JP5323867B2 - 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、基板を反転させる基板反転装置、当該基板反転装置を用いた基板反転方法、当該基板反転装置を備えた剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」とする)の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第1ホルダーと、支持基板を保持する第2ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より2倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている(特許文献1)。
特開平9−167724号公報
ところで、ウェハと支持基板の剥離処理は、上述のようにウェハと支持基板を剥離した後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面がそれぞれ洗浄されるが、後工程へのパーティクルの持込を最小限にするためには、ウェハの接合面だけでなく、ウェハの接合面の反対側の面である非接合面も洗浄することが好ましい。
ウェハの非接合面を洗浄する場合、例えばウェハの非接合面を保持した状態で先ず接合面を洗浄し、その後、接合面を保持して被接合面の洗浄を行う。このため、非接合面の洗浄には、ウェハの表裏面を反転させる作業が必要となる。
ウェハの反転には、従来、例えば図19に示すような、ウェハ反転用のアーム500が反転装置として用いられる。アーム500は、図19に示すように接近、離隔することができる一対のチャック部501、501を有している。チャック部501、501には、それぞれウェハ狭持部502、502が設けられ、一対の離隔したチャック部501、501が相互に接近することによって、ウェハWの周縁部がウェハ狭持部502、502に挿入されてウェハWが支持される。そして、アーム500を支持する回動機構503により当該アーム500を水平軸回りに回動させることで、ウェハWの反転が行われる。
しかしながら、研磨処理後のウェハは薄型化されているため、反転装置として図19に示す従来のアーム500を用いると、上述のようにウェハWに反りや割れが生じる恐れがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、研磨処理により薄型化された基板を、反りや割れを生じることなく裏表反転させることを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、基板の表裏面を反転させる基板反転装置であって、基板の片面を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に対向して設けられた、基板の片面を保持する第2の保持部と、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われることを特徴としている。
本発明の基板反転装置によれば、対向して設けられた第1の保持部及び第2の保持部と、第1の保持部と第2の保持部を相対的に移動させて接近、離隔させる移動機構を有しているので、例えば搬送機構により基板を第1の保持部に搬送して当該基板の片面を第1の保持部で保持させ、次いで、移動機構により第1の保持部と第2の保持部を接近させることで、基板における第1の保持部で保持されていた面と反対側の面を第2の保持部で保持することができる。換言すれば、保持部により保持される基板の面を入れ替えることができる。そして、搬送機構により、基板における第2の保持部に保持された側と反対側の面を保持することで、搬送機構に保持された基板の裏表面が反転した状態となる。そして、本発明においては、基板を反転させるにあたり、基板をベルヌーイチャックにより保持するので、例えば研磨処理により薄型化された基板を、反りや割れを生じることなく裏表反転させることができる。
前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持するものであってもよい。なお、基板の片面の全面を保持するとは、基板の片面の全部を保持することを意味するのではなく、薄型化された基板が反ったり割れたりしないように当該基板を面で保持することを意味している。したがって、例えば保持部としてのベルヌーイチャックの直径が基板の直径よりも小さい場合であっても、基板が反ったり割れたりしないように保持できていれば、基板の片面の全面を保持しているといえる。
前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していてもよい。
別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄ステーションと、を有し、前記検査後洗浄ステーションは、被処理基板の接合面を洗浄する接合面洗浄装置と、被処理基板の非接合面を洗浄する非接合面洗浄装置と、被処理基板の裏表面を反転させる基板反転装置を有し、前記基板反転装置は、被処理基板の片面を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に対向して設けられた、被処理基板の片面を保持する第2の保持部と、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、被処理基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における被処理基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われることを特徴としている。
前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持するものであってもよい。
前記基板反転装置は、前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していてもよい。
前記検査装置において被処理基板の接合面の検査を行い、検査で異常が発見された被処理基板の接合面を、前記接合面洗浄装置で洗浄した後、前記基板反転装置で反転させ、前記検査装置において、反転させた被処理基板の非接合面の検査を行い、検査で異常が発見された被処理基板の非接合面を、前記非接合面洗浄装置で洗浄するように、前記基板反転装置を制御する制御部を有していてもよい。
前記接合面洗浄装置及び前記非接合面洗浄装置は、被処理基板を保持するポーラスチャックを有していてもよい。
また、別な観点による本発明は、基板反転装置を用いて、基板の裏表面を反転させる基板反転方法であって、前記基板反転装置は、基板の片面を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に対向して設けられた、基板の片面を保持する第2の保持部と、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われ、前記基板反転方法は、前記搬送機構により基板を前記第1の保持部に搬送して前記第1の保持部に当該基板の片面を保持させ、その後、移動機構により前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近させ、基板を第2の保持部に受渡し、その後、第2の保持部に保持された基板を前記搬送機構により保持することを特徴としている。
前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持するものであってもよい。
前記基板反転装置は、前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していてもよい。
また別な観点による本発明によれば、前記基板反転方法を基板反転装置によって実行させるために、当該基板反転装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
本発明によれば、研磨処理により薄型化された基板を、反りや割れを生じることなく表裏反転させることができる。
