JPH02186623A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
- Publication number
- JPH02186623A JPH02186623A JP483689A JP483689A JPH02186623A JP H02186623 A JPH02186623 A JP H02186623A JP 483689 A JP483689 A JP 483689A JP 483689 A JP483689 A JP 483689A JP H02186623 A JPH02186623 A JP H02186623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- heat dissipation
- sic film
- wafer
- wafer mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体ウェハの製造に使用する縦型の気相成
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
従来の技術
特開昭６０−１６０６１１号公報に開示されているよう
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
縦型の気相成長装置は、石英又はステンレス製のベルジ
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイトφサセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイトφサセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。
基板ウェハはサセプタ上に並べられ、サセプタからの伝
熱により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガス
と共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される
。サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
熱により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガス
と共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される
。サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
従来のサセプタはカーボンを基材とし、表面に高純度で
かつ緻密なＳｉＣ被膜を有する。
かつ緻密なＳｉＣ被膜を有する。
そして、サセプタの下面（ウェハ載置面の裏面）は通常
平坦面である。
平坦面である。
発明が解決しようとする問題点
高周波コイルによる加熱方式においては、発振コイルの
調節がむずかしく、サセプタに温度むらが発生し易い。
調節がむずかしく、サセプタに温度むらが発生し易い。
サセプタに温度むらが発生すると、エビタキシャル工程
が良好に行われずウェハに欠陥が発生し易くなる。この
ように従来のサセプタにおいては、ウェハが不良となっ
たりウェハ品質の低下がみられた。このため歩留りが低
下し、コストアップにつながっていた。
が良好に行われずウェハに欠陥が発生し易くなる。この
ように従来のサセプタにおいては、ウェハが不良となっ
たりウェハ品質の低下がみられた。このため歩留りが低
下し、コストアップにつながっていた。
他方、サセプタを多数回数用いるとサセプタ表面のＳｉ
Ｃ膜にピンホールが発生する。
Ｃ膜にピンホールが発生する。
サセプタは高温に加熱されているので、ピンホールから
不純物ガスが排出し易くなる。ピンホールがサセプタ表
面のウェハ載置部もしくはその近傍に発生ずると、ウェ
ハの品質が著しく低下する。このピンホールも歩留りの
低下につながっていた。
不純物ガスが排出し易くなる。ピンホールがサセプタ表
面のウェハ載置部もしくはその近傍に発生ずると、ウェ
ハの品質が著しく低下する。このピンホールも歩留りの
低下につながっていた。
発明の目的
この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して温度
むらを調整することのできるサセプタを提供することを
目的としている。
むらを調整することのできるサセプタを提供することを
目的としている。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項１−に
記載のサセプタを要旨としている。
記載のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段
この発明のサセプタは、炭素基材の表面にＳｉＣ膜を被
覆し、ウェハ載置面の裏面に除去可能な放熱突起を多数
段けである。
覆し、ウェハ載置面の裏面に除去可能な放熱突起を多数
段けである。
放熱突起の形状は、くさび状、円筒状、扇状など様々な
ものを採用できる。くさび状のように放熱突起の付は根
部分を細く構成すると、放熱調整の時に除去し易くなる
ので有利である。
ものを採用できる。くさび状のように放熱突起の付は根
部分を細く構成すると、放熱調整の時に除去し易くなる
ので有利である。
作用効果
ウェハ載置面の裏面に設けた放熱突起は、放熱作用を有
する。放熱突起を折り取ることにより、その部分の放熱
作用を抑制することができる。従って、サセプタのうち
で温度が低い部分にある放熱突起をあらかじめ取り除く
ことにより、該当部分の放熱を抑え温度をに昇させるこ
とができる。このようにして、サセプタの温度を均一に
保つことが可能になる。従って本発明のサセプタを用い
ることにより、エビタキシャル工程を良好に行い、高い
品質をもつ半導体ウェハを製造できる。
する。放熱突起を折り取ることにより、その部分の放熱
作用を抑制することができる。従って、サセプタのうち
で温度が低い部分にある放熱突起をあらかじめ取り除く
ことにより、該当部分の放熱を抑え温度をに昇させるこ
とができる。このようにして、サセプタの温度を均一に
保つことが可能になる。従って本発明のサセプタを用い
ることにより、エビタキシャル工程を良好に行い、高い
品質をもつ半導体ウェハを製造できる。
他方、放熱突起を除去した部分のＳｉＣ膜には穴ができ
る。この穴は不純物ガスを排出する作用を有する。従っ
て、サセプタ１２のウェハ載置面にピンホールが発生し
ても不純物ガスの大部分はその穴から排出され、ウェハ
に影響を与えずに排気される。従ってサセプタの耐用寿
命が大幅に向上する。
る。この穴は不純物ガスを排出する作用を有する。従っ
て、サセプタ１２のウェハ載置面にピンホールが発生し
ても不純物ガスの大部分はその穴から排出され、ウェハ
に影響を与えずに排気される。従ってサセプタの耐用寿
命が大幅に向上する。
実施例
以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
する。
この発明はサセプタの構造を改良したものであり、サセ
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
第１図は気相成長装置の主要部分を示す概略断面図で、
