JPS636833A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS636833A JPS636833A JP14828086A JP14828086A JPS636833A JP S636833 A JPS636833 A JP S636833A JP 14828086 A JP14828086 A JP 14828086A JP 14828086 A JP14828086 A JP 14828086A JP S636833 A JPS636833 A JP S636833A
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- vapor phase
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- Pending
Links
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- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 9
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上のり
この発明は絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気相
成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離基
板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置の改
良に関するものである。
成長法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離基
板の支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置の改
良に関するものである。
ｉ迷！ｕ１（
特開昭６０−１６０６１１Ｍ公報に開示されているよう
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
に、各種の気相成長装置が既に公知である。
例えば、第１図に示すように、従来の縦型気相成長装置
は、反応炉１の中にサセプター２が水平姿勢を維持して
設けられ、そのサセプターの下部に加熱用の高周波コイ
ル３が設けられている。また、サセプター２の中心を口
過して石英ガラス製のガス管４が垂直に保持されており
、回転可能になっている。
は、反応炉１の中にサセプター２が水平姿勢を維持して
設けられ、そのサセプターの下部に加熱用の高周波コイ
ル３が設けられている。また、サセプター２の中心を口
過して石英ガラス製のガス管４が垂直に保持されており
、回転可能になっている。
また、第２図に示されているように、反応炉１の中にサ
セプター２が水平に維持されて設置されており、その下
方に加熱用の高周波コイルが装着されている。サセプタ
ー２の中心を量適して石英ガラス製のガス管４が垂直に
保持され、そのガス管４の頂部に複数の枝管６が水平方
向に延び、それらの枝管６にガス噴出口６ａが数多く形
成されている。
セプター２が水平に維持されて設置されており、その下
方に加熱用の高周波コイルが装着されている。サセプタ
ー２の中心を量適して石英ガラス製のガス管４が垂直に
保持され、そのガス管４の頂部に複数の枝管６が水平方
向に延び、それらの枝管６にガス噴出口６ａが数多く形
成されている。
明が ゛しようとする間 １１、
第１図および第２図の従来装置にあっては、ガス管４が
全体的に石英ガラスのみで形成されており、それによっ
てサセプター２を支持 、しているため、サセプター２
の少なくとも表面層がＳｉＣで構成されている場合、ガ
ス管４の石英ガラス（Ｓｉ ０２ ）とサセプター２の
表面層のＳｉＣとが反応して、ＳｉＯガスが発生し、こ
の反応によってコーテイング膜が分解し、進行すれば基
材の黒鉛が露出することになり、耐用寿命が短くなる欠
点があった。通常、気相成長装置における処理温度は１
２００’Ｃ程度であるので、このような反応が無視でき
ない程度に大きいのである。
全体的に石英ガラスのみで形成されており、それによっ
てサセプター２を支持 、しているため、サセプター２
の少なくとも表面層がＳｉＣで構成されている場合、ガ
ス管４の石英ガラス（Ｓｉ ０２ ）とサセプター２の
表面層のＳｉＣとが反応して、ＳｉＯガスが発生し、こ
の反応によってコーテイング膜が分解し、進行すれば基
材の黒鉛が露出することになり、耐用寿命が短くなる欠
点があった。通常、気相成長装置における処理温度は１
２００’Ｃ程度であるので、このような反応が無視でき
ない程度に大きいのである。
１に１左
この発明は前述のような従来装置の欠点を解消して、耐
用寿命を長くすることのできる気相成長装置を提供する
ことを目的としている。
用寿命を長くすることのできる気相成長装置を提供する
ことを目的としている。
兄」トｌＩ」１
前述の目的を達成するために、この発明は絶縁被膜で覆
った半導体基板の表面上に気相成長法により厚い多結晶
成長膜を堆積する誘電体分離基板の支持基板の製造に使
用する縦型の気相成長装置において、エピタキシドルガ
スを炉内に通すガス管と、そのガス管の外側に設けられ
た支持管と、その支持管に形成されたフランジ部分と、
