TW202339086A - 在基板處理系統中用於基板支撐件的基板位置校準 - Google Patents

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Abstract

本文提供了用於基板處理系統中的基板支撐件的基板位置校準的方法和設備。在一些實施例中，一種用於在一基板支撐件上放置一基板的方法包括以下步驟：藉由重複以下操作來取得對應於一基板支撐件上的複數個不同基板位置的複數個背側壓力值：在該基板支撐件上的一位置中放置一基板；及將該基板真空吸附至該基板支撐件且量測一背側壓力；及分析該複數個背側壓力值以決定一校準基板位置。

Description

在基板處理系統中用於基板支撐件的基板位置校準
本揭示案的實施例一般相關於基板處理系統，且更具體地，相關於在該等處理系統中將基板放置在基板支撐件上。
在傳統的基板處理系統中，例如在微電子裝置製造中，通常需要對基板在基板支撐件上的定位進行精細調整，以最小化由基板支撐件上的不正確的基板放置引起的處理非均勻性。用於檢查基板位置的一種技術是藉由運行處理和分析處理輪廓映射。由不正確的基板放置引起的處理非均勻性隨後可藉由基於處理輪廓映射的分析變更基板放置來解決以改善處理非均勻性。這種基板放置校準可在啟動時或在基板支撐件更換之後執行。然而，發明人已觀察到，難以決定基板傳送機器人需要多少調整(例如，延伸和旋轉步驟)。發明人也發現，結果取決於執行校準的人員，且基板處理、量測、分析和基板傳送機器人交接調整所需的迭代是耗時的。
因此，發明人已提供用於基板支撐件上的基板位置校準的改善方法和設備。
本文提供了用於基板處理系統中的基板支撐件的基板位置校準的方法和設備。在一些實施例中，一種用於在一基板支撐件上放置一基板的方法包括以下步驟：藉由重複以下操作來取得對應於一基板支撐件上的複數個不同基板位置的複數個背側壓力值：在該基板支撐件上的一位置中放置一基板；及將該基板真空吸附至該基板支撐件且量測一背側壓力；及分析該複數個背側壓力值以決定一校準基板位置。
在一些實施例中，一種用於校準具有真空吸盤的基板支撐件上的基板位置的設備包括：校準基板，包括具有複數個通孔的實心圓盤，該等通孔沿著具有接近實心圓盤外直徑的直徑的圓設置穿過實心圓盤。
在一些實施例中，一種用於校準具有真空吸盤的基板支撐件上的基板位置的設備包括：校準基板，包括直徑為約150 mm、約200 mm、約300 mm或約450 mm且厚度為約450微米至約1500微米的實心圓盤，其中實心圓盤由石英、矽、碳化矽或氮化鋁製成；及複數個通孔，穿過實心圓盤接近實心圓盤的外直徑設置該複數個通孔。
下面描述本揭示案的其他和進一步的實施例。
本文提供了用於基板處理系統中的基板支撐件的基板位置校準的方法和設備的實施例。本發明的方法和設備有利地便於校準基板支撐件上的基板位置，而無需在基板上執行任何處理。本發明的技術進一步有利地消除了分析處理結果和處理輪廓映射的需求。本發明的技術進一步有利地更可重複且因此減低或消除取決於操作員執行校準的結果的變化。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的在基板支撐件上放置基板的方法100的流程圖。圖2至9描繪了結合方法100使用的處理設備的各種實施例且將在下面更詳細地描述。可在基板將被設置在基板支撐件上以用於處理時的任何時間執行方法100。在一些實施例中，方法100可在以下時間執行：基板運行開始時、在基板支撐件的維護、修理或安裝之後、在將基板放置在基板支撐件上的基板傳送機器人的維護、修理或安裝之後，在處理腔室關閉後上線之後，在要執行的處理的處理溫度發生改變之後，或在基板支撐件上的基板位置看起來不正確的任何時候。
例如，圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的適合結合方法100使用的基板支撐件的示意性頂部視圖。圖2中所展示的基板支撐件的部件的配置和佈置僅僅是示例性的而不是限制性的。如圖2中所描繪，基板支撐件200是具有主體202的真空吸盤，主體202包括限定在基板支撐件200的支撐結構之間的真空區域204。
例如，提供外密封帶或密封環206，其外直徑大於要支撐的基板的外直徑且內直徑小於要支撐的基板的內直徑，使得當基板適當地放置在密封環206頂部時，可在真空區域內維持真空。在一些實施例中，複數個支撐銷210可佈置在真空區域204內的支撐表面頂部。也可提供複數個升降銷開口212以便於升降銷選擇性地將基板升高和降低到基板支撐件200上。在升降銷不與基板支撐件形成密封的實施例中，可提供對應的升降銷密封環214以限制或防止來自升降銷開口212的洩漏進入真空區域204。密封環206、支撐銷210和升降銷密封環214的上表面共同形成基板放置在基板支撐件上時的支撐表面。提供至少一個開口208以將真空區域204耦合到真空源(例如，圖3中所展示的泵310)。
圖3是根據本揭示案的至少一些實施例的適合結合方法100使用的處理腔室的示意性頂部視圖。圖3中所展示的處理腔室的部件的配置和佈置僅僅是示例性的而不是限制性的。此外，為了不混淆本揭示案，在圖式中省略了傳統部件或其他對於理解本揭示案而言不必要的細節。如圖3中所描繪，處理腔室304包含處理腔室304的內部容積332中的基板支撐件，例如上述的基板支撐件200。如上所述，基板支撐件200是真空吸盤且耦合到真空源，例如泵310或其他合適的真空源。壓力感測器(例如壓力計330)可操作地耦合到真空區域204以量測真空區域204中的背側壓力。在一些實施例中，基板支撐件200可進一步包括加熱器，例如耦合到加熱器功率源314的電阻加熱器312。基板302被展示為設置在基板支撐件200的密封環206上。
處理腔室304包括開口，例如狹縫閥306以選擇性地開啟處理腔室304以便於將基板移動進入和離開處理腔室304的內部容積332，例如，經由基板傳送機器人308。基板傳送機器人308的控制便於控制基板302在基板支撐件200上的位置，且最終便於控制當從基板傳送機器人308傳送到基板支撐件200時基板302在基板支撐件200上的位置。可提供複數個升降銷328以幫助在基底傳送機器人308和基底支撐件200之間傳送基板302。
處理腔室304經配置以用於執行多種處理之其中一者或更多者，例如沉積處理。氣體源316耦合到處理腔室304的內部容積以提供基板處理(例如，沉積)所需的處理氣體。此外，氣體源316提供至少一個惰性氣體，例如氮氣或稀有氣體(例如氬等)。泵326耦合到處理腔室304的內部容積332以在處理腔室內維持期望的壓力並移除處理期間的處理氣體和處理副產物。
在一些實施例中，為了便於控制處理腔室304，控制器318耦合到處理腔室304的部件，包括壓力計330、基板傳送機器人308等。控制器318可為任何形式的通用電腦處理器，其可在工業環境中使用以控制各種腔室和子處理器。控制器包括中央處理單元(CPU) 320、記憶體322和支援電路324。CPU 320的記憶體或電腦可讀取媒體322可為以下一個或更多個容易獲得的記憶體，例如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他形式的本端或遠端的數位儲存。支援電路324耦合到CPU 320以用於以傳統方式支援處理器。該等電路包括快取、電源、時鐘電路、輸入/輸出電路系統和子系統等。一個或更多個方法及/或處理通常可作為軟體例程而儲存在記憶體322中，當由CPU 320執行時，使得處理腔室304執行處理，例如本文揭露的基板放置方法和其他處理(例如沉積處理)。例如，本文描述的方法100可在控制器318的控制下自動執行，其中儲存校準的基板傳送機器人交接位置以用於傳送基板的重複使用直到需要重新校準。
方法100一般開始於102，其中在基板支撐件上對應的複數個不同基板位置處取得複數個背側壓力值。藉由以下操作取得每一背側壓力值：在基板支撐件上的一位置中放置基板(如110所指示)，將基板真空吸附到基板支撐件(如112所指示)，及量測背側壓力(如114所指示)。為了便於真空吸附，處理腔室的內部容積332中的壓力維持在高於真空區域204中的壓力，例如高於真空區域204中的壓力至少約1 Torr。例如，在一些實施例中，在真空吸附基板時，包含基板支撐件(和基板)的處理腔室內的壓力維持在約5 Torr(雖然也可使用其他壓力)。在一些實施例中，在處理腔室內流動惰性氣體(例如氮氣或稀有氣體(例如，氬等))時維持壓力。在一些實施例中，如113處所指示，在量測背側壓力之前，可選地將處理腔室內的壓力增加到預定壓力。在一些實施例中，預定壓力為約20至約40 Torr(雖然也可使用其他壓力)。在一些實施例中，在放置基板、真空吸附基板、和量測背側壓力值期間，可將基板支撐件加熱到第一溫度。在一些實施例中，第一溫度是要執行的後續處理(例如，沉積處理)的溫度。
在不同基板位置處重複在基板支撐件上放置和吸附基板及量測對應的背側壓力，藉由控制將基板放置在基板支撐件上的基板傳送機器人的參數來取得(例如，基板傳送機器人308)。藉由調整將基板移動進入處理腔室並將基板放置在基板支撐件上的基板傳送機器人的交接位置來取得複數個基板位置。例如，藉由控制基板傳送機器人的延伸及/或旋轉(或影響基板相對於基板支撐件的位置的其他參數)，可取得基板在基板支撐件上的各種位置，且可量測對應的背側壓力。
在取得複數個背側壓力值之後，分析複數個背側壓力值以決定校準的基板位置，如104所指示。例如，圖10和圖11是根據本揭示案的至少一些實施例結合在基板支撐件上放置基板的方法取得及使用的背側壓力值的圖表。如圖10和圖11中所展示，量測的背側壓力根據基板傳送機器人的交接偏移(或位置)而變化。基板傳送機器人的位置決定了放置於基板支撐件上的基板位置，且因此決定了在傳送完成時在基板支撐件上的基板位置。圖10至11描繪了基於橫向交接偏移的示例性資料。然而，基板傳送機器人的交接偏移(或位置)可沿著平行於基板支撐表面的基板傳送平面在二維中變化以取得更精確的基板放置資料。基板傳送機器人的控制可沿著基板傳送平面內的x-y坐標，使用基板傳送平面內的延伸和旋轉坐標，或基板交接位置控制的任何其他合適的參數。
在基板放置於基板支撐件上且施加真空壓力以保持基板時，背側壓力將隨著從處理腔室的內部容積洩漏進入基板支撐件的真空區域中的增加而增加(例如，洩漏率中的增加)。在一些實施例中，校準基板可為標準尺寸的基板(例如，具有等於基板支撐被設計用於支撐的基板的尺寸的基板，例如標準半導體晶圓尺寸，例如約450 mm，約300 mm、約200 mm、約150 mm等)。校準基板旨在由與生產基板相同的設備處理，因此具有與標準半導體晶圓相似的厚度(例如，從約450微米到約1500微米)。校準基板可由任何處理可相容的材料製成，例如石英、矽、碳化矽、氮化鋁等。
在一些實施例中，校準基板是實心的(例如，其上沒有形成通孔或穿孔)。在該等實施例中，校準基板可為生產基板(例如，矽或半導體基板，在其上將在相同處理腔室中執行後續處理)。在一些實施例中，校準基板可為非生產基板。在一些實施例中，校準基板可為空白基板。空白基板可由均質材料形成且可為未塗覆的或均勻塗覆的。
例如，圖4是根據本揭示案的至少一些實施例結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的基板支撐件和基板的示意性部分側視圖。圖4中所展示的基板支撐件可如上文相關於圖2至3所述。如圖4中所展示，當基板402(其為實心基板)放置於基板支撐件上時，基板背側設置在密封環206的頂部。當基板402完美放置於基板支撐件上時，基板的中心與密封環206的中心對齊(例如，它們是同心的)且基板的邊緣和密封環的外直徑繞著基板的整個圓周等距間隔開。然而，當基板402不正確地放置於基板支撐件上時，基板的邊緣相對於密封環206不居中且一個邊緣可設置在密封環206的較小部分的頂部或可完全偏離密封環206。此非對齊造成從處理腔室的內部容積進入真空區域204的變化洩漏(洩漏量取決於非對齊量)。
此外，處理腔室內的其他部件(例如邊緣環404)可繞著基板支撐件設置，限制基板支撐件頂部的基板402可能的非對齊量。在一些實施例中，密封環的寬度408足夠小且基板的外邊緣和相鄰的處理腔室部件(例如，邊緣環404)之間的距離406足夠大，使得有足夠的空間用於基板位置錯誤以產生足夠大的洩漏，而可量測地影響背側壓力。
例如，圖10描繪了圖表1000，展示了基板傳送機器人交接偏移(軸1002)對背側壓力(軸1004)的繪圖1006。如所見，繪圖1006展示基板傳送機器人交接的居中位置對應於最低背側壓力量測值。基板傳送機器人在任一方向上的偏移增加會導致更大的洩漏，從而導致更高的背側壓力讀數。在足夠大的基板傳送機器人交接偏移處，基板的邊緣移動離開密封環且背側壓力迅速增加，如繪圖1006的近乎垂直部分所見。因此，在一些實施例中，可分析複數個背側壓力值以決定具有相關聯背側壓力值的基板位置，該相關聯背側壓力值是複數個背側壓力值的最小值或在複數個背側壓力值的最小值的預定容忍度內。
在一些實施例中，基板邊緣和邊緣環之間的間隙的尺寸足夠小且密封環的寬度足夠大，使得在基板和密封環之間沒有實質洩漏，無論基板在基板支撐件上的何位置(由於基板的有限橫向運動範圍)。
例如，圖5描繪了根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的基板支撐件和基板的示意性部分側視圖。圖5中所展示的基板支撐件可如上文相關於圖2至3所述。如圖5中所展示，當基板502放置於基板支撐件上時，基板背側設置在密封環206的頂部。當基板502完美放置於基板支撐件上時，基板的中心與密封環206的中心對齊(例如，它們是同心的)且基板的邊緣和密封環的外直徑繞著基板的整個圓周等距間隔開。然而，在與圖5一致的實施例中，密封環的寬度508相對於基板的外邊緣和相鄰處理腔室部件(例如，邊緣環404)之間的距離506足夠大，使得非對齊實心基板可能不會造成足以基於背側壓力量測值來決定正確位置的進入真空區域204的洩漏，或者洩漏可能足夠小使得該決定可能更困難且更不精確。
據此，在一些實施例中，基板502可包括設置穿過對應於密封環的位置的基板的一部分的複數個通孔510。如本文所使用，對應於密封環的位置意味著當基板在基板支撐件頂部居中時，通孔將設置在密封環頂部。通孔510之每一者可具有經選擇以允許足夠洩漏以便於如本文所述的量測的直徑。在一些實施例中，通孔510的直徑可為約0.02吋(約0.5 mm)至約0.07吋(約1.8 mm)，或從約0.03吋(約0.75 mm)至約0.04吋(約1 mm)。在一些實施例中，沿著直徑接近但大於密封環內直徑的圓放置通孔510(如圖5中所展示)。通孔510被放置使得通孔的中心和密封環的邊緣(例如，如圖5中所展示的內直徑邊緣)之間的距離512被選擇以允許在基板502在基板支撐件上被放置偏離中心時洩漏從處理腔室的內部容積經過通孔510進入真空區域204。例如，在一些實施例中，在12吋(300 mm)的基板上，通孔510可以它們各自的中心佈置在直徑為約10.939吋(約277.85 mm)至約11.515吋(292.48 mm)的圓上，例如約10.95吋(約278.13 mm)。孔位置可縮放到其他尺寸的基板。
據此，當基板502不正確地放置在基板支撐件上時，通孔510之其中一者或更多者被放置靠近密封環206的內邊緣或越過密封環206的邊緣且在真空區域204上。這種非對齊造成從處理腔室的內部容積進入真空區域204的變化洩漏(洩漏量取決於非對齊量)。可類似地分析基於基板位置的背側壓力讀數中的這種變化以取得類似於圖10中所展示的繪圖1006的圖表，其中增加偏移導致增加的背側壓力讀數。
替代地，在一些實施例中，通孔的位置被顛倒，使得當基板在基板支撐件上居中時，通孔被設置在真空區域上，但當基板在基板支撐件上被錯置時至少一個通孔被覆蓋。例如，在一些實施例中，基板602可包括設置穿過對應於真空區域204且接近密封環206的位置的基板的一部分的複數個通孔610。如本文所使用，對應於真空區域的位置意味著當基板在基板支撐件頂部居中時，通孔將設置在真空區域上。如本文所使用，接近密封環的位置意味著通孔被設置足夠靠近密封環，使得當基板偏離中心設置在基板支撐件頂部時，一個或更多個通孔可設置在密封環的頂部。
在一些實施例中，沿著直徑接近但小於密封環內直徑的圓放置通孔610(如圖6中所展示)。通孔610被放置使得當基板602在基板支撐件上居中時，通孔的直徑614完全地或主要地設置於真空區域上且接近密封環邊緣(例如，如圖6中所展示的內直徑邊緣)。通孔610被進一步放置，使得一個或更多個通孔610可移動經過密封環的邊緣(例如，如圖6中所展示的內直徑邊緣)以允許在基板602在基板支撐件上被放置偏離中心時減低從處理腔室的內部容積經由通孔610進入真空區域204的洩漏。
據此，當基板602不正確地放置於基板支撐件上時，一個或更多個通孔610被部分或完全放置於密封環206頂部，部分或完全阻擋從處理腔室的內部容積經由通孔610進入真空區域204的洩漏。不同量的非對齊造成從處理腔室的內部容積進入真空區域204的變化量的洩漏阻擋(洩漏量取決於非對齊量)。可基於基板位置分析背側壓力讀數中的這種變化以取得類似於圖11中所展示的繪圖1106的圖表，其中增加偏移導致背側壓力讀數減少。
具體而言，圖11描繪了說明性的圖表1100，展示了基板傳送機器人交接偏移(軸1102)對背側壓力(軸1104)的示例性的繪圖1106。繪圖1106圖示了基板傳送機器人交接的居中位置對應於最高背側壓力量測值。增加基板傳送機器人在任一方向上的偏移會導致洩漏減低，從而降低背側壓力讀數。在足夠大的基板傳送機器人交接偏移下，基板的開口移動到密封環上且背側壓力將快速減少，如繪圖1106的近乎垂直部分所見。因此，可藉由分析複數個背側壓力值以決定具有相關聯背側壓力值的基板位置來找到校準的基板位置，該相關聯背側壓力值是複數個背側壓力值的最大值或在複數個背側壓力值的最大值的預定容忍度內。
在校準基板具有通孔的實施例中，類似於圖5和6中所展示，可以許多不同的方式來佈置孔。可選擇孔位置、數量、和直徑以取得期望的基板位置的精確度。例如，圖7描繪了包括實心圓盤702和複數組通孔706的基板700。基板也可包括凹口704或其他定位特徵以便於基板定向。雖然展示了三組三個通孔，可有更多或更少組的通孔且每一組可具有多於或少於三個孔。通孔可在每一組通孔內等距間隔開，且複數組通孔可等距間隔開。提供成組的孔有利地允許提供更大的開口區域而不使用可能太靠近基板邊緣放置的更大直徑的孔。較大的開口區域有利地提供了基板的洩漏和密封位置之間的較大差異，因此改善了計算居中位置的容易度。圖8描繪了包括實心圓盤802和示例性複數個通孔806的基板800。圖18中展示了16個等距間隔開的孔。基板800也描繪了定位凹口804。提供更多數量的孔有利於改善了校準基板的放置精確度。圖9描繪了包括實心圓盤902和示例性複數個通孔906的基板900。圖9中展示了4個等距間隔開的孔。提供更少的孔有利地簡化了製造並減低了校準基板的成本。基板900也描繪了定位凹口904。
雖然前述針對本揭示案的實施例，在不脫離本揭示案的基本範圍的情況下可設計本揭示案的其他和進一步的實施例。
100:方法 102~114:步驟 200:基板支撐件 202:主體 204:真空區域 206:密封環 210:支撐銷 212:銷開口 214:升降銷密封環 302:基板 304:處理腔室 306:狹縫閥 308:基板傳送機器人 310:泵 312:電阻加熱器 314:加熱器功率源 318:控制器 320:CPU 322:記憶體 324:支援電路 326:泵 328:升降銷 330:壓力計 402:基板 404:邊緣環 406:距離 408:寬度 502:基板 506:距離 508:寬度 510:通孔 512:距離 602:基板 610:通孔 614:直徑 700:基板 702:實心圓盤 704:凹口 706:孔 800:基板 802:實心圓盤 804:定位凹口 806:孔 900:基板 902:實心圓盤 904:定位凹口 906:孔 1000:圖表 1002:軸 1004:軸 1006:繪圖 1100:圖表 1102:軸 1104:軸 1106:繪圖
可藉由參考附圖中描繪的本揭示案的說明性實施例來理解上文簡要總結和下文更詳細討論的本揭示案的實施例。然而，附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例且因此不應被視為限制範圍，因為本揭示案可承認其他等效的實施例。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的在基板支撐件上放置基板的方法的流程圖。
圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的基板支撐件的示意性頂部視圖。
圖3是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的處理腔室的示意性側視圖。
圖4是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的基板支撐件及基板的示意性部分側視圖。
圖5是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的其他基板支撐件及基板的示意性部分側視圖。
圖6是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的其他基板支撐件及基板的示意性部分側視圖。
圖7是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的基板的示意性頂部等距視圖。
圖8是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的其他基板的示意性頂部等距視圖。
圖9是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法使用的其他基板的示意性頂部等距視圖。
圖10是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法的背側壓力值對基板位置的圖表。
圖11是根據本揭示案的至少一些實施例的結合在基板支撐件上放置基板的方法的背側壓力值對基板位置的說明性圖表。
為了便於理解，儘可能地使用相同的附圖標記來指示圖式共有的相同元件。圖式不是按比例繪製的且可為了清楚起見被簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:方法
102~114:步驟

Claims (20)

  1. 一種用於在一基板支撐件上放置一基板的方法，包括以下步驟： 藉由重複以下操作來取得對應於一基板支撐件上的複數個不同基板位置的複數個背側壓力值： 在該基板支撐件上的一位置中放置一基板；及 將該基板真空吸附至該基板支撐件且量測一背側壓力；及 分析該複數個背側壓力值以決定一校準基板位置。
  2. 如請求項1所述之方法，進一步包括以下步驟： 維持包含該基板支撐件的一處理腔室內的一壓力高於該背側壓力。
  3. 如請求項2所述之方法，其中維持該處理腔室內的該壓力之步驟進一步包括以下步驟：在該處理腔室內流動一惰性氣體。
  4. 如請求項1所述之方法，其中藉由調整一基板傳送機器人的一交接位置來取得該複數個不同基板位置，該基板傳送機器人將該基板移動進入包含該基板支撐件的一處理腔室且放置該基板在該基板支撐件上。
  5. 如請求項1所述之方法，其中分析該複數個背側壓力值以決定該校準基板位置之步驟包括以下步驟：決定具有一相關聯背側壓力值的一基板位置，該相關聯背側壓力值為該複數個背側壓力值的一最小值或在該複數個背側壓力值的該最小值的一預定容忍度內。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環以支撐該基板的一外邊緣，其中該基板為一實心基板，且其中放置該基板使得該基板的該外邊緣設置在該密封環的徑向內側增加了進入該基板支撐件及該基板的一背側之間的一區域的一洩漏率。
  7. 如請求項5所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環以支撐該基板的一外邊緣，其中該基板包括在一位置中設置接近該基板的該外直徑的複數個孔，該位置在該基板在該基板支撐件上居中時與該密封環對齊，且其中放置該基板使得該複數個孔之任一者設置在該密封環的徑向內側增加了進入該基板支撐件及該基板的一背側之間的一區域的一洩漏率。
  8. 如請求項1所述之方法，其中分析該複數個背側壓力值以決定該校準基板位置之步驟包括以下步驟：決定具有一相關聯背側壓力值的一基板位置，該相關聯背側壓力值為該複數個背側壓力值的一最大值或在該複數個背側壓力值的該最大值的一預定容忍度內。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該基板支撐件包括一密封環以支撐該基板的一外邊緣，其中該基板包括在一位置中設置接近該基板的該外直徑的複數個孔，該位置在該基板在該基板支撐件上居中時設置接近該密封環且設置在該密封環的徑向內側，且其中放置該基板使得該複數個孔之任一者設置在該密封環頂部減少了進入該基板支撐件及該基板的一背側之間的一區域的一洩漏率。
  10. 如請求項1至9之任一項所述之方法，進一步包括以下步驟：在取得複數個背側壓力值時，維持該基板支撐件於一後續處理的一溫度。
  11. 如請求項1至9之任一項所述之方法，進一步包括以下步驟：在量測背側壓力之前，增加包含該基板支撐件的一處理腔室內的一壓力至一預定壓力。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該預定壓力為約20至約40 Torr。
  13. 如請求項1至9之任一項所述之方法，進一步包括以下步驟：在取得一期望校準基板位置時，儲存該校準基板位置，直到需要重新校準。
  14. 如請求項1至9之任一項所述之方法，其中該基板為一校準基板，該校準基板具有等於該基板支撐件被設計用於支撐的一基板的尺寸。
  15. 一種非暫態電腦可讀取媒體，用於儲存電腦指令，在由至少一個處理器執行時使得該至少一個處理器執行請求項1至9之任一項所述之方法。
  16. 如請求項15所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括：在取得複數個背側壓力值時，維持該基板支撐件於一後續處理的一溫度。
  17. 如請求項15所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括：在量測背側壓力之前，增加包含該基板支撐件的一處理腔室內的一壓力至一預定壓力。
  18. 如請求項17所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該預定壓力為約20至約40 Torr。
  19. 如請求項15所述之非暫態電腦可讀取媒體，進一步包括：在取得一期望校準基板位置時，儲存該校準基板位置，直到需要重新校準。
  20. 如請求項15所述之非暫態電腦可讀取媒體，其中該基板為一校準基板，該校準基板具有等於該基板支撐件被設計用於支撐的一基板的尺寸。
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