KR101359548B1 - 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

본 발명은, 성막시의 웨이퍼와 서셉터의 접합 유무를 검출하고, 수율, 스루풋의 향상이 가능한 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
반응실 내에 웨이퍼를 도입하여 지지부 상에 배치하고, 지지부의 하부에 설치된 히터에 의해 웨이퍼를 가열하며, 웨이퍼를 회전시켜, 웨이퍼 상에 프로세스 가스를 공급함으로써, 웨이퍼 상에 성막하고, 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 온도 분포를 검출하며, 검출된 온도 분포에 기초하여 웨이퍼와 지지부의 접합 유무를 판단한다.

Description

기상 성장 방법 및 기상 성장 장치{VAPOR PHASE GROWING METHOD AND VAPOR PHASE GROWING APPARATUS}
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼의 이면에서 가열하면서 표면에 반응 가스를 공급하여 성막을 행하기 위해 이용되는 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치의 저가격화, 고성능화의 요구에 따라, 성막 공정에 있어서의 높은 생산성과 함께 막 두께 균일성의 향상 등 고품질화가 요구되고 있다.
이러한 요구를 충족시키기 위해서, 매엽식(枚葉式)의 기상 성장 장치가 이용되고 있다. 매엽식의 기상 성장 장치에서는, 예컨대, 반응실 내에 있어서, 웨이퍼를 900 rpm 이상으로 고속 회전시키면서, 프로세스 가스를 공급하고, 히터를 이용하여 이면에서 가열하는 이면 가열 방식에 의해 웨이퍼 상에 성막이 행해진다.
이러한 성막 공정에 있어서, 웨이퍼 위뿐만 아니라, 웨이퍼의 지지 부재인 서셉터 위에도 생성물이 퇴적된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평성11-67675호 공보
생성물이 웨이퍼와 서셉터 사이에 퇴적되면, 웨이퍼가 서셉터에 접합되고, 웨이퍼를 반출하기 위해 푸싱핀에 의해 상승시킬 때, 서셉터도 접합된 상태로 상승해 버리는 경우가 있다. 그리고, 웨이퍼를 상승 중이나 로봇 핸드 상에 배치할 때에, 웨이퍼나 서셉터의 파손 등으로 인해, 반응실 내부를 강온시켜 제거하는 등의 필요가 발생하여, 수율, 스루풋이 저하된다고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은, 성막시의 웨이퍼와 서셉터의 접합 유무를 검출하고, 수율, 스루풋의 향상이 가능한 기상 성장 방법 및 기상 성장 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명의 기상 성장 방법은, 반응실 내에 웨이퍼를 도입하여 지지부 상에 배치하고, 지지부의 하부에 설치된 히터에 의해 웨이퍼를 가열하며, 웨이퍼를 회전시켜, 웨이퍼 상에 프로세스 가스를 공급함으로써, 웨이퍼 상에 성막하고, 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 온도 분포를 검출하며, 검출된 온도 분포에 기초하여 웨이퍼와 지지부의 접합 유무를 판단하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 양태인 기상 성장 방법에 있어서, 성막의 전후에, 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 상기 온도 분포를 검출하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 양태인 기상 성장 방법에 있어서, 온도 분포는, 상기 웨이퍼의 주연부에서의 원주 방향 및 직경 방향의 온도 분포인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 양태인 기상 성장 방법에 있어서, 판단된 접합 유무의 정보를, 상기 웨이퍼의 이력 정보로서 기억하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태인 기상 성장 장치는, 웨이퍼가 도입되는 반응실과, 반응실에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급부와, 반응실로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출부와, 웨이퍼를 배치하는 지지부와, 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 구동 제어부와, 웨이퍼를 정해진 온도로 가열하기 위한 히터와, 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 온도 분포를 검출하기 위한 온도 검출부와, 검출된 온도 분포에 기초하여 웨이퍼와 상기 지지 부재의 접합 유무를 판단하는 연산 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 성막시의 웨이퍼와 서셉터의 접합 유무를 검출하여, 수율, 스루풋을 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 양태에 따른 기상 성장 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 양태에 따른 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 양태에 따른 접합이 없는 경우의 웨이퍼와 서셉터 사이를 도시한 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 양태에 따른 접합이 없는 경우의 웨이퍼 주연부의 원주 방향의 온도 분포를 도시한 도면이다.
