JPS63216283A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPS63216283A JPS63216283A JP4831387A JP4831387A JPS63216283A JP S63216283 A JPS63216283 A JP S63216283A JP 4831387 A JP4831387 A JP 4831387A JP 4831387 A JP4831387 A JP 4831387A JP S63216283 A JPS63216283 A JP S63216283A
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- heat
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ＣＶＤ装置等に配置され、半導体ウェハ等の
被処理基板を加熱する加熱装置に関する。
被処理基板を加熱する加熱装置に関する。
（従来の技術）
一般に、ＣＶＤ装置等の処理室内に配置され、半導体ウ
ェハの加熱に利用される加熱装置には、従来、例えば第
３図および第４図に示すように構成された加熱装置が用
いられている。
ェハの加熱に利用される加熱装置には、従来、例えば第
３図および第４図に示すように構成された加熱装置が用
いられている。
この加熱装置では、通電によって発熱する帯状の発熱抵
抗体１が、絶縁材２を介在させて巻き込まれた形状とさ
れており、この発熱抵抗体１および絶縁材２は、セラミ
ック等からなる有底円部状の容器３内に収容されている
。また、この発熱抵抗体１の中央部の絶縁材２の中に温
度検出手段として熱電対（図示せず）等が埋め込まれて
いる。
抗体１が、絶縁材２を介在させて巻き込まれた形状とさ
れており、この発熱抵抗体１および絶縁材２は、セラミ
ック等からなる有底円部状の容器３内に収容されている
。また、この発熱抵抗体１の中央部の絶縁材２の中に温
度検出手段として熱電対（図示せず）等が埋め込まれて
いる。
そして加熱処理時には、発熱抵抗体１上に石英板４が配
置され、石英板４上に表面にＳｉＣ処理を施されたカー
ボン板等の熱伝導が良好な熱伝導板５が配置され、この
熱伝導板５上に、半導体ウェハ６等の被処理基板が配置
される。
置され、石英板４上に表面にＳｉＣ処理を施されたカー
ボン板等の熱伝導が良好な熱伝導板５が配置され、この
熱伝導板５上に、半導体ウェハ６等の被処理基板が配置
される。
上記構成の従来の加熱装置では、発熱抵抗体１に、電力
を供給して発熱させ、石英板４、熱伝導板５を介して半
導体ウェハ６等の被処理基板を加熱する。
を供給して発熱させ、石英板４、熱伝導板５を介して半
導体ウェハ６等の被処理基板を加熱する。
このとき、熱電対により温度を検出しながら、発熱抵抗
体１に供給する電力を制御して、半導体ウェハ６等の被
処理基板の加熱温度を所望の温度とする。
体１に供給する電力を制御して、半導体ウェハ６等の被
処理基板の加熱温度を所望の温度とする。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来の加熱装置では、中央部
と周辺部との発熱量および放熱量の違い等により、例え
ば被処理基板の中央部で温度が高くなり、周辺部で温度
が低くなる等の温度勾配が生じる。このため、被処理基
板を均一に加熱することが困難であり、例えばＣＶＤ等
の処理では、形成される膜厚が不均一になる等、均一な
処理を行うことができないという問題がある。
と周辺部との発熱量および放熱量の違い等により、例え
ば被処理基板の中央部で温度が高くなり、周辺部で温度
が低くなる等の温度勾配が生じる。このため、被処理基
板を均一に加熱することが困難であり、例えばＣＶＤ等
の処理では、形成される膜厚が不均一になる等、均一な
処理を行うことができないという問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、被処理基板を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことのできる加熱装置を提供しようとするもので
ある。
、被処理基板を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことのできる加熱装置を提供しようとするもので
ある。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明の加熱装置は、被処理基板と当接される
平面状の接触部と、この接触部を介して前記被処理基板
を加熱する発熱体とを備えた加熱装置において、前記発
熱体を、複数の分割された発熱抵抗体から構成したこと
を特徴とする。
平面状の接触部と、この接触部を介して前記被処理基板
を加熱する発熱体とを備えた加熱装置において、前記発
熱体を、複数の分割された発熱抵抗体から構成したこと
を特徴とする。
（作 用）
本発明の加熱装置では、接触部を介して被処理基板を加
熱する発熱体が、例えば、ほぼ円形の接触部に対して、
中央部、周辺部およびこれらの中間部を加熱する３つの
発熱抵抗体等の複数の分割された発熱抵抗体から構成さ
れている。
熱する発熱体が、例えば、ほぼ円形の接触部に対して、
中央部、周辺部およびこれらの中間部を加熱する３つの
発熱抵抗体等の複数の分割された発熱抵抗体から構成さ
れている。
したがって、例えば中央部の発熱抵抗体の発熱量を、周
辺部の発熱抵抗体の発熱量に較べて低下させる等の制御
を行うことができ、被処理基板を均一に加熱し、均一な
処理を行うことができる。
辺部の発熱抵抗体の発熱量に較べて低下させる等の制御
を行うことができ、被処理基板を均一に加熱し、均一な
処理を行うことができる。
（実施例）
以下本発明の加熱装置を第１図および第２図を参照して
一実施例について説明する。
一実施例について説明する。
この実施例の加熱装置では、セラミック等の断熱材から
なる有底円筒状の容器１１内に、絶縁材１２が充満され
ており、上記容器１１の蓋部には、板状の発熱体１３が
配置されている。
なる有底円筒状の容器１１内に、絶縁材１２が充満され
ており、上記容器１１の蓋部には、板状の発熱体１３が
配置されている。
発熱体１３は材質例えばアルミ合金等からなり、中央部
と周辺部とからなり、周辺部はさらに２分割され、中間
部と周縁部からなる。中央部には例えば、ほぼ円形の領
域を第２図に示す如く蛇行するように形成された帯状の
発熱抵抗体１３ａが配置されている。この発熱抵抗体１
３ａの外側を囲むように上記中間部が配置され、上記中
央部と同心的に例えばほぼ円環状の発熱抵抗体１３ｂが
設けられている。さらに中間部の発熱抵抗体１３ｂの外
側を囲むように上記周縁部が配置され、上記中央部と同
心的に例えばほぼ円環状の発熱抵抗体１３ｃが設けられ
て、発熱体１３が構成されている。また、上記絶縁材１
２中には、上記各発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃに
対応して、それぞれ熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃが配
置されている。
と周辺部とからなり、周辺部はさらに２分割され、中間
部と周縁部からなる。中央部には例えば、ほぼ円形の領
域を第２図に示す如く蛇行するように形成された帯状の
発熱抵抗体１３ａが配置されている。この発熱抵抗体１
３ａの外側を囲むように上記中間部が配置され、上記中
央部と同心的に例えばほぼ円環状の発熱抵抗体１３ｂが
設けられている。さらに中間部の発熱抵抗体１３ｂの外
側を囲むように上記周縁部が配置され、上記中央部と同
心的に例えばほぼ円環状の発熱抵抗体１３ｃが設けられ
て、発熱体１３が構成されている。また、上記絶縁材１
２中には、上記各発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃに
対応して、それぞれ熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃが配
置されている。
上記発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃは、例えばＳＣ
Ｒ等により温度制御される制御装置１５に接続されてお
り、それぞれ独立に印加電圧又は電流を制御する構成に
なっている。また、上記熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃ
は、夫々の抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃによって生ず
る温度によって生ずる起電力を検出することにより上記
温度を検知する温度検知装置１６に接続されている。
Ｒ等により温度制御される制御装置１５に接続されてお
り、それぞれ独立に印加電圧又は電流を制御する構成に
なっている。また、上記熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃ
は、夫々の抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃによって生ず
る温度によって生ずる起電力を検出することにより上記
温度を検知する温度検知装置１６に接続されている。
また、上記発熱抵抗体１３上には、上記容器１１と蓋結
合する如く円板状石英板１７が嵌合配置され、石英板１
７上に表面にＳｉＣ処理を施されたカーボン板等の熱伝
導が良好な円板状熱伝導板１８が配置されている。
合する如く円板状石英板１７が嵌合配置され、石英板１
７上に表面にＳｉＣ処理を施されたカーボン板等の熱伝
導が良好な円板状熱伝導板１８が配置されている。
そして加熱処理時、この熱伝導板１８上に、半導体ウェ
ハ１９等の被処理基板を載置する。
ハ１９等の被処理基板を載置する。
上記構成のこの実施例の加熱装置は、例えば、ＣＶＤ装
置等の処理室内に基板載置台として配置され、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ等の際の半導体ウェハ１９の加熱に利用する。この
とき、上記各発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃに印加
する電力は、それぞれ制御装Ｗ１５によって独立に制御
し、各領域の発熱量を独立に制御する。この制御は、各
領域の温度を、熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃおよび温
度検知装置１６による検知に基づいて行う。
置等の処理室内に基板載置台として配置され、ＭＯ−Ｃ
ＶＤ等の際の半導体ウェハ１９の加熱に利用する。この
とき、上記各発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃに印加
する電力は、それぞれ制御装Ｗ１５によって独立に制御
し、各領域の発熱量を独立に制御する。この制御は、各
領域の温度を、熱電対１４ａ、１４ｂ、１４ｃおよび温
度検知装置１６による検知に基づいて行う。
したがって、例えば中央部の温度が高くなった場合は、
熱電対１４ａにより温度検知し、発熱抵抗体１３ａ、１
３ｂ、１３ｃの発熱量を、発熱抵抗体１３ｃ、１３ｂ、
１３ａの順に高くするように制御することにより、半導
体ウェハ１９を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことができる。
熱電対１４ａにより温度検知し、発熱抵抗体１３ａ、１
３ｂ、１３ｃの発熱量を、発熱抵抗体１３ｃ、１３ｂ、
１３ａの順に高くするように制御することにより、半導
体ウェハ１９を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことができる。
このような、発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３Ｃに供給
する電力、例えば印加電圧は、あらかじめ熱伝導板１８
上の温度を測定しながら、所望の温度となる印加電圧条
件を実測により求めておく。
する電力、例えば印加電圧は、あらかじめ熱伝導板１８
上の温度を測定しながら、所望の温度となる印加電圧条
件を実測により求めておく。
したがって同一の条件により繰り返し加熱処理を行う場
合は、一旦印加電圧の条件を設定すれば、電圧の制御を
行う必要はない。
合は、一旦印加電圧の条件を設定すれば、電圧の制御を
行う必要はない。
なお、上記実施例では、発熱体１３を中央部から周辺方
向へ３分割された発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃか
ら構成したが、本発明はかかる実施例に限定されるもの
ではなく、被処理基板の形状および一度に処理する枚数
等により、分割数およびその形状はどのようにしてもよ
い。また、発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃの印加電
力の制御は、例えば一部の発熱抵抗体に供給する電力の
電力値を固定されたものとし、他の発熱抵抗体に供給す
る電力の電力値を変化させることにより、相対的に制御
してもよい。
向へ３分割された発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃか
ら構成したが、本発明はかかる実施例に限定されるもの
ではなく、被処理基板の形状および一度に処理する枚数
等により、分割数およびその形状はどのようにしてもよ
い。また、発熱抵抗体１３ａ、１３ｂ、１３ｃの印加電
力の制御は、例えば一部の発熱抵抗体に供給する電力の
電力値を固定されたものとし、他の発熱抵抗体に供給す
る電力の電力値を変化させることにより、相対的に制御
してもよい。
［発明の効果］
上述のように、本発明の加熱装置では、半導体ウェハ等
の被処理基板を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことができる。
の被処理基板を均一に加熱することができ、均一な処理
を行うことができる。
第１図は本発明の一実施例の加熱装置を示す断面図、第
２図は第１図の要部を示す斜視図、第３図は従来の加熱
装置の要部を示す斜視図、第４図は第３図に示す加熱装
置の側面図である。 １３ａ、１３ｂ、１３ ｃ−・−・発熱抵抗体、１５・
・・・・・制御装置、１７・・・・・・石英板、１８・
・・・・・熱伝導板、１９・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第４図
２図は第１図の要部を示す斜視図、第３図は従来の加熱
装置の要部を示す斜視図、第４図は第３図に示す加熱装
置の側面図である。 １３ａ、１３ｂ、１３ ｃ−・−・発熱抵抗体、１５・
・・・・・制御装置、１７・・・・・・石英板、１８・
・・・・・熱伝導板、１９・・・・・・半導体ウェハ。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第４図
Claims (2)
- （１）被処理基板と当接される平面状の接触部と、この
接触部を介して前記被処理基板を加熱する発熱体とを備
えた加熱装置において、前記発熱体を、複数の分割され
た発熱抵抗体から構成したことを特徴とする加熱装置。 - （２）複数の分割された発熱抵抗体は、ほぼ円形の接触
部に対して、中央部、周辺部およびこれらの中間部を加
熱する３つの発熱抵抗体である特許請求の範囲第１項記
載の加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4831387A JPS63216283A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4831387A JPS63216283A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216283A true JPS63216283A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12799924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4831387A Pending JPS63216283A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216283A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110917A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-04-24 | Teru Kyushu Kk | 熱処理装置 |
| JPH02117694U (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-20 | ||
| JPH04116397U (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-16 | 信越化学工業株式会社 | 複層セラミツクスヒ−タ− |
| US5591269A (en) * | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| EP0848575A1 (en) * | 1996-12-04 | 1998-06-17 | Micro C Technologies, Inc. | Heating device, assembly and method |
| JPH11354526A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Sukegawa Electric Co Ltd | 板体加熱装置 |
| US6207006B1 (en) | 1997-09-18 | 2001-03-27 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| JP2002110317A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-12 | Kyocera Corp | 円盤状ヒータおよび加熱装置並びにウエハ処理装置 |
| US6626236B1 (en) | 1999-03-24 | 2003-09-30 | Komatsu Ltd. | Substrate temperature control plate and substrate temperature control apparatus comprising same |
| JP2009109771A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用トナーのキャリアとその製造方法、電子写真用現像剤、及び画像形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544544B2 (ja) * | 1978-07-26 | 1980-11-12 | ||
| JPS5754320B2 (ja) * | 1978-11-20 | 1982-11-17 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP4831387A patent/JPS63216283A/ja active Pending
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