TW201841289A - 用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準方法 - Google Patents

Abstract

本文提供用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準的方法與設備。一些實施例中，一種用於在基板支撐件上定位基板的方法包括：藉由重複地將基板放置於基板支撐件上的位置且將該基板真空吸附至該基板支撐件及量測背側壓力，而獲得複數個背側壓力值，該等背側壓力值對應於該基板支撐件上的複數個不同的基板位置；以及分析該複數個背側壓力值，以確定校準過的基板位置。

Description

用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準方法

本案揭露內容之實施例大致上關於基板處理系統，且更詳言之，關於在此處理系統中於基板支撐件上基板的定位。

習知基板處理系統（諸如微電子元件製造）中，經常需要精細地調整基板支撐件上的基板定位，以使基板支撐件上不正確的基板放置所造成的製程不均勻性減至最小。一種用於檢查基板位置的技術是透過運行製程且分析製程輪廓圖（process contour map）。之後，透過基於製程輪廓圖分析改變基板放置，可解決由於不正確的基板放置所造成的製程不均勻性，而改善製程不均勻性。此類基板放置校準可在啟動時執行，或是在基板支撐件置換之後執行。但是，發明人已觀察到難以確定基板移送機器人要求多少調整（例如，伸展及旋轉步驟）。發明人也已發現，該結果取決於執行校準的個人，且發現所要求的基板製程、測量、分析、與基板移送機器人換手（hand off）調整的反覆運作（iteration）是耗時的。

因此，發明人已提供用於在基板支撐件上基板位置校準的改良方法與設備。

本文提供用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準的方法與設備。一些實施例中，一種用於在基板支撐件上定位基板的方法包括：藉由重複地將基板放置於基板支撐件上的位置且將該基板真空吸附至該基板支撐件及量測背側壓力，而獲得複數個背側壓力值，該等背側壓力值對應於該基板支撐件上的複數個不同的基板位置；以及分析該複數個背側壓力值，以確定校準過的基板位置。

一些實施例中，一種在具有真空吸盤的基板支撐件上校準基板位置的設備包括：校準基板，包括實心（solid）碟狀物，該實心碟狀物具有複數個貫穿孔洞，該等貫穿孔洞沿著圓圈配置成穿過該實心碟狀物，該圓圈的直徑接近該實心碟狀物的外徑。

一些實施例中，一種在具有真空吸盤的基板支撐件上校準基板位置的設備包括：校準基板，包括實心碟狀物，該實心碟狀物具有約150mm、約200mm、約300mm、或約450mm的直徑，以及約450微米至約1500微米的厚度，其中該實心碟狀物由石英、矽、碳化矽、或氮化鋁所製造；以及複數個貫穿孔洞，該等貫穿孔洞配置成在該實心碟狀物的外徑附近穿過該實心碟狀物。

下文描述本案揭露內容的其他與進一步實施例。

本文提供用於基板處理系統中之基板支撐件的基板位置校準的方法與設備之實施例。本發明之方法與設備有利地助於基板支撐件上基板位置的校準，而無須在基板上執行任何製程。本發明之技術進一步有利地消除分析製程結果及製程輪廓製圖的需求。本發明之技術進一步有利地可為更可再現，因此減少或消除取決於操作者執行校準的結果的差異。

第1圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的在基板支撐件上定位基板的方法100的流程圖。第2圖至第9圖描繪與方法100相關使用的處理設備的各種實施例，且會在下文更詳細描述第2圖至第9圖。方法100可在基板待配置於基板支撐件以進行處理時的任何時間執行。一些實施例中，可在下述時間執行方法100：基板運作開始時、在基板支撐件維護、修復、或安裝之後、在放置基板及基板支撐件的基板移送機器人維護、修復、或安裝之後、在處理腔室關機後再上線之後、在所要執行製程的製程溫度改變之後、或是在基板支撐件上的基板之位置似乎不正確的任何時間。

舉例而言，第2圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的適合與方法100相關使用的基板支撐件的示意頂視圖。顯示於第2圖的基板支撐件的部件的組裝形態及排列方式僅為示意性，且不必然為限制性。如第2圖中所描繪，基板支撐件200是真空吸盤，該真空吸盤具有主體202，該主體202包括界定於基板支撐件200的支撐結構之間的真空區域204。

