CN101399217A - 基板保持装置及保持方法、半导体制造装置及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板保持装置及保持方法、半导体制造装置及存储介质。其中，基板保持装置包括：具有与基板背面相对的基板保持面的基板保持部；支承各基板的背面并利用与基板的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑的凸部；在上述基板保持面上开口并向基板背面排出气体的气体排出口；对在一端与上述气体排出口相连接的气体流路中流通的气体进行温度调整的温度调整部；排出到基板背面的上述气体在基板保持面与基板之间的间隙中流动，利用该间隙中的压力降低的伯努利效应来向基板保持部吸引该基板，从而保持基板。该基板保持装置可以应用于基板搬运部件、基板对位部件。

Description

基板保持装置及保持方法、半导体制造装置及存储介质
技术领域
本发明涉及一种在大气环境中保持基板的基板保持装置、基板保持方法、采用了基板保持装置的半导体制造装置以及存储了对上述基板保持装置的动作进行控制的程序的存储介质。
背景技术
在制造半导体器件、液晶显示装置等平板(flat panel)的工序中，将半导体晶圆(以下称作晶圆)、玻璃基板这样的基板收容在搬运器上后将其搬入到半导体制造装置(也包括平板的制造装置)的搬入口处，利用该装置内的搬运臂将基板自搬运器上取出而搬运到处理单元。
作为上述半导体制造装置的一个例子，有被称作多室系统的装置，该装置包括大气环境的第1搬运室、真空环境的第2搬运室、加载互锁真空室(load lock chamber)；上述第1搬运室与上述搬入口相连接；上述第2搬运室与进行蚀刻处理、CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相沉积法)的成膜处理的多个处理单元相连接，为这些处理单元共用；上述加载互锁真空室设置在第1搬运室与第2搬运室之间，用于切换真空环境以及大气环境并使晶圆待机。在上述第1搬运室、第2搬运室中分别设有构成为使其前端的晶圆保持部(拾取器)保持晶圆背面的多关节搬运臂，另外，第1搬运室与具有用于进行晶圆对位的定位器(orientation)的校准室相连接。上述定位器借助保持晶圆的中央背面的支架(pedestal)(平台)对晶圆进行对位，使晶圆绕铅直轴线旋转后使形成在该晶圆周缘的槽口朝向规定的方向。
自搬运器搬出的晶圆在由定位器进行对位后由各搬运臂搬运到处理单元接受处理，之后停留在加载互锁真空室中被冷却，之后再将晶圆搬回到搬运器上。之所以这样在将晶圆冷却之后再搬回到搬运器上，是因为当将高温的晶圆搬入到搬运器上时，构成搬运器的成分有可能会成为颗粒飞散而附着在晶圆上。
但是，事实上在被加热到某一规定温度的晶圆上很难附着颗粒，另外还有这样的要求：在将晶圆搬运到上述进行CVD的处理单元之前，对晶圆进行加热，使附着的有机物飞散而将其除去，防止在所形成的膜中混入有杂质以及缩短晶圆搬回到上述搬运器之前、在加载互锁真空室中的冷却时间，从而来提高生产率。根据上述情况研究了，在搬运臂以及定位器上设置具有晶圆的加热部件和冷却部件的温度调整功能，在晶圆的搬运过程中以及晶圆的对位过程中进行温度调整。
另外，作为半导体制造装置，除了多室系统之外还有在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀剂工序中所使用的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置通常与曝光装置相连接，在将抗蚀剂涂敷到晶圆上后，将晶圆搬入到曝光装置中，曝光处理结束后对自曝光装置搬回来的晶圆进行显影处理。在涂敷抗蚀剂之后、搬入到曝光装置中之前，需要根据曝光装置内的温度来将晶圆调整到规定的温度例如23℃，另外，在涂敷抗蚀剂之后、曝光处理之前，需要利用上述定位器使晶圆对位。因而，通过在涂敷显影装置上设置具有上述温度调整功能的定位器，可以同时进行晶圆的对位和温度调整，可以谋求提高生产率，因此很有利。
作为构成这样的温度调整功能的加热部件，例如将片状的电热丝加热器分别贴在搬运臂的晶圆保持部与晶圆的接触部分、定位器的支架的与晶圆的接触部分，另外，作为构成温度调整功能的冷却部件，例如在与上述晶圆的接触部分形成液体的制冷剂的流路，使该制冷剂在流路中流通。
但是，为了将晶圆搬运到半导体制造装置的各室内，将搬运臂的晶圆保持部的旋转角度设得较大，并且为了检测晶圆的槽口需要使定位器的支架至少旋转360度，该旋转角度也较大。这样，在将上述加热器安装在旋转角度大的定位器的支架上进行配线时，存在上述配线会因该旋转而在地面拉拽，从而使配线磨损易断的问题。另外，在将加热器安装在搬运臂的晶圆保持部上时，晶圆保持部的重量增加而施加向搬运臂的各部的负荷变大，除了有可能增大零件的磨损之外，还可能因晶圆保持部的厚度增大而需要改变搬运目的地的各单元的设计，因此不实用。
并且，在如上所述地在上述晶圆保持部以及上述支架上形成制冷剂流路的情况下，需要有防止制冷剂泄露的对策，因此不实用，另外，在上述晶圆保持部上形成有该流路的情况下，除了产生上述那样的问题之外，还会有与设置加热器的情况相同地、晶圆保持部的厚度以及重量增加这样的问题。另外，在专利文献1中虽然记载有关节型的搬运臂，但未记载上述问题。
专利文献1：日本特开2000-72248
发明内容
本发明是基于上述问题而做成的，其目的在于提供可以在大气环境中、在搬运基板期间、对基板进行对位期间对该基板进行温度调整的基板保持装置、具有基板保持装置的半导体制造装置、基板保持方法、存储用于实施该方法的程序的存储介质。
本发明的基板保持装置的特征在于，包括基板保持部、凸部、气体排出口、气体流路和温度调整部；
上述基板保持部具有与基板背面相对的基板保持面；
上述凸部在上述基板保持面上设置有多个，用于支承各基板的背面，并利用与基板之间的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑；
上述气体排出口在上述基板保持面上开口，向基板背面排出气体；
上述气体流路的一端与上述气体排出口相连接，并且另一端与用于将气体供给到该气体排出口的气体供给源相连接；
上述温度调整部对在上述气体流路中流通的气体进行温度调整；
该基板保持装置通过这样保持基板，即，排出到基板背面的上述气体在基板保持面与基板之间的间隙中流动，利用该间隙的压力降低的伯努利效应向基板保持部吸引该基板，从而保持基板。
