CN110945638B - 半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质 - Google Patents

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Abstract

提供一种即使在基板发生了异常的状况下，检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。根据本发明的一个实施方式，提供如下技术，具有：将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序；在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序；和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。

Description

半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质
技术领域
本发明涉及用于处理半导体器件等基板的半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质。
背景技术
公知如下基板处理装置(以下也简称为处理装置)，具有多层地保持基板(以下也称为晶片)的基板保持件(以下也称为舟皿)、和将基板移载到该舟皿的移载机，在舟皿中保持有多个基板的状态下通过处理炉对基板进行处理。在该处理装置中，在处理炉内升温时，或在从处理炉取出而冷却时，由于热应力而存在基板产生裂纹、翘曲等异常的情况。在该裂纹或翘曲处于无法通过基板自动搬送机构自动搬送的级别的情况下，取出放入基板的基板保持体(以下也称为镊子)会与基板发生碰撞而推倒舟皿，导致例如损坏石英制部件等重大事故。
为了解决这个问题，可以想到设置检测基板状态的机构。例如，在专利文献1中，记载有如下内容：在移载机上设置光电传感器，使用移载机的上下轴来移动光电传感器，检测基板保持件的基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开2005-031851号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种即使在基板发生异常的状况下，检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。
根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序；在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序；和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。
发明效果
根据本发明，能够保持以往结构而不伴随难度改造，检测基板状态的机构不与基板接触地进行基板的检测。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的立体图。
图2是图1所示的基板处理装置的侧面透视图。
图3是表示作为本发明的一个实施方式的移载信息检测机构的一个例子的晶片异常检测装置的解说图。
图4涉及本发明的一个实施方式，是表示控制多个基板处理装置的基板处理系统的控制器的一个例子的图。
图5涉及本发明的一个实施方式，是表示基板处理系统的控制器的一个例子的框图。
图6是表示使用了图3所示的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。
图7是表示图6所示的使用了晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。
图8A是表示使用了适合用于本发明的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。
图8B是表示使用了适合用于本发明的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。
图9是用于说明适合用于本发明的一个实施方式的晶片检测动作的图。
图10是表示适合用于本发明的一个实施方式的基板处理顺序例的图。
具体实施方式
在实施本发明的最佳方案中，基板处理装置为对基板进行氧化、扩散处理、CVD处理等的纵式基板处理装置(以下也简称为处理装置)，例如，用作半导体器件(IC)的制造方法中的处理装置。
