JPH04256311A - 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体 - Google Patents

半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体

Info

Publication number
JPH04256311A
JPH04256311A JP3202706A JP20270691A JPH04256311A JP H04256311 A JPH04256311 A JP H04256311A JP 3202706 A JP3202706 A JP 3202706A JP 20270691 A JP20270691 A JP 20270691A JP H04256311 A JPH04256311 A JP H04256311A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
susceptor
spokes
semiconductor wafer
supporting
central hub
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3202706A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0789541B2 (ja
Inventor
Russell Bowman
ラッセル　ボウマン
Roger N Anderson
ロジャー　エヌ　アンダーソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24269536&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH04256311(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH04256311A publication Critical patent/JPH04256311A/ja
Publication of JPH0789541B2 publication Critical patent/JPH0789541B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/14—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/12—Heating of the reaction chamber
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハ上の集積回路
製作に使用される装置内で、半導体ウェーハを取付けて
いるサセプタ（受け）用の改良された支持体に関する。 具体的には、本発明は、サセプタの中心よりもむしろサ
セプタの外縁が支持物により係合されて、サセプタ全面
の熱的均一性をさらに高め、その結果、ウェーハを一層
均一に加熱する、半導体ウェーハ処理装置の感熱体用の
改良された支持体に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ上の集積回路構造体を形
成する段階で、使用される工程のなかに、密閉室の加熱
されたサセプタつまりウェーハ支持台がある。例えば、
エピタキシャル・シリコン層の成長段階で、シリコン上
に酸化物あるいは窒化物の層の熱形成、あるいは、ウェ
ーハ上にすでに形成された集積回路構造体の急速熱焼鈍
がある。
【０００３】図１の従来技術の構造物に見られるように
、半導体ウェーハ１６が取付けられいるサセプタは、一
般に、中心の支持軸６により支持されており、この支持
軸は、サセプタと一体に形成されているか、あるいは、
図１のように、サセプタの下表面の中心へ何かほかの方
法で接合されている。通常、サセプタ２と、その上に取
付けられた半導体ウェーハ１６は、図１の二重ドーム状
の室などの密閉処理室内に配置されており、それらは、
図１に示されてもいるように、ハウジング１４内のサセ
プタ２と室１０の下方と、室１０内のサセプタ２上のウ
ェーハ１６の上方に対称に配列された複数の加熱装置１
２により加熱される。
【０００４】サセプタとウェーハとのこのような加熱を
詳細に示している装置が、アンダーソン（Ａｎｄｅｒｓ
ｏｎ）　他の、米国特許出願番号０７／４９１，４１６
、１９９０年３月９日出願、本発明の譲渡人へ譲渡、本
出願と関連出願に記載され、請求されている。その出願
において、一連の加熱ランプが、中心の支持軸上のサセ
プタが取付けられている逆さのドーム室の下方に円形に
配列されている。加熱ランプからの熱は、ドームを通っ
て、サセプタとその上のウェーハを加熱するために、サ
セプタの下側へ放射する。また、ウェーハは、ウェーハ
とサセプタとの上方に配置されたもう一つのドームの上
方にある第２の配列の加熱ランプにより加熱される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような装置内に中
心支持軸を従来のように使用すると、サセプタの中心部
が中心支持軸に熱的に接続することにより、サセプタに
沿った不均一な熱分布が発生し、また、サセプタの下側
を中心支持軸により陰にすることにより、加熱源からサ
セプタへ放射された熱の不均一な分布が発生する。サセ
プタのこのような不均一な加熱、つまり、熱的な不均一
性により、ウェーハは不均に加熱される。
【０００６】従って、サセプタのさらに一様な加熱と熱
的一様性つまり熱的分布によって、処理中の半導体ウェ
ーハが一層均一に加熱されるサセプタの支持体を提供す
ることは、望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このようにして、本発明