舉例而言，設置外密封帶（或密封環206），該外密封帶（或密封環206）的外徑大於待支撐的基板的外徑，且該外密封帶（或密封環206）的內徑小於待支撐的基板的內徑，而使得當基板適當定位在密封環206頂上時，真空可維持在真空區域內。一些實施例中，複數個支撐銷210可排列在真空區域204內位於支撐表面頂上。也可設置複數個升舉銷開口212以助於升舉銷選擇性地將基板抬升及將基板降下至基板支撐件200上。在其中升舉銷不會與基板支撐件形成密封的實施例中，可設置相對應的升舉銷密封環214以限制或防止從升舉銷開口212洩漏至真空區域204中。密封環206、支撐銷210、及升舉銷密封環214的上表面一起形成當基板放置在基板支撐件上時基板所用的支撐表面。設置至少一個開口208以將真空區域204耦接真空源（例如，顯示於第3圖中的泵310）。

第3圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的適合與方法100相關而使用的處理腔室的示意側視圖。第3圖中所示的處理腔室的部件的組裝形態及排列方式僅為示範性，並不必然是限制性。此外，非為求了解本案揭露內容而必須的習知部件或其他細節從圖中省略，以不混淆本案揭露內容。如第3圖所描繪，處理腔室304含有基板支撐件，諸如上文所討論的基板支撐件200，該基板支撐件位在處理腔室304的內部空間332中。如上文所記敘，基板支撐件200是真空吸盤，且耦接真空源，諸如泵310或其他適合的真空源。諸如壓力計330之類的壓力感測器在操作上耦接真空區域204，以測量真空區域204中的背側壓力。一些實施例中，基板支撐件200可進一步包括加熱器，諸如電阻式加熱器312，該加熱器耦接加熱器電源314。圖中顯示基板302配置在基板支撐件200的密封環206上。

處理腔室304包括開口，該開口諸如狹縫閥306，該開口選擇性開啟處理腔室304以助於例如透過基板移送機器人308將基板移動進出處理腔室304的內部空間332。基板移送機器人308的控制有助於控制基板支撐件200上方基板302的位置，且最終控制在基板302從基板移送機器人308移送到基板支撐件200時基板支撐件200上基板302的位置。可設置複數個升舉銷328以助基板302在基板移送機器人308與基板支撐件200之間的移送。

處理腔室304組裝成執行各種製程（諸如沉積製程）的一或多者。氣源316耦接處理腔室304的內部空間，以提供基板處理（例如沉積）所需的處理氣體。此外，氣源316提供至少一種惰性氣體，諸如氮氣或稀有氣體（諸如氬氣或類似物）。泵326耦接處理腔室304的內部空間332，以維持處理腔室內的期望壓力，且移除處理期間的處理氣體與處理副產物。

一些實施例中，為了助於控制處理腔室304，控制器318耦接處理腔室304的部件，該等部件包括壓力計330、基板移送機器人308、及類似物。控制器318可為任何形式的通用電腦處理器，該通用電腦處理器可用在工業設施中以控制各種腔室與次處理器。該控制器包括中央處理單元（CPU）320、記憶體322、及支援電路324。CPU 320的記憶體（或電腦可讀媒體）322可為易於取得的記憶體之一或多者，該記憶體諸如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、或任何其他形式的本地端或遠端的數位儲存器。支援電路324耦接CPU 320以用習知方式支援處理器。這些電路包括高速緩衝存儲器、電源供應器、時脈電路、輸入/輸出電路及次系統，及類似物。一或多種方法及/或製程可大致上儲存在記憶體322中以作為軟體常式，當由CPU 320執行該軟體常式時該軟體常式會引發處理腔室304執行製程，該等製程諸如本文揭露之基板定位方法及其他製程（諸如沉積製程）。舉例而言，可在控制器318的控制下自動執行本文所述的方法100，且儲存校準過的基板移送機器人的換手位置以供移送基板重覆使用，直到期望再度校準為止。