도 5a는 본 발명의 일 양태에 따른 접합이 있는 경우의 웨이퍼와 서셉터 사이를 도시한 부분 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 양태에 따른 접합이 있는 경우의 웨이퍼와 서셉터 사이를 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 양태에 따른 접합이 있는 경우의 웨이퍼 주연부의 원주 방향의 온도 분포를 도시한 도면이다.
도 7a는 본 발명의 일 양태에 따른 성막 전과 성막 후의 온도 분포를 도시한 도면이다.
도 7b는 본 발명의 일 양태에 따른 성막 전과 성막 후의 온도 분포를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 양태에 따른 웨이퍼(w) 전체 둘레에 접합이 있는 경우와, 접합이 없는 경우의 정해진 위상에서의 직경 방향의 온도 분포를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
(실시형태 1)
도 1에 본 실시형태의 기상 성장 장치의 단면도를 도시한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(w)가 성막 처리되는 반응실(11)에는, 필요에 따라 그 내벽을 덮도록 석영 커버(11a)가 설치되어 있다.
반응실(11)의 상부에는, 소스 가스, 캐리어 가스를 포함하는 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급부(12)와 접속된 가스 공급구(12a)가 설치되어 있다. 그리고, 반응실(11) 아래쪽에는, 예컨대 2 지점에, 가스를 배출하고, 반응실(11) 내의 압력을 일정(예컨대 상압)하게 제어하기 위한 가스 배출부(13)와 접속된 가스 배출구(13a)가 설치되어 있다.
가스 공급구(12a)의 아래쪽에는, 공급된 프로세스 가스를 정류하여 공급하기 위한 미세 관통 구멍을 갖는 정류판(14)이 설치되어 있다.
그리고, 정류판(14)의 아래쪽에는, 웨이퍼(w)를 배치하기 위한 지지부인, 예컨대 SiC를 포함하는 서셉터(15)가 설치되어 있다. 서셉터(15)는, 회전 부재인 링(16) 상에 설치되어 있다. 링(16)은, 웨이퍼(w)를 정해진 회전 속도로 회전시키는 회전축을 통해 모터 등으로 구성되는 회전 구동 제어부(17)와 접속되어 있다.
링(16) 내부에는, 웨이퍼(w)를 가열하기 위한, 예컨대 SiC를 포함하는 내측 히터(18), 외측 히터(19)로 구성되는 히터가 설치되어 있고, 각각 정해진 승온/강온 속도로 정해진 온도가 되도록 제어하는 온도 제어부(도시하지 않음)와 접속되어 있다. 그리고, 이들 내측 히터(18), 외측 히터(19)로부터 아래쪽으로의 열을 반사하여 웨이퍼(w)를 효율적으로 가열하기 위한 원반 형상의 리플렉터(20)가 설치되어 있다. 또한, 내측 히터(18) 및 리플렉터(20)를 관통하도록 웨이퍼(w)의 하면을 지지하고, 웨이퍼(w)를 상하로 이동시키는 푸싱핀(21)이 설치되어 있다.
반응실(11)의 상부에는, 웨이퍼(w)의 주연부의 온도 분포를 검출하기 위한 온도 검출부인 방사 온도계(22)가 설치되어 있고, 연산 처리부(23)와 접속되어 있다.
이와 같은 반도체 제조 장치를 이용하여 예컨대, Φ200 mm의 웨이퍼(w) 상에, Si 에피택셜막이 형성된다.