上述基板保持部可以具有用于使基板保持部可绕铅直轴线自由旋转且可自由进退的工作机构，在该情况下，上述工作机构也可以与上述基板保持部共同形成关节型臂。另外，也可以在上述工作机构的内部形成有上述气体流路。另外，上述基板可以是半导体晶圆，上述基板保持部可以构成为用于检测半导体晶圆的朝向并使该朝向与预先设定的朝向一致的旋转台。
本发明的基板保持方法的特征在于，包括以下工序：
自在上述基板保持面上开口的气体排出口向载置在凸部上的基板的背面排出气体的工序，上述凸部在与设于基板保持部上的基板的背面相对的基板保持面上设置有多个，用于支承各基板的背面，并利用与基板之间的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑；
利用温度调整部对在气体流路中流通的气体进行温度调整的工序，上述气体流路的一端与上述气体排出口相连接，并且其另一端与气体供给源相连接；
利用基板保持部保持基板的工序，排出到基板背面的上述气体在基板保持面与基板之间的间隙中流动，利用该间隙的压力降低的伯努利效应朝向保持部吸引该基板，从而保持基板。
本发明的半导体制造装置的特征在于，包括大气环境的第1搬运室、加载互锁真空室、真空处理单元、第1基板搬运部件和第2基板搬运部件；
上述大气环境的第1搬运室具有用于载置收容了基板的搬运器的载置部；
上述加载互锁真空室设有用于载置基板的载置台，并分别切换真空环境、大气环境；
上述真空处理单元通过上述加载互锁真空室与第1搬运室相连接，用于对基板进行真空处理；
上述第1基板搬运部件设置在上述第1搬运室中，用于在搬运器与加载互锁真空室之间交接基板；
上述第2基板搬运部件用于在加载互锁真空室与真空处理单元之间交接基板；
上述第1基板搬运部件的特征在于由上述本发明的基板保持装置构成。上述第1搬运室与具有用于进行基板对位的基板对位部件的校准室相连接，上述基板对位部件也可以由构成为上述旋转台的基板保持装置构成。
本发明的存储介质是存储了基板保持装置所使用的程序的存储介质，其特征在于，上述程序为了执行上述基板保持方法而编排步骤。
本发明的基板保持装置设置有自气体排出口向支承在凸部上的基板的背面排出气体并利用伯努利效应来吸引并保持基板的基板保持部、和在与该气体排出口相连接的气体流路中流通的气体的温度调整部，因此可以在基板保持过程中调整该基板的温度。例如将本发明应用在设置于半导体制造装置上的基板搬运部件、基板对位部件上，从而与分别进行基板加热和基板搬运的情况、分别进行基板加热和基板对位的情况相比，可以谋求提高生产率，另外，在上述搬运过程中、对位过程中将基板设定成规定温度，从而可以抑制颗粒附着在该基板上。
附图说明
图1是本发明实施方式的搬运装置的立体图。
图2是上述搬运装置的纵剖侧视图。
图3是设置在上述搬运装置上的晶圆保持部的俯视图。
图4是上述晶圆保持部的纵剖侧视图。
图5是本发明实施方式的定位器的纵剖侧视图。
图6是上述定位器的横剖俯视图。
图7是应用了上述搬运装置以及定位器的半导体制造装置的俯视图。
图8是上述半导体制造装置的纵剖侧视图。
具体实施方式
第1实施方式
作为本发明的基板保持装置的第1实施方式，说明适用于搬运作为基板的晶圆的搬运装置的例子。搬运装置1采用利用了伯努利效应的伯努利卡盘来吸附晶圆W并进行搬运，为了获得该伯努利效应而将搬运装置1设置在大气环境中。图1是搬运装置1的立体图，如该图所示，搬运装置1包括其前端侧保持晶圆W的晶圆保持部(拾取器)31、中段臂部11和回转臂部12。晶圆保持部31的基端侧绕铅直轴线自由旋转地与中段臂部11的前端侧相连接，中段臂部11的基端侧绕铅直轴线自由旋转地与回转臂部12的前端侧相连接，搬运装置1构成为周知的关节型(标量型)搬运臂。另外，回转臂部12的基端侧绕铅直轴线自由旋转地与基台13相连接。
图2表示晶圆保持部31的基端侧、中段臂部11、回转臂部12以及基台13的纵剖侧面，如该图所示，中段臂部11以及回转臂部12构成为以铝制的壳体11a、12a为主体。在壳体11a内的空间11b中收容有连结晶圆保持部31和中段臂部11的旋转轴21a及支承轴21b，在壳体12a内的空间12b中收容有连结中段臂部11和回转臂部12的旋转轴22a及支承轴22b。
另外，设置在回转臂部12的基端侧上的旋转轴23以及回转轴24与用于使上述轴23、24分别独立地绕铅直轴线旋转的、例如由电动机构成的驱动机构20相连接。另外，图中25a、25b是同步带(Timing belt)，26a、26b、26c、26d是皮带轮，它们起到作为传递来自上述驱动机构20的驱动力的传递机构的作用。在互相可旋转地连结的构件彼此之间插入安装有例如由轴承构成的轴承部27a～27g。
采用上述结构，在使回转轴24停止的状态下驱动旋转轴23时，回转臂部12以及晶圆保持部31向同一方向旋转，另一方面，中段臂部11向抵消上述旋转的方向进行反向旋转。其结果是，通过组合上述动作，搬运装置1进行使晶圆保持部31如图1中虚线所示那样地前后伸缩的动作。与此相对，在向同一方向驱动旋转轴23和回转轴24时，搬运装置1不进行上述伸缩动作，而是进行使回转臂部12向水平方向的回转动作。上述伸缩动作的晶圆保持部31的停止位置由搬运装置1开始伸开动作到停止为止的驱动机构20的驱动量(例如电动机的旋转量)来控制，该驱动机构20的动作由后述的控制部1A来控制。
在中段臂部11前端侧的支承轴21b、回转臂部12前端侧的支承轴22b、回转轴24上分别设置有形成在轴向上的作为空洞部的配管通路28a、28b、28c。图中23a、24a、13a是分别形成在旋转轴23、回转轴24、基台13上的贯穿孔。另外，在皮带轮26b上开口有与配管通路28b以及空间11b相连通的孔26c。
在晶圆保持部31的基端侧上连接有空气供给管41的一端，空气供给管41的另一端被自设置在晶圆保持部31基端侧的空间32经过配管通路28a引导到空间11b内，再顺次经过孔26c、配管通路28b引导到空间12b内后导入到配管通路28c内。然后，导入到配管通路28c的空气供给管41的另一端顺次经过贯穿孔24a、贯穿孔23a引出到旋转轴23的外部，再经过贯穿孔13a引出到基台13的外部后分支成空气供给管41a以及空气供给管41b。空气供给管41a的端部、空气供给管41b的端部分别通过加热部43、冷却部44与储存有干燥空气的气体供给源45相连接。