方法100大致上在102開始，其中在基板支撐件上相對應的複數個不同基板位置處獲得複數個背側壓力值。每一背側壓力值是透過下述方式獲得：將基板放置於基板支撐件上的位置（如110所指），將該基板真空吸附至該基板支撐件（如112所指），及量測背側壓力（如114所指）。為了助於真空吸附，處理腔室的內部空間332中的壓力維持在高於真空區域204中的壓力，諸如真空區域204中壓力附近的至少約1托耳。例如，一些實施例中，當真空吸附基板時，含有基板支撐件（及基板）的處理腔室內的壓力維持在約5托耳（然而也能使用其他壓力）。一些實施例中，在處理腔室內流動惰性氣體（諸如氮氣或稀有氣體，例如氬氣或類似物）時維持壓力。一些實施例中，在放置基板期間、真空吸附基板期間、和測量背側壓力值期間，可將基板支撐件加熱至第一溫度。一些實施例中，第一溫度是待執行後續製程（例如，諸如沉積製程）的溫度。

在不同基板位置重複基板支撐件上基板的放置與吸附以及相對應背側壓力的測量，該不同的基板位置是透過控制基板移送機器人參數而得，該基板移送機器人（例如為基板移送機器人308）將基板放置於基板支撐件上。複數個基板位置是透過下述方式獲得：調整基板移送機器人的換手位置，該基板移送機器人將基板移動至處理腔室中且將基板定位於基板支撐件上方。舉例而言，藉由控制基板移送機器人的伸展及/或旋轉（或其他影響基板相對於基板支撐件的位置的參數），可獲得基板支撐件上基板的各種位置，且可測量相對應的背側壓力。

獲得複數個背側壓力值之後，分析該複數個背側壓力值，以確定校準過的基板位置，如104所指。例如，第10圖與第11圖是背側壓力值的圖表，該背側壓力值是與根據本案揭露內容之至少一些實施例的在基板支撐件上定位基板之方法相關而使用且獲得。如第10圖與第11圖所示，測量到的背側壓力取決於基板移送機器人的換手偏移（或位置）而變化。基板移送機器人的位置確定基板支撐件上方所定位的基板位置，因此確定當移送完成時基板支撐件上基板的位置。第10圖至第11圖描繪根據側向換手偏移的示範性數據。然而，基板移送機器人的換手偏移（或位置）可沿著基板移送平面在兩個維度上變化，以獲得更為準確的基板定位數據，該基板移送平面平行基板支撐表面。基板移送機器人的控制可沿著基板移送平面內的x-y座標、使用基板移送平面內的伸展及旋轉座標、或任何其他適合的基板換手位置控制參數。

當基板定位在基板支撐件上且施加真空壓力以固定基板時，隨著從處理腔室之內部空間至基板支撐件之真空區域的洩漏增加（例如，洩漏率的增加），背側壓力也會增加。一些實施例中，校準基板可為標準尺寸基板，該標準尺寸基板例如為尺寸相當於設計成支撐諸如標準半導體晶圓尺寸的基板支撐件的基板，該標準半導體晶圓尺寸例如為約450mm、約300mm、約200mm、約150mm、或類似尺寸。希望該校準基板是由與生產基板相同的設備所調動，而因此該校準基板的厚度類似於標準半導體晶圓，例如從約450微米至約1500微米。該校準基板可由任何製程相容材料製造，該材料諸如石英、矽、碳化矽、氮化鋁、或類似材料。

一些實施例中，該校準基板呈實心（例如，不具有形成在該基板上的貫穿孔洞或打孔）。這樣的實施例中，該校準基板可為生產基板（例如矽基板或半導體基板，於相同處理腔室中待於該基板上執行後續製程）。一些實施例中，該校準基板可為非生產基板。一些實施例中，該校準基板可為空白基板（blank substrate）。該空白基板可由均質材料形成且可無塗佈或受到均勻地塗佈。

例如，第4圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的基板支撐件及基板的示意部分側視圖。第4圖中所示的基板支撐件可如上文針對第2圖至第3圖所描述。如第4圖所示，當基板402（該基板為實心基板）定位在基板支撐件上時，該基板之背側配置在密封環206頂上。當基板402完全地定位在基板支撐件上時，基板中心對齊密封環206之中心（例如，他們呈共心），且基板之邊緣與密封環之外徑圍繞基板的整個周邊等距相隔開。然而，當基板402不正確地定位在基板支撐件上時，基板邊緣並不相對密封環206置中，且一個邊緣可配置在密封環206之較小的部分頂上，抑或可完全離開密封環206。這樣的不對齊引發從處理腔室之內部空間進入真空區域204的有差異的洩漏（洩漏量取決於不對齊的量）。

