JPH04199614A - 縦型気相成長用サセプター - Google Patents
縦型気相成長用サセプターInfo
- Publication number
- JPH04199614A JPH04199614A JP33123490A JP33123490A JPH04199614A JP H04199614 A JPH04199614 A JP H04199614A JP 33123490 A JP33123490 A JP 33123490A JP 33123490 A JP33123490 A JP 33123490A JP H04199614 A JPH04199614 A JP H04199614A
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- Japan
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- semiconductor wafer
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- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体ウェーハにＣＶＤ（気相化学反応）法
等の気相成長処理を施す際に用いられ、高周波誘導加熱
される縦型（パンケーキ型）気相成長用サセプターに関
する。
等の気相成長処理を施す際に用いられ、高周波誘導加熱
される縦型（パンケーキ型）気相成長用サセプターに関
する。
〔従来の技術］
通常、この種の縦型気相成長用サセプターは、高周波誘
導加熱を可能とする等方性カーボン等の炭素基材に、半
導体ウェーハを載置する底面の平坦な凹部を設け、かつ
畷蔵ガスの放出による処理雰囲気の汚染を防止するため
炭素基材をＳＩＣ膜で被覆して構成されている。
導加熱を可能とする等方性カーボン等の炭素基材に、半
導体ウェーハを載置する底面の平坦な凹部を設け、かつ
畷蔵ガスの放出による処理雰囲気の汚染を防止するため
炭素基材をＳＩＣ膜で被覆して構成されている。
ところが、かかる縦型気相成長用サセプターにおいては
、半導体ウェーハの放射率がサセプターのそれより小さ
いため、半導体ウェーハが載置された凹部の中心部の温
度が外周部の温度より高くなり （５〜ｌＯ℃程度）、
この温度差による熱応力により半導体ウェーハに下方へ
凸となる反りを生じ、スリップの発生を招来する。
、半導体ウェーハの放射率がサセプターのそれより小さ
いため、半導体ウェーハが載置された凹部の中心部の温
度が外周部の温度より高くなり （５〜ｌＯ℃程度）、
この温度差による熱応力により半導体ウェーハに下方へ
凸となる反りを生じ、スリップの発生を招来する。
従来、上記問題に対処するため、半導体ウェーハ載置用
凹部の底面を半導体ウェーへの反りに倣った凹球面とし
、半導体ウェーへの凹部の底面に対する密着性を高めて
その均熱化を図り、もってスリップの低減を図る縦型気
相成長用サセプターが知られている。
凹部の底面を半導体ウェーへの反りに倣った凹球面とし
、半導体ウェーへの凹部の底面に対する密着性を高めて
その均熱化を図り、もってスリップの低減を図る縦型気
相成長用サセプターが知られている。
しかしながら、上記従来の縦型気相成長用サセプターに
おいては、 ＣＶＤ法による炭素基材へのＳｉＣ膜の形
成に際し、２０〜５０ＬＬｍと異常な大きな結晶粒子が
生じるため、凹部底面と凹球面が平滑にならず、半導体
ウェーハを凹球面に完全に密着させることができなくて
均熱化の良好な効果が得られない問題がある。
おいては、 ＣＶＤ法による炭素基材へのＳｉＣ膜の形
成に際し、２０〜５０ＬＬｍと異常な大きな結晶粒子が
生じるため、凹部底面と凹球面が平滑にならず、半導体
ウェーハを凹球面に完全に密着させることができなくて
均熱化の良好な効果が得られない問題がある。
この問題を解決するため、凹球面を鏡面とした縦型気相
成長用サセプターが知られている（特開平２−６８９２
２号公報参照）が、凹球面に鏡面仕上を施すことは量産
上問題があり、現実的でない。
成長用サセプターが知られている（特開平２−６８９２
２号公報参照）が、凹球面に鏡面仕上を施すことは量産
上問題があり、現実的でない。
そこで、本発明は、凹部に載置される半導体ウェーハの
均熱化を図り、もって半導体ウェーハの反り、ひいては
スリップの発生を軽減して歩留まりを向上し得る縦型気
相成長用サセプターの提供を目的とする。
均熱化を図り、もって半導体ウェーハの反り、ひいては
スリップの発生を軽減して歩留まりを向上し得る縦型気
相成長用サセプターの提供を目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記課題を解決するため、本発明の縦型気相成長用サセ
プターは、半導体ウェーハ載置用凹部を設けた炭素基材
をＳｉＣ膜で被覆し、高周波誘導加熱される縦型気相成
長用サセプターにおいて、前記凹部の底部における炭素
基材中に表面から内部に向って凸状となるＳｉＣ部分が
