CN114156219A - 晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法 - Google Patents

晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法 Download PDF

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CN114156219A CN202111405153.0A CN202111405153A CN114156219A CN 114156219 A CN114156219 A CN 114156219A CN 202111405153 A CN202111405153 A CN 202111405153A CN 114156219 A CN114156219 A CN 114156219A
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王松涛
张德群
李尔林
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Abstract

本申请公开了一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，涉及半导体工艺领域。所述定位方法包括：将边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制传输装置根据位置参数将晶圆传输至边缘刻蚀腔室中；对晶圆进行边缘刻蚀工艺；在晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆；从每个采样圆上选取多个采样点，并检测各采样点的刻蚀速率；计算每个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率；根据预设函数确定初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向；将上述偏移量的补偿参数输入传输装置，获得补偿后的机械中心点。本申请能够解决晶圆在边缘刻蚀腔室中出现位置偏差而降低工艺精度、影响产品质量的问题。

Description

晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法
技术领域
本申请属于半导体工艺技术领域，具体涉及一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法。
背景技术
半导体设备通过物理、化学等手段对晶圆进行处理工艺，而一些处理工艺需要在一定的真空环境下实现，实现处理工艺的模块称之为工艺模块。晶圆由大气环境进入真空环境的过程中，需要通过传输系统实现。其中，传输系统包括机械手、过渡腔室、真空腔室等。
在晶圆的传输过程中，大气中的机械手将晶圆放在过渡腔室中，真空腔室中的机械手将晶圆从过渡腔室传输至工艺模块的腔室中，而后在工艺模块的腔室中进行工艺。然而，晶圆在工艺模块的腔室中进行边缘刻蚀工艺前，由于机械手中存储的边缘刻蚀腔室的中心与理想中心之间存在偏差，并且存在一定的设计公差，使得传输后的晶圆在工艺模块的腔室中存在位置偏差，从而导致刻蚀速率发生变化，降低工艺精度，影响产品质量。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，能够解决晶圆在边缘刻蚀腔室中出现位置偏差而降低工艺精度、影响产品质量的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
本申请实施例提供了一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，该定位方法包括：
将所述边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制所述传输装置根据初始的所述机械中心点的位置参数将所述晶圆传输至所述边缘刻蚀腔室中；
对所述晶圆进行边缘刻蚀工艺；
在所述晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆，从每个所述采样圆上分别选取多个采样点，并检测各个所述采样点的刻蚀速率；
计算出每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率；
根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，根据预设函数确定初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向；
将初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量的补偿参数输入所述传输装置，获得补偿后的所述机械中心点。
本申请实施例中，根据晶圆上多个采样点的刻蚀速率和每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率，并根据预设函数可以确定边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点与理想中心点之间的偏移量和偏移方向，而后针对该偏移量得到补偿参数，并将补偿参数输入传输装置中，以获得补偿后的机械中心点，也即，确定边缘刻蚀腔室中的精确中心点，从而在传输装置向边缘刻蚀腔室中传输晶圆时，能够将晶圆放置在边缘刻蚀腔室中的理想中心点处，保证了晶圆的传输精度，进而保证了刻蚀精度，提升了产品质量。