如图1及图2所示，在基板处理装置100中，作为收纳多枚基板(晶片)200的搬运器而使用基板收纳容器(以下称为晶片盒)110。在基板处理装置100的壳体111的正面壁111a的正面前方部，作为用于能够进行维护的开口部而开设有正面维护口103。在正面维护口103上，为了对其进行开闭而分别搭建有正面维护门104、104。在壳体111的正面壁111a上以将壳体111的内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口112。晶片盒搬入搬出口112通过前挡板113而进行开闭。
在晶片盒搬入搬出口112的正面前方侧，设置有装载口114。装载口114构成为载置晶片盒110并进行对位。晶片盒110通过工序内搬送装置(未图示)被搬入到装载口114上，且还被从装载口114上搬出。
在壳体111内的前后方向的大致中央部，设置有旋转式晶片盒架105。旋转式晶片盒架105构成为保管多个晶片盒110。即，旋转式晶片盒架105具备垂直地立起设置且在水平面内间歇旋转的柱116、和在上中下层的各位置处呈放射状支承于柱116的多张架板(基板收纳器载置台)117，各架板117构成为在分别载置多个晶片盒110的状态下对其进行保持。
在壳体111内的装载口114与旋转式晶片盒架105之间，设置有晶片盒搬送装置118，晶片盒搬送装置118由能够在保持着晶片盒110的状态下升降的晶片盒升降机(晶片盒升降机构)118a和晶片盒搬送机构118b构成，晶片盒搬送装置118构成为通过晶片盒升降机118a和晶片盒搬送机构118b的连续动作，在与装载口114、旋转式晶片盒架105、晶片盒打开器121之间搬送晶片盒110。
在壳体111内的前后方向的大致中央部中的下部，到达后端地构建有副壳体119。在副壳体119的正面壁119a上沿垂直方向上下二层排列地开设有一对用于将作为基板的晶片200相对于副壳体119内搬入搬出的晶片搬入搬出口120，在上下层的晶片搬入搬出口120、120上分别设置有一对晶片盒打开器121、121。晶片盒打开器121具备载置晶片盒110的载置台122、和装拆晶片盒110的盖(盖体)的盖装拆机构123。晶片盒打开器121构成为通过盖装拆机构123对载置于载置台122的晶片盒110的盖进行装拆，从而对晶片盒110的晶片取放口进行开闭。
副壳体119构成被相对于晶片盒搬送装置118、旋转式晶片盒架105的设置空间(以下也称为晶片盒搬送空间)流体性隔绝的移载室124。在移载室124的前侧区域设置有晶片移载机构125，晶片移载机构125由能够将晶片200沿水平方向旋转或直线移动的晶片移载装置125a及用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。
如图3所示，在晶片移载装置125a上安装有用于检测晶片200的移载状态的晶片异常检测装置(以后也称为晶片检测装置)400。例如，如图3所示，晶片异常检测装置400由能够旋转地安装于晶片移载装置125a的两侧部的一对检测臂401、401、和用于使一对检测臂401、401旋转驱动的致动器(未图示)构成。在检测臂401上，设有晶片位置检测传感器S1(以后称为传感器S1)和晶片飞出检测传感器S2(以后称为传感器S2)。像这样，即使发生晶片飞出也能够基于传感器S2进行检测。此外，舟皿217的图示省略。
如图1示意地所示，晶片移载装置升降机125b设置在耐压壳体111右侧端部与副壳体119的移载室124前方区域右端部之间。通过这些晶片移载装置升降机125b及晶片移载装置125a的连续移动体，构成为将晶片移载装置125a的镊子(基板保持体)125c作为晶片200的载置部，对舟皿(基板保持件)217进行晶片200的装填(装入)及回收(卸下)。
在移载室124的后侧区域，构成有收纳舟皿217并使其待机的待机部126。在待机部126的上方，设有处理炉202，处理炉202的下端部构成为通过炉口挡板(炉口开闭机构)147进行开闭。另外，在耐压壳体111右侧端部与副壳体119的待机部126右端部之间设置有用于使舟皿217升降的舟皿升降机115。在与舟皿升降机115的升降台连结的作为连结件的臂128上，水平地安装有作为盖体的密封盖219。并且，在密封盖219设有使舟皿217旋转的舟皿旋转机构129。
密封盖219构成为垂直地支承舟皿217，且能够封堵处理炉202的下端部。舟皿217具备多根作为保持部件的支柱220，该支柱220具有用于多层地支承多个晶片200的开槽(槽)，构成为将多枚(例如50～200枚左右)晶片200在对齐其中心且沿垂直方向排列的状态下，分别水平地保持于舟皿217的开槽。
在移载室124的作为与晶片移载装置升降机125b侧及舟皿升降机115侧相反的一侧的左侧端部，以供给作为清洁化后的环境气体或非活性气体的洁净空气133的方式设置有由供给风扇及防尘过滤器构成的洁净单元134，在晶片移载装置125a与洁净单元134之间，虽然未图示，但设置有调整晶片200的圆周方向的位置的作为基板调整装置的缺口对齐装置135。