存在するものである。
プターは、半導体ウェーハ載置用凹部を設けた炭素基材
をＳｉＣ膜で被覆し、高周波誘導加熱される縦型気相成
長用サセプターにおいて、前記凹部の底部における炭素
基材中に表面から内部に向って凸状となるＳｉＣ部分が
存在するものである。
［作 用］
上記手段においては、高周波の印加時にＳｉＣ部分での
高周波誘導電流の（うず電流）の発生がその周辺の炭素
基材での高周波誘導電流の発生より抑制される。
高周波誘導電流の（うず電流）の発生がその周辺の炭素
基材での高周波誘導電流の発生より抑制される。
ＳｉＣ部分の直径は、凹部の直径の０４〜０８倍の範囲
が好ましく、この範囲から外れると効果がない。
が好ましく、この範囲から外れると効果がない。
ＳｉＣ部分の厚さは、 ＳｉＣ膜の厚さの１０〜５０倍
の範囲が好ましく、１０倍未満であると半導体ウェーハ
の反りが大きくなって効果がなく、５０倍を超えるとサ
セプターの表面温度が大きくなる。より好ましくは、２
０〜３０倍の範囲である。
の範囲が好ましく、１０倍未満であると半導体ウェーハ
の反りが大きくなって効果がなく、５０倍を超えるとサ
セプターの表面温度が大きくなる。より好ましくは、２
０〜３０倍の範囲である。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は縦型気相成長用サセプターの一実施例を示す要
部の断面図で、このサセプターは、高周波誘導加熱を可
能とする等方性カーボン等からなる円輪板状の炭素基材
１に、半導体ウェーハ２を載置する底面が凹球面の凹部
３を複数設けると共に、炭素基材１からの吸蔵ガスの放
出を防止するため炭素基材１をＣＶＤ法によるＳｉＣ膜
４で被覆し、かつ凹部３の底部における炭素基材１中に
表面から内部に向って凸状となるＳｉＣ部分５を存在さ
せて構成されている。
部の断面図で、このサセプターは、高周波誘導加熱を可
能とする等方性カーボン等からなる円輪板状の炭素基材
１に、半導体ウェーハ２を載置する底面が凹球面の凹部
３を複数設けると共に、炭素基材１からの吸蔵ガスの放
出を防止するため炭素基材１をＣＶＤ法によるＳｉＣ膜
４で被覆し、かつ凹部３の底部における炭素基材１中に
表面から内部に向って凸状となるＳｉＣ部分５を存在さ
せて構成されている。
上記構成のサセプターは、炭素基材１に設けた底面凹球
面の半導体ウェーハ載置用凹部３に、適宜大きさのカー
ボン筒６を立設し、このカーボン筒６内に８１又は５ｉ
０２等のけい化原料７を入れ （第２図ａ参照）、不活
性ガス雰囲気中において約１５００℃の温度で加熱処理
し、凹部３の底部における炭素基材１の表層部をけい化
してＳｉＣ部分５としく第２図す参照）、シかる後炭素
基材１をＣＶＤ法によりＳｉＣ膜４で被覆して製造され
るものである。
面の半導体ウェーハ載置用凹部３に、適宜大きさのカー
ボン筒６を立設し、このカーボン筒６内に８１又は５ｉ
０２等のけい化原料７を入れ （第２図ａ参照）、不活
性ガス雰囲気中において約１５００℃の温度で加熱処理
し、凹部３の底部における炭素基材１の表層部をけい化
してＳｉＣ部分５としく第２図す参照）、シかる後炭素
基材１をＣＶＤ法によりＳｉＣ膜４で被覆して製造され
るものである。
ここで、カーボン筒の大きさ及び加熱処理時間等を変化
させ、６インチの半導体ウェーハが載置される凹部 （
内径１５４ｍｍ、周壁高さ０．８ｍｍ、底面曲率半径２
９ｍ）の底部における炭素基材中のＳｉＣ部分の直径及
び厚さを第１表に示すように異ならせた種々のサセプタ
ーを得、各サセプターを用いて半導体ウェー八に気相成
長反応処理を施したところ、反り及びスリップの発生状
況は、同表に示すようになった。なお、 ＳｉＣ膜は、
厚さ８０ｕｍとし従って、 Ｓｉ（：部分の直径を凹部
の直径の０４〜ｏ、８倍とすると共に、 ＳｉＣ部分の
厚さをＳｉＣ膜の厚さの１０〜５０倍とすることにより
反りの発生を低減し得る、かつスリップの発生を大幅に
低減し得ることがわかる。
させ、６インチの半導体ウェーハが載置される凹部 （
内径１５４ｍｍ、周壁高さ０．８ｍｍ、底面曲率半径２
９ｍ）の底部における炭素基材中のＳｉＣ部分の直径及
び厚さを第１表に示すように異ならせた種々のサセプタ
ーを得、各サセプターを用いて半導体ウェー八に気相成
長反応処理を施したところ、反り及びスリップの発生状
況は、同表に示すようになった。なお、 ＳｉＣ膜は、
厚さ８０ｕｍとし従って、 Ｓｉ（：部分の直径を凹部
の直径の０４〜ｏ、８倍とすると共に、 ＳｉＣ部分の
厚さをＳｉＣ膜の厚さの１０〜５０倍とすることにより
反りの発生を低減し得る、かつスリップの発生を大幅に
低減し得ることがわかる。
なお、上記実施例においては、凹部の底面を凹球面とす
る場合について述べたが、これに限らず、底面を平坦に
してもよい。
る場合について述べたが、これに限らず、底面を平坦に
してもよい。
［発明の効果１
以上のように本発明によれば、高周波の印加時にＳｉＣ
部分での高周波誘導電流の発生がその周辺の炭素基材で
の高周波誘導電流の発生より抑制されるので、凹部の底
