JPH02174114A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH02174114A JPH02174114A JP32623188A JP32623188A JPH02174114A JP H02174114 A JPH02174114 A JP H02174114A JP 32623188 A JP32623188 A JP 32623188A JP 32623188 A JP32623188 A JP 32623188A JP H02174114 A JPH02174114 A JP H02174114A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は半導体ウェハの製造に使用する縦型の気相成
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
長装置に関し、特にサセプタの改良に関する。
従来の技術
特開昭６０−１６０６１１号公報に開示されているよう
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
縦型の気相成長装置は、石英又はステンレス製のベルジ
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイト・サセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。
ャ（炉）の中にディスク状のグラファイト・サセプタを
備えている。サセプタの下方にはラセン状の高周波コイ
ルが設けてあり、このコイルでサセプタを加熱する。
基板ウェハはサセプタ上に並べられ、サセプタからの伝
熱により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガス
と共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される
。サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
熱により加熱される。そして、原料ガスがキャリアガス
と共にベルジャ内に導入され、サセプタ上に噴射される
。サセプタは中心軸のまわりに回転可能である。
従来のサセプタはカーボンを基材とし、表面に高純度で
かつ緻密なＳｉＣ被膜を有する。
かつ緻密なＳｉＣ被膜を有する。
このようにサセプタの全表面を緻密なＳｉＣ膜で覆うこ
とにより、サセプタから不純物ガスが放出するのを防い
でいた。
とにより、サセプタから不純物ガスが放出するのを防い
でいた。
サセプタを多数回数用いると、エビタキシャル工程及び
ＨＣ７！ガスのエツチングによって、サセプタ表面のＳ
ｉＣ膜にピンホールが発生する。サセプタは高温に加熱
されているので、ピンホールからＣｏ、ＣｎＨｍ、微量
の金属元素等の不純物ガスが排出し易くなる。
ＨＣ７！ガスのエツチングによって、サセプタ表面のＳ
ｉＣ膜にピンホールが発生する。サセプタは高温に加熱
されているので、ピンホールからＣｏ、ＣｎＨｍ、微量
の金属元素等の不純物ガスが排出し易くなる。
ピンホールがサセプタ表面のウェハ載置部もしくはその
近傍に発生すると、排出された不純物ガスがウェハに接
触したり、原料ガスの流れを乱すためウェハの品質が著
しく低下する。このため大幅に歩留が低下し、コストア
ップの原因になっていた。前述したピンホールの発生の
ため、通常のサセプタの耐用回数はエビタキシャル工程
２００回程度であった。
近傍に発生すると、排出された不純物ガスがウェハに接
触したり、原料ガスの流れを乱すためウェハの品質が著
しく低下する。このため大幅に歩留が低下し、コストア
ップの原因になっていた。前述したピンホールの発生の
ため、通常のサセプタの耐用回数はエビタキシャル工程
２００回程度であった。
発明の目的
この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、ピ
ンホールが発生してもその悪影響を最小限にとどめるこ
とのできるサセプタを提供することを目的としている。
ンホールが発生してもその悪影響を最小限にとどめるこ
とのできるサセプタを提供することを目的としている。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は請求項１に記
載のサセプタを要旨としている。
載のサセプタを要旨としている。
問題点を解決するための手段
この発明においては、表面に緻密なＳｉＣ膜を被覆しで
あるサセプタ１２のガス流出方向下流側１７にＳｉＣ膜
の非被覆部１６を設ける。この非被覆部においては炭素
基材９は露出している。
あるサセプタ１２のガス流出方向下流側１７にＳｉＣ膜
の非被覆部１６を設ける。この非被覆部においては炭素
基材９は露出している。
非被覆部の面積はサセプタ下面の面積の５０％〜０．０
０１％が望ましい。５０％を超えると不純物ガスが多量
に発生して好ましくない。また０、００１％より少ない
場合には、非被覆部を設けた効果が得られない。
０１％が望ましい。５０％を超えると不純物ガスが多量
に発生して好ましくない。また０、００１％より少ない
場合には、非被覆部を設けた効果が得られない。
非被覆部の形状は任意でよい。例えばＳｉＣ膜に断面円
形の孔１６を多数設ける。この場合には前述したように
、孔１６の合計総面積をサセプタ下面面積の５０％〜０
．００１％に設定する。
形の孔１６を多数設ける。この場合には前述したように
、孔１６の合計総面積をサセプタ下面面積の５０％〜０
．００１％に設定する。
作用効果
サセプタ１２のガス流出方向下流側にＳｉＣ膜の非被覆
部１６が設けであるので、サセプタ１２のウェハ載置面
にピンホールが発生しても不純物ガスの大部分は非被覆
部から排出され、ウェハに影響を与えずに排気される。
部１６が設けであるので、サセプタ１２のウェハ載置面
にピンホールが発生しても不純物ガスの大部分は非被覆
部から排出され、ウェハに影響を与えずに排気される。
従ってサセプタの耐用寿命が大幅に向上する。
実 施 例
以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
する。
この発明はサセプタの構造を改良したものであり、サセ
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
プタを組み込む気相成長装置の構成は従来と同様のもの
を採用できる。
第１図は気相成長装置の主要部分を示す概略断面図で、
サセプタ１２に設けたＳｉＣ膜１５と孔１６を強調して
図示している。第２図はサセプタ１２の概略拡大断面図
である。
サセプタ１２に設けたＳｉＣ膜１５と孔１６を強調して
図示している。第２図はサセプタ１２の概略拡大断面図
である。
サセプタ１２はカーボンを基材としており、表面には緻
密なＳｉＣ膜１５が形成しである。
密なＳｉＣ膜１５が形成しである。
膜厚は、例えば６０μｍとする。サセプタ１２のガス流
出方向下流側１７にはＳｉＣ膜の非被覆部として、孔１
６が設けである。孔１６のところでは、下地の炭素基材
９が露出している。孔１６は、サセプタ下面外周付近の
ＳｉＣ膜１５に等間隔に１０ケ設けである。
出方向下流側１７にはＳｉＣ膜の非被覆部として、孔１
６が設けである。孔１６のところでは、下地の炭素基材
９が露出している。孔１６は、サセプタ下面外周付近の
ＳｉＣ膜１５に等間隔に１０ケ設けである。
孔１６の形状は任意でよいが、例えば内径１ ｍｍの円
筒形状にする。
筒形状にする。
孔１６は例えば以下の様にして設ける。あらかじめ炭素
基材９の下面側に所定形状の突起を設けておく。この炭
素基材にＳｉＣ膜１５を被覆する。被覆工程の終了後、
突起を取り除けば、ＳｉＣ膜１５に孔１０が残される。
基材９の下面側に所定形状の突起を設けておく。この炭
素基材にＳｉＣ膜１５を被覆する。被覆工程の終了後、
突起を取り除けば、ＳｉＣ膜１５に孔１０が残される。
サセプタの表面に被覆するＳｉＣ膜１５の厚さは均一で
なくともよい。例えば、サセプタ１２の上面側に薄い（
例えば６０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成し、下面側には
厚い（例えば９０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成する。
なくともよい。例えば、サセプタ１２の上面側に薄い（
例えば６０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成し、下面側には
厚い（例えば９０μｍ）厚みのＳｉＣ膜を形成する。
上面側と下面側の膜厚の比は、望ましくは１゜１〜１．
５に設定する。
５に設定する。
また、ガス管１４の外側に支持管１１を同心状態に設け
、その支持管１１を特別な構成としている。すなわち、
支持管１１の全体または少なくともフランジ部分１１ａ
をＳｉ３Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨張係数の基
材で構成し、その表面にさらにＳｉ３Ｎ４のコーティン
グ層を設けている。このＳｉ３Ｎ４のコーティング層の
厚さはその基材中の不純物が外部に飛出さない程度の厚
みにするのが望ましい。
、その支持管１１を特別な構成としている。すなわち、
支持管１１の全体または少なくともフランジ部分１１ａ
をＳｉ３Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨張係数の基
材で構成し、その表面にさらにＳｉ３Ｎ４のコーティン
グ層を設けている。このＳｉ３Ｎ４のコーティング層の
厚さはその基材中の不純物が外部に飛出さない程度の厚
みにするのが望ましい。
フランジ部分１１ａは図示した形状のみでなく、他の種
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
々の形状を採用することができる。例えば、フランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
サセプタ１２は中心に貫通孔を有し、その内周部が支持
管１１のフランジ部分１１ａによって支持されている。
管１１のフランジ部分１１ａによって支持されている。
サセプタ１２は水平を保ちつつ支持管１１と一緒に回転
可能となっている。ガス管１４は固定されたままである
。
可能となっている。ガス管１４は固定されたままである
。
高周波コイル１３がそのサセプタ１２の下方部に配置さ
れており、加熱に供される。
れており、加熱に供される。
ウェハ５はサセプタ１２の上側に設置される。
ガス管１４の内部を通ってシリコンエピタキシャルガス
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェハ５
に至り、周知の気相成長が行なわれる。
この結果、従来の方法で得たサセプタの耐用寿命約２０
０回に対し、本発明によるサセプタは、エビキシャル工
程で３００回使用しても良好に使用することができた。
０回に対し、本発明によるサセプタは、エビキシャル工
程で３００回使用しても良好に使用することができた。
さて、本発明のサセプタは前述の実施例に限定されない
。例えば、ＳｉＣ膜の非被服部はドーナツ状に設けたり
、サセプタの半径方向に細長く設けてもよい。
。例えば、ＳｉＣ膜の非被服部はドーナツ状に設けたり
、サセプタの半径方向に細長く設けてもよい。
第１図はこの発明によるサセプタを設置した縦型気相成
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５・・・・・・・・・ウェハ １１・・・・・・支持管 １１ａ・・・フランジ部 １２・・・・・・サセプタ １３・・・・・・高周波コイル １４・・・・・・ガス管 １５・・・・・・ＳｉＣ膜 １６・・・・・・孔 １７・・・・・・ガス流出方向下流側の面９・・・・・
・・・・炭素基材 代 理 人 弁理士 １） 辺徹
長装置の主要部分を示す概略縦断面図、第２図はサセプ