构成为从洁净单元134吹出的洁净空气133在从缺口对齐装置135及晶片移载装置125a、处于待机部126的舟皿217流通后，被未图示的管道吸入，向壳体111的外部进行排气，或者循环至洁净单元134的作为吸入侧的一次侧(供给侧)，再次通过洁净单元134向移载室124内吹出。
接下来，参照图1及图2说明本发明的基板处理装置100的动作。当将晶片盒110供给到装载口114时，晶片盒搬入搬出口112通过前挡板113而被打开，装载口114的上方的晶片盒110被晶片盒搬送装置118从晶片盒搬入搬出口112搬入到壳体111的内部。
被搬入的晶片盒110通过晶片盒搬送装置118被自动地搬送并交付到旋转式晶片盒架105的所指定的架板117，在被暂时保管后，被从架板117移载到载置台122或者被从装载口114直接移载到载置台122。
载置于载置台122的晶片盒110的开口侧端面被按压于副壳体119的正面壁119a中的晶片搬入搬出口120的开口缘边部，并且晶片盒110的盖被盖装拆机构123拆下，晶片取放口打开。当晶片盒110的晶片取放口被晶片盒打开器121打开后，晶片200被晶片移载装置125a的镊子125c从晶片盒110通过晶片取放口拾取，在利用未图示的缺口对齐装置调整晶片200后，将其向处于移载室124的后方的待机部126搬入，装填于舟皿217。将晶片200交付到舟皿217的晶片移载装置125a返回到晶片盒110，将下一个晶片200装填于舟皿217。
在该一方(上层或下层)的载置台122中基于晶片移载机构125进行晶片200向舟皿217的装填作业中，在另一方(下层或上层)的载置台122通过晶片盒搬送装置118从旋转式晶片盒架105移载有其他的晶片盒110，同时进行基于晶片盒打开器121对晶片盒110的打开作业。
当晶片200向舟皿217的装入结束后，通过晶片异常检测装置400检测移载信息。此时，如图3所示，晶片异常检测装置400为在晶片移载装置125a上设有两个检测臂401的结构。如图6所示，检测臂401被插入到舟皿217上的晶片下方，以通过检测臂401夹入晶片的方式配置，然后，通过晶片移载装置125a的上下移动，依次被移动到晶片下表面的多个晶片裂纹检测点。
由此，晶片200的有无通过传感器S1的遮光进行检测，晶片200的飞出通过传感器S2的遮光进行检测。另外，根据遮光时的阈值检测舟皿开槽位置是否恰当，根据各点的位移量(挠曲)的比较或各晶片裂纹检测点处的位移量与容许应力之间的关系求出晶片200的裂纹。此外，在图6中省略镊子125c。
在插入舟皿217时，将处理炉202的下端部通过对其进行开闭的炉口挡板147打开。接着，保持着多枚晶片200的密封盖219通过舟皿升降机115上升，由此通过舟皿217向处理炉202内的插入而将晶片200搬入到炉内。
在搬入晶片200后，通过处理炉202对晶片200实施任意处理，例如氧化、成膜、扩散处理等。在处理后，除通过未图示的缺口对齐装置135进行的晶片200的调整工序、和舟皿217卸载后的晶片200的异常检测工序以外，大致按照上述相反的步骤，将晶片200及晶片盒110搬出到装置外、即壳体111的外部。
在后述的卸载后的晶片异常检测工序中，在从舟皿217拔出处理完毕的晶片200前，检测晶片异常(例如晶片裂纹)。例如，在检测到晶片裂纹的情况下，通过上述晶片移载装置125a将移载状态异常的晶片(以下称为异常晶片)200及周边晶片装入到与晶片盒110不同的搬送容器中。然后，将没有裂纹的正常的晶片200从晶片盒217卸下(被回收)。
在本实施方式中，记载了以在卸载后实施晶片异常检测工序的方式进行设定的情况，但本发明并不限定于该情况。例如，也可以在将晶片200装填到舟皿217后且在对基板进行处理前，实施晶片异常检测工序。若像这样设定，则由于能够在将晶片200装载到处理炉202内之前进行晶片裂纹的检测，所以能够将因晶片裂纹引起的事故、例如停工等的损失防患于未然。另外，晶片异常检测工序能够在将晶片200装填到舟皿217后、和从热处理后的舟皿217回收晶片200前这两种情况下进行。若像这样设定，则由于是在热处理前获取到作为基准的数据后再在热处理后实施晶片异常检测工序，所以能够以最佳的条件进行晶片裂纹检测。
如图4所示，在基板处理系统300，设有管理用或解析用计算机302，在基板处理装置100设有工艺模块控制器(以下称为PMC：Process Module Controller)310。PMC310为了进行通信而经由LAN等通信线路304与管理用或解析用计算机302连接。通常，管理用计算机302进行多个基板处理装置100的运用管理，解析用计算机302用于对从多个基板处理装置100发送的数据进行解析，通常，被设置在洁净室外。