另外，在空气供给管41a、41b中，在气体供给源45与加热部43之间以及气体供给源45与冷却部44之间安装有由阀、质量流量控制器(mass flow controller)等构成的流量控制部46。
加热部43以及冷却部44构成温度调整部4，加热部43构成为在空气流通路上设置加热器，利用控制部1A控制向该加热器供给的电力，并且控制在空气供给管41a中通过的空气的温度。冷却部44构成为热交换器的第二流路，例如通过利用控制部1A调整该制冷剂的流通量来控制该热交换器的在第二流路中流动的制冷剂与在第一流路中流动的制冷剂之间的交换热量，并且以此来控制空气供给管41b的气体的温度。另外，控制部1A借助流量控制部46来控制分别在空气供给管41a、41b中流通的空气的流量。
在搬运装置1的内部，为了使空气供给管41不会因各旋转轴21a、22a、23、回转轴24等的旋转而被拉伸、断开，由具有弹性的构件例如橡胶等形成空气供给管41，另外，在形成卷绕部或使其松弛的状态下配置配管。
接下来，再参照图3以及图4说明晶圆保持部31。图3、图4分别是晶圆保持部31的俯视图、纵剖侧视图。该晶圆保持部31由例如陶瓷、铝等构成，且具有例如前端侧被分成两岔的叉子形状。如下所述，晶圆保持部31构成为伯努利卡盘，图4中L1所示的晶圆保持部31的厚度例如是2mm～4mm。在晶圆保持部31的内部形成有自该晶圆保持部31的基端侧向前端侧延伸的空气流路33，在晶圆保持部31的上表面31a上开口有多个与该流路33相连通的气体排出口34。流路33的基端侧与上述空气供给管41相连接，因而，由加热部43加热后的空气或者由冷却部44冷却后的空气会自排出口34排出。如图4所示，各气体排出口34的口径L2为5mm～20mm。
在晶圆保持部31的上表面设有多个作为凸部的棒状垫片35，如下所述地将晶圆W的背面按压到该垫片35上。为了防止该晶圆W在晶圆保持部31进退以及绕铅直轴线旋转时在垫片35上横向打滑而落下，垫片35由相对于晶圆W的背面的摩擦力较大的材质构成，在晶圆W的背面由硅构成的情况下，垫片优选由例如橡胶、树脂、陶瓷等构成。图4中L3所示的该垫片35的高度是0.5mm～2mm。
在该搬运装置1上设有例如由计算机构成的控制部1A。该控制部1A具有由程序、存储器、CPU构成的数据处理部等，上述程序将控制信号自控制部1A发送到搬运装置1的各部，使搬运装置1可以实施后述的步骤，搬运晶圆W并且控制该晶圆W的温度。另外，例如在存储器上具备写入处理压力、处理时间、气体流量、电力值等处理参数值的区域，CPU在执行程序的各命令时读出上述处理参数，将与该参数值相应的控制信号发送到该搬运装置1的各部位。该程序(也包括与处理参数的输入操作、显示相关的程序)存储在计算机存储介质例如软盘、光盘、MO(光磁盘)等存储部1B中，该存储部1B安装在控制部1A上。
接下来说明上述实施方式的作用。在搬运装置1自规定的单元(搬运起点单元)向规定的单元(搬运目的地单元)搬运晶圆W的情况下，如上所述，利用驱动部20借助中段臂部11以及回转臂部12使晶圆保持部31绕铅直轴线旋转以及进退，转到载置在搬运起点单元上的晶圆W的背面。在将晶圆W载置在垫片35上时，被控制为规定温度的空气自气体排出口34以规定流量排出，如图4中箭头所示，该气体在晶圆W的背面与晶圆保持部31的上表面之间的间隙36中横向流动。因此，间隙36的压力降低而成为负压，相对于晶圆W上方侧的大气压产生压力差，因此有朝向下方侧的力作用在晶圆W上。由此，晶圆W的背面被按压在垫片35上部，该晶圆W被保持在晶圆保持部31上。在晶圆W被保持在该晶圆保持部31上的期间内，晶圆W被曝露在自气体排出口34排出的空气中进行温度调整。
利用温度调整部4将上述空气的温度调整为当时搬运晶圆W时所需要的晶圆W的温度。例如，为了应对抑制颗粒附着在进行蚀刻、成膜处理之前的晶圆W上的这一要求，利用加热部43将空气加热到规定温度后再自排出口34排出。或者在晶圆W进行热处理(包括蚀刻、成膜处理等)后搬回到搬运器上的中途，为了应对搬运过程中冷却晶圆W并缩短冷却晶圆W所需时间的要求时，利用冷却部44将空气冷却到规定温度后再自排出口34排出。另外，空气的温度调整并不限于使空气仅通过加热部43、冷却部44的一方的情况，也可以在使气体分流到两方后再合流，调整由加热部43加热的加热温度和由冷却部44冷却的冷却温度，将自排出口34供给到晶圆W的空气的温度调整到所需的温度。
然后，在将晶圆W向搬运目的地单元搬运时，例如设置在该搬运目的地单元上的升降销以大于晶圆W的朝向下方侧的力的力将晶圆W向上方推起而将晶圆W拉离晶圆保持部31，并将晶圆W交接到搬运目的地单元。
采用上述实施方式，自搬运装置1的晶圆W的保持面31a向晶圆W的背面侧排出空气并利用伯努利效应吸引并保持该晶圆W，并且对该空气进行温度调整，因此，可以在晶圆W的搬运过程中根据要求对该晶圆W进行加热或者冷却。因而可获得在搬运过程中抑制颗粒附着这样的效果，或者与分别进行晶圆W的搬运和温度调整例如冷却的情况相比，通过高效地调整晶圆W的温度可获得谋求提高生产率这样的效果。
另外，在上述的搬运装置1中，无需在晶圆保持部31上设置加热器、液体制冷剂流通的流路、用于防止该制冷剂泄露的机构，可利用简单的机构对晶圆W进行加热以及冷却。
第2实施方式
接下来作为第2实施方式，一边分别参照图5的定位器5的纵剖视图、图6的定位器5的横剖俯视图一边说明将本发明的基板保持装置适用于作为晶圆W的对位部件的定位器5的例子。定位器5包括壳体51、将壳体51内分隔成上部室52以及下部室53的隔板54，在壳体51的侧壁上开口有用于搬入晶圆W和搬出晶圆W的搬运口55。壳体51内为大气环境。在上部室52上水平设有构成为伯努利卡盘的圆形支架6，支架6构成为借助轴57与设置在下部室53侧的旋转驱动机构56相连接，且可绕铅直轴线旋转。
在支架6内形成有空气流路61，流路61与在支架6的上表面62上开口的多个气体排出口63相连通。另外，在支架6的上表面设有与上述垫片35同样结构的垫片64，在自排出口63排出空气的状态下将晶圆W的中央部背面载置在垫片64上时，与上述搬运装置1同样地利用伯努利效应而对晶圆W作用有朝向下方的力，将晶圆W按压到垫片64上地保持水平晶圆W。
空气供给管71的一端在支架6的流路61上开口，空气供给管71的另一端例如通过形成在轴57内的配管通路58，再引出到轴57的外部，被分支成空气供给管71a、空气供给管71b，空气供给管71a的端部通过加热部73以及流量控制部76与气体供给源75相连接，空气供给管71b的端部通过冷却部74以及流量控制部76与气体供给源75相连接。加热部73、冷却部74、气体供给源75、流量控制部76分别与加热部43、冷却部44、气体供给源45、流量控制部46同样地构成，由加热部73以及冷却部74构成温度调整部7。
