JP2002050461A

JP2002050461A - 基板加熱装置

Info

Publication number: JP2002050461A
Application number: JP2000233643A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Watanabe; 剛志渡辺; Kazunori Shibukawa; 和典渋川; Makoto Nakao; 誠中尾; Katsuro Inoue; 克郎井上; Yoshihiko Murakami; 嘉彦村上
Original assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Osaka Cement Co Ltd
Priority date: 2000-08-01
Filing date: 2000-08-01
Publication date: 2002-02-15
Anticipated expiration: 2020-08-01
Also published as: JP4467730B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の面内温度の均一性を確保しつつ、膜形
成工程に使用されて各種の薄膜を成膜する場合には成膜
性が良好であって良質の膜を成膜することが可能であ
り、所望の熱処理温度までの昇温を迅速に行うことがで
き、しかも、基板加熱装置の占有スペースの増大の原因
とならない基板加熱装置及びこの基板加熱装置に好適に
使用できる面状ヒータを提供する。【解決手段】第１の面状ヒーター１１Ａにおける発熱
体１２Ａは、内周部ほど幅Ｗ_Aが小さく外周部ほど幅Ｗ_A
が大きい。第２の面状ヒーター１１Ｂにおける発熱体１
２Ｂは、内周部ほど幅Ｗ_Bが大きく外周部ほど幅Ｗ_Bが小
さい。第１の面状ヒータ１１Ａと第２の面状ヒータ１１
Ｂとは、互いに平行、かつ異なる平面にそれぞれ位置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、板状の基板、例え
ば、半導体ウエハ、プリント基板、ガラス基板等を加熱
する基板加熱装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体ウエハの製造において
は、ＣＶＤ膜形成工程、エピタキシャル膜形成工程、酸
化膜形成工程、拡散膜形成工程等、熱処理を必要とする
工程が数多く存在している。半導体ウエハ等板状の基板
を加熱する基板加熱装置としては、従来図４及び図５に
示す基板加熱装置が用いられていた。

【０００３】図４及び図５は、面状ヒータを用いた基板
加熱装置の第１の従来例を示すものである。第１の従来
例に係る基板加熱装置２０は、面状ヒータ２１、給電用
電極２３、２３、及びヒータケース４とを備えている。
面状ヒータ２１は、半円形の円弧を折り返すようにして
配置された帯状の発熱体２２を備えている。発熱体２２
の幅Ｗは、内周部中央に近づくほど大きく、外周部の外
側に近づくほど小さくなっている。そして、発熱体２２
には給電用電極２３、２３が接続されている。また、面
状ヒータ２１は、断熱性のヒーターケース４内に収容さ
れている。このヒータケース４は、例えば不透明石英等
で形成され、熱反射板としての作用を発揮すると共に、
その上部は、基板５を保持するための試料台６となって
いる。この基板加熱装置２０はチャンバ７に収容されて
いる。そして、チャンバ７の上部にはプロセスガス導入
口８が、チャンバ７の下部にはプロセスガス排気口９が
設けられている。発熱体２２に通電するための給電用電
極２３、２３は、気密シール部２４を介して、チャンバ
９の外部に導出されている。

【０００４】上記第１の従来例は、加熱の均一性の観点
で改善すべきものであった。すなわち、半導体ウエハの
製造工程等においては、半導体ウエハの高集積化、大口
径化がすすむにつれ、ウエハの面内温度の均一性をいか
に確保するかが重要な課題となっている。また、この温
度均一性は、真空度、プロセスガスなどの変化等の、い
わゆる熱処理条件が変化しても維持されていることが必
要である。

【０００５】係る観点から、上記第１の従来例を改良し
た基板加熱装置として、図６及び図７に示す第２の従来
例に係る基板加熱装置が用いられていた。両図におい
て、図４及び図５に示す構成部材と同一の構成部材に
は、同一の符号を附してその説明を省略する。第２の従
来例に係る基板加熱装置３０は、面状ヒータ３１ａ、３
１ｂ、給電用電極３３ａ、３３ａ、３３ｂ、３３ｂ及び
ヒータケース４とを備えている。この面状ヒータ３１
ａ、３１ｂは各々同一平面内の内周部と外周部とに配置
されており、共に、ヒーターケース４内に収容されてい
る。そして、各々半円形の円弧を折り返すようにして配
置された帯状の発熱体３２ａ、３２ｂを備えている。こ
の発熱体３２ａ、３２ｂの幅Ｗは、発熱体３２ａの方が
発熱体３２ｂより大きく、また、各々の幅Ｗは、内周部
中心に近づくほど大きく、外周部の外側に近づくほど小
さくなっている。

