JP5943201B2 - 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
その成長工程で得られたエピタキシャル層の外周部における円周方向の膜厚分布を測定する測定工程と、
その測定工程で得られた膜厚分布に基づいて前記サセプタにおける前記基板の載置位置の偏芯を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする。
貫通孔が形成されたサセプタを有した図4に示すようなエピタキシャル成長装置を用いて、特許文献3にある方法を用いてφ300mmシリコンウェーハの裏面側に貫通孔を転写させ、その貫通孔パターンより載置位置の偏芯量を求めた。その偏芯方向はノッチを下(6時方向)にして10時半方向で、偏芯量は899.8μmであった(比較例)。
貫通孔の無いサセプタを有した図4に示すようなエピタキシャル成長装置を用いて、P型、抵抗率0.01Ωcm(いわゆるP+)のφ300mmシリコンウェーハ表面に、抵抗率8Ωcm、平均厚さ2.75μmのエピタキシャル層を成長させ、円周方向に外周2mmのエピタキシャル層膜厚分布を測定した。エピタキシャル層の膜厚測定には、フーリエ変換赤外分光器を用いたナノメトリクス社製エピタキシャル層膜厚測定機QS3300EGを用いた。
2 チャンバー
21 チャンバーベース
22 透明石英部材
23 不透明石英部材
3 サセプタ
31 ポケット部
4 反応ガス供給手段
5 反応ガス排出手段
7 サポートシャフト
71 主支柱
72 副支柱
8 ウェーハ回転機構
9 基板
10 ヒータ
Claims (10)
- 凹形状のポケット部が形成されたサセプタの前記ポケット部に基板を載置して前記基板上にエピタキシャル層を成長させる成長工程と、
その成長工程で得られたエピタキシャル層の外周部における円周方向の膜厚分布を測定する測定工程と、
その測定工程で得られた膜厚分布に基づいて前記サセプタにおける前記基板の載置位置の偏芯を評価する評価工程と、
を含み、
前記評価工程では、前記膜厚分布における最小の膜厚の、前記膜厚分布の平均値からの偏差に基づいて前記基板の載置位置の偏芯量を算出することを特徴とする偏芯評価方法。 - 凹形状のポケット部が形成されたサセプタの前記ポケット部に基板を載置して前記基板上にエピタキシャル層を成長させる成長工程と、
その成長工程で得られたエピタキシャル層の外周部における円周方向の膜厚分布を測定する測定工程と、
その測定工程で得られた膜厚分布のデータをフィルタリング処理して前記膜厚分布をファセット成長に起因した短周期成分と長周期成分とに分離する分離工程と、
前記分離工程で得られた前記膜厚分布の長周期成分のデータに基づいて前記サセプタにおける前記基板の載置位置の偏芯を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする偏芯評価方法。 - 前記評価工程では、前記膜厚分布の平均値からの前記膜厚分布の偏差に基づいて前記基板の載置位置の偏芯を評価することを特徴とする請求項2に記載の偏芯評価方法。
- 前記評価工程では、前記膜厚分布における最小の膜厚の前記平均値からの偏差に基づいて前記基板の載置位置の偏芯量を算出することを特徴とする請求項3に記載の偏芯評価方法。
- 前記評価工程では、前記外周部の円周方向に沿った各位置のうち前記最小の膜厚の位置の方向に前記基板の載置位置が偏芯していると評価することを特徴とする請求項1又は4に記載の偏芯評価方法。
- 前記偏差と前記偏芯量の関係を求める関係取得工程を含み、
前記評価工程では、前記関係取得工程で得られた関係に基づいて今回の前記偏差に対する前記偏芯量を算出することを特徴とする請求項1、4又は5に記載の偏芯評価方法。 - 前記膜厚分布のデータをフィルタリング処理して前記膜厚分布をファセット成長に起因した短周期成分と長周期成分とに分離する分離工程を含み、
前記評価工程では、前記分離工程で得られた前記膜厚分布の長周期成分のデータに基づいて前記基板の載置位置の偏芯を評価することを特徴とする請求項1に記載の偏芯評価方法。 - 前記測定工程では、フーリエ赤外分光光度計にて前記膜厚分布を測定することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の偏芯評価方法。
- 前記測定工程では、エピタキシャル成長前後の前記基板の厚み測定を行い、その差から前記膜厚分布を測定することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の偏芯評価方法。
- 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の偏芯評価方法によって評価した前記基板の偏芯量及び偏芯方向に基づいて、前記サセプタにおける基板の載置位置を補正した後、基板上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
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