此外，可圍繞基板支撐件揭露處理腔室內的其他部件（諸如邊緣環404），而限制基板支撐件頂上的基板402之可能不對齊的量。一些實施例中，密封環的寬度408夠小，且基板之外邊緣與相鄰的處理腔室部件（例如，邊緣環404）之間的距離406夠大，使得有足夠空間使基板錯誤定位（mis-position），而產生夠大的洩漏而在測量上影響背側壓力。

舉例而言，第10圖描繪圖表1000，圖表1000顯示基板移送機器人換手偏移（軸1002）對背側壓力（軸1004）的繪圖1006。如所見，繪圖1006顯示，基板移送機器人換手的置中位置對應最低的背側壓力測量。於任意方向增加基板移送機器人的偏移造成更大洩漏，從而造成更高的背側壓力讀取。在足夠大的基板移送機器人換手偏移下，基板邊緣移動離開密封環，且背側壓力快速增加，如由繪圖1006的幾乎垂直的部分可見。因此，一些實施例中，可分析複數個背側壓力值，以確定有相關背側壓力值的基板位置，該背側壓力值是複數個背側壓力值的最小值，或是在複數個背側壓力值的最小值的預定容差以內。

一些實施例中，基板邊緣與邊緣環之間的隙縫的尺寸夠小，且密封環的寬度夠大，使得在基板與密封環之間無實質洩漏，無論基板支撐件上基板的位置為何，這是由於基板側向運動範圍受限所致。

舉例而言，第5圖描繪根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的基板支撐件及基板的示意部分側視圖。第5圖所示的基板支撐件可如上文針對第2圖至第3圖所述。如第5圖中顯示，當基板502定位在基板支撐件上時，基板之背側配置在密封環206頂上。當基板502完全地定位在基板支撐件上時，基板中心對齊密封環206之中心（例如，他們呈共心），且基板之邊緣與密封環之外徑圍繞基板的整個周邊等距相隔開。然而，在與第5圖一致的實施例中，關於基板之外邊緣與相鄰處理腔室部件（例如邊緣環404）之間的距離506，密封環的寬度508夠大，使得實心基板的不對齊可能不會使得進入真空區域204的洩漏夠充分以根據背側壓力測量確定適當位置，或是該洩漏可能夠小而使得該確定可能會更困難且較不準確。

因此，一些實施例中，基板502可包括複數個貫穿孔洞510，該等貫穿孔洞510配置成穿過基板相對應密封環之位置的一部分。如在本文所用，相對應密封環之位置意味，當基板於基板支撐件頂上置中時，該等貫穿孔洞會是配置在密封環頂上。該等貫穿孔洞510之每一者可具有一直徑，該直徑選以容許有充分的洩漏以助於本文所述之測量。一些實施例中，該等貫穿孔洞510可具有約0.02英吋（約.5mm）至約0.07英寸（約1.8mm）的直徑，或從約0.03英吋（約.75mm）至約0.04英吋（約1mm）的直徑。一些實施例中，該等貫穿孔洞510沿著圓圈定位，該圓圈的直徑接近但大於密封環的內徑（如第5圖中所示）。該等貫穿孔510定位成使得貫穿孔洞中心與密封環邊緣（例如第5圖中所示的內徑邊緣）之間的距離512選以容許當基板502定位在基板支撐件上而偏離中心時有從處理腔室之內部空間穿過貫穿孔洞510進入真空區域204的洩漏。例如，一些實施例中，在12英吋（300mm）的基板上，貫穿孔洞510可排列成他們各自的中心位在圓圈上，該圓圈直徑為約10.939英吋（約277.85mm）至約11.515英吋（292.48mm），諸如約10.95英吋（約278.13mm）。可對其他尺寸的基板按比例調整（scale）孔洞位置。

因此，當基板502在基板支撐件上不正確地定位時，該等貫穿孔洞510之一或多者定位成緊鄰密封環206之內邊緣，或是越過密封環206之邊緣且在真空區域204上方。這樣的不對齊引發從處理腔室之內部空間至真空區域204的有差異的洩漏（洩漏量取決於不對齊的量）。可類似地分析根據基板位置的背側壓力讀取的此差異，以獲得類似第10圖中所示之繪圖1006的圖表，其中增加的偏移造成背側壓力讀取增加。