另外，在壳体51内设有用于检测载置在支架6上的晶圆W的周缘位置的检测机构67。该检测机构67由发光部65和受光部66构成，上述发光部65设置在下部室53侧、由例如LED构成，上述受光部66设置在上部室52侧、由例如CCD传感器构成，自上述发光部65放出的光通过形成在上述隔板54上的孔部54a入射到受光部66，受光部66将与入射的光量相对应的信号输出到控制部5A。
控制部5A与控制部1A同样地构成，执行存储在存储部5B中的程序，并控制定位器5的各部的动作，如下所述地对晶圆W进行对位以及调整自支架6排出的空气的流量和温度。
当例如上述搬运装置1等未图示的晶圆搬运机构将晶圆W通过搬运口55搬运到壳体51内、并将该晶圆W的中央部载置在支架6上时，自排出口34排出的被控制为规定温度的空气如图5中箭头所示地在晶圆W背面与支架6的上表面62之间的间隙6A中横向流动，该间隙6A的压力降低而成为负压。然后，相对于晶圆W上方侧的大气压产生压力差，将晶圆W按压到垫片64上，从而晶圆W被保持在支架6上。接下来，控制部5A通过旋转驱动机构56使晶圆W旋转大致一周，在此期间根据入射到受光部66的光量的变化来检测出形成在晶圆W周缘部的槽口N的位置，使旋转驱动机构56动作以使槽口N朝向规定方向。在对该槽口N进行对位期间，晶圆W与搬运装置1的情况同样地曝露于在其背面流动的空气中，将晶圆W的温度调整到例如可抑制颗粒附着那样的规定温度例如30℃～50℃。在该槽口N的对位结束时，未图示的搬运机构将晶圆W推上去自支架6拉开该晶圆W，并将该晶圆W向壳体51的外部搬运。
采用这样的定位器5，可以在晶圆W的对位过程中对其进行温度调整，因此可以抑制颗粒的附着。另外，如下所述，通过将这样的定位器5应用于半导体制造装置，可以谋求提高生产率。
接下来，说明应用了上述搬运装置1以及定位器5的半导体制造装置的一个例子。图7、图8分别是被称作多室系统的半导体制造装置8的俯视图、纵剖俯视图。半导体制造装置8包括例如3个搬运器载置台81、第1搬运室82、加载互锁真空室83、第2搬运室84和例如4个处理单元85a～85d；上述搬运器载置台81用于载置存储规定张数作为处理对象的晶圆W的搬运器C；上述第1搬运室82在大气环境下搬运晶圆W；上述加载互锁真空室83用于将室内切换成大气环境和真空环境而使晶圆W待机，例如左右排列2个；上述第2搬运室84在真空环境下搬运晶圆W；上述处理单元85a～85d用于对搬入的晶圆W实施工艺处理。
上述设备按照第1搬运室82、加载互锁真空室83、第2搬运室84、处理单元85a～85d的顺序沿晶圆W的搬入方向排列，相邻的设备彼此之间借助门G1、闸阀G2～G4气密地连接。另外，在下述说明中将第1搬运室82的某一朝向作为跟前侧进行说明。
如图8所示，载置在搬运器载置台41上的搬运器C通过门G1与第1搬运室82相连接，该门G1起到开闭搬运器C的盖的作用。另外，在第1搬运室82的顶部具有由向室内送入大气的风扇和对该大气进行净化的过滤器构成的风扇过滤单元82a，并在与该顶部相对的底部具有排气单元82b，从而在第1搬运室82内形成净化空气的下降气流。
在第1搬运室82内设有与上述搬运装置1相对应的搬运装置10A。该搬运装置10A为与搬运装置1同样的结构，但其基台13构成为利用未图示的驱动机构沿着第1搬运室82的长度方向自由移动且自由升降，使搬运装置10A可以如下所述地在校准室86与搬运器C之间交接晶圆W。另外，在第1搬运室82的侧面上设置有具有上述定位器5的校准室86。
左右2个加载互锁真空室83具有载置搬入的晶圆W的载置台83a，并与用于将各加载互锁真空室83切换成大气环境和真空环境的未图示的真空泵以及放气阀相连接。
如图7所示，第2搬运室84的平面形状形成为例如六边形，跟前侧的2边与上述的加载互锁真空室83相连接，并且其余4边与处理单元85a～85d相连接。在第2搬运室84内设置有用于在真空环境中、在加载互锁真空室83与各处理单元85a～85d之间搬运晶圆W的、可自由旋转以及自由伸缩的第2搬运装置87，另外，第2搬运室84与用于将第2搬运室84内部保持成真空环境的未图示的真空泵相连接。
处理单元85a～85d与未图示的真空泵相连接，并可以在真空环境下进行工艺处理、例如由蚀刻气体进行的蚀刻处理、采用了CVD等的成膜气体的成膜处理、由灰化气(ashing gas)进行的灰化处理等，处理单元85a～85d例如包括处理容器91、用于载置晶圆W的载置台92、将工艺气体供给到处理容器91内的气体喷淋头93。另外，在载置台92上设有在处理晶圆W时将载置在载置台92上的晶圆W加热到规定温度的加热器94。
在各处理单元85a～85d中进行的工艺处理的内容互相可以相同，也可以进行不同的处理。另外，搬运装置10A、87、处理单元85a～85d等与统一控制半导体制造装置8整体动作的控制部8A相连接。控制部8A为与上述控制部1A同样的结构，可以执行存储在存储部8B中的编排了步骤组的程序，该程序可以实施后述的半导体制造装置8的作用。
接下来，说明半导体制造装置8中的晶圆W的搬运路径。收容在搬运器载置台81上的搬运器C上的晶圆W由搬运装置10A自搬运器C取出，搬运到第1搬运室82、接着搬运到校准室86，并且由搬运装置10A加热到规定的温度例如40℃。搬运到校准室86的晶圆W被定位成其槽口N朝向规定的方向，并且由支架6继续调整到上述规定温度，晶圆W定位后由搬运装置10A交接到左右任一加载互锁真空室83进行待机。
然而，若加载互锁真空室83内为真空环境，则晶圆W由搬运装置87自加载互锁真空室83取出并搬运到第2搬运室84内，搬运到任一处理单元85a～85d。然后，将晶圆W载置在该处理单元85a～85d的载置台92上，并加热到规定温度后接受规定的工艺处理。在此，在处理单元85a～85d中进行不同的连续处理的情况下，晶圆W一边在处理单元85a～85d与第2搬运室84之间往返一边被搬运到连续处理所需的处理单元85a～85d间。
在处理单元85a～85d结束了必要处理后的晶圆W，通过搬运装置87交接到左右任一加载互锁真空室83中进行待机。然后，若加载互锁真空室83内成为真空环境，并且将晶圆W的温度冷却到规定的温度，则搬运装置10A再次将晶圆W向搬运器C搬运，并在该搬运过程中将晶圆W冷却到规定温度例如60℃。