【０００６】発熱体３２ａに通電するための給電用電極
３３ａ、３３ａは、気密シール部３４ａを介して、チャ
ンバ９の外部に導出されている。一方、発熱体３２ｂに
通電するための給電用電極３３ｂ、３３ｂは、気密シー
ル部３４ｂを介して、チャンバ９の外部に導出されてい
る。図に示すように、給電用電極３３ａ、３３ａ及び気
密シール部３４ａは、チャンバ９の底部の略中央に配置
されている。一方、給電用電極３３ｂ、３３ｂ及び気密
シール部３４ｂは、チャンバ９の底部の外周部に配置さ
れている。

【０００７】第２の従来例に係る基板加熱装置３０で
は、基板加熱装置を構成する面状ヒータが同一平面内に
おいて二つの面状ヒータに分割され、面状ヒーター３１
ａによって主として基板の内周部を加熱し、面状ヒータ
ー３１ｂによって主として基板の外周部を加熱するよう
になっている。そして、給電用電極３３ａ、３３ａと３
３ｂ、３３ｂへの供給電力の増減を行い、基板加熱装置
３０の発熱分布の制御ができるようになっているもので
ある。

【０００８】このように、基板加熱装置を構成する面状
ヒータを同一平面内においていくつかのゾーンに分割
し、内周部を主に加熱する面状発熱体への給電用電極は
中心部付近に、外周部を主に加熱する面状発熱体への給
電用電極は外周部に配設して、各面状発熱体への供給電
力の増減を行い、各ゾーン毎に加熱温度の調整を行うこ
とが従来から行われていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記第
２の従来例の基板加熱装置では、いわゆる熱処理環境が
変化しても基板の面内温度の均一性は充分確保されるも
のの、膜形成工程に使用されて各種の薄膜を成膜する場
合には、成膜性が悪く、良質の膜を成膜することが困難
であった。また、所望の熱処理温度まで急速に昇温する
のが困難であり、さらに、それぞれの給電用電極は分散
して配設されているので、基板加熱装置の占有スペース
が増大するという不都合があった。

【００１０】本発明は、上記従来の技術が有する問題点
に鑑みてなされたものであり、いわゆる熱処理環境が変
化しても基板の面内温度の均一性は充分確保されるのは
もちろんのこと、膜形成工程に使用されて各種の薄膜を
成膜する場合には成膜性が良好であって良質の膜を成膜
することが可能であり、所望の熱処理温度までの昇温を
迅速に行うことができ、しかも、基板加熱装置の占有ス
ペースの増大の原因とならない基板加熱装置及びこの基
板加熱装置に好適に使用できる面状ヒータを提供するこ
とを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
解決のため鋭意検討した結果、基板加熱装置を構成する
複数の面状ヒータを上下に多段に設置し、各面状ヒータ
毎に供給電力を調整し、しかも、基板加熱装置が設置さ
れたチャンバー内におけるプロセスガスの流れに乱れが
ないようにすれば上記課題を効率的に解決し得ることを
知見し、本発明を完成するに至った。

【００１２】すなわち、請求項１に係る発明として、通
電により発熱する発熱体を備えた第１及び第２の面状ヒ
ータによって、基板を加熱する基板加熱装置であって、
前記第１の面状ヒータは、内周部の発熱量が外周部の発
熱量より大きく、前記第２の面状ヒータは、外周部の発
熱量が内周部の発熱量より大きく、かつ、前記第１の面
状ヒータと前記第２の面状ヒータとは、互いに平行、か
つ異なる平面にそれぞれ位置するよう配設されたことを
特徴とする基板加熱装置を提供する。

【００１３】本発明の基板加熱装置によれば、２つの面
状ヒータを上下に設置し、各面状ヒータ毎に供給電力を
調整することにより、全体として基板の内周面と外周面
との何れかを重点的に加熱することができる。そのた
め、面全体の温度の均一性を図ることができる。また、
２つの面状ヒータを同時用いて加熱できるので、昇温速
度を上げることができる。

