JP2005243243A - 加熱方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加熱装置1は、被加熱物Wを加熱する加熱面2aを有する基体2、電力供給時に発熱する第一の加熱素子3A、および電力供給時に発熱する第二の加熱素子3Bを備えている。加熱素子3Aと3Bとが基体2中に埋設され、積層されている。第一の加熱素子3Aに対して電力を供給したときに、加熱領域11の中央部2eの単位面積当たりの発熱量が加熱領域2aの周縁部2dの単位面積当たりの発熱量よりも大きい。第二の加熱素子3Bに対して電力を供給したときに、中央部2eの単位面積当たりの発熱量が周縁部2dの単位面積当たりの発熱量よりも小さい。目的温度への昇温時に加熱領域の中央部の温度が周縁部の温度よりも高くなるように、第一の加熱素子へと供給される電力と第二の加熱素子へと供給される電力とを制御する。
【選択図】 図4
Description
図1は、本発明の一実施形態で使用する加熱装置1を概略的に示す断面図である。本例の基体2は盤状、例えば円盤状である。基体2には、加熱面2a、底面2bおよび側面2cが設けられている。基体2中には、第一の加熱素子3A、第二の加熱素子3Bが埋設されている。各加熱素子3A、3Bは、加熱面2aと略平行に延びている。各加熱素子3A、3Bは、それぞれ電力供給装置10に接続されており、各加熱素子3A、3Bへの供給電力を独立して制御できる。加熱面2aの加熱領域11には例えば半導体ウエハーWを載置し、加熱することができる。ここで、加熱領域とは、加熱面のうち、被加熱物を実質的に加熱するのに必要な領域を意味する。加熱領域では、目的温度において所定の温度均一性が要求される。加熱領域は、加熱面の全体にわたることがあり、あるいは一部を占めることがある。
また、昇温時においては、所定の温度に早く到達させるために定常時よりも大きな電力を投入させる。そのため,更に温度差がつきやすい。更に加熱体を支持する支持体がつく場合、支持体からの放熱や、支持体の熱容量による温度上昇の遅れの影響があり、中心クールが顕著となる。
100であることが好ましく、100/50〜100/ 100であることが更に好ましい。
図1に示すような形態の加熱装置1を製造した。ただし、基体2を構成するセラミックスはAlNである。加熱素子3Aは、金属モリブデン製のメッシュからなり、加熱素子3Bは、金属モリブデン製のコイルスプリングからなる。基体2の加熱面2aの直径はφ340mmであり、基体2の厚さは17mmである。Rは80mmである。
(昇温時)(図4)
加熱素子3A(In)への供給電力=100%
加熱素子3B(Out)への供給電力=50%
この昇温段階において、中央部がエッジよりも温度が低くなっていた(室温から700℃まで)。そして、基体2に割れが発生しないような昇温速度は 7℃/分以下であった。
比較例1と同様に実験した。ただし、各加熱素子への供給電力を、表1に示すように変更した。
(昇温時)(図4)
加熱素子3A(In)への供給電力= 100%
加熱素子3B(Out)への供給電力= 100%
この昇温段階において、中央部がエッジよりも温度が低くなっていた(室温から800℃まで)。そして、基体2に割れが発生しないような昇温速度は5℃/分以下であった。
比較例1と同様に実験した。ただし、各加熱素子への供給電力を、表1に示すように変更した。
(昇温時)(図4)
加熱素子3A(In)への供給電力= 100%
加熱素子3B(Out)への供給電力= 0%
この昇温段階において、中央部がエッジよりも温度が高くなっていた(室温から800℃まで)。そして、基体2に割れが発生しないような昇温速度は15 ℃/分以下であった。
Claims (7)
- 被加熱物を加熱する加熱面を有する基体、電力供給時に発熱する第一の加熱素子、および電力供給時に発熱する第二の加熱素子を備えており、前記第一の加熱素子と前記第二の加熱素子とが積層されており、前記第一の加熱素子に対して電力を供給したときに前記加熱面の加熱領域の中央部の単位面積当たりの発熱量が前記加熱領域の周縁部の単位面積当たりの発熱量よりも大きく、前記第二の加熱素子に対して電力を供給したときに前記中央部の単位面積当たりの発熱量が前記周縁部の単位面積当たりの発熱量よりも小さい加熱装置を使用して前記被加熱物を加熱するのに際して、
目的温度への昇温時に前記加熱領域の前記中央部の温度が前記周縁部の温度よりも高くなるように、前記第一の加熱素子へと供給される電力と前記第二の加熱素子へと供給される電力とを制御することを特徴とする、加熱方法。 - 目的温度からの降温時に前記加熱領域の前記中央部の温度が前記周縁部の温度よりも高くなるように、前記第一の加熱素子へと供給される電力と前記第二の加熱素子へと供給される電力とを制御することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記第一の加熱素子と前記第二の加熱素子が前記基体中に埋設されていることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記第一の加熱素子と前記第二の加熱素子との少なくとも一部が、前記基体の表面に印刷されていることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記第一の加熱素子および前記第二の加熱素子が、前記加熱面に対して略平行に延びていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記第一の加熱素子へと供給される電力と前記第二の加熱素子へと供給される電力とを独立して制御する電力供給装置を備えていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記被加熱物が半導体である、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の方法。
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2004
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