采用这样的半导体制造装置8，由于在搬运装置10A的搬运过程中以及在校准室86中的定位期间对晶圆W进行加热，因此可以抑制颗粒附着在晶圆W上，因此可以抑制产品合格率的降低。另外，在处理单元85a～85d对晶圆W进行例如CVD的情况下，在进行该CVD之前调整晶圆W的温度，除去附着的有机物，因此可以形成杂质较少的膜，可以抑制产品合格率的降低。另外，将在处理单元85a～85d加热到高温的晶圆W在加载互锁真空室83冷却时，在晶圆W返回到搬运器C之前由搬运装置10A对晶圆W进行温度调整，因此，与不带有这样的温度调整功能的搬运装置相比，搬运装置10A可以将晶圆W保持较高温度地自加载互锁真空室83取出。即，由于缩短了在加载互锁真空室83的冷却时间，因此可以谋求提高生产率。
另外，在搬入到处理单元85a～85d之前，在搬运装置10A以及校准室86中对晶圆W进行加热，因此可以缩短从将晶圆W载置在处理单元85a～85d的载置台92上之后到将该晶圆W加热至到达进行处理的温度的时间，因此可以谋求提高生产率。
在该搬运装置10A中，与例如在将晶圆W通过加载互锁真空室83取出到处理单元85a～85d上时对晶圆W排出温度较低的气体相比，若在晶圆W自加载互锁真空室83搬回到搬运器C上时对晶圆W排出温度较低的气体，可以进一步缩短晶圆W在加载互锁真空室83中的待机时间，因此优选。
以上作为应用有本发明的基板搬运装置，并不限定于关节型臂，也可以应用于在可自由旋转的搬运机体上设置了可自由进退的搬运臂的搬运装置，并且在该情况下该搬运臂成为基板保持部。
另外，作为半导体制造装置，如背景技术栏处所述，有在光致抗蚀剂工序中所使用的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置与进行曝光处理的曝光装置相连接，并且包括搬入搬运器C的搬入部、将抗蚀剂涂敷到基板上的涂敷组件、将显影液供给接受曝光处理后的抗蚀剂的显影组件、用于将自该上述搬运器C取出的基板自涂敷组件交接到曝光装置并且将自曝光装置取出的基板顺次交接到显影组件、搬运器C的搬运机构。将上述定位器5设置在该涂敷、显影装置上，并顺次将晶圆W搬运到涂敷组件→定位器5→曝光装置，从而可以同时进行用于将晶圆W交接到曝光装置的温度调整和对位，因此，可以谋求比分别进行上述处理更提高生产率。在该情况下，例如定位器5可将晶圆W的温度设成对应曝光装置的内部的温度例如23℃。

Claims (9)

1.一种基板保持装置，其特征在于，包括基板保持部、凸部、气体排出口、气体流路和温度调整部；
上述基板保持部具有与基板背面相对的基板保持面；
上述凸部在上述基板保持面上设置有多个，用于支承各基板的背面，并利用与基板之间的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑；
上述气体排出口在上述基板保持面上开口，向基板背面排出气体；
上述气体流路的一端与上述气体排出口相连接，并且另一端与用于将气体供给到该气体排出口的气体供给源相连接；
上述温度调整部对在上述气体流路中流通的气体进行温度调整；
基板保持装置如下这样保持基板：排出到基板背面的上述气体在基板保持面与基板之间的间隙中流动，利用该间隙的压力降低的伯努利效应向基板保持部吸引该基板。
2.根据权利要求1所述的基板保持装置，其特征在于，该基板保持装置具有用于使上述基板保持部绕铅直轴线自由旋转且自由进退的工作机构。
3.根据权利要求2所述的基板保持装置，其特征在于，上述工作机构与上述基板保持部共同构成关节型臂。
4.根据权利要求2或3所述的基板保持装置，其特征在于，在上述工作机构的内部形成有上述气体流路。
5.根据权利要求1所述的基板保持装置，其特征在于，上述基板是半导体晶圆，上述基板保持部构成为用于检测半导体晶圆的朝向并使该朝向与预先设定的朝向一致的旋转台。
6.一种基板保持方法，其特征在于，包括以下工序：
自在上述基板保持面上开口的气体排出口向载置在凸部上的基板的背面排出气体的工序，上述凸部在与设于基板保持部上的基板背面相对的基板保持面上设置有多个，用于支承各基板的背面，并利用与基板之间的摩擦力来防止该基板相对于上述基板保持面横向打滑；
利用温度调整部对在气体流路中流通的气体进行温度调整的工序，上述气体流路的一端与上述气体排出口相连接，且其另一端与气体供给源相连接；
利用基板保持部保持基板的工序，排出到基板背面的上述气体在基板保持面与基板之间的间隙中流动，利用该间隙的压力降低的伯努利效应向保持部吸引该基板。
7.一种半导体制造装置，其特征在于，包括大气环境的第1搬运室、加载互锁真空室、真空处理单元、第1基板搬运部件和第2基板搬运部件；
上述大气环境的第1搬运室具有用于载置收容了基板的搬运器的载置部；
上述加载互锁真空室设置有载置基板的载置台，分别切换真空环境、大气环境；
上述真空处理单元通过上述加载互锁真空室与第1搬运室相连接，用于在真空环境下对基板进行处理；
上述第1基板搬运部件设置在上述第1搬运室中，用于在搬运器与加载互锁真空室之间交接基板；
上述第2基板搬运部件用于在加载互锁真空室与真空处理单元之间交接基板；
上述第1基板搬运部件由权利要求1～4中任一项所述的基板保持装置构成。
8.一种半导体制造装置，其特征在于，
上述第1搬运室与具有用于进行基板对位的基板对位部件的校准室相连接；
上述基板对位部件由权利要求5所述的基板保持装置构成。
9.一种存储介质，是收容了基板保持装置所使用的程序的存储介质，其特征在于，上述程序为了执行权利要求6所述的基板保持方法而编排有步骤。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101826479A (zh) * 2010-04-30 2010-09-08 沈阳富森科技有限公司 非封闭式高速气流吸附传输装置
CN102449749A (zh) * 2009-04-03 2012-05-09 韩国生产技术研究院 半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法
CN103000563A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 东京毅力科创株式会社 接合装置、接合系统及接合方法
CN103295931A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 Lgcns株式会社 Led晶圆的提供装置及方法