【００１４】本発明の基板加熱装置において、面状ヒー
タは通電により発熱する帯状の発熱体を備えた面状ヒー
タであって、前記発熱体の幅が、面状ヒータの内周部に
配置される部分と外周部に配置される部分とで異なる面
状ヒータとすることが好ましい。すなわち、請求項２に
係る発明として、前記第１及び第２の面状ヒータの発熱
体は帯状であり、第１の面状ヒータの発熱体は、その幅
が内周部の中心部に近づくほど小さく、外周部の外側に
近づくほど大きく形成され、前記第２の面状ヒータの発
熱体は、その幅が内周部の中心部に近づくほど大きく、
外周部の外側に近づくほど小さく形成されたことを特徴
とする請求項１に記載の基板加熱装置を提供する。一般
に発熱体の発熱量は発熱体の断面積に反比例するので、
帯状の発熱体の場合、その発熱量は発熱体の幅に反比例
することになる。そこで、内周部と外周部とで、幅を異
なるものとすれば、それらの位置における発熱量を変え
ることが可能となるものである。なお、内周部と外周部
との発熱量に偏りを持たせた面状ヒータとしては、その
他、内周面と外周面とにおける発熱体の配線密度を変え
たもの等種々の構成の面状ヒータを適宜採用することが
できる。

【００１５】本発明の基板加熱装置においては、各面状
ヒータの発熱体に通電するための給電用電極は、基板の
ほぼ中心部付近に配設することが望ましい。具体的には
請求項３に記載の如く、基板の中心から該基板の直径の
５０％以内の円形領域内に位置することが好ましい。本
発明によれば、チャンバ内の基板加熱装置の凹凸が減少
し、かつ凹凸を加熱面裏面の中央に集中配置できるの
で、加熱装置が設置されたチャンバ内のプロセスガスの
流れに乱れが生ずることがなく、もって、成膜性が良好
となり、例えば膜厚の均一性等が向上し、良質の膜を成
膜することが可能となる。また、チャンバからの給電用
電極の取り出し部となる気密シール部を1ケ所に集中す
ることができるので、容器の形状を簡素化することがで
き、基板加熱装置の占有スペースを小さくすることがで
きる。

【００１６】また、請求項４に記載の如く、各面状ヒー
タの面積は、何れも加熱される基板の面積と同等以上、
すなわち、基板と同等サイズまたは基板サイズよりも大
きいことが好ましい。本発明によれば、それぞれの面状
発熱体が、それぞれ基板全体に対し発熱するため、基板
の単位面積当たり、より多くの電力を投入可能となる。
そのため、昇温特性が向上して急速昇温が可能となり、
しかも、高い温度まで基板を加熱することが可能とな
る。

【００１７】さらに、前記各面状ヒーターの発熱体は、
請求項５に記載の如く常温での熱伝導率が１２０Ｗ／m
・Ｋ以上で、かつ輻射率が０．７５以上の導電性材料で
形成されてなることが好ましい。このように各面状ヒー
タの発熱体を優れた熱伝導率及び輻射率を持つ導電性材
料で構成することにより、基板に対し遠い位置に配置し
た面状ヒータの発熱体から輻射された熱を、基板とその
面状ヒータとの間にある他の面状ヒータに遮られること
なく、効率良く基板に伝えることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図１から図３を参照しつ
つ、本発明の実施形態を説明する。これらの図におい
て、図４及び図５に示す構成部材と同一の構成部材に
は、同一の符号を附してその説明を省略する。なお、こ
の実施形態は本発明の要旨を説明するためのものであ
り、特に限定のない限り本発明を限定するものではな
い。

【００１９】本実施形態に係る基板加熱装置１０は、面
状ヒータ１１Ａ、１１Ｂ、絶縁板１５、給電用電極１３
Ａ、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｂ及びヒータケース４とを備
えている。この面状ヒータ１１Ａ、１１Ｂは、互いに平
行でかつ各々異なる平面に配置されており、共に、ヒー
ターケース４内に収容されている。そして、上下に配置
された各々の面状ヒータの間には絶縁板１５が介装され
ている。絶縁板１５は、例えば石英等で形成されてい
る。

【００２０】面状ヒータ１１Ａ、１１Ｂは、共に基板５
とほぼ同径でほぼ同面積に形成されている。そして、各
々その面積全面にわたって、半円形の円弧を折り返すよ
うにして配置された帯状の発熱体１２Ａ、１２Ｂを備え
ている。上側に配置された面状ヒータ１１Ａ（第１の面
状ヒータ）の発熱体１２Ａは、その幅Ｗ_Aが内周部の中
心に近づくほど小さく、外周部に行くほど大きくなって
いる。すなわち、内周部が外周部に比べてより多く発熱
するように形成されている。一方下側に配置された面状
ヒータ１１Ｂ（第２の面状ヒータ）の発熱体１２Ｂは、
その幅Ｗ_Bが内周部の中心に近づくほど大きく、外周部
に行くほど小さくなっている。すなわち、外周部が内周
部に比べてより多く発熱するように形成されている。