附图说明
图1为本申请实施例公开的其中一个实施例中的定位方法的流程示意图；
图2为本申请实施例公开的另一个实施例中的定位方法的流程示意图；
图3为本申请实施例中在晶圆上在一个采样圆上取八个采样点的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例进行详细地说明。
参考图1，本申请实施例公开了一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，所述定位方法包括：
S10：将边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入至传输装置，控制传输装置根据初始的机械中心点的位置参数将晶圆传输至边缘刻蚀腔室中。
可选地，传输装置可以是机械手，该机械手具有输入模块，通过输入模块可以输入控制程序、运动参数、坐标系等。基于此，在输入初始的机械中心点的位置参数后，机械手以输入的初始的机械中心点的位置参数作为边缘刻蚀腔室中的传输位置的中心点的位置参数，从而，在机械手将晶圆传输至边缘刻蚀腔室中的传输位置时，使晶圆的中心与传输位置的中心点(即，初始的机械中心点)重合，以此判定晶圆传输到位。待晶圆传输完毕后，可以启动工艺程序，以使晶圆在边缘刻蚀腔室内进行边缘刻蚀工艺流程。
另外，边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置可以通过机械测量的方式获得。例如，测量定位、使用机械手的训练功能定位等，而后将获取到的初始的机械中心点的位置参数输入至机械手中，并保存，以便于后续机械手可以按照此位置参数传输晶圆。
S20：对晶圆进行边缘刻蚀工艺。
可选地，可以向边缘刻蚀腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体激发成可化学反应的等离子体，并通过等离子体对晶圆的待刻蚀区域进行刻蚀，从而得到经过刻蚀工艺的晶圆。当然，除了上述方式之外，还可以参考其他相关技术，本申请实施例中对于具体的刻蚀工艺不作限制。
S30：在晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆，从每个采样圆上分别选取多个采样点，并检测各个采样点的刻蚀速率。
本申请实施例中，设定晶圆的半径为R，在晶圆上选取的多个采样圆的半径值分别为r1、r2、r3…rn，且R≥r1>r2>r3>…rn，并设定相邻两个采样圆的半径值之差为Δr，其中：
半径为r1的采样圆上选取的多个采样点分别为：ER11、ER12、ER13…ER1m；
半径为r2的采样圆上选取的多个采样点分别为：ER21、ER22、ER23…ER2m；
半径为r3的采样圆上选取的多个采样点分别为：ER31、ER32、ER33…ER3m；
半径为r4的采样圆上选取的多个采样点分别为：ER41、ER42、ER43…ER4m；
…
半径为rn的采样圆上选取的多个采样点分别为：ERn1、ERn2、ERn3…ERnm。
可选地，可以采用相关仪器检测晶圆上多个采样点的刻蚀速率，例如，可以采用厚度测量仪等。
针对上述各个采样点，分别通过检测仪器检测各个采样点的刻蚀速率，所检测到的刻蚀速率分别为：VER11、VER12、VER13…VER1m、VER21、VER22、VER23…VER2m、VER31、VER32、VER33…VER3m、VER41、VER42、VER43…VER4m…VERnm，并针对多个采样点的刻蚀速率进行记录。
S40：计算出每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率。
基于上述各个采样点的刻蚀速率，计算出每个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率分别为：
Meanr1＝(VER11+VER12+VER13+…VER1m)/m；
Meanr2＝(VER21+VER22+VER23+…VER2m)/m；
Meanr3＝(VER31+VER32+VER33+…VER3m)/m；
Meanr4＝(VER41+VER42+VER43+…VER4m)/m；
…
Meanrn＝(VERn1+VERn2+VERn3+…VERnm)/m。
S50：根据多个采样点的刻蚀速率以及每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率，并根据预设函数确定初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向。
此处需要说明的是，理想中心点可以理解为：边缘刻蚀腔室中能够保证晶圆与边缘刻蚀腔室中的传输位置之间不存在位置偏差的点。另外，偏移量和偏移方向的确定将在下述内容中详细阐述。
S60：将初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量的补偿参数输入传输装置，获得补偿后的机械中心点。