CN103329258A (zh) * 2011-01-26 2013-09-25 纳博特斯克有限公司 晶圆搬运机器人
CN104176497A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 先进科技新加坡有限公司 使用气体流动固定物体的传送设备
CN105009270A (zh) * 2013-02-20 2015-10-28 独立行政法人产业技术综合研究所 小型制造装置以及使用该小型制造装置的制造系统
CN107089052A (zh) * 2016-02-18 2017-08-25 松下知识产权经营株式会社 安装基板制造系统及其下支撑构件的设置方法
CN107785299A (zh) * 2016-08-30 2018-03-09 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片拾取装置
CN108352305A (zh) * 2015-10-25 2018-07-31 应用材料公司 用于将基板装载到真空处理模块中的设备和方法、用于为真空处理模块中的真空沉积工艺而处理基板的设备和方法和用于对基板的真空处理的系统
CN108453777A (zh) * 2017-01-31 2018-08-28 兄弟工业株式会社 物品保持装置
CN108723972A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 上海新昇半导体科技有限公司 基于伯努利原理的边缘研磨基座、边缘研磨系统及方法
CN110462810A (zh) * 2017-02-14 2019-11-15 应用材料公司 用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准方法
CN110660706A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 定向腔室及处理基板的方法
CN110919695A (zh) * 2019-11-29 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 机械手臂
CN110945638A (zh) * 2017-07-28 2020-03-31 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序
CN111615444A (zh) * 2017-12-08 2020-09-01 本田技研工业株式会社 热塑性树脂材料的制造装置
CN111900119A (zh) * 2020-07-31 2020-11-06 上海华力集成电路制造有限公司 减少接触摩擦的承载装置及利用该承载装置的传输方法
US11581181B2 (en) 2018-06-29 2023-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Orientation chamber of substrate processing system with purging function

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8443863B2 (en) * 2008-10-23 2013-05-21 Corning Incorporated High temperature sheet handling system and methods
JP5478280B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法、ならびに基板処理システム
JP5323867B2 (ja) * 2011-01-19 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板反転装置、基板反転方法、剥離システム、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5740578B2 (ja) 2011-04-12 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
FR2980994B1 (fr) * 2011-10-07 2015-11-27 Semco Engineering Prehenseur multi-plaquettes.
TWI476854B (zh) * 2012-03-08 2015-03-11 Lg Cns Co Ltd Led晶圓的提供裝置及方法
US9045827B2 (en) * 2012-03-09 2015-06-02 Lg Cns Co., Ltd. Apparatus and method for supplying light-emitting diode (LED) wafer
US9960059B2 (en) * 2012-03-30 2018-05-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Honeycomb heaters for integrated circuit manufacturing
JP6042149B2 (ja) * 2012-09-21 2016-12-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、基板処理装置、および、基板搬送方法
JP5663638B2 (ja) 2012-10-11 2015-02-04 株式会社ティーイーエス 基板移送装置
CN104281141B (zh) * 2013-07-04 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种工艺气体互锁的控制方法和系统
JP6190645B2 (ja) 2013-07-09 2017-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
CN103646901B (zh) * 2013-10-25 2018-10-19 深圳市恒睿智达科技有限公司 焊臂结构