サセプタ１２に設けたＳｉＣ膜１５を強調して示してい
る。第２図は放熱突起１６のいくつかを除去したところ
を示す概略断面図である。
サセプタ１２に設けたＳｉＣ膜１５を強調して示してい
る。第２図は放熱突起１６のいくつかを除去したところ
を示す概略断面図である。
サセプタ１２はカーボンを基材としており、表面には緻
密なＳｉＣ膜１５が形成しである。
密なＳｉＣ膜１５が形成しである。
膜厚は、例えば６０μｍとする。サセプタ１２のウェハ
載置面の裏側には放熱突起１６が設けである。
載置面の裏側には放熱突起１６が設けである。
放熱突起１６は多数個（例えば２０個）設ける。放熱突
起１６の形状はくさび状、円筒状、扇状など様々な形状
を採用できる。くさび状にすると除去し易い。
起１６の形状はくさび状、円筒状、扇状など様々な形状
を採用できる。くさび状にすると除去し易い。
サセプタの表面に被覆するＳｉＣ膜１５の厚さは均一で
なくともよい。例えば、サセプタ１２の上面側に薄い（
例えば６０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成し、下面側には
厚い（例えば９０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成する。
なくともよい。例えば、サセプタ１２の上面側に薄い（
例えば６０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成し、下面側には
厚い（例えば９０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成する。
上面側と下面側の膜厚の比は、望ましくは１６１〜１．
５に設定する。
５に設定する。
また、ガス管１４の外側に支持管１１を同心状態に設け
・、その支持管１１を特別な構成としている。すなわち
、支持管１１の全体または少なくともフランジ部分１１
ａを３１３Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨張係数の
基材で構成し、その表面にさらにＳｉ３Ｎ４のコーティ
ング層を設けている。このＳｉ３Ｎ４のコーティング層
の厚さはその基材中の不純物が外部に飛出さない程度の
厚みにするのが望ましい。
・、その支持管１１を特別な構成としている。すなわち
、支持管１１の全体または少なくともフランジ部分１１
ａを３１３Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨張係数の
基材で構成し、その表面にさらにＳｉ３Ｎ４のコーティ
ング層を設けている。このＳｉ３Ｎ４のコーティング層
の厚さはその基材中の不純物が外部に飛出さない程度の
厚みにするのが望ましい。
フランジ部分１１Ｂは図示した形状のみでなく、他の種
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
サセプタ１２は中心に貫通孔を有し、その内周部が支持
管１１のフランジ部分１１ａによって支持されている。
管１１のフランジ部分１１ａによって支持されている。
サセプタ１２は水平を保ちつつ支持管１１と一緒に回転
可能となっている。ガス管１４は固定されたままである
。
可能となっている。ガス管１４は固定されたままである
。
高周波コイル１３がそのサセプタ１２の下方部に配置さ
れており、加熱に供される。この時、温度が低い部分に
ある放熱突起１６をあらかじめ除去しておく。（例えば
、第２図参照）突起１６を除去した付近のサセプタ温度
は上昇する。このようにしてサセプタの温度を均一にす
ることができる。
れており、加熱に供される。この時、温度が低い部分に
ある放熱突起１６をあらかじめ除去しておく。（例えば
、第２図参照）突起１６を除去した付近のサセプタ温度
は上昇する。このようにしてサセプタの温度を均一にす
ることができる。
放熱突起１６を除去した場所には穴１８ができる。この
穴から不純物ガスが排出される。
穴から不純物ガスが排出される。
ウェハ５はサセプタ１２の上側に設置される。サセプタ
１２が均一温度に保たれるのでウェハ５も均一に加熱さ
れる。
１２が均一温度に保たれるのでウェハ５も均一に加熱さ
れる。
ガス管１４の内部を通ってシリコンエピタキシャルガス
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
この結果、従来の方法で得たサセプタの耐用寿命約２０
０回に対し、本発明によるサセプタは、エビタキシャル
工程で３００回使用しても良好に使用することができた
。
０回に対し、本発明によるサセプタは、エビタキシャル
工程で３００回使用しても良好に使用することができた
。
さて、本発明のサセプタは前述の実施例に限定されない
。例えば、放熱突起の形状や大きさ、放熱突起の数は任
意に設定できる。さらに、放熱突起を温度が高い部分の
みに設けて、サセプタの温度を均一にしてもよい。この
場合には放熱突起を除去する必要がない。
。例えば、放熱突起の形状や大きさ、放熱突起の数は任
意に設定できる。さらに、放熱突起を温度が高い部分の
みに設けて、サセプタの温度を均一にしてもよい。この
場合には放熱突起を除去する必要がない。
第１図はこの発明によるサセプタを設置した縦型気相成
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５・・・・・・・・・ウェハ ９・・・・・・・・・炭素基材 １１・・・・・・支持管 １１ａ・・・フランジ部 １２・・・・・・サセプタ １３・・・・・・高周波コイル １４・・・・・・ガス管 １５・・・・・・ＳｉＣ膜 １６・・・・・・孔
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５・・・・・・・・・ウェハ ９・・・・・・・・・炭素基材 １１・・・・・・支持管 １１ａ・・・フランジ部 １２・・・・・・サセプタ １３・・・・・・高周波コイル １４・・・・・・ガス管 １５・・・・・・ＳｉＣ膜 １６・・・・・・孔
Claims (1)
- 炭素基材の表面に緻密なＳｉＣ膜を設け、ウェハ載置
面の裏面に除去可能な放熱突起を多数設けたことを特徴
とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004836A JP2764416B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1004836A JP2764416B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186623A true JPH02186623A (ja) | 1990-07-20 |
| JP2764416B2 JP2764416B2 (ja) | 1998-06-11 |
Family
ID=11594778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1004836A Expired - Fee Related JP2764416B2 (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2764416B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0623240U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-25 | 日新電機株式会社 | 半導体製造装置用サセプター |