도 2에 흐름도를 도시한다. 우선, 로봇 핸드(도시하지 않음) 등에 의해 반응실(11)에 웨이퍼(w)를 반입하고, 푸싱핀(도시하지 않음) 상에 배치하여 푸싱핀을 하강시킴으로써, 서셉터(15) 상에 배치한다(단계 1).
그리고, 내측 히터(18), 외측 히터(19)를 각각 온도 제어부에 의해 예컨대 1500℃∼1600℃로 함으로써, 웨이퍼(w)가 예컨대 1100℃가 되도록 가열하고, 회전 구동 제어부(17)에 의해, 웨이퍼(w)를, 예컨대 900 rpm으로 회전시킨다(단계 2).
그리고, 가스 공급부(12)에 의해 유량이 제어되어 혼합된 프로세스 가스가, 정류판(14)을 통해 정류 상태로 웨이퍼(w) 상에 공급된다. 프로세스 가스는, 예컨대 소스 가스로서, 디클로로실란(SiH2Cl2)이, 예컨대 H2 가스 등의 희석 가스에 의해 정해진 농도(예컨대 2.5%)로 희석되어, 예컨대, 50 SLM으로 공급된다.
한편, 남은 프로세스 가스, 반응 부생성물 등을 포함하는 배출 가스는, 가스 배출구(13a)로부터 가스 배출부(13)를 통해 배출되고, 반응실(11) 내의 압력이 일정(예컨대 상압)하게 제어된다.
이와 같이 하여, 웨이퍼(w) 상에 정해진 막 두께의 Si 에피택셜막이 형성된다(단계 3). 그리고, Si 에피택셜막이 형성된 웨이퍼에 대해서, 웨이퍼(w) 주연부의 정해진 위치(예컨대 웨이퍼 에지로부터의 거리가 5 ㎜)의 온도를, 방사 온도계(22)에 의해 웨이퍼(w)를 회전시키면서 측정함으로써, 웨이퍼(w) 주연부의 원주 방향의 온도 분포가 검출된다(단계 4). 또한, 측정은, 1주만으로 한정되지 않고, 2주 이상 측정을 행하여 평균값을 구함으로써, 온도 분포의 정밀도를 더 향상시킬 수 있다.
이 때, 도 3에 부분 단면도를 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(w)와 서셉터(15) 사이의 퇴적물(24)에 의한 접합이 없는 경우, 웨이퍼(w) 주연부의 원주 방향의 온도 분포는, 도 4에 도시된 바와 같이, 큰 변동이 확인되지 않는다. 그러나, 도 5a에 부분 단면도를, 도 5b에 웨이퍼의 평면도를 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(w)의 일부에 퇴적물(24)에 의한 접합 부분(24a)이 있는 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 접합 부분(24a)에 있어서 온도가 상승한다.
그래서, 연산 처리부(23)에 있어서, 온도의 변동[ΔT=T(max)-T(min)]이 정해진 값(예컨대 5℃)을 초과할 때, 접합이 있다고 판단된다. 그래서, 웨이퍼(w)는 정해진 온도(예컨대 800℃)보다 저온(예컨대 500℃)까지 냉각되고, Si를 포함하는 웨이퍼(w)와, SiC를 포함하는 서셉터(15)와의 열팽창률차에 따른 수축차에 의해 접합 상태가 해제된다(단계 5a).
접합 상태가 해제된 웨이퍼(w)는, 푸싱핀(21)에 의해 상승된 후, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다(단계 6).
한편, 온도 상승이 정해진 값(예컨대 5℃) 이내일 때, 접합이 없다고 판단된다. 그리고, 웨이퍼(w)는 정해진 온도(예컨대, 800℃)로 냉각되어(단계 5b), 푸싱핀(21)에 의해 웨이퍼(w)를 상승시키고, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다(단계 6).
