JP4616873B2 - 半導体製造装置、基板保持方法及びプログラム - Google Patents
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Description
基板を載置する載置台が設けられ、真空雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えられるロードロック室と、
前記ロードロック室を介して搬送室に接続された、基板に真空雰囲気で加熱処理を行うための真空処理モジュールと、
前記搬送室に設けられた、キャリアとロードロック室との間で基板を受け渡すための第1の基板搬送手段と、
前記ロードロック室と真空処理モジュールとの間で基板を受け渡すための第2の基板搬送手段と、を備え、
前記第1の基板搬送手段は、
基板の裏面に対向する基板保持面を備えた基板保持部と、
前記基板保持面上に複数設けられ、各々基板の裏面を支持し、基板との摩擦力によって当該基板の前記基板保持面に対する横滑りを防止する凸部と、
前記基板保持面に開口し、基板の裏面に向けてガスを吐出するガス吐出口と、
その一端が前記ガス吐出口に接続されると共にその他端がガス供給源に接続されたガス流路と、
前記ガス流路を流通するガスを温度調整する温度調整部と、
を備え、
基板の裏面に吐出された前記ガスは基板保持面と基板との隙間を流れ、その隙間の圧力が低下するベルヌーイ効果により、当該基板が基板保持部へ向けて吸引されることにより基板を保持し、
基板をロードロック室からキャリアに搬送するときに前記ガス吐出口からのガスにより当該基板を冷却するように前記温度調整部を制御する制御部を備えたことを特徴とする。
前記ロードロック室を介して搬送室に接続された、基板に真空雰囲気で加熱処理を行うための真空処理モジュールと、
前記載置部に載置されたキャリアとロードロック室との間で基板を受け渡すために前記搬送室に設けられ、基板保持部とこの基板保持部の基板保持面上に複数設けられた凸部とを備えた第1の基板搬送手段と、
ロードロック室と真空処理モジュールとの間で基板を受け渡すための第2の基板搬送手段と、を備えた半導体製造装置における基板保持方法において、
前記第1の基板搬送手段の基板保持面にその表面が対向するように基板を前記凸部上に載置し、これら凸部と基板との摩擦力によって当該基板の前記基板保持面に対する横滑りを防止すると共に基板の裏面に向けて前記基板保持面に開口したガス吐出口からガスを吐出する工程と、
その一端が前記ガス吐出口に接続されると共にその他端がガス供給源に接続されたガス流路を流通するガスを温度調整部により温度調整する工程と、
基板の裏面に吐出された前記ガスが基板保持面と基板との隙間を流れ、その隙間の圧力が低下するベルヌーイ効果により、当該基板が保持部へ向けて吸引されることにより基板保持部により基板を保持する工程と、
基板をロードロック室からキャリアに搬送するときに前記ガス吐出口からのガスにより当該基板を冷却するように前記温度調整部を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述の基板保持方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の基板保持装置の第1の実施の形態として基板であるウエハを搬送する装置する搬送装置に適用した例について説明する。搬送装置1は、ベルヌーイ効果を利用したベルヌーイチャックを用いてウエハWを吸着し、搬送を行うものであり、そのベルヌーイ効果を得るために大気雰囲気中に設けられる。図1は搬送装置1の斜視図であり、この図に示すように搬送装置1は、その先端側がウエハWを保持するウエハ保持部(ピック)31と中段アーム部11と旋回アーム部12とを備えている。ウエハ保持部31の基端側は中段アーム部11の先端側に、中段アーム部11の基端側は旋回アーム部12の先端側に夫々鉛直軸回りに回転自在に連結されており、搬送装置1は周知の関節型(スカラ型)搬送アームとして構成されている。また、旋回アーム部12の基端側は基台13に鉛直軸回りに回転自在に接続されている。
続いて第2の実施形態として本発明の基板保持装置をウエハWの位置合わせ手段であるオリエンタ5に適用した例について、夫々その縦断面図、横断平面図である図5、図6を参照しながら説明する。オリエンタ5は、筐体51と、筐体51内を上部室52及び下部室53に仕切る仕切り板54と、を備えており、筐体51の側壁にはウエハWを搬入出するための搬送口55が開口している。筐体51内は大気雰囲気に構成されている。上部室52にはベルヌーイチャックとして構成された円形のペデスタル6が水平に設けられており、ペデスタル6は下部室53側に設けられた回転駆動機構56にシャフト57を介して接続され、鉛直軸回りに回転できるように構成されている。
1 搬送機構
10A 制御部