作為替代方案，一些實施例中，貫穿孔洞的位置反轉，使得當基板於基板支撐件上置中時，這些貫穿孔洞配置在真空區域上方，但當基板於基板支撐件上錯誤定位時至少一個貫穿孔洞被覆蓋。舉例而言，一些實施例中，基板602可包括複數個貫穿孔洞610，該等貫穿孔洞610配置成穿過基板相對應真空區域204且接近密封環206之位置的一部分。如在本文所用，相對應真空區域之位置意味，當基板於基板支撐件頂上置中時，該等貫穿孔洞會是配置在真空區域上方。如在本文所用，接近密封環之位置意味，該等貫穿孔洞會揭露成足夠緊鄰密封環，使得當基板於基板支撐件頂上偏離中心而配置時，一或多個該等貫穿孔洞可配置在密封環頂上。

一些實施例中，貫穿孔洞610沿著圓圈定位，該圓圈的直徑接近但小於密封環之內徑（如第6圖所示）。該等貫穿孔洞610定位成使得當基板602在基板支撐件上置中時該貫穿孔洞的直徑614完全或主要配置在真空區域上方且接近密封環邊緣（例如，如第6圖中所示的內徑邊緣）。該等貫穿孔610進一步定位成使得一或多個貫穿孔洞610可移動越過密封環的邊緣（例如，如第6圖中所示的內徑邊緣），以使當基板602定位在基板支撐件上而偏離中心時從處理腔室之內部空間穿過貫穿孔洞610進入真空區域204的洩漏減少。

因此，當基板502在基板支撐件上不正確地定位時，該等貫穿孔洞610之一或多者部分或完全定位在密封環206頂上，而部分或完全阻擋從處理腔室之內部空間穿過貫穿孔洞610進入真空區域204的洩漏。各種量的不對齊引發從處理腔室之內部空間進入真空區域204的洩漏阻擋有不同的量（該洩漏的量取決於不對齊的量）。可分析此類根據基板位置的背側壓力讀取的差異，而獲得類似於第11圖中所示的繪圖1106的圖表，其中增加的偏移造成背側壓力讀取減少。

詳言之，第11圖描繪示意性圖表1100，顯示基板移送機器人換手偏移（軸1102）對背側壓力（軸1104）的示範性繪圖1106。該繪圖1106說明，基板移送機器人換手的置中位置對應最高的背側壓力測量。基板移送機器人在任意方向的偏位增加會造成洩漏減少，因此造成較低的背側壓力讀取。在足夠大的基板移送機器人換手偏移下，基板開口移動至密封環上，且背側壓力會快速減少，如由繪圖1106的幾乎垂直的部件可見。因此，可透過分析複數個背側壓力值，以確定具有相關背側壓力值的基板位置，而找到校準過的基板位置，該相關背側壓力值是複數個背側壓力值的最大值，或是在複數個背側壓力值的最大值的預定容差以內。

在其中校準基板具有多個貫穿孔洞的實施例中，類似第5圖與第6圖中所示，該等孔洞可以許多不同方式排列。可選擇孔洞位置、數目、與直徑，以獲得期望的基板位置精確度。例如，第7圖描繪基板700，該基板700包括實心碟狀物702與複數組貫穿孔洞706。該基板也包括凹口704或其他查找位置特徵，以助於基板定向。儘管圖中顯示三組的三個貫穿孔洞，但可有更多或更少組的貫穿孔洞，且每一組可具有多於三個或少於三個貫穿孔洞。於每一組貫穿孔洞內該等貫穿孔洞可等距地間隔開，且複數組貫穿孔洞可等距地間隔開。設置多組孔洞有利於容許提供更大的開放區域而無須使用可能定位得太靠近基板邊緣的較大直徑孔洞。較大的開放區域有利於提供基板洩漏與密封位置之間的較大差異，從而改善計算置中位置的簡便度。第8圖描繪基板800，該基板800包括實心碟狀物802與示範性複數個貫穿孔洞806。第18圖中顯示十六個等距間隔的孔洞。基板800也描繪查找位置凹口804。提供較多數目的孔洞有利於改善校準基板的位置準確度。第9圖描繪基板900，該基板900包括實心碟狀物902與示範性複數個貫穿孔洞906。第9圖中顯示四個等距間隔的孔洞。提供較少的孔洞有利於簡化製造，且減少校準基板之成本。基板900也描繪查找位置凹口904。