如图5所示，控制器构成为具有主控制部312、副控制部314，主控制部312由输入输出装置306、CPU316、作为存储机构的存储部317、进行与管理用或解析用计算机302之间的数据的发送接收的发送接收处理部322、和进行CPU316与副控制部314的I/O控制的I/O控制部324构成。此外，管理用或解析用计算机302的结构与主控制部312大致相同。
副控制部314例如由以下部分构成：温度控制部326，其通过设于处理炉202的外周部的加热器(未图示)将处理室201内的温度控制成基板处理温度；气体控制部328，其基于来自设于处理炉202的气体配管340的MFC(质量流量控制器)342的输出值(质量流量控制器的检测值)控制向处理炉202内供给的反应气体的供给量等；压力控制部330，其通过基于设于处理炉202的排气配管344的压力传感器346的输出值(检测值)控制阀348的开闭或开度而将处理炉202的处理室201内的压力控制成基板处理压力；搬送控制部350，其控制基板的搬送系统的致动器；和异常判定部351，其基于上述晶片异常检测装置400的检测值判定晶片200的移载状态。另外，异常判定部351也可以被组入到搬送控制部350内。
存储部317例如由ROM(Read Only Memory，只读存储器)318、RAM(Random AccessMemory，随机存取存储器)320、硬盘HD构成，保存控制方案及各种程序、参照数据。另外，在本实施方式中，将预先测定的后述的主数据保存到存储部317中。作为参照数据，保存有各晶片200的晶片独立信息、晶片类别信息、晶片移载信息、晶片移载状态的修正信息。在此，晶片独立信息是指例如将包含示出晶片200的批次序号的批次ID、示出晶片盒110的开槽插入位置的舟皿开槽No、用于使晶片200插入到舟皿217中的所指定的舟皿217的开槽中的舟皿开槽No、晶片类别的多个信息作为一组进行编辑的编辑后的数据。另外，晶片类别信息是指表示晶片的类别的信息，具体地说，表示生产晶片、监视器晶片、侧虚设晶片、补充虚设晶片等晶片类别的信息。晶片移载信息是指从各晶片200的独立信息得到的表示舟皿217上的晶片200的移载状态的信息。而且，在晶片200的移载信息中，包含对基于设于检测臂401的传感器S1检测出的检测数据和预先测定出的主数据进行比较而由上述异常判定部351判定出的判定结果的信息。该信息(晶片200的异常信息)大致区分为晶片移载状态的正常或异常。在移载状态异常的情况下，具有如下示出具有异常的状态的信息：晶片200相对于舟皿217的开槽的插入深度浅而晶片200从舟皿217飞出的状态(以下称为晶片飞出)、在晶片200中产生裂纹的状态(以下称为晶片裂纹)、没有插入到所指定的舟皿217的开槽而是插入到其他的舟皿217的开槽的状态(以下称为开槽错误)、晶片200残留于晶片移载装置125a侧而所指定的舟皿217的开槽成为空开槽的状态(以下称为空开槽)等。在正常的情况下，具有示出无异常的状态的信息。另外，晶片200的移载状态的修正信息是指晶片200的移载信息中的、在异常的情况下通过修正进行修改后的信息。移载状态的修正是为了在通过维护恢复移载状态后，将基板处理装置的硬件侧的数据和控制器侧的系统上的数据匹配而需要的。
输入输出装置306具有：显示部334，其使保存于存储部317的数据等显示；输入部332，其受理来自显示部334的操作画面的由操作员(使用者)输入的输入数据(输入指示)；暂时存储部335，其在被输入部332受理的输入数据通过后述的显示控制部336发送到发送接收处理部322之前的期间暂时存储该输入数据；和显示控制部336，其受理来自输入部332的输入数据(输入指示)，将该输入数据向显示部334或发送接收处理部322发送。
显示控制部336构成为，经由发送接收处理部322受理通过CPU316使保存于存储部317的多个控制方案中的任意的控制方案执行的指示(执行指示)，显示部334构成为，使控制方案的选择、编辑及执行的各画面、指令的执行画面、还原的执行画面、基板处理装置100的运行状态的监视器画面等为了进行基板处理而所需的各种显示画面显示到操作画面上。
当执行在操作画面上通过输入输出装置306生成或编辑后的控制方案时，控制方案的设定值按照各步骤的顺序被副控制部314参照，通过基板处理装置的基板搬送系统、基板处理系统的致动器的反馈控制，实施基板处理，例如基板的氧化、扩散、成膜处理。
