JP2011108765A - エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 サセプタの撓みによる半導体ウェーハの面内温度のバラツキを抑制し、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができるエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバ内に配置された半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、該装置は、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハをその上面に載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトを具え、前記サセプタサポートシャフトは、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも４本以上の支持アームを有することを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法に関し、特に、半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を成長する際に、半導体ウェーハを支持するサセプタのサポートシャフトの改良に関する。

高性能化・高機能化が進む半導体エレクトロニクスの分野において、エピタキシャルウェーハの品質は、製品デバイスの品質に大きな影響を与える。エピタキシャルウェーハとは、半導体ウェーハの表面上に、エピタキシャル膜を気相成長させて形成したものであり、半導体ウェーハ表面の規則的な原子の配列に倣い、結晶軸の揃った高品質なエピタキシャル膜が形成される。

従来、このエピタキシャルウェーハの製造には、複数の半導体ウェーハに対して同時にエピタキシャル成長を行うことができるバッチ処理方式のエピタキシャル成長装置が用いられていた。しかし、このバッチ処理方式のエピタキシャル成長装置は、半導体ウェーハの大口径化に対応することが難しい。そのため、近年は、単一の半導体ウェーハに対して個別にエピタキシャル成長を行う、枚葉式のエピタキシャル成長装置を用いるのが一般的である。最近では、直径４５０ｍｍ以上の半導体ウェーハを扱うことができる大口径用の枚葉式エピタキシャル成長装置も開発されている。

図１は、従来の枚葉式エピタキシャル成長装置２００の模式的な断面図を示したものである。このエピタキシャル成長装置２００は、チャンバ２０１と、このチャンバ２０１内に配置されたウェーハＷを支持するためのサセプタ２０２およびこのサセプタ２０２を支持するサセプタサポートシャフト２０３とを具える。チャンバ２０１の側部には、処理ガスの供給口２０４が形成されており、この供給口２０４に対向するチャンバ位置に排気口２０５が形成されている。また、チャンバ２０１の上側領域および下側領域には、加熱源としてそれぞれ複数本のハロゲンランプ２０６が放射状に配置されている。

図２は、上記サセプタ２０２およびサセプタサポートシャフト２０３の詳細を示す模式的な分解斜視図である。このサセプタサポートシャフト２０３は、支柱２０７および支持アーム２０８を有し、これら支柱２０７および支持アーム２０８には、サセプタ２０２を支持する凸部２０９および凸部２１０がそれぞれ設けられている。また、サセプタ２０２の裏面には、これら凸部２０９および凸部２１０に対応する位置に、それぞれ凹部２１１および凹部２１２が形成されている。ここで、サセプタ２０２の位置決めは、サセプタ２０２の中心に形成された凹部２１１と支柱２０７に設けられた凸部２０９とで行われる。また、凹部２１２は、凸部２１０と係合し、凸部２０９を中心としたサセプタの回転方向の移動を防止する。

このエピタキシャル成長装置２００を用いて、サセプタ２０２上に半導体ウェーハＷを載置し、ハロゲンランプ２０６を点灯して半導体ウェーハＷを加熱し、同時に、排気口２０５から排気を行いながら、キャリアガス、成長ソースガス、ドーパントガス等を処理ガスとして供給口２０４から導入し、所定温度に加熱された半導体ウェーハＷの表面に沿って処理ガスを層流状態で流すことで、半導体ウェーハＷ上にエピタキシャル膜を成長させることができる。

しかしながら、このエピタキシャル成長装置２００を用いた場合、半導体ウェーハＷの中心部において、十分な厚さのエピタキシャル膜が形成されないという問題があった。エピタキシャル成長されるエピタキシャル膜の厚さは、一般に、その下の半導体ウェーハＷの温度の影響を受ける。上述したように、半導体ウェーハＷは、ハロゲンランプ２０６により加熱されるが、図１からも明らかなように、半導体ウェーハＷの裏面はサセプタ２０２を介して加熱され、サセプタ２０２の中心部(半導体ウェーハＷの中心部)には、サセプタサポートシャフト２０３の支柱２０７およびその先端に設けられた凸部２０９が存在するため、チャンバ２０１の下方のハロゲンランプ２０６の熱が伝わり難くなっている。

そこで、特許文献１には、支柱２０７の先端に凸部２０９を設けず、３対の凸部２１０および凹部２１２によりサセプタ２０２の位置決めを行うことにより、下方からのハロゲンランプ２０６の熱を阻害せずに、半導体ウェーハＷの中心部を加熱する技術が開示されている。