雖然上述內容涉及本案揭露內容之實施例，但可不背離本案揭露內容之基本範疇而設計本案揭露內容之其他與進一步的實施例。

100‧‧‧方法

102-114‧‧‧步驟

200‧‧‧基板支撐件

202‧‧‧主體

204‧‧‧真空區域

206‧‧‧密封環

210‧‧‧支撐銷

212‧‧‧銷開口

214‧‧‧升舉銷密封環

302‧‧‧基板

304‧‧‧處理腔室

306‧‧‧狹縫閥

308‧‧‧移送機器人

310‧‧‧泵

312‧‧‧電阻式加熱器

314‧‧‧加熱電源

318‧‧‧控制器

320‧‧‧CPU

322‧‧‧記憶體

324‧‧‧支援電路

326‧‧‧泵

328‧‧‧升舉銷

330‧‧‧壓力計

402‧‧‧基板

404‧‧‧邊緣環

406‧‧‧距離

408‧‧‧寬度

502‧‧‧基板

506‧‧‧距離

508‧‧‧寬度

510‧‧‧孔洞

512‧‧‧距離

602‧‧‧基板

610‧‧‧孔洞

614‧‧‧直徑

700‧‧‧基板

702‧‧‧實心碟狀物

704‧‧‧凹口

706‧‧‧孔洞

800‧‧‧基板

802‧‧‧實心碟狀物

804‧‧‧查找位置凹口

806‧‧‧孔洞

900‧‧‧基板

902‧‧‧實心碟狀物

904‧‧‧查找位置凹口

906‧‧‧孔洞

1000‧‧‧圖表

1002、1004‧‧‧軸

1006‧‧‧繪圖

1100‧‧‧圖表

1102、1104‧‧‧軸

1106‧‧‧繪圖

透過參考其中一些於附圖描繪的本案揭露內容之示意性實施例，可得到上文簡要總結且於下文將更詳細討論的本案揭露內容之實施例。然而，應注意，附圖僅說明本案揭露內容之一般實施例，因此不應將該等附圖視為限制本案揭露內容之範疇，因為本案揭露內容可容許其他等效實施例。

第1圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的在基板支撐件上定位基板的方法的流程圖。

第2圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的基板支撐件的示意頂視圖。

第3圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的處理腔室的示意側視圖。

第4圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的基板支撐件的示意部分側視圖。

第5圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的另一基板支撐件及基板的示意部分側視圖。

第6圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的另一基板支撐件及基板的示意部分側視圖。

第7圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的基板的示意頂部等角視圖。

第8圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的另一基板的示意頂部等角視圖。

第9圖是根據本案揭露內容之至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關而使用的另一基板的示意頂部等角視圖。

第10圖是根據本案揭露內容的至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關的背側壓力值對基板位置的圖表。

第11圖是根據本案揭露內容的至少一些實施例的與在基板支撐件上定位基板的方法相關的背側壓力對基板位置的說明性圖表。

為了有助於瞭解，如可能則已使用相同的元件符號指定各圖共通的相同元件。該等圖式並未按照比例尺繪製且可為了明確起見而經過簡化。一個實施例的元件及特徵可有利地併入其他實施例，而無須贅述。

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Claims (20)