の目的は、サセプタに熱的均一性を形成し、サセプタ上
に置かれた半導体ウェーハを一層均一に加熱するために
、この種の装置内のサセプタを周囲で支持する部材より
構成された半導体ウェーハ処理用の改良された装置を提
供することである。
【０００８】本発明のほかの目的は、サセプタに熱的均
一性を形成し、サセプタ上に置かれた半導体ウェーハを
一層均一に加熱するために、この種の装置内のハブから
間隔をおいて離れた円形感熱体を周囲で支持する前記中
心ハブから放射状に伸長しているスポーク部材より構成
されている半導体ウェーハ処理用の改良された装置を提
供することである。
【０００９】本発明のこれらとほかの目的は、次の説明
と付属図面から明らかになるであろう。
【００１０】
【実施例】本発明は、円形サセプタが、従来技術のよう
に中心支持軸によって支持されず、ウェーハの処理中に
サセプタ上のウェーハを加熱するために、処理室内の加
熱された円形サセプタを使用している半導体ウェーハ処
理用の改良された装置を提供するものである。どちらか
と言えば、図２に示されているように、円形サセプタ２
０は、一連のスポーク３０より成る外周支持部によって
周囲で支持されており、スポークは、サセプタ２０の軸
と同軸である中心支持ハブ４０から放射状に伸びている
が軸から間隔をおいて離れており、これにより、サセプ
タの中心と、サセプタ２０の面に不均一な熱分布を生ず
る支持ハブとの間に、熱伝導ブリッジを形成しないよう
にしている。従って、サセプタ２０に取付けられた半導
体ウェーハ１６は、本発明によるサセプタ２０上の均一
な熱分布によって、その全面にわたり感熱体２０より一
様に加熱される。
【００１１】サセプタ２０は、一般に、良い熱伝導率を
形成するために、グラファイトで製作されており、約７
５ミクロン（３ミル）から約１７５ミクロン（７ミル）
の範囲の厚さの皮膜が施されている。この皮膜は、密閉
された室内に存在する腐食性素材に対するサセプタの化
学的安定性を高めるにために行われている。スポーク３
０とハブ４０は、サセプタ２０と同じ材料で製作されて
いる。
【００１２】図２と３に示すように、スポーク３０は、
ハブ４０からサセプタ２０の端縁に隣接する位置へ、垂
線に対しある角度で、すなわち、ハブ４０とサセプタ２
０の垂直軸へ角度Ａで伸長している。角度Ａは、約４５
°から約７５°、好適には代表角度６０°で５５°から
６５°の範囲にある。この角度で、サセプタ２０の端縁
に隣接した位置で感熱体を支持しており、すなわち、中
心支持よりもむしろ、サセプタ２０を外周で支持してい
る。図２、３Ａ〜３Ｂ、４に示す実施例において、３個
の支持スポークが使用されている。しかし、さらに支持
体が必要と思われ場合、望まれるならば、スポークを追
加して使用することも出来るであろう。普通、追加スポ
ークの使用が可能であるとして、スポークの数は、約３
〜６であるが、必要であるようには見えない。
【００１３】支持体によるサセプタの係合に関して、“
サセプタの端縁に隣接する位置”という表現を使用する
ことにより、支持体の最も深い部分によるサセプタの下
面の係合点は、サセプタの端縁から約３０ミリトートル
以内にあることが意味されている。一般に、サセプタは
、そこに置かれたウェーハよりも、例えば約３０ミリメ
ートルから約８０ミリメートル（ウェーハの直径により
異なる）だけ直径が大きいので、支持体によるサセプタ
の外周係合により形成された、スポークを経てサセプタ
からハブへの熱伝導ブリッジは、ウェーハと接触したサ
セプタのこれらの部分における著しい不均一な熱分布を
形成することはなく、これは、中心で支持された従来技
術のサセプタと異なる。
【００１４】図２、３Ａ、３Ｂ、４に示す実施例におい
て、ハブ４０には、各スポーク３０の一端３２が受止め
られる傾斜した穴４２が設けられている。各スポークの
反対側の末端３４は、サセプタ２０の端縁に隣接したサ
セプタ２０の下面に形成された開口２４に受止められる
。すなわち、開口２４の最も深い部分は、サセプタ２０
の端縁２１から約１５ミリメートル以内にある。
【００１５】図３Ａと３Ｂとに最もよく示されているよ
うに、サセプタ２０の開口２４は、サセプタ表面にほぼ
垂直な、つまり端縁２１に平行な外端部２６と、スポー
ク３０がハブ４０の垂直軸と形成している角度と合うよ
うに傾斜した内端部２８とを有している。これは、サセ
プタ２０をスポーク３０へ下方へ動かすことにより、ス
ポーク３０へのサセプタ２０の取付けを容易にしており
、その一つは、この点を示すために、図３Ａと３Ｂに示
されている。
【００１６】図５において、本発明のほかの実施例が示
されており、スポーク３０は、ハブ４０の穴４２に受止
められたその一端３２で取付けられているが、支持リン
グ５０の開口５４へその反対側の末端で受止められてお
り、支持リング５０には、内側の穴６０があり、これは
、サセプタ２０′の外径より僅かに大きい内径を有し、
サセプタ２０′の下面がサセプタ２０′の端縁に隣接し
ている肩部６２で終っている。この関係において、“端
縁に隣接して”という表現により、サセプタ２０′の下
面は、サセプタ２０′の端縁２１′から内側へ、約７ミ
リメートル以上の距離の範囲では肩部６２′と接触して
いないで、一般にはその距離は約２〜３ミリメートルで
ある。これにより、本発明の外周支持の考えは保持され
、サセプタの外周支持部は、ウェーハと接触しているサ
セプタ表面の均一な熱分布に干渉しない。
【００１７】支持リング５０の開口５４は、リング５０
がサセプタ２０のスポーク３０への取付けと同様な方法
でスポーク３０に取付けられるように、図３Ａと３Ｂに
示されたサセプタ２０の開口２４と同じ形状をなしてい
る。次に、サセプタ２１′は、リング５０の肩部６２の
