CN110462810A - 用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准方法 - Google Patents
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Abstract
本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同的基板位置；以及分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。
Description
技术领域
本案公开内容的实施方式大致上关于基板处理系统，且更详言之，关于在此处理系统中于基板支撑件上基板的定位。
背景技术
传统基板处理系统(诸如微电子器件制造)中，经常需要精细地调整基板支撑件上的基板定位，以使基板支撑件上不正确的基板放置所造成的工艺不均匀性减至最小。一种用于检查基板位置的技术是通过运行工艺且分析工艺轮廓图(process contour map)。之后，通过基于工艺轮廓图分析改变基板放置，可解决由于不正确的基板放置所造成的工艺不均匀性，而改善工艺不均匀性。此类基板放置校准可在启动时执行，或是在基板支撑件置换之后执行。但是，发明人已观察到难以确定基板传送机器人要求多少调整(例如，伸展及旋转步骤)。发明人也已发现，所述结果取决于执行校准的个人，且发现所要求的基板工艺、测量、分析、与基板传送机器人换手(hand off)调整的反复运作(iteration)是耗时的。
因此，发明人已提供用于在基板支撑件上基板位置校准的改良方法与设备。
发明内容
本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同的基板位置；以及分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。
一些实施方式中，一种在具有真空吸盘的基板支撑件上校准基板位置的设备包括：校准基板，包括实心(solid)碟状物，所述实心碟状物具有多个通孔，所述通孔沿着圆圈设置成穿过所述实心碟状物，所述圆圈的直径接近所述实心碟状物的外径。
一些实施方式中，一种在具有真空吸盘的基板支撑件上校准基板位置的设备包括：校准基板，包括实心碟状物，所述实心碟状物具有约150mm、约200mm、约300mm、或约450mm的直径，以及约450微米至约1500微米的厚度，其中所述实心碟状物由石英、硅、碳化硅、或氮化铝所制造；以及多个通孔，所述通孔设置成在所述实心碟状物的外径附近穿过所述实心碟状物。
下文描述本案公开内容的其他与进一步实施方式。
附图说明
通过参考其中一些于附图描绘的本案公开内容的示意性实施方式，可得到上文简要总结且于下文将更详细讨论的本案公开内容的实施方式。然而，应注意，附图仅说明本案公开内容的一般实施方式，因此不应将所述附图视为限制本案公开内容的范围，因为本案公开内容可容许其他等效实施方式。
图1是根据本案公开内容的至少一些实施方式的在基板支撑件上定位基板的方法的流程图。
图2是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的基板支撑件的示意顶视图。
图3是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的处理腔室的示意侧视图。
图4是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的基板支撑件的示意部分侧视图。
图5是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的另一基板支撑件及基板的示意部分侧视图。
图6是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的另一基板支撑件及基板的示意部分侧视图。
图7是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的基板的示意顶部等角视图。
图8是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的另一基板的示意顶部等角视图。
图9是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的另一基板的示意顶部等角视图。
