JP2002146540A - 基板加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 サセプタ７を使用した基板加熱装置におい
て、基板１５の内周側と外周側での温度差を無くし、基
板１５の表面での温度分布を均一にする。 【解決手段】 加熱部１は、加熱板２、３を有し、加熱
板２、３は、サセプタ７を介して基板１５の内周側を加
熱する内周側加熱板２と、基板１５の外周側を加熱する
外周側加熱板３とに分離され、それらの間に断熱用のス
リット６が設けられていると共に、それぞれ別のヒータ
４、５により独立して加熱される。さらに、内周側サセ
プタ２の上下両面の基板１５の内周側部分に対応する部
分に窪み１０、１１を設け、その部分で基板１５に熱が
伝熱しにくいようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体の製
造のため、ＰＶＤ法やＣＶＤ法により、半導体ウエハ等
の基板の上に膜を形成する工程において、基板を加熱す
る装置に関し、特に、基板の内外周の温度差を無くし、
基板の温度分布を均一にすることを図った基板加熱装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の製造工程において、ＰＶＤ法や
ＣＶＤ法により、半導体ウエハ等の基板の上に金属膜等
を成膜する際、加熱板に直接基板を置いて成膜処理を行
うと、基板が汚れてしまう。そこで、加熱板上に高温下
で化学的に安定なサセプタを載せ、このサセプタの上に
基板を置き、サセプタを介して加熱板から基板に伝熱す
る手段をとることが多い。このような基板加熱装置の従
来例を図７に示す。

【０００３】図７に示すように、半導体ウエハ等の基板
１５を加熱する加熱部１は、ステンレスやインコネル等
の金属からなる加熱板１４とこの加熱板１４を加熱する
ヒータ１７、１８を備えている。加熱部１の周囲は、リ
フレクタ１９で囲まれており、加熱部１の熱が外部に放
出されるのを防止する。加熱板１４の上には、高温下で
化学的に安定な炭化珪素等の材質からなるサセプタ７が
搭載され、このサセプタ７の上に半導体ウエハ等の基板
１５が搭載される。ヒータ１７、１８で発生した熱は、
加熱板１４で均一化され、サセプタ７を介して基板１５
に伝達されることにより、基板１５が加熱される。この
ような基板加熱装置では、加熱板１４の熱をサセプタ７
を介して基板１５に伝達することから、基板１５の面方
向の温度分布にばらつきが生じやすくなる。特に、基板
１５の内周部に比べて外周部の境界面からの放熱がある
ので外周部の温度が低くなりやすい。

【０００４】そこで、図７に示すように、加熱板１４の
内周部分と外周部分とにそれぞれ別のヒータ１７、１８
を設け、加熱板１４の外周側の温度を内周側に比べて高
く設定し、基板１５の内周側と外周側との温度の差を小
さくする手段もとられている。しかしながら、もともと
加熱板１４は、その面方向の温度勾配を小さくするため
と温度差に伴う曲がり防止のために使用するものであ
り、その径方向の断面積を大きくし、その伝熱抵抗を小
さくするため、厚く形成されている。このため、ヒータ
１７、１８の発熱量を調整して加熱板１４の外周側と内
周側の温度差を大きくしようとしても、加熱板１４の外
周側と内周側の温度勾配を大きくすることができない。
その結果として、基板１５の温度分布を内周側と外周側
とで均一にできない。

【０００５】

【発明が解決しようとしている課題】前述のようなＰＶ
Ｄ法やＣＶＤ法により、半導体ウエハ等の基板の上に金
属膜等を成膜する場合、基板１５を３００〜５００℃に
加熱する必要がある。しかしながら、従来の基板加熱装
置では、サセプタ７や基板１５の表面から周囲へ放熱す
ることにより、基板１５の面方向の温度差が生じること
が避けられなかった。そのため、温度が低いウエハ基板
外周部に成膜された膜に厚さや純度のムラが生じ、歩溜
まりが低下するという課題があった。

【０００６】図７に示した従来の装置において、加熱板
１４にサセプタ７と基板１５を載せない状態で、加熱板
１４の表面の温度分布が均一であったとしても、サセプ
タ７を載せた時点では、サセプタ７の外周面からの熱放
射により、サセプタ７の外周部の温度が低下してしま
う。この状態で更にサセプタ７に基板１５を載せると、
基板１５の外周面からの放熱も加わり、基板１５の外周
部の温度は大きく低下し、基板１５の表面の温度分布が
大きくなる。