部における発熱がその周辺部における発熱より小さくな
り、凹部に載置された半導体ウェーハを均一に加熱する
ことで、従来のように気相成長反応時に半導体ウェーハ
に反りが発生することはなく、ひいてはスリップの発生
を軽減して歩留まりを向上することができる。
部分での高周波誘導電流の発生がその周辺の炭素基材で
の高周波誘導電流の発生より抑制されるので、凹部の底
部における発熱がその周辺部における発熱より小さくな
り、凹部に載置された半導体ウェーハを均一に加熱する
ことで、従来のように気相成長反応時に半導体ウェーハ
に反りが発生することはなく、ひいてはスリップの発生
を軽減して歩留まりを向上することができる。
図は本発明の一実施例を示し、第１図は縦型気相反応用
サセプターの要部を断面図で、第２図ｆａ） 、 ｆｂ
） 、 （ｃ）は上記サセプターの製造工程の肪面説明
図である。 １・・・炭素基材 ２・・・半導体ウェーハ
３・・・凹部 ４・・・５ｉＣＩｌｌＩ
５・・・ＳｉＣ部分
サセプターの要部を断面図で、第２図ｆａ） 、 ｆｂ
） 、 （ｃ）は上記サセプターの製造工程の肪面説明
図である。 １・・・炭素基材 ２・・・半導体ウェーハ
３・・・凹部 ４・・・５ｉＣＩｌｌＩ
５・・・ＳｉＣ部分
Claims (1)
- （１）半導体ウェーハ載置用凹部を設けた炭素基材をＳ
ｉＣ膜で被覆し、高周波誘導加熱される縦型気相成長用
サセプターにおいて、前記凹部の底部における炭素基材
中に表面から内部に向って凸状となるＳｉＣ部分が存在
することを特徴とする縦型気相成長用サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33123490A JPH04199614A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 縦型気相成長用サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33123490A JPH04199614A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 縦型気相成長用サセプター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199614A true JPH04199614A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18241402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33123490A Pending JPH04199614A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 縦型気相成長用サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199614A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095795A3 (de) * | 2001-05-18 | 2003-10-23 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zur aufnahme von scheibenförmigen objekten |
| WO2020003722A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 株式会社アドマップ | ＳｉＣ部材 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33123490A patent/JPH04199614A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002095795A3 (de) * | 2001-05-18 | 2003-10-23 | Mattson Thermal Products Gmbh | Vorrichtung zur aufnahme von scheibenförmigen objekten |
| WO2020003722A1 (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | 株式会社アドマップ | ＳｉＣ部材 |
| JP2020004811A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | 株式会社アドマップ | ＳｉＣ部材 |
| US11597655B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-03-07 | Admap Inc. | SiC member |
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