上に垂直に降ろされ、ウェーハ１６は、前記の実施例の
サセプタ２０にウェーハ１６を取付けると同様に、サセ
プタ２０′に取付けられる。また、この実施例は、前記
実施例のようなサセプタの外周支持を提供しており、こ
れによって、サセプタ面上の均一な熱分布が形成され、
すなわち、従来技術におけるようにサセプタの中心部に
低温領域を形成するサセプタへ接続するか、あるいは接
合する中心支持部がないことが、分るであろう。
【００１８】図６と７に関し、さらに第３の実施例にお
いて、ハブ４０′、スポーク３０′、リング５０は、単
一体の炭化けい素被覆のグラファイトにより成形されて
おり、穴４２とそれに装着されるスポーク末端３２、あ
るいは、リング状開口５４とそれに受止められたスポー
ク末端３４がない。このような設計構造は、支持体の熱
膨脹が一層均一であり、サセプタ支持の構造体が膨脹し
、また収縮するときに変形する傾向が小さいという利点
がある。
【００１９】図８は、サセプタ９０を外周で支持してい
る複数のスポーク７０によって、本発明により構成され
た、外周支持のサセプタ６０を示しており、各スポーク
は、サセプタ９０の下面から間隔をおいて離れているハ
ブ８０から、外方へ放射状に伸長している。サセプタ９
０には、その上に半導体ウェーハ１６が取付けられてお
り、サセプタ９０は、スポーク７０とハブ８０と一諸に
、ハウジング１１０内に配置された収納器１００内に取
付けられており、ハウジング１１０は、サセプタ９０と
ウェーハ１６を均一に加熱するために、サセプタの下方
と上方に見られる加熱ランプより成る加熱装置を有する
。
【００２０】図１の従来技術の構造と比較して、サセプ
タ９０は、加熱装置により一様に加熱され、その結果、
サセプタ９０に取付けられたウェーハ１６が非常に均一
に加熱されることは、容易に明らかであろう。このよう
に、加熱装置によりサセプタへ伝達される熱の、サセプ
タ面の一層均一な熱分布を形成し、従って、サセプタか
らウェーハへの一様な熱の伝導を行うために、本発明は
、サセプタ体の端縁に隣接して外周で支持されたサセプ
タより成る半導体ウェーハ処理用の改良された装置を提
供するものである。そのほかに、サセプタの下面の中心
に接続した中心の支持軸が除去されることによって、サ
セプタ下面の部分の陰影が低減して、加熱装置から感熱
体へ、熱がより均一に伝達される。
【図面の簡単な説明】
【図１】サセプタの支持に使用される中心支持軸と感熱
体の加熱に使用される在来の加熱装置とを示す従来技術
のサセプタの垂直断面図である。
【図２】中心のハブから放射状に伸長し、サセプタの下
表面に外周で係合している三つのスポークを示す、本発
明の一実施例の垂直断面図である。
【図３】外周スポークによる支持を受止めるために、サ
セプタの端縁に隣接したサセプタの下面に形成された開
口を示し、また、図３Ａの開口へ受入れる支持スポーク
と、図３Ｂの開口へ挿入された支持スポークとをそれぞ
れ示している図２の実施例の部分断面図である。
【図４】図２と図３の実施例の底面図である。
【図５】本発明のほかの実施例の垂直断面図であり、サ
セプタは、中心ハブからのスポークにより外周で支持さ
れているリング上に取付けられ、スポークは、リングの
下側の開口に受止められている。
【図６】中心ハブから放射状に伸長し、またサセプタを
外周で支持するリングの下面へ接合している、一体構造
の４本のスポークを示す、本発明のさらにほかの実施例
の斜視図である。
【図７】図６に示された本発明の実施例の一部破断され
た垂直断面図である。
【図８】サセプタとサセプタ上に置かれたウェーハを加
熱する加熱装置を有するハウジング内の室に取付けられ
た、本発明の外周サセプタ支持を示す一部破断の斜視図
である。
【符号の説明】
１６　　半導体ウェーハ ２０　　サセプタ ２１　　サセプタの端縁 ２４　　スポークを受止めるサセプタ下面の開口３０　
　スポーク ３２　　中心ハブ側のスポークの末端 ３４　　サセプタ側のスポークの末端 ４０　　中心ハブ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　集積回路構造体の製作用の半導体ウェ
    ーハ処理装置にして、半導体ウェーハが加熱されたサセ
    プタの上表面に支持され、改良が、前記サセプタの全面
    に熱的均一性を形成し、それにより、サセプタ上に置か
    れたを半導体ウェーハをさらに一様に加熱する、前記装
    置内の前記サセプタを外周に支持する支持手段より成っ
    ていることを特徴とする前記装置。
  2. 【請求項２】　　前記サセプタが、前記半導体ウェーハ
    が取付けられている第１表面と、前記の外周支持手段に
    より係合された下表面とを有するほぼ円形状の板より成
    ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】　　前記サセプタを外周で支持する前記手
    段が、中心ハブから前記サセプタの外周に隣接した位置
    へ放射状に伸長している一連のスポークより成ることを
    特徴とする請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】　　前記中心ハブが、前記サセプタと同軸
    にして、前記サセプタの中心から間隔をおいて配置され
    ていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】　　集積回路構造体の製作用の半導体ウェ
    ーハ処理装置にして、半導体ウェーハが加熱されたサセ
    プタの上表面に支持され、装置が、（ａ）　　室と（ｂ
    ）　　半導体ウェーハを支持する前記室内のサセプタと
    、（ｃ）　　前記サセプタのの下の前記室内の加熱装置
