있다. 지지 아암(231)은, 회전 기구로서의 제1 구동부(232)에 지지되어 있다. 이 제1 구동부(232)에 의해, 지지 아암(231)은 수평축을 중심으로 회전 가능하며, 또한 수평 방향으로 신축 가능하다. 제1 구동부(232)의 하방에는, 제2 구동부(233)가 설치되어 있다. 이 제2 구동부(233)에 의해 제1 구동부(232)는 연직축을 중심으로 회전 가능하며, 또한 연직 방향으로 승강 가능하다.
또한, 반송 기구(51)은, 상술한 제2 반송 장치(32)와 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로 설명을 생략한다. 단, 반송 기구(51)의 제2 구동부(233)는, 도 1에 도시한 반송로(50)에 설치되고, 반송 기구(51)는 반송로(50)를 따라 이동 가능하게 되어 있다.
다음은, 상술한 웨이퍼 반전 장치(42)의 구성에 대해서 설명한다. 웨이퍼 반전 장치(42)는, 도 8에 도시한 바와 같이, 그 내부에 복수의 기기를 수용하는 하우징(250)을 갖고 있다. 하우징(250)의 측면에는, 반송 기구(51)에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 반입출을 행하기 위한 반입출구(251)가 형성되고, 이 반입출구(251)에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
하우징(250)의 저면에는, 이 하우징(250)의 내부의 분위기를 배기하는 배기구(260)가 형성되어 있다. 배기구(260)에는, 예를 들어 진공 펌프 등의 배기 장치(261)에 연통하는 배기관(262)이 접속되어 있다.
하우징(250)의 내부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 상면에서 유지하는 제1 유지부(270)와, 피처리 웨이퍼(W)를 하면에서 유지하는 제2 유지부(271)가 설치되어 있다. 제2 유지부(271)는, 제1 유지부(270)의 상방에, 제1 유지부(270)와 대향하도록 배치되어 있다. 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경을 갖고 있다. 또한, 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)에는 베르누이 척이 사용되고 있다. 이에 의해, 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)는, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면을 각각 비접촉으로 유지할 수 있다. 또한, 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)는, 반드시 피처리 웨이퍼(W)와 거의 동일한 직경으로 할 필요는 없고 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면을 유지할 수 있으면, 유지부(270, 271)의 직경은 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)의 직경보다 작아도 되고, 커도 된다.
또한, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면을 유지한다라는 것은, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전부를 유지하는 것을 의미하는 것이 아니고, 박형화된 피처리 웨이퍼(W)가 휘거나 깨지거나 하지 않도록 이 피처리 웨이퍼(W)를 면으로 유지하는 것을 의미한다. 따라서, 예를 들어 유지부로서의 베르누이 척의 직경이 기판의 직경보다 작은 경우라도, 피처리 웨이퍼(W)를 휘거나 깨지거나 하지 않도록 유지할 수 있으면, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면을 유지하고 있다고 말할 수 있다.
또한, 상술한 제2 반송 장치(32) 및 반송 기구(51)의 베르누이 척(230)도, 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)와 마찬가지로, 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면을 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
제1 유지부(270)의 하방에는, 이 제1 유지부(270)를 연직 방향으로 이동시키는 이동 기구(272)가 설치되어 있다. 이동 기구(272)는, 제1 유지부(270)의 하면을 지지하는 지지판(273)과, 지지판(273)을 승강시켜 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 연직 방향으로 접근, 이격시키는 구동부(274)를 갖고 있다.
구동부(274)는, 하우징(250)의 저면에 설치된 지지체(275)에 의해 지지되어 있다. 또한, 지지체(275)의 상면에는 지지판(273)을 지지하는 지지 부재(276)가 설치되어 있다. 지지 부재(276)는, 연직 방향으로 신축 가능하게 구성되어, 구동부(274)에 의해 지지판(273)을 승강시킬 때 자유로이 신축할 수 있다.
제2 유지부(271)의 상면에는, 제2 유지부(271)를 지지하는 지지판(280)이 설치되어 있다. 또한, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 반전 장치(42)를 구성하는 기기에는 반송 기구(51)가 포함된다. 또한, 본 실시 형태의 지지판(280)을 생략하고, 제2 유지부(271)는 하우징(250)의 천정면에 맞닿아 지지되어 있어도 된다.
이상의 박리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 제어부(300)가 설치되어 있다. 제어부(300)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 박리 시스템(1)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다.
또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치와 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 박리 시스템(1)에 있어서 후술의 박리 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있는 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(300)에 인스톨된 것이어도 된다.
다음은, 이상과 같이 구성된 박리 시스템(1)을 사용하여 행해지는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리 방법에 대해서 설명한다. 도 9는, 이러한 박리 처리의 주요 공정의 예를 나타내는 흐름도이다.
우선, 복수매의 중합 웨이퍼(T)를 수용한 카세트(CT), 빈 카세트(CW) 및 빈 카세트(CS)가, 반입출 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 제1 반송 장치(20)에 의해 카세트(CT) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 박리 처리 스테이션(3)의 박리 장치(30)으로 반송된다. 이때, 중합 웨이퍼(T)는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서 반송된다.