20 駆動機構
31 基板保持部
34 吐出口
35 パッド
4 温度調整部
43 加熱部
44 冷却部
5 オリエンタ
6 ペデスタル
8 半導体製造装置
Claims (8)
- 基板を収納したキャリアが載置される載置部を備えた大気雰囲気の搬送室と、
基板を載置する載置台が設けられ、真空雰囲気と、大気雰囲気との間で切り替えられるロードロック室と、
前記ロードロック室を介して搬送室に接続された、基板に真空雰囲気で加熱処理を行うための真空処理モジュールと、
前記搬送室に設けられた、キャリアとロードロック室との間で基板を受け渡すための第1の基板搬送手段と、
前記ロードロック室と真空処理モジュールとの間で基板を受け渡すための第2の基板搬送手段と、
を備え、
前記第1の基板搬送手段は、
基板の裏面に対向する基板保持面を備えた基板保持部と、
前記基板保持面上に複数設けられ、各々基板の裏面を支持し、基板との摩擦力によって当該基板の前記基板保持面に対する横滑りを防止する凸部と、
前記基板保持面に開口し、基板の裏面に向けてガスを吐出するガス吐出口と、
その一端が前記ガス吐出口に接続されると共にその他端がガス供給源に接続されたガス流路と、
前記ガス流路を流通するガスを温度調整する温度調整部と、
を備え、
基板の裏面に吐出された前記ガスは基板保持面と基板との隙間を流れ、その隙間の圧力が低下するベルヌーイ効果により、当該基板が基板保持部へ向けて吸引されることにより基板を保持し、
基板をロードロック室からキャリアに搬送するときに前記ガス吐出口からのガスにより当該基板を冷却するように前記温度調整部を制御する制御部を備えたことを特徴とする半導体製造装置。 - 前記基板保持部を鉛直軸回りに回転自在とし且つ進退自在とするための作動機構を備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記作動機構は、前記基板保持部と共に関節型アームを構成するものである請求項2記載の半導体製造装置。
- 前記作動機構の内部に前記ガス流路が形成されていることを特徴とする請求項2または3記載の半導体製造装置。
- 前記温度調整部は、ガス流路を流通するガスを加熱する加熱部と、ガス流路を流通するガスを冷却する冷却部と、を備え、
前記ガス流路はその下流側が互いに合流する第1の分岐路と、第2の分岐路と、を備え
前記第1の分岐路と前記第2の分岐路との一方に前記加熱部が設けられており、他方に前記冷却部が設けられることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の半導体製造装置。 - 前記ガス流路は、バルブ及びマスフローコントローラを備えた流量制御部を備え、
前記制御部は、前記流量制御部の動作を制御して、前記ガス吐出口から吐出されるガス流量を制御することを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の半導体製造装置。 - 基板を収納したキャリアが載置される載置部を備えた大気雰囲気の搬送室と、基板を載置する載置台が設けられ、真空雰囲気、大気雰囲気が夫々切り替えられるロードロック室と、
前記ロードロック室を介して搬送室に接続された、基板に真空雰囲気で加熱処理を行うための真空処理モジュールと、
前記載置部に載置されたキャリアとロードロック室との間で基板を受け渡すために前記搬送室に設けられ、基板保持部とこの基板保持部の基板保持面上に複数設けられた凸部とを備えた第1の基板搬送手段と、
ロードロック室と真空処理モジュールとの間で基板を受け渡すための第2の基板搬送手段と、を備えた半導体製造装置における基板保持方法において、
前記第1の基板搬送手段の基板保持面にその表面が対向するように基板を前記凸部上に載置し、これら凸部と基板との摩擦力によって当該基板の前記基板保持面に対する横滑りを防止すると共に基板の裏面に向けて前記基板保持面に開口したガス吐出口からガスを吐出する工程と、
その一端が前記ガス吐出口に接続されると共にその他端がガス供給源に接続されたガス流路を流通するガスを温度調整部により温度調整する工程と、
基板の裏面に吐出された前記ガスが基板保持面と基板との隙間を流れ、その隙間の圧力が低下するベルヌーイ効果により、当該基板が保持部へ向けて吸引されることにより基板保持部により基板を保持する工程と、
基板をロードロック室からキャリアに搬送するときに前記ガス吐出口からのガスにより当該基板を冷却するように前記温度調整部を制御する工程と、
を備えたことを特徴とする基板保持方法。 - 半導体製造装置に用いられるプログラムであって、
請求項7に記載された基板保持方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とするプログラム。
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