이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 성막시에, 웨이퍼와 서셉터의 접합이 있는 경우에도, 접합을 검출하고, 접합을 해제한 후에 반출할 수 있다. 이에 따라, 필요한 경우에만 접합 해제의 조작을 행할 수 있다. 즉, 통상 접합이 있는 로트 전체에 있어서, 접합 해제를 위해, 예컨대 500℃까지 강온시키고 있던 것을, 접합이 검출된 것에 대해서만 접합 해제의 조작을 행함으로써, 각 웨이퍼에 대해서 강온·승온에 걸리는 약 2분간의 타임 손실을 삭감할 수 있다. 따라서, 웨이퍼나 서셉터의 파손을 억제하여 수율, 스루풋의 저하를 억제할 수 있게 된다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1과 동일한 기상 성장 장치가 이용되지만, 성막 후뿐만 아니라 성막 전에도 웨이퍼 주연부의 온도 분포를 검출하고 있다.
즉, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w)를 반응실(11)로 반입하여 서셉터(15) 상에 배치한 후, 웨이퍼(w)가 예컨대 1100℃가 되도록 가열하고, 회전 구동 제어부(17)에 의해, 웨이퍼(w)를, 예컨대 900 rpm으로 회전시킨다.
그리고, 프로세스 가스를 공급하기 전에, 웨이퍼(w) 주연부의 정해진 위치(예컨대, 웨이퍼 에지로부터의 거리가 5 ㎜)의 온도를, 방사 온도계(22)에 의해 웨이퍼(w)를 회전시키면서 측정함으로써, 웨이퍼(w) 주연부의 원주 방향의 온도 분포가 검출된다.
그리고, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w) 상에 정해진 농도, 유량으로 프로세스 가스가 공급되고, 웨이퍼(w) 상에 정해진 막 두께의 Si 에피택셜막이 형성된다. 그리고, Si 에피택셜막이 형성된 웨이퍼에 대해서, 마찬가지로 웨이퍼(w) 주연부의 원주 방향의 온도 분포가 검출된다.
도 7a, 도 7b에 성막 전의 온도 분포 A(실선)와 성막 후의 온도 분포 B(파선)의 예를 도시한다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 온도 상승이 정해진 값(예컨대 5℃)을 초과하는 경우, 접합이 있다고 판단되며, 실시형태 1과 마찬가지로, 통상보다 저온(예컨대 500℃)까지 냉각되어, 접합 상태가 해제된 후, 푸싱핀(21)에 의해 상승시키고, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다.
한편, 도 7b에 도시된 바와 같이, 동일한 온도여도, 원래 웨이퍼의 원주 방향으로 온도의 변동이 있는 경우, 성막 전후의 온도 상승[ΔT=Tθi(after)-Tθi(initial)]이 정해진 값(예컨대, 5℃) 이내이면, 접합이 없다고 판단된다. 그 경우, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w)는 정해진 온도(예컨대, 800℃)로 냉각되어, 푸싱핀(21)에 의해 웨이퍼(w)를 상승시키고, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 원래 웨이퍼의 원주 방향으로 온도의 변동이 있는 경우여도, 보다 정확하게 성막시의 접합을 검출하고, 접합을 해제한 후에 반출함으로써, 필요한 경우에만 접합 해제의 조작을 행할 수 있어, 실시형태 1과 마찬가지로, 타임 손실의 삭감이 가능해진다. 따라서, 웨이퍼나 서셉터의 파손을 억제하여 수율, 스루풋의 저하를 억제할 수 있게 된다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 실시형태 1과 동일한 기상 성장 장치가 이용되지만, 직경 방향에 있어서도, 웨이퍼 주연부의 온도 분포를 검출하고 있다.
즉, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w)를 반응실(11)에 반입하여, 서셉터(15) 상에 배치한 후, 웨이퍼(w)가 예컨대 1100℃가 되도록 가열하고, 회전 구동 제어부(17)에 의해, 웨이퍼(w)를, 예컨대, 900 rpm으로 회전시킨다.