本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第1の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第1の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第2の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第2の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 ウェハ反転装置の構成の概略を示す縦断面図である。 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 第1の保持部と第2の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 第2の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 第1の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 ベルヌーイチャックからポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 ベルヌーイチャックから第1の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第1の保持部から第2の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第1の保持部から第2の保持部に被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 第2の保持部からベルヌーイチャックに被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 従来のウェハ反転用アームの構成の概略を示す説明図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる基板反転装置を備えた剥離システム1の構成の概略を示す平面図である。
剥離システム1では、図2に示すように被処理基板としての被処理ウェハWと支持基板としての支持ウェハSとが接着剤Gで接合された重合基板としての重合ウェハTを、被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する。以下、被処理ウェハWにおいて、接着剤Gを介して支持ウェハSと接合される面を「接合面W」といい、当該接合面Wと反対側の面を「非接合面W」という。同様に、支持ウェハSにおいて、接着剤Gを介して被処理ウェハWと接合される面を「接合面S」といい、「非接合面S」という。なお、被処理ウェハWは、製品となるウェハであって、例えば接合面Wに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハWは、例えば非接合面Wが研磨処理され、薄型化(例えば厚みが50μm)されている。支持ウェハSは、被処理ウェハWの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハWを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
剥離システム1は、図1に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTをそれぞれ収容可能なカセットC、C、Cが搬入出される搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション3と、剥離処理ステーション3に隣接する後処理ステーション4との間で被処理ウェハWの受け渡しを行うインターフェイスステーション5と、後処理ステーション4に受け渡す前の被処理ウェハWを検査する検査装置6と、を一体に接続した構成を有している。
搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3は、X方向(図1中の上下方向)に並べて配置されている。これら搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間には、搬送ステーション7が設けられている。インターフェイスステーション5は、剥離処理ステーション3のY方向負方向側(図1中の左方向側)に配置されている。また、検査装置6は、インターフェイスステーション5のX方向正方向側(図1中の上方向側)に配置されており、インターフェイスステーション5を挟んで検査装置6の反対側、即ちインターフェイスステーション5のX方向負方向側には、検査後の被処理ウェハWの接合面W及び非接合面Wの洗浄と、被処理ウェハWの表裏面の反転を行う、検査後洗浄ステーション8が配置されている。
搬入出ステーション2には、カセット載置台10が設けられている。カセット載置台10には、複数、例えば3つのカセット載置板11が設けられている。カセット載置板11は、Y方向(図1中の左右方向)に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板11には、剥離システム1の外部に対してカセットC、C、Cを搬入出する際に、カセットC、C、Cを載置することができる。このように搬入出ステーション2は、複数の被処理ウェハW、複数の支持ウェハS、複数の重合ウェハTを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板11の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。
搬送ステーション7の内部に形成されたウェハ搬送領域9には、第1の搬送装置20が配置されている。第1の搬送装置20は、例えば鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及び鉛直軸回りに移動自在な搬送アームを有している。第1の搬送装置20は、ウェハ搬送領域9内を移動し、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間で被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTを搬送できる。
剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離する剥離装置30を有している。剥離装置30のY方向負方向側(図1中の左方向側)には、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31が配置されている。剥離装置30と第1の洗浄装置31との間には、第2の搬送装置32が設けられている。また、剥離装置30のY方向正方向側(図1中の右方向側)には、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33が配置されている。このように剥離処理ステーション3には、第1の洗浄装置31、第2の搬送装置32、剥離装置30、第2の洗浄装置33が、インターフェイスステーション5側からこの順で並べて配置されている。
検査装置6では、剥離装置30により剥離された被処理ウェハW上の接着剤Gの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄ステーション8では、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認された被処理ウェハWの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション8は、被処理ウェハWの接合面Wを洗浄する接合面洗浄装置40、被処理ウェハWの非接合面Wを洗浄する非接合面洗浄装置41、被処理ウェハWの表裏面を反転させる基板反転装置としてのウェハ反転装置42を有している。
インターフェイスステーション5には、Y方向に延伸する搬送路50上を移動自在な搬送機構51が設けられている。搬送機構51は、水平軸回り、鉛直方向及び鉛直軸回り(θ方向)にも移動自在であり、剥離処理ステーション3、後処理ステーション4、検査装置6及び検査後洗浄ステーション8との間で被処理ウェハWを搬送できる。また、搬送機構51は、ウェハ反転装置42の一部を構成する。
なお、後処理ステーション4では、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハWをマウントする処理や、被処理ウェハW上の電子回路の電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハWをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
次に、上述した剥離装置30の構成について説明する。剥離装置30は、図3に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体100を有している。筐体100の側面には、被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
筐体100の底面には、当該筐体100の内部の雰囲気を排気する排気口101が形成されている。排気口101には、例えば真空ポンプなどの排気装置102に連通する排気管103が接続されている。
筐体100の内部には、被処理ウェハWを下面で吸着保持する上部チャック110と、支持ウェハSを上面で載置して保持する下部チャック111とが設けられている。上部チャック110は、下部チャック111の上方に設けられ、下部チャック111と対向するように配置されている。すなわち、筐体100の内部では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、重合ウェハTに剥離処理が行われる。
上部チャック110には、例えばポーラスチャックが用いられている。上部チャック110は、平板状の本体部120を有している。本体部120の下面側には、多孔質体121が設けられている。多孔質体121は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体121としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