【０００７】本発明は、前記従来の基板加熱装置におけ
る課題に鑑み、サセプタを使用した基板加熱装置におい
て、基板の内周側と外周側での温度差を無くし、基板の
表面での温度分布を均一にすることが可能な基板加熱装
置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、加熱部１を、基板１５の内周側を加熱
する部分と、基板１５の外周側を加熱する部分とに分
け、それらを断熱すると共に、それぞれ別のヒータ４、
５で加熱するようにした。これにより、基板１５の内周
側と外周側との温度差が生じないように、外周側加熱板
３の温度を内周側加熱板２より十分高くすることができ
るようにした。

【０００９】すなわち、本発明による基板加熱装置は、
ヒータ４、５により加熱される加熱部１と、この加熱部
１により加熱され、その上に載置された基板１５に伝熱
するサセプタ７とを有し、加熱部１のサセプタ７を介し
て基板１５の内周側を加熱する部分と基板１５の外周側
を加熱する部分とを互いに独立して加熱し、且つそれら
の基板１５の内周側を加熱する部分と基板１５の外周側
を加熱する部分とを互いに断熱したことを特徴とするも
のである。

【００１０】より具体的には、前記加熱部１は、加熱板
２、３を有し、加熱板２、３は、サセプタ７を介して基
板１５の内周側を加熱する内周側加熱板２と、基板１５
の外周側を加熱する外周側加熱板３とに分離され、それ
らの間に断熱用のスリット６が設けられていると共に、
それぞれ別のヒータ４、５により独立して加熱される。

【００１１】このような加熱部１では、内周側加熱板２
と外周側加熱板３とを独立して温度制御することがで
き、しかも内周側加熱板２と外周側加熱板３とが断熱さ
れているため、その温度差を大きくとることもできる。
このため、基板１５の内周側と外周側との温度差が生じ
ないように、外周側加熱板３の温度を内周側加熱板２よ
り十分高くすることができる。その結果として、基板１
５の内周側と外周側との温度差を小さくすることができ
る。

【００１２】なお、内周側加熱板２と外周側加熱板３と
を断熱するための前記のスリット６の形態としては、第
一に、加熱板２、３の上面から下面に向けて切り込むよ
うに設けられ、加熱板２、３の一部がその下面側で部分
的に連なっている形態をあげることができる。第二に、
スリット６が加熱板２、３の下面から上面に向けて切り
込むように設けられ、加熱板２、３の一部がその上面側
で部分的に連なっている形態をあげることができる。第
三としては、スリット６が加熱板２、３の上面から下面
にわたって設けられ、加熱板２、３のが互いに分離され
ている形態をあげることができる。

【００１３】さらに、本発明による基板加熱装置は、基
板１５をサセプタ７を介して加熱部１で加熱するに当た
り、基板１５の基板の内周側において、基板１５の外周
側より加熱部１からサセプタ７を介して基板１５に熱が
伝熱しにくいようにした。これにより、基板１５の外周
側より内周側で加熱部１からサセプタ７を介して基板１
５に伝熱される熱量を抑え、放熱量を受熱量との均衡を
図ったものである。

【００１４】すなわち、本発明による基板加熱装置は、
ヒータ４、５により加熱される加熱部１と、この加熱部
１により加熱され、その上に載置された基板１５に伝熱
するサセプタ７とを有し、サセプタ７の基板１５の内周
側を加熱する部分の加熱部１側に面した面と基板１５側
に面した面との少なくとも何れかが、その外周側に比べ
て加熱部１或いは基板１５と互いに伝熱しにくくなって
いることを特徴とするものである。

【００１５】例えば、サセプタ７の基板１５の内周側を
加熱する部分の加熱部１側に面した面と基板１５側に面
した面との少なくとも何れかに窪み１０、１１を設け
る。或いは、サセプタ７の基板１５の内周側を加熱する
部分に面した内側加熱板２が、その外周側の加熱板３に
比べて低くなっている。これにより、基板１５の外周側
に比べて基板１５の内周側で、加熱部１とサセプタ７或
いはサセプタ７と基板１５との距離が互いに遠くなって
いる。こうして遠くなった分だけ、互いに伝熱しにくく
なる。この伝熱減少は、接触による伝熱がなくなり、多
少の気体がある場合は、この気体による伝熱分がなくな
るからである。但し、輻射伝熱量はほとんど変わらな
い。