搬送控制部350构成为，在将晶片200向舟皿217移载时，或在从舟皿217向晶片盒110移载晶片200时，参照预先保存于存储部317的每个晶片200的晶片独立信息(晶片ID)，控制晶片移载装置125a和舟皿升降机115的晶片200的搬送系统、晶片的移载系统。另外，搬送控制部350构成为，当将舟皿217装入到处理炉202内时，遵照执行中的控制方案，控制舟皿旋转机构129而以规定速度使舟皿217旋转。
异常判定部351在执行控制方案而对晶片200进行处理之后且在将舟皿217从处理炉202搬出之后，或者在将晶片200装填到舟皿217中并将该舟皿217搬入到处理炉202内之前，基于由晶片异常检测装置400对每个晶片200检测出的结果，判定晶片200的移载状态。
如图6所示，在本实施方式中，通过以检测臂401夹持晶片200而检测晶片200。由此，能够确认在舟皿217上预定枚数的晶片是否无倾斜/裂纹/飞出/两枚重叠等异常地载置于规定位置(槽)。但是，如图7所示，当发生晶片200的飞出时，存在晶片与检测臂401或晶片移载装置125a碰撞或接触而损害变大的情况。
如图7所示，舟皿217有三根(或四根)支柱220，在晶片移载装置125a能够对舟皿217移载的位置(进行移载的位置)进行了晶片200的检测。由于具有支柱220，所以在发生了晶片飞出的情况下，会朝向晶片移载装置125a的方向飞出。若为某种程度的飞出，则晶片200会收于检测臂401内，而能够由传感器S2检测。
另外，若飞出的晶片200与检测臂401碰撞，则甚至会对其他晶片200造成影响，损害变大。
(第1实施方式)根据本实施方式，如图8A所示，使舟皿217旋转规定角度，通过检测臂401进行检测。具体地说，对于晶片200飞出的部位，由于能够通过设于检测臂401的传感器S1检测为无晶片，所以也能够与裂开的晶片同样地确认异常这种情况。此外，为了能够通过传感器S1进行检测，而需要使舟皿旋转机构129动作且预先获取裂纹检测位置数据来作为主数据。与图6同样地在图8B中，也能够确认在舟皿217上预定枚数的晶片是否无异常(倾斜/裂纹/飞出/两枚重叠)地载置于规定位置(槽)。由此，能够与晶片飞出无关地，进行基板裂纹检测。
像这样，根据本实施方式，利用舟皿旋转机构129，使舟皿217旋转规定角度，在舟皿217的支柱220与支柱220之间且传感器S1不会与晶片200和支柱220发生碰撞的部位(即能够通过传感器S1进行检测的位置)，基于晶片检测装置400进行裂纹检测动作，由此即使在晶片200飞出的状态下也能够与晶片200不接触地进行检测。例如，以晶片移载装置125a相对于舟皿217成为作为支柱220之间的中心的位置的方式，使舟皿217旋转规定角度。
(实施例1)接着，列举使用本实施方式的基板处理装置100来实施作为半导体器件的制造工序之一的基板处理工序的情况为例进行说明。在实施例1中，构成为在卸载舟皿后执行基于晶片异常检测装置400的检测臂401进行的检测动作。此外，构成为主控制部312执行图10所示的基板处理顺序。
在实施基板处理工序时，与应实施的基板处理相对应的基板处理控制方案(工艺控制方案)例如被展开到主控制部312内的存储器317中。并且，根据需要，从主控制部312向温度控制部326、气体控制部328、压力控制部330、搬送控制部350等的副控制部314下达动作指示。像这样实施的基板处理工序至少具有搬入工序、成膜工序和搬出工序。在本实施方式中，基板处理工序包含移载工序(后述的向基板处理装置100的基板投入工序)和回收工序。
(S101：基板投入工序)主控制部312构成为，当受理了来自外部管理计算机等的基板投入指示后，开始基板处理顺序。具体地说，当将晶片盒110从外部搬送装置载置到装载口114时，主控制部312向搬送控制部350发送将晶片盒110保存于旋转式晶片盒架105的基板投入工序的开始指示(投入指示)。搬送控制部350使晶片盒搬送装置118进行装载口114与旋转式晶片盒架105之间的晶片盒110的搬送。
(S102：移载工序)接着，从主控制部312对搬送控制部350发出晶片移载机构125的驱动指示。并且，晶片移载机构125一边遵照来自搬送控制部350的指示，一边开始晶片200的从载置台122上的晶片盒110向舟皿217的移载处理。该移载处理进行至预定的所有晶片200完成向舟皿217的装填(晶片装入)为止。
(S103：搬入工序)当将指定枚数的晶片200装填到舟皿217后，舟皿217通过遵照来自搬送控制部350的指示进行动作的舟皿升降机115而上升，被装入(舟皿装载)于形成在处理炉202内的处理室201。当舟皿217被完全装入后，舟皿升降机115的密封盖219将处理炉202的歧管的下端气密地封堵。