可以理解的是，将补偿参数输入传输装置后，传输装置可以在初始的机械中心点的位置参数的基础上进行修正，从而可以对机械中心点的位置进行调节，最终获得补偿后的机械中心点，此时，补偿后的机械中心点与理想中心点重合。如此，传输装置基于补偿后的机械中心点向边缘刻蚀腔室中传输晶圆，可以保证晶圆的圆心与边缘刻蚀腔室的理想中心点重合，从而保证了晶圆的位置精度。
基于上述设置，本申请实施例根据晶圆上多个采样点的刻蚀速率和每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率，并根据预设函数可以确定边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点与理想中心点之间的偏移量和偏移方向，而后针对该偏移量得到补偿参数，并将补偿参数输入传输装置中，以获得补偿后的机械中心点，也即，确定边缘刻蚀腔室中的精确中心点，从而在传输装置向边缘刻蚀腔室中传输晶圆时，能够将晶圆放置在边缘刻蚀腔室中的理想中心点处，保证了晶圆的传输精度，进而保证了刻蚀精度，提升了产品质量。
可选地，根据多个采样点的刻蚀速率以及每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率，并根据预设函数确定初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量，包括：
S51：根据多个采样点的刻蚀速率以及每个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率，确定相邻两个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率的差值。
本申请实施例中，相邻两个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率的差值分别为：
Δ1ER＝(Meanr1-Meanr2)；
Δ2ER＝(Meanr2-Meanr3)；
Δ3ER＝(Meanr3-Meanr4)；
…
ΔnER＝(Meanrn-Meanr(n+1))。
S52：上述预设函数为：ΔLnm＝(VERnm–Meanrn)/(Meanrn–Meanr(n+1))*Δr。
其中，Meanrn为第n个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，Meanr(n+1)为第n+1个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，VERnm为第n个采样圆上第m个采样点的刻蚀速率，ΔLnm为第n个采样圆上第m个采样点相对于理想中心点的偏移量，Δr为相邻两个采样圆的半径差值。
如此，根据上述预设函数可以计算出各个采样点相对于理想中心点的偏移量。
基于上述内容可知，晶圆上刻蚀速率增大的点为向远离晶圆中心的方向偏移的点，刻蚀速率减小的点为向靠近晶圆中心的方向偏移的点。因此，可以根据各个点的刻蚀速率的变化确定偏移量，且偏移量为正代表该点的偏离方向为远离圆心的方向，偏移量为负代表该点的偏离方向为靠近圆心的方向。
S53：对各个采样点相对于理想中心点的偏移量进行数据统计，并根据统计结果确认初始的机械中心点与边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量。
可选地，对各个采样点相对于理想中心的偏移量进行数据统计，并根据统计结果确认初始的机械中心与边缘刻蚀腔室中的理想中心之间的偏移量，包括：
根据各个采样点相对于理想中心点的偏移量，选取绝对值最大的偏移量；
将绝对值最大的偏移量作为初始的机械中心点与理想中心点之间的偏移量。
可选地，补偿参数包括补偿数值和补偿方向，其中，补偿数值等于最大的偏移量的绝对值，偏移方向为绝对值最大的偏移量所对应的采样点相对于理想中心点的偏移方向的反方向。
基于此，可以根据补偿数值和补偿方向对传输装置中的传输参数进行修正，根据修正后的传输参数可以将晶圆传输至预设位置，从而使补偿后的机械中心点与理想中心点重合，保证晶圆的传输精度。
可选地，晶圆的半径为150mm，晶圆上选取的采样圆的半径值范围为148mm～149.6mm，且相邻两个采样圆的半径值之差不大于0.3mm。
进一步地，晶圆上选取的采样圆的半径值范围为149.0mm～149.6mm，且相邻两个采样圆的半径值相差0.2mm。
考虑到本申请实施例对于晶圆的边缘进行刻蚀工艺的具体情况，通常情况下，远离晶圆边缘的区域基本不存在等离子体，而在靠近晶圆边缘的区域存在较多的等离子体，也即，等离子体的密度由外向内逐渐减少，直至在晶圆的中心处为零。基于此，晶圆上不同位置的变化可能会带来等离子体密度的变化，从而导致刻蚀速率的变化。
为了保证刻蚀速率能够被顺利检测到，本申请实施例中在晶圆的靠近边缘的区域选取采样圆。所选取的晶圆的半径范围区间可以是148mm～150mm。另外，考虑到采样点所在的采样圆的半径小于149mm时，其刻蚀速率会有明显减小，如此，可以选取晶圆上采样圆的半径的范围区域为149mm～150mm。
考虑到实际芯片生产时，晶圆外边缘还会预留一定空间用于夹持等操作，由此，晶圆上采样点所在的采样圆的半径会略小于150mm。可选地，可以在晶圆上选取半径值不超过149.6mm的圆作为采样圆。
基于上述分析，本申请实施例中，将采样圆的范围设定在半径值为149.0～149.6mm的区间内。当然，为得到半径值为149.0mm与相邻的采样圆之间的平均刻蚀速率的差值，可以增加半径值为148.8mm的采样圆上各个采样点的数据。