박리 장치(30)에 반입된 중합 웨이퍼(T)는, 하부 척(111)에 흡착 지지된다. 그 후, 이동 기구(150)에 의해 하부 척(111)을 상승시켜, 도 10에 도시한 바와 같이 상부 척(110)과 하부 척(111) 사이에 중합 웨이퍼(T)를 끼워 넣어 유지한다. 이때, 상부 척(110)에 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)이 흡착 지지되고, 하부 척(111)에 지지 웨이퍼(S)의 비접합면(SN)이 흡착 지지된다.
그 후, 가열 기구(124, 141)에 의해 중합 웨이퍼(T)는 소정의 온도, 예를 들어 200도로 가열된다. 이와 같이 하면, 중합 웨이퍼(T) 내의 접착제(G)가 연화된다.
계속해서, 가열 기구(124, 141)에 의해 중합 웨이퍼(T)를 가열하여 접착제(G)의 연화 상태를 유지하면서, 도 11에 도시한 바와 같이 이동 기구(150)에 의해 하부 척(111)과 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향, 즉 경사 하방으로 이동시킨다. 그리고, 도 12에 도시한 바와 같이 상부 척(110)에 지지된 피처리 웨이퍼(W)와, 하부 척(111)에 지지된 지지 웨이퍼(S)가 박리된다(도 9의 공정 A1).
이때, 하부 척(111)은, 연직 방향으로 100㎛ 이동하고, 또한 수평 방향으로 300㎜ 이동한다. 여기서, 본 실시 형태에서는, 중합 웨이퍼(T) 안의 접착제(G)의 두께는 예를 들어 30㎛ ~ 40㎛이며, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 형성된 전자 회로(범프)의 높이는 예를 들어 20㎛이다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리는 매우 작게 된다. 따라서, 예를 들어 하부 척(111)을 수평 방향으로만 이동시킨 경우, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)가 접촉하여 전자 회로가 손상될 우려가 있다.
이 점, 본 실시 형태와 같이 하부 척(111)을 수평 방향으로 이동시킴과 함께 연직 방향으로도 이동시킴으로써, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)와의 접촉을 회피하여, 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다. 또한, 이 하부 척(111)의 연직 방향의 이동 거리와 수평 방향의 이동 거리의 비율은, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로(범프)의 높이에 기초하여 설정된다.
그 후, 박리 장치(30)에 의해 박리된 피처리 웨이퍼(W)는, 제2 반송 장치(32)에 의해 제1 세정 장치(31)로 반송된다. 여기서, 제2 반송 장치(32)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송 방법에 대해서 설명한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 지지 아암(231)을 신장시켜, 베르누이 척(230)을 상부 척(110)에 지지된 피처리 웨이퍼(W)의 하방에 배치한다. 그 후, 베르누이 척(230)을 상승시켜, 상부 척(110)에 있어서의 흡인관(123)으로부터의 피처리 웨이퍼(W)의 흡인을 정지한다. 그리고, 상부 척(110)으로부터 베르누이 척(230)에 피처리 웨이퍼(W)가 전달된다. 이때, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 베르누이 척(230)에 유지되지만, 베르누이 척(230)은 비접촉 상태에서 피처리 웨이퍼(W)가 유지되기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 상의 전자 회로가 손상될 일은 없다.
다음에 도 14에 도시한 바와 같이, 지지 아암(231)을 회전시켜 베르누이 척(230)을 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190)의 상방으로 이동시킴과 함께, 베르누이 척(230)을 반전시켜 피처리 웨이퍼(W)를 하방으로 향하게 한다. 이때, 포러스 척(190)을 컵(194) 보다도 상방으로 상승시켜 대기시켜 둔다. 그 후, 베르누이 척(230)으로부터 포러스 척(190)으로 피처리 웨이퍼(W)가 전달되어 흡착 지지된다.
이와 같이 포러스 척(190)에 피처리 웨이퍼(W)가 흡착 지지되면, 포러스 척(190)을 소정의 위치까지 하강시킨다. 계속해서, 아암(201)에 의해 대기부(205)의 세정액 노즐(203)을 피처리 웨이퍼(W)의 중심부의 상방까지 이동시킨다. 그 후, 포러스 척(190)에 의해 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 세정액 노즐(203)로부터 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 원심력에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)의 전체면으로 확산되어서 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 세정된다(도 9의 공정 A2).
여기서, 상술한 바와 같이 반입출 스테이션(2)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행해지고 있어, 정상의 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와 결함이 있는 비정상인 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)가 판별되어 있다.