また、本体部120の内部であって多孔質体121の上方には吸引空間122が形成されている。吸引空間122は、例えば多孔質体121を覆うように形成されている。吸引空間122には、吸引管123が接続されている。吸引管123は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置(図示せず)に接続されている。そして、吸引管123から吸引空間122と多孔質体121を介して被処理ウェハの非接合面Wが吸引され、当該被処理ウェハWが上部チャック110に吸着保持される。
また、本体部120の内部であって吸引空間122の上方には、被処理ウェハWを加熱する加熱機構124が設けられている。加熱機構124には、例えばヒータが用いられる。
上部チャック110の上面には、当該上部チャック110を支持する支持板130が設けられている。支持板130は、筐体100の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板130を省略し、上部チャック110は筐体100の天井面に当接して支持されてもよい。
下部チャック111の内部には、支持ウェハSを吸着保持するための吸引管140が設けられている。吸引管140は、例えば真空ポンプなどの排気発生装置(図示せず)に接続されている。
また、下部チャック111の内部には、支持ウェハSを加熱する加熱機構141が設けられている。加熱機構141には、例えばヒータが用いられる。
下部チャック111の下方には、下部チャック111及び支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構150が設けられている。移動機構150は、下部チャック111を鉛直方向に移動させる鉛直移動部151と、下部チャック111を水平方向に移動させる水平移動部152とを有している。
鉛直移動部151は、下部チャック111の下面を支持する支持板160と、支持板160を昇降させて上部チャック110と下部チャック111を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部161と、支持板160を支持する支持部材162とを有している。駆動部161は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。また、支持部材162は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板160と後述する支持体171との間に例えば3箇所に設けられている。
水平移動部152は、X方向(図3中の左右方向)に沿って延伸するレール170と、レール170に取り付けられる支持体171と、支持体171をレール170に沿って移動させる駆動部172とを有している。駆動部172は、例えばボールネジ(図示せず)と当該ボールネジを回動させるモータ(図示せず)とを有している。
なお、下部チャック111の下方には、重合ウェハT又は支持ウェハSを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられている。昇降ピンは下部チャック111に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、下部チャック111の上面から突出可能になっている。
次に、上述した第1の洗浄装置31の構成について説明する。第1の洗浄装置31は、図4に示すように筐体180を有している。筐体180の側面には、被処理ウェハWの搬入出口(図示せず)が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
筐体180内の中央部には、被処理ウェハWを保持して回転させるポーラスチャック190が設けられている。ポーラスチャック190は、平板状の本体部191と、本体部191の上面側に設けられた多孔質体192とを有している。多孔質体192は、例えば被処理ウェハWとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハWの非接合面Wと当接している。なお、多孔質体192としては例えば炭化ケイ素が用いられる。多孔質体192には吸引管(図示せず)が接続され、当該吸引管から多孔質体192を介して被処理ウェハWの非接合面Wを吸引することにより、当該被処理ウェハWをポーラスチャック190上に吸着保持できる。
ポーラスチャック190の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部193が設けられている。ポーラスチャック190は、チャック駆動部193により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部193には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック190は昇降自在になっている。
ポーラスチャック190の周囲には、被処理ウェハWから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ194が設けられている。カップ194の下面には、回収した液体を排出する排出管195と、カップ194内の雰囲気を真空引きして排気する排気管196が接続されている。
図5に示すようにカップ194のX方向負方向(図5中の下方向)側には、Y方向(図5中の左右方向)に沿って延伸するレール200が形成されている。レール200は、例えばカップ194のY方向負方向(図5中の左方向)側の外方からY方向正方向(図5中の右方向)側の外方まで形成されている。レール200には、アーム201が取り付けられている。
アーム201には、図4及び図5に示すように被処理ウェハWに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル203が支持されている。アーム201は、図5に示すノズル駆動部204により、レール200上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル203は、カップ194のY方向正方向側の外方に設置された待機部205からカップ194内の被処理ウェハWの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハW上を被処理ウェハWの径方向に移動できる。また、アーム201は、ノズル駆動部204によって昇降自在であり、洗浄液ノズル203の高さを調節できる。
洗浄液ノズル203には、例えば2流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル203には、図4に示すように当該洗浄液ノズル203に洗浄液を供給する供給管210が接続されている。供給管210は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源211に連通している。供給管210には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群212が設けられている。また、洗浄液ノズル203には、当該洗浄液ノズル203に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管213が接続されている。供給管213は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源214に連通している。供給管213には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群215が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル203内で混合され、当該洗浄液ノズル203から被処理ウェハWに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。
なお、ポーラスチャック190の下方には、被処理ウェハWを下方から支持し昇降させるための昇降ピン(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック190に形成された貫通孔(図示せず)を挿通し、ポーラスチャック190の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック190を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック190との間で被処理ウェハWの受け渡しが行われる。なお、上述した検査後洗浄ステーション8の接合面洗浄装置40と非接合面洗浄装置41の構成は、この第1の洗浄装置31と同様であるので、接合面洗浄装置40と非接合面洗浄装置41については説明を省略する。