图10是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关的背侧压力值对基板位置的图表。
图11是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关的背侧压力对基板位置的说明性图表。
为了有助于理解，如可能则已使用相同的元件符号指定各图共通的相同元件。所述图并未按照比例尺绘制且可为了明确起见而经过简化。一个实施方式的元件及特征可有利地并入其他实施方式，而无须赘述。
具体实施方式
本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备的实施方式。本发明的方法与设备有利地助于基板支撑件上基板位置的校准，而无须在基板上执行任何工艺。本发明的技术进一步有利地消除分析工艺结果及工艺轮廓绘图的需求。本发明的技术进一步有利地可为更可再现，因此减少或消除取决于操作者执行校准的结果的差异。
图1是根据本案公开内容的至少一些实施方式的在基板支撑件上定位基板的方法100的流程图。图2至图9描绘与方法100相关使用的处理设备的各种实施方式，且会在下文更详细描述图2至图9。方法100可在基板待设置于基板支撑件以进行处理时的任何时间执行。一些实施方式中，可在下述时间执行方法100：基板运作开始时、在基板支撑件维护、修复、或安装之后、在放置基板及基板支撑件的基板传送机器人维护、修复、或安装之后、在处理腔室关机后再上线之后、在所要执行工艺的工艺温度改变之后、或是在基板支撑件上的基板的位置似乎不正确的任何时间。
举例而言，图2是根据本案公开内容的至少一些实施方式的适合与方法100相关使用的基板支撑件的示意顶视图。显示于图2的基板支撑件的部件的构造及布置仅为示意性，且不表示限制性。如图2中所描绘，基板支撑件200是真空吸盘，所述真空吸盘具有主体202，所述主体202包括限定于基板支撑件200的支撑结构之间的真空区域204。
举例而言，设置外密封带(或密封环206)，所述外密封带(或密封环206)的外径大于待支撑的基板的外径，且所述外密封带(或密封环206)的内径小于待支撑的基板的内径，而使得当基板适当定位在密封环206顶上时，真空可维持在真空区域内。一些实施方式中，多个支撑销210可布置在真空区域204内位于支撑表面顶上。也可设置多个升降杆开口212以助于升降杆选择性地将基板抬升及将基板降下至基板支撑件200上。在其中升降杆不会与基板支撑件形成密封的实施方式中，可设置相对应的升降杆密封环214以限制或防止从升降杆开口212泄漏至真空区域204中。密封环206、支撑销210、及升降杆密封环214的上表面一起形成当基板放置在基板支撑件上时基板所用的支撑表面。设置至少一个开口208以将真空区域204耦接真空源(例如，显示于图3中的泵310)。
图3是根据本案公开内容的至少一些实施方式的适合与方法100相关而使用的处理腔室的示意侧视图。图3中所示的处理腔室的部件的构造及布置仅为示范性，并不表示限制性。此外，非为求理解本案公开内容而必须的传统部件或其他细节从图中省略，以不混淆本案公开内容。如图3所描绘，处理腔室304含有基板支撑件，诸如上文所讨论的基板支撑件200，所述基板支撑件位于处理腔室304的内部空间332中。如上文所记叙，基板支撑件200是真空吸盘，且耦接真空源，诸如泵310或其他适合的真空源。诸如压力计330之类的压力传感器在操作上耦接真空区域204，以测量真空区域204中的背侧压力。一些实施方式中，基板支撑件200可进一步包括加热器，诸如电阻式加热器312，所述加热器耦接加热器电源314。图中显示基板302设置在基板支撑件200的密封环206上。
处理腔室304包括开口，所述开口诸如狭缝阀306，所述开口选择性开启处理腔室304以助于例如经由基板传送机器人308将基板移动进出处理腔室304的内部空间332。基板传送机器人308的控制有助于控制基板支撑件200上方基板302的位置，且最终控制在基板302从基板传送机器人308传送到基板支撑件200时基板支撑件200上基板302的位置。可设置多个升降杆328以助基板302在基板传送机器人308与基板支撑件200之间的传送。
处理腔室304配置成执行各种工艺(诸如沉积工艺)的一或多个。气源316耦接处理腔室304的内部空间，以提供基板处理(例如沉积)所需的处理气体。此外，气源316提供至少一种惰性气体，诸如氮气或稀有气体(诸如氩气或类似物)。泵326耦接处理腔室304的内部空间332，以维持处理腔室内的期望压力，且移除处理期间的处理气体与处理副产物。