정상의 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 정상의 피처리 웨이퍼(W)는, 공정 A2에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 비접합면(WN)이 하방을 향한 상태에서 반송 기구(51)에 의해 검사 장치(6)로 반송된다. 또한, 이 반송 기구(51)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송은, 상술한 제2 반송 장치(32)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송과 거의 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
비접합면(WN)이 하방을 향한 상태, 바꾸어 말하면, 접합면(WJ)이 상방을 향한 상태에서 검사 장치(6)로 반송된 피처리 웨이퍼(W)는, 이 검사 장치(6)에 있어서 접합면(WJ)에서의 접착제(G)의 잔사의 유무가 검사된다(도 9의 공정 A3). 검사 장치(6)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(51)에 의해 검사후 세정 스테이션(8)의 접합면 세정 장치(40)로 반송되어, 접합면 세정 장치(40)에 의해 접합면(WJ)이 세정된다(도 9의 공정 A4). 또한, 이 반송 시에도, 반송 기구(51)는 비접촉의 상태에서 피처리 웨이퍼(W)를 유지하기 때문에, 접합면(WJ)의 접착제(G)의 잔사가 반송 기구(51)에 부착될 일이 없다. 이 때문에, 반송 기구(51)에 의해 후속의 피처리 웨이퍼(W)에 접착제(G)의 잔사가 부착될 일이 없다.
접합면(WJ)이 세정되면, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(51)에 의해 웨이퍼 반전 장치(42)로 반송되어, 웨이퍼 반전 장치(42)에 의해 표리면이 반전, 즉 상하 방향으로 반전된다(도 9의 공정 A5). 여기서, 웨이퍼 반전 장치(42)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반전 방법에 대하여 설명한다.
접합면 세정 장치(40)에 의해 접합면(WJ)이 세정된 피처리 웨이퍼(W)는, 도 15에 도시한 바와 같이, 반송 기구(51)의 베르누이 척(230)에 의해 접합면(WJ)이 유지된 상태에서 웨이퍼 반전 장치(42)로 반송된다. 그리고, 피처리 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반전 장치(42)의 제1 유지부(270)에 접합면(WJ)이 상방을 향한 상태로 전달되어, 제1 유지부(270)에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 편면의 전체면, 본 실시 형태에 있어서는, 예를 들어 비접합면(WN)의 전체면이 유지된다. 계속해서, 베르누이 척(230)을 제1 유지부(270)의 상방으로부터 퇴피시킨 후, 구동부(274)에 의해 제1 유지부(270)을 상승, 바꾸어 말하면, 도 16에 도시한 바와 같이 제2 유지부(271)에 접근시킨다. 그리고, 제2 유지부(271)에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 유지함과 함께, 제1 유지부(270)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 지지를 정지하고, 피처리 웨이퍼(W)를 제2 유지부(271)에 전달한다. 이에 따라 도 17에 도시한 바와 같이, 피처리 웨이퍼(W)는 제2 유지부(271)에 의해 비접합면(WN)이 하방을 향한 상태로 유지된다.
그 후, 제1 유지부(270)을 하강시켜 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 이격하고, 계속해서 퇴피되어 있던 반송 기구(51)의 베르누이 척(230)을 수평축을 중심으로 회전시킨다. 그리고, 베르누이 척(230)이 상방을 향한 상태에서, 이 베르누이 척(230)을 제2 유지부(271)의 하방에 배치한다. 이어서, 베르누이 척(230)을 상승시키고, 그와 함께 제2 유지부(271)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 지지를 정지한다. 이에 따라, 접합면 세정 장치(40)가 반출될 때에 베르누이 척(230)에 의해 접합면(WJ)의 전체면이 유지되어 있던 피처리 웨이퍼(W)는, 도 18에 도시한 바와 같이, 베르누이 척(230)에 의해 비접합면(WN)의 전체면이 유지된 상태로 된다. 즉, 베르누이 척(230)에 의해 유지되는 피처리 웨이퍼의 면의 표리가 반전된 상태로 된다. 그 후, 베르누이 척(230)을 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 유지한 상태에서 웨이퍼 반전 장치(42)로부터 퇴피시킨다.
또한, 검사 장치(6)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 접합면 세정 장치(40)로 반송되지 않고 웨이퍼 반전 장치(42)에서 피처리 웨이퍼(W)의 반전이 행해지지만, 반전의 방법에 대해서는, 상술한 방법과 마찬가지이다.
그 후, 피처리 웨이퍼(W)를 유지한 상태에서 베르누이 척(230)을 수평축을 중심으로 회전시켜 피처리 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 반전시킨다. 그리고, 피처리 웨이퍼(W)는, 비접합면(WN)이 상방을 향한 상태에서 베르누이 척(230)에 의해 다시 검사 장치(6)에 반송되어, 비접합면(WN)의 검사가 행해진다(도 9의 공정 A6). 그리고, 비접합면(WN)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 기구(51)에 의해 비접합면 세정부(8c)로 반송되어, 비접합면(WN)의 세정이 행해진다(도 9의 공정 A7). 계속해서, 세정된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 기구(51)에 의해 후처리 스테이션(4)으로 반송된다. 또한, 검사 장치(6)에 의해 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 비접합면 세정 장치(41)로 반송되지 않고 그대로 후처리 스테이션(4)으로 반송된다.
그 후, 후처리 스테이션(4)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리가 행해진다(도 9의 공정 A8). 이와 같이 해서, 피처리 웨이퍼(W)가 제품화된다.