(S104：处理工序)然后，处理室201一边遵照来自压力控制部330的指示，一边以成为规定的处理压力(真空度)的方式通过真空排气装置进行真空排气。另外，处理室201一边遵照来自温度控制部326的指示，一边以成为规定的温度的方式通过加热器进行加热。接着，一边遵照来自搬送控制部350的指示，一边开始基于旋转机构129实现的舟皿217及晶片200的旋转。并且，在被维持成规定的压力、规定的温度的状态下，向保持于舟皿217的多枚晶片200供给规定的气体(处理气体)，对晶片200进行规定的处理(例如成膜处理)。
(S105：搬出工序)当针对载置于舟皿217的晶片200的成膜工序完成后，一边遵照来自搬送控制部350的指示，然后一边使基于舟皿旋转机构129实现的舟皿217及晶片200的旋转停止，通过舟皿升降机115使密封盖219下降而使歧管的下端开口，并且将保持处理完毕的晶片200的舟皿217向处理炉202的外部搬出(舟皿卸载)。
(S106：回收工序)然后，保持处理完毕的晶片200的舟皿217通过从洁净单元134吹出的洁净空气133而被极有效地冷却。并且，例如当被冷却到150℃以下时，基于晶片异常检测装置400进行晶片检测，若无特别异常，则从舟皿217将处理完毕的晶片200拆卸(晶片卸下)。在处理完毕的晶片200移载到晶片盒110后，进行新的未处理晶片200向舟皿217的移载。
如图9所示，关于本实施方式中的基于晶片异常检测装置400进行的晶片检测，将相对于舟皿217能够载置晶片的位置从基准点(0°)向舟皿217的旋转方向(图9所示的箭头的朝向)旋转规定角度A(或B)而使其向裂纹检测位置移动。然后，使设于晶片移载装置125a的检测臂401滑动而使其以夹入晶片200的方式配置，进行上述的图8B所示那样的测定。
此外，该舟皿217的旋转方向(R轴方向)的裂纹检测位置的数据作为主数据而预先获取。也就是说，作为裂纹检测位置而事先获取旋转到规定角度A及规定角度B的位置时的双方数据。而且，以能够通过在晶片移载装置125a所具备的检测臂401上设置的传感器S1检测晶片的方式进行示教，且事先将晶片移载装置125a的能够移载晶片的位置的数据获取为主数据。这些主数据被保存在存储部317中。
像这样，搬送控制部350能够以可进行晶片移载的位置为基准使用舟皿旋转机构129来使舟皿217向裂纹检测位置旋转，关于异常判定部351，由于在舟皿217的支柱220之间传感器S1能够在不会与支柱220发生碰撞的部位进行晶片检测，所以即使在晶片200飞出的状况下也能够不与晶片200接触地检测晶片200的载置状态。
基于本实施方式中的晶片异常检测装置400进行的晶片检测的结果为，在具有发生了异常的晶片200的情况下，异常判定部351构成为，根据异常的内容使搬送控制部350从舟皿217拆卸(晶片卸下)处理完毕的晶片200。即使异常为晶片飞出，异常判定部351也能够通过上述的图8B所示那样的测定，根据基于传感器S1检测出的检测结果为无晶片200的检测结果判定晶片200飞出的部位。
根据本实施方式，即使晶片200发生异常，也会将发生了异常的晶片200、或者发生了异常的晶片200及其上下的晶片200取下，当消除异常原因后，异常判定部351解除晶片异常。并且，搬送控制部350以从舟皿217回收其他正常的处理完毕的晶片200的方式控制晶片移载机构125。由此，能够减少因异常(尤其是晶片飞出)对正常的处理完毕的晶片200造成的损害。
并且，从舟皿217收纳于晶片盒110的处理完毕的晶片200在从载置台122暂时保存于旋转式晶片盒架105后，被向装置外回收。在此，主控制部312构成为当所有的处理完毕的晶片200被从舟皿217向晶片盒110搬送后，结束基板处理顺序。而且，也可以是，回收工序包含从旋转式晶片盒架105搬送至装载口114的工序、和从装载口114将在基板处理中使用的晶片盒110向装置外搬出的工序，主控制部312结束基板处理顺序。
(变形例1)在实施例1中，基于晶片异常检测装置400进行的晶片检测是使舟皿217旋转规定角度A(或B)来进行基板的检测，但基于本实施方式中的晶片异常检测装置400进行的晶片检测构成为，在与实施例1同样地使舟皿217旋转规定角度A(或B)而进行了晶片裂纹检测后，进一步使舟皿217旋转至规定角度B的位置(使其旋转规定角度B-规定角度A)而进行晶片裂纹检测。由此，当然会起到上述实施例1中的效果。而且，与实施例1相比能够检测晶片200所发生的细微的变化(例如晶片200的一部分欠缺)。
(变形例2)在发生了晶片飞出的情况下无法在晶片移载位置处基于晶片异常检测装置400进行晶片检测，因此在实施例1中，在使舟皿217旋转规定角度A(或B)后进行检测。此时，若发生了晶片飞出，则如图7所示无法进行晶片检测。但是，若没有发生晶片飞出，则能够在晶片移载位置处基于晶片异常检测装置400进行晶片检测。