US10443934B2 (en) * 2015-05-08 2019-10-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Substrate handling and heating system
US9929029B2 (en) * 2015-10-15 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
US10429284B1 (en) * 2016-07-28 2019-10-01 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc In situ environmentally-isolated wear tester
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
WO2018171907A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for holding a substrate, method for loading a substrate into a vacuum processing module, and system for vacuum processing of a substrate
DE102017109820B4 (de) * 2017-04-26 2024-03-28 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumkammeranordnung und deren Verwendung
KR102487551B1 (ko) * 2017-09-13 2023-01-11 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장치를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP7187147B2 (ja) * 2017-12-12 2022-12-12 東京エレクトロン株式会社 搬送装置のティーチング方法及び基板処理システム
JP7265211B2 (ja) * 2018-03-22 2023-04-26 株式会社東京精密 搬送装置
JP7117143B2 (ja) * 2018-05-01 2022-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101980137B1 (ko) * 2018-06-28 2019-05-20 (주)밸류테크 웨이퍼 이송로봇
JP2021048322A (ja) 2019-09-19 2021-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置および基板搬送方法
JP7430074B2 (ja) * 2020-02-20 2024-02-09 株式会社荏原製作所 基板保持装置
EP4243059A1 (en) * 2022-03-11 2023-09-13 Scienta Omicron GmbH Arrangement for rotatable positioning of a substrate
TWI829201B (zh) * 2022-06-17 2024-01-11 和淞科技股份有限公司 可調式負壓吸持模組

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3523706A (en) * 1967-10-27 1970-08-11 Ibm Apparatus for supporting articles without structural contact and for positioning the supported articles
JPS59155141A (ja) * 1983-02-24 1984-09-04 Toshiba Corp ウエハチヤツク
JPS6378546A (ja) * 1986-09-22 1988-04-08 Hitachi Ltd ウエハハンドリング装置
JPH0341461Y2 (zh) * 1986-10-22 1991-08-30
US6095582A (en) * 1998-03-11 2000-08-01 Trusi Technologies, Llc Article holders and holding methods
JP2002009129A (ja) 2000-06-26 2002-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送アーム及び基板搬送方法
US6935830B2 (en) * 2001-07-13 2005-08-30 Tru-Si Technologies, Inc. Alignment of semiconductor wafers and other articles
JP3761444B2 (ja) * 2001-10-23 2006-03-29 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
DE10212420A1 (de) * 2002-03-21 2003-10-16 Erich Thallner Einrichtung zur Aufnahme eines Wafers
JP2004140058A (ja) * 2002-10-16 2004-05-13 Hitachi Electronics Eng Co Ltd ウエハ搬送装置およびウエハ処理装置
JP4239572B2 (ja) * 2002-11-27 2009-03-18 東京エレクトロン株式会社 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び処理システム
JP3703464B2 (ja) * 2003-04-04 2005-10-05 キヤノン株式会社 マニピュレータ
JP3718688B2 (ja) * 2003-06-17 2005-11-24 東京エレクトロン株式会社 加熱装置
JP4437415B2 (ja) * 2004-03-03 2010-03-24 リンク・パワー株式会社 非接触保持装置および非接触保持搬送装置