一些实施方式中，为了助于控制处理腔室304，控制器318耦接处理腔室304的部件，所述部件包括压力计330、基板传送机器人308、及类似物。控制器318可为任何形式的通用计算机处理器，所述通用计算机处理器可用在工业设置中以控制各种腔室与子处理器。所述控制器包括中央处理单元(CPU)320、存储器322、及支持电路324。CPU 320的存储器(或计算机可读媒体)322可为易于取得的存储器的一或多个，所述存储器诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘、或任何其他形式的本地端或远程的数字储存器。支持电路324耦接CPU 320以用传统方式支持处理器。这些电路包括高速缓冲存储器、电源供应器、时钟电路、输入/输出电路及子系统，及类似物。一或多种方法及/或工艺可大致上储存在存储器322中以作为软件例程，当由CPU 320执行所述软件例程时所述软件例程会引发处理腔室304执行工艺，所述工艺诸如本文公开的基板定位方法及其他工艺(诸如沉积工艺)。举例而言，可在控制器318的控制下自动执行本文所述的方法100，且储存校准过的基板传送机器人的换手位置以供传送基板重复使用，直到期望再度校准为止。
方法100大致上在102开始，其中在基板支撑件上相对应的多个不同基板位置处获得多个背侧压力值。每一背侧压力值是通过下述方式获得：将基板放置于基板支撑件上的位置(如110所指)，将所述基板真空吸附至所述基板支撑件(如112所指)，及测量背侧压力(如114所指)。为了助于真空吸附，处理腔室的内部空间332中的压力维持在高于真空区域204中的压力，诸如真空区域204中压力附近的至少约1托耳。例如，一些实施方式中，当真空吸附基板时，含有基板支撑件(及基板)的处理腔室内的压力维持在约5托耳(然而也能使用其他压力)。一些实施方式中，在处理腔室内流动惰性气体(诸如氮气或稀有气体，例如氩气或类似物)时维持压力。一些实施方式中，在放置基板期间、真空吸附基板期间、和测量背侧压力值期间，可将基板支撑件加热至第一温度。一些实施方式中，第一温度是待执行后续工艺(例如，诸如沉积工艺)的温度。
在不同基板位置重复基板支撑件上基板的放置与吸附以及相对应背侧压力的测量，所述不同的基板位置是通过控制基板传送机器人参数而得，所述基板传送机器人(例如为基板传送机器人308)将基板放置于基板支撑件上。多个基板位置是通过下述方式获得：调整基板传送机器人的换手位置，所述基板传送机器人将基板移动至处理腔室中且将基板定位于基板支撑件上方。举例而言，通过控制基板传送机器人的伸展及/或旋转(或其他影响基板相对于基板支撑件的位置的参数)，可获得基板支撑件上基板的各种位置，且可测量相对应的背侧压力。
获得多个背侧压力值之后，分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置，如104所指。例如，图10与图11是背侧压力值的图表，所述背侧压力值是与根据本案公开内容的至少一些实施方式的在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用且获得。如图10与图11所示，测量到的背侧压力取决于基板传送机器人的换手偏移(或位置)而变化。基板传送机器人的位置确定基板支撑件上方所定位的基板位置，因此确定当传送完成时基板支撑件上基板的位置。图10至图11描绘根据侧向换手偏移的示范性数据。然而，基板传送机器人的换手偏移(或位置)可沿着基板传送平面在两个维度上变化，以获得更为准确的基板定位数据，所述基板传送平面平行基板支撑表面。基板传送机器人的控制可沿着基板传送平面内的x-y坐标、使用基板传送平面内的伸展及旋转坐标、或任何其他适合的基板换手位置控制参数。
当基板定位在基板支撑件上且施加真空压力以固定基板时，随着从处理腔室的内部空间至基板支撑件的真空区域的泄漏增加(例如，泄漏率的增加)，背侧压力也会增加。一些实施方式中，校准基板可为标准尺寸基板，所述标准尺寸基板例如为尺寸相当于设计成支撑诸如标准半导体晶片尺寸的基板支撑件的基板，所述标准半导体晶片尺寸例如为约450mm、约300mm、约200mm、约150mm、或类似尺寸。希望所述校准基板是由与生产基板相同的设备所调动，而因此所述校准基板的厚度类似于标准半导体晶片，例如从约450微米至约1500微米。所述校准基板可由任何工艺兼容材料制造，所述材料诸如石英、硅、碳化硅、氮化铝、或类似材料。