한편, 결함이 있는 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는, 공정 A2에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 제1 반송 장치(20)에 의해 반입출 스테이션(2)으로 반송된다. 그 후, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는, 반입출 스테이션(2)으로부터 외부에 반출되어 회수된다(도 9의 공정 A9).
피처리 웨이퍼(W)에 상술한 공정 A1 내지 A9가 행해지고 있는 동안, 박리 장치(30)에 의해 박리된 지지 웨이퍼(S)는, 제1 반송 장치(20)에 의해 제2 세정 장치(33)로 반송된다. 그리고, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 지지 웨이퍼(S)의 접합면(SJ)이 세정된다(도 9의 공정 A10). 또한, 제2 세정 장치(33)에 있어서의 지지 웨이퍼(S)의 세정은, 상술한 제1 세정 장치(31)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
그 후, 접합면(SJ)이 세정된 지지 웨이퍼(S)는, 제1 반송 장치(20)에 의해 반입출 스테이션(2)으로 반송된다. 그 후, 지지 웨이퍼(S)는, 반입출 스테이션(2)으로부터 외부로 반출되어 회수된다(도 9의 공정 A11). 이와 같이 하여, 일련의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리가 종료된다.
이상의 실시 형태에 따르면, 대향하여 설치된 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)와, 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 상대적으로 이동시켜 접근, 이격시키는 이동 기구(272)을 갖고 있으므로, 예를 들어 반송 기구(51)에 의해 피처리 웨이퍼(W)를 제1 유지부(270)에 반송해서 피처리 웨이퍼(W)의 편면을 제1 유지부(270)로 유지시키고, 계속해서, 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 접근시켜 피처리 웨이퍼(W)를 제2 유지부(271)에 전달함으로써, 피처리 웨이퍼(W)에 있어서의 제1 유지부(270)에 유지되어 있던 면의 반대측의 면을 제2 유지부(271)로 유지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 유지부에 의해 유지되는 피처리 웨이퍼(W)의 면을 교체할 수 있다. 그리고, 반송 기구(51)에 의해, 제2 유지부(271)에 유지된 피처리 웨이퍼를 더 유지함으로써, 반송 기구(51)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)의 표리면이 반전된 상태로 된다. 그리고, 본 발명에 있어서는, 제1 유지부(270) 및 제2 유지부(271)에 베르누이 척이 사용되고 있으므로, 예를 들어 연마 처리에 의해 박형화된 피처리 웨이퍼(W)를, 휨이나 균열이 발생하는 일 없이 표리 반전시킬 수 있다.
또한, 반송 기구(51)의 베르누이 척(230)을 수평축을 중심으로 회전시킨다. 회전 기구로서의 제1 구동부(232)를 갖고 있으므로, 표리 반전시킨 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 베르누이 척(230)을 수평축을 중심으로 회전시킴으로써, 피처리 웨이퍼(W)를 상하 방향으로 반전시킬 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 제1 유지부(270)를 승강시킴으로써, 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 연직 방향으로 상대적으로 접근, 이격시켰지만, 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 연직 방향으로 상대적으로 접근, 이격시킬 수 있으면, 그 이동 방법은 본 실시 형태에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제2 유지부(271)를 연직 방향으로 이동시켜도 되고, 혹은, 제1 유지부(270)와 제2 유지부(271)를 모두 연직 방향으로 이동시켜도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 제1 유지부(270)로 피처리 웨이퍼(W)를 유지시키고, 이어서 제2 유지부(271)에 전달함으로써 피처리 웨이퍼(W)의 표리면의 반전을 행했지만, 먼저, 제2 유지부(271)로 피처리 웨이퍼(W)를 유지시키고, 이어서 피처리 웨이퍼(W)를 제1 유지부(270)에 전달함으로써, 피처리 웨이퍼(W)를 반전시켜도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에 따르면, 박리 장치(30)에 있어서 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한 후, 제1 세정 장치(31)에 있어서, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정함과 함께, 제2 세정 장치(33)에 있어서, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정할 수 있다. 이와 같이 본 실시 형태에 따르면, 하나의 박리 시스템(1) 내에서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리로부터 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정까지의 일련의 박리 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정을 각각 병행해서 행할 수 있다. 또한, 박리 장치(30)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하는 동안에, 제1 세정 장치(31)와 제2 세정 장치(33)에 있어서 다른 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 처리할 수도 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리를 효율적으로 행할 수 있어, 박리 처리의 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 검사 장치(6)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)를 검사할 수 있으므로, 검사 결과에 기초해서 박리 시스템(1)에 있어서의 처리 조건을 보정할 수 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 더욱 적절하게 박리할 수 있다.
그리고, 접합면 세정 장치(40) 및 비접합면 세정 장치(41)를 구비한 검사후 세정 스테이션(8)을 갖고 있으므로, 후처리 공정으로의 접착제(G)의 잔사가 반입되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 검사후 세정 스테이션(8)이 웨이퍼 반전 장치(42)를 갖고 있으므로, 박리 시스템(1) 내에서 효율적으로 박리 후의 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)과 비접합면(WN)의 세정을 효율적으로 행할 수 있다.