    と、（ｄ）　　前記室内の前記サセプタを外周で支持す
    る支持手段とより成り、前記加熱装置による前記サセプ
    タの均一な加熱と、前記サセプタによる前記の加熱の均
    一な熱分布を行うことが出来ることを特徴とする装置。
  6. 【請求項６】　　前記サセプタが、前記半導体ウェーハ
    が取付けられている第１表面と、前記外周支持手段によ
    り係合されている下表面とを有するほぼ円形状の板より
    成ることを特徴とする請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】　　前記サセプタを外周で支持する前記支
    持手段が、中心ハブから前記サセプタの外周に隣接した
    位置へ放射状に伸長している一連のスポークより成るこ
    とを特徴とする請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】　　前記中心ハブが、前記サセプタと同軸
    で、前記サセプタの中心から間隔をおいて配置されてい
    ることを特徴とする請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】　　前記中心ハブが、前記サセプタの直径
    に関して、前記サセプタから十分な距離で間隔をおいて
    離れており、前記スポークが、前記ハブと前記サセプタ
    とを通過する軸と約４５°から約７５°の角度を形成し
    ていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】　　前記中心ハブが、前記サセプタの直
    径に関して、前記サセプタから十分な距離で間隔をおい
    て離れており、前記スポークが、前記ハブと前記サセプ
    タとを通過する軸と約５５°から約６５°の角度を形成
    していることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  11. 【請求項１１】　　前記サセプタを外周で支持する一連
    のスポークが、少なくとも３本のスポークより成ってい
    ることを特徴とする請求項９に記載の装置。
  12. 【請求項１２】　　前記サセプタを外周で支持する一連
    のスポークが、３本から６本のスポークより成ることを
    特徴とする請求項９に記載の装置。
  13. 【請求項１３】　　前記の各スポークの一つの末端が、
    前記サセプタの端縁に隣接した位置において、前記サセ
    プタの下面に形成された開口に受止められていることを
    特徴とする請求項１１に記載の装置。
  14. 【請求項１４】　　前記外周の支持手段が、さらに、前
    記スポークにより係合された支持リングにより成ってい
    ることを特徴とする請求項７に記載の装置。
  15. 【請求項１５】　　前記リングが、前記サセプタが取付
    けられている内側肩部を有することを特徴とする請求項
    １４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】　　前記の各スポークの一つの末端が、
    前記サセプタの端縁と隣接して、外周で前記サセプタを
    係合して支持するリングの下面に形成された開口に受止
    められていることを特徴とする請求項１１に記載の装置
    。
  17. 【請求項１７】　　集積回路構造体の製作用の半導体ウ
    ェーハ処理装置にして、半導体ウェーハが、加熱された
    サセプタの上表面に支持され、装置が、（ａ）　　室と
    、（ｂ）　　半導体ウェーハを支持する前記室内の円形
    サセプタと、（ｃ）　　前記サセプタの下の前記室の加
    熱装置と、（ｄ）　　前記円形サセプタの軸と同軸であ
    るが、前記サセプタの全面に均一な熱分布を形成する中
    心ハブへの一つの末端で、また、サセプタの端縁に隣接
    し、前記感熱体を外周で支持する前記スポークの反対側
    の末端でそれぞれ接続している３本〜６本のスポークよ
    り成る前記室の前記サセプタを外周で支持する支持手段
    とより成り、前記サセプタの均一な加熱を前記加熱装置
    により、また、前記熱の均一な熱分布を前記サセプタに
    より行うことを特徴とする装置。
  18. 【請求項１８】　　前記支持手段が、（ａ）　　前記ウ
    ェーハが置かれている外周支持リングと、（ｂ）　　前
    記外周支持リングを係合する前記スポークと、（ｃ）　
    　前記中心ハブとより成っていることを特徴とする請求
    項１７に記載の装置。
JP20270691A 1990-08-16 1991-08-13 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体 Expired - Lifetime JPH0789541B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/568,008 US5044943A (en) 1990-08-16 1990-08-16 Spoked susceptor support for enhanced thermal uniformity of susceptor in semiconductor wafer processing apparatus
US568008 1995-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04256311A true JPH04256311A (ja) 1992-09-11
JPH0789541B2 JPH0789541B2 (ja) 1995-09-27