【００２１】発熱体１２Ａ、１２Ｂは、常温下での熱伝
導率が１２０W／m・Ｋ以上でかつ、輻射率が０．７５以
上の導電性材料で形成されている。このような優れた熱
伝導率及び輻射率を有する導電性材料としては、例えば
特許第２７２６６９４号公報に記載された炭化珪素材料
を例示することができる。なお、絶縁板１５も高い熱伝
導率を有する材質を選択することが望ましい。

【００２２】発熱体１２Ａ、１２Ｂに通電するための給
電用電極１３Ａ、１３Ｂは、いずれもチャンバ７の底面
中央に設けられた単一の気密シール部１４を介して、チ
ャンバ９の外部に導出されている。そして、給電用電極
１３Ａ、１３Ａと１３Ｂ、１３Ｂへの供給電力の増減を
行い、基板加熱装置１０の発熱分布の制御ができるよう
になっている。

【００２３】本実施形態の基板加熱装置１０によれば、
例えば、基板加熱装置１０が設置されたチャンバー７
が、基板５の外周部の熱逃げが大きい雰囲気、例えば真
空雰囲気のときは、第２の面状ヒータ１１Ｂの発熱体１
２Ｂに、第１の面状ヒータ１１Ａの発熱体１２Ａに比べ
てより多くの電力を供給するように通電制御して、全体
の加熱温度の均一化を図ることができる。また、基板５
の中心部の熱逃げが大きい雰囲気、例えばＮ₂大気圧雰
囲気のときは、第１の面状ヒータ１１Ａの発熱体１２Ａ
に、第２の面状ヒータ１１Ｂの発熱体１２Ｂに比べてよ
り多くの電力を供給するように通電制御して、全体の加
熱温度の均一化を図ることができる。このように、基板
加熱装置１０が設置されたチャンバ７内の熱処理条件が
変化しても、基板温度を所望の温度に均一性良く維持す
ることができる。

【００２４】また、給電用電極１３Ａ、１３Ａ、１３
Ｂ、１３Ｂの発熱体１２Ａ、１２Ｂへの接続部は面状ヒ
ータ１１Ａ、１１Ｂの中心部付近に位置するよう構成さ
れており、気密シール部１４から導出される位置までの
全体が基板５の中心近傍の領域に位置している。すなわ
ち、これらの給電用電極は、少なくとも基板５の中心か
ら基板５の直径の５０％以内、好ましくは３０％以内の
円形領域内に位置している。その結果、チャンバ７内の
基板加熱装置１０の凹凸が減少し、かつ凹凸を加熱面裏
面の中央に集中配置できるので、基板加熱装置１０が設
置されたチャンバ７内のプロセスガスの流れに乱れが生
ずることがなく、もって、成膜性が良好となり、例えば
膜厚の均一性等が向上し、良質の膜を成膜することが可
能となる。また、チャンバ７からの給電用電極１３Ａ、
１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｂの取り出し部となる気密シール
部１４を1ケ所に集中することができるので、チャンバ
７全体形状の簡素化、占有スペースの最小化ができる。

【００２５】更に、面状ヒータ１１Ａ、１１Ｂは、共に
基板５とほぼ同径でほぼ同面積に形成されており、各々
その面積全面にわたって発熱体１２Ａ、１２Ｂを備えて
いる。そのため、面状ヒータ１１Ａが主に内周部を加熱
し、面状ヒータ１１Ｂが主に外周部を加熱するように構
成されているとはいえ、それぞれの面状ヒータの発熱体
は、それぞれ基板５全体に対し発熱するため、基板５の
単位面積当たりに対して、より多くの電力を投入可能と
なる。従って、昇温特性が向上して急速昇温が可能とな
り、しかも、高い温度まで基板５を加熱することが可能
となる。

【００２６】また、発熱体１２Ａ、１２Ｂが、優れた熱
伝導率及び輻射率を有する導電性材料で構成されている
ので、基板５に対し遠い位置に配置した面状ヒータ１１
Ｂの発熱体１２Ｂから輻射された熱は、基板５と面状ヒ
ータ１１Ｂとの間に面状ヒータ１１Ａ等が介在していて
も、基板５に効率良く伝えられる。