또한, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)가 정상의 피처리 웨이퍼(W)인 경우, 후처리 스테이션(4)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리가 행하여져, 제품화된다. 한편, 박리 처리 스테이션(3)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)가 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)인 경우, 이 피처리 웨이퍼(W)는 반입출 스테이션(2)으로부터 회수된다. 이와 같이 정상의 피처리 웨이퍼(W) 만이 제품화되므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 회수하고, 결함의 정도에 따라서 이 피처리 웨이퍼(W)를 재이용할 수도 있어, 자원을 유효하게 활용할 수 있을 뿐만 아니라 제조 비용을 저렴화할 수도 있다.
또한, 이와 같이 일련의 프로세스에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리로부터 피처리 웨이퍼(W)의 후처리까지 행할 수 있으므로, 웨이퍼 처리의 처리량을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 박리 장치(30)에 의해 박리된 지지 웨이퍼(S)는, 세정 후, 반입출 스테이션(2)으로부터 회수되므로, 이 지지 웨이퍼(S)를 재이용할 수 있다. 따라서, 자원을 유효하게 활용할 수 있을 뿐만 아니라 제조 비용을 저렴화할 수도 있다.
또한, 박리 장치(30)에서는, 중합 웨이퍼(T)를 가열하면서, 이동 기구(150)에 의해 하부 척(111)과 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하고 있다. 이와 같이 연직 방향 및 수평 방향의 양 방향으로 하부 척(111)을 이동시킴으로써, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리가 미소한 경우라도, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)와의 접촉을 회피할 수 있다. 따라서, 전자 회로의 손상을 억제하고, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리를 적절하게 행할 수 있다.
또한, 제2 반송 장치(32)와 반송 기구(51)는 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 베르누이 척(230)을 갖고 있으므로, 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되어 있어도 이 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 유지할 수 있다. 또한, 제2 반송 장치(32)와 반송 기구(51)에 있어서는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 베르누이 척(230)에 유지되지만, 베르누이 척(230)은 비접촉의 상태에서 피처리 웨이퍼(W)를 유지할 수 있기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 상의 전자 회로가 손상될 일은 없다.
또한, 제1 세정 장치(31)은 피처리 웨이퍼(W)를 유지하는 포러스 척(190)을 갖고 있으므로, 피처리 웨이퍼(W)가 박형화되어 있어도 이 피처리 웨이퍼를 적절하게 유지할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 박리 장치(30)에 있어서 하부 척(111)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키고 있지만, 상부 척(110)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜도 된다. 혹은, 상부 척(110)과 하부 척(111)의 양쪽을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시켜도 된다.
이상의 박리 장치(30)에 있어서 하부 척(111)을 연직 방향 및 수평 방향에 이동시키고 있지만, 하부 척(111)을 수평 방향으로만 이동시키고, 이 하부 척(111)의 이동 속도를 변화시켜도 된다. 구체적으로는, 하부 척(111)을 이동시키기 시작할 때의 이동 속도를 저속으로 하고, 그 후 서서히 이동 속도를 가속해도 된다. 구체적으로는, 하부 척(111)을 이동시키기 시작할 때에는, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접착 면적이 커서 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로가 접착제(G)의 영향을 받기 쉽기 때문에, 하부 척(111)의 이동 속도를 저속으로 한다. 그 후, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접착 면적이 작아짐에 따라, 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로가 접착제(G)의 영향을 받기 어렵게 되므로, 하부 척(111)의 이동 속도를 서서히 가속한다. 이러한 경우라도, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 회피하여, 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 박리 장치(30)에 있어서 하부 척(111)을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키고 있지만, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W) 상의 전자 회로와 지지 웨이퍼(S) 사이의 거리가 충분히 큰 경우에는, 하부 척(111)을 수평 방향으로만 이동시켜도 된다. 이러한 경우, 전자 회로와 지지 웨이퍼(S)의 접촉을 회피할 수 있을 뿐만 아니라 하부 척(111)의 이동의 제어가 용이해진다. 또한, 하부 척(111)을 연직 방향으로만 이동시켜 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리시켜도 되고, 하부 척(111)의 외주부 단부를 연직 방향으로만 이동시켜 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리시켜도 된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서, 이들 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하고 있지만, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 상하 배치를 반대로 해도 된다.
이상의 실시 형태의 제2 반송 장치(32)에 있어서, 베르누이 척(230)의 표면에는, 세정액을 공급하기 위한 복수개의 공급구(도시하지 않음)가 형성되어 있어도 된다. 이러한 경우, 베르누이 척(230)으로부터 제1 세정 장치(31)의 포러스 척(190)에 피처리 웨이퍼(W)를 전달할 때, 베르누이 척(230)으로부터 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 세정액을 공급하여 이 접합면(WJ)을 세정함과 함께, 베르누이 척(230) 자체도 세정할 수 있다. 이와 같이 하면, 그 후의 제1 세정 장치(31)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)의 세정 시간을 단축할 수 있어, 박리 처리의 처리량을 더욱 향상시킬 수 있다. 게다가, 베르누이 척(230)도 세정할 수 있으므로, 다음 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 반송할 수 있다.