また、第2の洗浄装置33の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成とほぼ同様である。第2の洗浄装置33には、図6に示すように第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に代えて、スピンチャック220が設けられる。スピンチャック220は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハSを吸引する吸引口(図示せず)が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハSをスピンチャック220上に吸着保持できる。第2の洗浄装置33のその他の構成は、上述した第1の洗浄装置31の構成と同様であるので説明を省略する。
なお、第2の洗浄装置33において、スピンチャック220の下方には、被処理ウェハWの裏面、すなわち非接合面Wに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル(図示せず)が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、被処理ウェハWの非接合面Wと被処理ウェハWの外周部が洗浄される。
次に、上述した第2の搬送装置32の構成について説明する。第2の搬送装置32は、図7に示すように被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック230を有している。ベルヌーイチャック230は、当該チャックの表面から空気を噴出することにより被処理ウェハWを浮遊させ、非接触の状態で被処理ウェハWを吸引懸垂し保持することができる。ベルヌーイチャック230は、支持アーム231に支持されている。支持アーム231は、回動機構としての第1の駆動部232に支持されている。この第1の駆動部232により、支持アーム231は水平軸回りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第1の駆動部232の下方には、第2の駆動部233が設けられている。この第2の駆動部233により、第1の駆動部232は鉛直軸回りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
なお、搬送機構51は、上述した第2の搬送装置32と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、搬送機構51の第2の駆動部233は、図1に示した搬送路50に取り付けられ、搬送機構51は搬送路50上を移動可能になっている。
次に、上述したウェハ反転装置42の構成について説明する。ウェハ反転装置42は、図8に示すように、その内部に複数の機器を収容する筐体250を有している。筐体250の側面には、搬送機構51により被処理ウェハWの搬入出を行うための搬入出口251が形成され、当該搬入出口251には開閉シャッタ(図示せず)が設けられている。
筐体250の底面には、当該筐体250の内部の雰囲気を排気する排気口260が形成されている。排気口260には、例えば真空ポンプなどの排気装置261に連通する排気管262が接続されている。
筐体250の内部には、被処理ウェハWを上面で保持する第1の保持部270と、被処理ウェハWを下面で保持する第2の保持部271とが設けられている。第2の保持部271は、第1の保持部270の上方に、第1の保持部270と対向するように配置されている。第1の保持部270及び第2の保持部271は、例えば被処理ウェハWをほぼ同じ直径を有している。また、第1の保持部270及び第2の保持部271にはベルヌーイチャックが用いられている。これにより、第1の保持部270及び第2の保持部271は、被処理ウェハWの片面の全面をそれぞれ非接触で保持することができる。なお、第1の保持部270及び第2の保持部271は、必ずしも被処理ウェハWとほぼ同じ直径とする必要はなく、被処理ウェハWの片面の全面を保持することができれば、保持部270、271の直径は例えば被処理ウェハWの直径より小さくてもよいし、大きくてもよい。また、被処理ウェハWの片面の全面を保持するとは、被処理ウェハWの片面の全部を保持することを意味するのではなく、薄型化された被処理ウェハWが反ったり割れたりしないように当該被処理ウェハWを面で保持することを意味している。したがって、例えば保持部としてのベルヌーイチャックの直径が基板の直径よりも小さい場合であっても、被処理ウェハWを反ったり割れたりしないように保持できていれば、被処理ウェハWの片面の全面を保持しているといえる。
なお、記述の第2の搬送装置32及び搬送機構51のベルヌーイチャック230も、第1の保持部270及び第2の保持部271と同様に、被処理ウェハWの片面の全面を保持できるように構成されている。
第1の保持部270の下方には、当該第1の保持部を鉛直方向に移動させる移動機構272が設けられている。移動機構272は、第1の保持部270の下面を支持する支持板273と、支持板273を昇降させて第1の保持部270と第2の保持部271を鉛直方向に接近、離間させる駆動部274を有している。駆動部274は、筐体250の底面に設けられた支持体275により支持されている。また、支持体275の上面には支持板273を支持する支持部材276が設けられている。支持部材276は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、駆動部274により支持板273を昇降させる際に、自由に伸縮することができる。
第2の保持部271の上面には、第2の保持部271を支持する支持板280が設けられている。また、上述のように、ウェハ反転装置42を構成する機器には搬送機構51が含まれる。なお、本実施の形態の支持板280を省略し、第2の保持部は筐体250の天井面に当接して支持されていてもよい。
以上の剥離システム1には、図1に示すように制御部300が設けられている。制御部300は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、剥離システム1における被処理ウェハW、支持ウェハS、重合ウェハTの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム1における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルデスク(MO)、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、その記憶媒体Hから制御部300にインストールされたものであってもよい。
次に、以上のように構成された剥離システム1を用いて行われる被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理方法について説明する。図9は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
先ず、複数枚の重合ウェハTを収容したカセットC、空のカセットC、及び空のカセットCが、搬入出ステーション2の所定のカセット載置板11に載置される。第1の搬送装置20によりカセットC内の重合ウェハTが取り出され、剥離処理ステーション3の剥離装置30に搬送される。このとき、重合ウェハTは、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で搬送される。
剥離装置30に搬入された重合ウェハTは、下部チャック111に吸着保持される。その後、移動機構150により下部チャック111を上昇させて、図10に示すように上部チャック110と下部チャック111で重合ウェハTを挟み込んで保持する。このとき、上部チャック110に被処理ウェハWの非接合面Wが吸着保持され、下部チャック111に支持ウェハSの非接合面Sが吸着保持される。
その後、加熱機構124、141によって重合ウェハTが所定の温度、例えば200℃に加熱される。そうすると、重合ウェハT中の接着剤Gが軟化する。
続いて、加熱機構124、141によって重合ウェハTを加熱して接着剤Gの軟化状態を維持しながら、図11に示すように移動機構150によって下部チャック111と支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図12に示すように上部チャック110に保持された被処理ウェハWと、下部チャック111に保持された支持ウェハSとが剥離される(図9の工程A1)。
このとき、下部チャック111は、鉛直方向に100μm移動し、且つ水平方向に300mm移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハT中の接着剤Gの厚みは例えば30μm〜40μmであって、被処理ウェハWの接合面Wに形成された電子回路(バンプ)の高さは例えば20μmである。したがって、被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が微小となる。そこで、例えば下部チャック111を水平方向にのみ移動させた場合、電子回路と支持ウェハSが接触し、電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように下部チャック111を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。なお、この下部チャック111の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハW上の電子回路(バンプ)の高さに基づいて設定される。