【００１６】さらには、サセプタ７の基板１５の内周側
を加熱する部分の加熱部１側に面した面と基板１５側に
面した面との少なくとも何れかに、サセプタ７の他の部
分に比べて輻射率の低い低輻射面１２、１３が設けられ
ている。或いは、 サセプタ７の基板１５の内周側を加
熱する部分に面した加熱部１の加熱板２に、外周側の加
熱板３に比べて輻射率の低い低輻射面１６が設けられて
いる。これにより、基板１５の外周側に比べて中央部側
が互いに伝熱しにくくなっている。

【００１７】このような基板加熱装置では、基板１５の
外周側に比べて、その内周側がサセプタ７を介して加熱
部１と伝熱しにくいため、基板１５の外周側に比べて、
その内周側に単位時間に伝熱される熱量が小さくなる。
このため、放熱しやすい基板１５の外周側と放熱しにく
い基板１５の内周側とで受熱量と放熱量のバランスが取
れる。その結果基板１５の内周側と外周側とで温度の均
衡がとれることになる。すなわち、基板１５の温度分布
が均一になる。

【００１８】さらに、本発明では、サセプタ７を、内周
側サセプタ８と、その外周側の外周側サセプタ９とに分
離し、内周側サセプタ８に基板１５を載せる。これによ
り、内周側サセプタ８の周辺部から直接放熱されること
がなくなる。すなわち、内周側サセプタ８の周辺部が外
周側サセプタ９によって保温され、内周側サセプタ８の
周辺部からの放熱量が小さくなり、より均一な温度管理
が可能となる。

【００１９】

【発明の実施形態】次に、図面を参照しながら、本発明
の実施形態について、具体的且つ詳細に説明する。図１
に本発明による基板加熱装置の一実施形態を示す。

【００２０】図１に示すように、加熱部１は、ステンレ
スやインコネル等の金属からなる加熱板２、３を有して
いる。この加熱板２、３は、加熱する半導体ウエハの中
央部に対応する内周側加熱板２とその外周側にある外周
側加熱板３とを有し、これら内周側加熱板２と外周側加
熱板３との間にスリット６が形成されている。

【００２１】図示のスリット６は、内周側加熱板２と外
周側加熱板３との間を上から下に向けて切り込んだ形態
の円形の溝状のもので、内周側加熱板２と外周側加熱板
３との下部は一部連なっている。この内周側加熱板２と
外周側加熱板３とが連なった部分における前記加熱板
２、３の同心円筒面における断面積は極めて小さく、伝
熱抵抗が大きい。このため、このスリット６の部分で内
周側加熱板２と外周側加熱板３とが互いに断熱された状
態となる。

【００２２】内周側加熱板２と外周側加熱板３の底面に
は、それぞれヒータ４、５が設けられ、これらヒータ
４、５は、それぞれ内周側加熱板２と外周側加熱板３と
を独立して加熱する。これら加熱板２、３とヒータ４、
５とからなる加熱部１の上面側を除く周囲、つまり、外
周側加熱板３の外周側と内周側加熱板２と外周側加熱板
３の下側とをリフレクタ１９が囲んでいる。

【００２３】内周側加熱板２と外周側加熱板３にわたっ
て、その上に高温下で化学的に安定した炭化珪素等の無
機材料からなるサセプタ７が置かれる。このサセプタ７
は、加熱する半導体ウエハ等の基板１５を搭載する内周
側サセプタ８とその外側の外周用サセプタ９とからな
り、これら内周側サセプタ８と外周用サセプタ９は同心
円状に配置され、且つ互いに分離されている。

【００２４】内周側サセプタ８は、加熱する半導体ウエ
ハ等の基板１５より大きなトレイ状のもので、その中心
部分は周囲より薄くなっており、上下両面に窪み１０、
１１が形成されている。この内周側サセプタ８の上面中
央部には、半導体ウエハ等の基板１５が搭載される。こ
のとき、前記内周側サセプタ８の上下両面の窪み１０、
１１の部分は、内周側加熱板２や基板１５から離れてい
る。図１に示す通り、上下両面の窪み１０、１１は、そ
れぞれ内周側サセプタ８と基板１５の中央部分とに対向
する部分に形成され、窪み１０、１１の無い周辺部は、
外周側サセプタ３と基板１５の周辺部とに対向してい
る。

