JP5446760B2 - エピタキシャル成長方法 - Google Patents
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Description
(1)処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバと、該チャンバ内に配置された1枚の半導体ウェーハを載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトとを備える、エピタキシャル成長装置を用いて、前記チャンバ内に配置された1枚の半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するに当たり、
前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも6本の支持アームを有する、サセプタサポートシャフトにて、半導体ウェーハが載置されたサセプタを支持して該半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成し、該エピタキシャル膜表面の抵抗率分布の不均一性を4.0%以下とすることを特徴とするエピタキシャル成長方法。
図3に示すような、支柱の上端から等間隔で放射状に延びる6本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用い、エピタキシャル成長処理を行った。具体的には、直径300mm、面方位(100)、比抵抗10Ωcm、P型の単結晶シリコンウェーハを用い、1130℃で60秒の水素ベークをした後、シリコンソースであるSiHCl3およびボロンドーパントソースであるB2H6を水素ガスで希釈した混合反応ガスを、エピタキシャル成長装置100のチャンバ101内に供給して成長温度1130℃で、厚さ約2μm、比抵抗15ΩcmのP型のエピタキシャルシリコン膜を成長させた。
サセプタ102は、直径360mm、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなるものし、支柱および支持アームは、石英ガラスからなるものとした。また、アームとサセプタとの接点は、サセプタ中心から178mmの位置とした。
支持アームが4本であること以外は、実施例1と同様の装置を用いてエピタキシャルウェーハを得た。
支持アームが9本であること以外は、実施例1と同様の装置を用いてエピタキシャル
ウェーハを得た。
支持アームが3本であること以外は、実施例1と同様の装置を用いてエピタキシャルウェーハを得た。
実施例1および比較例のエピタキシャルウェーハについて、エピタキシャルウェーハの膜厚多点3Dマップを作製した。図6は、比較例の3本の支持アームを有するサセプタサポートシャフトによって支持されたサセプタ上でエピタキシャル膜を成長させることにより形成された、エピタキシャルウェーハの膜厚多点3Dマップを示したものである。図7は、実施例1の3本の支持アームを有するサセプタサポートシャフトによって支持されたサセプタ上でエピタキシャル膜を成長させることにより形成された、エピタキシャルウェーハの膜厚多点3Dマップを示したものである。この3Dマップは、FT−IR装置(ナノメトリクス社製:QS−3300)により測定したものである。なお、図6および図7中、3Dマップ欄外にプロットした◎位置は、支持アームとサセプタとの接点位置を表わしたものである。
実施例1および比較例のエピタキシャルウェーハについて、ウェーハ径方向のエピタキシャル膜厚みのプロファイルを調査した。その結果を図8に示す。調査にはFT−IR装置(ナノメトリクス社製:QS−3300)を使用した。
図8は、図6および図7で示すウェーハ径方向(矢印方向)のウェーハ中心からの距離が100〜150mmの範囲のエピタキシャル膜厚みのプロファイルを示したものであり、エピタキシャルウェーハ中心の厚みを0として、これを基準にした厚みバラツキをプロファイルしたものである。なお、図中の実線は、厚みプロファイルの傾きを示すためにひかれたものである。図8から明らかなように、比較例(3本の支持アーム)に比して、実施例1(6本の支持アーム)の方が厚みプロファイルの傾きが少ない結果が得られた。
実施例1、3、参考例および比較例のエピタキシャルウェーハについて、表面のヘイズを観察し、これらを成長温度に換算した。図9〜図12は、それぞれ比較例、参考例(4本アーム)および実施例1、3のエピタキシャルウェーハの面内温度プロファイルを示したものである。なお、ヘイズの観察は、表面検査装置(KLA−Tencor社製:SP−1)により行い、温度への換算は実験に基づく換算式により行った(各図とも縦軸はエピタキシャル成長温度を示し、各測定点温度の合計の平均値を基準にしたときの比率で示すものである。)。図9からわかるように、従来の3本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された比較例のエピタシャルウェーハは、その温度分布の傾きが大きいものであった。一方、図11、図12から分かるように、本発明の実施例1、3のエピタキシャルウェーハは、その温度分布の傾きが小さいことがわかる。
実施例1および比較例のエピタキシャルウェーハについて、抵抗率を測定した。これは、SPV測定装置(SEMILAB社製:QCS−7300R)を用いて測定した。図13(a)は、比較例および実施例1のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示したものである。また、図13(b)は、図13(a)のエピタキシャルウェーハ上の抵抗率の測定方向を示したものである。図13(a)からわかるように、従来の3本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された比較例のエピタシャルウェーハは、抵抗率分布のばらつきが大きいのに対し、本発明に従う6本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された実施例1のエピタキシャルウェーハは、抵抗率分布のばらつきが小さいことがわかる。同様に、図14〜図16はエピタキシャルウェーハ上の抵抗率の測定方向のみを変えたときの結果であり、比較例よりも実施例1の方がいずれの測定方向において抵抗率のばらつきが小さいものであった。
比較例、参考例および実施例1、3で得られたエピタキシャルウェーハの抵抗率分布の不均一性を計算した結果を図17に示す。図17の横軸は支持アームの本数を、縦軸は抵抗率分布の不均一性を示す。この抵抗率分布の不均一性は、図13〜図16で得られた各値((Pmax−Pmin)/(Pmax+Pmin)×100)の平均値である。この図から、本発明に従う支持アームが6本以上の装置を用いることで、エピタキシャルウェーハの抵抗率分布の不均一性は4.0%を大幅に下回る値とすることができることがわかる。
101 チャンバ
102 サセプタ
103 サセプタサポートシャフト
104 供給口
105 排気口
106 加熱源
107 支柱
108 支持アーム
112 凹部
Claims (3)
- 処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバと、該チャンバ内に配置された1枚の半導体ウェーハを載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトとを備える、エピタキシャル成長装置を用いて、前記チャンバ内に配置された1枚の半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するに当たり、
前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも6本の支持アームを有する、サセプタサポートシャフトにて、半導体ウェーハが載置されたサセプタを支持して該半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成し、該エピタキシャル膜表面の抵抗率分布の不均一性を4.0%以下とすることを特徴とするエピタキシャル成長方法。 - 前記サセプタは、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなる請求項1に記載のエピタキシャル成長方法。
- 前記サセプタサポートシャフトは、石英からなる請求項1または2に記載のエピタキシャル成長方法。
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