그리고, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w) 상에 정해진 농도, 유량으로 프로세스 가스가 공급되고, 웨이퍼(w) 상에 정해진 막 두께의 Si 에피택셜막이 형성된다. 그리고, Si 에피택셜막이 형성된 웨이퍼에 대해서, 도 8에 도시된 바와 같이, 실시형태 1과 마찬가지로, 방사 온도계(22)에 의해, 예컨대, 웨이퍼 에지로부터의 거리가 15 ㎜인 위치(a)에서의 온도가 검출된다.
마찬가지로, 방사 온도계(22)에 의한 측정 위치를 외주측으로 변동시켜, 웨이퍼 에지로부터의 거리가 10 ㎜인 위치(b)에서의 온도, 웨이퍼 에지로부터의 거리가 5 ㎜인 위치(c)에서의 온도가 검출된다.
도 8에 웨이퍼(w) 전체 둘레에 접합이 없는 경우(실선)와, 접합이 있는 경우(파선)의 정해진 위상(둘레 방향의 위치)에서의 직경 방향의 온도 분포를 도시한다. 도 8에 도시된 바와 같이, 접합이 있는 경우는, 외주측의 온도 상승이 커지고 있는 것에 반하여, 접합이 없는 경우는, 온도의 변동이 억제되고 있는 것을 알 수 있다. 그래서, 외주측으로의 온도 상승[ΔT=Tθi(outer)-Tθi(inner)]이 정해진 값(예컨대 5℃)을 초과할 때, 접합이 있다고 판단된다. 그 경우, 실시형태 1과 마찬가지로, 접합 상태가 해제된 후, 푸싱핀(21)에 의해 상승시키고, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다.
한편, 온도 상승이 정해진 값(예컨대 5℃) 이내일 때, 접합이 없다고 판단되며, 실시형태 1과 마찬가지로, 웨이퍼(w)는 냉각되어, 푸싱핀(21)에 의해 웨이퍼(w)를 상승시키고, 로봇 핸드에 의해 반응실(11)로부터 반출된다.
이와 같이, 본 실시형태에 따르면, 직경 방향의 온도 분포를 검출함으로써, 웨이퍼(w)의 외주 전면(全面)에서 서셉터(15)와의 접합이 있는 경우에도, 성막시의 접합을 검출하고, 접합을 해제한 후에 반출할 수 있어, 실시형태 1과 마찬가지로, 타임 손실의 삭감이 가능해진다. 따라서, 필요한 경우에만 접합 해제의 조작을 행할 수 있고, 웨이퍼나 서셉터의 파손을 억제하여 수율, 스루풋의 저하를 억제할 수 있게 된다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 성막 후의 온도 분포만이 검출되었지만, 실시형태 2와 마찬가지로, 함께 성막 전의 온도 분포를 검출함으로써, 원래 웨이퍼의 원주 방향으로 온도의 변동이 있는 경우여도, 보다 정확하게 성막시의 접합을 검출할 수 있다.
이들 실시형태에 있어서, Si 웨이퍼와 SiC를 포함하는 서셉터가 이용되고 있지만, 이 조합으로 한정되지는 않는다. 웨이퍼와 서셉터의 열팽창률차가 있으면 좋고, 예컨대, 기타 SiC 웨이퍼와 TaC를 포함하는 서셉터의 조합을 이용할 수 있다.
또한, 이들 실시형태에 있어서, 온도차에 의해 접합 유무가 판단되고 있지만, 온도 또는 온도 상승의 편차에 따라 접합 유무를 판단하여도 좋다. 이러한 편차는, 예컨대 실시형태 2를 예를 들면, 하기 식 1로서 구할 수 있다.
[식 1]
Figure 112012049859686-pat00001
또한, 이들 실시형태에 있어서, 접합의 유무가 판단되어, 접합이 있는 경우에 접합의 해제 동작이 행해지지만, 해제 동작의 필요와 불필요의 판단에 이용하는 것만으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 접합 유무의 정보를 웨이퍼의 이력 정보로서, 예컨대 연산 처리부(23) 내, 또는 외부에 설치된 메모리에 기억시켜도 좋다. 이와 같이 웨이퍼의 이력 정보로서 기억됨으로써, 예컨대, 접합이 있던 웨이퍼에 대해서는, 접합의 해제 조작에 의해 내부 왜곡이 커지고 있다고 생각되기 때문에, 이러한 웨이퍼에 대해서, 웨이퍼 상태의 재검사를 행하는 등에 의해 검사 정밀도를 향상시킬 수 있다.