因此，本实施方式中的基于晶片异常检测装置400进行的晶片检测也可以在使舟皿217旋转规定角度A而进行了晶片裂纹检测后，进一步使舟皿217反转(或者旋转360°-规定角度A)规定角度A，返回到晶片移载位置而进行晶片裂纹检测。由此，当然会起到上述实施例1中的效果。而且，与实施例1相比能够检测晶片200所发生的细微的变化(例如晶片200的一部分欠缺)。另外，在进行晶片检测后，无需使舟皿217返回至基准位置(图9的左侧的图)，因此若没有异常则能够立刻回收处理完毕的晶片200。
(实施例2)本实施方式中的基于晶片异常检测装置400进行的晶片检测是在基板处理工序中的移载工序后且在搬入工序前进行的。由此，能够在将晶片200向处理炉202搬入前，检测晶片200的异常，因此能够进行除去发生了异常的晶片200的处理或与虚设晶片的更换处理、或者若为轻微的飞出则向支柱220装填晶片200的处理。
像这样，在本实施方式中，能够在向处理炉202搬入前，根据检测出的异常的内容进行恢复处理，保持将其他正常的晶片200装填于舟皿217的状态进行接下来的搬入工序，因此能够减少异常晶片200的影响且持续进行基板处理。
另外，在本实施方式中，当然能够不妨碍实施例1而与实施例1进行组合。另外，也能够与上述变形例1及变形例2中的某一方进行组合。另外，能够与从这些实施例1、变形例1、变形例2选择的至少一例进行组合。
(实施例3)在基板处理工序中的移载工序前或回收工序前，确认移载装置125a的镊子125c的间距。若间距的确认结果为检测到异常，则在消除该异常之前无法进行移载工序(晶片装入工序)和回收工序(晶片卸下工序)的晶片200的搬送动作。
由此，由于能够预防晶片200搬送中的异常(例如镊子125c向晶片200的碰撞、晶片200的落下等)，所以能够不停止搬送地处理晶片200，其结果为能够期待提高装置运转率。此外，通过不妨碍包含各变形例的实施例1或实施例2的实施而与它们组合地实施，能够起到包含上述各变形例的实施例1或实施例2的效果。
(实施例4)在基板处理工序中的移载工序中，将载置于移载装置125a的镊子125c的晶片200装填于舟皿217的开槽(槽)，移载装置125a以预先指定的距离暂时停止，确认晶片200是否载置于镊子125c。在确认后，使移载装置125a移动至原来的位置。
由此，能够预防因镊子125c中有无滑动晶片导致的搬送异常。例如，即使镊子125c中具有滑动晶片(即使在镊子125c上载置有晶片200)也不会移动至原来的位置(搬送开始时的位置)而停止移载装置125a，因此能够预防晶片200落下。另外，能够检测有可能成为虽然不至于落下但会导致晶片200飞出或晶片偏移的原因的滑动晶片。另外，在具有滑动晶片的情况下，能够不移动至原来的位置而选择再次装填到舟皿217的动作。
像这样，移载装置125a从初始位置(原来的位置)移动至装填位置，在将晶片200装填到舟皿217后，以从装填位置相距非初始位置的预先指定的距离暂时停止，由此能够不需要传感器等而预防搬送异常。
此外，本实施方式通过不妨碍包含各变形例的实施例1至实施例3的实施而与它们组合地实施，也能够起到上述的包含各变形例的实施例1至实施例3的效果。
本实施方式中的控制器并不限于构成为专用计算机的情况，也可以构成为通用计算机。例如通过准备保存有上述程序的外部存储装置(例如USB存储器等半导体存储器等)，且使用该外部存储装置来将程序安装于通用计算机等，而能够构成本实施方式的控制器。但是，用于向计算机供给程序的手段并不限于经由外部存储装置供给的情况。例如，也可以使用因特网和专用线路等通信手段，不经由外部存储装置地供给程序。作为存储装置的存储器317和外部存储装置构成为计算机可读的记录介质。以下，也将它们总括地简称为记录介质。在本说明书中使用了记录介质这一术语的情况下，存在仅包含存储装置317单方的情况、仅包含外部存储装置单方的情况、或者包含它们双方的情况。
此外，本发明的实施方式中的基板处理装置100不仅能够在制造半导体的半导体制造装置中适用，也能够在处理LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示屏)装置那样的玻璃基板的装置中适用。另外，当然也能够适用于曝光装置、光刻装置、涂布装置、利用了等离子体的处理装置等各种基板处理装置。
工业实用性
适用于具备检测基板的移载状态的基板检测机构的基板处理装置。
附图标记说明
100…基板处理装置。

Claims (12)

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；和在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的工序。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