JP2006073603A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Takatori Corp ウエハのアライメント方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102449749A (zh) * 2009-04-03 2012-05-09 韩国生产技术研究院 半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法
CN101826479A (zh) * 2010-04-30 2010-09-08 沈阳富森科技有限公司 非封闭式高速气流吸附传输装置
CN103329258A (zh) * 2011-01-26 2013-09-25 纳博特斯克有限公司 晶圆搬运机器人
US9287149B2 (en) 2011-01-26 2016-03-15 Nabtesco Corporation Wafer Handling Robot
CN103000563A (zh) * 2011-09-13 2013-03-27 东京毅力科创株式会社 接合装置、接合系统及接合方法
CN103000563B (zh) * 2011-09-13 2016-09-07 东京毅力科创株式会社 接合装置、接合系统及接合方法
CN103295931A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 Lgcns株式会社 Led晶圆的提供装置及方法
CN105009270A (zh) * 2013-02-20 2015-10-28 独立行政法人产业技术综合研究所 小型制造装置以及使用该小型制造装置的制造系统
CN105009270B (zh) * 2013-02-20 2017-06-30 独立行政法人产业技术综合研究所 小型制造装置以及使用该小型制造装置的制造系统
CN104176497A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 先进科技新加坡有限公司 使用气体流动固定物体的传送设备
CN108352305A (zh) * 2015-10-25 2018-07-31 应用材料公司 用于将基板装载到真空处理模块中的设备和方法、用于为真空处理模块中的真空沉积工艺而处理基板的设备和方法和用于对基板的真空处理的系统
CN107089052B (zh) * 2016-02-18 2020-10-27 松下知识产权经营株式会社 安装基板制造系统及其下支撑构件的设置方法
CN107089052A (zh) * 2016-02-18 2017-08-25 松下知识产权经营株式会社 安装基板制造系统及其下支撑构件的设置方法
CN107785299A (zh) * 2016-08-30 2018-03-09 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种硅片拾取装置
CN108453777A (zh) * 2017-01-31 2018-08-28 兄弟工业株式会社 物品保持装置
CN110462810A (zh) * 2017-02-14 2019-11-15 应用材料公司 用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准方法
CN110462810B (zh) * 2017-02-14 2023-12-08 应用材料公司 用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准方法
CN108723972A (zh) * 2017-04-20 2018-11-02 上海新昇半导体科技有限公司 基于伯努利原理的边缘研磨基座、边缘研磨系统及方法
CN108723972B (zh) * 2017-04-20 2020-09-22 上海新昇半导体科技有限公司 基于伯努利原理的边缘研磨基座、边缘研磨系统及方法
CN110945638B (zh) * 2017-07-28 2023-04-04 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、基板处理装置及记录介质
CN110945638A (zh) * 2017-07-28 2020-03-31 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序
CN111615444A (zh) * 2017-12-08 2020-09-01 本田技研工业株式会社 热塑性树脂材料的制造装置
US11780124B2 (en) 2017-12-08 2023-10-10 Honda Motor Co., Ltd. Apparatus for manufacturing thermoplastic resin material
CN110660706A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 定向腔室及处理基板的方法
CN110660706B (zh) * 2018-06-29 2022-07-29 台湾积体电路制造股份有限公司 定向腔室及处理基板的方法
US11581181B2 (en) 2018-06-29 2023-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Orientation chamber of substrate processing system with purging function
CN110919695B (zh) * 2019-11-29 2021-04-02 Tcl华星光电技术有限公司 机械手臂
CN110919695A (zh) * 2019-11-29 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 机械手臂
CN111900119A (zh) * 2020-07-31 2020-11-06 上海华力集成电路制造有限公司 减少接触摩擦的承载装置及利用该承载装置的传输方法

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