また、エピタキシャル成長装置２００のチャンバ２０１内は、エピタキシャル成長処理中、１０００℃を超える高温となり、サセプタ２０２およびサセプタサポートシャフト２０３も、そのような高温の環境に曝されることになる。特許文献２は、これらサセプタ２０２およびサセプタサポートシャフト２０２のうち、サセプタサポートシャフト２０３の支持アーム２０８が熱により変形し、サセプタ２０２が傾いて支持されることを防止するため、支持アーム２０８に補強部材(図示せず)を設ける技術が開示されている。

特許文献３は、下方からのハロゲンランプ２０６によるサセプタ２０２への均一加熱を目的に、特許文献１と同様に、支柱２０７の先端に凸部２０９を省略するとともに、支持アーム２０８のサセプタ２０２の裏面への当接位置を従来よりも内側あるいは外周側へずらした技術が開示されている。

確かに、特許文献１〜３で記載される発明によれば、サセプタ２０２への均一加熱が達成され、ある程度のエピタキシャル膜厚の均一化の効果を奏するものの、十分ではなく、エピタキシャル膜面内の抵抗分布のバラツキも大きいものであった。

エピタキャル膜厚みの均一化および抵抗分布の均一化を目的に、本発明者らは鋭意研究した結果、サセプタ２０２を均一に加熱しても、サセプタ２０２自体そのものが高温環境下に曝されるため、サセプタ２０２の外周部(円周方向)において撓みが発生し、特に、サセプタサポートシャフト２０３によって支持されていない部分の撓み量が大きいことが判明した。

このような、サセプタ２０２の外周部で部分的に撓みが発生した状態でエピタキシャル成長処理を行うと、サセプタ２０２上に載置された半導体ウェーハＷとの間に隙間が生じ、この隙間内に入り込んだキャリアガスなどによって半導体ウェーハＷが部分的に冷却され、半導体ウェーハＷの周方向において温度ばらつきを生じてしまう。このような温度ばらつきを生じた半導体ウェーハＷ表面にエピタキシャル成長を行うと、ウェーハ表面上に成長させるエピタキシャル膜厚量およびエピタキシャル層内に取り込まれるドーパント量もウェーハ面内でばらついてしまうことになる。このように、サセプタの撓みは、エピタキシャルウェーハのシリコンエピタキシャル膜厚分布および抵抗分布に影響を与え、特に、均一でない抵抗分布は、抵抗率規格が厳格に要求されるエピタキシャルウェーハにとって無視できる問題ではない。

特開２０００−１２４１４１号公報 特開２００９−１３５２５８号公報 特開２０００−１０３６９６号公報

本発明の目的は、上記問題を解決し、サセプタの撓みによる半導体ウェーハの面内温度のバラツキを抑制し、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができるエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバ内に配置された半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、該装置は、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハを載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトを具え、前記サセプタサポートシャフトは、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも４本以上の支持アームを有することを特徴とするエピタキシャル成長装置。

（２）前記サセプタサポートシャフトは、６本の支持アームを有する上記（１）に記載のエピタキシャル成長装置。

（３）前記サセプタは、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなる上記（１）または（２）に記載のエピタキシャル成長装置。

（４）前記サセプタサポートシャフトは、石英からなる上記（１）、（２）または（３）に記載のエピタキシャル成長装置。

（５）上記（１）〜（４）のいずれか一に記載の装置を用いて半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、エピタキシャル膜表面の抵抗率分布の不均一性が４．０％以下となるよう前記エピタキシャル膜を成長することを特徴とするエピタキシャル成長方法。

本発明のエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法は、半導体ウェーハを載置するサセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトの支持アームを少なくとも４本以上とすることにより、サセプタの撓みを抑制し、これにより、半導体ウェーハの面内温度のバラツキを低減させ、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる。