1. 一種用於在基板支撐件上定位基板的方法，包括下述步驟： 獲得複數個背側壓力值，該等背側壓力值對應於一基板支撐件上的複數個不同的基板位置，這是藉由重複進行下述步驟而達成：將一基板放置於該基板支撐件上的一位置；以及將該基板真空吸附（vacuum chucking）至該基板支撐件，且量測一背側壓力；以及分析該複數個背側壓力值，以確定一校準過的基板位置。
2. 如請求項1所述之方法，進一步包括下述步驟： 將含有該基板支撐件的一處理腔室內的壓力維持在高於該背側壓力。
3. 如請求項2所述之方法，其中維持該處理腔室之該壓力進一步包括：將一惰性氣體流進該處理腔室內。
4. 如請求項1所述之方法，其中該複數個不同的基板位置是透過下述方式獲得：調整一基板移送機器人的一換手（hand off）位置，該基板移送機器人將該基板移送進入含有該基板支撐件的一處理腔室，並且將該基板定位於該基板支撐件上方。
5. 如請求項1所述之方法，進一步包括下述步驟： 將該基板支撐件維持在一後續製程的一溫度，同時獲得複數個背側壓力值。
6. 如請求項1至5任一項所述之方法，其中分析該複數個背側壓力值以確定該校準過的基板位置包括下述步驟：確定具有一相關背側壓力值的一基板位置，該相關背側壓力值是該複數個背側壓力值的一最小值，或是在該複數個背側壓力值的該最小值的一預定容差以內。
7. 如請求項6所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環，以支撐該基板的一外邊緣，其中該基板是一實心（solid）基板，且其中將該基板定位成使得該基板的該外邊緣配置在該密封環的徑向向內處，而增加進入該基板支撐件與該基板之一背側之間的一區域的洩漏率。
8. 如請求項6所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環，以支撐該基板之一外邊緣，其中該基板包括複數個孔洞，該等孔洞配置在接近該基板之該外徑而處於一位置，當該基板於該基板支撐件上置中時該位置對齊該密封環，且其中將該基板定位成使得該複數個孔洞的任一者配置在該密封環的徑向向內處，而增加進入該基板支撐件與該基板之一背側之間的一區域的洩漏率。
9. 如請求項1至5任一項所述之方法，其中分析該複數個背側壓力值以確定該校準過的基板位置包括下述步驟：確定具有一相關背側壓力值的一基板位置，該相關背側壓力值是該複數個背側壓力值的一最大值，或是在該複數個背側壓力值的該最大值的一預定容差以內。
10. 如請求項9所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環以支撐該基板之一外邊緣，其中該基板包括複數個孔洞，該等孔洞配置在接近該基板之該外徑而處於一位置，當該基板於該基板支撐件上置中時該位置配置在接近該密封環且位在該密封環的徑向向內處，且其中將該基板定位成使得該複數個孔洞的任一者配置在該密封環頂上，而減少進入該基板支撐件與該基板之一背側之間的一區域的洩漏率。
11. 一種在具有真空吸盤的基板支撐件上校準基板位置的設備，包括： 一校準基板，包括一實心（solid）碟狀物，該實心碟狀物具有複數個貫穿孔洞，該等貫穿孔洞沿著一圓圈配置成穿過該實心碟狀物，該圓圈的直徑接近該實心碟狀物的外徑。
12. 如請求項11所述之設備，其中該實心碟狀物由石英、矽、碳化矽、或氮化鋁製造。
13. 如請求項11所述之設備，其中該實心碟狀物的直徑為約150mm、約200mm、約300mm、或約450mm。
14. 如請求項11所述之設備，其中該實心碟狀物的厚度為約450微米至約1500微米。
15. 如請求項11至14任一項所述之設備，其中該複數個貫穿孔洞分群（grouped）而成為複數組貫穿孔洞，其中該等組的貫穿孔洞彼此等距間隔。
16. 如請求項11至14任一項所述之設備，其中該複數個貫穿孔洞由十六個彼此等距間隔的貫穿孔洞所組成。
17. 如請求項11至14任一項所述之設備，其中該複數個貫穿孔洞由四個彼此等距間隔的貫穿孔洞所組成。
18. 如請求項11至14任一項所述之設備，進一步包括：在該實心碟狀物之該外邊緣中形成的一查找位置凹口。
19. 如請求項11至14任一項所述之設備，進一步包括： 一基板支撐件，包括一密封環，該密封環環繞用於將一基板真空吸附至該基板支撐件的一真空區域，其中該複數個貫穿孔洞所沿著配置的該圓圈具有一直徑，該直徑大於但接近該密封環的一內徑，或是小於或接近該密封環的該內徑。
20. 一種在具有真空吸盤的基板支撐件上校準基板位置的設備，包括： 一校準基板，包括一實心碟狀物，該實心碟狀物具有約150mm、約200mm、約300mm、或約450mm的直徑，以及約450微米至約1500微米的厚度，其中該實心碟狀物由石英、矽、碳化矽、或氮化鋁所製造；以及 複數個貫穿孔洞，該等貫穿孔洞配置成在該實心碟狀物的外徑附近穿過該實心碟狀物。