その後、剥離装置30で剥離された被処理ウェハWは、第2の搬送装置32によって第1の洗浄装置31に搬送される。ここで、第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送方法について説明する。
図13に示すように支持アーム231を伸長させて、ベルヌーイチャック230を上部チャック110に保持された被処理ウェハWの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック230を上昇させ、上部チャック110における吸引管123からの被処理ウェハWの吸引を停止する。そして、上部チャック110からベルヌーイチャック230に被処理ウェハWが受け渡される。このとき、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック230に保持されるが、ベルヌーイチャック230は非接触の状態で被処理ウェハWが保持されるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。
次に図14に示すように、支持アーム231を回動させてベルヌーイチャック230を第1の洗浄装置31のポーラスチャック190の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック230を反転させて被処理ウェハWを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック190をカップ194よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック230からポーラスチャック190に被処理ウェハWが受け渡され吸着保持される。
このようにポーラスチャック190に被処理ウェハWが吸着保持されると、ポーラスチャック190を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム201によって待機部205の洗浄液ノズル203を被処理ウェハWの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック190によって被処理ウェハWを回転させながら、洗浄液ノズル203から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハWの接合面Wの全面に拡散されて、当該被処理ウェハWの接合面Wが洗浄される(図9の工程A2)。
ここで、上述したように搬入出ステーション2に搬入された複数の重合ウェハTには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTと欠陥のある正常な被処理ウェハWを含む重合ウェハTとに判別されている。
正常な重合ウェハTから剥離された正常な被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、非接合面Wが下方を向いた状態で搬送機構51によって検査装置6に搬送される。なお、この搬送機構51による被処理ウェハWの搬送は、上述した第2の搬送装置32による被処理ウェハWの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
非接合面Wが下方を向いた状態、換言すれば、接合面Wが上方を向いた状態で検査装置6に搬送された被処理ウェハWは、当該検査装置6において接合面Wにおける接着剤Gの残渣の有無が検査される(図9の工程A3)。検査装置6において接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構51により検査後洗浄ステーション8の接合面洗浄装置40に搬送され、接合面洗浄装置40で接合面Wが洗浄される(図9の工程A4)。なお、この搬送の際も、搬送機構51は非接触の状態で被処理ウェハW保持するため、接合面Wの接着剤Gの残渣が搬送機構51に付着することがない。このため、搬送機構51を介して後続の被処理ウェハWに接着剤Gの残渣が付着することがない。
接合面Wが洗浄されると、被処理ウェハWは搬送機構51によってウェハ反転装置42に搬送され、ウェハ反転装置42により表裏面を反転、すなわち上下方向に反転される(図9の工程A5)。ここで、ウェハ反転装置42による被処理ウェハWの反転方法について説明する。
接合面洗浄装置40で接合面Wが洗浄され被処理ウェハWは、図15に示すように、搬送機構51のベルヌーイチャック230により接合面Wを保持された状態でウェハ反転装置42に搬送される。そして、被処理ウェハWは、ウェハ反転装置42の第1の保持部270に接合面Wを上方に向けた状態で受け渡され、第1の保持部270により被処理ウェハWの片面の全面、本実施の形態においては、例えば非接合面Wの全面が保持される。
次いで、ベルヌーイチャック230を第1の保持部270の上方から退避させ、その後、駆動部274により第1の保持部270を上昇、換言すれば、図16に示すように第2の保持部271に接近させる。そして、第2の保持部271により被処理ウェハWの接合面Wを保持すると共に、第1の保持部270による被処理ウェハWの保持を停止して、被処理ウェハWを第2の保持部271に受け渡す。これにより図17に示すように、被処理ウェハWが第2の保持部271により、非接合面Wを下方に向けた状態で保持される。
その後、第1の保持部270を下降させて第1の保持部270と第2の保持部271を離隔し、次いで退避していた搬送機構51のベルヌーイチャック230を水平軸回りに回動させる。そして、ベルヌーイチャック230が上方を向いた状態で、当該ベルヌーイチャック230を第2の保持部271の下方に配置する。次いでベルヌーイチャック230を上昇させ、それと共に第2の保持部271による被処理ウェハWの保持を停止する。これにより、接合面洗浄装置40を搬出される際にベルヌーイチャック230により接合面Wの全面を保持されていた被処理ウェハWは、図18に示すように、ベルヌーイチャック230により非接合面Wの全面が保持された状態となる。即ち、ベルヌーイチャック230により保持される被処理ウェハの面の表裏が反転した状態となる。その後、ベルヌーイチャック230を被処理ウェハWの非接合面Wを保持した状態でウェハ反転装置42から退避させる。
なお、検査装置6において接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは接合面洗浄装置40に搬送されることなくウェハ反転装置42にて被処理ウェハWの反転が行われるが、反転の方法については、上述の方法と同様である。
その後、被処理ウェハWを保持した状態でベルヌーイチャック230を水平軸回りに回動させ、被処理ウェハWを上下方向に反転させる。そして、被処理ウェハWは、非接合面Wが上方を向いた状態でベルヌーイチャック230により再び検査装置6に搬送され、非接合面Wの検査が行われる(図9の工程A6)。そして、非接合面Wにおいて接着剤Gの残渣が確認された場合、被処理ウェハWは搬送機構51によって非接合面洗浄部8cに搬送され、非接合面Wの洗浄が行われる(図9の工程A7)。次いで、洗浄された被処理ウェハWは、搬送機構51によって後処理ステーション4に搬送される。なお、検査装置6で接着剤Gの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハWは非接合面洗浄装置41に搬送されることなくそのまま後処理ステーション4に搬送される。
その後、後処理ステーション4において被処理ウェハWに所定の後処理が行われる(図9の工程A8)。こうして、被処理ウェハWが製品化される。
一方、欠陥のある重合ウェハTから剥離された欠陥のある被処理ウェハWは、工程A2で接合面Wが洗浄された後、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハWは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A9)。
被処理ウェハWに上述した工程A1〜A9が行われている間、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって第2の洗浄装置33に搬送される。そして、第2の洗浄装置33において、支持ウェハSの接合面Sが洗浄される(図9の工程A10)。なお、第2の洗浄装置33における支持ウェハSの洗浄は、上述した第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄と同様であるので説明を省略する。