一些实施方式中，所述校准基板呈实心(例如，不具有形成在所述基板上的通孔或打孔)。这样的实施方式中，所述校准基板可为生产基板(例如硅基板或半导体基板，于相同处理腔室中待于所述基板上执行后续工艺)。一些实施方式中，所述校准基板可为非生产基板。一些实施方式中，所述校准基板可为空白基板(blank substrate)。所述空白基板可由均质材料形成且可无涂布或受到均匀地涂布。
例如，图4是根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的基板支撑件及基板的示意部分侧视图。图4中所示的基板支撑件可如上文针对图2至图3所描述。如图4所示，当基板402(所述基板为实心基板)定位在基板支撑件上时，所述基板的背侧设置在密封环206顶上。当基板402完全地定位在基板支撑件上时，基板中心对齐密封环206的中心(例如，他们呈共心)，且基板的边缘与密封环的外径围绕基板的整个周边等距相隔开。然而，当基板402不正确地定位在基板支撑件上时，基板边缘并不相对密封环206置中，且一个边缘可设置在密封环206的较小的部分顶上，抑或可完全离开密封环206。这样的不对齐引发从处理腔室的内部空间进入真空区域204的有差异的泄漏(泄漏量取决于不对齐的量)。
此外，可围绕基板支撑件公开处理腔室内的其他部件(诸如边缘环404)，而限制基板支撑件顶上的基板402的可能不对齐的量。一些实施方式中，密封环的宽度408够小，且基板的外边缘与相邻的处理腔室部件(例如，边缘环404)之间的距离406够大，使得有足够空间使基板错误定位(mis-position)，而产生够大的泄漏而在测量上影响背侧压力。
举例而言，图10描绘图表1000，图表1000显示基板传送机器人换手偏移(轴1002)对背侧压力(轴1004)的曲线1006。如所见，曲线1006显示，基板传送机器人换手的置中位置对应最低的背侧压力测量。于任意方向增加基板传送机器人的偏移造成更大泄漏，从而造成更高的背侧压力读取。在足够大的基板传送机器人换手偏移下，基板边缘移动离开密封环，且背侧压力快速增加，如由曲线1006的几乎垂直的部分可见。因此，一些实施方式中，可分析多个背侧压力值，以确定有相关背侧压力值的基板位置，所述背侧压力值是多个背侧压力值的最小值，或是在多个背侧压力值的最小值的预定容差以内。
一些实施方式中，基板边缘与边缘环之间的间隙的尺寸够小，且密封环的宽度够大，使得在基板与密封环之间无实质泄漏，无论基板支撑件上基板的位置为何，这是由于基板侧向运动范围受限所致。
举例而言，图5描绘根据本案公开内容的至少一些实施方式的与在基板支撑件上定位基板的方法相关而使用的基板支撑件及基板的示意部分侧视图。图5所示的基板支撑件可如上文针对图2至图3所述。如图5中显示，当基板502定位在基板支撑件上时，基板的背侧设置在密封环206顶上。当基板502完全地定位在基板支撑件上时，基板中心对齐密封环206的中心(例如，他们呈共心)，且基板的边缘与密封环的外径围绕基板的整个周边等距相隔开。然而，在与图5一致的实施方式中，关于基板的外边缘与相邻处理腔室部件(例如边缘环404)之间的距离506，密封环的宽度508够大，使得实心基板的不对齐可能不会使得进入真空区域204的泄漏够充分以根据背侧压力测量确定适当位置，或是所述泄漏可能够小而使得所述确定可能会更困难且较不准确。
因此，一些实施方式中，基板502可包括多个通孔510，所述通孔510设置成穿过基板相对应密封环的位置的一部分。如在本文所用，相对应密封环的位置意味着，当基板于基板支撑件顶上置中时，所述通孔会是设置在密封环顶上。所述通孔510的每一个可具有一直径，所述直径选以容许有充分的泄漏以助于本文所述的测量。一些实施方式中，所述通孔510可具有约0.02英寸(约.5mm)至约0.07英寸(约1.8mm)的直径，或从约0.03英寸(约.75mm)至约0.04英寸(约1mm)的直径。一些实施方式中，所述通孔510沿着圆圈定位，所述圆圈的直径接近但大于密封环的内径(如图5中所示)。所述通孔510定位成使得通孔中心与密封环边缘(例如图5中所示的内径边缘)之间的距离512选以容许当基板502定位在基板支撑件上而偏离中心时有从处理腔室的内部空间穿过通孔510进入真空区域204的泄漏。例如，一些实施方式中，在12英寸(300mm)的基板上，通孔510可布置成它们各自的中心位于圆圈上，所述圆圈直径为约10.939英寸(约277.85mm)至约11.515英寸(292.48mm)，诸如约10.95英寸(约278.13mm)。可对其他尺寸的基板按比例调整(scale)孔位置。
