JP5988486B2 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents
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Description
反応室に配置されて基板が載置されるサセプタと、
サセプタの下方に設けられて基板を加熱する加熱部と、
反応室に隣接する搬送室と、
搬送室に配置されて、反応室に基板を搬送する搬送部と、
サセプタを介して基板を回転させる回転部と、
回転部の回転方向と回転角度を検出する検出部と、
回転方向に垂直な方向に所定のピッチで測定位置を移動させることができ、回転部により回転した基板またはサセプタの温度を所定の回転角度毎に測定する温度測定部と、
を有し、
温度測定部で測定した基板およびサセプタの温度データと、検出部で検出した回転方向と回転角度から作成した温度測定を行う座標の位置データとを用いて、基板およびサセプタの温度分布データを作成し、この温度分布データから基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める解析部と、
位置ずれの方向と位置ずれ量を基に搬送部の位置を調整する制御部とを有することを特徴とする成膜装置に関する。
基板を所定の回転方向に回転させながら、所定の回転角度毎に基板またはサセプタの温度測定を行い、所定のピッチで回転方向に垂直な方向に測定位置を移動させ、所定の回転角度毎に基板またはサセプタの温度測定を行うとともに、基板の回転方向と回転角度を検出する工程と、
測定された基板およびサセプタの温度、回転方向および回転角度のデータから基板およびサセプタの温度分布データを作成して基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める工程と、
位置ずれの方向と位置ずれ量を基に搬送部の位置を調整する工程と、
基板を反応室から搬出し、搬出された基板を、位置が調整された搬送部によって再び反応室に搬送し、基板支持部を介してサセプタ上に載置する工程と、
反応室に反応ガスを供給し、基板を加熱しながら、この基板の上に所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法に関する。
基板を所定の回転方向に回転させながら、所定の回転角度毎に基板またはサセプタの温度測定を行い、所定のピッチで回転方向に垂直な方向に測定位置を移動させ、所定の回転角度毎に基板またはサセプタの温度測定を行うとともに、基板の回転方向と回転角度を検出する工程と、
測定された基板およびサセプタの温度、回転方向および回転角度のデータから基板およびサセプタの温度分布データを作成して基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める工程と、
位置ずれの方向と位置ずれ量を基に搬送部の位置を調整する工程と、
第1の基板を反応室から搬出する工程と、
第1の基板と同じ材料からなる第2の基板を位置が調整された搬送部によって反応室に搬送する工程と、
基板支持部を介して第2の基板をサセプタ上に載置する工程と、
反応室に反応ガスを供給し、第2の基板を加熱しながら、第2の基板の上に所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法に関する。
また、本発明の第2の態様または第3の態様において、温度分布データを予め得られた基準データと比較することにより、位置ずれの方向と位置ずれ量を求めることが好ましい。
インヒータ9aの温度:1680℃
アウトヒータ9bの温度:1750℃
1a 内壁
2、202 ライナ
2a 胴部
2b 頭部
3、203 流路
4、204 反応ガス
5、205 供給口
6、206 排気口
7、207 基板
7a、7b 周縁部
8、208 サセプタ
8a 座ぐり部
8b 座ぐり側壁
9、209 ヒータ
9a インヒータ
9b アウトヒータ
10、13、210、213 フランジ
11、14、211、214 パッキン
12、212 配管
15、215 シャワープレート
15a 貫通孔
16、216 回転軸
17、217 回転筒
20、220 ブースバー
21、221 ヒータベース
22、222 連結部
23、223 電極棒
24a、24b、224a、224b 放射温度計
46、47、246、247 基板搬出入口
48、248 ロボットハンド
50 基板支持部
100、200 成膜装置
101、301 ベースプレート
102、302 ベルジャ
103、303 ベースプレートカバー
300 エンコーダ
304 エンコーダヘッド
305 回転板
306 エンコーダピックアップ
310 回転機構
402 温度測定部
403 温度データ作成部
405 位置データ作成部
406 データ解析部
407 搬送ロボット制御部
408 搬送ロボット
701、702、703、704、705 円周
Claims (8)
- 反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、
前記反応室に配置されて基板が載置されるサセプタと、
前記サセプタの下方に設けられて前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応室に隣接する搬送室と、