이상의 실시 형태에서는, 제1 세정 장치(31)과 제2 세정 장치(33)의 세정액 노즐(203)에는 2 유체 노즐이 사용되고 있지만, 세정액 노즐(203)의 형태는 본 실시 형태에 한정되지 않고 여러 가지 노즐을 사용할 수 있다. 예를 들어 세정액 노즐(203)로서, 세정액을 공급하는 노즐과 불활성 가스를 공급하는 노즐을 일체화한 노즐체나, 스프레이 노즐, 제트 노즐, 메가소닉 노즐 등을 사용해도 된다. 또한, 세정 처리의 처리량을 향상시키기 위해서, 예를 들어 80도로 가열된 세정액을 공급해도 된다.
또한, 제1 세정 장치(31)과 제2 세정 장치(33)에 있어서, 세정액 노즐(203) 외에, IPA(이소프로필알코올)을 공급하는 노즐을 설치해도 된다. 이러한 경우, 세정액 노즐(203)로부터의 세정액에 의해 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S)를 세정한 후, 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S) 상의 세정액을 IPA로 치환한다. 이와 같이 하면, 피처리 웨이퍼(W) 또는 지지 웨이퍼(S)의 접합면(WJ, SJ)은 보다 확실하게 세정된다.
이상의 실시 형태의 박리 시스템(1)에 있어서, 박리 장치(30)에 의해 가열된 피처리 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 냉각하는 온도 조절 장치(도시하지 않음)가 설치되어 있어도 된다. 이러한 경우, 피처리 웨이퍼(W)의 온도가 적절한 온도로 조절되므로, 후속의 처리를 보다 원활하게 행할 수 있다.
또한, 베르누이 척(230)의 다른 예로서, 도 19에 도시한 바와 같이, 베르누이 척(230)의 주연에, 피처리 웨이퍼(W)의 주연을 유지하는 복수의 유지 가이드(313)를 설치해도 된다. 이와 같이 하면, 베르누이 척(230)에 지지된 피처리 웨이퍼(W)의 위치가 어긋나는 것을 방지할 수 있다. 또한, 유지 가이드(313)를 피처리 웨이퍼(W)에 대하여 근접, 이격시키는 가이드 이동 수단(314)을 더 설치해도 된다.
또한, 상술한 실시 형태의 일부분을 조합해서 실시해도 되고, 그 경우, 실시 형태와 마찬가지의 작용, 효과를 얻는 것이 가능하다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 후처리 스테이션(4)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 후처리를 행하여 제품화하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은, 예를 들어 3차원 집적 기술에서 사용되는 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼로부터 박리하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 3차원 집적 기술은, 최근의 반도체 디바이스의 고집적화의 요구에 부응한 기술로서, 고집적화된 복수의 반도체 디바이스를 수평면 내에 배치하는 대신에, 이 복수의 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는 기술이다. 이 3차원 집적 기술에 있어서도, 적층되는 피처리 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있어, 이 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼에 접합해서 소정의 처리가 행해진다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 연마 처리에 의해 박형화된 피처리 웨이퍼(W)를 반전시키는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 박형화되기 전의, 통상의 웨이퍼를 반전시키는 경우에도 적용할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면 특허청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 이 예에 한하지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 박리 시스템
2 : 반입출 스테이션
3 : 박리 처리 스테이션
4 : 후처리 스테이션
5 : 인터페이스 스테이션
6 : 검사 장치
7 : 반송 스테이션
8 : 검사후 세정 스테이션
9 : 웨이퍼 반송 영역
10 : 카세트 재치대
20 : 제1 반송 장치
30 : 박리 장치
31 : 제1 세정 장치
32 : 제2 반송 장치
33 : 제2 세정 장치
40 : 접합면 세정 장치
41 : 비접합면 세정 장치
42 : 기판 반전 장치
50 : 반송로
51 : 반송 기구
100 : 하우징
110 : 상부 척
111 : 하부 척
124 : 가열 기구
141 : 가열 기구
150 : 이동 기구
190 : 포러스 척
230 : 베르누이 척
250 : 하우징
251 : 반입출구
260 : 배기구
261 : 배기 장치
262 : 배기관
270 : 제1 유지부
271 : 제2 유지부
272 : 이동 기구
300 : 제어부
G :접착제
S : 지지 웨이퍼
T : 중합 웨이퍼
W : 피처리 웨이퍼

Claims (11)

  1. 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 장치로서,
    기판의 제1 표면을 유지하도록 구성되는 제1 베르누이 척을 갖는 제1 유지부와,
    상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 기판의 제2 표면을 유지하도록 구성되는 제2 베르누이 척을 갖는 제2 유지부와,
    상기 제1 유지부 및 상기 제2 유지부 중 적어도 하나를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와,
    기판을 제1 유지부로 반송할 때 기판의 제2 표면을 유지하도록 구성되고 기판을 제2 유지부로부터 반송할 때 기판의 제1 표면을 유지하도록 구성되는 제3 베르누이 척을 갖는 반송 기구를 갖는 기판 반전 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구는, 기판의 제1 표면 또는 제2 표면의 전체면을 유지하는 기판 반전 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반송 기구를 수평축을 중심으로 회전시키는 회전 기구를 갖는 기판 반전 장치.