Family

ID=24269536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20270691A Expired - Lifetime JPH0789541B2 (ja) 1990-08-16 1991-08-13 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5044943A (ja)
EP (1) EP0471365B1 (ja)
JP (1) JPH0789541B2 (ja)
DE (1) DE69123508T2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335435A (ja) * 1997-04-30 1998-12-18 Applied Materials Inc 枚葉式ウエハ用化学気相堆積／エッチングプロセスチャンバのための石英ピンリフト
JP2011108765A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Sumco Corp エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
JP2011522393A (ja) * 2007-12-27 2011-07-28 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド サポートボスを有するサセプタ
JP2012238806A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Sumco Corp エピタキシャルウェーハ成長装置用サセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置
JP2019511841A (ja) * 2016-03-28 2019-04-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ サセプタ支持体

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5198034A (en) * 1987-03-31 1993-03-30 Epsilon Technology, Inc. Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment
GB9010833D0 (en) * 1990-05-15 1990-07-04 Electrotech Research Limited Workpiece support
US5431737A (en) * 1992-02-04 1995-07-11 Genus, Inc. Interchangeable CVD chuck surface
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US5366002A (en) * 1993-05-05 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing
US5318801A (en) * 1993-05-18 1994-06-07 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Substrate temperature control apparatus and technique for CVD reactors
US5551982A (en) * 1994-03-31 1996-09-03 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating
GB9412918D0 (en) * 1994-06-28 1994-08-17 Baxendine Alar R Apparatus for uniformly heating a substrate
US5573566A (en) * 1995-05-26 1996-11-12 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Method of making a quartz dome reactor chamber
WO1997008356A2 (en) * 1995-08-18 1997-03-06 The Regents Of The University Of California Modified metalorganic chemical vapor deposition of group iii-v thin layers
US6086680A (en) * 1995-08-22 2000-07-11 Asm America, Inc. Low-mass susceptor
AU6962196A (en) 1995-09-01 1997-03-27 Advanced Semiconductor Materials America, Inc. Wafer support system
US5775416A (en) * 1995-11-17 1998-07-07 Cvc Products, Inc. Temperature controlled chuck for vacuum processing
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
JPH10326754A (ja) * 1997-03-24 1998-12-08 Shin Etsu Handotai Co Ltd 加熱装置
US6217662B1 (en) 1997-03-24 2001-04-17 Cree, Inc. Susceptor designs for silicon carbide thin films
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
KR100660416B1 (ko) * 1997-11-03 2006-12-22 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 개량된 저질량 웨이퍼 지지 시스템
US6188044B1 (en) 1998-04-27 2001-02-13 Cvc Products, Inc. High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
DE19821007A1 (de) * 1998-05-11 1999-11-25 Steag Rtp Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten
US5970214A (en) 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5930456A (en) 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
JP3076791B2 (ja) * 1998-10-19 2000-08-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6375749B1 (en) 1999-07-14 2002-04-23 Seh America, Inc. Susceptorless semiconductor wafer support and reactor system for epitaxial layer growth
AU4823200A (en) * 1999-07-14 2001-02-05 Seh America, Inc. Susceptorless semiconductor wafer support and reactor system for epitaxial layergrowth
US20020062792A1 (en) * 1999-07-14 2002-05-30 Seh America, Inc. Wafer support device and reactor system for epitaxial layer growth
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6149365A (en) * 1999-09-21 2000-11-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Support frame for substrates
WO2002073660A2 (en) * 2001-03-08 2002-09-19 Asml Us, Inc. System and method to control radial delta temperature
US20050170314A1 (en) * 2002-11-27 2005-08-04 Richard Golden Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design
US20050016466A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Susceptor with raised tabs for semiconductor wafer processing
US7169234B2 (en) * 2004-01-30 2007-01-30 Asm America, Inc. Apparatus and methods for preventing rotational slippage between a vertical shaft and a support structure for a semiconductor wafer holder
US8083853B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US20060005771A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes
US8074599B2 (en) * 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US20060054090A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Applied Materials, Inc. PECVD susceptor support construction
US7429410B2 (en) 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20080314320A1 (en) * 2005-02-04 2008-12-25 Component Re-Engineering Company, Inc. Chamber Mount for High Temperature Application of AIN Heaters
US20070169703A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Brent Elliot Advanced ceramic heater for substrate processing
US20080317973A1 (en) * 2007-06-22 2008-12-25 White John M Diffuser support
US8097082B2 (en) * 2008-04-28 2012-01-17 Applied Materials, Inc. Nonplanar faceplate for a plasma processing chamber
JP5343419B2 (ja) * 2008-06-27 2013-11-13 住友電気工業株式会社 成膜方法
US7964038B2 (en) * 2008-10-02 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved azimuthal thermal uniformity of a substrate
US8801857B2 (en) * 2008-10-31 2014-08-12 Asm America, Inc. Self-centering susceptor ring assembly
US20100177454A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
CA2829076A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Litens Automotive Partnership Isolation pulley with overrunning and vibration damping capabilities
US8591700B2 (en) 2010-08-19 2013-11-26 Stmicroelectronics Pte Ltd. Susceptor support system
CN102758192B (zh) * 2012-06-05 2014-08-20 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种半导体外延片载片盘及其支撑装置及mocvd反应室
TW201437421A (zh) * 2013-02-20 2014-10-01 Applied Materials Inc 用於旋轉料架原子層沉積之裝置以及方法
JP6396409B2 (ja) 2013-03-15 2018-09-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｅｐｉプロセスのための均一性調整レンズを有するサセプタ支持シャフト
USD920936S1 (en) 2019-01-17 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Higher temperature vented susceptor
US11961756B2 (en) 2019-01-17 2024-04-16 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
USD914620S1 (en) 2019-01-17 2021-03-30 Asm Ip Holding B.V. Vented susceptor
TW202110587A (zh) 2019-05-22 2021-03-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 控股公司 工件基座主體及用於沖洗工件基座的方法
US11764101B2 (en) 2019-10-24 2023-09-19 ASM IP Holding, B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4385083A (en) * 1980-08-25 1983-05-24 Applied Magnetics Corporation Apparatus and method for forming a thin film of coating material on a substrate having a vacuum applied to the edge thereof
US4433246A (en) * 1981-05-12 1984-02-21 Varian Associates, Inc. Blackbody radiation source for producing constant planar energy flux
JPS591671A (ja) * 1982-05-28 1984-01-07 Fujitsu Ltd プラズマｃｖｄ装置
JPS58223320A (ja) * 1982-06-22 1983-12-24 Ushio Inc 不純物拡散方法
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4514250A (en) * 1982-10-18 1985-04-30 At&T Bell Laboratories Method of substrate heating for deposition processes
US4504730A (en) * 1983-10-04 1985-03-12 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Method for heating semiconductor wafer by means of application of radiated light
JPS60178616A (ja) * 1984-02-27 1985-09-12 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置の試料回転ホルダ
JPS61191015A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体の気相成長方法及びその装置
US4654509A (en) * 1985-10-07 1987-03-31 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
JPH0697676B2 (ja) * 1985-11-26 1994-11-30 忠弘 大見 ウエハサセプタ装置
JPH0830273B2 (ja) * 1986-07-10 1996-03-27 株式会社東芝 薄膜形成方法及び装置
JPS63227011A (ja) * 1987-03-17 1988-09-21 Fujitsu Ltd 化学気相成長装置
US4836138A (en) * 1987-06-18 1989-06-06 Epsilon Technology, Inc. Heating system for reaction chamber of chemical vapor deposition equipment
US4854263B1 (en) * 1987-08-14 1997-06-17 Applied Materials Inc Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films
KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
US4857142A (en) * 1988-09-22 1989-08-15 Fsi International, Inc. Method and apparatus for controlling simultaneous etching of front and back sides of wafers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335435A (ja) * 1997-04-30 1998-12-18 Applied Materials Inc 枚葉式ウエハ用化学気相堆積／エッチングプロセスチャンバのための石英ピンリフト
JP2011522393A (ja) * 2007-12-27 2011-07-28 エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド サポートボスを有するサセプタ
JP2011108765A (ja) * 2009-11-16 2011-06-02 Sumco Corp エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル成長方法
US9273414B2 (en) 2009-11-16 2016-03-01 Sumco Corporation Epitaxial growth apparatus and epitaxial growth method
JP2012238806A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Sumco Corp エピタキシャルウェーハ成長装置用サセプタサポートシャフトおよびエピタキシャル成長装置
JP2019511841A (ja) * 2016-03-28 2019-04-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ サセプタ支持体