その後、接合面Sが洗浄された支持ウェハSは、第1の搬送装置20によって搬入出ステーション2に搬送される。その後、支持ウェハSは、搬入出ステーション2から外部に搬出され回収される(図9の工程A11)。こうして、一連の被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、対向して設けられた第1の保持部270及び第2の保持部271と、第1の保持部と第2の保持部を相対的に移動させて接近、離隔させる移動機構272を有しているので、例えば搬送機構51により被処理ウェハWを第1の保持部270に搬送して被処理ウェハWの片面を第1の保持部270で保持させ、次いで、第1の保持部270と第2の保持部271を接近させて被処理ウェハWを第2の保持部271に受け渡すことで、被処理ウェハWにおける第1の保持部270で保持されていた面と反対側の面を第2の保持部271で保持することができる。換言すれば、保持部により保持される被処理ウェハWの面を入れ替えることができる。そして、搬送機構51により、第2の保持部271に保持された被処理ウェハをさらに保持することで、搬送機構51に保持された被処理ウェハWの裏表面が反転した状態となる。そして、本発明においては、第1の保持部270及び第2の保持部271にベルヌーイチャックが用いられているので、例えば研磨処理により薄型化された被処理ウェハWを、反りや割れを生じることなく表裏反転させることができる。
また、搬送機構51のベルヌーイチャック230を水平軸回りに回動させる、回動機構としての第1の駆動部232を有しているので、表裏反転させた被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック230をさらに水平軸回りに回動させることにより、被処理ウェハWを上下方向に反転させることができる。
以上の実施の形態では、第1の保持部270を昇降させることで、第1の保持部270と第2の保持部271を鉛直方向に相対的に接近、離隔したが、第1の保持部270と第2の保持部271を鉛直方向に相対的に接近、離隔させることができれば、その移動方法は本実施の形態に限定されない。例えば、第2の保持部271を鉛直方向に移動させてもよいし、あるいは、第1の保持部270と第2の保持部271の両方を鉛直方向に移動させてもよい。
また、以上の実施の形態では、第1の保持部270に被処理ウェハWを保持させ、次いで第2の保持部271に受け渡すことで被処理ウェハWの表裏面の反転を行ったが、先ず、第2の保持部271に被処理ウェハWを保持させ、次いで被処理ウェハWを第1の保持部270に受け渡すことで、当該被処理ウェハWを反転させてもよい。
また、以上の実施の形態によれば、剥離装置30において重合ウェハTを被処理ウェハWと支持ウェハSに剥離した後、第1の洗浄装置31において、剥離された被処理ウェハWを洗浄すると共に、第2の洗浄装置33において、剥離された支持ウェハSを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム1内で、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、被処理ウェハWの洗浄と支持ウェハSの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置30において被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離する間に、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において別の被処理ウェハWと支持ウェハSを処理することもできる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。
また、検査装置6において被処理ウェハWを検査することができるので、検査結果に基づいて剥離システム1における処理条件を補正することができる。したがって、被処理ウェハWと支持ウェハSをさらに適切に剥離することができる。
そして、接合面洗浄装置40及び非接合面洗浄装置41を備えた検査後洗浄ステーション8を有しているので、後処理の工程への、接着剤Gの残渣の持ち込みを抑制できる。また、検査後洗浄ステーション8がウェハ反転装置42を有しているので、剥離システム1内で効率的に剥離後の被処理ウェハWの接合面Wと非接合面Wの洗浄を効率的に行うことができる。
また、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWが正常な被処理ウェハWである場合、後処理ステーション5において当該被処理ウェハWに所定の後処理が行われ、製品化される。一方、剥離処理ステーション3で剥離された被処理ウェハWが欠陥のある被処理ウェハWである場合、当該被処理ウェハWは搬入出ステーション2から回収される。このように正常な被処理ウェハWのみが製品化されるので、製品の歩留まりを向上させることができる。また、欠陥のある被処理ウェハWを回収し、欠陥の程度によってはこの被処理ウェハWを再利用することもでき、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離から被処理ウェハWの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。
また、剥離装置30で剥離された支持ウェハSは、洗浄後、搬入出ステーション2から回収されるので、当該支持ウェハSを再利用することができる。したがって、資源を有効活用できると共に製造コストを低廉化することもできる。
また、剥離装置30では、重合ウェハTを加熱しながら、移動機構150によって下部チャック111と支持ウェハSを鉛直方向及び水平方向に移動させて、被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離している。このように鉛直方向及び水平方向の両方向に下部チャック111を移動させることによって、被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が微小な場合でも、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避することができる。したがって、電子回路の損傷を抑制し、被処理ウェハWと支持ウェハSの剥離処理を適切に行うことができる。
また、第2の搬送装置32と搬送機構51は被処理ウェハWを保持するベルヌーイチャック230を有しているので、被処理ウェハWが薄型化していても当該被処理ウェハWを適切に保持することができる。さらに、第2の搬送装置32と搬送機構51においては、被処理ウェハWの接合面Wがベルヌーイチャック230に保持されるが、ベルヌーイチャック230は非接触の状態で被処理ウェハWを保持できるため、被処理ウェハWの接合面W上の電子回路が損傷を被ることはない。
また、第1の洗浄装置31は被処理ウェハWを保持するポーラスチャック190を有しているので、被処理ウェハWが薄型化していても当該被処理ウェハを適切に保持することができる。
以上の実施の形態では、剥離装置30において下部チャック111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、上部チャック110を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、上部チャック110と下部チャック111の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
以上の剥離装置30において下部チャック111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、下部チャック111を水平方向のみに移動させ、当該下部チャック111の移動速度を変化させてもよい。具体的には、下部チャック111を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、下部チャック111を移動させ始める際には、被処理ウェハWと支持ウェハSとの接着面積が大きく、被処理ウェハW上の電子回路が接着剤Gの影響を受け易いため、下部チャック111の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハWと支持ウェハSとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハW上の電子回路が接着剤Gの影響を受け難くなるため、下部チャック111の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避し、電子回路の損傷を抑制することができる。
また、以上の実施の形態では、剥離装置30において下部チャック111を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハW上の電子回路と支持ウェハSとの間の距離が十分大きい場合には、下部チャック111を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、電子回路と支持ウェハSとの接触を回避できると共に、下部チャック111の移動の制御が容易になる。さらに、下部チャック111を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離させてもよく、下部チャック111の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離させてもよい。
なお、以上の実施の形態では、被処理ウェハWを上側に配置し、且つ支持ウェハSを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハWと支持ウェハSを剥離していたが、被処理ウェハWと支持ウェハSの上下配置を反対にしてもよい。