  4. 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을, 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 시스템으로서,
    중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에 의해 박리된 피처리 기판을 세정하는 제1 세정 장치와, 상기 박리 장치에 의해 박리된 지지 기판을 세정하는 제2 세정 장치를 구비한 박리 처리 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션에 대하여, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션과 상기 반입출 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반송하는 반송 스테이션과,
    상기 박리 처리 스테이션과, 이 박리 처리 스테이션에서 박리된 피처리 기판에 소정의 후처리를 행하는 후처리 스테이션 사이에서, 피처리 기판을 반송하는 인터페이스 스테이션과,
    상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 피처리 기판을 검사하는 검사 장치와,
    상기 인터페이스 스테이션에 인접하여 설치되고, 상기 검사 장치에 의해 검사된 기판을 세정하는 검사후 세정 스테이션을 갖고,
    상기 검사후 세정 스테이션은, 피처리 기판의 접합면을 세정하는 접합면 세정 장치와, 피처리 기판의 비접합면을 세정하는 비접합면 세정 장치와, 피처리 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 장치를 갖고,
    상기 기판 반전 장치는,
    피처리 기판의 편면을 유지하는 제1 유지부와,
    상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 피처리 기판의 편면을 유지하는 제2 유지부와,
    적어도 상기 제1 유지부 또는 상기 제2 유지부를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와,
    피처리 기판의 편면을 유지하여 반송하는 반송 기구를 갖고,
    상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구에 있어서의 피처리 기판의 유지는, 베르누이 척에 의해 행해지는 박리 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구는, 기판의 편면의 전체면을 유지하는 박리 시스템.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 기판 반전 장치는, 상기 반송 기구를 수평축을 중심으로 회전시키는 회전 기구를 갖는 박리 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 검사 장치에 있어서 피처리 기판의 접합면의 검사를 행하고,
    검사에서 이상이 발견된 피처리 기판의 접합면을, 상기 접합면 세정 장치에 의해 세정한 후, 상기 기판 반전 장치에 의해 반전시키고,
    상기 검사 장치에 있어서, 반전시킨 피처리 기판의 비접합면의 검사를 행하고,
    검사에서 이상이 발견된 피처리 기판의 비접합면을, 상기 비접합면 세정 장치에 의해 세정하도록 상기 기판 반전 장치를 제어하는 제어부를 갖는 박리 시스템.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 접합면 세정 장치 및 상기 비접합면 세정 장치는, 피처리 기판을 유지하는 포러스 척을 갖는 박리 시스템.
  9. 기판 반전 장치를 사용하여, 기판의 표리면을 반전시키는 기판 반전 방법으로서,
    상기 기판 반전 장치는, 기판의 제1 표면을 유지하도록 구성되는 제1 베르누이 척을 갖는 제1 유지부와, 상기 제1 유지부에 대향하여 설치되고, 기판의 제2 표면을 유지하도록 구성되는 제2 베르누이 척을 갖는 제2 유지부와, 상기 제1 유지부 및 상기 제2 유지부 중 적어도 하나를 상대적으로 이동시켜 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근, 이격시키는 이동 기구와, 기판을 제1 유지부로 반송할 때 기판의 제2 표면을 유지하도록 구성되고 기판을 제2 유지부로부터 반송할 때 기판의 제1 표면을 유지하도록 구성되는 제3 베르누이 척을 갖는 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 반전 방법은,
    상기 반송 기구에 의해 기판을 상기 제1 유지부에 반송해서 상기 제1 유지부에 상기 기판의 편면을 유지시키고,
    그 후, 이동 기구에 의해 상기 제1 유지부와 상기 제2 유지부를 접근시켜 기판을 제2 유지부에 전달하고,
    그 후, 제2 유지부에 유지된 기판을 상기 반송 기구에 의해 유지하는 기판 반전 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 유지부, 상기 제2 유지부 및 상기 반송 기구는, 기판의 제1 표면 또는 제2 표면의 전체면을 유지하는 기판 반전 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 기판 반전 장치는, 상기 반송 기구를 수평축을 중심으로 회전시키는 회전 기구를 갖는 기판 반전 방법.