【００２７】なお、本実施形態においては、発熱体１２
Ａ、１２Ｂは、それぞれ１個の帯状の発熱体で構成され
るものとして構成したが、それぞれ複数の帯状発熱体群
から構成されていてもよい。また、第１及び第２の面状
ヒータの他に、付加的にさらに他の面状ヒータを設けて
も差し支えない。この場合、より複雑な加熱制御を行う
ことが可能である。

【００２８】

【実施例】「実施例」実施形態に係る基板加熱装置（図
１〜図３）を制作した。面状ヒータ１１Ａ、１１Ｂの直
径は、いずれも２４０ｍｍとし、互いに５ｍｍの間隔を
空けて上下に配置した。発熱体１２Ａ、１２Ｂの材質と
しては、常温下での熱伝導率が１７５W／m・Ｋで、か
つ、輻射率が０．９の導電性炭化珪素焼結体を用いた。
発熱体１２Ａの幅Ｗ_Aは内周部中央で６ｍｍとし、徐々
に大きくして外周部の一番外側では２４ｍｍとした。ま
た、発熱体１２Ｂの幅Ｗ_Bは内周部中央で２４ｍｍと
し、徐々に小さくして外周部の一番外側では６ｍｍとし
た。各々の発熱体の厚さ（高さ方向の長さ）は３ｍｍと
した。絶縁板１５は、透明石英製とし、直径２５０ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍとした。ヒータケース４は不透明石英製
とし、直径２７０ｍｍ、高さ２５ｍｍとした。そして、
給電用電極１３Ａ、１３Ａは中心から３０ｍｍの位置
に、給電用電極１３Ｂ、１３Ｂは中心から２０ｍｍの位
置に配置した。

【００２９】「比較例１」第１の従来例に係る基板加熱
装置２０（図４〜図５）を制作した。面状ヒータ２１の
直径は２４０ｍｍとし、発熱体２２の幅Ｗは内周部中央
で１６ｍｍとし、徐々に小さくして外周部の一番外側で
は１０ｍｍとした。給電用電極２３は中心から２０ｍｍ
の位置に配置した。この他の条件は実施例１と同一とし
た。

【００３０】「比較例２」第２の従来例に係る基板加熱
装置３０（図６〜図７）を制作した。面状ヒータ３１ａ
の直径は１８５ｍｍとし、面状ヒータ３１ｂは内径１９
０ｍｍ、外径２４０ｍｍのドーナツ状とした。発熱体２
２の幅Ｗは、面状ヒータ３１ａの内周部中央で１６ｍｍ
とし、徐々に小さくして、面状ヒータ３１ｂの外周部の
一番外側では、１０ｍｍとした。給電用電極３３ａは中
心から２０ｍｍの位置に、給電用電極３３ｂは中心から
２００ｍｍの位置に各々配置した。この他の条件は実施
例１と同一とした。

【００３１】「基板温度の均一性評価」実施例、比較例
１、比較例２の各々について、基板温度の均一性評価を
行った。評価試験にあたり、Ｋ熱電対９対を均等に取り
付けたSi製８インチウェハ（厚さ２ｍｍ）を基板５とし
て試料台６上に載置し、基板温度750℃におけるSi製ウ
ェハの温度分布範囲（ΔＴ）を、真空雰囲気（１．３３
×１０^―4Ｐａ）及びＮ₂大気圧雰囲気中でそれぞれ評価
した。その結果を表１に示す。なお、各々の供給電力
は、実施例と比較例２にあっては、Si製８インチウェハ
の全面が７５０℃の均一温度となるよう、具体的には該
ウエハの中心部と外周部が共に７５０℃となるように温
度コントローラで制御し、比較例１にあっては、該ウエ
ハの中心部が７５０℃となるように、温度コントローラ
で制御した。

【００３２】「成膜性の評価」Ｓｉ製８インチウェハ
（厚さ２ｍｍ）を基板５として試料台６上に載置し、プ
ロセスガス導入口８からチャンバ内にＯ₂ガスを導入す
ると共に、Ｓｉ製ウエハを１１５０℃に保持して、Ｓｉ
製ウエハ上に酸化膜を成膜した。この生成した酸化膜の
膜厚を接触型表面粗さ計により５０箇所測定し、そのバ
ラツキを下記式により算出した。

【数１】その結果を表１に示す。なお、各々の供給電力は、実施
例と比較例２にあっては、Si製８インチウェハの全面が
１１５０℃の均一温度となるよう、具体的には該ウエハ
の中心部と外周部が共に１１５０℃となるように温度コ
ントローラで制御し、比較例１にあっては、該ウエハの
中心部が１１５０℃となるように、温度コントローラで
制御した。