以上の実施の形態の第2の搬送装置32において、ベルヌーイチャック230の表面には、洗浄液を供給するための複数の供給口(図示せず)が形成されていてもよい。かかる場合、ベルヌーイチャック230から第1の洗浄装置31のポーラスチャック190に被処理ウェハWを受け渡す際、ベルヌーイチャック230から被処理ウェハWの接合面Wに洗浄液を供給して当該接合面Wを洗浄すると共に、ベルヌーイチャック230自体も洗浄することができる。そうすると、その後の第1の洗浄装置31における被処理ウェハWの洗浄時間を短縮することができ、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。しかも、ベルヌーイチャック230も洗浄できるので、次の被処理ウェハWを適切に搬送することができる。
以上の実施の形態では、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33の洗浄液ノズル203には2流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル203の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル203として、洗浄液を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば80℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
また、第1の洗浄装置31と第2の洗浄装置33において、洗浄液ノズル203に加えて、IPA(イソプロピルアルコール)を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル203からの洗浄液によって被処理ウェハW又は支持ウェハSを洗浄した後、被処理ウェハW又は支持ウェハS上の洗浄液をIPAに置換する。そうすると、被処理ウェハW又は支持ウェハSの接合面W、Sがより確実に洗浄される。
以上の実施の形態の剥離システム1において、剥離装置30で加熱された被処理ウェハWを所定の温度に冷却する温度調節装置(図示せず)が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハWの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
また、以上の実施の形態では、後処理ステーション4において被処理ウェハWに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば3次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、3次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを3次元に積層する技術である。この3次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
なお、以上の実施の形態では、研磨処理により薄型化した被処理ウェハWを反転させる場合について説明したが、本発明は薄型化される前の、通常のウェハを反転させる場合にも適用することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のFPD(フラットパネルディスプレイ)、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
1 剥離システム
2 搬入出ステーション
3 剥離処理ステーション
4 後処理ステーション
5 インターフェイスステーション
6 検査装置
7 搬送ステーション
8 検査後洗浄ステーション
9 ウェハ搬送領域
10 カセット載置台
20 第1の搬送装置
30 剥離装置
31 第1の洗浄装置
32 第2の搬送装置
33 第2の洗浄装置
40 接合面洗浄装置
41 非接合面洗浄装置
42 基板反転装置
50 搬送路
51 搬送機構
100 筐体
110 上部チャック
111 下部チャック
124 加熱機構
141 加熱機構
150 移動機構
190 ポーラスチャック
230 ベルヌーイチャック
250 筐体
251 搬入出口
260 排気口
261 排気装置
262 排気管
270 第1の保持部
271 第2の保持部
272 移動機構
300 制御部
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ

Claims (13)

  1. 基板の表裏面を反転させる基板反転装置であって、
    基板の片面を保持する第1の保持部と、
    前記第1の保持部に対向して設けられた、基板の片面を保持する第2の保持部と、
    少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、
    基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、
    前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われることを特徴とする基板反転装置。
  2. 前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持することを特徴とする、請求項1に記載の基板反転装置。
  3. 前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していることを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載の基板反転装置。
  4. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
    重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する第1の洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する第2の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
    前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送ステーションと、
    前記剥離処理ステーションと、当該剥離処理ステーションで剥離された被処理基板に所定の後処理を行う後処理ステーションとの間で、被処理基板を搬送するインターフェイスステーションと、
    前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、被処理基板を検査する検査装置と、
    前記インターフェイスステーションに隣接して設けられた、前記検査装置で検査された基板を洗浄する検査後洗浄ステーションと、
    を有し、
    前記検査後洗浄ステーションは、被処理基板の接合面を洗浄する接合面洗浄装置と、被処理基板の非接合面を洗浄する非接合面洗浄装置と、被処理基板の裏表面を反転させる基板反転装置を有し、
    前記基板反転装置は、
    被処理基板の片面を保持する第1の保持部と、
    前記第1の保持部に対向して設けられた、被処理基板の片面を保持する第2の保持部と、
    少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、
    被処理基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、
    前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における被処理基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われることを特徴とする、剥離システム。
  5. 前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持することを特徴とする、請求項4に記載の剥離システム。
  6. 前記基板反転装置は、前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していることを特徴とする、請求項4または5のいずれかに記載の剥離システム。
  7. 前記検査装置において被処理基板の接合面の検査を行い、
    検査で異常が発見された被処理基板の接合面を、前記接合面洗浄装置で洗浄した後、前記基板反転装置で反転させ、
    前記検査装置において、反転させた被処理基板の非接合面の検査を行い、
    検査で異常が発見された被処理基板の非接合面を、前記非接合面洗浄装置で洗浄するように、前記基板反転装置を制御する制御部を有することを特徴とする、請求項6に記載の剥離システム。
  8. 前記接合面洗浄装置及び前記非接合面洗浄装置は、被処理基板を保持するポーラスチャックを有することを特徴とする、請求項4〜7のいずれかに記載の剥離システム。
  9. 基板反転装置を用いて、基板の裏表面を反転させる基板反転方法であって、