タの概略拡大断面図である。 ５・・・・・・・・・ウェハ １１・・・・・・支持管 １１ａ・・・フランジ部 １２・・・・・・サセプタ １３・・・・・・高周波コイル １４・・・・・・ガス管 １５・・・・・・ＳｉＣ膜 １６・・・・・・孔 １７・・・・・・ガス流出方向下流側の面９・・・・・
・・・・炭素基材 代 理 人 弁理士 １） 辺徹
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガスを吹きつけて気相成長を行う縦型気相 成長装置に用いるサセプタにおいて、炭素基材の表面に
緻密なＳｉＣ膜（１５）を設け、ガス流出方向下流側に
ＳｉＣ膜（１５）の非被覆部（１６）を設け、炭素基材
（９）の一部を露出させたことを特徴とするサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326231A JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63326231A JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02174114A true JPH02174114A (ja) | 1990-07-05 |
| JPH07118466B2 JPH07118466B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=18185456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63326231A Expired - Lifetime JPH07118466B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07118466B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1028867C2 (nl) * | 2005-04-26 | 2006-10-27 | Xycarb Ceramics B V | Inrichting voor het ondersteunen van een substraat alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke inrichting. |
| JP2009206167A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| US20120103260A1 (en) * | 2009-07-16 | 2012-05-03 | Wonik Ips Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing semiconductor |
| WO2016088671A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-09 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、化学気相成長装置、エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
| JP2016111043A (ja) * | 2014-12-02 | 2016-06-20 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持台、化学気相成長装置、エピタキシャルウェハ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
| JPS63186422A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-02 | Tadahiro Omi | ウエハサセプタ装置 |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP63326231A patent/JPH07118466B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6058613A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Hitachi Ltd | エピタキシャル装置 |
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| KR101408823B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2014-06-19 | 싸이카브 세라믹스 비.브이. | 기판 지지 장치 및 이 장치의 제조 방법 |
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| CN107004583A (zh) * | 2014-12-02 | 2017-08-01 | 昭和电工株式会社 | 晶片支承台、化学气相生长装置、外延晶片及其制造方法 |
| US10208398B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-02-19 | Showa Denko K.K. | Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
| US10519566B2 (en) | 2014-12-02 | 2019-12-31 | Showa Denko K.K. | Wafer support, chemical vapor phase growth device, epitaxial wafer and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07118466B2 (ja) | 1995-12-18 |
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