因此，当基板502在基板支撑件上不正确地定位时，所述通孔510的一或多个定位成紧邻密封环206的内边缘，或是越过密封环206的边缘且在真空区域204上方。这样的不对齐引发从处理腔室的内部空间至真空区域204的有差异的泄漏(泄漏量取决于不对齐的量)。可类似地分析根据基板位置的背侧压力读数的此差异，以获得类似图10中所示曲线1006的图表，其中增加的偏移造成背侧压力读数增加。
作为替代方案，一些实施方式中，通孔的位置反转，使得当基板于基板支撑件上置中时，这些通孔设置在真空区域上方，但当基板于基板支撑件上错误定位时至少一个通孔被覆盖。举例而言，一些实施方式中，基板602可包括多个通孔610，所述通孔610设置成穿过基板相对应真空区域204且接近密封环206的位置的一部分。如在本文所用，相对应真空区域的位置意味着，当基板于基板支撑件顶上置中时，所述通孔会是设置在真空区域上方。如在本文所用，接近密封环的位置意味着，所述通孔会公开成足够紧邻密封环，使得当基板于基板支撑件顶上偏离中心而设置时，一或多个所述通孔可设置在密封环顶上。
一些实施方式中，通孔610沿着圆圈定位，所述圆圈的直径接近但小于密封环的内径(如图6所示)。所述通孔610定位成使得当基板602在基板支撑件上置中时所述通孔的直径614完全或主要设置在真空区域上方且接近密封环边缘(例如，如图6中所示的内径边缘)。所述通孔610进一步定位成使得一或多个通孔610可移动越过密封环的边缘(例如，如图6中所示的内径边缘)，以使当基板602定位在基板支撑件上而偏离中心时从处理腔室的内部空间穿过通孔610进入真空区域204的泄漏减少。
因此，当基板602在基板支撑件上不正确地定位时，所述通孔610的一或多个部分或完全定位在密封环206顶上，而部分或完全阻挡从处理腔室的内部空间穿过通孔610进入真空区域204的泄漏。各种不对齐的量引发从处理腔室的内部空间进入真空区域204的不同的泄漏阻挡量(所述泄漏的量取决于不对齐的量)。可分析根据基板位置的背侧压力读数的此类差异，而获得类似于图11中所示的曲线1106的图表，其中增加的偏移造成背侧压力读数减少。
详言之，图11描绘示意性图表1100，显示基板传送机器人换手偏移(轴1102)对背侧压力(轴1104)的示范性曲线1106。曲线1106说明，基板传送机器人换手的置中位置对应最高的背侧压力测量。基板传送机器人在任意方向的偏移增加会造成泄漏减少，因此造成较低的背侧压力读数。在足够大的基板传送机器人换手偏移下，基板开口移动至密封环上，且背侧压力会快速减少，如由曲线1106的几乎垂直的部件可见。因此，可通过分析多个背侧压力值，以确定具有相关背侧压力值的基板位置，而找到校准过的基板位置，所述相关背侧压力值是多个背侧压力值的最大值，或是在多个背侧压力值的最大值的预定容差以内。
在其中校准基板具有多个通孔的实施方式中，类似图5与图6中所示，所述孔可以许多不同方式布置。可选择孔位置、数目、与直径，以获得期望的基板位置精确度。例如，图7描绘基板700，所述基板700包括实心碟状物702与多组通孔706。所述基板也包括凹口704或其他查找位置特征，以助于基板定向。尽管图中显示三组的三个通孔，但可有更多或更少组的通孔，且每一组可具有多于三个或少于三个通孔。于每一组通孔内所述通孔可等距地间隔开，且多组通孔可等距地间隔开。设置多组孔有利于容许提供更大的开放区域而无须使用可能定位得太靠近基板边缘的较大直径孔。较大的开放区域有利于提供基板泄漏与密封位置之间的较大差异，从而改善计算置中位置的简便度。图8描绘基板800，所述基板800包括实心碟状物802与示范性多个通孔806。图18中显示十六个等距间隔的孔。基板800也描绘查找位置凹口804。提供较多数目的孔有利于改善校准基板的位置准确度。图9描绘基板900，所述基板900包括实心碟状物902与示范性多个通孔906。图9中描绘四个等距间隔的孔。提供较少的孔有利于简化制造，且减少校准基板的成本。基板900也描绘查找位置凹口904。
虽然上述内容涉及本案公开内容的实施方式，但可不背离本案公开内容的基本范围而设计本案公开内容的其他与进一步的实施方式。
Claims (15)