이들 실시형태에 따르면, 반도체 웨이퍼(w)에 에피택셜막 등의 막을 높은 생산성으로 안정되게 형성할 수 있게 된다. 그리고, 웨이퍼의 수율 향상과 함께, 소자 형성 공정 및 소자 분리 공정을 거쳐 형성되는 반도체 장치의 수율 향상, 소자 특성의 안정을 도모할 수 있게 된다. 특히, N형 베이스 영역, P형 베이스 영역이나, 절연 분리 영역 등에 100 ㎛ 이상의 후막 성장이 필요한, 파워 MOSFET나 IGBT 등의 파워 반도체 장치의 에피택셜 형성 공정에 적용됨으로써, 양호한 소자 특성을 얻을 수 있게 된다.
본 실시형태에서는, Si 에피택셜막 형성의 경우를 예로 들었지만, 기타, SiC 등의 화합물 반도체에 대해서도, 마찬가지로 적용할 수 있다. 또한, 본 실시형태는, 예컨대 GaN, GaAlAs나 InGaAs 등 화합물 반도체의 에피택셜층이나, 폴리 Si층이나, 예컨대 SiO2층이나 Si3N4층 등의 절연막의 성막시에도 적용할 수 있다. 기타 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있다.
11 : 반응실 11a : 석영 커버
12 : 가스 공급부 12a : 가스 공급구
13 : 가스 배출부 13a : 가스 배출구
14 : 정류판 15 : 서셉터
16 : 링 17 : 회전 구동 제어부
18 : 내측 히터 19 : 외측 히터
20 : 리플렉터 21 : 푸싱핀
22 : 방사 온도계 23 : 연산 처리부
24 : 퇴적물

Claims (5)

  1. 반응실 내에 웨이퍼를 도입하여 지지부 상에 배치하고,
    상기 지지부의 하부에 설치된 히터에 의해 상기 웨이퍼를 가열하며,
    상기 웨이퍼를 회전시키고, 상기 웨이퍼 상에 프로세스 가스를 공급함으로써, 상기 웨이퍼 상에 성막하고,
    상기 웨이퍼의 주연부(周緣部)에서의 적어도 원주 방향의 온도 분포를 검출하며,
    검출된 상기 온도 분포에 있어서의 온도의 변동이 정해진 값을 초과하는지 여부에 따라, 상기 웨이퍼와 상기 지지부 사이의 퇴적물에 의한 접합 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성막의 전후에, 상기 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 상기 온도 분포를 검출하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 온도 분포는, 상기 웨이퍼의 주연부에서의 원주 방향 및 직경 방향의 온도 분포인 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 그 판단된 접합 유무의 정보를, 상기 웨이퍼의 이력 정보로서 기억하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  5. 웨이퍼가 도입되는 반응실과,
    상기 반응실에 프로세스 가스를 공급하기 위한 가스 공급부와,
    상기 반응실로부터 가스를 배출하기 위한 가스 배출부와,
    상기 웨이퍼를 배치하는 지지부와,
    상기 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전 구동 제어부와,
    상기 웨이퍼를 정해진 온도로 가열하기 위한 히터와,
    상기 웨이퍼의 주연부에서의 적어도 원주 방향의 온도 분포를 검출하기 위한 온도 검출부와,
    검출된 상기 온도 분포에 있어서의 온도의 변동이 정해진 값을 초과하는지 여부에 따라, 상기 웨이퍼와 상기 지지부 사이의 퇴적물에 의한 접합 유무를 판단하는 연산 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
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