JPH07118465B2 - 縦型エピタキシャル装置用サセプター - Google Patents

縦型エピタキシャル装置用サセプター

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JPH07118465B2
JPH07118465B2 JP14602288A JP14602288A JPH07118465B2 JP H07118465 B2 JPH07118465 B2 JP H07118465B2 JP 14602288 A JP14602288 A JP 14602288A JP 14602288 A JP14602288 A JP 14602288A JP H07118465 B2 JPH07118465 B2 JP H07118465B2
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JP
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susceptor
temperature
epitaxial device
vertical epitaxial
frequency coil
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Inventor
宏円 中西
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東芝セラミックス株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハ上にエピタキシャル成長を施
す縦型エピタキシャル装置に用いられるサセプターに関
する。
〔従来の技術〕
縦型エピタキシャル装置は、通常、第３図に示すよう
に、半導体ウェーハ１を載置する円板状のサセプター２
をベルジャー３内に水平に納置し、かつサセプター２を
その下方に配置した渦巻き状の高周波コイル４により誘
導加熱し、サセプター２の中央部を挿通したガス管５の
上端から反応ガスを半導体ウェーハ１に供給する構造に
設けられている。
従来、上記サセプター２は、黒鉛を基材にしCVD法によ
りSiCを被覆したものが一般的で、中央にガス管５を挿
通する孔６を備えた円板状に設けられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来のサセプター２によれば、高温
時に温度が均一になるよう高周波コイル４の調整がなさ
れるが、この場合、昇温時にサセプター２外周部が中央
部に比して加熱され過ぎる問題があった。
そこで、本発明は、昇温時における周辺部の加熱過ぎを
防止し得る縦型エピタキシャル装置用サセプターの提供
を目的とする。
〔課題を解決するための手段〕 前記課題を解決するため、本発明は、上昇側の熱膨張率
を下層側より大きくした複数構造とし、高温で平面をな
すよう常温において上層側に湾曲させたものである。
〔作用〕
上記手段によれば、昇温時に高周波コイルと周辺部との
距離が高周波コイルと中央部との距離より大きくなり、
周辺部の加熱過ぎが防止される。
高温安定加熱時には、周辺部及び中央部と高周波コイル
との距離が適正になり、各部の表面温度が均一となる。
〔実 施 例〕
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図と共に説明す
る。
図中10は黒鉛を基材とする２層構造の縦型エピタキシャ
ル装置用サセプターで、半導体ウェーハ11が載置される
上部層10aの熱膨張係数を、渦巻き状の高周波コイル12
側の下部層10bの熱膨張係数より大きくし、かつ高温安
定加熱時（第２図参照）で平面をなすよう常温及び昇温
時（第１図参照）において上部層10a側に湾曲させた円
板状に設けられている。サセプター10の中央には、ガス
管（図示せず）を挿通する孔13が設けられており、かつ
サセプター10の表面は、CVD法によるSiCの被膜（図示せ
ず）で覆われている。
ここで、直径705mm、上部層を熱膨張率5.0×10-6/℃の
黒鉛により厚さ8mm、下部層を熱膨張率4.8×10-6/℃の
黒鉛により厚さ10mmとした２層構造とし、かつ常温にお
いて最外側が中心より2mm高くなるように湾曲したサセ
プターを1200℃まで昇温（昇温速度３℃/sec）したとこ
ろ、中央が900℃の際、周辺が910℃で、中央と周辺の温
度差が10℃であった。
従来のサセプターを使用した場合、同一条件で中央と周
辺の温度差が300℃以上であったから、上記サセプター
によれば、昇温時における周辺部の加熱過ぎを大幅に低
減できることがわかる。
なお、上記実施例では、２層構造とした場合について述
べたが、これに限らず上側の熱膨張率が大きくなるよう
にした３層以上の構造としてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、昇温時に高周波コイルと
周辺部との距離が高周波コイルと中央部との距離より大
きくなるので、周辺部の加熱過ぎを防止することがで
き、高温安定加熱時には、周辺部及び中央部と高周波コ
イルとの距離が適正になり、各部の表面温度が均一とな
る。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す縦型エピタ
キシャル装置用サセプターの常温時及び高温安定加熱時
における半截断面側面図及び側断面図、第３図は縦型エ
ピタキシャル装置の概念図である。 10……サセプター、10a……上部層 10b……下部層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】上層側の熱膨張率を下層側より大きくした
    複数層構造とし、高温で平面をなすよう常温において上
    層側に湾曲させたことを特徴とする縦型エピタキシャル
    装置用サセプター。
JP14602288A 1988-06-14 1988-06-14 縦型エピタキシャル装置用サセプター Expired - Lifetime JPH07118465B2 (ja)

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