【００２５】このような基板加熱装置により基板１５を
加熱するとき、内周側加熱板２と外周側加熱板３とを独
立して温度制御する。この場合において、内周側加熱板
２と外周側加熱板３とが断熱されているため、必要なだ
けの温度差をとることができる。従って、基板１５の内
周側と外周側との温度差が生じないように、外周側加熱
板３の温度を内周側加熱板２より十分高くすることがで
きる。

【００２６】また内周側サセプタ８は、その周辺部にお
いて基板１５や外周側加熱板３と接触するのに対し、基
板１５の中央部においては、その窪み１０、１１によ
り、内周側加熱板２や基板１５と離れる。従って、内周
側加熱板２の外周側では、各部材間の熱伝導により伝熱
されるのに対し、内周側サセプタ８の内周側では、真空
雰囲気または希薄ガス雰囲気において、輻射のみによっ
て伝熱される。その分、内周側サセプタ８の周辺部に比
べて中央部において伝熱されにくくなる。このため、基
板１５の中央部より周辺部に熱量を集めて伝熱すること
ができ、放熱しやすい基板１５の周辺部と放熱しにくい
基板１５の中央部との熱収支を均衡させ、基板１５の温
度分布を周辺部と中央部とで均一にすることができる。

【００２７】さらに、サセプタ７が基板１５を載せる内
周側サセプタ８と、その外周側の外周側サセプタ９とに
分離していることより、内周側サセプタ８の周辺部から
の放熱量が小さくなり、より均一な温度管理が可能とな
る。

【００２８】次に、図２に示した実施形態について説明
すると、この実施形態では、内周側加熱板２と外周側加
熱板３とを熱絶縁するためのスリット６が、内周側加熱
板２と外周側加熱板３との間に下から上に向けて切り込
むような形態で形成されており、内周側加熱板２と外周
側加熱板３とが上側で一部連なっている。この場合もま
た、内周側加熱板２と外周側加熱板３とが連なった部分
における前記加熱板２、３の同心円筒面における断面積
は極めて小さく、伝熱抵抗が大きい。このため、このス
リット６の部分で内周側加熱板２と外周側加熱板３とが
互いに断熱された状態となる。その他は、図１に示した
実施形態と同様である。

【００２９】次に、図３に示した実施形態について説明
すると、この実施形態では、内周側加熱板２と外周側加
熱板３とを熱絶縁するためのスリット６が、内周側加熱
板２と外周側加熱板３との間の上下全体にわたって形成
されており、内周側加熱板２と外周側加熱板３とがスリ
ット６で完全に分離されている。この場合は、内周側加
熱板２と外周側加熱板３とがスリット６によって分離さ
れているため、真空雰囲気または希薄ガス雰囲気におい
ては、内周側加熱板２と外周側加熱板３とは、ほぼ輻射
のみによって伝熱されるようになり、内周側加熱板２と
外周側加熱板３とが互いに断熱される。その他は、図１
に示した実施形態と同様である。

【００３０】次に、図４に示した実施形態について説明
すると、この実施形態では、内周側サセプタ８の上下面
中央部に窪み１０、１１を設ける代わりに、内周側サセ
プタ８の上下の面に、この内周側サセプタ８を形成する
炭化珪素等より輻射率の小さな白金や金等からなる膜を
形成し、低輻射面１２、１３を設けたものである。この
ため、内周側サセプタ８の周辺部に比べて中央部におい
て伝熱されにくくなる。これにより、基板１５の中央部
より周辺部に熱量を集めて伝熱することができ、放熱し
やすい基板１５の周辺部と放熱しにくい基板１５の中央
部との熱収支が均衡し、基板１５の温度分布が周辺部と
中央部とで均一になる。その他は、図１に示した実施形
態と同様である。

【００３１】次に、図５に示した実施形態について説明
すると、この実施形態では、前記図４により前述した実
施形態において、内周側サセプタ８の上下面中央部に低
輻射面１２、１３を設ける代わりに、内周側加熱板２の
上面に、その内周加熱板２を形成するステンレスやイン
コネル等より輻射率の小さな白金や金等からなる膜を形
成し、低輻射面１６を設けたものである。そして、内周
側加熱板２は、内周側サセプタ８を介して基板１５の中
央部に対向している。この低輻射面１６により、内周加
熱板２からは外周側加熱板３に比べて基板１５側に伝熱
されにくくなる。その他は、図４に示した実施形態と同
様である。