| US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
| WO2018051304A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135363A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductors and its equipment |
| JPS5654033A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-13 | Matsushita Electronics Corp | Heater for substrate and chemical evaporation using said heater |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1004836A patent/JP2764416B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135363A (en) * | 1975-05-19 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing semiconductors and its equipment |
| JPS5654033A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-13 | Matsushita Electronics Corp | Heater for substrate and chemical evaporation using said heater |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0623240U (ja) * | 1992-08-21 | 1994-03-25 | 日新電機株式会社 | 半導体製造装置用サセプター |
| US5800622A (en) * | 1995-07-21 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Vapor-phase growth apparatus and compound semiconductor device fabricated thereby |
| WO2018051304A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptor |
| CN110023537A (zh) * | 2016-09-19 | 2019-07-16 | 阿卜杜拉国王科技大学 | 基座 |
| JP2019530253A (ja) * | 2016-09-19 | 2019-10-17 | キング・アブドゥッラー・ユニバーシティ・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー | サセプター |
| US11339478B2 (en) | 2016-09-19 | 2022-05-24 | King Abdullah University Of Science And Technology | Susceptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2764416B2 (ja) | 1998-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5074017A (en) | Susceptor | |
| EP2165358B1 (en) | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage | |
| EP1796149B1 (en) | Quartz jig and semiconductor manufacturing equipment | |
| JPS6312128A (ja) | バレル型気相成長装置 | |
| JP3092801B2 (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JP2004533117A (ja) | 基板サポートアセンブリと基板処理用装置 | |
| JPH088198A (ja) | 気相成長装置用サセプター | |
| JP2000264795A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置及び炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP2003218039A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP3004846B2 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JP4003906B2 (ja) | シリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用治具及びこれを用いたシリコン単結晶半導体ウエハ加熱処理用装置 | |
| JP3693739B2 (ja) | 高周波誘導加熱炉 | |
| JPH02186623A (ja) | サセプタ | |
| JP2566796B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH0722342A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH07142401A (ja) | 半導体デバイス製造用の成膜装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH02174114A (ja) | サセプタ | |
| JPH07245264A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2003086516A (ja) | サセプタ、ｃｖｄ装置、成膜方法、および半導体装置 | |
| JP3056781B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP3110978B2 (ja) | 気相成長装置用発熱体 | |
| JPH07249580A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JPH03246931A (ja) | サセプタ | |
| JP3230162B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2000049098A (ja) | エピタキシャル成長炉 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |