JP3110978B2 - 気相成長装置用発熱体 - Google Patents
気相成長装置用発熱体Info
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Description
装置等を含む気相成長装置に用いられる発熱体に関す
る。
は、例えば特開平5−152207号に示されている。
ウエハはウエハ保持部材で支持して、該ウエハ保持部材
の下方に配置する発熱体により加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する。
スの下面に上方に向かって伸びる中空円筒体が取付けら
れ、その上端に発熱体支えが取付けられており、その上
方には皿状の反射板が配置され、その内部に発熱体を収
容すると共に上端に均熱板が取付けられている。上記皿
状の反射板の上端は上記均熱板の上方に位置し、この上
端にはリング状のサセプタが嵌着されている。サセプタ
の内周側にはザグリが形成され、この内にウエハが配置
される。反応室内は50〜400Torrの減圧雰囲気
が形成され、ガス導入口からジクロルシラン等の原料ガ
スと水素等のキャリアガスが多量に導入され、気相成長
が行われる。ウエハ温度は1150℃程度に加熱され
る。
は、発熱体として、炭素材料単独、あるいはこの炭素材
料の表面にSiC膜をコーティングした材料が用いられ
ていた。
うな気相成長装置においても、大量生産性が重要課題で
あり、そのためにウエハの急熱、急冷が加速され、ま
た、製造過程において処理するウエハの挿入間隔が短縮
化されてきている。
DでSiC膜をコーティングした炭素からなる発熱体で
は、最近の高温急熱の過酷な使用条件下でSiC膜の侵
食の進みが速くなり、その部分を介して炭素基材からパ
ーティクルが発生するという問題が大きくなってきた。
ティクルの発生を防止することのできる気相成長装置用
の発熱体を提供することである。
ハ保持部材で支持し、ウエハを加熱して、ウエハ表面に
気相成長膜を形成する気相成長装置に用いる発熱体にお
いて、ウエハを加熱するための発熱体が、炭素基材と、
その炭素基材の表面に設けた炭化珪素質膜からなり、炭
化珪素質膜が50μm超の粒子径を有する結晶体を含
み、かつ炭化珪素質膜の表面の少なくとも80%が20
〜100μmの粒子径を有する結晶体からなることを特
徴とする気相成長装置用発熱体を要旨とする。
部材で支持し、ウエハを加熱して、ウエハ表面に気相成
長膜を形成する気相成長装置に用いるものである。
炭化珪素質膜からなり、表面に現れた炭化珪素質膜の少
なくとも80%が20〜100μmの粒子径を有する結
晶体からなる。本発明の一実施例である炭化珪素膜のS
EM写真を図2として示す。
μm未満であると、使用時又は使用後にエッチング現象
が大きくなる。特に不純物のために炭化珪素膜の表面部
分では、エッチングが粒界に沿ってアメーバ状に食い込
んで、えぐれた状態になりやすい。例えば、このような
エッチング現象が図3の一部に認められる。
が100μmを超えると、エッチング問題は回避される
が、膜の強度が所望の値(例えば300MPa)よりも
小さくなりがちになる。
炭化珪素質膜の表面の実質的に100%を占めるのが最
善であるが、80%以上であれば、大きなエッチング問
題はほとんど生じない。
珪素質膜中にある金属元素で、炭化珪素質膜の侵食や昇
華反応を著しく進行させる少なくとも鉄、ニッケル、ク
ロム、モリブデンが、それぞれ0.1PPM以下,0.