还具有使所述基板保持件旋转第2规定角度而对载置于所述基板保持件的所述基板的裂纹进行检测的工序。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
还具有使所述基板保持件反转所述规定角度而对载置于所述基板保持件的所述基板的裂纹进行检测的工序。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有对保持于所述基板保持件的所述基板及配置有所述基板保持件的移载室进行冷却的冷却工序，在所述冷却工序后，使所述基板保持件旋转规定角度。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有将多个所述基板移载到所述基板保持件的工序，在移载的工序后且在搬入的工序前，使所述基板保持件旋转规定角度。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有将多枚基板载置于基板保持体并经由所述基板保持体将所述基板移载到所述基板保持件的移载工序，当在所述移载工序之前所述基板保持体发生了异常时，在消除所述异常之前不移载所述基板。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为通过所述移载装置在从初始位置移动至装填位置后返回了预先指定的距离时暂时停止，其中在所述装填位置将所述基板从所述基板保持体装填到所述基板保持件。
8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；和在搬入所述基板保持件的工序前在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的工序。
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，
具有：将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬出到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的第1工序；和在能够移载所述基板的位置对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的第2工序。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为在搬出的工序后，与所述第2工序相比优先实施所述第1工序。
11.一种记录介质，可由计算机读取，记录有在基板处理装置中执行的程序，该基板处理装置具备：旋转机构，其使保持多个基板的基板保持件旋转；移载机构，其具有保持所述基板的基板保持体；搬送控制部，其在所述移载机构与所述基板保持件之间控制所述基板的搬送；和异常检测装置，其对保持于所述基板保持件的基板的移载状态进行检测，所述记录介质的特征在于，利用所述程序通过计算机使所述基板处理装置执行以下步骤：
将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的步骤；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的步骤；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的步骤；和在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的步骤。
12.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
旋转机构，其使保持多个基板的基板保持件旋转；移载机构，其具有保持所述基板的基板保持体；搬送控制部，其在所述移载机构与所述基板保持件之间控制所述基板的搬送；异常检测装置，其对保持于所述基板保持件的基板的移载状态进行检测；和主控制部，其构成为控制所述移载机构、所述旋转机构、所述异常检测装置和所述搬送控制部，以使得将载置有所述基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内，向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理，在对所述基板进行处理后，使所述基板保持件从所述反应管搬出，在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下检测载置于所述基板保持件的所述基板。
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