【００３２】次に、図６に示した実施形態について説明
すると、この実施形態では、図５により前述した実施形
態において、内周側加熱板２の上面に低輻射面１６を設
ける代わりに、内周側加熱板２の上面を外周側加熱板３
より低くし、内周側加熱板２の上面から内周側サセプタ
８までの距離を、外周側加熱板３より離したものであ
る。この距離の違いにより、内周加熱板２からは外周側
加熱板３に比べて基板１５側に伝熱されにくくなる。な
おこの場合、内側サセプタ８の下面の窪みは不要であ
り、上面の窪み１０は必要に応じて設けることができ
る。その他は、図５に示した実施形態と同様である。

【００３３】なお、図４〜図６に示した実施形態におい
て、スリット６の形態は図１に示したものと同様のもの
であるが、図２或いは図３に示したスリット６の形態を
採用することもできる。さらに、図１〜図３に示すよう
な内周側サセプタ８の窪み１０、１１、図４に示すよう
な内周側サセプタ８の低輻射面１２、１３、図５に示す
ような内周側加熱板２の低輻射面１６及び図６に示すよ
うな内周側加熱板２の上面を低くすること等を互いに併
用することもできる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明では、加熱部
１をサセプタ７を介して基板１５の内周側を加熱する内
周側加熱板２と、基板１５の外周側を加熱する外周側加
熱板３とに分離し、それらの間に断熱用のスリット６を
設け、且つそれぞれ別のヒータ４、５により加熱してい
るので、外周側加熱板３の温度を内周側加熱板２より十
分高くすることができ、その結果として基板１５の内周
側と外周側との温度差を小さくすることができる。

【００３５】さらに、基板１５の基板の内周側におい
て、基板１５の外周側より加熱部１からサセプタ７を介
して基板１５に伝熱しにくいようにしたことにより、放
熱しやすい基板１５の外周側と放熱しにくい基板１５の
内周側とで受熱量と放熱量のバランスを取ることがで
き、基板１５の温度分布が均一になる。また、サセプタ
７を、内周側サセプタ８と、その外周側の外周側サセプ
タ９とに分離し、内周側サセプタ８に基板１５を載せこ
とにより、内周側サセプタ８の周辺部からの放熱量が小
さくなり、より均一な温度管理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による基板加熱装置を示す
概略縦断側面図である。

【図２】本発明の他の実施形態による基板加熱装置を示
す概略縦断側面図である。

【図３】本発明の他の実施形態による基板加熱装置を示
す概略縦断側面図である。

【図４】本発明の他の実施形態による基板加熱装置を示
す概略縦断側面図である。

【図５】本発明の他の実施形態による基板加熱装置を示
す概略縦断側面図である。

【図６】本発明の他の実施形態による基板加熱装置を示
す概略縦断側面図である。

【図７】従来の基板加熱装置を示す概略縦断側面図であ
る。

【符号の説明】

１ 加熱部 ２ 内周側加熱板 ３ 外周側加熱板 ４ ヒータ ５ ヒータ ６ スリット ７ サセプタ ８ 内周側サセプタ ９ 外周側サセプタ １０ 窪み １１ 窪み １２ 低輻射面 １３ 低輻射面 １５ 基板 １６ 低輻射面 １９ リフレクタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/10 Ｈ０５Ｂ 3/10 Ａ ５Ｆ０４５ 3/68 3/68 (72)発明者 中田 勉 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 三浦 邦明 茨城県日立市滑川本町３丁目19番５号 助 川電気工業株式会社内 (72)発明者 浅葉 信 茨城県日立市滑川本町３丁目19番５号 助 川電気工業株式会社内 (72)発明者 阿部 勇治 茨城県日立市滑川本町３丁目19番５号 助 川電気工業株式会社内 (72)発明者 山村 千明 茨城県日立市滑川本町３丁目19番５号 助 川電気工業株式会社内 Ｆターム(参考） 3K092 PP20 QA05 RF03 SS13 SS14 VV22 4K029 DA08 JA01 4K030 FA10 GA02 KA23 LA15 4K055 AA05 HA01 HA18 HA25 5F031 CA02 CA05 HA18 HA37 MA28 MA29 5F045 EK08 EK22 EK24

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ヒータ（４）、（５）により加熱される
   加熱部（１）と、この加熱部（１）により加熱され、そ
   の上に載置された基板（１５）に伝熱するサセプタ
   （７）とを有する基板加熱装置において、加熱部（１）
   のサセプタ（７）を介して基板（１５）の内周側を加熱
   する部分と基板（１５）の外周側を加熱する部分とを互
   いに独立して加熱し、且つそれらの基板（１５）の内周
   側を加熱する部分と基板（１５）の外周側を加熱する部
   分とを互いに断熱したことを特徴とする基板加熱装置。
2. 【請求項２】 加熱部（１）は、加熱板（２）、（３）
   を有し、加熱板（２）、（３）は、サセプタ（７）を介
   して基板（１５）の内周側を加熱する内周側加熱板
   （２）と、基板（１５）の外周側を加熱する外周側加熱
   板（３）とに分離され、それらの間に断熱用のスリット
   （６）が設けられていると共に、それぞれ別のヒータ
   （４）、（５）により独立して加熱されることを特徴と
   する請求項１に記載の基板加熱装置。
3. 【請求項３】 スリット（６）が加熱板（２）、（３）
   の上面から下面に向けて切り込むように設けられ、加熱
   板（２）、（３）の一部がその下面側で部分的に連なっ
   ていることを特徴とする請求項２に記載の基板加熱装
   置。
4. 【請求項４】 スリット（６）が加熱板（２）、（３）
   の下面から上面に向けて切り込むように設けられ、加熱
   板（２）、（３）の一部がその上面側で部分的に連なっ
   ていることを特徴とする請求項２に記載の基板加熱装
   置。
5. 【請求項５】 スリット（６）が加熱板（２）、（３）
   の上面から下面にわたって設けられ、加熱板（２）、
   （３）のが互いに分離されていることを特徴とする請求
   項２に記載の基板加熱装置。
6. 【請求項６】 ヒータ（４）、（５）により加熱される
   加熱部（１）と、この加熱部（１）により加熱され、そ
   の上に載置された基板（１５）に伝熱するサセプタ
   （７）とを有する基板加熱装置において、サセプタ
   （７）の基板（１５）の内周側を加熱する部分の加熱部
   （１）側に面した面と基板（１５）側に面した面との少
   なくとも何れかが、その外周側に比べて加熱部（１）或
   いは基板（１５）とに伝熱しにくくなっていることを特
   徴とする基板加熱装置。
7. 【請求項７】 サセプタ（７）の基板（１５）の内周側
   を加熱する部分の加熱部（１）側に面した面と基板（１
   ５）側に面した面との少なくとも何れかが、その外周側
   に比べて加熱部（１）或いは基板（１５）との距離が遠
   くなっていることを特徴とする請求項６に記載の基板加
   熱装置。
8. 【請求項８】 サセプタ（７）の基板（１５）の内周側
   を加熱する部分の加熱部（１）側に面した面と基板（１
   ５）側に面した面との少なくとも何れかに窪み（１
   ０）、（１１）を設けることにより、その外周側に比べ
   て加熱部（１）或いは基板（１５）との距離が遠くなっ
   ていることを特徴とする請求項７に記載の基板加熱装
   置。
9. 【請求項９】 サセプタ（７）の基板（１５）の内周側
   を加熱する部分に面した内周側加熱板（２）が、その外
   周側加熱板（３）に比べて低くなっていることにより、
   サセプタ（７）との距離が遠くなっていることを特徴と
   する請求項７に記載の基板加熱装置。
10. 【請求項１０】 サセプタ（７）の基板（１５）の内周
    側を加熱する部分の加熱部（１）側に面した面と基板
    （１５）側に面した面との少なくとも何れかに、サセプ
    タ（７）の他の部分に比べて輻射率の低い低輻射面（１
    ２）、（１３）を設けたことを特徴とする請求項６に記
    載の基板加熱装置。
11. 【請求項１１】 サセプタ（７）の基板（１５）の内周
    側を加熱する部分に面した加熱部（１）の加熱板（２）
    に、外周側の加熱板（３）に比べて輻射率の低い低輻射
    面（１６）が設けたことを特徴とする請求項６に記載の
    基板加熱装置。
12. 【請求項１２】 サセプタ（７）を、基板（１５）が載
    る内周側サセプタ（８）と、その外周側の外周側サセプ
    タ（９）とに分離したことを特徴とする請求項１〜１１
    の何れかに記載の基板加熱装置。