可选地，相邻两个采样圆的半径差值不大于0.3mm，具体可以选取0.1mm、0.2mm、0.3mm等。然而，考虑到半径差值越小采集点数量越少，容易导致采样数据较少，不具有代表性，半径差值越大采样点数量越多，容易导致采样数据过多，影响计算速度。可选地，将相邻两个采样圆的半径差值设定为0.2mm。
此处需要说明的是，为了提高准确度，可以在每个采样圆上选取多个采样点，通过在每个采样圆上选取多个采样点来降低误差。可选地，每个采样圆上选取的采样点的个数大于或等于8个。当然，还可以选取更多个采样点，以使计算出的各采样点相对于理想中心点的偏移量更加精确。
可选地，在机械中心点与理想中心点重合的情况下，同一半径值的采样圆上各个采样点的刻蚀速率相同；不同半径值的采样圆上各个采样点的刻蚀速率随半径值呈线性变化。
此处需要说明的是，假定晶圆的中心与理想中心点重合，此时晶圆上同一半径值的圆上的各个点的刻蚀速率均相同，不同半径值的采样圆上各个采样点的刻蚀速率随半径值呈线性变换。具体可以是，随着采样圆的半径值减小，刻蚀速率逐步减小，呈线性关系。基于此，当晶圆的中心与理想中心点不重合时，也即，晶圆发生偏移时，同一半径值的圆上一部分点的刻蚀速率有所增大，另一部分点的刻蚀速率有所减小，但是，晶圆偏移前后，同一半径值的圆上各个点的刻蚀速率的平均值不发生改变。
可选地，将所缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，包括：
将机械工装放置于边缘刻蚀腔室中；
将机械工装的中心作为初始的所述机械中心点，并将传输装置的手指移动至初始的所述机械中心点，以使传输装置生成初始的所述机械中心点的位置参数值；
将位置参数值保存至传输装置。
基于上述设置，可以通过将传输装置的手指一动至初始的机械中心点，使传输装置获得初始的机械中心点的位置，并生成具体的位置参数值，以实现初始位置的定位。
可选地，检测晶圆上多个采样点的刻蚀速率，包括：
采用检测仪器对进行刻蚀工艺前的晶圆的膜厚度进行测量，得到第一膜厚度；
采用检测仪器对经过刻蚀工艺后的晶圆的膜厚度进行测量，得到第二膜厚度；
第一膜厚度及第二膜厚度的差值与刻蚀时间的比值为刻蚀速率。
具体检测方式为：在进行刻蚀工艺之前，先对晶圆表面的膜厚度进行测量，以得到第一膜厚度H1；在刻蚀工艺完成后，再次对晶圆表面的膜厚度进行测量，以得到第二膜厚度H2；将两次膜厚度的差值除以刻蚀时间t即得到刻蚀速率V。具体为：V＝(H1-H2)/t。基于此方式，可以得到晶圆上各采样点的刻蚀速率。
下面将以半径为150mm的晶圆为例进行详细阐述。
综合考虑到晶圆上刻蚀速率的分布情况以及芯片实际生产工况等因素，本申请实施例中，晶圆上采样圆的半径值的区间范围选取为149.0～149.6mm。为得到半径值为149.0mm与相邻的采样圆之间的平均刻蚀速率的差值，可以增加半径值为148.8mm的采样圆上各个采样点的数据。
可选地，本申请实施例中，将相邻两个采样圆的半径差值设定为0.2mm。如此，晶圆上所选取的采样圆的半径值分别为：149.6mm、149.4mm、149.2mm、149.0mm和148.8mm，并且并从每个采样圆上选取8个采样点进行采集数据，如图3所示，根据五个采样圆上各个采样点的刻蚀速率计算出每个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，以及相邻两个采样圆上的多个采样点的平均刻蚀速率的差值。具体可以参见表1。
Figure BDA0003371995020000101
表1各个采样点的刻蚀速率、每个半径值的采样圆上多个采样点的平均刻蚀速
率以及相邻两个半径值的采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率的差值
基于上述表1中的数据，并根据预设函数ΔLnm＝(VERnm–Meanrn)/(Meanrn–Meanr(n+1))*Δr，可以计算出n＝1～4，m＝1～8的各个采样点相对于理想中心点的偏移量，为便于阅读数据，可以微米为单位，此时，预设函数为ΔLnm＝(VERnm–Meanrn)/(Meanrn–Meanr(n+1))*Δr*1000。各个采样点相对于理想中心点的偏移量的具体数据可以参见表2。
Figure BDA0003371995020000102
表2各个采样点相对于理想中心点的偏移量
基于上述表2中的数据，选取出绝对值最大的数据，该数据的绝对值代表采样点与理想中心点的偏移量，符号代表方向，其中，符号为正代表远离圆心的方向，符号为负代表靠近圆心的方向。因此，补偿数值为最大值的绝对值，补偿方向为偏移方向的反方向。上述表2中ΔL1m＝-132.6μm的绝对值最大，如此，该采样点的补偿数值为132.6μm，补偿方向为远离圆心的方向。
此处需要说明的是，上述取最大值的方式可能存在一定的误差，而这种误差可以通过每个采样圆上选取更多的采样点来降低。
将上述补偿数值和补偿方向相应的参数输入到传输装置中，可以修正传输装置中存储的原始传输参数，从而得到补偿后的机械中心点，且补偿后的机械中心点与理想中心点重合，以完成边缘刻蚀腔室中的精确中心位置的确认。
综上所述，本申请实施例通过晶圆上多个采样点的刻蚀速率以及每个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，可以得到边缘刻蚀腔室中的机械中心点与理想中心点之间的偏移量，并针对偏移量进行补偿，得到补偿参数，将补偿参数输入传输装置中，以修正传输装置中的原始传输参数，从而达到了校准传输工位的目的，从而可以保证晶圆的传输精度，保证刻蚀均匀性，进而提升了产品质量。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种晶圆在边缘刻蚀腔室中定位的定位方法，其特征在于，所述定位方法包括：
将所述边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，控制所述传输装置根据初始的所述机械中心点的位置参数将所述晶圆传输至所述边缘刻蚀腔室中；
对所述晶圆进行边缘刻蚀工艺；
在所述晶圆的边缘区域上选取多个不同半径值的采样圆，从每个所述采样圆上分别选取多个采样点，并检测各个所述采样点的刻蚀速率；
计算出每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率；
根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，根据预设函数确定初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量和偏移方向；
将初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量的补偿参数输入所述传输装置，获得补偿后的所述机械中心点。
2.根据权利要求1所述的定位方法，其特征在于，所述根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，根据预设函数确定初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量，包括：
根据多个采样点的所述刻蚀速率以及每个采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率，确定相邻两个所述采样圆上的所述多个采样点的平均刻蚀速率的差值；
所述预设函数为：ΔLnm＝(VERnm–Meanrn)/(Meanrn–Meanr(n+1))*Δr，其中：Meanrn为第n个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，Meanr(n+1)为第n+1个采样圆上多个采样点的平均刻蚀速率，VERnm为第n个采样圆上第m个采样点的刻蚀速率，ΔLnm为第n个采样圆上第m个采样点相对于所述理想中心点的偏移量，Δr为相邻两个采样圆的半径差值；
根据所述预设函数计算出各个所述采样点相对于所述理想中心点的偏移量；
对各个采样点相对于所述理想中心点的偏移量进行数据统计，并根据统计结果确认初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量。
3.根据权利要求2所述的定位方法，其特征在于，所述对各个采样点相对于所述理想中心点的偏移量进行数据统计，并根据统计结果确认初始的所述机械中心点与所述边缘刻蚀腔室中的理想中心点之间的偏移量，包括：
根据各个采样点相对于所述理想中心点的偏移量，选取绝对值最大的偏移量；
将所述绝对值最大的偏移量作为初始的所述机械中心点与所述理想中心点之间的偏移量。
4.根据权利要求3所述的定位方法，其特征在于，所述补偿参数包括补偿数值和补偿方向；
所述补偿数值等于最大的偏移量的绝对值；
所述补偿方向为所述绝对值最大的偏移量所对应的采样点相对于所述理想中心点的偏移方向的反方向。
5.根据权利要求1所述的定位方法，其特征在于，所述晶圆的半径为150mm，所述晶圆上选取的采样圆的半径值范围为148mm～149.6mm，且相邻两个所述采样圆的半径值之差不大于0.3mm。
6.根据权利要求5所述的定位方法，其特征在于，所述晶圆上选取的所述采样圆的半径值范围为149.0mm～149.6mm，且相邻两个所述采样圆的半径值相差0.2mm。
7.根据权利要求5或6所述的定位方法，其特征在于，每个所述采样圆上选取的所述采样点的个数大于或等于8个。
8.根据权利要求1所述的定位方法，其特征在于，在所述机械中心点与所述理想中心点重合的情况下，同一半径值的所述采样圆上各个所述采样点的刻蚀速率相同；不同半径值的所述采样圆上各个所述采样点的刻蚀速率随半径值呈线性变化。
9.根据权利要求1所述的定位方法，其特征在于，所述将所述边缘刻蚀腔室中初始的机械中心点的位置参数输入传输装置，包括：
将机械工装放置于所述边缘刻蚀腔室中；
将所述机械工装的中心作为初始的所述机械中心点，并将所述传输装置的手指移动至初始的所述机械中心点，以使所述传输装置生成初始的所述机械中心点的位置参数值；
将所述位置参数值保存至所述传输装置。
10.根据权利要求1所述的定位方法，其特征在于，所述检测各个所述采样点的刻蚀速率，包括：
采用检测仪器对进行刻蚀工艺前的所述晶圆的膜厚度进行测量，得到第一膜厚度；
采用检测仪器对经过刻蚀工艺后的所述晶圆的膜厚度进行测量，得到第二膜厚度；
所述第一膜厚度及所述第二膜厚度的差值与刻蚀时间的比值为所述刻蚀速率。
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CN116190282A (zh) * 2023-04-24 2023-05-30 无锡尚积半导体科技有限公司 刻蚀装置、检测刻蚀均匀度的方法及均匀刻蚀晶圆的方法

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