Also Published As

Publication number Publication date
EP0471365B1 (en) 1996-12-11
JPH0789541B2 (ja) 1995-09-27
EP0471365A1 (en) 1992-02-19
DE69123508T2 (de) 1997-05-22
US5044943A (en) 1991-09-03
DE69123508D1 (de) 1997-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04256311A (ja) 半導体ウェーハ処理装置のサセプタの熱分布を向上するサセプタ用スポーク支持体
US10930543B2 (en) Thermal processing susceptor
US6001183A (en) Wafer carriers for epitaxial growth processes
JPH10335435A (ja) 枚葉式ウエハ用化学気相堆積／エッチングプロセスチャンバのための石英ピンリフト
JP4453984B2 (ja) 基板支持・搬送用トレイ
JPH0878347A (ja) エピタキシャル成長装置のサセプタ
JP2004533117A (ja) 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
JPH0834187B2 (ja) サセプタ
US20160215393A1 (en) Susceptor design to eliminate deposition valleys in the wafer
EP1132950A1 (en) Wafer support of semiconductor manufacturing system
JPH1087394A (ja) 気相成長装置用サセプタ
JPH0745691A (ja) ウェーハホルダ
JPH09199437A (ja) 半導体ウェーハ支持装置
JPH05238882A (ja) 気相成長用サセプタ
CN114016003A (zh) 一种化学气相沉积装置的反应腔室及化学气相沉积装置
JPH07118465B2 (ja) 縦型エピタキシャル装置用サセプター
JPH07118466B2 (ja) サセプタ
JPS6242416A (ja) 半導体基板加熱用サセプタ
JPH0322912Y2 (ja)
JPH02186623A (ja) サセプタ
JPH03291916A (ja) サセプタ
TW202320214A (zh) 基板支撐件
JPH07161648A (ja) サセプタ
JPH04199614A (ja) 縦型気相成長用サセプター
JPH0414216A (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19960318

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070927

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080927

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090927

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100927

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110927

Year of fee payment: 16

EXPY Cancellation because of completion of term