図１は、従来の枚葉式エピタキシャル成長装置の模式的な断面図である。 図２は、図１に示すサセプタおよびサセプタサポートシャフトの詳細を示す模式的な分解斜視図である。 図３は、本発明に従うエピタキシャル成長装置の模式的な断面図である。 図４は、図３に示すサセプタおよびサセプタサポートシャフトの詳細を示す模式的な分解斜視図である。 図５(a)は、抵抗率分布の不均一性を説明するための抵抗率分布プロファイルであり、図５(b)は、抵抗率分布の測定方向を示す模式図である。 図６は、比較例のエピタキシャルウェーハの膜厚多点３Ｄマップを示す。 図７は、実施例１のエピタキシャルウェーハの膜厚多点３Ｄマップを示す。 図８は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハ径方向のエピタキシャル膜厚みのプロファイルを示す。 図９は、比較例のエピタキシャルウェーハのヘイズ温度換算プロファイルを示す。 図１０は、実施例１のエピタキシャルウェーハのヘイズ温度換算プロファイルを示す。 図１１は、実施例２のエピタキシャルウェーハのヘイズ温度換算プロファイルを示す。 図１２は、実施例３のエピタキシャルウェーハのヘイズ温度換算プロファイルを示す。 図１３(a)は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示し、図１３(b)は、これら抵抗率分布の測定方向を示す模式図である。 図１４(a)は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示し、図１４(b)は、これら抵抗率分布の測定方向を示す模式図である。 図１５(a)は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示し、図１５(b)は、これら抵抗率分布の測定方向を示す模式図である。 図１６(a)は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示し、図１６(b)は、これら抵抗率分布の測定方向を示す模式図である。 図１７は、抵抗率分布の不均一性を計算した結果をプロットしたグラフである。

本発明のエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。

本発明のエピタキシャル成長装置１００は、一例として図３に示すように、処理ガスの供給口１０４および排気口１０５を有するチャンバ１０１内に配置された半導体ウェーハＷ上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、チャンバ１０１内で半導体ウェーハＷを載置するサセプタ１０２およびこのサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３を具え、このサセプタサポートシャフト１０３は、一例として図４に示すように、サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７、および、この支柱１０７の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも４本以上(図４では６本)の支持アーム１０８を有する。

サセプタ１０２は、カーボングラファイト(黒鉛)を母材とし、その表面を炭化ケイ素でコーティングしたものを使用することが望ましい。カーボングラファイトは熱伝導率に優れ、耐熱性および強度に優る。ただし、カーボングラファイトは多孔質であるため内部に吸蔵ガスを含み純度の点で劣るため、その表面を炭化ケイ素で覆う構成とすることが望ましい。また、サセプタ１０２の厚みは２０〜４０ｍｍの範囲に設定することが望ましい。厚みを厚くするほど撓み防止には有効ではあるものの、必要となる熱容量が増加し、サセプタ１０２が所定温度に到達するまで時間がかかることになり好ましくない。厚みが薄い場合には、中心と外周部での放熱量の違いが顕著となり、径方向の温度バラツキが大きく、撓み量も増大してしまうので好ましくない。また、サセプタ１０２はその表面に半導体ウェーハを収容し載置するザグリ部（図示せず）が形成されている。

また、サセプタサポートシャフト１０３は、石英で構成することが望ましく、特に合成石英で構成することが望ましい。石英は耐熱性および純度に優れ、赤外ランプ照射を受けても透過し易いため、サセプタ１０２の均一加熱を図ることができる。

チャンバ１０１の上側領域および下側領域には、加熱源１０６が配置され、この加熱源１０６は、一般に、昇降温速度が速く、温度制御性に優れたハロゲンランプや、赤外線ランプを用いることが好ましい。

本発明のエピタキシャル成長装置１００において、サセプタサポートシャフト１０３は、少なくとも４本以上の支持アームを有する。上述したように、従来のような３本の支持アームを有する構成では、サセプタは、半導体ウェーハＷを加熱する際の高温条件下において変形して撓んでしまう。このように撓んだサセプタ上に載置された半導体ウェーハは、サセプタとの間に隙間に入り込んだガスによって冷却され、その上に十分な厚さのエピタキシャル膜を成長させることが困難である。

支持アームは、その本数が多いほどエピタキシャルウェーハの中央領域の膜厚分布は円に近づき、エピタキシャル膜厚み分布や抵抗分布の均一化には有効ではあるものの、支持アームの本数が多すぎる場合には、パイロメータによるサセプタ裏面側の温度検出が正確に行えなく恐れがあり、また、下側の加熱源からの熱が、サセプタ下面に輻射熱として直接伝達するのを阻害する恐れがあるため、設置する支持アームは、多くても１２本以内に留めることが望ましい。

また、本発明のエピタキシャル成長方法は、上記エピタキシャル成長装置１００を用い、サセプタ１０２上に半導体ウェーハＷを載置した後、加熱源１０６を点灯して半導体ウェーハＷを加熱する。同時に、排気口１０５から排気を行いながら、例えばトリクロロシラン(SiHCl₃）ガスやジクロロシラン(SiH₂Cl₂)ガス等を処理ガスとして供給口１０４から導入する。すると、所定温度に加熱された半導体ウェーハＷの表面に沿って処理ガスが層流状態で流れ、半導体ウェーハＷ上にシリコンの半導体がエピタキシャル成長する。