そのフランジ部分に水平に設置されたサセプターと、そ
のサセプターの下部に設けられた加熱用の高周波コイル
を備え、前記支持管の少なくともフランジ部分をＳｉ
３ Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で
形成し、その表面に更にＳｉ ３ Ｎ４のコーティング
層を設けたことを特徴とする気相成長装置を要旨として
いる。
った半導体基板の表面上に気相成長法により厚い多結晶
成長膜を堆積する誘電体分離基板の支持基板の製造に使
用する縦型の気相成長装置において、エピタキシドルガ
スを炉内に通すガス管と、そのガス管の外側に設けられ
た支持管と、その支持管に形成されたフランジ部分と、
そのフランジ部分に水平に設置されたサセプターと、そ
のサセプターの下部に設けられた加熱用の高周波コイル
を備え、前記支持管の少なくともフランジ部分をＳｉ
３ Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で
形成し、その表面に更にＳｉ ３ Ｎ４のコーティング
層を設けたことを特徴とする気相成長装置を要旨として
いる。
間ｇ膏を解決するための
ガス管１４の外側に支持管１１を同心に設け、その支持
管１１のうち、少なくともサセプター１２と接触するフ
ランジ部分１１ａをＳｉ ３ Ｎ４焼結体またはそれと
同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面に更にＳｉ
３Ｎ４のコーティング層を設ける。
管１１のうち、少なくともサセプター１２と接触するフ
ランジ部分１１ａをＳｉ ３ Ｎ４焼結体またはそれと
同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面に更にＳｉ
３Ｎ４のコーティング層を設ける。
フランジ部分１１ａだけでなく、支持管１１の仝休をＳ
ｉ ３ Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基
材で構成し、その表面全体をＳｉ ３ Ｎ４のコーティ
ング層で被覆すると、さらに効果的である。
ｉ ３ Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基
材で構成し、その表面全体をＳｉ ３ Ｎ４のコーティ
ング層で被覆すると、さらに効果的である。
支持管１１の少なくともフランジ部分１１ａをＳｉ ３
Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構
成し、その表面にＳｉ３Ｎ４のコーティング層を設ける
と、フランジ部分１１ａにサセプター１２を設置したと
き。
Ｎ４焼結体またはそれと同等の熱膨脹係数の基材で構
成し、その表面にＳｉ３Ｎ４のコーティング層を設ける
と、フランジ部分１１ａにサセプター１２を設置したと
き。
１２００℃の処理温度でも、サセプター１２の表面に存
在するＳｉＣが支持管１１のフランジ部分１１ａと反応
せず、絶縁状態となり、なんらの誘導現象が発生せず、
不純物の飛出しが防止される。
在するＳｉＣが支持管１１のフランジ部分１１ａと反応
せず、絶縁状態となり、なんらの誘導現象が発生せず、
不純物の飛出しが防止される。
１１に
以下、図面を参照して、この発明の好適な実施例を説明
する。
する。
この発明による気相成長装置は第１図および第２Ｍに示
された従来の気相成長装置の構成のうち、特にサセプタ
ー支持構造の関連部分を改良したごｂのであり、その他
の部分の構成は従来と同様のものを採用できるので、こ
こでは詳細に説明しない。
された従来の気相成長装置の構成のうち、特にサセプタ
ー支持構造の関連部分を改良したごｂのであり、その他
の部分の構成は従来と同様のものを採用できるので、こ
こでは詳細に説明しない。
さて、この発明においては、ガス管１４の外側に支持管
１１を同心状態に設け、その支持管１１を特別な構成と
している。すなわち支持管１１の全体または少なくとも
フランジ部分１１ａをＳｉ ３Ｎ４焼結体またはそれと
同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面にさらにＳ
ｉ ３ Ｎ４のコーデイング層を設けている。このＳｉ
３Ｎ４のコーティング層の厚さはその基材中の不純物が
外部に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
１１を同心状態に設け、その支持管１１を特別な構成と
している。すなわち支持管１１の全体または少なくとも
フランジ部分１１ａをＳｉ ３Ｎ４焼結体またはそれと
同等の熱膨脹係数の基材で構成し、その表面にさらにＳ
ｉ ３ Ｎ４のコーデイング層を設けている。このＳｉ
３Ｎ４のコーティング層の厚さはその基材中の不純物が
外部に飛出さない程度の厚みにするのが望ましい。
フランジ部分１１ａは図示した形状のみでなく、他の種
々の形状を採用することができる。例えば、７ランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
々の形状を採用することができる。例えば、７ランジ部
分１１ａを支持管１１の一定位置に固定しないで、必要
に応じて上下に位置を調節できるように構成することも
できる。
サセプター１２は基材が炭素で、その表面にＳｉＣのコ
ーティング層が設けられているのが一般的である。
ーティング層が設けられているのが一般的である。
サセプター１２は中心に負通孔を有し、そ、 の内周部