1.一种用于在基板支撑件上定位基板的方法，包括下述步骤：
获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于基板支撑件上的多个不同的基板位置，这是通过重复进行下述步骤而达成：
将基板放置于所述基板支撑件上的位置；以及
将所述基板真空吸附至所述基板支撑件，且测量背侧压力；以及分析所述多个背侧压力值，以确定校准过的基板位置。
2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括下述步骤：
将含有所述基板支撑件的处理腔室内的压力维持在高于所述背侧压力。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述多个不同的基板位置是通过下述方式获得：调整基板传送机器人的换手位置，所述基板传送机器人将所述基板传送进入含有所述基板支撑件的处理腔室，并且将所述基板定位于所述基板支撑件上方。
4.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括下述步骤：
将所述基板支撑件维持在后续工艺的温度，同时获得多个背侧压力值。
5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中分析所述多个背侧压力值以确定所述校准过的基板位置包括下述步骤：确定具有相关背侧压力值的基板位置，所述相关背侧压力值是所述多个背侧压力值的最小值，或是在所述多个背侧压力值的所述最小值的预定容差内。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述基板支撑件包括密封环，以支撑所述基板的外边缘，其中所述基板是实心基板，且其中将所述基板定位成使得所述基板的所述外边缘设置在所述密封环的径向向内处，而增加进入所述基板支撑件与所述基板的背侧之间的区域的泄漏率。
7.如权利要求5所述的方法，其中所述基板支撑件包括密封环，以支撑所述基板的外边缘，其中所述基板包括多个孔，所述孔设置在接近所述基板的所述外径而处于一位置，当所述基板于所述基板支撑件上置中时所述位置对齐所述密封环，且其中将所述基板定位成使得所述多个孔的任一个设置在所述密封环的径向向内处，而增加进入所述基板支撑件与所述基板的背侧之间的区域的泄漏率。
8.如权利要求1至4任一项所述的方法，其中分析所述多个背侧压力值以确定所述校准过的基板位置包括下述步骤：确定具有相关背侧压力值的基板位置，所述相关背侧压力值是所述多个背侧压力值的最大值，或是在所述多个背侧压力值的所述最大值的预定容差内。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述基板支撑件包括密封环以支撑所述基板的外边缘，其中所述基板包括多个孔，所述孔设置在接近所述基板的所述外径而处于一位置，当所述基板于所述基板支撑件上置中时所述位置设置在接近所述密封环且位于所述密封环的径向向内处，且其中将所述基板定位成使得所述多个孔的任一个设置在所述密封环顶上，而减少进入所述基板支撑件与所述基板的背侧之间的区域的泄漏率。
10.一种用于在具有真空吸盘的基板支撑件上校准基板位置的设备，包括：
校准基板，包括实心碟状物，所述实心碟状物具有多个通孔，所述通孔沿着圆圈设置成穿过所述实心碟状物，所述圆圈的直径接近所述实心碟状物的外径。
11.如权利要求10所述的设备，其中所述实心碟状物由石英、硅、碳化硅、或氮化铝制造。
12.如权利要求10所述的设备，其中所述实心碟状物的直径为约150mm、约200mm、约300mm、或约450mm。
13.如权利要求10所述的设备，其中所述实心碟状物的厚度为约450微米至约1500微米。
14.如权利要求10至13任一项所述的设备，其中：
所述多个通孔分组而成为多组通孔，其中所述组的通孔彼此等距间隔；或者
所述多个通孔由十六个彼此等距间隔的通孔所组成；或者
所述多个通孔由四个彼此等距间隔的通孔所组成。
15.如权利要求10至13任一项所述的设备，所述设备进一步包括：
基板支撑件，包括密封环，所述密封环环绕用于将基板真空吸附至所述基板支撑件的真空区域，其中所述多个通孔所沿着设置的所述圆圈具有直径，所述直径大于但接近所述密封环的内径，或是小于或接近所述密封环的所述内径。
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