本発明のエピタキシャル成長方法によれば、成長したエピタキシャル膜の表面の抵抗率分布の不均一性は４．０％以下となる。ここで、「抵抗率分布の不均一性」とは、一例として図５(a)に示されるように、エピタキシャルウェーハの中心を通る所定の直線(図５(b)ではライン１〜４それぞれの各ライン)上の抵抗率分布を測定し、この抵抗率分布に現れる２つのピークのうち大きい値をＰ_max、小さい値をＰ_minとしたとき、(Ｐ_max−Ｐ_min)/(Ｐ_max＋Ｐ_min)×100で算出される数値で表わされ、数値が小さいほど抵抗率の不均一性が小さく、均一であることを意味し、各ライン１〜４それぞれで得られた各値の平均値で示すものである。本発明では、エピタキシャルウェーハの抵抗率分布の不均一性が４．０％以下のものを、抵抗率分布が均一で高品質であるとする。

上述したところは、この発明の実施形態の一例を示したにすぎず、請求の範囲において種々の変更を加えることができる。

（実施例１）
図３に示すような、支柱の上端から等間隔で放射状に延びる６本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用い、エピタキシャル成長処理を行った。具体的には、直径３００ｍｍ、面方位(１００)、比抵抗１０Ωｃｍ、Ｐ型の単結晶シリコンウェーハを用い、１１３０℃で６０秒の水素ベークをした後、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ_３およびボロンドーパントソースであるＢ_２Ｈ_６を水素ガスで希釈した混合反応ガスを、エピタキシャル成長装置１００のチャンバ１０１内に供給して成長温度１１３０℃で、厚さ約２μｍ、比抵抗１５ΩｃｍのＰ型のエピタキシャルシリコン膜を成長させた。
サセプタ１０２は、直径３６０ｍｍ、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなるものし、支柱および支持アームは、石英ガラスからなるものとした。また、アームとサセプタとの接点は、サセプタ中心から１７８ｍｍの位置とした。

（実施例２）
支持アームが４本であること以外は、実施例１と同様の装置を用いてエピタキシャル
ウェーハを得た。

（実施例３）
支持アームが９本であること以外は、実施例１と同様の装置を用いてエピタキシャル
ウェーハを得た。

（比較例）
支持アームが３本であること以外は、実施例１と同様の装置を用いてエピタキシャルウェーハを得た。

（評価１）
実施例１および比較例のエピタキシャルウェーハについて、エピタキシャルウェーハの膜厚多点３Ｄマップを作製した。図６は、比較例の３本の支持アームを有するサセプタサポートシャフトによって支持されたサセプタ上でエピタキシャル膜を成長させることにより形成された、エピタキシャルウェーハの膜厚多点３Ｄマップを示したものである。図７は、実施例１の３本の支持アームを有するサセプタサポートシャフトによって支持されたサセプタ上でエピタキシャル膜を成長させることにより形成された、エピタキシャルウェーハの膜厚多点３Ｄマップを示したものである。この３Ｄマップは、ＦＴ−ＩＲ装置（ナノメトリクス社製:ＱＳ−３３００）により測定したものである。なお、図６および図７中、３Ｄマップ欄外にプロットした◎位置は、支持アームとサセプタとの接点位置を表わしたものである。

図６に示すように、比較例(３本の支持アームでサセプタを支持してエピタキシャル成長処理したエピタキシャルウェーハ)では、３本の支持アームとサセプタとの各接点を結ぶ三角形に相似した略三角形状の領域において、そのエピタキシャル膜厚が厚く、支持アームとサセプタが接する各接点を結ぶ各辺の中間領域あたりでエピタキシャル膜厚みが薄くなっていることが分かる。これは、支持アームとサセプタが接する各接点間に位置するサセプタ外周部において、サセプタの撓みが大きいためである。

一方、図７に示すように、実施例１(６本の支持アームでサセプタを支持してエピタキシャル成長処理したエピタキシャルウェーハ)では、６本の支持アームとサセプタとの各接点を結ぶ六角形に相似した略六角形状の領域において、そのエピタキシャル膜厚が厚く、３本の支持アームを設置したときに比して、エピタキシャル膜厚が薄い領域が減少していることが分かる。