KR1020137017300A 2011-01-19 2012-01-12 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템 KR101823718B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-009309 2011-01-19
JP2011009309A JP5323867B2 (ja) 2011-01-19 2011-01-19 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
PCT/JP2012/050465 WO2012098986A1 (ja) 2011-01-19 2012-01-12 基板反転装置、基板反転方法及び剥離システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140021990A KR20140021990A (ko) 2014-02-21
KR101823718B1 true KR101823718B1 (ko) 2018-01-30

Family

ID=46515615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137017300A KR101823718B1 (ko) 2011-01-19 2012-01-12 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8997822B2 (ko)
JP (1) JP5323867B2 (ko)
KR (1) KR101823718B1 (ko)
TW (1) TWI529778B (ko)
WO (1) WO2012098986A1 (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048043A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
JP6429017B2 (ja) * 2012-11-30 2018-11-28 株式会社ニコン 搬入方法、搬送システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN108732871B (zh) * 2012-11-30 2021-03-30 株式会社尼康 搬送系统、曝光装置、器件制造方法、搬送方法、曝光方法
JP6188123B2 (ja) 2012-12-28 2017-08-30 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合処理方法
JP6093328B2 (ja) * 2013-06-13 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102075994B1 (ko) * 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
JP6283573B2 (ja) * 2014-06-03 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9991150B2 (en) 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
CN104485294A (zh) 2014-12-12 2015-04-01 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆临时键合及分离方法
CN104979262B (zh) * 2015-05-14 2020-09-22 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆分离的方法
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
JP6596342B2 (ja) * 2016-01-25 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 紫外線処理装置、接合システム、紫外線処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
DE102017103212B4 (de) * 2016-02-24 2024-01-25 Suss Microtec Lithography Gmbh Halbleiterstruktur-Bondungsvorrichtung und zugehörige Techniken
CN108699681B (zh) * 2016-04-26 2020-08-25 东芝三菱电机产业系统株式会社 成膜装置
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
JP6853646B2 (ja) * 2016-10-04 2021-03-31 株式会社ディスコ ロボットハンド及び搬送ロボット
WO2018171909A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for holding a substrate, apparatus and method for loading a substrate into a vacuum processing module, and system for vacuum processing of a substrate
US11120985B2 (en) * 2017-11-22 2021-09-14 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device, substrate processing system, substrate processing method and computer-readable recording medium
US10170443B1 (en) * 2017-11-28 2019-01-01 International Business Machines Corporation Debonding chips from wafer
KR102505213B1 (ko) * 2017-12-08 2023-03-03 삼성전자주식회사 분리용 전자 장치 및 이의 공정 방법
US10553472B2 (en) * 2018-06-22 2020-02-04 Jabil Inc. Apparatus, system and method for providing a bernoulli-based semiconductor wafer pre-aligner
KR20200093721A (ko) * 2019-01-28 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 기판 반전 장치
JP2021158196A (ja) * 2020-03-26 2021-10-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板反転方法
JP6836003B1 (ja) * 2020-08-27 2021-02-24 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法
CN115706035A (zh) * 2021-08-12 2023-02-17 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备及其晶圆翻转装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208625A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハの薄化処理方法
JP2002270661A (ja) 2001-03-07 2002-09-20 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板重ね合わせ装置
JP2003019687A (ja) 2001-07-03 2003-01-21 Aitec:Kk ロボットハンドの駆動装置
JP2005085882A (ja) 2003-09-05 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2005116678A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの剥離方法およびこれを用いた剥離装置
WO2007099976A1 (ja) * 2006-02-22 2007-09-07 Ebara Corporation 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1999-02-01 김광호 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
TW484184B (en) * 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
JP3981241B2 (ja) * 2000-06-09 2007-09-26 株式会社ハーモテック 旋回流形成体および非接触搬送装置
JP2004296777A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Oki Electric Ind Co Ltd ワーク吸着装置及びワーク吸着方法
JP4401322B2 (ja) * 2005-04-18 2010-01-20 日東電工株式会社 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP4616873B2 (ja) * 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
JP2009088304A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5487740B2 (ja) * 2009-06-10 2014-05-07 株式会社ニコン 重ね合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および重ね合わせ方法
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP5552462B2 (ja) * 2010-08-23 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5374462B2 (ja) * 2010-08-23 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5455987B2 (ja) * 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208625A (ja) 2001-01-10 2002-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハの薄化処理方法
JP2002270661A (ja) 2001-03-07 2002-09-20 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板重ね合わせ装置
JP2003019687A (ja) 2001-07-03 2003-01-21 Aitec:Kk ロボットハンドの駆動装置
JP2005085882A (ja) 2003-09-05 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2005116678A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの剥離方法およびこれを用いた剥離装置
WO2007099976A1 (ja) * 2006-02-22 2007-09-07 Ebara Corporation 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130292062A1 (en) 2013-11-07
KR20140021990A (ko) 2014-02-21
JP2012151312A (ja) 2012-08-09
TWI529778B (zh) 2016-04-11
TW201246271A (en) 2012-11-16
WO2012098986A1 (ja) 2012-07-26
US8997822B2 (en) 2015-04-07
JP5323867B2 (ja) 2013-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101823718B1 (ko) 기판 반전 장치, 기판 반전 방법 및 박리 시스템
JP5379171B2 (ja) 接合システム、基板処理システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5455987B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101883028B1 (ko) 접합 시스템, 기판 처리 시스템 및 접합 방법
JP5552462B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5580806B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101837227B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP5829171B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101864900B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
JP2015154063A (ja) 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR101805964B1 (ko) 박리 시스템, 박리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2012069906A (ja) 接合装置、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5374462B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2013058129A1 (ja) 剥離装置、剥離システム及び剥離方法
JP6025759B2 (ja) 剥離システム
JP2013120903A (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5777549B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5717614B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5717803B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5552559B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015207756A (ja) 剥離装置及び剥離システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant