JP6605197B2 - 気相成長方法および気相成長装置 - Google Patents
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Description
本実施形態の気相成長方法は、基板を反応炉内の支持部に載置し、基板を基板の周方向に所定の回転速度で回転し、所定の回転速度で回転中の基板の温度を昇温し、昇温中における複数の基板の外周部の温度を120度以下の回転角度毎に測定し、複数の基板の外周部の温度の変化量に基づいて基板の支持部に対する位置ずれの有無を判定する。
本実施形態の気相成長法は、ウェハW(基板)の温度を降温する点で、第1の実施形態と異なっている。すなわち、本実施形態の気相成長方法は、基板を反応炉内の支持部に載置し、基板を基板の周方向に所定の回転速度で回転し、所定の回転速度で回転中の基板の温度を降温し、降温中における複数の基板の外周部の温度を120度以下の回転角度毎に測定し、複数の基板の外周部の温度の変化量に基づいて基板の支持部に対する位置ずれの有無を判定する。なお、第1の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
ウェハWの降温を停止し(S64)、ウェハを第2の回転速度で回転させる(S66)。次に、気相成長装置制御部64が、反応ガスを反応ガス供給口12からシャワープレート48を通してウェハW上に導入し、ウェハW上に膜を成長させる(S68)。使われなかった反応ガスと成膜により生じた生成物は、排気口14より排気する。
12 反応ガス供給口
14 排気口
20 ベースプレート
22 回転ベース
24 ヒーターシャフト
26 ピン
28 リング
32 連結部
34 ベースディスク
36 ブースバー
38 第1のヒーター
40 第2のヒーター
42 支持部
44 凹部
45 穴
46 測定箇所
48 シャワープレート
50 第1の温度計
52 第2の温度計
54 ガス供給部
56 制御機構
58 電源
60 位置ずれ判定部
64 気相成長装置制御部
100 気相成長装置
W ウェハ(基板)
Claims (4)
- 基板を反応炉内の支持部に載置し、
前記基板を前記基板の周方向に所定の回転速度で回転し、
前記所定の回転速度で回転する前記基板の温度を昇温または降温し、
前記基板の温度を昇温または降温しながら前記基板の外周部の温度を所定の回転角度毎に測定し、
前記基板の外周部の前記所定の回転角度毎の前記温度の変化量の最大値と最小値の差に基づいて前記基板の前記支持部に対する位置ずれの有無を判定することを特徴とする気相成長方法。 - 前記基板の外周部の前記所定の回転角度毎の前記温度の変化量の最大値と最小値は、直前の所定の回転数内において測定された温度を用いて求めることを特徴とする請求項1記載の気相成長方法。
- 前記回転角度は45度以上120度以下であることを特徴とする特徴とする請求項1または請求項2記載の気相成長方法。
- 反応炉と、
前記反応炉内に配置され、基板が載置され前記基板を前記基板の周方向に所定の回転速度で回転する支持部と、
前記基板の外周部の所定の回転角度毎の温度を測定する温度計と、
前記基板の外周部の前記所定の回転角度毎の温度の変化量の最大値と最小値の差に基づいて前記基板の前記支持部に対する位置ずれの有無を判定する位置ずれ判定部と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。
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JP2014227431A JP6605197B2 (ja) | 2014-11-07 | 2014-11-07 | 気相成長方法および気相成長装置 |
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