JP2013012665A - 気相成長方法及び気相成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。
【選択図】図2
Description
図1に本実施形態の気相成長装置の断面図を示す。図1に示すように、ウェーハwが成膜処理される反応室11には、必要に応じてその内壁を覆うように石英カバー11aが設けられている。
本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、成膜後のみならず成膜前にもウェーハ周縁部の温度分布を検出している。
本実施形態においては、実施形態1と同様の気相成長装置が用いられるが、径方向においても、ウェーハ周縁部の温度分布を検出している。
11a…石英カバー
12…ガス供給部
12a…ガス供給口
13…ガス排出部
13a…ガス排出口
14…整流板
15…サセプタ
16…リング
17…回転駆動制御部
18…インヒータ
19…アウトヒータ
20…リフレクタ
21…突き上げピン
22…放射温度計
23…演算処理部
24…堆積物
Claims (5)
- 反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、
前記支持部の下部に設けられたヒータにより、前記ウェーハを加熱し、
前記ウェーハを回転させ、前記ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、前記ウェーハ上に成膜し、
前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、
検出された前記温度分布に基づき、前記ウェーハと前記支持部との貼り付きの有無を判断することを特徴とする気相成長方法。 - 前記成膜の前後に、前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の前記温度分布を検出することを特徴とする請求項1に記載の気相成長方法。
- 前記温度分布は、前記ウェーハの周縁部における円周方向及び径方向の温度分布であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長方法。
- 前記判断された貼り付きの有無の情報を、前記ウェーハの履歴情報として記憶することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の気相成長方法。
- ウェーハが導入される反応室と、
前記反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、
前記反応室よりガスを排出するためのガス排出部と、
前記ウェーハを載置する支持部と、
前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御部と、
前記ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、
前記ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出するための温度検出部と、
検出された前記温度分布に基づき、前記ウェーハと前記支持部との貼り付きの有無を判断する演算処理部と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。
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