    前記基板反転装置は、基板の片面を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部に対向して設けられた、基板の片面を保持する第2の保持部と、少なくとも前記第1の保持部又は前記第2の保持部を相対的に移動させて前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近、離隔させる移動機構と、基板の片面を保持して搬送する搬送機構と、を有し、
    前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構における基板の保持は、ベルヌーイチャックにより行われ、
    前記基板反転方法は、
    前記搬送機構により基板を前記第1の保持部に搬送して前記第1の保持部に当該基板の片面を保持させ、
    その後、移動機構により前記第1の保持部と前記第2の保持部を接近させ、基板を第2の保持部に受渡し、
    その後、第2の保持部に保持された基板を前記搬送機構により保持することを特徴とする、基板反転方法。
  10. 前記第1の保持部、前記第2の保持部及び前記搬送機構は、基板の片面の全面を保持することを特徴とする、請求項に記載の基板反転方法。
  11. 前記基板反転装置は、前記搬送機構を水平軸回りに回動させる回動機構を有していることを特徴とする、請求項9または10のいずれかに記載の基板反転方法。
  12. 請求項9〜11のいずかに記載の基板反転方法を基板反転装置によって実行させるために、当該基板反転装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
  13. 請求項12に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048043A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Ev Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Prozessierung von Wafern
JP6188123B2 (ja) 2012-12-28 2017-08-30 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合処理方法
JP6093328B2 (ja) * 2013-06-13 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102075994B1 (ko) * 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
JP6283573B2 (ja) * 2014-06-03 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9991150B2 (en) 2014-12-12 2018-06-05 Micro Materials Inc. Procedure of processing a workpiece and an apparatus designed for the procedure
CN104485294A (zh) 2014-12-12 2015-04-01 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆临时键合及分离方法
CN104979262B (zh) * 2015-05-14 2020-09-22 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆分离的方法
CN106710442B (zh) * 2015-10-21 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 背光源分离设备
DE102017103212A1 (de) * 2016-02-24 2017-09-21 Suss Microtec Lithography Gmbh Halbleiter-Bondungsvorrichtung und zugehörige Techniken
JP6616892B2 (ja) * 2016-04-26 2019-12-04 東芝三菱電機産業システム株式会社 成膜装置
CN107665848B (zh) * 2016-07-29 2020-08-25 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种解键合调平装置及解键合方法
WO2018171907A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for holding a substrate, method for loading a substrate into a vacuum processing module, and system for vacuum processing of a substrate
US10170443B1 (en) * 2017-11-28 2019-01-01 International Business Machines Corporation Debonding chips from wafer
US10553472B2 (en) * 2018-06-22 2020-02-04 Jabil Inc. Apparatus, system and method for providing a bernoulli-based semiconductor wafer pre-aligner

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0165467B1 (ko) 1995-10-31 1999-02-01 김광호 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
TW484184B (en) * 1998-11-06 2002-04-21 Canon Kk Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method
JP3981241B2 (ja) * 2000-06-09 2007-09-26 株式会社ハーモテック 旋回流形成体および非接触搬送装置
JP2002208625A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体ウェハの薄化処理方法
JP4605332B2 (ja) * 2001-03-07 2011-01-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板重ね合わせ装置
JP4545996B2 (ja) 2001-07-03 2010-09-15 株式会社アイテック ロボットハンドの駆動装置
JP2004296777A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Oki Electric Ind Co Ltd ワーク吸着装置及びワーク吸着方法
JP2005085882A (ja) 2003-09-05 2005-03-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4130167B2 (ja) * 2003-10-06 2008-08-06 日東電工株式会社 半導体ウエハの剥離方法
JP4401322B2 (ja) * 2005-04-18 2010-01-20 日東電工株式会社 支持板分離装置およびこれを用いた支持板分離方法
CN101390197B (zh) * 2006-02-22 2011-02-23 株式会社荏原制作所 基板处理装置、基板搬运装置、基板把持装置以及药液处理装置
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP4616873B2 (ja) * 2007-09-28 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム
JP2009088304A (ja) * 2007-10-01 2009-04-23 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5487740B2 (ja) * 2009-06-10 2014-05-07 株式会社ニコン 重ね合わせ装置、位置合わせ装置、基板貼り合わせ装置および重ね合わせ方法
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
JP5374462B2 (ja) * 2010-08-23 2013-12-25 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5552462B2 (ja) * 2010-08-23 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5455987B2 (ja) * 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

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