（評価２）
実施例１および比較例のエピタキシャルウェーハについて、ウェーハ径方向のエピタキシャル膜厚みのプロファイルを調査した。その結果を図８に示す。調査にはＦＴ−ＩＲ装置（ナノメトリクス社製:ＱＳ−３３００）を使用した。
図８は、図６および図７で示すウェーハ径方向(矢印方向)のウェーハ中心からの距離が１００〜１５０ｍｍの範囲のエピタキシャル膜厚みのプロファイルを示したものであり、エピタキシャルウェーハ中心の厚みを０として、これを基準にした厚みバラツキをプロファイルしたものである。なお、図中の実線は、厚みプロファイルの傾きを示すためにひかれたものである。図８から明らかなように、比較例(３本の支持アーム)に比して、実施例１(６本の支持アーム)の方が厚みプロファイルの傾きが少ない結果が得られた。

（評価３）
実施例１〜３および比較例のエピタキシャルウェーハについて、表面のヘイズを観察し、これらを成長温度に換算した。図９〜図１２は、それぞれ比較例１および実施例１〜３のエピタキシャルウェーハの面内温度プロファイルを示したものである。なお、ヘイズの観察は、表面検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製：ＳＰ−１）により行い、温度への換算は実験に基づく換算式により行った(各図とも縦軸はエピタキシャル成長温度を示し、各測定点温度の合計の平均値を基準にしたときの比率で示すものである。)。図９からわかるように、従来の３本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された比較例のエピタシャルウェーハは、その温度分布の傾きが大きいものであった。一方、図１０〜図１２から分かるように、本発明の実施例１〜３のエピタキシャルウェーハは、その温度分布の傾きが小さいことがわかる。

（評価４）
実施例１〜３および比較例のエピタキシャルウェーハについて、抵抗率を測定した。これは、ＳＰＶ測定装置（ＳＥＭＩＬＡＢ社製：ＱＣＳ−７３００Ｒ）を用いて測定した。図１３(a)は、比較例および実施例１のエピタキシャルウェーハの抵抗率分布プロファイルを示したものである。また、図１３(b)は、図１３(a)のエピタキシャルウェーハ上の抵抗率の測定方向を示したものである。図１３(a)からわかるように、従来の３本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された比較例のエピタシャルウェーハは、抵抗率分布のばらつきが大きいのに対し、本発明に従う６本の支持アームを有するエピタキシャル成長装置を用いて形成された実施例１のエピタキシャルウェーハは、抵抗率分布のばらつきが小さいことがわかる。同様に、図１４〜図１６はエピタキシャルウェーハ上の抵抗率の測定方向のみを変えたときの結果であり、比較例よりも実施例１の方がいずれの測定方向において抵抗率のばらつきが小さいものであった。

（評価５）
比較例および実施例１〜３で得られたエピタキシャルウェーハの抵抗率分布の不均一性を計算した結果を図１７に示す。図１７の横軸は支持アームの本数を、縦軸は抵抗率分布の不均一性を示す。この抵抗率分布の不均一性は、図１３〜図１６で得られた各値((Ｐ_max−Ｐ_min)/(Ｐ_max＋Ｐ_min)×100)の平均値である。この図から、本発明に従う支持アームが４本以上の装置を用いることで、エピタキシャルウェーハの抵抗率分布の不均一性が４．０％以下とすることができることがわかる。

本発明のエピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法によれば、半導体ウェーハを載置するサセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトの支持アームを少なくとも４本以上とすることにより、サセプタの撓みを抑制し、これにより、半導体ウェーハの面内温度のバラツキを低減させ、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができる。

１００ エピタキシャル成長装置
１０１ チャンバ
１０２ サセプタ
１０３ サセプタサポートシャフト
１０４ 供給口
１０５ 排気口
１０６ 加熱源
１０７ 支柱
１０８ 支持アーム
１１２ 凹部

Claims (5)

1. 処理ガスの供給口および排気口を有するチャンバ内に配置された半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル成長装置であって、該装置は、前記チャンバ内で前記半導体ウェーハを載置するサセプタおよび該サセプタを下方から支持するサセプタサポートシャフトを具え、前記サセプタサポートシャフトは、前記サセプタの中心とほぼ同軸上に位置する支柱、および、該支柱の上端から等間隔で放射状に延びる少なくとも４本以上の支持アームを有することを特徴とするエピタキシャル成長装置。
2. 前記サセプタサポートシャフトは、６本の支持アームを有する請求項１に記載のエピタキシャル成長装置。
3. 前記サセプタは、表面を炭化ケイ素でコーティングしたカーボングラファイトからなる請求項１または２に記載のエピタキシャル成長装置。
4. 前記サセプタサポートシャフトは、石英からなる請求項１、２または３に記載のエピタキシャル成長装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置を用いて半導体ウェーハ上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、エピタキシャル膜表面の抵抗率分布の不均一性が４．０％以下となるよう前記エピタキシャル膜を成長することを特徴とするエピタキシャル成長方法。