1PPM以下,0.1PPM以下,0.5PPM以下で
あるようにする。本発明によれば、水素雰囲気で150
0〜1550℃に60分加熱してもSiC膜からエッチ
ピットは認められなかった。このような金属元素の含有
率以外にすると、SEM写真図4として示すように白い
斑点が付着し結晶の侵食が進行する。
に関係しており、45〜300μmが好ましい。45μ
m未満であるとSiC膜にピンホールが点在し易くな
る。逆に300μmを超えると、炭素基材との応力の関
係から発熱体の強度が低下する。
に向かって伸びる中空円筒体11が取付けられ、その上
端にヒータ支え12が取付けられている。ヒータ支え1
2には絶縁棒13、反射板14及び絶縁棒15を介して
ヒータ16が取付けられている。中空円筒体11の下端
はフタ18によって閉じられ、中空円筒体11の内部に
はフタ18を貫通してヒータ16に接続された給電用配
線17が設けられている。
転軸20が設けられ、中空回転軸20はベアリング2
0,21により中空円筒体11と無関係に回転自在にベ
ース10に取付けられている。中空回転軸20にはプー
リ22が取付けられ、ベルト23により図示しないモー
タにより回転を与えられるようになっている。
ベルジャ24によってベース10の上面上方に形成され
る反応室25内に伸び、その上端にはキー26を介して
炭素製の支持円盤27が固着されている。支持円盤27
には石英ガラス、炭素又はセラミックス製の支持リング
28が支持円盤27と一体的に回転可能に取付けられて
いる。
板14及びヒータ16の外周を囲んで、ヒータ16より
上方へ伸びている。
され、段部31にリング状のウエハ保持板32が嵌着さ
れ、ウエハ保持板32の上面内周寄りに形成された段部
33内にウエハWを保持するようになっている。ウエハ
保持板32に支持されたウエハWは、ヒータ16と所定
の間隔を有するように置かれる。
って円筒状の保温筒40が同心状に配置されている。
説明する。
中空回転軸20を回転させ、ウエハ保持板32及びウエ
ハWを回転させる。ウエハWとウエハ保持板32はヒー
タ16によって加熱される。
つようにウエハWを支持すると共に、ヒータ16によっ
て加熱され、ウエハWの外周を加熱して該外周の温度低
下を抑え、ウエハWの中心から外周までの全域にわた
り、均一な温度分布とする役目を有している。
ところで、反応ガスを図1において上方からウエハWに
向けて流下させることにより気相成長を施こすが、この
ときウエハWの表面だけでなく、ウエハ保持板32の表
面にも気相成長膜が形成される。
形成されていると、次のような効果が得られる。すなわ
ち、エッチングの防止効果が顕著である。とくに表面に
現れた結晶粒界に沿った食い込み現象(とくに結晶粒界
のコーナー部が食われる現象)を効果的に防止できる。
粒子構造を示す写真。
造を示す写真。
Claims (1)
- 【請求項1】 ウエハをウエハ保持部材で支持し、ウエ
ハを加熱して、ウエハ表面に気相成長膜を形成する気相
成長装置に用いる発熱体において、ウエハを加熱するた
めの発熱体が、炭素基材と、その炭素基材の表面に設け
た炭化珪素質膜からなり、炭化珪素質膜が50μm超の
粒子径を有する結晶体を含み、かつ炭化珪素質膜の表面
の少なくとも80%が20〜100μmの粒子径を有す
る結晶体からなることを特徴とする気相成長装置用発熱
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17161195A JP3110978B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 気相成長装置用発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17161195A JP3110978B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 気相成長装置用発熱体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH097957A JPH097957A (ja) | 1997-01-10 |
JP3110978B2 true JP3110978B2 (ja) | 2000-11-20 |
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JP17161195A Expired - Fee Related JP3110978B2 (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 気相成長装置用発熱体 |
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JP (1) | JP3110978B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6050544B1 (ja) * | 2016-09-23 | 2016-12-21 | 寛人 筒井 | 太刀魚テンヤ |
KR200487601Y1 (ko) * | 2016-10-10 | 2018-10-11 | 유현옥 | 갈치 낚시채비 |
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CN102330147B (zh) * | 2010-07-14 | 2015-11-25 | 郭志凯 | 一种硅片生产外延设备及其系统 |
JP2013093460A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP17161195A patent/JP3110978B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH097957A (ja) | 1997-01-10 |
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