【００３３】

【表１】

【００３４】表１に示すように、比較例１では、Ｎ₂大
気圧における温度の均一性、膜厚のバラツキともに不十
分であった。これは、比較例１においては場所毎の加熱
調整ができないため、基板の中心部の熱逃げ等に対応で
きないためと考えられる。また、内周部と外周部との加
熱量を調整できる比較例２では、温度の均一性は良好と
なったが、膜厚のバラツキは却って増加してしまった。
これは、給電用電極が外周部にも配置されていて、Ｏ₂
ガスの流れに乱れを生じさせているためと考えられる。
これに対して、実施例では、温度の均一性は比較例２と
同等であり、膜厚のバラツキは比較例１、比較例２のい
ずれよりも小さかった。これらの比較実験により本発明
の有用性が確認された。

【００３５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の面状ヒー
タ及び基板加熱装置によれば、熱処理環境が変化しても
基板の面内温度の均一性は充分確保されるのは勿論のこ
と、成膜性が良好であり、良質の膜を成膜することが可
能であり、昇温速度を速めることもできる。しかも、基
板加熱装置の占有スペースを最小限に留めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態に係る基板加熱装置の縦断面図であ
る。

【図２】実施形態に係る基板加熱装置における第１の
面状ヒータの平面図である。

【図３】実施形態に係る基板加熱装置における第２の
面状ヒータの平面図である。

【図４】第１の従来例に係る基板加熱装置の縦断面図
である。

【図５】第１の従来例に係る基板加熱装置における面
状ヒータの平面図である。

【図６】第２の従来例に係る基板加熱装置の縦断面図
である。

【図７】第２の従来例に係る基板加熱装置における面
状ヒータの平面図である。

【符号の説明】

４ヒータケース５基板６試料台７チャンバ１０基板加熱装置１１Ａ、１１Ｂ面状ヒータ１２Ａ、１２Ｂ発熱体１３Ａ、１３Ｂ給電用電極１４気密シール部１５絶縁板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｂ 3/14 Ｈ０５Ｂ 3/14 Ｃ // Ｃ２３Ｃ 16/46 Ｃ２３Ｃ 16/46 (72)発明者中尾誠千葉県市川市二俣新町22−１住友大阪セメント株式会社新材料事業部内 (72)発明者井上克郎千葉県市川市二俣新町22−１住友大阪セメント株式会社新材料事業部内 (72)発明者村上嘉彦千葉県市川市二俣新町22−１住友大阪セメント株式会社新材料事業部内Ｆターム(参考） 3K092 PP09 PP20 QA06 QB09 QB33 QB37 QB43 QC18 QC33 QC38 QC43 RF03 RF11 RF23 UC07 VV04 VV16 VV22 4K030 KA23 LA15 5F031 CA02 CA05 CA13 FA02 GA23 HA37 MA28 MA29 5F045 AA20 AB32 AC11 AF03 BB02 EK08 EK22

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】通電により発熱する発熱体を備えた第
１及び第２の面状ヒータによって、基板を加熱する基板
加熱装置であって、前記第１の面状ヒータは、内周部の
発熱量が外周部の発熱量より大きく、前記第２の面状ヒ
ータは、外周部の発熱量が内周部の発熱量より大きく、
かつ、前記第１の面状ヒータと前記第２の面状ヒータと
は、互いに平行、かつ異なる平面にそれぞれ位置するよ
う配設されたことを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】前記第１及び第２の面状ヒータの発熱
体は帯状であり、第１の面状ヒータの発熱体は、その幅
が内周部の中心部に近づくほど小さく、外周部の外側に
近づくほど大きく形成され、前記第２の面状ヒータの発
熱体は、その幅が内周部の中心部に近づくほど大きく、
外周部の外側に近づくほど小さく形成されたことを特徴
とする請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】前記各面状ヒータの発熱体に通電する
ための給電用電極が、加熱される基板の中心から該基板
の直径の５０％以内の円形領域内に位置することを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】前記各面状ヒータの面積が、共に、加
熱される基板の面積と同等以上であることを特徴とする
請求項１から請求項３の何れかに記載の基板加熱装置。
【請求項５】前記各面状ヒータの発熱体は、常温で
の熱伝導率が１２０Ｗ／m・Ｋ以上、かつ輻射率が０．
７５以上の導電性材料で形成されてなることを特徴とす
る請求項１から請求項４の何れかに記載の基板加熱装
置。