前記搬送室に配置されて、前記反応室に前記基板を搬送する搬送部と、
前記サセプタを介して前記基板を回転させる回転部と、
前記回転部の回転方向と回転角度を検出する検出部と、
前記回転方向に垂直な方向に所定のピッチで測定位置を移動させることができ、前記回転部により回転した前記基板または前記サセプタの温度を所定の前記回転角度毎に測定する温度測定部と、
を有し、
前記温度測定部で測定した前記基板および前記サセプタの温度データと、前記検出部で検出した回転方向と回転角度から作成した前記温度測定を行う座標の位置データとを用いて、前記基板および前記サセプタの温度分布データを作成し、該温度分布データから前記基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める解析部と、
前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を基に前記搬送部の位置を調整する制御部とを有することを特徴とする成膜装置。 - 前記解析部は、前記位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定し、前記位置ずれ量が許容値を超える場合に前記制御部へ前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を送ることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。
- 前記温度測定部は、前記反応室の外部に設けられ、前記基板からの放射光を受光して前記基板の温度を測定する放射温度計を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の成膜装置。
- 前記温度分布データを予め得られた基準データと比較することにより、前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を求めることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 搬送部で反応室に基板を搬送し、基板支持部を介してサセプタ上に該基板を載置する工程と、
前記基板を所定の回転方向に回転させながら、所定の回転角度毎に前記基板または前記サセプタの温度測定を行い、所定のピッチで前記回転方向に垂直な方向に測定位置を移動させ、前記所定の回転角度毎に前記基板または前記サセプタの温度測定を行うとともに、前記基板の回転方向と回転角度を検出する工程と、
測定された前記基板および前記サセプタの温度、前記回転方向および前記回転角度のデータから前記基板および前記サセプタの温度分布データを作成して前記基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める工程と、
前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を基に前記搬送部の位置を調整する工程と、
前記基板を前記反応室から搬出し、搬出された前記基板を、前記位置が調整された搬送部によって再び前記反応室に搬送し、前記基板支持部を介して前記サセプタ上に載置する工程と、
前記反応室に反応ガスを供給し、該基板を加熱しながら、該基板の上に所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。 - 搬送部で反応室に第1の基板を搬送し、基板支持部を介してサセプタ上に該基板を載置する工程と、
前記基板を所定の回転方向に回転させながら、所定の回転角度毎に前記基板または前記サセプタの温度測定を行い、所定のピッチで前記回転方向に垂直な方向に測定位置を移動させ、前記所定の回転角度毎に前記基板または前記サセプタの温度測定を行うとともに、前記基板の回転方向と回転角度を検出する工程と、
測定された前記基板および前記サセプタの温度、前記回転方向および前記回転角度のデータから前記基板および前記サセプタの温度分布データを作成して前記基板の位置ずれの方向と位置ずれ量を求める工程と、
前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を基に前記搬送部の位置を調整する工程と、
前記第1の基板を前記反応室から搬出する工程と、
前記第1の基板と同じ材料からなる第2の基板を前記位置が調整された搬送部によって前記反応室に搬送する工程と、
前記基板支持部を介して前記第2の基板を前記サセプタ上に載置する工程と、
前記反応室に反応ガスを供給し、該第2の基板を加熱しながら、該第2の基板の上に所定の膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。 - 前記搬送部の位置を調整する工程は、前記位置ずれ量が許容値を超える場合に行うことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の成膜方法。
- 前記温度分布データを予め得られた基準データと比較することにより、前記位置ずれの方向と前記位置ずれ量を求めることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか1項に記載の成膜方法。
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