が支持管１１のフランジ部分１１ａによって支持されて
いる。サセプター１２は水平を保ちつつ支持管１１と一
緒に回転可能となっている。ガス管１４は固定されたま
まである。
が支持管１１のフランジ部分１１ａによって支持されて
いる。サセプター１２は水平を保ちつつ支持管１１と一
緒に回転可能となっている。ガス管１４は固定されたま
まである。
高周波コイル１３がそのサセプター１２の下方部に配置
されており、加熱に供される。
されており、加熱に供される。
ウェーハ５は従来と同様にサセプター１２の上側に設置
される。
される。
ガス管１４の内部を通ってシリコンエピタキシャルガス
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェーハ
５に至り、周知の気相成長が行なわれる。
がガス管１４の上方部の孔から吹き出され、各ウェーハ
５に至り、周知の気相成長が行なわれる。
立」レユｊピ先
この発明によれば、サセプター１２の表面層を形成する
ＳｉＣが支持管１１（特にフランジ部分１１ａ）と接触
していても、その表面層のＳｉ ３ Ｎ４と反応せず、
したがって材質を変化させることがなく、耐用寿命が大
幅に向上する。
ＳｉＣが支持管１１（特にフランジ部分１１ａ）と接触
していても、その表面層のＳｉ ３ Ｎ４と反応せず、
したがって材質を変化させることがなく、耐用寿命が大
幅に向上する。
第１図は従来の縦型気相成長装置を示す概略断面図、第
２図は従来の他の縦型気相成長装置を示す概略断面図、
第３図はこの発明による縦型気相成長装置の主要部分を
示す概略縦断面図である。 １１、、、、、支持管 １２、、、、、サセプター １３、、、、、高周波コイル １４、、、、、ガス管 ５、、、、、、ウェーハ １１ａ、、、、フランジ部分 代理人 弁理士 田辺 徹′１．ｊ ゛−０゛
２図は従来の他の縦型気相成長装置を示す概略断面図、
第３図はこの発明による縦型気相成長装置の主要部分を
示す概略縦断面図である。 １１、、、、、支持管 １２、、、、、サセプター １３、、、、、高周波コイル １４、、、、、ガス管 ５、、、、、、ウェーハ １１ａ、、、、フランジ部分 代理人 弁理士 田辺 徹′１．ｊ ゛−０゛
Claims (1)
- （１）絶縁被膜で覆った半導体基板の表面上に気相成長
法により厚い多結晶成長膜を堆積する誘電体分離基板の
支持基板の製造に使用する縦型の気相成長装置において
、エピタキシャルガスを炉内に通すガス管と、そのガス
管の外側に設けられた支持管と、その支持管に形成され
たフランジ部分と、そのフランジ部分に水平に設置され
たサセプターと、そのサセプターの下部に設けられた加
熱用の高周波コイルを備え、前記支持管の少なくともフ
ランジ部分をＳｉ＿３Ｎ＿４焼結体またはそれと同等の
熱膨脹係数の基材で形成し、その表面に更にＳｉ＿３Ｎ
＿４のコーティング層を設けたことを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14828086A JPS636833A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14828086A JPS636833A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636833A true JPS636833A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15449232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14828086A Pending JPS636833A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636833A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| US6210483B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Anti-notch thinning heater |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6155918A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体製造装置 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP14828086A patent/JPS636833A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS6155918A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体製造装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| US6210483B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-04-03 | Applied Materials, Inc. | Anti-notch thinning heater |
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